CN107315504B - 一种阵列基板、显示面板及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种阵列基板、显示面板及显示装置。所述阵列基板包括显示区和围绕所述显示区设置的非显示区;所述非显示区内设置有第一电源信号线、地电位线以及至少一个压力传感器;所述压力传感器包括第一电源信号输入端、第二电源信号输入端,所述压力传感器的第一电源信号输入端与所述第一电源信号线电连接,所述压力传感器的第二电源信号输入端与所述地电位线电连接;所述第一电源信号输入端和/或所述第二电源信号输入端电连接一静电释放单元。本发明实施例提供的技术方案,使得第一电源信号线、地电位线中的静电以及其他途径导向压力传感器的静电,均可通过静电释放单元导出,避免压力传感器受到静电的影响而损坏。
Description
技术领域
本发明实施例涉及显示技术,尤其涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。
背景技术
目前,越来越多的电子设备配置有触控显示屏,例如,公共场所大厅的信息查询机,用户在日常生活工作中使用的电脑、手机等。这样,用户只需用手指触摸触控显示屏上的标识就能够实现对该电子设备进行操作,摆脱了键盘和鼠标操作,使人机交互更为直截了当。为了更好地满足用户需求,通常在触控显示屏中设置有用于检测用户在触摸触控显示屏过程中触控压力的大小的压力传感器。
触控显示屏的制作以及正常工作过程中,显示区结构或非显示区电路产生的静电会对压力传感器造成损伤。此外,当与压力传感器信号输入端电连接的电源线或地电位线上有高强度电流流过或对触控显示屏进行静电测试时,压力传感器也会受到对应静电的影响,使得压力传感器损坏或性能变差。
发明内容
本发明提供一种阵列基板、显示面板及显示装置,以避免压力传感器受静电影响。
第一方面,本发明实施例提供了一种阵列基板,所述阵列基板包括显示区和围绕所述显示区设置的非显示区;
所述非显示区内设置有第一电源信号线、地电位线以及至少一个压力传感器;
所述压力传感器包括第一电源信号输入端、第二电源信号输入端,所述压力传感器的第一电源信号输入端与所述第一电源信号线电连接,所述压力传感器的第二电源信号输入端与所述地电位线电连接;
所述第一电源信号输入端和/或所述第二电源信号输入端电连接一静电释放单元。
第二方面,本发明实施例还提供了一种显示面板,所述显示面板包括上述第一方面所述的阵列基板。
第三方面,本发明实施例还提供了一种显示装置,所述显示装置包括上述第二方面所述的显示面板。
本发明实施例提供的阵列基板包括显示区和围绕显示区设置的非显示区,非显示区内设置有第一电源信号线、地电位线以及至少一个压力传感器,压力传感器包括第一电源信号输入端、第二电源信号输入端,压力传感器的第一电源信号输入端与第一电源信号线电连接,压力传感器的第二电源信号输入端与地电位线电连接,第一电源信号输入端和/或第二电源信号输入端电连接一静电释放单元,第一电源信号线、地电位线中的静电以及其他途径导向压力传感器的静电,均可通过静电释放单元导出,避免压力传感器受到静电的影响而损坏。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述,本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显:
图1是本发明实施例提供的一种阵列基板的局部电路示意图;
图2是本发明实施例提供的又一种阵列基板的局部电路示意图;
图3是本发明实施例提供的又一种阵列基板的局部电路示意图;
图4是对应于图1的阵列基板的局部结构示意图;
图5是沿图4中虚线AB的剖面结构示意图;
图6是本发明实施例提供的一种阵列基板的局部结构示意图;
图7是本发明实施例提供的又一种阵列基板的局部结构示意图;
图8是本发明实施例提供的又一种阵列基板的局部结构示意图;
图9是沿图8中虚线EF的剖面结构示意图;
图10是本发明实施例提供的一种阵列基板的电路示意图;
图11为本发明实施例提供的一种压力传感器的结构示意图;
图12为图11中压力传感器的等效电路图;
图13为本发明实施例提供另一种压力传感器的结构示意图;
图14是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图;
图15是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效,以下结合附图及较佳实施例,对依据本发明提出的一种显示面板及其制作方法的具体实施方式、结构、特征及其功效,详细说明如后。
本发明实施例提供了一种阵列基板,所述阵列基板包括显示区和围绕所述显示区设置的非显示区;
所述非显示区内设置有第一电源信号线201、地电位线以及至少一个压力传感器;
所述压力传感器包括第一电源信号输入端、第二电源信号输入端,所述压力传感器的第一电源信号输入端与所述第一电源信号线201电连接,所述压力传感器的第二电源信号输入端与所述地电位线电连接;
所述第一电源信号输入端和/或所述第二电源信号输入端电连接一静电释放单元。
本发明实施例提供的阵列基板包括显示区和围绕显示区设置的非显示区,非显示区内设置有第一电源信号线、地电位线以及至少一个压力传感器,压力传感器包括第一电源信号输入端、第二电源信号输入端,压力传感器的第一电源信号输入端与第一电源信号线电连接,压力传感器的第二电源信号输入端与地电位线电连接,第一电源信号输入端和/或第二电源信号输入端电连接一静电释放单元,第一电源信号线、地电位线中的静电以及其他途径导向压力传感器的静电,均可通过静电释放单元导出,避免压力传感器受到静电的影响而损坏。
以上是本申请的核心思想,下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下,所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明,但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其他实施方式来实施,本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广,因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
其次,本发明结合示意图进行详细描述,在详述本发明实施例时,为便于说明,表示装置器件结构的示意图并非按照一般比例作局部放大,而且所述示意图只是示例,其在此不应限制本发明保护的范围。此外,在实际制作中应包含长度、宽度以及高度的三维空间尺寸。
图1是本发明实施例提供的一种阵列基板的局部电路示意图。如图1所示,阵列基板包括显示区10和围绕所述显示区10设置的非显示区20,所述非显示区20内设置有第一电源信号线201、地电位线202以及至少一个压力传感器203,所述压力传感器203包括第一电源信号输入端211和第二电源信号输入端212,所述压力传感器203的第一电源信号输入端211与所述第一电源信号线201电连接,所述压力传感器203的第二电源信号输入端212与所述地电位线202电连接,所述第一电源信号输入端211和所述第二电源信号输入端212电连接一静电释放单元204。
需要说明的是,图1仅以阵列基板包括一个设置于非显示区20内的压力传感器203为例进行说明,而非对压力传感器203数量以及位置的限定,在本实施例的其他实施方式中,阵列基板包括的压力传感器203数量还可以为两个或多于两个,至少一个压力传感器203还可以部分设置于显示区10内或全部设置于显示区10内。
还需要说明的是,静电释放单元204用于导走欲传输至压力传感器203中的静电。第一电源信号输入端211和第二电源信号输入端212属于压力传感器203与外部线路连接的端口,也是静电传输至压力传感器203的通道,因此,将静电释放单元204电连接至第一电源信号输入端211和第二电源信号输入端212,能够使得静电释放单元204及时将经第一电源信号线201以及地电位线202输入的静电释放掉,避免压力传感器203受到静电的影响。可以理解的是,在本实施例的其他实施方式中,也可仅设置与第一电源信号输入端211电连接的静电释放单元204,或者仅设置与第二电源信号输入端212电连接的静电释放单元204,同样能够实现静电释放单元204的作用,降低静电对压力传感器203的影响。
本发明实施例提供的阵列基板包括显示区10和围绕显示区10设置的非显示区20,非显示区20内设置有第一电源信号线201、地电位线202以及至少一个压力传感器203,压力传感器203包括第一电源信号输入端211、第二电源信号输入端212,压力传感器203的第一电源信号输入端211与第一电源信号线201电连接,压力传感器203的第二电源信号输入端212与地电位线202电连接,第一电源信号输入端211和/或第二电源信号输入端212电连接一静电释放单元204,使得第一电源信号线201、地电位线202中的静电以及其他途径导向压力传感器203的静电,均可通过静电释放单元204导出,避免压力传感器203受到静电的影响而损坏。
如图1所示,所述压力传感器203的形状可以为菱形,所述菱形的一个对角线与所述第一电源信号线201平行设置,所述静电释放单元204位于菱形任一边远离菱形几何中心的一侧。非显示区20内设置的走线延伸方向通常与阵列基板边缘平行,即与图1所示第一电源信号线201的延伸方向平行或垂直,因此菱形压力传感器203的四个边角位置处属于未布线区域,将静电释放单元204设置在这些位置处能够有效利用阵列基板的空余空间,压力传感器203周围的结构或走线也可以无需改变原有设计。
参见图1,所述静电释放单元204可以至少包括一个NMOS 222和一个PMOS 221,所述NMOS 222的第一极241和所述PMOS 221的第二极232相连后与所述第一电源信号输入端211或所述第二电源信号输入端212电连接,所述NMOS 222的栅极243和第二极242与低电平走线206电连接,所述PMOS 221的栅极233和第一极231与高电平走线205电连接。
需要说明的是,第一极和第二极可以分别为源极和漏极或分别为漏极和源极。如图1所示,以与压力传感器203的第二电源信号输入端212连接的静电释放单元204为例,一个NMOS 222和一个PMOS 221组成CMOS,CMOS与第二电源信号输入端212的连接点记为连接点O。根据NMOS 222高电平导通,PMOS 221低电平导通可知,当连接点O的电压高于高电平走线205的电压时,PMOS 221导通,NMOS 222截止,静电从PMOS 221所在通路导出;当连接点O的电压低于低电平走线206的电压时,NMOS 222导通,PMOS 221截止,静电从NMOS 222所在通路导出。
还需要说明的是,静电释放单元204包括的NMOS 222和PMOS 221数量不限于一个,在本实施例的其他实施方式中,静电释放单元204还可以包括多个NMOS 222和多个PMOS221。示例性的,图2是本发明实施例提供的又一种阵列基板的局部电路示意图。如图2所示,静电释放单元204包括分别电连接于连接点O两侧的两个串联NMOS 222和两个串联PMOS221,各NMOS 222的栅极243连接低电平走线206,各PMOS 221的栅极233连接高电平走线205,其工作原理与图1所示静电释放单元204工作原理相同,此处不再赘述。
可选的,图1中所述第一电源信号输入端211的电压可以小于所述高电平走线205的电压,所述第二电源信号输入端212的电压绝对值可以小于所述低电平走线206的电压。这样的设置使得在显示屏的正常工作过程中,NMOS 222和PMOS 221均不会导通,避免静电释放单元204导致显示屏显示异常。
示例性的,所述非显示区20内设置有扫描驱动电路,所述扫描驱动电路的高电平电源线和低电平电源线可以分别复用为所述高电平走线205和所述低电平走线206。将扫描驱动电路的高电平电源线和低电平电源线分别复用为所述高电平走线205和所述低电平走线206能够减少非显示区20内走线的数量,有利于显示屏的窄边框化或可以为其他电路走线留出更为充足的布线空间。
需要说明的是,第一电源信号线201和地电位线202均为电阻较小的电源线,易有强电流通过,进而产生静电,这些静电会直接影响到与第一电源信号线201和地电位线202电连接的压力传感器203。本实施例中静电释放单元204的设置使得第一电源信号线201和/或地电位线202上欲传输至压力传感器203的静电能够及时导出,且通过设置第一电源信号输入端211的电压小于高电平走线205的电压,第二电源信号输入端212的电压绝对值小于低电平走线206的电压,使得可通过扫描驱动电路中高电平电源线和低电平电源线复用形成的高电平走线205和低电平走线206中产生的静电不会经过对应的静电释放单元204传输至压力传感器203,进而避免了静电对压力传感器203产生影响。
继续参见图1,所述显示区10包括多个第一晶体管11,所述非显示区20包括多个第二晶体管(未示出),静电释放单元204中所述NMOS 222和所述PMOS 221中至少一种器件的沟道宽长比大于任一所述第一晶体管11和任一所述第二晶体管的沟道宽长比。晶体管的沟道宽长比越大导通电阻越小,因此,上述设置方式使得静电释放单元204中NMOS 222和/或PMOS 221的导通电阻小于任一第一晶体管11和任一第二晶体管(未示出),从而静电能够从导通电阻更小的静电释放单元204导出,且导出速度得到提升。
图3是本发明实施例提供的又一种阵列基板的局部电路示意图。如图3所示,所述压力传感器203的形状为菱形,所述菱形的一个对角线与所述第一电源信号线201平行设置,图3所示阵列基板结构与图1所示整列基板结构相似,不同的是,同一所述静电释放单元204中的所述NMOS 222和所述PMOS 221分别设置于菱形相邻边远离菱形几何中心的一侧。这样的设置使得NMOS 222以及PMOS 221的尺寸较大时依然能够将NMOS 222和PMOS 221设置于菱形压力传感器203的四个未布线的边角位置处,同样能够达到有效利用阵列基板的空余空间的有益效果。
图4是对应于图1的阵列基板的局部结构示意图。如图4所示,阵列基板包括显示区10和围绕所述显示区10设置的非显示区20,所述显示区10设置有多个第一晶体管11。图5是沿图4中虚线AB的剖面结构示意图。如图5所示,所述压力传感器203和所述第一晶体管11的半导体层111同层设置。这样的设置可以减少阵列基板的总膜层数量,有利于显示屏的薄化。
可选的,所述压力传感器203和所述第一晶体管11的半导体层111可以在同一工艺步骤中形成。这样的设置可以减少阵列基板制备过程中的一个工艺步骤,有利于简化显示屏的制备工艺。可以理解的是,在本实施例的其他实施方式中,压力传感器203也可以与第一晶体管11的半导体层111在不同的工艺步骤中形成。
图6是本发明实施例提供的一种阵列基板的局部结构示意图。如图6所示,阵列基板包括显示区10和围绕所述显示区10设置的非显示区20,所述非显示区20内设置有第一电源信号线201、地电位线202以及至少一个压力传感器203,所述压力传感器203包括第一电源信号输入端211和第二电源信号输入端212,所述压力传感器203的第一电源信号输入端211与所述第一电源信号线201电连接,所述压力传感器203的第二电源信号输入端212与所述地电位线202电连接。所述第一电源信号输入端211和所述第二电源信号输入端212均电连接一所述静电释放单元204,所述静电释放单元204为尖端放电电极。具体的,所述第一电源信号输入端211电连接第一静电释放单元2041且所述第二电源信号输入端212电连接第二静电释放单元2042,所述第一静电释放单元2041和所述第二静电释放单元2042通过尖端放电。
图7是本发明实施例提供的又一种阵列基板的局部结构示意图。如图7所示,阵列基板包括显示区10和围绕所述显示区10设置的非显示区20,所述非显示区20内设置有第一电源信号线201、地电位线202以及至少一个压力传感器203,所述压力传感器203包括第一电源信号输入端211和第二电源信号输入端212,所述压力传感器203的第一电源信号输入端211与所述第一电源信号线201电连接,所述压力传感器203的第二电源信号输入端212与所述地电位线202电连接。所述第一电源信号输入端211和所述第二电源信号输入端212均电连接一所述静电释放单元204,所述静电释放单元204为电容极板。具体的,所述第一电源信号输入端211电连接第一静电释放单元2041且所述第二电源信号输入端212电连接第二静电释放单元2042,所述第一静电释放单元2041和所述第二静电释放单元2042通过电容放电进行静电导出。
图8是本发明实施例提供的又一种阵列基板的局部结构示意图。如图8所示,阵列基板包括显示区10和围绕所述显示区10设置的非显示区20,所述非显示区20内设置有第一电源信号线201、地电位线202以及至少一个压力传感器203,所述压力传感器203包括第一电源信号输入端211和第二电源信号输入端212,所述压力传感器203的第一电源信号输入端211与所述第一电源信号线201电连接,所述压力传感器203的第二电源信号输入端212与所述地电位线202电连接,所述第二电源信号输入端212电连接一静电释放单元204,阵列基板还包括静电传导层207,所述静电传导层207与所述地电位线202电连接。图9是沿图8中虚线EF的剖面结构示意图。如图9所示,所述静电传导层207与所述压力传感器203之间设置有绝缘层310,沿所述阵列基板上各膜层的层叠方向Y,所述静电传导层207覆盖部分所述压力传感器203。
需要说明的是,阵列基板各膜层结构中,通常压力传感器203所在膜层与阵列基板的玻璃基板320距离较近,用于形成电路走线等结构的膜层多位于压力传感器203远离玻璃基板320的一侧,因此通过隔空放电方式传输至压力传感器203的静电多来自压力传感器203远离玻璃基板320一侧。考虑到上述问题,本实施例在压力传感器203远离玻璃基板320的一侧设置静电传导层207,通过隔空放电方式产生的静电会被阻挡在静电传导层207内,而无法再传输至压力传感器203,避免了压力传感器203受静电的影响。此外,也可以设置第一电源信号输入端211电连接一静电释放单元204,或第一电源信号输入端211和第二电源信号输入端212均电连接一静电释放单元。
继续参见图9,所述静电传导层207包括至少一个开孔410,每个所述开孔410所在区域内的所述绝缘层310包括一过孔510,所述第一电源信号输入端211和所述第二电源信号输入端212通过所述过孔510与对应的信号线610电连接。
需要说明的是,如图8和9所示,用于电连接第一电源信号输入端211和第一电源信号线201的第一信号线610/1,以及用于电连接第二电源信号输入端212和地电位线202的第二信号线610/2通常都与地电位线202和压力传感器203等结构异层设置,且位于静电传导层207远离玻璃基板320的一侧,因此,为实现第一电源信号输入端211和第二电源信号输入端212与对应的信号线610的电连接,静电传导层207需设置开孔410,以便在该开孔区域内形成用于实现上述电连接的过孔510。示例性的,当第一信号线610/1和第二信号线610/2所在膜层位于静电传导层207与压力传感器203之间的膜层时,静电传导层207不会阻碍对应信号线610与第一电源信号输入端211和第二电源信号输入端212的电连接,此时可不再预留静电传导层207上的开孔410,从而使得静电传导层207能够完全覆盖压力传感器203。因此,可以理解的是,也可以仅设置第一电源信号输入端211或第二电源信号输入端212通过静电传导层207上对应设置的开孔410实现与对应信号线610的电连接。
还需要说明的是,聚集在静电传导层207中的静电除了可通过地电位线202导出外,还可以通过静电释放单元204导出,因此,在本实施例的其他实施方式中,静电传导层207可以与静电释放单元204电连接,可以理解的是,静电传导层207还可以同时与地电位线202以及静电释放单元204电连接。此外,对于静电释放单元204为尖端放电电极的情况,第一尖端放电电极可与静电传导层207或静电释放单元204电连接,且第二尖端电极电连接地电位线202,或第一尖端放电电极可与静电传导层207以及第一电源信号线201电连接,且第二尖端电极电连接地电位线202,其中第一尖端放电电极和第二尖端放电电极用于通过尖端放电进行静电导出。
可选的,如图9所示,所述绝缘层310可以延伸至所述压力传感器203的边缘外侧,并在所述压力传感器203的边缘外侧具有斜坡边缘,所述静电传导层207覆盖所述斜坡边缘。
需要说明的是,静电传导层207边缘易发生尖端放电,容易使得压力传感器203受到静电的损伤,本实施例上述设置方式中静电传导层207能够更好的屏蔽压力传感器203边缘,进而保护压力传感器203免受静电损坏。
图10是本发明实施例提供的一种阵列基板的电路示意图。如图10所示,阵列基板包括显示区10以及围绕所述显示区10设置的非显示区20,所述非显示区20内设置有扫描驱动电路,所述扫描驱动电路包括多个级联的移位寄存器710,所述至少一个压力传感器203位于级联的两个所述移位寄存器710之间。
图11为本发明实施例提供的一种压力传感器的结构示意图。参见图11,压力传感器203包括第一电源信号输入端211和第二电源信号输入端212,此外,压力传感器203还包括第一感应信号测量端213和第二感应信号测量端214。所述压力传感器203为至少包括四个边的多边形,所述第一电源信号输入端211位于所述多边形的第一边p,所述第二电源信号端212位于所述多边形的第二边q,所述第一电源信号输入端211和所述第二电源信号输入端212用于向所述压力传感器203输入电源驱动信号,所述第一感应信号测量端213位于所述多边形的第三边r,所述第二感应信号测量端214位于所述多边形的第四边s,所述第一感应信号测量端213和所述第二感应信号测量端214用于从所述压力传感器203输出压感检测信号,所述第一电源信号输入端211和所述第二电源信号输入端212所在的第一直线与所述第一感应信号测量端213和所述第二感应信号测量端214所在的第二直线相交。
图12为图11中压力传感器的等效电路图。参见图11和图12,该压力传感器203可以等效为一个惠斯通电桥,该惠斯通电桥包括四个等效电阻,分别为等效电阻Ra、等效电阻Rb、等效电阻Rc和等效电阻Rd,其中第二电源信号输入端212和第一感应信号测量端213之间的区域为等效电阻Ra,第二电源信号输入端212和第二感应信号测量端214之间的区域为等效电阻Rb,第一电源信号输入端211和第一感应信号测量端213之间的区域为等效电阻Rd,第一电源信号输入端211和第二感应信号测量端214之间的区域为等效电阻Rc。当向第一电源信号输入端211和第二电源信号输入端212输入偏置电压信号时,惠斯通电桥中各支路均有电流通过。此时,按压显示面板时,压力传感器203因受到来自显示面板上与其对应位置处剪切力的作用,其内部等效电阻Ra、等效电阻Rb、等效电阻Rc和/或等效电阻Rd中至少一个的阻抗均发生变化,从而使得压力传感器203的第一感应信号测量端213和第二感应信号测量端214输出的压感检测信号之差与无按压时压力传感器203的第一感应信号测量端213和第二感应信号测量端214输出的压感检测信号之差不同,据此,可以确定触控压力的大小。
图13为本发明实施例提供另一种压力传感器的结构示意图。参见图,压力传感器203包括第一电源信号输入端211和第二电源信号输入端212,此外,压力传感器203还包括第一感应信号测量端213和第二感应信号测量端214。该压力传感器203包括第一感应电阻R1、第二感应电阻R2、第三感应电阻R3和第四感应电阻R4;第一感应电阻R1的第一端a以及第四感应电阻R4的第一端a’与第一电源信号输入端211电连接,第一感应电阻R4的第二端b以及第二感应电阻R2的第一端b’与第一感应信号测量端213电连接,第四感应电阻R4的第二端d以及第三感应电阻R3的第一端d’与第二感应信号测量端214电连接,第二感应电阻R2的第二端c以及第三感应电阻R3的第二端c’与第二电源信号输入端212电连接;第一电源信号输入端211和第二电源信号输入端212用于向压力传感器203输入电源驱动信号;第一感应信号测量端213和第二感应信号测量端214用于从压力传感器203输出压感检测信号。
继续参见图13,第一感应电阻R1、第二感应电阻R2、第三感应电阻R3和第四感应电阻R4构成惠斯通电桥结构。当向第一电源信号输入端211和第二电源信号输入端212输入偏置电压信号时,惠斯通电桥中各支路均有电流通过。此时,按压显示面板时,压力传感器203因受到来自显示面板上与其对应位置处剪切力的作用,其内部各电阻(包括第一感应电阻R1、第二感应电阻R2、第三感应电阻R3和第四感应电阻R4)的电阻阻值发生变化,从而使得压力传感器203的第一感应信号测量端213和第二感应信号测量端214的输出电信号之差与无按压时压力传感器203的第一感应信号测量端213和第二感应信号测量端214的输出电信号之差不同,据此,可以确定触控压力的大小。
需要说明的是,由于将惠斯通电桥设置于显示面板上,当对显示面板施加压力时,显示面板发生形变,则设置在该显示面板上的第一感应电阻R1、第二感应电阻R2、第三感应电阻R3和第四感应电阻R4均会发生形变,为了能够起到检测触控压力的大小的作用,需要要求第一感应电阻R1、第二感应电阻R2、第三感应电阻R3和第四感应电阻R4所感受的形变不同。
可选地,参见图13,该压力传感器203还可以包括第一延伸方向100和第二延伸方向200,第一延伸方向100和第二延伸方向200交叉设置,第一感应电阻R1由第一端a到第二端b的延伸长度在第一延伸方向100上的分量大于在第二延伸方向200上的分量,第二感应电阻R2由第一端b’到第二端c的延伸长度在第二延伸方向200上的分量大于在第一延伸方向100上的分量,第三感应电阻R3由第一端d’到第二端c’的延伸长度在第一延伸方向100上的分量大于在第二延伸方向200上的分量,第四感应电阻R4由第一端a’到第二端d的延伸长度在第二延伸方向200上的分量大于在第一延伸方向100上的分量。
这样设置可以使得第一感应电阻R1和第三感应电阻R3感应第一延伸方向100的应变,第二感应电阻R2和第四感应电阻R4感应第二延伸方向200的应变。由于第一感应电阻R1感应应变的方向与第二感应电阻R2感应应变的方向不同,第四感应电阻R4感应应变的方向与第三感应电阻R3感应应变的方向不同,可以将第一感应电阻R1、第二感应电阻R2,以及第三感应电阻R3和第四感应电阻R4分布在空间同一处或者距离相近的位置,从而使得第一感应电阻R1和第二感应电阻R2,以及第三感应电阻R3和第四感应电阻R4有同步温度变化,消除温度差异的影响,提高了压力感应精度。
需要说明的是,压力传感器203的第一感应信号测量端213和第二感应信号测量端214也与外部线路电连接,与第一电源信号输入端211以及第二电源信号输入端212一样是静电传输至压力传感器203的通道,因此,除了设置第一电源信号输入端211和/或所述第二电源信号输入端212电连接一静电释放单元外,还可设置第一感应信号测量端213和/或第二感应信号测量端214电连接一静电释放单元。
图14是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图。如图14所示,显示面板1包括本发明任意实施例所述的阵列基板2。
图15是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。如图15所示,显示装置3包括本发明任意实施例所述的显示面板1。
注意,上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解,本发明不限于这里所述的特定实施例,对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整、相互结合和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此,虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明,但是本发明不仅仅限于以上实施例,在不脱离本发明构思的情况下,还可以包括更多其他等效实施例,而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
Claims (16)
1.一种阵列基板,其特征在于,包括显示区和围绕所述显示区设置的非显示区;
所述非显示区内设置有第一电源信号线、地电位线以及至少一个压力传感器;
所述压力传感器包括第一电源信号输入端和第二电源信号输入端,所述压力传感器的第一电源信号输入端与所述第一电源信号线电连接,所述压力传感器的第二电源信号输入端与所述地电位线电连接;
所述第一电源信号输入端和/或所述第二电源信号输入端电连接一静电释放单元;
其中,所述静电释放单元至少包括一个NMOS和一个PMOS;
所述NMOS的第一极和所述PMOS的第二极相连后与所述第一电源信号输入端或所述第二电源信号输入端电连接,所述NMOS的栅极和第二极与低电平走线电连接,所述PMOS的栅极和第一极与高电平走线电连接。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述压力传感器还包括第一感应信号测量端和第二感应信号测量端;
所述压力传感器包括第一感应电阻、第二感应电阻、第三感应电阻和第四感应电阻;所述第一感应电阻的第一端以及所述第四感应电阻的第一端与所述第一电源信号输入端电连接,所述第一感应电阻的第二端以及所述第二感应电阻的第一端与所述第一感应信号测量端电连接,所述第四感应电阻的第二端以及所述第三感应电阻的第一端与所述第二感应信号测量端电连接,所述第二感应电阻的第二端以及所述第三感应电阻的第二端与所述第二电源信号输入端电连接;
所述第一电源信号输入端和所述第二电源信号输入端用于向所述压力传感器输入电源驱动信号;所述第一感应信号测量端和所述第二感应信号测量端用于从所述压力传感器输出压感检测信号。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述压力传感器还包括第一感应信号测量端和第二感应信号测量端;
所述压力传感器为至少包括四个边的多边形;所述第一电源信号输入端位于所述多边形的第一边,所述第二电源信号端位于所述多边形的第二边,所述第一电源信号输入端和所述第二电源信号输入端用于向所述压力传感器输入电源驱动信号;所述第一感应信号测量端位于所述多边形的第三边,所述第二感应信号测量端位于所述多边形的第四边,所述第一感应信号测量端和所述第二感应信号测量端用于从所述压力传感器输出压感检测信号;
所述第一电源信号输入端和所述第二电源信号输入端所在的第一直线与所述第一感应信号测量端和所述第二感应信号测量端所在的第二直线相交。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述压力传感器的形状为菱形,所述菱形的一个对角线与所述第一电源信号线平行设置;
所述静电释放单元位于菱形任一边远离菱形几何中心的一侧。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述压力传感器的形状为菱形,所述菱形的一个对角线与所述第一电源信号线平行设置;
同一所述静电释放单元中的所述NMOS和所述PMOS分别设置于菱形相邻边远离菱形几何中心的一侧。
6.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述显示区包括多个第一晶体管,所述非显示区包括多个第二晶体管,所述NMOS和所述PMOS中至少一种器件的沟道宽长比大于任一所述第一晶体管和任一所述第二晶体管的沟道宽长比。
7.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述第一电源信号输入端的电压小于所述高电平走线的电压,所述第二电源信号输入端的电压绝对值小于所述低电平走线的电压。
8.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述非显示区内设置有扫描驱动电路,所述扫描驱动电路的高电平电源线和低电平电源线分别复用为所述高电平走线和所述低电平走线。
9.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,还包括静电传导层,所述静电传导层与所述压力传感器之间设置有绝缘层,沿所述阵列基板上各膜层的层叠方向,所述静电传导层覆盖至少部分所述压力传感器;
所述静电传导层与所述地电位线和/或一个所述静电释放单元电连接。
10.根据权利要求9所述的阵列基板,其特征在于,所述静电传导层包括至少一个开孔,每个所述开孔所在区域内的所述绝缘层包括一过孔,所述第一电源信号输入端和/或所述第二电源信号输入端通过所述过孔与对应的信号线电连接。
11.根据权利要求9所述的阵列基板,其特征在于,所述绝缘层延伸至所述压力传感器的边缘外侧,并在所述压力传感器的边缘外侧具有斜坡边缘,所述静电传导层覆盖所述斜坡边缘。
12.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,包括显示区以及围绕所述显示区设置的非显示区,所述非显示区内设置有扫描驱动电路,所述扫描驱动电路包括多个级联的移位寄存器,所述至少一个压力传感器位于级联的两个所述移位寄存器之间。
13.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,包括显示区和围绕所述显示区设置的非显示区,所述显示区设置有多个第一晶体管,所述压力传感器和所述第一晶体管的半导体层同层设置。
14.根据权利要求13所述的阵列基板,其特征在于,所述压力传感器和所述第一晶体管的半导体层在同一工艺步骤中形成。
15.一种显示面板,其特征在于,包括权利要求1-14任一项所述的阵列基板。
16.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求15所述的显示面板。
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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GR01 | Patent grant | ||
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