KR100845778B1 - 광투과 에지영역에서의 광투과율을 이용한 실리콘 웨이퍼두께 측정장치 및 그 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 광투과 에지영역에서의 광투과율을 이용한 실리콘 웨이퍼 두께 측정장치에 관한 것으로서, 실리콘 웨이퍼 시료에 빛을 조사하는 광원, 상기 실리콘 웨이퍼 시료를 투과한 빛을 근적외선 영역의 각 파장별로 분리하는 적외선 분광계, 상기 적외선 분광계로부터 상기 각 파장대역별 빛이 입사되면 그 세기에 상응하는 전류를 생성하는 광센서 어레이, 상기 광센서 어레이에서 출력되는 전류를 디지털 값으로 변환하는 변환부, 상기 변환부로부터 수신한 각 파장대역별 광도값으로부터 투과율을 구하는 연산부, 투과율이 급격하게 증가하는 광투과 에지영역에 속하는 파장대역 내의 각 파장에서 투과율(T)을 사용하여 상기 실리콘 웨이퍼 시료의 두께를 산출하는 연산부를 포함하는 것을 특징으로 한다.

상기와 같은 본 발명에 따르면, 실리콘 웨이퍼에서는 근적외선 영역에서 투과율이 급격하게 증가하는 광투과 에지 영역이 형성되는 성질을 이용하여 광투과 에지 영역내에서의 빛의 파장별 광투과율을 측정하고 이로부터 실리콘 웨이퍼의 두께를 정밀하게 측정할 수 있는 효과가 있다.

실리콘, 웨이퍼, 두께, 측정, 투과율, 근적외선.

Description

광투과 에지영역에서의 광투과율을 이용한 실리콘 웨이퍼 두께 측정장치 및 그 방법{An Apparatus For Measuring Thinkness of Silicon Wafer Using Light Transmittance At Light Transmission Edge Range And A Method Therof}

본 발명은 실리콘 웨이퍼 두께 측정장치 및 그 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 실리콘 웨이퍼의 경우 근적외선 영역에서 광투과율이 급격하게 증가하는 영역 즉 광투과 에지 영역이 형성되는 성질을 이용하여 광투과 에지 영역 내에서의 빛의 파장별 광투과율을 측정하고 이로부터 실리콘 웨이퍼의 두께를 정밀하게 측정할 수 있도록 하는 장치 및 방법에 관한 것이다.

반도체, 태양전지 등의 시장 성장에 따라 현재와 같은 성장 추세가 지속되기 위해서는 실리콘의 공급이 원활하여야 한다. 최신의 wire sawing 기술을 적용하여 웨이퍼 두께를 줄일 수 있으면 그 만큼 단괴나 블록 단위 길이당 만들 수 있는 웨이퍼의 수는 늘어난다. 현재 웨이퍼의 두께는 250-350 ㎛, 기계적 수율이 85-90% 인데 비해 두께를 150 ㎛로 줄이면 약 80% 이상의 수율이 된다. 이 경우 모재인 실 리콘의 공급량이 현 상태로 유지되더라도 웨이퍼의 수를 20% 이상 증가시킬 수 있다.

한편 웨이퍼의 두께를 줄이는 것과 병행하여 웨이퍼의 두께를 균일하게 유지하는 것 또한 중요하다. 태양전지 산업뿐만 아니라 반도체 산업에서도 최근 몇 년 동안 반도체 회로는 90 나노미터 이하의 크기로 줄어드는 반면 이러한 회로를 만드는 재료가 되는 실리콘 웨이퍼의 크기는 200 mm에서 300 mm로 커졌다. 따라서 더 적은 수의 웨이퍼로 훨씬 더 많은 소자들을 만들 수 있게 되었다. 하지만 양질의 규격을 만족시킴과 동시에 더 큰 웨이퍼를 만드는 것은 어려운 문제다. 나노 크기의 회로를 그려내기 위해 이용되는 광학적 원리나 재료적 특성은 완전히 평면이면서 균일한 두께의 실리콘 웨이퍼를 필요로 한다.

따라서, 실리콘 웨이퍼의 두께 및 평탄도를 정밀하게 측정할 수 있는 기술이 매우 중요하다.

도 1은 종래 간섭계 방식을 이용한 실리콘 웨이퍼 두께 측정방법을 도시한 것이다.

간섭계를 이용하는 방법은 알고 있는 면을 기준으로 기준 면과 시료사이에 나타나는 간섭 패턴을 해석하여 두께와 편평도를 얻는 방법이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 2장의 유리 기준면(140, 150)을 이용하여 두 유리 사이에 시료(W)를 놓고 각 유리 기준면(140, 150)에서 시료까지의 거리를 A, B, 두 유리면 사이의 거리를 C라고 할 때 두께 T = C- A- B가 된다.

즉, 레이저(110)에서 조사된 빛은 렌즈(120)를 통과한 후 미러(130)에 의해 반사된 후 유리 기준면(140, 150)과 시료(W)를 통과하고 다시 미러(130)에 의해 반사되어 CCD 카메라(160)에 의해 촬상되며, 컴퓨터(170)에 의해 간섭 패턴을 해석하여 두께와 편평도를 얻게 된다.

그러나, 이러한 방식의 경우 A의 측정 오차, B의 측정 오차 그리고 C의 측정 오차가 포함되며 즉, 두 유리면 사이의 거리의 유지 정도 등 여러 오차가 포함된다. 또한 유리 기준면과 시료 사이의 간섭 패턴이 형성되어야 하기 때문에 단면 연마된 시료의 경우 연마되지 않은 쪽 표면의 산란효과에 의해 간섭 패턴 형성이 어려운 문제점이 있다.

도 2는 종래 광 경로차를 이용한 실리콘 웨이퍼 두께 측정방법을 도시한 것이다.

시료(W)에 입사하는 빛은 표면에서 반사되는 빛과 후면에서 반사되는 두 빛 사이의 광 경로차가 발생한다. 이 광 경로차를 이용하여 시료의 두께를 계산한다. 이 방식의 경우 시료 표면이나 후면에 발생할 수 있는 굴곡 등 여러 요인으로 인해 두께 오차가 크며, 한 면만 연마된 시료의 경우 한쪽 면에서의 반사 광량이 작아져 오차를 발생할 수 있다. 또한 입사되는 빛의 공간적 크기에 따라 얇은 시료의 경우 광 경로차가 구분이 되지 않을 경우도 생기게 된다. 두께가 수십 ㎛ 일 경우 전면과 후면에서 반사되는 빛의 경로차가 작아 적용이 어려운 문제점이 있다.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 실리콘 웨이퍼의 경우 근적외선 영역에서 투과율이 급격하게 증가하는 영역 즉 광투과 에지 영역이 형성되는 성질을 이용하여 광투과 에지 영역내에서 빛의 파장별 광투과율을 측정하고 이로부터 실리콘 웨이퍼의 두께를 정밀하게 측정할 수 있도록 하는 것이다.

본 발명의 다른 목적은 온도, 시료 면의 조도, 산화막의 형성, 유리를 포함한 투명기판에의 접착 상태 등 투과율에 영향을 주는 요소들을 반영함으로써 측정 정밀도를 보다 향상시킬 수 있도록 하는 것이다.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일측면에 따르면, 실리콘 웨이퍼 시료에 빛을 조사하는 광원, 상기 실리콘 웨이퍼 시료를 투과한 빛을 근적외선 영역의 각 파장별로 분리하는 적외선 분광계, 상기 적외선 분광계로부터 상기 각 파장대역별 빛이 입사되면 그 세기에 상응하는 전류를 생성하는 광센서 어레이, 상기 광센서 어레이에서 출력되는 전류를 디지털 값으로 변환하는 변환부, 상기 변환부로부터 수신한 각 파장대역별 광도값으로부터 투과율 스펙트럼을 구하는 연산부, 투과율이 급격하게 증가하는 광투과 에지영역에 속하는 파장대역 내의 각 파장에서 투과율(T)을 사용하여 하기식

(여기서, d = 실리콘 웨이퍼 시료의 두께, T = 측정된 투과율, T_s = 실리콘 웨이퍼 표면과 공기와의 경계면에서의 계산된 투과율, λ= 빛의 파장, k = 소광계수임) 에 의해 상기 실리콘 웨이퍼 시료의 두께를 산출하는 연산부를 포함하는 것을 특징으로 하는 광투과 에지영역에서의 광투과율을 이용한 실리콘 웨이퍼 두께 측정장치가 제공된다.

여기서, 상기 연산부는 상기 광투과 에지영역에 속하는 파장대역 중 미리 설정된 영역 내에서 각각 산출되는 각 파장별 두께값을 평균한 값을 상기 실리콘 웨이퍼 시료의 두께로 결정하는 것이 바람직하다.

또한, 상기 실리콘 웨이퍼 시료의 두께 산출 시 웨이퍼의 온도, 시료의 표면 조도, 산화막에 의한 간섭 유무, 유리를 포함한 투명기판에의 접착 상태 중 적어도 어느 하나 이상을 반영하는 것이 보다 바람직하다..

또한, 상기 광투과 에지영역은 900 ~ 1200 nm의 파장대역인 것이 더욱 바람직하다.

상기와 같은 본 발명에 따르면, 실리콘 웨이퍼가 근적외선 영역에서 빛을 급격하게 투과하기 시작하는 광투과 에지 영역이 형성되는 성질을 이용하여 광투과 에지 영역내에서의 빛의 파장별 광투과율을 측정하고 이로부터 실리콘 웨이퍼의 두 께를 정밀하게 측정할 수 있는 효과가 있다.

또한, 온도, 시료 면의 조도, 산화막의 형성, 유리를 포함한 투명기판에의 접착 상태 등 투과율에 영향을 주는 요소들을 반영함으로써 측정 정밀도를 보다 향상될 수 있는 효과도 있다.

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 일 실시예를 상세하게 설명하기로 한다.

도 3은 본 발명에 따른 광투과 에지영역에서의 광투과율을 이용한 실리콘 웨이퍼 두께 측정장치의 구성도이다.

도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 광투과 에지영역에서의 광투과율을 이용한 실리콘 웨이퍼 두께 측정장치는 광원(10), 광학계(20), 광섬유(30), 적외선 분광기(40), 광센서 어레이(50), 변환부(60) 및 연산부(70)를 포함하여 구성된다.

광원(10)은 실리콘 웨이퍼 시료(W)에 빛을 조사하는 것으로서, 본 발명에서는 800 ~ 2500 nm의 근적외선 영역에서 실리콘 웨이퍼의 광투과율이 급격하게 증가하는 광 투과율 에지 영역이 존재하는 특성을 이용하는 것이 특징이므로, 광원(10)으로서 450 nm 이상의 파장대역을 빛을 강하게 방출하는 텅스텐 할로겐 램프가 사용되었다.

광학계(20)는 광원(10)으로부터 조사된 빛을 시료(20)에 집속시키고 시료(20)를 투과한 빛을 광섬유(30)에 집속시키기 위해 사용되는 렌즈이다.

광섬유(30)는 시료(W)를 투과한 빛을 적외선 분광기(40)로 전송하는 광 전송수단으로서, 용성 이산화규소(fused silica) 광섬유가 사용될 수 있다.

적외선 분광기(40)는 광섬유(30)를 통해 전송된 빛을 근적외선 영역의 각 파장별로 분리하는 것이다.

광센서 어레이(50)는 적외선 분광기(40)에서 각 파장별로 분할된 빛을 수신하면 그에 상응하는 전류를 출력하는 부분이다. 즉, 적외선 분광기(40)에서 수신된 광을 각 파장대역별 빛으로 분할하면, 분할된 각 파장대역의 빛이 해당 광센서인 광 다이오드에 조사되고, 광 다이오드는 입사되는 파장광의 세기에 비례하는 전류를 출력한다. 측정 시간은 광다이오드 제어기의 설정한계에 따라 달라지지만 대개 스펙트럼당 5 ms ~ 2000 ms 정도이다.

변환부(60)는 상기 광센서 어레이(50)에서 출력되는 아날로그 전류값을 디지털 값으로 변환하는 A/D 변환부이다.

연산부(70)는 변환부로(60)부터 수신한 각 파장대역별 광도값으로부터 투과율 스펙트럼을 계산하는 제 1 연산부와 투과율이 급격하게 증가하는 광투과 에지영역에 속하는 파장대역 내의 각 파장에서의 투과율(T)을 사용하여 후술하는 수학식 3에 의해 실리콘 웨이퍼 시료(W)의 두께를 산출하는 제 2 연산부로 구성된다.

도 4는 본 발명에 따른 광투과 에지영역에서의 광투과율을 이용한 실리콘 웨 이퍼 두께 측정방법이 수행되는 과정을 도시한 흐름도이다.

도 4를 참조하면, 우선, 광원(10)으로부터 발생된 빛이 광학계(20)를 통해 시료(W)에 조사된다(S400). 조사된 빛은 일부는 시료(W) 면에서 반사되고 일부는 투과하여 광섬유(30)를 통해 적외선 분광기(40)로 전송된다. 조사된 빛은 근적외선 영역 중 광 투과율 에지 영역보다 짧은 파장 대역에서는 거의 투과되지 않고 실리콘에 의해 흡수된다. 광 투과율 에지 영역에서는 파장이 증가함에 따라 흡수가 감소하므로 광 투과율 에지 영역에서는 조사된 빛의 일부가 시료(W)를 투과하게 된다.

적외선 분광기(40)에서는 시료(W)를 투과한 빛이 각 파장별로 분리되며(S410), 각 파장별로 분리된 빛이 광센서 어레이(50)를 구성하는 광 다이오드에 조사되면 광 다이오드는 조사되는 파장광의 세기에 비례하는 전류를 출력한다(S420).

광센서 어레이(50)에서 출력되는 전류는 변환부(60)에서 디지털 값으로 변환되고, 변환된 디지털 값이 연산부(70)로 전송된다(S430).

연산부(70)는 광 투과율 스펙트럼을 구하고 시료의 두께를 측정한다(S440, S450). 이 때, 연산부(70)는 광 투과율 에지 영역 내의 한 특정 파장의 광 투과율을 사용하여 시료의 두께를 측정할 수 있으나 이에 의할 경우 측정 오차가 있을 수 있으므로 광 투과율 에지 영역 내에서 수신 감도가 높은 일정 구간을 정하여 구간 내의 각 파장별 투과율에 따라 계산된 개별 시료(W) 두께를 평균한 평균값을 시료(W)의 두께로 결정하는 것이 바람직하다.

연산부(70)에서 시료의 두께를 계산하는 방법을 도 5를 참조하여 설명하기로 한다. 도 5는 근적외선 영역 내에서 실리콘 웨이퍼의 두께에 따라 광 투과율 패턴이 달라지는 결과를 도시한 실험 그래프이다.

단결정 실리콘은 띠 간격 에너지(band gap energy)가 1.12 eV인 간접전이(indirect transition) 반도체로써 띠 간격에너지보다 훨씬 높은 빛 에너지 영역에서는 빛을 완전히 흡수하며 띠 간격 에너지 근방의 영역에서는 빛 에너지가 감소하면 빛을 흡수하는 정도는 완만하게 감소한다. 띠 간격에너지 근방의 빛 에너지 영역에서 실리콘 웨이퍼의 두께가 증가하면 투과율은 두께에 따라 지수 함수적으로 감소한다. 에너지와 역수관계에 있는 파장 측면에서는 띠 간격 에너지 근방에서 파장이 증가하면 흡수가 감소하므로 투과율은 증가한다. 주어진 파장에서는 실리콘 웨이퍼의 두께가 증가하면 투과율은 두께에 따라 지수 함수적으로 감소한다. 따라서 띠 간격에너지 근방의 파장 영역에서 투과율을 분석하면 실리콘 웨이퍼 기층의 두께를 구할 수 있다. 1.12 eV의 에너지를 가지는 빛은 1107 nm의 파장을 가지는 근적외선이며 근적외선 영역에서 이보다 파장이 짧은 빛은 파장이 짧아질 수록 광흡수가 증가한다. 이로 인하여 실리콘 웨이퍼의 경우 도 5에 도시된 바와 같이 약 900 ~ 1200 nm의 파장대역에서 투과율이 급격하게 변화하는 광 투과율 에지 영역이 형성됨을 알 수 있으며, 해당 영역 내에서 시료(W)의 두께에 따라 투과율 변화 곡선이 달라짐을 알 수 있다.

따라서, 근적외선 파장 영역에서 빛이 시료를 투과하는 동안 발생하는 광 흡 수로 인하여 변화하는 투과율 스펙트럼을 측정하여 다음과 같이 단결정 실리콘 기층의 두께를 계산한다.

광 흡수물질인 시료를 투과하는 광량은 다음과 같은 수식으로 주어진다.

여기에서 T는 측정된 투과율, T_s는 매질과 기층의 경계면에서의 계산된 투과율, α는 흡수계수(absorption coefficient), d는 기층의 두께를 가리킨다. 흡수계수 α는 기층의 소광계수(extinction coefficient; k), 빛의 파장 λ로써 다음과 같이 표현된다.

이를 이용하여 두께로 환산하는 수식은 다음과 같이 유도할 수 있다.

수학식 3에 기재된 수식은 이상적인 경우의 표현이며 실제 기층 시료에서는 기층 내부에서의 다중반사, 기층 표면 거칠기에 의한 산란, 산화막에 의한 간섭, 유리와 같은 투명 기판에 실리콘 웨이퍼를 접착시킬 때 접착 상태에 따른 투과율 변화 등 투과율에 영향을 주는 여러 요소가 있다. 따라서, 실제 시료두께 측정시에는 이러한 제반 요인들을 반영한 유효계수를 실험적 또는 이론적으로 결정하여 적용하면 보다 정확한 값을 구할 수 있게 된다.

이는 도 6과 도 7의 그래프를 통해 보다 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

도 6은 온도에 따라 근적외선 영역 내에서의 광투과율 변화를 도시한 그래프이고, 도 7은 표면 조도에 따라 근적외선 영역 내에서의 광투과율 변화를 도시한 그래프이다.

도 6에 도시된 바와 같이, 동일한 시료의 광 투과율을 18℃의 온도와 27.2℃의 온도에서 각각 측정한 결과 상당한 차이를 나타내는데 이는 띠 간격 에너지(band gap energy)부근의 광 흡수계수가 온도에 따라 민감하게 변하기 때문이다. 이로부터 온도에 따른 투과율 차이를 보정하지 않고 두께를 결정하면 상당한 오차를 유발함을 알 수 있다. 그에 따라 온도에 대한 보정을 통하여 두께 측정의 정밀도를 높일 필요가 있다.

한편, 도 7에 도시된 바와 같이, 시료(W)의 양면이 연마가 된 경우, 한쪽만이 연마가 된 경우, 한쪽면이 연마되고, 시료(W)의 표면에 산화막이 형성된 경우에 대해 광 투과율을 측정한 결과 시료(W)의 한쪽면만 연마된 경우 양면이 연마된 경우에 비해 투과율이 현저하게 떨어지는 것으로 나타났으며, 시료(W)의 표면에 산화막이 형성된 경우 광 투과율이 더욱 저하되는 것으로 나타났다.

이는 기층 표면 거칠기에 의한 산란, 산화막에 의한 간섭 등에 의한 것으로 서 이에 대한 보정을 통하여 두께 측정의 정밀도를 높일 필요가 있다.

따라서, 상술한 바와 같이, 두께를 계산할 때 이러한 투과율 변화 요인들을 종합적으로 고려하고 그 투과율 변화 효과를 반영한 유효 계수를 사용함으로써 보다 정확한 시료(W)의 두께를 얻을 수 있게 된다.

비록 본 발명이 상기 언급된 바람직한 실시예와 관련하여 설명되어졌지만, 발명의 요지와 범위로부터 벗어남이 없이 다양한 수정이나 변형을 하는 것이 가능하다. 따라서 첨부된 특허청구의 범위는 본 발명의 요지에서 속하는 이러한 수정이나 변형을 포함할 것이다.

도 1은 종래 간섭계 방식을 이용한 광투과 에지영역에서의 광투과율을 이용한 실리콘 웨이퍼 두께 측정방법을 도시한 것이다.

도 2는 종래 광 경로차를 이용한 광투과 에지영역에서의 광투과율을 이용한 실리콘 웨이퍼 두께 측정방법을 도시한 것이다.

도 3은 본 발명에 따른 광투과 에지영역에서의 광투과율을 이용한 실리콘 웨이퍼 두께 측정장치의 구성도이다.

도 4는 본 발명에 따른 광투과 에지영역에서의 광투과율을 이용한 실리콘 웨이퍼 두께 측정방법이 수행되는 과정을 도시한 흐름도이다.

도 5는 근적외선 영역 내에서 실리콘 웨이퍼의 두께에 따라 광 투과율 패턴이 달라지는 결과를 도시한 실험 그래프이다.

도 6은 온도에 따라 근적외선 영역 내에서의 광투과율 변화를 도시한 그래프이다.

도 7은 표면 조도에 따라 근적외선 영역 내에서의 광투과율 변화를 도시한 그래프이다.

<주요도면부호에 관한 설명>

10 : 광원 20 : 광학계

30 : 광섬유 40 : 적외선 분광기

50 : 광센서 어레이 60 : 변환부

70 : 연산부 W : 실리콘 웨이퍼 시료

Claims (8)

1. 실리콘 웨이퍼 시료에 빛을 조사하는 광원;

   상기 실리콘 웨이퍼 시료를 투과한 빛을 근적외선 영역의 각 파장별로 분리하는 적외선 분광계;

   상기 적외선 분광계로부터 상기 각 파장대역별 빛이 입사되면 그 세기에 상응하는 전류를 생성하는 광센서 어레이;

   상기 광센서 어레이에서 출력되는 전류를 디지털 값으로 변환하는 변환부;

   상기 변환부로부터 수신한 각 파장대역별 광도값으로부터 투과율 스펙트럼을 구하는 연산부;

   상기 투과율 스펙트럼에서 투과율이 급격하게 증가하는 광투과 에지영역에 속하는 파장대역 내의 각 파장에서의 투과율(T)을 사용하여 하기식

   

   (여기서, d = 실리콘 웨이퍼 시료의 두께, T = 측정된 투과율, T_s = 실리콘 웨이퍼 표면과 공기의 경계면에서의 계산된 투과율, λ= 빛의 파장, k = 소광계수임)

   에 의해 상기 실리콘 웨이퍼 시료의 두께를 산출하는 연산부를 포함하는 것을 특징으로 하는 광투과 에지영역에서의 광투과율을 이용한 실리콘 웨이퍼 두께 측정장치.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 연산부는 상기 광투과 에지영역에 속하는 파장대역 중 미리 설정된 영역 내에서 각각 산출되는 각 파장별 두께값을 평균한 값을 상기 실리콘 웨이퍼 시료의 두께로 결정하는 것을 특징으로 하는 광투과 에지영역에서의 광투과율을 이용한 실리콘 웨이퍼 두께 측정장치.
3. 제 2 항에 있어서,

   상기 실리콘 웨이퍼 시료의 두께 산출 시 현재 온도, 시료의 표면 조도, 산화막에 의한 간섭 유무, 유리를 포함하는 투명기판에 실리콘 웨이퍼가 접착된 상태 중 적어도 어느 하나 이상을 반영하는 것을 특징으로 하는 광투과 에지영역에서의 광투과율을 이용한 실리콘 웨이퍼 두께 측정장치.
4. 제 2 항에 있어서,

   상기 광투과 에지영역은 900 ~ 1200 nm의 파장대역인 것을 특징으로 하는 광투과 에지영역에서의 광투과율을 이용한 실리콘 웨이퍼 두께 측정장치.
5. 실리콘 웨이퍼 시료에 빛을 조사하는 단계;

   상기 실리콘 웨이퍼 시료를 투과한 빛을 근적외선 영역의 각 파장별로 분리하는 단계;

   상기 각 파장대역별로 분리된 빛에 상응하는 전류를 출력하는 단계;

   상기 출력된 전류를 디지털 값으로 변환하는 단계;

   상기 디지털 값으로 변환된 각 파장대역별 광도값으로부터 투과율 스펙트럼을 산출하는 단계; 및

   상기 투과율 스펙트럼에서 투과율이 급격하게 증가하는 광투과 에지영역에 속하는 파장대역 내의 각 파장에서의 투과율(T)을 기초하여 하기식

   

   (여기서, d = 실리콘 웨이퍼 시료의 두께, T = 측정된 투과율, T_s = 실리콘 웨이퍼 표면과 공기의 계면에서의 투과율, λ= 빛의 파장, k = 소광계수임)

   에 의해 상기 실리콘 웨이퍼 시료의 두께를 산출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광투과 에지영역에서의 광투과율을 이용한 실리콘 웨이퍼 두께 측정방법.
6. 제 5 항에 있어서,

   상기 실리콘 웨이퍼 시료의 두께를 산출하는 단계는 상기 광투과 에지영역에 속하는 파장대역 중 미리 설정된 영역 내에서 각각 산출되는 각 파장별 두께값을 평균한 값을 상기 실리콘 웨이퍼 시료의 두께로 결정하는 것을 특징으로 하는 광투과 에지영역에서의 광투과율을 이용한 실리콘 웨이퍼 두께 측정방법.
7. 제 6 항에 있어서,

   상기 실리콘 웨이퍼 시료의 두께 산출 시 현재 온도, 시료의 표면 조도, 산화막에 의한 간섭 유무, 유리를 포함하는 투명기판에 실리콘 웨이퍼가 접착된 상태 중 적어도 어느 하나 이상을 반영하는 것을 특징으로 하는 광투과 에지영역에서의 광투과율을 이용한 실리콘 웨이퍼 두께 측정방법.
8. 제 6 항에 있어서,

   상기 광투과 에지영역은 900 ~ 1200 nm의 파장대역인 것을 특징으로 하는 광투과 에지영역에서의 광투과율을 이용한 실리콘 웨이퍼 두께 측정방법.

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