KR100841849B1 - 반도체 제조 시스템 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 로드 락 챔버와, 상기 로드 락 챔버의 카세트로부터 이송된 낱장의 웨이퍼를 얼라인하는 오리엔트 챔버와, 상기 오리엔트 챔버에서 얼라인된 웨이퍼가 증착, 식각 또는 이온주입되는 프로세스를 수행하는 프로세스 챔버와, 상기 프로세스 챔버에서 프로세스가 수행된 웨이퍼를 냉각시키는 쿨다운 챔버와, 로봇 암을 구비하여 상기 각 챔버에서 웨이퍼를 이송하는 트랜스퍼 챔버와, 상기 프로세스 챔버 사이에 크린웨이퍼 챔버가 설치되는 반도체 제조 시스템에 있어서, 상기 크린웨이퍼 챔버와 트랜스퍼 챔버 사이에 슬릿 밸브 장치를 구비함으로써 공정중에 발생되는 파티클의 양을 최소화시킴으로써 수율을 향상에 이바지하게 되고, 아울러 크린 웨이퍼 교체시에 발생되는 타임 릴레이를 현저하게 줄이는 효과가 있다.
크린 웨이퍼, 트랜스퍼 챔버, 슬릿밸브

Description

반도체 제조 시스템{SEMICONDUCTOR PRODUCTION SYSTEM}
도 1은 본 발명에 의한 반도체 제조 시스템의 개략적인 구성도.
도 2는 본 발명에 적용된 슬릿 밸브 장치의 구성도.
도 3은 본 발명에 의한 슬릿 밸브 장치의 개폐시 상태를 도시한 사시도.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
35 ; 크린웨이퍼 챔버 50 ; 트랜스퍼 챔버
100 ; 슬릿 밸브 장치 110 ; 솔레노이드 밸브
112,114 ; 제1,2 에어공급관 120 ; 에어실린더
122,124 ; 전,후방 유로 126 ; 피스톤
130 ; 개폐구
본 발명은 반도체 제조 시스템에 관한 것으로, 보다 상세하게는 크린 웨이퍼의 교체시 프로세스 공정 내부로 파티클의 유입을 차단하도록 한 반도체 제조 시스템에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 제조 시스템은 다스의 증착 및 식각 공정을 수행하는 다 수의 공정부를 구비하여 이루어지며, 하나의 공정이 수행된 후에는 다른 공정으로 반도체 웨이퍼를 이동시키면서 제조 공정을 수행하게 된다.
종래 반도체 제조 시스템은 도 1에 도시한 바와 같이, 다수의 반도체 웨이퍼(W)가 수납된 카세트가 안착되어 자동으로 공정을 진행하도록 하는 로드 락 챔버, 상기 로드 락 챔버의 카세트로부터 이송된 낱장의 웨이퍼에서 노치 또는 플랫 부분을 찾아서 일정한 방향으로 얼라인하는 오리엔트 챔버, 상기 오리엔트 챔버에서 얼라인된 웨이퍼가 증착, 식각 또는 이온주입되는 프로세스를 수행하는 프로세스 챔버, 상기 프로세스 챔버에서 프로세스가 수행된 웨이퍼를 상온까지 냉각시키는 쿨다운 챔버 및 로봇 암을 구비하여 상기 각 챔버에서 웨이퍼를 이송하는 트랜스퍼 챔버 등을 포함하여 구성된다.
또한, 상기 프로세스 챔버들 중에서 주기적으로 제2 프로세스 챔버와 제4 프로세스 챔버의 컨디션을 유지하기 위한 크린 웨이퍼가 수납된 크린웨이퍼 챔버가 설치되어 있다.
종래에는 상기 크린 웨이퍼의 사용기간(Usage)이 종료되어 크린 웨이퍼를 교체하는 경우에 크린웨이퍼 챔버의 리드(lid)를 오픈하게 되는데, 이때, 크린웨이퍼와 트랜스퍼 챔버 사이에는 별도의 격리막이 부재하기 때문에 트랜스퍼 챔버의 내부로 이물질이 유입되는 문제가 있다. 이처럼 트랜스퍼 챔버의 내부로 유입되는 이물질은 여타의 프로세스 챔버까지 유입될 수 있기 때문에 전체 시스템의 내부가 오염될 수 있는 문제가 있다.
또한, 종래에는 크린 웨이퍼의 교체시 트랜스퍼 챔버를 벤트(vent)시켜야하 는 번거로움이 있다. 이처럼 트랜스퍼 챔버를 벤트시키면, 공정이 계속 진행될 수 없기 때문에 공정 시간이 지연 발생되어 제조공정상의 손실이 발생되는 문제가 있다.
이와 같은 문제점을 감안하여 안출한 본 발명의 목적은 크린 웨이퍼 교체시 반도체 제조 공정이 지연되지 않도록 하려는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 크린 웨이퍼 교체시 트랜스퍼 챔버를 통해어 여타의 프로세스 챔버의 내부로 이물질의 유입을 방지하려는 것이다.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 로드 락 챔버와, 상기 로드 락 챔버의 카세트로부터 이송된 낱장의 웨이퍼를 얼라인하는 오리엔트 챔버와, 상기 오리엔트 챔버에서 얼라인된 웨이퍼가 증착, 식각 또는 이온주입되는 프로세스를 수행하는 프로세스 챔버와, 상기 프로세스 챔버에서 프로세스가 수행된 웨이퍼를 냉각시키는 쿨다운 챔버와, 로봇 암을 구비하여 상기 각 챔버에서 웨이퍼를 이송하는 트랜스퍼 챔버와, 상기 프로세스 챔버 사이에 크린웨이퍼 챔버가 설치되는 반도체 제조 시스템에 있어서, 상기 크린웨이퍼 챔버와 트랜스퍼 챔버 사이에 슬릿 밸브 장치를 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 슬릿 밸브 장치는 솔레노이드 밸브와, 상기 솔레노이드 밸브에 의해 작동되는 에어실린더와, 상기 에어실린더의 피스톤의 단부에 설치되어 웨이퍼의 이동통로를 개폐하는 개폐구를 포함하는 것이 바람직하다.
상기 솔레노이드 밸브는 웨이퍼의 이동통로의 개방시에는 실린더의 전방유로로 에어를 공급하는 제1 에어공급관과, 폐쇄시에는 실린더의 후방유로측으로 에어를 공급하는 제2 에어공급관이 구비되어 상기 피스톤을 인입출시키도록 구성된 것이 바람직하다.
이하, 상기한 바와 같은 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부도면에 의거하여 보다 상세하게 설명한다.
본 발명의 실시예에 의한 반도체 제조 시스템은 로드락 챔버, 오리엔트 챔버, 프로세스 챔버, 쿨다운 챔버 및 트랜스퍼 챔버와 크린 웨이퍼 챔버를 포함한다.
즉, 다수의 반도체 웨이퍼(W)가 수납된 카세트가 안착되어 자동으로 공정을 진행하도록 하는 로드 락 챔버(10)와, 상기 로드 락 챔버(10)의 카세트로부터 이송된 낱장의 웨이퍼에서 노치 또는 플랫 부분을 찾아서 일정한 방향으로 얼라인하는 오리엔트 챔버(20)와, 상기 오리엔트 챔버(20)에서 얼라인된 웨이퍼가 증착, 식각 또는 이온주입되는 프로세스를 수행하는 프로세스 챔버(30)와, 상기 프로세스 챔버(30)에서 프로세스가 수행된 웨이퍼를 상온까지 냉각시키는 쿨다운 챔버(40)와, 로봇 암을 구비하여 상기 각 챔버에서 웨이퍼를 이송하는 트랜스퍼 챔버(50)와, 특히 상기 프로세스 챔버(30)들 중에서 제2 프로세스 챔버(32)와 제3 프로세스 챔버(33) 사이에 크린웨이퍼 챔버(35)가 설치되어 있는데, 상기 크린웨이퍼 챔버(35)는 크린 웨이퍼가 수납되어 있어 주기적으로 크린 웨이퍼가 챔버의 내부로 들어가 서 챔버의 컨디션을 유지하게 된다.
여기서 본 발명은 상기 크린웨이퍼 챔버(35)와 트랜스퍼 챔버(50) 사이에 슬릿 밸브(Slit Valve) 장치(100)를 구비한다.
상기 슬릿 밸브 장치는 진공상태(Vacuum)가 각 챔버들마다 상이하기 때문에 상기 크린웨이퍼 챔버(35)의 프로세스를 진행하기 위한 진공상태를 유지하기 위하여 필요하다.
본 발명의 실시예에 의한 슬릿 밸브 장치의 구성이 도 2에 도시되어 있다.
도 2에서와 같이, 슬릿 밸브 장치(100)는 솔레노이드 밸브(110)와, 상기 솔레노이드 밸브(110)에 의해 작동되는 에어실린더(120)와, 상기 에어실린더(120)의 단부에 설치되어 웨이퍼의 이동통로를 개폐하는 개폐구(130)를 포함한다.
상기 솔레노이드 밸브(110)는 웨이퍼의 이동통로의 개방시에는 실린더의 전방유로(122)로 에어를 공급하는 제1 에어공급관(112)과, 폐쇄시에는 실린더의 후방유로(124)측으로 에어를 공급하는 제2 에어공급로(114)이 구비된다.
상기 에어실린더(120)는 실린더에서 외부로 인입출되며 단부에 상기 개폐구(130)가 설치된 피스톤(126)이 구비되어 있다.
이와 같이 구성되어 있는 본 발명에 의한 슬릿 밸브 장치에 의하여 크린웨이퍼 챔버와 트랜스퍼 챔버 사이에서 웨이퍼의 이동통로를 개폐하는 동작을 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한다.
도 3에서는 본 발명에 의한 크린웨이퍼 챔버와 트랜스퍼 챔버 사이에 웨이퍼의 이동통로를 개폐하는 개폐구(130)만을 개략적으로 도시하였다.
크린 웨이퍼의 교체시 크린웨이퍼 챔버(35)를 오픈하는 경우에 먼저 슬릿 밸브 장치에서 솔레노이드 밸브(110)의 제1 에어공급관(112)을 통해서 실린더(120)의 전방유로(122)측으로 에어가 공급되면, 실린더(120)의 피스톤(126)이 하방으로 이동되어 피스톤(126)의 단부에 구비된 개폐구(130)가 크린웨이퍼 챔버(35)의 웨이퍼 이동통로(35a)가 개방된다. 크린 웨이퍼가 크린웨이퍼 챔버(35)에서 인출된 후에는 다시 솔레노이드 밸브(110)의 제2 에어공급관(114)에서 실린더(120)의 후방유로(124)측으로 에어가 공급되므로 실린더(120)의 피스톤(126)이 상방으로 이동되어 개폐구(130)가 다시 웨이퍼 이동통로(35a)를 폐쇄시킨다.
그리고, 고진공 상태의 트랜스퍼 챔버(50)의 내부로 크린 웨이퍼를 인입하기 위해서 크린웨이퍼 챔버(35)의 내부를 진공상태로 만든다. 이처럼 크린웨이퍼 챔버(35)의 내부를 진공상태로 만들기 위하여 크린웨이퍼 챔버(35)이 포어라인(Fore line)(36)이 연결되어 있고, 또한 리드를 오픈시키기 위하여 벤트 라인(Vent line)(37)이 연결되어 있다.
이와 같이 본 발명에 의한 반도체 제조 시스템에 의하면, 크린 웨이퍼의 교체시 크린웨이퍼 챔버와 트랜스퍼 챔버를 격리시키게 되므로 트랜스퍼 챔버의 내부로 파티클(이물질)이 유입되지 않게 된다.
또한, 크린웨이퍼 챔버의 내부에서 진공상태가 형성되므로 트랜스퍼 챔버를 벤트시키지 않아도 됨으로써 공정 시간을 지연시키지 않게 된다.
본 발명은 상술한 특정의 바람직한 실시예에 한정되지 아니하며, 특허청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에 서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형의 실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 특허청구범위 기재의 범위 내에 있게 된다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 의한 반도체 제조 시스템은 공정중에 발생되는 파티클의 양을 최소화시킴으로써 수율을 향상에 이바지하게 되고, 아울러 크린 웨이퍼 교체시에 발생되는 타임 릴레이를 현저하게 줄이는 효과가 있다.

Claims (3)

  1. 로드 락 챔버와, 상기 로드 락 챔버의 카세트로부터 이송된 낱장의 웨이퍼를 얼라인하는 오리엔트 챔버와, 상기 오리엔트 챔버에서 얼라인된 웨이퍼가 증착, 식각 또는 이온주입되는 프로세스를 수행하는 프로세스 챔버와, 상기 프로세스 챔버에서 프로세스가 수행된 웨이퍼를 냉각시키는 쿨다운 챔버와, 로봇 암을 구비하여 상기 각 챔버에서 웨이퍼를 이송하는 트랜스퍼 챔버와, 상기 프로세스 챔버 사이에 크린웨이퍼 챔버가 설치되는 반도체 제조 시스템에 있어서,
    상기 크린웨이퍼 챔버와 트랜스퍼 챔버 사이에 슬릿 밸브 장치를 구비하되,
    상기 슬릿 밸브 장치는 솔레노이드 밸브와, 상기 솔레노이드 밸브에 의해 작동되는 에어실린더와, 상기 에어실린더의 피스톤의 단부에 설치되어 웨이퍼의 이동통로를 개폐하는 개폐구를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 시스템.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 솔레노이드 밸브는 웨이퍼의 이동통로의 개방시에는 실린더의 전방유로로 에어를 공급하는 제1 에어공급관과, 폐쇄시에는 실린더의 후방유로측으로 에어를 공급하는 제2 에어공급관이 구비되어 상기 피스톤을 인입출시키도록 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 제조 시스템.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20000014800A (ko) * 1998-08-25 2000-03-15 윤종용 로드락 챔버의 벤틸레이션 시스템을 이용한 세정 방법
KR20040013295A (ko) * 2002-08-05 2004-02-14 삼성전자주식회사 반도체 제조설비
US7000621B1 (en) 2002-03-12 2006-02-21 Applied Materials, Inc. Methods and apparatuses for drying wafer

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000014800A (ko) * 1998-08-25 2000-03-15 윤종용 로드락 챔버의 벤틸레이션 시스템을 이용한 세정 방법
US7000621B1 (en) 2002-03-12 2006-02-21 Applied Materials, Inc. Methods and apparatuses for drying wafer
KR20040013295A (ko) * 2002-08-05 2004-02-14 삼성전자주식회사 반도체 제조설비

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