KR100854140B1 - 반도체 처리 시스템, 반도체 처리 방법 및 화학적 전달 시스템 - Google Patents

반도체 처리 시스템, 반도체 처리 방법 및 화학적 전달 시스템 Download PDF

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Abstract

처리 시스템은 가변 체적 챔버를 구비한다. 액체 또는 고체 전구체 소스는 가변 체적 챔버 내에 구비될 수 있다. 가변 체적 챔버의 체적은 처리 챔버로의 예측 가능한 전구체 유동을 제공하도록 제어될 수 있다. 몇몇의 실시예에 있어서, 다수의 가변 체적 챔버가 제공될 수 있다.

Description

반도체 처리 시스템, 반도체 처리 방법 및 화학적 전달 시스템{PRECURSOR DELIVERY SYSTEM}
본 발명은 전구체 전달 시스템(precursor delivery system)에 관한 것이다.
반도체 장치는 일반적으로 실리콘 웨이퍼와 같은 기판상에 연속적인 장치 층을 형성하도록 연속된 공정을 이용하여 제조된다. 몇몇의 공정에 있어서, 웨이퍼의 평면상에 화학적 반응에 의해 층이 형성될 수 있다. 이들 공정은 화학적 증착(CVD) 공정 또는 원자층 증착(ALD) 공정을 포함한다.
CVD 및 ALD 공정을 수행할 때, (전구체로 지칭될 수 있는) 제 1 반응 물질이 처리 챔버에 제공된다. 도 1은 전구체 전달 시스템(100)의 일례를 도시하고 있다. 소정의 전구체 물질을 포함하는 고체 또는 액체 소스(110)는 전구체 챔버(120) 내에 위치된다. 일반적으로 질소 또는 헬륨과 같은 비반응성 가스인 가압 캐리어 가스(pressurized carrier gas)(130)는 처리 챔버(150)로 승화 또는 증발된 전구체(140)를 이송한다.
발명의 요약
CVD 공정의 경우, 전구체/캐리어 가스의 연속적인 유동이 일반적으로 공정을 마칠 때까지 처리 챔버(150)에 제공된다. ALD 공정의 경우, 맥동 밸브(pulse valve)(160)는 반응물의 펄스 및 캐리어 가스를 챔버(150)로 제공하도록 짧은 시간 동안 개방된다. ALD를 이용한 증착 속도가 CVD 공정의 증착 속도보다 일반적으로 느리지만, ALD는 개선된 증착 제어를 제공할 수 있고, 몇몇의 경우에서 바람직할 수도 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 전구체 전달 시스템의 다이어그램,
도 2는 도 1에 도시한 바와 같은 시스템을 이용하는 2개의 ALD 펄스에 대한 전구체 농도를 도시한 도면,
도 3은 전구체 전달 시스템의 일 실시예의 다이어그램,
도 4는 전구체 전달 시스템의 다른 실시예의 다이어그램.
각종 도면에 있어서 동일 참조부호는 동일 구성요소를 지칭한다.
도 1의 전구체 전달 시스템(100)은 몇몇의 적용에 대해 충분한 공정 제어를 제공할 수 없다. 특히, 고체 전구체 물질의 승화 속도가 전구체를 처리 챔버에 제공하는 속도와 상이한 경우, 전구체 부분압은 시간 경과적으로 변경될 것이다. ALD 공정을 위해, 부분압은 복수의 펄스뿐만 아니라 단일 펄스의 경과에 대해 변경될 수 있다. 전구체 부분압을 변경시키는 것은 막(film) 성장 속도를 상이하게 할 수 있어서, 막 두께를 불균일하게 할 수 있다. (전기적 특성과 같은) 계면의 막 및 벌크 막의 특성은 전구체 부분압을 변경함으로써 영향을 받을 수도 있다.
예컨대, 도 2는 고체 전구체 소스의 3가지 상이한 구성에 대한 제 1 펄스의 스타트에서 개시되어 제 2 펄스의 스타트에서 종결되는 시간에 걸친 전구체 농도를 도시하고 있다. 각각의 3가지 상이한 구성은 기술한 바와 같이, 상이한 전구체 표면적에 상응한다. 3가지 구성은 상이하게 구성된 소스를 나타낼 수 있거나, 또는 시간 경과적인 특정 소스의 전개를 나타낼 수 있으며, 물질이 표면으로부터 불균일하게 승화됨에 따라 그리고/또는 전구체 칩 또는 분말이 서로 융합됨에 따라 표면적이 변화된다.
도 2에 도시된 예시에 있어서, 승화 속도는 물질이 전구체 챔버로부터 제거되는 속도보다 느리다. 제 1 펄스의 스타트에서, 캐리어 가스 내의 전구체 농도는 최대가 된다. 펄스가 계속됨에 따라, 전구체 농도는 감소된다. 그 결과, 반응의 결과로서 생기는 층에 대한 막 특성은 웨이퍼를 걸쳐서 상이할 수 있다. 예컨대, 결과적인 층 두께는 (보다 낮은 전구체 농도에 노출되는) 웨이퍼의 후연부에서보다 (보다 높은 전구체 농도에 노출되는) 웨이퍼의 전연부에서 클 수 있다.
제 1 펄스의 말기에서, 챔버로부터의 전구체 물질의 유동이 정지되고, 전구체 농도를 회수하기 시작한다. 도시된 바와 같이, 전구체 농도는 보다 큰 표면적을 갖는 전구체 소스를 위해 보다 신속하게 회수된다.
도 2에 도시된 예시에 있어서, 펄스 간의 시간은 전구체 챔버를 초기의 농도 레벨로 재충전하는데 필요한 시간보다 적다. 제 2 펄스의 스타트에서, 전구체 농도는 각각의 3가지 농도에 대해 상이하고, 각각은 제 1 펄스의 스타트에서 존재하는 것보다 낮은 농도에 상응한다.
본원에 기술된 시스템 및 기술은 전구체 농도에서의 보다 개선된 예측 가능성을 제공할 수 있다. 예컨대, 현재의 시스템 및 기술은 실질적으로 일정한 전구체 농도를 제공하는데 이용될 수 있다. 도 3은 몇 가지 실시예에 따라서, 개선된 전구체 전달 시스템(300)을 도시하고 있다. 전구체 소스(320)는 가변 체적 챔버(310) 내에 있다. 소스(320)는 액체 전구체 소스, 고체 전구체 소스 또는 그 양자를 유지하도록 구성될 수 있는 전구체 보트(precursor boat)(325) 내에 유지될 수 있다. 시스템(300)은 캐리어 가스를 필요로 하지 않지만 캐리어 가스 소스(350)를 구비할 수도 있다.
챔버(310)는 A와 동일한 영역을 갖는 원형으로서 도 3에 도시된 바와 같이 본체부(312) 및 가동형 피스톤(314)을 구비한다. 챔버(310) 내의 특정 압력(P)을 유지하기 위해서, 힘(F = PA)은 피스톤(314)에 인가된다(이것은 이상적인 마찰 없는 피스톤에 대한 근사치임). 밸브(316, 318)가 폐쇄되고 물질이 소스(320)로부터 승화하는 동안, 챔버(310) 내의 전구체 물질의 양은 증가된다. [도 1의 시스템(100)과 같은 고정 체적 시스템에서 발생될 때] 체적을 일정하게 유지하고 압력을 증가시키는 것보다는, 힘(F)은 일정하게 유지되고 체적은 변화된다. 힘을 소정 레벨로 유지하기 위해서, 드라이버 시스템(315)은 피스톤(314)에 인가된 힘을 결정하도록 압력 감지기를 구비할 수 있다. 인가된 힘이 소정 힘과 상이한 경우, 압력 제어기는 압력 감지기의 출력에 기초하여 인가된 힘을 소정 힘으로 변경할 수 있다.
전구체 물질을 처리 챔버(360)에 제공하기 위해서, 밸브(318)가 개방될 수 있다. 승화 속도가 물질이 챔버(360)에 제공되는 속도보다 빠른 경우, 챔버(310)의 체적은 소정 압력을 유지하도록 증가될 수 있다. 승화 속도가 물질이 챔버(360)에 제공되는 속도보다 느린 경우, 챔버(310)의 체적은 소정 압력을 유지하도록 감소될 수 있다.
챔버(310)는 최대 체적(Vmax) 및 최소 체적(Vmin)을 가질 수 있다. 챔버(310) 내의 전구체 물질의 양이 소정 압력(P)에서 챔버(310)의 체적이 Vmax이 되도록 증가되는 경우, 임의의 추가적인 승화 또는 증발된 전구체 물질은 다른 저장 영역으로 배기되거나 또는 소정 압력을 유지하도록 배출될 수 있다. 선택적으로, 전구체 소스의 온도는 승화 속도를 감소시키도록 낮춰질 수 있다.
보다 통상적으로, 공정 또는 펄스시에 챔버(310) 내의 전구체 물질의 양이 챔버(310)의 체적이 Vmin으로 감소될 수 있도록 승화 속도는 충분히 낮아질 수 있다. 그 외에, 챔버(310) 내의 압력은 소정 압력(P) 아래로 떨어질 것이고, 처리 챔버(360)로의 전구체 전달 속도는 감소될 것이다. 이것이 일어날 수 있는 공정에 대해, 챔버(370)와 같은 하나 이상의 추가적인 가변 체적 전구체 챔버가 제공될 수 있다.
복수의 챔버가 각종 방식으로 이용될 수 있다. 승화 속도가 충분히 느려서 복수의 챔버가 단일 공정 또는 펄스에 대해 전구체 물질을 제공하는데 필요한 실시예에 있어서, 밸브(318)가 개방되어 챔버(310)의 체적이 Vmin(또는 다른 체적)에 도달할 때까지 챔버(310)로부터 처리 챔버(360)에 전구체 물질이 제공될 수 있다. 그 후, 밸브(318)가 폐쇄될 수 있고, 챔버(370)로의 밸브(372)가 개방된다. 공정은 추가적인 챔버로 연속적이거나 또는 챔버(310, 370) 사이에서 교호적일 수 있다.
복수의 챔버는 단일 챔버가 특정 공정 또는 펄스에 물질을 제공하기에 충분한 경우이지만, 펄스 간의 시간이 다음의 펄스에 물질을 제공하기에 충분히 챔버를 재충전하는데 필요한 시간보다 짧은 경우에 이용될 수도 있다. 이러한 상황에 있어서, 처리 챔버(360)로의 전구체 물질의 제 1 펄스는 챔버(310)에 의해 제공될 수 있는 한편, 처리 챔버(360)로의 전구체 물질의 제 2 펄스는 챔버(370)에 의해 제공될 수 있다. 이에 따라, 챔버(310)는 제 2 펄스 동안에 "재충전"될 수 있고, 다음 펄스에 처리 챔버(360)로의 전구체 물질을 제공하는데 이용될 수 있다.
도 3은 가변 체적 전구체 챔버가 가동형 피스톤을 이용하여 실시하는 실시예를 도시하고 있다. 다른 실시예도 가능하다. 예컨대, 도 4는 하나 이상의 가변 체적 전구체 챔버용 벨로우즈(bellows) 구성을 내장한 시스템(400)을 도시하고 있다.
시스템(400)은 외부 공간(435) 내에 각각 위치 설정된 3개의 벨로우즈 챔버(410)를 구비한다. 각각의 챔버는 액체 및/또는 고체 전구체 물질을 유지하도록 구성된다. 예컨대, 각각의 챔버(410)는 액체 또는 고체 전구체 물질을 유지하도록 구성될 수 있는 전구체 보트(425)를 구비할 수 있다. 전구체 센서(430)는 외부 공간(435) 내의 압력을 모니터링하도록 제공될 수 있다.
시스템(400)을 이용하여 처리하는 장치는 고체 전구체 소스를 이용하는 예시적인 공정에 대해 하기와 같이 성취될 수 있다. 전구체 소스는 하나 이상의 벨로우즈 챔버(410) 내에 반입될 수 있다. 그 후, 나머지 가스는 진공(406)(예컨대, 하나 이상의 진공 펌프를 이용하여 배기되는 영역)에 접근하도록 밸브(402, 404)를 개방함으로써 벨로우즈 챔버(410)로부터 배기될 수 있다.
그 다음, 전구체 소스는 목표 온도까지 가열될 수 있다. 온도가 증가함에 따라, 전구체 물질은 소스로부터 승화되고, 벨로우즈 챔버(410) 내의 압력은 증가된다. 이것은 벨로우즈[예컨대, 외부 공간(435) 내의 압력] 상의 외부 압력을 증가시킨다. 일단 외부 공간(435) 내의 압력이 설정 압력(Pset)(예컨대, 특정 공정을 위한 소정의 전구체 압력)을 초과하면, 제어 밸브(412)는 압력을 Pset으로 낮추도록 개방될 수 있다.
펄스시에, 밸브(402)가 개방되어 승화된 전구체 물질을 처리 챔버(460)로 전달시킨다. 벨로우즈 챔버(410) 외부의 전구체 물질의 유동 속도가 소스의 승화 속도보다 빠른 경우, 벨로우즈의 압력은 증가할 것이고 벨로우즈는 접촉할 것이다. 그 결과, 외부 공간(435) 내의 압력은 감소되기 시작할 것이다. 제어 밸브(414)는 외부 공간(435)의 압력을 Pset로 유지하기 위해서, 외부 공간(435)을 가스 소스에 접속하도록 개방될 수 있다.
전구체 물질은 순수 증기 또는 불활성 캐리어 가스와의 혼합 기체로서 처리 챔버(460)에 제공될 수 있다. 순수 증기로서 전구체 물질을 제공하기 위해서, 밸브(402)와 처리 챔버(460) 사이의 모든 개재된 밸브가 개방될 수 있다. 벨로우즈 챔버(410)는 전구체 물질의 유동 속도가 펄스시에 실질적으로 일정하도록 실질적으로 일정한 배압을 제공할 수 있다.
변형예로서, 전구체 물질은 우선 밸브(418)를 거쳐서 벨로우즈 탱크(465)에 제공될 수 있다. 벨로우즈 탱크(465)가 소정 압력으로 된 후에, 밸브(418)는 폐쇄될 수 있다. 밸브(422)는 개방될 수 있고, 벨로우즈 탱크(465)는 드라이브 피스톤(467)을 이용하여 압축될 수 있다. 전구체 물질의 배출 압력은 모니터링될 수 있고, 드라이브 피스톤(467)이 벨로우즈 탱크(465)를 압축하는 속도는 제어된다. 본 실시예는 높은 농도, 짧은 주기의 펄스용으로 특정한 이점을 제공할 수 있다.
캐리어 가스와 혼합된 전구체 물질을 처리 챔버(460)에 제공하기 위해서, 캐리어 가스 소스와 연통하는 유량 제어기(mass flow controller)(426)로의 밸브(424)는 개방될 수 있다. 유량 제어기(426)는 소망하는 바와 같이 캐리어 가스의 유동 속도를 제어할 수 있다. 캐리어 가스 소스는 펄스 간의 시스템(400)의 세정부(purge portion)에 이용될 수도 있다.
몇몇의 실시예에 있어서, 벨로우즈 챔버(410)는 처리 챔버(460)로부터 열적으로 격리될 수 있어서, 전구체 온도는 처리 온도와 상이할 수 있다. 그러나, 시스템(400) 내의 전구체 증기의 응축을 방지하기 위해서, 처리 챔버(460)의 온도는 벨로우즈 챔버(410)의 온도보다 높게 유지할 필요가 있을 수 있다.
열적 격리는 벨로우즈 챔버(410)와 처리 챔버(460) 사이의 충분한 열적 임피던스(impedance)(열 유동에 대한 저항)를 제공하는 단계를 구비하여, 벨로우즈 챔버(460)의 온도가 제 1 소정 온도로 유지될 수 있는 한편, 처리 챔버의 온도는 온도차에 의해 제 1 소정 온도와 상이한 제 2 소정 온도로 유지될 수 있다.
열적 임피던스는 벨로우즈 챔버(410)와 처리 챔버(460) 사이에 낮은 열전도성의 재료를 이용함으로써 제공될 수 있다. 예컨대, 벨로우즈 챔버(410) 및 처리 챔버(460)는 낮은 열전도성의 물질로 이루어진 열적 격리 영역(thermal isolating region)(475)에 의해 분리될 수 있다. 추가적으로, 벨로우즈 챔버(410)와 처리 챔버(460) 사이의 유체 라인의 열적 임피던스는 소정의 온도차를 얻기에 충분할 수 있다.
몇몇의 실시예에 있어서, 전구체 물질은 기판 표면상에 흡수되고, 그 후 산화제는 전구체 물질과 반응하도록 처리 챔버(460)에 제공된다. 산화제 물질에 대한 유체 라인은 도 4에는 도시되지는 않지만 제공될 수 있다. 가능한 산화물로는 수증기, 산소, 오존, 과산화수소, 금속 알콕사이드(alkoxide) 또는 다른 산화제가 있다. 마찬가지로, 몇몇의 실시예에 있어서, 전구체 물질은 금속 질화물을 제조하도록 암모니아와 같은 질소 함유 분자와 반응하는 것이다.
다수의 실시예를 기술하였다. 그럼에도 불구하고, 본 발명의 사상 및 범위로부터 벗어남이 없이 여러 가지의 변경이 이루어질 수 있음이 이해될 것이다. 예컨대, 상이한 개수의 가변 체적 전구체 챔버가 사용될 수 있다. 피스톤 및 벨로우즈를 내장한 챔버를 갖는 실시예가 도시되어 있지만, 다른 실시예도 가능하다. 예컨대, 몇몇의 실시예는 전도성 또는 비전도성 가요성 멤브레인(membrane)을 내장한 챔버를 이용할 수 있으며, 챔버 압력은 (예컨대) 외부 압력, 전자기장 또는 다른 제어 메커니즘을 이용하여 제어될 수 있다. 따라서, 다른 실시예는 하기의 청구범위의 범위 내에 있다.

Claims (43)

  1. 반도체 처리 장치에 있어서,
    반도체 처리에 쓰이는 가스를 공급하며 가변 내부 체적을 규정하는 가변 체적 챔버와,
    상기 가변 체적 챔버 내에 있으며 상기 반도체 처리에 쓰이는 상기 가스의 액체 혹은 고체 소스를 유지하도록 구성된 전구체 보트와,
    상기 가변 체적 챔버 내의 가스의 압력을 나타내는 파라메터를 감지하여, 압력을 나타내는 출력을 생성하는 압력 감지기와,
    상기 압력 감지기 및 상기 가변 체적 챔버와 연통하고, 상기 압력 감지기의 출력에 근거하여 상기 가변 체적 챔버에 힘을 인가하고, 이에 의해 상기 가변 체적 챔버 내의 가스의 압력을 조절하도록 상기 가변 내부 체적을 변경하는 압력 제어기를 포함하는
    반도체 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 압력 제어기는 상기 가변 체적 챔버 내의 가스의 압력을 일정하게 유지하는 정압 제어기를 포함하는
    반도체 처리 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    처리 챔버를 더 구비하며,
    상기 가변 체적 챔버는 상기 처리 챔버에 전구체 물질을 공급하는
    반도체 처리 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 전구체 물질은 상기 처리 챔버 내에서 다른 물질과 반응하는
    반도체 처리 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 반도체 처리는 화학적 증착 처리인
    반도체 처리 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 반도체 처리는 원자층 증착 처리인
    반도체 처리 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 가변 체적 챔버는 벨로우즈(bellows)를 포함하는
    반도체 처리 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 벨로우즈는 가압 영역 내에 구비되는
    반도체 처리 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 압력 제어기는 상기 가압 영역과 선택적으로 연통하는 가스 소스를 포함하는
    반도체 처리 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 가스 소스는 상기 가압 영역 내의 가스의 압력이 기결정된 압력 이하인 경우 상기 가압 영역과 선택적으로 연통하는
    반도체 처리 장치.
  11. 제 8 항에 있어서,
    상기 압력 제어기는 상기 가압 영역과 선택적으로 연통하는 진공 소스를 포함하는
    반도체 처리 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 진공 소스는 상기 가압 영역 내의 가스의 압력이 기결정된 값을 초과하는 경우 상기 가압 영역과 선택적으로 연통하는
    반도체 처리 장치.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 가변 체적 챔버는 피스톤을 포함하는
    반도체 처리 장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 압력을 나타내는 파라메터는 상기 피스톤 상의 힘인
    반도체 처리 장치.
  15. 제 1 항에 있어서,
    다른 가변 체적 챔버를 더 구비하는
    반도체 처리 장치.
  16. 반도체 처리 방법에 있어서,
    가변 체적 챔버 내에서, 상기 가변 체적 챔버 내의 고체 또는 액체 소스로부터 반도체 처리에 쓰이는 가스를 생성하는 단계와,
    상기 가변 체적 챔버로부터 반도체 처리 챔버까지 상기 가스를 전달하는 단계와,
    상기 가스 전달 단계 중에, 상기 가변 체적 챔버 내의 상기 가스의 압력을 나타내는 파라메터를 감지하는 단계와,
    상기 감지 단계에 기초하여 상기 가변 체적 챔버의 체적을 변경시키는 단계를 포함하는
    반도체 처리 방법.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 감지 단계에 기초하여 상기 가변 체적 챔버의 체적을 변경하는 단계는, 상기 압력이 기결정된 압력보다 높다고 상기 파라메터가 나타내는 경우 상기 가변 체적 챔버의 체적을 증가시키는 단계를 포함하는
    반도체 처리 방법.
  18. 제 16 항에 있어서,
    상기 감지 단계에 기초하여 상기 가변 체적 챔버의 체적을 변경하는 단계는, 상기 압력이 기결정된 압력보다 낮다고 상기 파라메터가 나타내는 경우 상기 가변 체적 챔버의 체적을 감소시키는 단계를 포함하는
    반도체 처리 방법.
  19. 제 16 항에 있어서,
    상기 감지 단계는 상기 가변 체적 챔버 외부의 가압 영역의 압력을 감지하는 단계를 포함하는
    반도체 처리 방법.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 가변 체적 챔버의 체적을 변경하는 단계는 상기 가압 영역의 압력을 증가시키는 단계를 포함하는
    반도체 처리 방법.
  21. 제 19 항에 있어서,
    상기 가변 체적 챔버의 체적을 변경하는 단계는 상기 가압 영역의 압력을 감소시키는 단계를 포함하는
    반도체 처리 방법.
  22. 제 16 항에 있어서,
    상기 가변 체적 챔버의 체적을 변경하는 단계는 피스톤에 힘을 인가하는 단계를 포함하는
    반도체 처리 방법.
  23. 화학 반응 물질(reactant) 전달 장치에 있어서,
    출구를 가지며 가변 내부 체적을 규정하는 가변 체적 챔버로서, 상기 출구는 상기 가변 체적 챔버의 내부 영역으로부터 반응 챔버로 반응 가스를 전달하는, 상기 가변 체적 챔버와,
    상기 가변 체적 챔버 내에 있으며, 상기 반응 가스의 액체 또는 고체 소스를 유지하도록 구성된 전구체 보트와,
    상기 가변 체적 챔버 내의 상기 반응 가스의 압력을 나타내는 파라메터를 감지하고, 이의 압력을 나타내는 출력을 생성하는 압력 감지기와,
    상기 압력 감지기 및 상기 가변 체적 챔버와 연통하고, 상기 압력 감지기의 출력에 근거하여 상기 가변 체적 챔버에 힘을 인가하고, 이에 의해 상기 가변 체적 챔버 내의 상기 반응 가스의 압력을 조절하도록 상기 가변 내부 체적을 변경하는 압력 제어기를 포함하는
    화학 반응 물질 전달 장치.
  24. 제 23 항에 있어서,
    상기 압력 제어기는 상기 가변 체적 챔버의 압력을 일정하게 유지하는 정압 제어기를 포함하는
    화학 반응 물질 전달 장치.
  25. 제 23 항에 있어서,
    상기 가변 체적 챔버는 벨로우즈를 포함하는
    화학 반응 물질 전달 장치.
  26. 제 25 항에 있어서,
    상기 벨로우즈는 가압 영역 내에 구비되는
    화학 반응 물질 전달 장치.
  27. 제 26 항에 있어서,
    상기 압력 제어기는 상기 가압 영역과 선택적으로 연통하는 가스 소스를 포함하는
    화학 반응 물질 전달 장치.
  28. 제 26 항에 있어서,
    상기 압력 제어기는 상기 가압 영역과 선택적으로 연통하는 진공 소스를 포함하는
    화학 반응 물질 전달 장치.
  29. 제 23 항에 있어서,
    상기 가변 체적 챔버는 피스톤을 포함하는
    화학 반응 물질 전달 장치.
  30. 제 23 항에 있어서,
    다른 가변 체적 챔버를 더 구비하는
    화학 반응 물질 전달 장치.
  31. 제 1 항에 있어서,
    상기 압력 제어기는 상기 가변 체적 챔버에 상기 힘을 인가하는 기계적 가동 부재를 포함하는
    반도체 처리 장치.
  32. 제 23 항에 있어서,
    상기 압력 제어기는 상기 가변 체적 챔버에 상기 힘을 인가하는 기계적 가동 부재를 포함하는
    화학 반응 물질 전달 장치.
  33. 제 1 항에 있어서,
    상기 전구체 보트의 온도를 제어하기 위한 온도 제어 장치를 더 포함하는
    반도체 처리 장치.
  34. 제 33 항에 있어서,
    상기 온도 제어 장치는 상기 전구체 보트와 열적(thermal)으로 연통하는 히터를 포함하는
    반도체 처리 장치.
  35. 제 33 항에 있어서,
    상기 온도 제어 장치는 상기 압력 감지기의 상기 출력에 근거하여, 상기 전구체 보트의 상기 온도를 제어하는
    반도체 처리 장치.
  36. 제 3 항에 있어서,
    상기 처리 챔버와 상기 가변 체적 챔버의 사이에 열적 격리 영역(thermal isolation region)을 더 포함하는
    반도체 처리 장치.
  37. 제 23 항에 있어서,
    상기 전구체 보트의 상기 온도를 제어하는 온도 제어 장치를 더 포함하는
    화학 반응 물질 전달 장치.
  38. 제 37 항에 있어서,
    상기 온도 제어 장치는 상기 전구체 보트와 열적으로 연통하는 히터를 포함하는
    화학 반응 물질 전달 장치.
  39. 제 37 항에 있어서,
    상기 온도 제어 장치는 상기 압력 감지기의 상기 출력에 근거하여, 상기 전구체 보트의 상기 온도를 제어하는
    화학 반응 물질 전달 장치.
  40. 제 23 항에 있어서,
    상기 반응 챔버와 상기 가변 체적 챔버와의 사이에 열적 격리 영역(thermal isolation region)을 포함하는
    화학 반응 물질 전달 장치.
  41. 반도체 처리 장치에 있어서,
    반도체 처리에 쓰이는 가스를 공급하며 피스톤을 포함하는 가변 체적 챔버와,
    상기 가변 체적 챔버 내에 있으며, 반도체 처리에 쓰이는 가스의 액체 또는 고체 소스를 유지하도록 구성된 전구체 보트와,
    상기 가변 체적 챔버 내의 가스의 압력을 나타내는 파라미터를 감지하여, 압력을 나타내는 출력을 생성하는 압력 감지기와,
    상기 압력 감지기 및 상기 가변 체적 챔버와 연통하고, 상기 압력 감지기의 출력에 기초하여 상기 피스톤에 힘을 인가하며, 이에 의해 상기 가변 체적 챔버 내의 상기 가스의 압력을 조절하는 압력 제어기를 구비하는
    반도체 처리 장치.
  42. 제 13 항에 있어서,
    상기 압력을 나타내는 상기 파라메터는 상기 피스톤 상의 힘인 것을 특징으로 하는
    반도체 처리 장치.
  43. 화학 반응 물질 전달 장치에 있어서,
    출구와 피스톤을 포함하는 가변 체적 챔버로서, 상기 출구는 상기 가변 체적 챔버의 내부 영역으로부터 반응 챔버까지 반응 가스를 전달하는, 상기 가변 체적 챔버와,
    상기 가변 체적 챔버 내에 있으며 상기 반응 가스의 액체 또는 고체 소스를 유지하도록 구성된 전구체 보트와,
    상기 가변 체적 챔버 내의 상기 반응 가스의 압력을 나타내는 파라메터를 감지하고, 이를 나타내는 출력을 생성하는 압력 감지기와,
    상기 압력 감지기와 상기 가변 체적 챔버와 연통하고, 상기 압력 감지기의 출력에 근거하여 상기 피스톤에 힘을 인가하며, 이에 의해 상기 가변 체적 챔버 내의 반응 가스의 압력을 조절하는 압력 제어기를 포함하는
    화학 반응 물질 전달 장치.
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