KR100857472B1 - Organic light emitting device and method for fabricating the same - Google Patents

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정승묵
황치선
이정익
양용석
박상희
도이미
추혜용
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한국전자통신연구원
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Abstract

An organic light emitting device and a method for fabricating the same are provided to prevent ions from diffusing from a substrate to an another layer due to a high temperature process by forming a buffer layer on the substrate. A method for fabricating an organic light emitting device includes the steps of: forming a crystalline buffer layer on a substrate by using oxide material, wherein the buffer layer has a plurality of crystal growth directions(S2); forming an anode on the buffer layer by using the oxide material(S3); forming an organic layer including a light emitting layer on the anode(S4); and forming a cathode on the organic layer(S5), wherein electric conductivity of the anode is improved by crystallization of the buffer layer.

Description

유기 전계 발광 표시 소자 및 그 제조 방법{Organic Light Emitting Device and Method for fabricating the same}Organic Light Emitting Device and Method for Fabricating the Same {Organic Light Emitting Device and Method for fabricating the same}

도 1은 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시 소자를 나타낸 개략적인 측단면도이다.1 is a schematic side cross-sectional view showing an organic light emitting display device according to the present invention.

도 2는 도 1의 유기 전계 발광 표시 소자의 제조 순서를 나타낸 블록도이다.FIG. 2 is a block diagram illustrating a manufacturing procedure of the organic light emitting display device of FIG. 1.

도 3은 본 발명에 따른 완충층의 증착 온도와 저항에 관한 그래프이다. 3 is a graph of deposition temperature and resistance of the buffer layer according to the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

1: 유기 전계 발광 표시 소자 10: 기판1: organic electroluminescent display element 10: substrate

11: 완충층 12: 제1 전극(anode)11: buffer layer 12: first electrode (anode)

13: 정공주입 및 수송층 14: 발광층13: hole injection and transport layer 14: light emitting layer

15: 전자수송 및 주입층 16: 제2 전극(cathode)15: electron transport and injection layer 16: the second electrode (cathode)

17: 인캡슐레이션층17: encapsulation layer

본 발명은 유기 전계 발광 표시 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 제1 전극 하부에 결정성을 갖는 완충층이 형성된 유기 전계 발광 표시 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic light emitting display device and a method of manufacturing the same, and more particularly, to an organic light emitting display device and a method of manufacturing the same, in which a buffer layer having crystallinity is formed below the first electrode.

일반적으로 유기 전계 발광 표시 장치는 능동형 유기 전계 발광 표시 장치 (AMOLED;Active Matrix Organic Light Emitting Device) 및 별도의 구동원이 필요한 수동형 유기 전계 발광 표시 장치(PMOLED; Passive Matrix Organic Light Emitting Device)로 나눌 수 있다. In general, an organic light emitting display device may be classified into an active matrix organic light emitting device (AMOLED) and a passive matrix organic light emitting device (PMOLED) requiring a separate driving source. .

이러한 유기 전계 발광 표시 장치 중 일반적으로 사용되는 능동형 유기 전계 발광 표시 장치는 기판 상에 배열된 다수의 화소를 포함하는 화상영역과 구동영역을 포함하며, 화상영역을 구성하는 각 화소는 스위칭 박막 트랜지스터, 구동 박막 트랜지스터, 커패시터 및 유기 전계 발광 표시 소자를 포함한다. 상기 구조를 갖는 능동형 유기 전계 발광 표시 장치는 자발광이 가능하며, 고효율에 넓은 시야 각을 갖고, 응답 속도가 빠르고, 제작비용이 낮고, 콘트라스트(Contrast) 높다는 점이 큰 장점이다.Among the organic light emitting display devices, an active organic light emitting display device which is generally used includes an image region and a driving region including a plurality of pixels arranged on a substrate, and each pixel constituting the image region includes a switching thin film transistor, A driving thin film transistor, a capacitor, and an organic light emitting display device are included. An active organic light emitting display device having the above structure is capable of self-luminous, high efficiency, wide viewing angle, fast response speed, low manufacturing cost, and high contrast.

상기 유기 전계 발광 표시 소자는, 일반적으로, 기판 상에 형성된 제1 전극(anode); 제1 전극 상에 형성된 정공 주입 및 수송층, 유기 발광층, 전자 수송 및 주입증을 포함하는 유기층; 및 유기층 상에 형성된 제2 전극(cathode)을 포함한다. 상기 기판은 유리 또는 투명성을 갖는 플라스틱 기판 등을 이용할 수 있으며, 제1 전극은 일반적으로 빛이 방출되는 방향으로 일함수가 높은 물질을 이용하는 양의 전극(anode)이고, 제2 전극은 전도성을 갖으며 비교적 일함수가 낮은 물질을 이용하는 음의 전극(cathode)이다. 상기 제1 전극은 투명성을 띠는 산화인듐주석(ITO; Indium Tin Oxide), 산화인듐징크(IZO; Indium Zinc Oxide) 등으로 이루어진다.The organic light emitting display device generally includes a first electrode formed on a substrate; An organic layer including a hole injection and transport layer formed on the first electrode, an organic light emitting layer, and an electron transport and injection certificate; And a second electrode formed on the organic layer. The substrate may be a glass or a plastic substrate having transparency, and the first electrode is generally a positive electrode using a material having a high work function in a direction in which light is emitted, and the second electrode has conductivity. It is a negative electrode using a relatively low work function material. The first electrode is made of transparent indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or the like.

전술한 구조를 갖는 유기 전계 발광 표시 소자를 동작시키기 위해, 제1 및 제2 전극에 소정의 바이어스를 인가하면, 제1 전극에서는 정공이 생성되며, 제2 전극에서는 전자가 생성된다. 제1 전극에서 생성된 정공은 정공 주입 및 수송층을 통해 발광층으로 운반되고, 제2 전극에서 생성된 전자는 전자 수송 및 주입층을 통해 발광층으로 운반된다. 전자 수송층 및 정공 수송층을 통해 운반된 정공과 전자가 발광층에서 재결합하면서 여기자를 형성하며, 이에 따라, 유기 전계 발광 표시 소자의 발광층에서 빛이 발생한다.In order to operate the organic light emitting display device having the above-described structure, when a predetermined bias is applied to the first and second electrodes, holes are generated at the first electrode and electrons are generated at the second electrode. Holes generated at the first electrode are transported to the light emitting layer through the hole injection and transport layer, and electrons generated at the second electrode are transported to the light emitting layer through the electron transport and injection layer. Holes and electrons transported through the electron transporting layer and the hole transporting layer recombine in the light emitting layer to form excitons, and thus light is generated in the light emitting layer of the organic light emitting display device.

상기한 구조의 유기 전계 발광 표시 소자는 발광층에서 발광된 빛을 기판의 하부 혹은 상부로 방출하느냐에 따라 배면발광구조(Bottom Emission Structure) 또는 전면발광구조(Top Emission Structure)로 나눌 수 있다.The organic light emitting display device having the above structure may be classified into a bottom emission structure or a top emission structure according to whether the light emitted from the emission layer is emitted to the bottom or the top of the substrate.

그러나 제1 전극으로 투명성을 띠는 ITO 또는 IZO 등을 사용하는 경우에는, ITO 또는 IZO의 빛 투과율이 매우 높기 때문에 발광층에서 생성된 빛이 상부 및 하부 양방향으로 방출될 수 있으며, 이에 의해 유기 전계 발광 표시 소자의 휘도가 저하된다는 문제점을 갖게 된다. 이러한 유기 전계 발광 표시 소자의 휘도를 개선하기 위해, 제1 및 제2 전극에 인가되는 구동 전압을 높이는 방법을 이용하지만, 이 경우에는 유기 전계 발광 표시 소자의 수명이 단축된다는 문제점을 갖게 된다.However, in the case of using transparent ITO or IZO as the first electrode, since the light transmittance of ITO or IZO is very high, light generated in the light emitting layer may be emitted in both upper and lower directions, thereby organic electroluminescence. There is a problem that the luminance of the display element is lowered. In order to improve the luminance of the organic light emitting display device, a method of increasing the driving voltage applied to the first and second electrodes is used, but in this case, the life of the organic light emitting display device is shortened.

전술한 문제점들을 감안하여, 제2 전극을 금속으로 제작하거나 외부로부터 빛을 차단하는 탄소를 이용하는 방법이 제안되고 있지만, 제2 전극을 금속으로 제작하는 경우에는 전기 전도도는 비슷하지만 일함수의 문제로 인하여 효율이 감소되게 되며, 외부로의 빛을 차단하는 흑색의 탄소를 이용하는 경우에는 전기 전도도의 감소로 인해 문턱전압이 높아지며, 발광 효율이 감소하여 유기 전계 발광 표시 소자의 수명이 단축된다는 문제점을 갖게 된다.In view of the above-mentioned problems, a method of manufacturing a second electrode made of metal or using carbon to block light from the outside has been proposed. However, when the second electrode is made of metal, the electrical conductivity is similar, but due to the problem of work function. As a result, the efficiency is reduced, and when black carbon is used to block light to the outside, the threshold voltage is increased due to the decrease in electrical conductivity, and the luminous efficiency is reduced, thereby shortening the lifespan of the organic light emitting display device. do.

따라서 본 발명은 전술한 문제점들을 해소하기 위해 고안된 발명으로, 본 발명의 목적은 제1 전극 하부에 완충층을 형성함으로써, 제1 전극의 전기 전도도를 향상시켜 휘도를 증가시킬 수 있는 유기 전계 발광 표시 소자 및 그 제조 방법을 제공하는 데 있다.Accordingly, the present invention is an invention designed to solve the above-mentioned problems, an object of the present invention is to form a buffer layer below the first electrode, thereby improving the electrical conductivity of the first electrode to increase the brightness of the organic light emitting display device And a method for producing the same.

본 발명의 다른 목적은 전도성이 있는 완충층을 형성함으로써, 저항을 낮추며 일함수가 증가된 제1 전극을 포함하는 유기 전계 발광 표시 소자 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide an organic light emitting display device including a first electrode having a low resistance and an increased work function by forming a conductive buffer layer, and a method of manufacturing the same.

본 발명의 또 다른 목적은 완충층을 형성함으로써, 기판을 유리 기판으로 형성한 경우 제1 전극 형성시의 고온 공정에서 이온이 활성화되어 제1 전극으로 확산되는 현상 또는 기판을 플라스틱으로 형성한 경우 발생하는 아웃-개싱 현상을 억제하는 유기 전계 발광 표시 소자 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다. Another object of the present invention is to form a buffer layer, when the substrate is formed of a glass substrate, a phenomenon in which ions are activated and diffused to the first electrode in a high temperature process at the time of forming the first electrode or a substrate is formed of plastic The present invention provides an organic electroluminescent display device that suppresses out-gassing and a method of manufacturing the same.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시 소자의 제조 방법은, 산화물질을 이용하여 기판 상에 결정성을 갖는 완충층을 형성하되, 상기 완충층의 결정 성장 방향을 조절하여 다수의 결정 성장 방향을 갖는 완충층을 형성하는 단계; 산화물질을 이용하여 상기 완충층 상에 제1 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 전극 상에 발광층을 포함하는 유기층을 형성하는 단계; 및 상기 유기층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 완충층의 결정성에 의해 상기 제1 전극의 전기 전도도가 높아지는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, a method of manufacturing an organic light emitting display device according to the present invention, while forming a buffer layer having a crystallinity on the substrate using an oxide material, by adjusting the crystal growth direction of the buffer layer Forming a buffer layer having a crystal growth direction of; Forming a first electrode on the buffer layer using an oxide material; Forming an organic layer including a light emitting layer on the first electrode; And forming a second electrode on the organic layer, wherein the electrical conductivity of the first electrode is increased by crystallinity of the buffer layer.

바람직하게, 상기 완충층은 ZnO 또는 ZnO에 Al 및 Ga 중 적어도 하나를 포함하여 형성한다. 상기 완충층은 스퍼터링(sputtering), 전자 빔 증착(E-beam evaporation), 화학 기상 증착(chemical vapor deposition) 방법, 이온 플레이팅(ion-plating) 방법, 및 물리 기상 증착(PVD; Physical Vapor Deposition) 방법 중 어느 하나를 이용하여 형성한다. 상기 완충층은 50 ~ 1500Å 범위에서 단일층 또는 다중층으로 형성되며, 상기 완충층은 진공 상태의 반응로 내에서 마그네트론 스퍼터링에 의해 연속 공정으로 형성된다. 상기 완충층은 (100)면으로 성장된 (100)층과, 상기 (100)면 상에 (002) 면으로 성장된 (002)층을 포함한다.Preferably, the buffer layer is formed to include at least one of Al and Ga in ZnO or ZnO. The buffer layer may be formed by sputtering, electron beam evaporation, chemical vapor deposition, ion-plating, and physical vapor deposition (PVD). It forms using either. The buffer layer is formed in a single layer or multiple layers in the range of 50 ~ 1500Å, the buffer layer is formed in a continuous process by magnetron sputtering in a vacuum reactor. The buffer layer includes a (100) layer grown on a (100) plane, and a (002) layer grown on a (002) plane on the (100) plane.

본 발명의 다른 일 측면에 따르면, 본 유기 전계 발광 표시 소자는, 산화물질로 이루어져 기판 상에 형성되되, 다수의 결정 성장 방향을 갖는 완충층; 상기 완충층 상에 형성되며 산화물질로 이루어진 제1 전극; 발광층을 포함하며 상기 제1 전극 상에 형성되는 유기층; 및 상기 유기층 상에 형성되는 제2 전극을 포함하며, 상기 완충층의 결정성에 의해 상기 제1 전극의 전기 전도도가 높아지는 것을 특징으로 한다. According to another aspect of the present invention, the organic electroluminescent display device, the buffer layer formed of an oxide material on the substrate, having a plurality of crystal growth directions; A first electrode formed on the buffer layer and made of an oxide material; An organic layer including a light emitting layer and formed on the first electrode; And a second electrode formed on the organic layer, wherein the electrical conductivity of the first electrode is increased by crystallinity of the buffer layer.

바람직하게, 상기 완충층은 ZnO 또는 ZnO에 Al 및 Ga 중 적어도 하나를 포함하여 형성한다. 상기 완충층은 50 ~ 1500Å범위에서 단일층 또는 다중층으로 형성된다. 상기 완충층은 (100) 면으로 성장된 (100)층, 상기 (100) 면 상에 (002)면으로 성장된 (002) 층을 포함한다.Preferably, the buffer layer is formed to include at least one of Al and Ga in ZnO or ZnO. The buffer layer is formed in a single layer or multiple layers in the range of 50 ~ 1500Å. The buffer layer includes a (100) layer grown on a (100) plane and a (002) layer grown on a (002) plane on the (100) plane.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세하게 설명한다. 이하 설명은 본 기술 분야의 당업자가 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세하게 설명한 것일 뿐, 본 발명의 기술적인 범주 및 사상을 한정하는 것은 아니다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The following description is only described in detail that can be easily implemented by those skilled in the art, it does not limit the technical scope and spirit of the present invention.

도 1은 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시 소자의 구조를 나타낸 개략적인 측단면도이고, 도 2는 도 1의 유기 전계 발광 표시 소자의 제조 순서를 나타낸 블럭도이다.1 is a schematic side cross-sectional view illustrating a structure of an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a block diagram illustrating a manufacturing procedure of the organic light emitting display device of FIG. 1.

도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시 소자(1)는, 기판(10), 기판(10) 상에 형성된 완충층(11), 완충층(11) 상에 형성된 제1 전극(12), 제1 전극(12) 상에 형성된 정공 주입 및 수송층(13), 정공 주입 및 수송층(13) 상에 형성된 발광층(14), 발광층(14) 상에 형성된 전자 주입 및 수송층(15), 전자 주입 및 수송층(15) 상에 형성된 제2 전극(16) 및 제2 전극 상에 형성된 인캡슐레이션층(17)을 포함한다. Referring to FIG. 1, the organic electroluminescent display device 1 according to the present invention includes a substrate 10, a buffer layer 11 formed on the substrate 10, and a first electrode 12 formed on the buffer layer 11. A hole injection and transport layer 13 formed on the first electrode 12, a light emitting layer 14 formed on the hole injection and transport layer 13, an electron injection and transport layer 15 formed on the light emitting layer 14, and an electron injection And an encapsulation layer 17 formed on the second electrode 16 and the second electrode formed on the transport layer 15.

도 2를 참조하면, 도 1의 유기 전계 발광 표시 소자(1)를 제조하기 위해서는 기판(10)을 준비한다(S1). 여기서, 기판(10)은 유리 기판, 석영, 플라스틱 기판, 포일(foil), 및 산화 실리콘 등과 같이 투명하거나 불투명한 기판을 모두 사용할 수 있다. 예를 들면, 유리 기판으로는 소다라임 유리 기판 또는 무 알칼리 유리 기판 등을 이용할 수 있으며, 플라스틱 기판으로는 PES(polyether sulfone) 등을 이용할 수 있다.Referring to FIG. 2, in order to manufacture the organic light emitting display device 1 of FIG. 1, a substrate 10 is prepared (S1). Herein, the substrate 10 may be a transparent or opaque substrate, such as a glass substrate, quartz, a plastic substrate, a foil, and silicon oxide. For example, a soda-lime glass substrate or an alkali free glass substrate may be used as the glass substrate, and polyether sulfone (PES) may be used as the plastic substrate.

상기 기판(10) 상에는 결정성을 갖는 완충층(11)을 형성한다(S2). 완충층(11)은 ZnO 또는 ZnO에 Al 및 Ga 중 적어도 하나를 포함하여 형성되는 것으로, ZnO, ZnO:Ga, ZnO:Al 등의 무기 산화물을 이용하여 형성한다. 상기 물질로 이루어진 완충층(11)은 전도성을 가지며, 완충층(11)은 스퍼터링(sputtering), 전자 빔 증착(E-beam evaporation), 화학기상증착(chemical vapor deposition), 이온 플레이팅(ion-plating) 방법, 및 물리기상증착(PVD; Physical Vapor Deposition)방법을 이용하여, 50 ~ 1500Å 범위에서 단일층 또는 다중층으로 증착한다.A buffer layer 11 having crystallinity is formed on the substrate 10 (S2). The buffer layer 11 is formed of ZnO or ZnO including at least one of Al and Ga, and is formed using inorganic oxides such as ZnO, ZnO: Ga, and ZnO: Al. The buffer layer 11 made of the material has conductivity, and the buffer layer 11 may be sputtered, E-beam evaporation, chemical vapor deposition, and ion plating. By using the method, and Physical Vapor Deposition (PVD), deposition is performed in a single layer or multiple layers in the range of 50-1500 Å.

상기 다양한 증착 방법 중 스퍼터링 방법 또는 물리기상증착 방법이 가장 많이 사용되는데, 스퍼터링 방법을 사용하는 경우에는 특히, 진공 상태의 작업분위기를 유지하는 반응로 내부에서 RF 반응성 마그네트론 스퍼터링 방법을 이용한다. 본 실시 예에서 상기 완층층(11)은 스퍼터링 방법을 이용하여, 저온공정에서 이루어지는 것으로, 100~ 130℃의 온도 범위에서 1 ~ 20 mTorr의 공정 압력을 이용하여 연속공정으로 형성한다. 이 경우에는 통상 플라즈마를 형성시켜 주기 위해 아르곤과 같은 불활성 가스를 사용하고 반응성 가스로 산소를 사용한다. Among the various deposition methods, the sputtering method or the physical vapor deposition method is most used. In the case of using the sputtering method, an RF-reactive magnetron sputtering method is used in a reactor to maintain a working atmosphere in a vacuum state. In the present embodiment, the complete layer 11 is formed in a low temperature process using a sputtering method, and is formed in a continuous process using a process pressure of 1 to 20 mTorr in a temperature range of 100 to 130 ° C. In this case, an inert gas such as argon is usually used to form a plasma, and oxygen is used as a reactive gas.

완충층(11)을 증착할 때 100 ~ 130℃의 온도 범위를 넘지 않는 범위에서 증착하는 이유는 고온에서 완충층(11)을 증착하는 경우, 완충층(11) 표면의 형태(morphology)가 거칠게 나타날 뿐 아니라, 기판(10)을 플라스틱 기판으로 사용하 는 경우에는 기판이 일정온도(예를 들면, 150℃) 이상의 온도를 견디지 못하고 기판 자체에서 가스를 배출하는 아웃 개싱(out-gassing) 문제가 일어날 수 있기 때문이다. 소다라임 유리 기판에 완충층(11)을 형성하는 경우에는, 소다라임 유리 형성 시 주입되는 Na 이온이 제1 전극(12) 형성 시의 고온 공정에서 활성화되어 제1 전극(12)으로 확산(diffuse)되는 현상을 방지할 수 있다.The reason for depositing the buffer layer 11 in a range not exceeding a temperature range of 100 to 130 ° C. is that when the buffer layer 11 is deposited at a high temperature, not only the morphology of the surface of the buffer layer 11 appears rough. When the substrate 10 is used as a plastic substrate, an out-gassing problem may occur in which the substrate does not withstand a temperature higher than a predetermined temperature (for example, 150 ° C.) and exhausts gas from the substrate itself. Because. When the buffer layer 11 is formed on the soda-lime glass substrate, Na ions implanted when the soda-lime glass is formed are activated in a high temperature process at the time of forming the first electrode 12 to diffuse to the first electrode 12. The phenomenon can be prevented.

한편, 상기 완충층(11)은 반응성 가스로 사용되는 산소 분압비와 같은 증착 조건을 조절함으로써, 결정 성장 방향을 조절할 수 있다. 완충층(11)을 성장시킬 때, 산소 분압비를 조절함으로써, 완충층(11)의 결정 성장 방향을 조절할 수 있다. 예를 들면, 완충층(11)은 (100)면으로 성장된 (100)층과, (100)층이 일정 두께가 성장된 다음 (100)층 상에 (002)면으로 성장된 (002)층을 포함한다.On the other hand, the buffer layer 11 can adjust the crystal growth direction by adjusting the deposition conditions, such as the oxygen partial pressure ratio used as the reactive gas. When the buffer layer 11 is grown, the crystal growth direction of the buffer layer 11 can be adjusted by adjusting the oxygen partial pressure ratio. For example, the buffer layer 11 includes a (100) layer grown to a (100) plane, and a (002) layer grown to a (002) plane on a (100) layer after a certain thickness is grown. It includes.

다음, 도 2를 참조하면, 완충층(11) 상에는 높은 일함수와 전도도를 갖는 제1 전극(12;anode)이 증착된다(S3). 제1 전극(12)은 ITO(indium tin oxide) 및 IZO(indium zinc oxide) 등을 이용할 수 있으며, ITO 또는 IZO에 다양한 물질(예를 들면, In2O3등)을 첨가할 수 있다. 제1 전극(12) 역시 다양한 증착 방법으로 증착할 수 있으며, 본 실시 예에서는 스퍼터링 방법을 이용하며, 구체적으로, 진공상태의 작업 분위기를 유지하는 마그네트론 스퍼터링을 이용하여 아르곤 가스와 산소를 다양한 비율로 증착할 수 있으며, 이 경우 아르곤 : 산소의 주입량은 200 ~ 400sccm : 0 ~ 20sccm이 가장 적합하다. 제1 전극(12)을 형성할 때, 처음부터 높 은 파워를 이용하는 경우에는 미세 결정이 형성될 수 있으므로, 낮은 파워(50 ~ 100W 범위)에서 증착을 시작한다. 제1 전극(12)은 완충층(11) 형성과 마찬가지로 100 ~ 500℃의 온도 범위에서 스퍼터링 방법으로 연속공정으로 형성된다.Next, referring to FIG. 2, a first electrode 12 having a high work function and conductivity is deposited on the buffer layer 11 (S3). The first electrode 12 may use indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or the like, and may add various materials (eg, In 2 O 3, etc.) to ITO or IZO. The first electrode 12 may also be deposited by various deposition methods. In this embodiment, a sputtering method is used, and specifically, using argon gas and oxygen at various ratios using magnetron sputtering to maintain a working atmosphere in a vacuum state. In this case, the injection amount of argon: oxygen is 200 ~ 400sccm: 0 ~ 20sccm is most suitable. When the first electrode 12 is formed, fine crystals may be formed when high power is used from the beginning, and thus deposition is started at a low power (range of 50 to 100 W). Like the buffer layer 11, the first electrode 12 is formed in a continuous process by a sputtering method in a temperature range of 100 to 500 ° C.

제1 전극(12) 상에는 유기물층인 정공 주입 및 수송층(13), 발광층(14), 및 전자 수송 및 주입층(15)이 순차적으로 형성된다(S4). 제1 전극(12) 상에 형성된 정공 주입 및 수송층(13)은 정공의 주입을 돕는 물질을 이용하여 형성된 정공 주입층(13a)과, 정공 주입층(13a) 상에 형성되어 정공의 수송을 용이하게 하는 물질로 형성된 정공 수송층(13b)을 포함한다. 정공 주입 및 수송층(13) 상에는 발광층(14)이 형성되며, 발광층(14) 상에 형성되는 전자 수송 및 주입층(15)은 전자 수송을 용이하게 하는 전자 수송층(15a)과, 전자 주입을 용이하게 할 수 있는 물질로 형성된 전자 주입층(15b)을 포함한다. 정공 주입 및 수송층(13), 발광층(14), 및 전자 수송 및 주입층(15)은 통상 저분자 및 고분자 물질을 이용하여 형성하며, 예를 들면, NPB와 Alq3 등의 물질을 이용하여 형성한다.On the first electrode 12, a hole injection and transport layer 13, an emission layer 14, and an electron transport and injection layer 15, which are organic layers, are sequentially formed (S4). The hole injection and transport layer 13 formed on the first electrode 12 is formed on the hole injection layer 13a and the hole injection layer 13a which are formed using a material for injecting holes to facilitate the transport of holes. It includes a hole transport layer 13b formed of a material to make. The light emitting layer 14 is formed on the hole injection and transport layer 13, and the electron transport and injection layer 15 formed on the light emitting layer 14 facilitates the electron transport layer 15a to facilitate electron transport and the electron injection. It includes an electron injection layer 15b formed of a material capable of making it. The hole injection and transport layer 13, the light emitting layer 14, and the electron transport and injection layer 15 are usually formed using a low molecular weight and a polymer material, for example, NPB and Alq 3 It forms using materials, such as these.

전자 수송 및 주입층(15) 상에는 제2 전극(16)이 형성된다(S5). 제2 전극(16)은 음의 전극(cathode)으로 금속을 이용하여 형성되며, 낮은 일함수를 갖으며 전도도가 우수한 Ca, Mg, MgAg, Ag군, Al군에서 선택된 물질로 형성한다. 예를 들면, 제2 전극(16)을 알루미늄과 은으로 이중으로 증착하는 경우에는, 산화성이 강하여 전도도에 영향을 주는 알루미늄을 증착한 다음, 알루미늄 상에 산화성이 낮은 은을 증착함으로써, 제2 전극(16)의 안정성을 도모한다.The second electrode 16 is formed on the electron transport and injection layer 15 (S5). The second electrode 16 is formed by using a metal as a negative electrode (cathode), has a low work function and is formed of a material selected from Ca, Mg, MgAg, Ag group, Al group having excellent conductivity. For example, when the second electrode 16 is double deposited with aluminum and silver, the second electrode is deposited by depositing aluminum having a high oxidative property and affecting conductivity, and then depositing low oxidative silver on the aluminum. It aims at stability of (16).

다음, 제2 전극(16) 상에는 인캡슐레이션층(17)이 형성된다(S6). 인캡슐레이션층(17)은 외부(대기를 통해)로부터 정공 주입 및 수송층(15), 발광층(14) 및 전자 수송 및 주입층(13) 등의 유기층으로 산소 또는 수분과 같은 이물질이 유입되지 않게 하는 역할을 수행한다. 인캡슐레이션층(17)은 낮은 투산소율과 투습율을 갖는 물질(예를 들면, 금속 박막 또는 반도체 박막)을 이용하여 열적 진공 증착방법으로 증착한다.Next, an encapsulation layer 17 is formed on the second electrode 16 (S6). The encapsulation layer 17 prevents foreign substances such as oxygen or moisture from entering the organic layers, such as the hole injection and transport layer 15, the light emitting layer 14, and the electron transport and injection layer 13, from the outside (via air). It plays a role. The encapsulation layer 17 is deposited by a thermal vacuum deposition method using a material having a low oxygen permeability and a moisture permeability (for example, a metal thin film or a semiconductor thin film).

도 3은 본 발명에 따른 완충층의 증착 온도와 저항에 관한 그래프이다. 도 3을 참조하면, 가로축은 증착 온도(deposition Temp.)이고, 세로축은 저항(resistivity)을 나타낸다. 도 3에 개시된 ①의 그래프(ITO/glass)는 유리 기판 상에 ITO가 적층된 상태이고, ②의 그래프(ITO/ZnO/glass)는 유리 기판 상에 ZnO/ITO가 적층된 상태이고, ③의 그래프(Al 도핑된 ZnO/glass)는 유리 기판 상에 Al이 도핑된 ZnO가 적층된 상태이고, ④의 그래프(Ga 도핑된 ZnO/glass)는 유리 기판 상에 Ga이 도핑된 ZnO가 적층된 상태이다. 상기 그래프들에 따르면, 증착 온도에 따라 저항이 달라짐을 알 수 있다.3 is a graph of deposition temperature and resistance of the buffer layer according to the present invention. Referring to FIG. 3, the horizontal axis represents deposition temperature, and the vertical axis represents resistance. The graph (ITO / glass) of ① disclosed in FIG. 3 is a state in which ITO is laminated on a glass substrate, and the graph (ITO / ZnO / glass) of ② is a state in which ZnO / ITO is laminated on a glass substrate. The graph (Al-doped ZnO / glass) is a state in which Al-doped ZnO is laminated on a glass substrate, and the graph of (④ Ga-doped ZnO / glass) is a state in which Ga-doped ZnO is laminated on a glass substrate. to be. According to the graphs, it can be seen that the resistance varies depending on the deposition temperature.

이상, 바람직한 실시 예에 따라 본 발명을 상세하게 기술하였으나, 상기한 실시 예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아니므로 본 발명은 상기 실시 예에 한정되지 않는다. 또한, 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 다양한 실시 예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.As mentioned above, although the present invention has been described in detail according to the preferred embodiment, the above-described embodiment is for the purpose of description and not for the purpose of limitation, and the present invention is not limited to the above embodiment. In addition, one of ordinary skill in the art within the scope of the technical idea of the present invention will be understood that various embodiments are possible.

전술한 실시 예에 따르면, 완충층을 기판 상에 형성함으로써, 고온 공정에 의해 기판 상에서 다른 층으로 이온이 확산되는 현상 또는 아웃-개싱 현상 등을 억제할 수 있다.According to the above-described embodiment, by forming the buffer layer on the substrate, it is possible to suppress the phenomenon that the ion is diffused to another layer on the substrate or the out-gassing phenomenon by the high temperature process.

또한, 결정성이 있는 완충층을 제1 전극 하부에 형성하여 유기 전계 발광표시 소자를 제조함으로써, 전기 전도도를 개선시킬 수 있으며, 이에 의해 발광 휘도를 향상시킬 수 있다.In addition, by forming a buffer layer having a crystallinity under the first electrode to manufacture an organic light emitting display device, the electrical conductivity can be improved, whereby the light emission luminance can be improved.

Claims (12)

산화물질을 이용하여 기판 상에 결정성을 갖는 완충층을 형성하되, 상기 완충층의 결정 성장 방향을 조절하여 다수의 결정 성장 방향을 갖는 완충층을 형성하는 단계;Forming a buffer layer having crystallinity on the substrate using an oxide material, and controlling a crystal growth direction of the buffer layer to form a buffer layer having a plurality of crystal growth directions; 산화물질을 이용하여 상기 완충층 상에 제1 전극을 형성하는 단계;Forming a first electrode on the buffer layer using an oxide material; 상기 제1 전극 상에 발광층을 포함하는 유기층을 형성하는 단계; 및Forming an organic layer including a light emitting layer on the first electrode; And 상기 유기층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하며,Forming a second electrode on the organic layer, 상기 완충층의 결정성에 의해 상기 제1 전극의 전기 전도도가 높아지는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 소자의 제조 방법.The electrical conductivity of the first electrode is increased by the crystallinity of the buffer layer, the manufacturing method of the organic light emitting display device. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 완충층은 ZnO 또는 ZnO에 Al 및 Ga 중 적어도 하나를 포함하여 형성하는 유기 전계 발광 표시 소자의 제조 방법.The buffer layer is a method of manufacturing an organic light emitting display device including ZnO or ZnO including at least one of Al and Ga. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 완충층은 스퍼터링(sputtering), 전자 빔 증착(E-beam evaporation), 화학 기상 증착(chemical vapor deposition) 방법, 이온 플레이팅(ion-plating) 방법, 및 물리 기상 증착(PVD; Physical Vapor Deposition) 방법 중 어느 하나를 이용하여 형성하는 유기 전계 발광 표시 소자의 제조 방법.The buffer layer may be formed by sputtering, electron beam evaporation, chemical vapor deposition, ion-plating, and physical vapor deposition (PVD). The manufacturing method of the organic electroluminescent display element formed using either. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 완충층은 50 ~ 1500Å 범위에서 단일층 또는 다중층으로 형성되는 유기 전계 발광 표시 소자의 제조 방법.The buffer layer is a method of manufacturing an organic light emitting display device is formed of a single layer or multiple layers in the range of 50 ~ 1500Å. 제4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 완충층은 진공 상태의 반응로 내에서 마그네트론 스퍼터링에 의해 연속 공정으로 형성되는 유기 전계 발광 표시 소자의 제조 방법. And the buffer layer is formed in a continuous process by magnetron sputtering in a vacuum reactor. 삭제delete 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 완충층은 (100)면으로 성장된 (100)층과, 상기 (100)면 상에 (002) 면으로 성장된 (002)층을 포함하는 유기 전계 발광 표시 소자의 제조 방법. The buffer layer includes a (100) layer grown on a (100) plane and a (002) layer grown on a (002) plane on the (100) plane. 산화물질로 이루어져 기판 상에 형성되되, 다수의 결정 성장 방향을 갖는 완충층;A buffer layer formed of an oxide material on the substrate and having a plurality of crystal growth directions; 상기 완충층 상에 형성되며 산화물질로 이루어진 제1 전극; A first electrode formed on the buffer layer and made of an oxide material; 발광층을 포함하며 상기 제1 전극 상에 형성되는 유기층; 및An organic layer including a light emitting layer and formed on the first electrode; And 상기 유기층 상에 형성되는 제2 전극을 포함하며,A second electrode formed on the organic layer, 상기 완충층의 결정성에 의해 상기 제1 전극의 전기 전도도가 높아지는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 소자. And an electrical conductivity of the first electrode is increased by crystallinity of the buffer layer. 제8항에 있어서, The method of claim 8, 상기 완충층은 ZnO 또는 ZnO에 Al 및 Ga 중 적어도 하나를 포함하여 형성하는 유기 전계 발광 표시 소자. The buffer layer includes at least one of Al and Ga in ZnO or ZnO. 제8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 완충층은 50 ~ 1500Å 범위에서 단일층 또는 다중층으로 형성되는 유기 전계 발광 표시 소자.The buffer layer is an organic light emitting display device formed of a single layer or multiple layers in the range of 50 ~ 1500Å. 삭제delete 제8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 완충층은 (100) 면으로 성장된 (100)층, 상기 (100) 면 상에 (002)면으로 성장된 (002) 층을 포함하는 유기 전계 발광 표시 소자.The buffer layer includes an (100) layer grown on a (100) plane and a (002) layer grown on a (002) plane on the (100) plane.
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