KR100843960B1 - 웨이퍼 어긋남 경보 장치 및 이를 이용한 반도체 제조장비의 운전 방법 - Google Patents

웨이퍼 어긋남 경보 장치 및 이를 이용한 반도체 제조장비의 운전 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 웨이퍼를 척위에 올려 놓고 공정을 진행하는 반도체 웨이퍼 제조 공정에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 척 위에 웨이퍼를 올려 놓을 때 웨이퍼의 중심과 척의 중심이 어긋나는 경우 이를 검출하여 경보함으로써, 웨이퍼 공정 불량을 방지함과 아울러, 장비 검검도 용이하게 할 수 있도록 한 웨이퍼 어긋남 경보 장치 및 이를 이용한 반도체 제조 장비의 운전 방법에 관한 것이다.
본 발명에서는, 반도체 제조 장비에 전원을 공급하여 초기화 동작을 수행하고, 반도체 제조 장비의 척 위에 웨이퍼를 로딩하며, 상기 척을 구동하여 상기 웨이퍼를 회전시키고, 웨이퍼 위치 검출 센서로부터의 검출신호에 의한 웨이퍼의 어긋남 값을 예설정된 최대 오차 범위와 비교하여 웨이퍼의 센터링이 예설정된 오차 범위 이내인지를 확인하며, 상기 웨이퍼의 센터링이 예설정된 오차범위 이내인 경우 반도체 제조 공정을 정상적으로 수행하고, 웨이퍼의 센터링이 예설정된 오차범위를 초과하는 경우 경보음을 발생하여 감독자에게 알리도록 된 웨이퍼 어긋남 경보 장치 및 이를 이용한 반도체 제조 장비의 운전 방법이 제공된다.
웨이퍼, 척, 센터링, 위치, 검출, 센서, 경보

Description

웨이퍼 어긋남 경보 장치 및 이를 이용한 반도체 제조 장비의 운전 방법{Wafer mis-centering alarm apparatus and operating method of semiconductor fabrication equipment using the same}
도 1은 본 발명에 따른 웨이퍼 어긋남 경보 장치의 구성을 나타내는 도면
도 2는 도 1의 평면도
도 3은 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 제조 장비의 운전 과정을 나타내는 순서도
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10 : 척 12 : 구동원
14 : 회전축 20 : 웨이퍼
50, 50a, 50b : 위치 검출 센서
60 : 공정 제어 모듈 70 : 경보음 발생 모듈
본 발명은 웨이퍼를 척위에 올려 놓고 공정을 진행하는 반도체 웨이퍼 제조 공정에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 척 위에 웨이퍼를 올려 놓을 때 웨이퍼의 중심과 척의 중심이 어긋나는 경우 이를 검출하여 경보함으로써 웨이퍼 공정 불량을 방지함과 아울러, 장비 검검도 용이하게 할 수 있도록 한 웨이퍼 어긋남 경보 장치 및 이를 이용한 반도체 제조 장비의 운전 방법에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼 제조 공정 중 많은 부분에서, 웨이퍼를 척(Chuck)위에 올려 놓고 진공을 이용해 척에 고정시킨 후 척을 모터를 이용해 회전시키면서 공정을 수행하게 된다.
예를 들어, 사진(Photo) 공정에 있어서, 웨이퍼 위에 포토 레지스트(Photo resist)를 일정 두께로 도포하거나, 현상액을 이용해 노광된 포토 레지스트를 제거하거나, 광원을 이용해 웨이퍼 에지부의 노광(Wafer edge exposure)을 실시할 때, 웨이퍼를 원판상의 척위에 올려 놓고 공정을 진행한다. 상기 척에는 진공이 작용하고 있어 웨이퍼는 상기 척에 흡착되며, 그로 인해 움직임 없이 척과 함께 일체로 회전할 수 있게 된다.
상술한 공정에 있어서, 웨이퍼를 척에 올려 놓고 공정을 진행한다는 것은 언제나, 척을 회전시켜 웨이퍼가 회전할 경우에도 웨이퍼의 흔들림(Run-out)이 없다는 것(더욱 정확하게는, 웨이퍼의 런-아웃이 오차 범위 이내에 있다는 것)을 전제로 한다. 즉, 웨이퍼의 중심축선과 척의 중심축선이 동일 선상에 놓여져 일치하고 있다는 것을 전제로 한다.
이와 같이 웨이퍼의 중심축선과 척의 중심축선이 오차 범위 이내에서 일치하고 있다는 것을 센터링(Centering)이 되어 있다라고 하는데, 센터링이 오차 범위를 벗어나면 각종의 공정 불량을 초래하게 된다.
그러나, 종래에는 웨이퍼의 센터링 상태를 감독자가 육안으로 확인하거나, 또는 현장에서 작업자의 요령에 의한 임시 방편적인 방법을 사용하여 확인하였으므로 정확도가 떨어져 공정 불량이 많이 발생하고 수율이 저하되는 문제가 있었다.
예를 들어, 센터링이 정확치 않으면, 포토 레지스트 도포시 웨이퍼의 중심부에 포토 레지스트가 적게 도포되어져 웨이퍼 중심부의 포토레지스트 두께가 설계치 이하로 되는 불량이 발생할 수 있다. 또한, 현상시에는 미세한 씨디(CD, Critical Demension)차가 발생할 수 있으며, 웨이퍼 에지 노광시에는 웨이퍼 에지부의 포토 레지스트가 설계 폭 보다 한 쪽은 많이, 반대 쪽은 적게 제거됨으로써 웨이퍼 에지부 결함이 발생될 수 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제를 해결하기 위하여 개발된 것으로서, 본 발명의 목적은, 웨이퍼의 센터링 상태를 공정 진행 초기에 검출하여 웨이퍼의 센터링이 설정치를 초과하면 주된 공정을 진행하지 않고 감독자로 하여금 그에 적절한 조치를 취하도록 한 후 공정을 수행 할 수 있도록 함으로써 웨이퍼의 불량을 방지하는데 있다.
상술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에서는, 반도체 웨이퍼를 척 위에 올려놓고 공정을 진행하는 경우, 상기 웨이퍼와 척의 센터링 정도가 예설정된 오차범위를 벗어나는 경우 경보를 하기 위한 장치로서, 상기 척의 중심축선(Z1)에 대하여 웨이퍼의 중심축선(Z2)이 실질적으로 정확하게 일치할 때에 상기 웨이퍼의 외경이 이루는 가상의 기준원(C1)에 상기 웨이퍼가 최대한 어긋날 수 있도록 허용된 최대 허용 오차 반경(RAmax)을 더하여 그려지는 가상의 원(C2)의 임의의 한 지점에 설치되어, 상기 웨이퍼의 어긋남이 상기 최대 허용 오차 반경(RAmax)을 벗어나는가를 감지하는 위치 검출 센서; 상기 위치 검출 센서로부터 입력되는 신호에 따른 제어 동작을 수행하는 공정 제어 모듈; 및 상기 위치 검출 센서로부터 입력되는 신호에 의해, 척 위에 올려진 웨이퍼의 어긋남이 예설정된 최대 허용 오차 반경을 초과하는 것으로 판단되는 경우 상기 공정 제어 모듈의 제어에 의해 경보음을 발생하는 경보음 발생 모듈을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 어긋남 경보 장치가 제공된다.
이와 같은 본 발명은, 웨이퍼의 센터링 상태가 상기 위치 검출 센서에 의해 검출되고, 이 검출된 신호에 의해 웨이퍼의 센터링 상태가 예설정된 기준치를 벗어나는 경우 경보음 발생 모듈을 통해 경보음이 발생되게 된다.
상기한 본 발명에 있어서, 상기 위치 검출 센서는 상기 웨이퍼의 위쪽과 아래쪽에 발광부와 수광부가 대향하여 설치되는 광센서로 이루어질 수 있다.
한편, 본 발명에서는, 상기와 같은 웨이퍼 어긋남 경보 장치를 이용하여 반 도체 웨이퍼 제조 장비를 운전함에 있어서, 반도체 제조 장비에 전원을 공급하여 초기화 동작을 수행하는 단계; 반도체 제조 장비의 척 위에 웨이퍼를 로딩하는 단계; 상기 척을 구동하여 상기 웨이퍼를 회전시키는 단계; 웨이퍼 위치 검출 센서로부터의 검출신호에 의한 웨이퍼의 어긋남 값을 예설정된 최대 오차 범위와 비교하여 웨이퍼의 센터링이 예설정된 오차 범위 이내인지를 확인하는 단계; 상기 웨이퍼의 센터링이 예설정된 오차 범위 이내인 경우 반도체 제조 공정을 정상적으로 수행하고, 웨이퍼의 센터링이 예설정된 오차 범위를 초과하는 경우 경보음을 발생하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장비의 운전 방법이 제공된다.
이와 같은 운전 방법에 의하면, 웨이퍼의 센터링 상태가 예설정된 기준치를 벗어나는 경우에 경보음을 발생하여 감독자에게 알림으로써, 감독자가 적절한 조치를 취한 다음 센터링이 정확하게 교정된 상태에서 공정을 수행할 수 있게 된다.
여기서, 상기 경보음을 발생하는 단계 전 또는 후에 장비의 운전을 정지시키는 단계를 더 수행함으로써, 웨이퍼의 장착에 대한 오류가 발생하였을 때 공정이 더 이상 진행되지 않도록 할 수 있다.
이하, 첨부된 예시도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명한다.
첨부도면 도 1은 본 발명에 따른 웨이퍼 어긋남 경보 장치에 대한 구성도가 도시되어 있다.
도 1에 있어서, 웨이퍼 척 장치는, 당업계에서 잘 알려진 바와 같이, 척(10) 이 구동원(12)의 회전축(14)에 연결되어지며, 상기 회전축(14)의 내부 중심으로부터 척(10)의 상면으로는 진공라인(도시 생략)이 형성되어 있다. 따라서, 상기 척(10) 위에 웨이퍼(20)가 올려지면 진공라인에 의해 웨이퍼(20)가 흡착되어 척(10)위에 고정되며, 구동원(12)에 의해 척(10)이 회전함으로써 웨이퍼(20)가 회전된다.
본 발명은 상기와 같은 웨이퍼 공정 진행용 장비에 있어서, 척(10) 위에 올려진 웨이퍼(20)의 센터링 정도가 설정된 오차 범위를 벗어나는 경우 이를 감지하기 위한 위치 감지 센서(50)가 구비된다.
상기 위치 감지 센서(50)는, 웨이퍼(20)의 원주 가장자리가 예설정된 한계를 벗어나는 것을 인식하여 웨이퍼(20)의 센터링이 오차 범위를 벗어났는지를 감지하게 된다. 도면에서는, 상기 위치 감지 센서(50)로서 광센서(구체적으로는 적외선 센서)가 예시도어 있다. 상기 광센서는 발광부(50a)와 수광부(50b)가 웨이퍼(20)를 기준으로 상부와 하부에서 마주보도록 배치된다.
이 경우, 상기 위치 감지 센서(50)의 발광부(50a)와 수광부(50b)의 중심을 연결하는 선이 웨이퍼(20)의 반경방향 가장자리에 일치하도록 배치된다.
따라서, 상기 척(10)의 중심축선(Z1)에 대하여 웨이퍼(20)의 중심축선(Z2)이 어긋나게 장착되는 경우, 웨이퍼(20)가 회전하는 도중에 웨이퍼(20)의 일부분이 어긋난 양만큼 바깥으로 나오게 되므로, 웨이퍼(20)의 가장자리에 의해 상기 발광부(50a)로부터 조사된 빛이 차단되어 상기 수광부(50b)에 도달되지 못하게 된다.
그리고, 본 발명에서는 상기 위치 검출 센서(50)로부터 입력되는 신호에 따라 반도체 제조 장비의 운전을 제어하는 공정 제어 모듈(60)과, 상기 공정 제어 모듈(60)의 제어에 의해 경보음을 발생하는 경보음 발생 모듈(70)을 포함한다.
상기 위치 검출 센서(50)로부터 입력되는 신호에 의해 상기 척(10)위에 올려진 웨이퍼(20)의 센터링이 예설정된 허용 오차 범위를 초과하는 것으로 판단되는 경우에는, 즉, 발광부(50a)로부터 조사된 빛이 웨이퍼(20)에 의해 차단되어 수광부(50b)에 도달되지 아니하는 경우에는, 상기 공정 제어 모듈(60)의 제어에 의해 상기 경보음 발생 모듈(70)에서 경보음이 발생된다.
첨부도면 도 2에는 도 1의 평면도가 도시되어 있다.
도 2에서는 상기 웨이퍼 위치 검출 센서(50)의 설치 위치가 도시되어 있음과 아울러, 척(10) 위에 실제적으로 올려진 웨이퍼(20)의 센터링이 허용된 오차 범위를 벗어난 경우의 예가 도시되어 있다.
도 2에 있어서, 척(10)의 중심축선은 'Z1'으로 표시되고, 웨이퍼(20)의 중심축선은 'Z2'로 표시되어 있다.
그리고, 척(10)의 중심축선(Z1)에 대하여 웨이퍼(20)의 중심축선(Z2)이 실질적으로 정확하게 일치할 때에 상기 웨이퍼(20)의 외경이 이루는 가상의 기준원이 'C1'으로 표시되고, 상기 웨이퍼(20)가 최대한 어긋날 수 있도록 허용된 최대 허용 오차 반경이 'RAmax'로 표시되어 있으며, 상기 가상의 기준원(C1)으로부터 상기 최대 허용 오차 반경(RAmax)을 더한 가상의 원이 'C2'로 표시되어 있다.
상기한 위치 검출 센서(50)는 그의 중심이 상기 가상의 원(C2)의 일지점에 일치하도록 설치된다.
상기 척(10)의 중심축선(Z1)에 대한 상기 웨이퍼(20)의 중심축선(Z2)의 어긋남 량이 상기한 최대 허용 오차 반경(RAmax) 이내인 경우에는, 상기 웨이퍼(20)의 외경 중 어떤 부분도 상기 가상의 원(C2)을 반경방향 외측으로 벗어나지 아니하게 된다. 따라서, 상기 위치 검출 센서(50)의 발광부(50a)에서 조사된 빛은 수광부(50b)에 그대로 도달되게 된다.
만일, 도 2와 같이, 상기 척(10)의 중심축선(Z1)에 대하여 웨이퍼(20)의 중심축선(Z2)이 상기 최대 허용 오차 반경(RAmax)도 벗어나도록(초과하도록) 잘못 장착된 경우에는, 상기 척(10)의 중심축선(Z1)으로부터 가장 멀리 위치하는 지점(A)이 'B'지점에 다다르면 상기 위치 검출 센서(50)가 웨이퍼(20)에 의해 최대한 가려지게 된다. 따라서, 상기 위치 검출 센서(50)의 발광부(50a)에서 조사된 빛은 도중에 차단되어 수광부(50b)에 도달되지 못하게 된다.
첨부도면 도 3에는 상기와 같은 본 발명의 웨이퍼 어긋남 경보 장치를 이용하여 반도체 웨이퍼 제조 장비의 운전을 제어하는 과정을 나타내는 순서도가 도시되어 있다.
도 3에 도시된 바와 같이, 먼저 공정 제어 모듈(60)은 반도체 제조 장비에 전원을 공급하여 초기화 동작을 수행한 후(단계 S110), 반도체 제조 장비의 척(10) 위에 웨이퍼(20)를 올려놓는다(단계 S120).
상기 웨이퍼(20)가 척(10)위에 로딩되면, 웨이퍼(20)가 정확하게 위치되었는지를 파악하기 위하여 상기한 척(10)의 구동원(12)에 전류를 인가하여 척(10)을 회 전시킨다(단계 S130).
그러면, 상기 척(10)의 회전에 따라 웨이퍼(20)가 회전하게 되므로, 상기 위치 검출 센서(50)로부터 입력되는 신호로부터 상기 척(10)에 올려진 웨이퍼(20)의 센터링이 적합한지의 여부를 확인한다(단계 S140).
구체적으로, 상기 웨이퍼(20)의 센터링이 최대 허용 오차 반경(RAmax)을 초과하지 않는 경우에는 상기 위치 검출 센서(50)의 수광부(50b)로부터는 빛이 입사되고 있다는 신호가 인가된다. 따라서, 공정 제어 모듈(60)에서는 웨이퍼(20)의 센터링이 정확한 것으로 판단하여 반도체 제조를 위한 메인 공정을 진행한다(단계 S150).
만일, 상기 웨이퍼(20)의 센터링이 정확하지 못하여, 상기 척(10)의 중심축선(Z1)에 대해 웨이퍼(20)의 중심축선(Z2)이 상기 최대 허용 오차 반경(RAmax)을 초과하는 경우에는, 상기 척(10)의 중심축선(Z1)으로부터 가장 멀리 위치하는 웨이퍼(20) 외경상의 임의의 지점이 웨이퍼(20)의 회전에 의해 이동하여 상기 위치 검출 센서(50)를 가리게 된다.
따라서, 상기 위치 검출 센서(50)의 발광부(50a)에서 조사된 빛은 도중에 차단되어 수광부(50b)에 도달되지 못하게 되므로, 상기 위치 검출 센서(50)의 수광부(50b)로부터는 빛이 입사되지 않는다는 신호가 인가된다. 따라서, 공정 제어부(60)는 웨이퍼(20)의 센터링에 오류가 있는 것으로 판단하고, 경보음 발생 모듈(70)에 전류를 인가하여 경보음을 발생함으로써 감독자에게 센터링의 부적합을 알린다(단계 S160).
그리고, 상기 단계(S160)의 전 또는 후에 장비의 운전을 정지시켜 웨이퍼의 센터링에 오류가 있는 상태에서 공정이 진행되지 않도록 한다(단계 S170).
이상에서는 첨부 도면에 도시된 본 발명의 구체적인 실시예가 상세하게 설명되었으나, 이는 하나의 예시에 불과한 것이며, 본 발명의 보호범위가 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 이상과 같은 본 발명의 실시예는 본 발명의 기술적 사상 내에서 당해 분야에 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형 및 균등한 다른 실시가 가능한 것이며, 이러한 변형 및 균등한 다른 실시예는 본 발명의 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.
이상 살펴본 바와 같이, 본 발명에서는 척에 웨이퍼가 로딩되는 경우, 공정을 진행하기에 앞서 웨이퍼의 센터링 상태가 먼저 검출된다.
종래에는, 웨이퍼의 센터링 상태를 감독자가 육안으로 확인하거나, 또는 현장에서 작업자의 요령에 의한 임시 방편적인 방법을 사용하여 확인하였으므로, 정확한 판단이 어려워 웨이퍼에 각종 불량이 발생됨으로써 수율이 저하되었다.
그러나, 본 발명에서는 웨이퍼의 센터링 상태를 위치 검출 센서를 이용하여 정확하게 검출하고, 웨이퍼의 센터링 상태가 예설정된 기준치를 벗어나는 경우에는 경보음을 발생하여 감독자에게 알리고, 장비의 운전을 정지시켜 주된 공정 진행되지 않도록 한다. 따라서, 감독자가 적절한 조치를 취한 다음 센터링이 정확하게 교 정된 상태에서 공정을 수행할 수 있음으로써 웨이퍼의 불량이 방지되고, 그에 따라 수율이 향상된다는 장점이 있다.

Claims (4)

  1. 반도체 웨이퍼를 공정 장비의 척 위에 올려놓고 공정을 진행하는 경우, 상기 웨이퍼와 척의 센터링 정도가 예설정된 오차범위를 벗어나는 경우 경보를 하기 위한 장치에 있어서,
    상기 척의 중심축선(Z1)에 대하여 웨이퍼의 중심축선(Z2)이 실질적으로 정확하게 일치할 때에 상기 웨이퍼의 외경이 이루는 가상의 기준원(C1)에 상기 웨이퍼가 최대한 어긋날 수 있도록 허용된 최대 허용 오차 반경(RAmax)을 더하여 그려지는 가상의 원(C2)의 임의의 한 지점과 수직하게 대응하도록 상기 웨이퍼의 위쪽과 아래쪽에 각각 설치된 발광부와 수광부를 포함하며, 상기 웨이퍼의 어긋남이 상기 최대 허용 오차 반경(RAmax)을 벗어나면 상기 수광부에서 상기 발광부의 신호를 감지하지 못하고 상기 웨이퍼의 어긋남이 상기 최대 허용 오차 반경 내에 있으면 상기 수광부에서 상기 발광부의 신호를 감지하는 위치 검출 센서;
    상기 위치 검출 센서로부터 입력되는 신호에 의해, 상기 척 위에 올려진 웨이퍼의 어긋남이 예설정된 최대 허용 오차 반경을 초과하여 상기 수광부에서 상기 발광부의 신호를 감지하지 못하는 경우 경보음을 발생하는 경보음 발생 모듈; 및
    상기 웨이퍼의 어긋남이 상기 최대 허용 오차 반경을 초과하여 상기 수광부에서 상기 발광부의 신호를 감지하지 못하는 경우 상기 경보음 발생 모듈이 경보음을 발생하도록 제어하고 공정 장비의 운전을 정지시키는 공정 제어 모듈을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 어긋남 경보 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 위치 검출 센서의 상기 발광부 및 상기 수광부는 광센서인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 어긋남 경보 장치.
  3. 청구항 1에 기재된 웨이퍼 어긋남 경보 장치를 이용하여 반도체 웨이퍼 제조 장비를 운전함에 있어서,
    반도체 제조 장비에 전원을 공급하여 초기화 동작을 수행하는 단계;
    반도체 제조 장비의 척 위에 웨이퍼를 로딩하는 단계;
    상기 척을 구동하여 상기 웨이퍼를 회전시키는 단계;
    상기 웨이퍼의 어긋남이 최대 허용 오차 반경(RAmax)을 벗어나면 상기 웨이퍼 위치 검출 센서의 수광부에서 발광부의 신호를 감지하지 못하며, 상기 웨이퍼의 어긋남이 상기 최대 허용 오차 반경 내에 있으면 상기 수광부에서 상기 발광부의 신호를 감지하며, 감지된 신호가 있다는 신호가 인가되면 웨이퍼의 센터링이 예설정된 오차 범위 이내로 판단하여 반도체 제조 공정을 정상적으로 수행하고, 감지된 신호가 없다는 신호가 인가되면 상기 웨이퍼의 센터링이 예설정된 오차 범위를 초과한다고 판단하여 경보음을 발생하며 상기 경보음을 발생하는 단계 전 또는 후에 공정 장비의 운전을 정지시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장비의 운전 방법.
  4. 삭제
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR0125237Y1 (ko) * 1994-10-14 1999-02-18 문정환 웨이퍼 식각장치에서의 웨이퍼 안착기구
JPH1126556A (ja) * 1997-06-30 1999-01-29 Sony Corp ウェーハ位置決め装置

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