KR100850433B1 - A probe card available measurement of high frequency - Google Patents

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KR100850433B1
KR100850433B1 KR1020070019016A KR20070019016A KR100850433B1 KR 100850433 B1 KR100850433 B1 KR 100850433B1 KR 1020070019016 A KR1020070019016 A KR 1020070019016A KR 20070019016 A KR20070019016 A KR 20070019016A KR 100850433 B1 KR100850433 B1 KR 100850433B1
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나두진
김형태
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주식회사 코리아 인스트루먼트
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Abstract

A probe card capable of measuring a high frequency is provided to examine a high frequency of a wafer chip by wrapping a probe with an insulating material and wrapping an external circumference of the insulating material with a conductive material. A probe(150) is comprised of a probe tip(151), an extending unit(152), and a PCB(Printed Circuit Board) connecting unit(153). The probe tip is connected to a signal terminal of a wafer chip. The extending unit is extended from the probe tip. The PCB connecting unit is connected to the extending unit to be connected to a PCB(110). A reinforcing plate is coupled to a lower surface unit of the PCB. The reinforcing plate is made of an alloy containing more than one of nickel alloy, stainless steel, chrome, and molybdenum. A dielectric is formed at an external circumference of the extending unit and the PCB connecting unit to block an influence with respect to the probe from an external electromagnetic wave. A conductive unit is formed at an external circumference of the dielectric. The conductive unit of the extending unit is a conductive epoxy ring(120). The conductive epoxy ring wraps the dielectric of the extending unit of every probe.

Description

고주파 측정이 가능한 프로브카드{A probe card available measurement of high frequency}A probe card available measurement of high frequency}

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 프로브카드 PCB의 평면도이다.1 is a plan view of a probe card PCB according to an embodiment of the present invention.

도 2는 도 1에서 선 A-A를 따른 부분 단면도이다.2 is a partial cross-sectional view taken along the line A-A in FIG.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 프로브카드의 분해사시도이다.3 is an exploded perspective view of a probe card according to an embodiment of the present invention.

도 4는 종래기술에 따른 고주파 측정용 탐침의 요부도이다.4 is a main view of a high frequency measuring probe according to the prior art.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

10: 탐침 100: 상면부10: probe 100: upper surface

110: PCB 120: 전도성 에폭시 링110: PCB 120: conductive epoxy ring

122: 고분자 절연물질 140: 쉴드 튜브122: polymer insulating material 140: shield tube

150: 탐침 200: 프로브 카드150: probe 200: probe card

본 발명은 고주파 측정이 가능한 프로브카드에 관한 것으로, 보다 상세하게는 동축케이블과 유사한 구조를 가져 안정적이고 정확한 고주파 측정이 가능하고 고집적화가 가능한 프로브 카드에 관한 것이다.The present invention relates to a probe card capable of measuring high frequency, and more particularly, to a probe card capable of stable and accurate high frequency measurement and having high integration, having a structure similar to a coaxial cable.

반도체인 실리콘 봉을 얇게 절단한 실리콘 웨이퍼에 여러 공정을 통해 회로를 집적시킨 개개의 것을 웨이퍼 칩이라 한다.The individual chips in which circuits are integrated through various processes on a silicon wafer obtained by thinly cutting a silicon rod, which is a semiconductor, are called wafer chips.

웨이퍼 칩을 다이싱하기 전에, 개개의 웨이퍼 칩에 대한 불량을 검사하기 위하여 웨이퍼 칩과 직접 접촉하는 프로브 카드가 사용된다.Before dicing a wafer chip, a probe card is used in direct contact with the wafer chip to check for defects on individual wafer chips.

최초의 프로브 카드는 텅스텐으로 형성된 탐침에 에폭시 수지를 몰딩하여 제조되고, 이를 하나의 칩에 접촉시키고 테스터에 연결하여 사용하였다.The first probe card was made by molding an epoxy resin into a probe formed of tungsten, which was used in contact with one chip and connected to a tester.

그러나, 이와 같은 에폭시형 프로브카드는 사용하면서 수작업으로 인한 제품의 균일성 문제와, 웨이퍼에 형성된 칩들의 패드 피치 및 형상에 자유로이 대응하지 못하며, 신호 대 응답속도가 높은 고주파 대역에 적용이 된 프로브카드를 만드는데 있어서 한계가 있다.However, this epoxy type probe card does not freely cope with the problem of product uniformity due to manual operation and pad pitch and shape of chips formed on the wafer, and is applied to a high frequency band with high signal-to-response speed. There is a limit to making.

이러한 문제점 중에서 응답속도를 높이는 문제는 칩의 생산성을 높이는데 직접적으로 관련이 있다. 응답속도를 높이기 위한 고주파 측정이 가능하도록 기 개발되어진 카드는 주로 탐침을 특성에 맞게 설계하여 신호손실을 줄이는 방법을 사용하고 있다.Among these problems, the problem of increasing the response speed is directly related to increasing the productivity of the chip. The card, which has been developed to enable high frequency measurement to increase the response speed, mainly uses a method of reducing signal loss by designing the probe according to characteristics.

도 4는 종래기술에 따른 고주파 측정용 탐침의 요부도이다.4 is a main view of a high frequency measuring probe according to the prior art.

도 4에 도시된 바와 같이, 종래기술에 따른 고주파 측정용 탐침(10)은 고주파 전송용 동축케이블과 유사한 구조를 갖는다. 즉, 탐침팁(12)의 외주를 테프론과 같은 재료의 절연체(14)가 감싸고 절연체(14)의 외주를 구리와 같은 금속(16)으로 감싼 구조를 갖는다.As shown in Figure 4, the high frequency measurement probe 10 according to the prior art has a structure similar to the coaxial cable for high frequency transmission. That is, the outer periphery of the probe tip 12 is surrounded by an insulator 14 made of a material such as Teflon, and the outer periphery of the insulator 14 is wrapped with a metal 16 such as copper.

이와 같은 구조를 갖는 탐침(10)은 금속(16)에 의해 전자파 간섭에 대한 쉴 딩(shielding)역할이 가능하여 신호가 외부의 간섭을 받지 않고 손실없이 전달될 수 있다.The probe 10 having such a structure may serve as a shielding against electromagnetic interference by the metal 16 so that the signal may be transmitted without loss without receiving external interference.

그러나, 종래기술에 따른 탐침(10)은 하나의 탐침팁(12)마다 절연체(14)와 금속(16)을 피복해야 하기 때문에 제조 비용이 상승하는 문제와, 탐침(10)이 갖는 부피가 크기 때문에 웨이퍼 칩의 집적도가 높아지는 경우 대응이 곤란한 문제가 발생 한다. However, since the probe 10 according to the related art has to cover the insulator 14 and the metal 16 for each probe tip 12, the manufacturing cost increases, and the volume of the probe 10 is large. Therefore, when the degree of integration of the wafer chip is increased, it is difficult to cope with the problem.

본 발명은 전술된 종래 기술에 따른 문제점을 해결하기 위하여 도출된 것으로, 웨이퍼 칩의 고주파 측정이 가능하고 집적도가 향상된 프로브카드의 제공을 목적으로 한다.The present invention has been made to solve the problems according to the prior art described above, and an object of the present invention is to provide a probe card capable of measuring high frequency of a wafer chip and improving the degree of integration.

전술된 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시형태에 따른 고주파 측정이 가능한 프로브카드는, 실리콘 웨이퍼 위에 형성된 웨이퍼 칩을 검사하는 프로브 카드에 있어서, PCB; 상기 웨이퍼 칩의 신호단자에 접촉하는 탐침팁, 상기 탐침팁으로부터 연장되는 연장부, 상기 연장부와 연결되어 상기 PCB에 연결되는 PCB연결부로 구성된 탐침; 을 포함하되, 상기 탐침의 외부 전자기파로부터의 영향을 차단시키기 위하여 상기 연장부와 상기 PCB연결부 외주에는 절연부가 형성되며, 상기 절연부의 외주에는 전도부가 형성될 수 있다. In order to achieve the above object, a probe card capable of high frequency measurement according to an embodiment of the present invention, a probe card for inspecting a wafer chip formed on a silicon wafer, PCB; A probe consisting of a probe tip contacting the signal terminal of the wafer chip, an extension part extending from the probe tip, and a PCB connection part connected to the extension part and connected to the PCB; It includes, but the insulating portion is formed on the outer periphery of the extension portion and the PCB connection portion to block the influence of the probe from the external electromagnetic waves, the conductive portion may be formed on the outer periphery of the insulating portion.

본 발명에서, 상기 연장부의 전도부는 전도성 에폭시링이며, 상기 전도성 에폭시링은 상기 모든 탐침 연장부의 절연부를 감싸는 구조로 형성될 수 있다. In the present invention, the conductive portion of the extension portion is a conductive epoxy ring, the conductive epoxy ring may be formed in a structure surrounding the insulation of all the probe extension portion.

본 발명에서, 상기 팀침의 PCB연결부는 그 외주가 쉴드튜브에 의해 감싸지되, 상기 쉴드튜브는 절연 튜브가 전도성 물질로 코팅될 수 있다. In the present invention, the PCB connector of the team needle is wrapped around the outer circumference of the shield tube, the shield tube may be coated with an insulating tube conductive material.

본 발명에서, 상기 전도성 에폭시 링은 상기 전도성 에폭시 링과 상기 PCB 사이에 결합된 세라믹 지지대에 의해 지지되고, 상기 전도성 에폭시 링은 PCB에 공통 접지될 수 있다. In the present invention, the conductive epoxy ring is supported by a ceramic support coupled between the conductive epoxy ring and the PCB, the conductive epoxy ring may be common ground to the PCB.

또한, 본 발명에서 상기 전도부는 전도성 에폭시 페이스트가 도포되어 형성될 수 있다. In addition, the conductive part in the present invention may be formed by applying a conductive epoxy paste.

본 발명에서, 상기 탐침은 텅스텐으로 형성되며, 상기 절연부는 테프론, 폴리이미드, 폴리에테르에테르케톤(PEEK) 중 어느 하나의 플라스틱으로 형성되고, 상기 전도부는 에폭시, 아크릴계 플라스틱 중 어느 하나의 플라스틱에 전기전도도를 발현시킨 플라스틱으로 형성될 수 있다. In the present invention, the probe is formed of tungsten, the insulating portion is formed of any one of the plastic of teflon, polyimide, polyether ether ketone (PEEK), the conductive portion is electrically connected to any one of the plastic of epoxy, acrylic plastic It may be formed of a plastic that expresses conductivity.

본 발명에서, 상기 전도부를 구성하는 플라스틱에는 금, 은, 구리 중 어느 하나 또는 그 이상의 전도성 첨가제(filler)가 더 포함될 수 있다. In the present invention, the plastic constituting the conductive part may further include one or more conductive fillers of gold, silver, and copper.

본 발명에서, 상기 프로브카드에는 상기 PCB의 하면부에 결합되고, 니켈합금, 스테인레스 스틸, 크롬, 몰리브덴 중 어느 하나 이상을 함유한 합금으로 형성된 보강판이 결합될 수 있다. In the present invention, the probe card is coupled to the lower surface portion of the PCB, a reinforcing plate formed of an alloy containing any one or more of nickel alloy, stainless steel, chromium, molybdenum may be coupled.

본 발명에서, 탐침에 처리가능한 물리적 표면처리공정은 접착되는 표면이 거칠게 되어 표면적이 넓어질 수 있도록 스크레치 처리가 되는 것이 포함되며, 화학적 표면처리공정에는 커플링제(coupling agent)가 사용될 수 있다. In the present invention, the physical surface treatment process that can be treated to the probe includes a scratch treatment so that the surface to be bonded is roughened to increase the surface area, and a coupling agent may be used in the chemical surface treatment process.

이하에서, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예가 기술된다.In the following, embodiments of the present invention are described with reference to the accompanying drawings.

하기에서 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략될 것이다. 또한 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 설정된 용어들로서 이 용어들은 제품을 생산하는 생산자의 의도 또는 관례에 따라 달라질 수 있으며, 용어들의 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.In the following description of the present invention, if it is determined that detailed descriptions of related known functions or configurations may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description will be omitted. In addition, the terms to be described later are terms set in consideration of functions in the present invention, and these terms may vary according to the intention or custom of the producer producing the product, and the definition of the terms should be made based on the contents throughout the present specification.

(실시예)(Example)

이하에서 첨부된 도 1 내지 도 3을 참조로 본 발명의 실시예에 따른 고주파 측정이 가능한 프로브카드를 설명한다.Hereinafter, a probe card capable of measuring high frequency according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 3.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 프로브카드 PCB의 평면도이고, 도 2는 도 1에서 선 A-A를 따른 부분 단면도이고, 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 프로브카드의 분해사시도이다.1 is a plan view of a probe card PCB according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is a partial cross-sectional view along the line A-A in Figure 1, Figure 3 is an exploded perspective view of a probe card according to an embodiment of the present invention.

도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 고주파 측정이 가능한 프로브카드(200: 이하에서 설명의 편의를 위하여 별다른 설명이 없는 한, '고주파 측정이 가능한 프로브카드'는 간략히 '프로브카드'라 한다)는 상면부(100)의 하면부에 보강판(170)을 결합하여 구성된다.As shown, the probe card 200 capable of measuring the high frequency according to an embodiment of the present invention: Unless otherwise described for convenience of description below, a probe card capable of measuring high frequency is simply referred to as a probe card. ) Is configured by coupling the reinforcement plate 170 to the lower surface portion of the upper surface portion (100).

상면부(100)는 PCB(110: Printed Circuit Board)에 전도성 에폭시 링(120)에 의해 공통 쉴딩된 복수개의 탐침(150)이 솔더링과 같은 방법에 의해 결합된다.The upper surface part 100 is coupled to a plurality of probes 150 which are commonly shielded by a conductive epoxy ring 120 on a printed circuit board (PCB) 110 by a soldering method.

탐침(150)은 3개 영역으로 구분하여, 탐침팁(151), 연장부(152)(본 실시예에 서는 상기 연장부(152)를 '공통 쉴드부'로 명하며, 이하 공통 쉴드부라 한다) 및 PCB연결부(153)로 구성된다.The probe 150 is divided into three areas, the probe tip 151 and the extension part 152 (in this embodiment, the extension part 152 is referred to as a 'common shield part', hereinafter referred to as a common shield part). ) And the PCB connection portion 153.

탐침팁(151)은 웨이퍼 칩의 신호단자에 접촉된다.The probe tip 151 contacts the signal terminal of the wafer chip.

공통 쉴드부(152)는 탐침팁(151)에 연장 형성된다.The common shield 152 extends from the probe tip 151.

PCB 연결부(153)는 공통 쉴드부(152)를 지나 연장된 영역이며 종단이 PCB(110)에 솔더링과 같은 방식으로 결합된다.The PCB connection portion 153 extends beyond the common shield portion 152 and has an end coupled to the PCB 110 in the same manner as soldering.

여기서, 공통 쉴드부(152)의 외표면에는 절연재로서 고분자 절연 물질(122)이 결합된다. 또한 고분자 절연 물질(122)의 외표면에는 전도성 에폭시 링(120)이 결합된다. 전도성 에폭시 링(120)은 공통 접지(130)에 의해 PCB(110)에 공통 접지된다.Here, the polymer insulating material 122 is bonded to the outer surface of the common shield 152 as an insulating material. In addition, the conductive epoxy ring 120 is bonded to the outer surface of the polymer insulating material 122. Conductive epoxy ring 120 is commonly grounded to PCB 110 by a common ground 130.

이에 의해, 공통 쉴드부(152), 고분자 절연 물질(122) 및 전도성 에폭시 링(120)의 3중 구조에 의해 동축라인을 갖는 고주파 측정용 탐침과 유사한 구조를 갖게 된다. As a result, the triple shield structure of the common shield 152, the polymer insulating material 122, and the conductive epoxy ring 120 has a structure similar to that of a high frequency measuring probe having a coaxial line.

따라서, 본 실시예에 따른 프로브카드(200)는 고주파 측정이 가능해진다. 또한, 공통 쉴드부(152), 고분자 절연 물질(122) 및 전도성 에폭시 링(120)의 3중 구조를 가지면서도, 공통 쉴드부(152)를 일체로 형성된 전도성 에폭시 링(120)에 의해 쉴딩 처리하여 부피의 증가 없이 웨이퍼 칩의 고집적화에도 대응이 가능해진다.Therefore, the probe card 200 according to the present embodiment can measure high frequency. In addition, the shielding process is performed by the conductive epoxy ring 120 having a triple structure of the common shield 152, the polymer insulating material 122, and the conductive epoxy ring 120, and integrally formed with the common shield 152. Thus, it is possible to cope with high integration of wafer chips without increasing the volume.

한편, 전도성 에폭시 링(120)의 하부에는 세라믹 소재의 지지대(124)에 의해 지지되어, 탐침(150)이 안정적으로 PCB(110)에 고정된다.On the other hand, the lower portion of the conductive epoxy ring 120 is supported by a support 124 of a ceramic material, the probe 150 is stably fixed to the PCB 110.

PCB 연결부(153)는 외표면이 절연 튜브에 전도성 물질이 코팅된 쉴드 튜브(140)에 의해 감싸진다. The PCB connection 153 is surrounded by a shield tube 140 whose outer surface is coated with a conductive material on an insulating tube.

그러나 본 발명은 이에 특별히 한정되는 것은 아니며, 공통 쉴드부(152)와 유사하게, 고분자 절연 물질(122)이 PCB 연결부(153)까지 연장 결합되고, PCB 연결부(153)에 결합된 고분자 절연 물질(122)의 외표면에 전도성 에폭시 페이스트가 도포될 수도 있다. 즉, 탐침(150)의 공통 쉴드부(152)와 PCB 연결부(153)는 동축 케이블과 유사하게 외주를 절연 물질로 감싸고, 절연 물질의 외주는 금속과 같은 전도성 물질이 감싸도록 하여, 신호가 외부 간섭에 영향을 받지 않도록 구성되는 것이 중요하다.However, the present invention is not particularly limited thereto, and similarly to the common shield 152, the polymer insulating material 122 extends to the PCB connection 153 and is coupled to the PCB connection 153. A conductive epoxy paste may be applied to the outer surface of 122). That is, the common shield portion 152 and the PCB connection portion 153 of the probe 150 wraps the outer periphery with an insulating material similar to the coaxial cable, and the outer periphery of the insulating material is wrapped with a conductive material such as a metal, so that the signal is external. It is important to be configured so as not to be affected by the interference.

한편, 상기 탐침을 감싸는 절연부는 테프론, 폴리이미드, 고기능성 열가소성 수지인 폴리에테르에테르케톤(Polyether ether ketone, PEEK), 기타의 엔지니어링 플라스틱으로 형성되고, 상기 전도부는 에폭시, 아크릴계 플라스틱, 기타 전도성을 띄는 플라스틱이 사용될 수 있다.Meanwhile, the insulating part surrounding the probe is made of Teflon, polyimide, polyether ether ketone (PEEK), which is a high-performance thermoplastic resin, and other engineering plastics, and the conductive part is epoxy, acrylic plastic, or other conductive material. Plastic can be used.

상기 플라스틱에 필요한 전도성을 발현시키기 위하여 금, 은, 구리 등의 전도성 첨가제(filler)를 포함시킬 수 있으며, 상기 첨가제로는 고체 또는 액체 상태의 고전도성 물질을 사용할 수 있다.In order to express the conductivity required for the plastic, conductive additives such as gold, silver, and copper may be included. The additive may be a solid or liquid high conductive material.

미설명 부호 160은 검사될 웨이퍼 칩의 탑재 위치를 나타낸다.Reference numeral 160 denotes a mounting position of the wafer chip to be inspected.

이와 같은 구성을 갖는 상면부(100)는 하면부에 니켈합금, 스테인레스 스틸 또는 크롬이나 몰리브덴을 함유한 합금으로 형성된 보강판(170)과 결합한다. 보강판(170)은 상면부(100)가 웨이퍼 칩의 검사중에 발생하는 열에 의한 변형을 막아 안정적인 동작이 가능하도록 고강도 및 고 모듈러스를 갖는 재료가 사용되는 것이 바람직하다. The upper surface portion 100 having such a configuration is coupled to the reinforcement plate 170 formed of nickel alloy, stainless steel, or an alloy containing chromium or molybdenum in the lower surface portion. The reinforcing plate 170 is preferably a material having high strength and high modulus so that the upper surface portion 100 prevents deformation due to heat generated during inspection of the wafer chip to enable stable operation.

이상으로 본 발명의 실시예를 첨부된 도면을 참조로 기술하였다. 그러나 본 발명은 전술된 실시예에만 특별히 한정되는 것은 아니며, 필요에 따라, 당업자에 의해, 첨부된 청구범위의 정신과 사상 내에서 다양한 수정 및 변경이 가능함에 유의해야 한다.The embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings. However, it is to be noted that the present invention is not particularly limited only to the above-described embodiments, and that various modifications and changes can be made by those skilled in the art within the spirit and spirit of the appended claims as necessary.

전술된 바와 같이, 본 발명에 따르면, 탐침을 절연 물질로 감싸고, 절연 물질의 외주에는 전도성 물질로 감싸 외부 신호에 영향을 받지 않으면서 웨이퍼 칩의 고주파 검사가 가능한 프로브 카드를 제공할 수 있다.As described above, according to the present invention, the probe may be wrapped with an insulating material, and the outer circumference of the insulating material may be wrapped with a conductive material to provide a probe card capable of performing high frequency inspection of the wafer chip without being influenced by an external signal.

또한, 본 발명에 따르면 전도성 물질이 모든 탐침에 공통으로 사용될 수 있도록 일체로 형성되어 고집적화가 가능한 프로브 카드를 제공할 수 있다.In addition, according to the present invention it is possible to provide a probe card capable of high integration is formed integrally so that the conductive material can be commonly used for all the probes.

즉, 전도성 에폭시링과 PCB 사이에 결합된 세라믹 지지대에 의해 지지되고, 전도부는 모든 탐침 연장부의 절연부를 감싸는 구조의 전도성 에폭시링으로, PCB에 공통 접지되도록 구성되어, 미세 피치에도 적용 가능하여, 고주파 측정이 가능하게 되는 효과가 있다. That is, the conductive epoxy ring is supported by a ceramic support coupled between the conductive epoxy ring and the PCB, and the conductive part is a conductive epoxy ring having a structure surrounding the insulation of all the probe extensions. There is an effect that can be measured.

한편, 팀침의 PCB연결부는 그 외주가 쉴드튜브에 의해 감싸지되, 상기 쉴드튜브는 절연 튜브가 전도성 물질로 코팅되도록 구성되거나, 탐침 연장부 또는 PCB연결부의 전도부는 전도성 에폭시 페이스트가 도포되어 형성되도록 할 수 있는 바, 다양한 구성으로 고집적화가 가능한 프로브 카드를 제공하게 된다. On the other hand, the PCB connector of the team needle is the outer periphery is wrapped by the shield tube, the shield tube is configured so that the insulating tube is coated with a conductive material, or the conductive portion of the probe extension or PCB connection is to be formed by applying a conductive epoxy paste It is possible to provide a probe card capable of high integration in various configurations.

또한, 본 발명에 따르면 니켈합금, 스테인레스 스틸, 크롬, 몰리브덴 중 어느 하나 이상을 함유한 합금 등의 고모듈러스를 갖는 재료로 형성된 보강판에 의해 웨이퍼 칩의 검사시에 발생하는 열변형이나 응력의 발생을 방지하여 안정적인 웨이퍼 칩의 검사가 가능한 프로브 카드를 제공할 수 있다.In addition, according to the present invention, heat deformation and stress generated during inspection of a wafer chip by a reinforcement plate formed of a material having a high modulus such as an alloy containing at least one of nickel alloy, stainless steel, chromium, and molybdenum It is possible to provide a probe card capable of inspecting a stable wafer chip.

또한, 본 발명에 따르면 탐침의 절연부는 테프론, 폴리이미드과 같은 유전율이 낮은 소재로 형성되어 고주파특성이 우수하며, 탐침의 전도부는 에폭시, 아크릴계 플라스틱과 같은 플라스틱이면서 전도도가 높아 성형이 용이한 장점이 있다. In addition, according to the present invention, the insulating portion of the probe is formed of a material having a low dielectric constant such as Teflon and polyimide, and thus has excellent high frequency characteristics. .

또한, 본 발명에 따르면 전도부를 구성하는 플라스틱에는 금, 은, 구리 등의 전도성 첨가제(filler)의 함량과 형태를 조정하여 부가함으로써 사용자의 필요에 따른 전도성을 갖는 전도성 플라스틱을 제공하게 된다.In addition, according to the present invention by adjusting the content and shape of the conductive additive (filler) such as gold, silver, copper to the plastic constituting the conductive portion to provide a conductive plastic having a conductivity according to the user's needs.

또한, 본 발명에 따르면, 탐침과 절연부 또는 절연부와 전도부 사이에 화학적 또는 물리적인 표면처리 공정이 추가되어, 탐침과 절연부 및 전도부가 각각 이종 물질로 형성된 경우라도 접착력이 충분히 향상된 프로브카드를 제공하게 된다. In addition, according to the present invention, a chemical or physical surface treatment process is added between the probe and the insulator or the insulator and the conductor, so that even when the probe, the insulator and the conductor are each formed of different materials, a probe card having sufficiently improved adhesion can be obtained. Will be provided.

Claims (10)

실리콘 웨이퍼 위에 형성된 웨이퍼 칩을 검사하는 프로브 카드에 있어서, A probe card for inspecting a wafer chip formed on a silicon wafer, PCB;PCB; 상기 웨이퍼 칩의 신호단자에 접촉하는 탐침팁, 상기 탐침팁으로부터 연장되는 연장부, 및 상기 연장부와 연결되어 상기 PCB에 연결되는 PCB연결부로 구성된 탐침; 및 A probe consisting of a probe tip contacting the signal terminal of the wafer chip, an extension part extending from the probe tip, and a PCB connection part connected to the extension part and connected to the PCB; And 상기 PCB의 하면부에 결합되고, 니켈합금, 스테인레스 스틸, 크롬, 몰리브덴 중 어느 하나 이상을 함유한 합금으로 형성되는 보강판; 을 포함하고, A reinforcing plate coupled to a lower surface of the PCB and formed of an alloy containing at least one of nickel alloy, stainless steel, chromium, and molybdenum; Including, 상기 탐침의 외부 전자기파로부터의 영향을 차단시키기 위하여 상기 연장부와 상기 PCB연결부 외주에는 절연부가 형성되며, 상기 절연부의 외주에는 전도부가 형성되되, Insulation is formed on the outer periphery of the extension part and the PCB connection part, and a conductive part is formed on the outer periphery of the insulator part in order to block the influence of the probe from external electromagnetic waves. 상기 연장부의 상기 전도부는 전도성 에폭시링이며, The conductive portion of the extension is a conductive epoxy ring, 상기 전도성 에폭시링은 모든 상기 탐침의 상기 연장부의 상기 절연부를 감싸도록 형성된 것을 특징으로 하는, 고주파 측정이 가능한 프로브카드.And the conductive epoxy ring is formed to surround the insulation of all of the extension portions of the probe. 삭제delete 제 1 항에 있어서, 상기 탐침의 상기 PCB연결부는, 그 외주가 쉴드튜브에 의해 감싸지되, 상기 쉴드튜브는 절연 튜브가 전도성 물질로 코팅된 것을 특징으로 하는, 고주파 측정이 가능한 프로브카드.The probe card of claim 1, wherein the PCB connection part of the probe is surrounded by a shield tube, and the shield tube is coated with a conductive material. 제 1 항에 있어서, 상기 전도성 에폭시 링은, The method of claim 1, wherein the conductive epoxy ring, 상기 전도성 에폭시 링과 상기 PCB 사이에 결합된 세라믹 지지대에 의해 지지되며, 상기 전도성 에폭시 링은 PCB에 공통 접지되는 것을 특징으로 하는, 고주파 측정이 가능한 프로브카드.A high frequency measurement probe card, characterized in that supported by a ceramic support coupled between the conductive epoxy ring and the PCB, the conductive epoxy ring is a common ground to the PCB. 제 1 항에 있어서, 상기 전도부는, 전도성 에폭시 페이스트가 도포되어 형성되는 것을 특징으로 하는, 고주파 측정이 가능한 프로브카드.The probe card of claim 1, wherein the conductive portion is formed by applying a conductive epoxy paste. 제 1 항에 있어서, 상기 탐침은, 텅스텐으로 형성되며, 상기 절연부는, 테프론, 폴리이미드, 폴리에테르에테르케톤(PEEK) 중 어느 하나의 플라스틱으로 형성되고, 상기 전도부는, 에폭시, 아크릴계 플라스틱 중 어느 하나의 플라스틱에 전기전도도를 발현시킨 플라스틱으로 형성되는 것을 특징으로 하는, 고주파 측정이 가능한 프로브카드.The method of claim 1, wherein the probe is formed of tungsten, the insulating portion is formed of any one of a plastic of teflon, polyimide, polyether ether ketone (PEEK), the conductive portion is any of epoxy, acrylic plastic A probe card capable of high frequency measurement, characterized in that formed of a plastic that expressed electrical conductivity in one plastic. 제 6 항에 있어서, 상기 전도부를 구성하는 플라스틱에는 금, 은, 구리 중 어느 하나 또는 그 이상의 전도성 첨가제(filler)가 더 포함된 것을 특징으로 하는, 고주파 측정이 가능한 프로브카드. The probe card of claim 6, wherein the plastic constituting the conductive part further comprises one or more conductive fillers of gold, silver, and copper. 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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