KR100839191B1 - Apparatus and method for treating substrate - Google Patents

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Abstract

A method and an apparatus for treating a substrate are provided to improve throughput of the substrate by treating the substrate without aligning the substrate during a substrate transfer process between process units. A substrate treating apparatus includes a load-lock chamber(30), plural process units(40,50,60), and a controller(300). The controller controls a transfer of the substrate between the load-lock chamber and the process units. Each of the process units includes at least one process chamber(42,52,62) and transfer chambers(44,54,64). The transfer chamber includes a robot arm for transferring the substrate. The controller controls the robot arm, such that the substrate, whose notch or flat zone is aligned in a first direction, is transferred from a first process unit, which is adjacent to the load-lock chamber, to an odd-numbered process chamber. The controller controls the robot arm, such that the substrate, whose notch or flat zone is aligned in a second direction, is transferred from the first process unit to an even-numbered process chamber.

Description

기판 처리 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE}Substrate processing apparatus and method {APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE}

도 1a 내지 도 1c는 종래의 기판 처리 장치의 공정 과정을 설명하기 위한 도면들이다.1A to 1C are diagrams for describing a process of a conventional substrate processing apparatus.

도 2은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 평면도이다.2 is a plan view of a substrate processing apparatus according to the present invention.

도 3은 도 1에 도시된 로드락 챔버 및 제1 내지 제3 처리유닛들의 일부를 보여주는 측면도이다.FIG. 3 is a side view illustrating a portion of the load lock chamber and first to third processing units shown in FIG. 1.

도 4는 도 3에 도시된 로봇암의 사시도이다.4 is a perspective view of the robot arm shown in FIG. 3.

도 5 내지 도 7은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 공정 과정을 설명하기 위한 도면들이다.5 to 7 are views for explaining the process of the substrate processing apparatus according to the present invention.

*도면의 주요 부분에 대한 부호 설명** Description of symbols on the main parts of the drawings *

1 : 기판 처리 장치1: substrate processing apparatus

10 : 로드 포트10: load port

20 : 이에프이엠20: if fem

30 : 로드락 챔버30: load lock chamber

40 : 제1 처리유닛40: first processing unit

50 : 제2 처리유닛50: second processing unit

60 : 제3 처리유닛60: third processing unit

100 : 제1 버퍼부100: first buffer unit

200 : 제2 버퍼부200: second buffer unit

300 : 제어기300: controller

본 발명은 반도체 집적회로 칩 제조용 기판을 처리하는 장치 및 상기 장치의 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for processing a substrate for semiconductor integrated circuit chip manufacturing and a substrate processing method of the apparatus.

일반적인 기판 처리 장치는 반도체 집적회로 칩 제조용 웨이퍼 및 평판 디스플레이 제조용 유리기판 등의 기판에 대해 증착(deposition), 식각(etching), 애싱(ashing), 그리고 세정(cleaning) 등의 공정을 수행하는 장치이다. 기판 처리 장치로 멀티 챔버 방식의 기판 처리 장치가 사용된다.A general substrate processing apparatus is a device that performs processes such as deposition, etching, ashing, and cleaning on substrates such as wafers for semiconductor integrated circuit chip manufacturing and glass substrates for flat panel display manufacturing. . As the substrate processing apparatus, a substrate processing apparatus of a multi-chamber method is used.

도 1a 내지 도 1c를 참조하면, 일반적인 멀티 챔버 방식의 기판 처리 장치(1')는 로드 포트(10), 설비 전방 종단 모듈(EFEM:Equipment Front End Module: 이하, '이에프이엠')(20), 로드락 챔버(30), 제1 내지 제3 처리유닛들(40, 50, 60), 그리고 제1 및 제2 버퍼부(70, 80)을 포함한다. 로드 포트(10)는 공정시 복수의 기판들(W)을 수납하는 수납부재(C)를 안착시킨다. 이에프이엠(20)은 로드 포트(10)와 로드락 챔버(30) 상호간에 기판(W)을 이송한다. 제1 내지 제3 처리유닛들(40, 50, 60) 각각은 트랜스퍼 챔버와 두 개의 공정챔버를 가진다. 제1 및 제2 버퍼부(70, 80)는 공정시 기판(W)의 오리엔트 각 정렬을 위해 기판(W)을 회전시킨다.1A to 1C, a general multi-chamber substrate processing apparatus 1 ′ includes a load port 10 and an equipment front end module (EFEM) 20. , The load lock chamber 30, first to third processing units 40, 50, and 60, and first and second buffer units 70 and 80. The load port 10 seats the housing member C accommodating the plurality of substrates W during the process. The EMP 20 transfers the substrate W between the load port 10 and the load lock chamber 30. Each of the first to third processing units 40, 50, and 60 has a transfer chamber and two process chambers. The first and second buffer units 70 and 80 rotate the substrate W for the angular alignment of the substrate W during the process.

상술한 기판 처리 장치(1')의 기판 처리 공정이 개시되면, 이에프이엠(20)은 로드 포트(10)로부터 로드락 챔버(30)로 기판들을 순차적으로 이송하고, 각각의 처리유닛들(40, 50, 60)들에 구비되는 로봇암(44a, 54a, 64a)은 로드락 챔버(30)로부터 제1 내지 제3 처리유닛들(40, 50, 60)로 이송되어지는 기판들을 각각의 공정챔버들(42, 52, 62)로 이송시킨다. 각각의 공정챔버들(42, 52, 62)은 기판(W) 상에 소정의 반도체 제조 공정을 수행한다. 상기 반도체 제조 공정이 완료되면, 로봇암(44a, 54a, 64a)은 다시 공정챔버(42, 52, 62)로부터 기판(W)을 반출한 후 로드 포트(10)에 안착된 수납부재(C)로 반송시킨다.When the substrate processing process of the substrate processing apparatus 1 ′ described above is started, the EPM 20 sequentially transfers the substrates from the load port 10 to the load lock chamber 30, and the respective processing units 40. , Robot arm 44a, 54a, 64a provided in 50, 60 may process substrates transferred from load lock chamber 30 to first to third processing units 40, 50, 60, respectively. Transfer to chambers 42, 52, 62. Each of the process chambers 42, 52, and 62 performs a predetermined semiconductor manufacturing process on the substrate W. As shown in FIG. When the semiconductor manufacturing process is completed, the robot arms 44a, 54a, and 64a again carry out the substrate W from the process chambers 42, 52, and 62, and then receive the storage member C seated on the load port 10. Return to

상술한 공정을 수행하는 과정에서, 로봇암(44a, 54a, 64a)이 기판(W)을 공정챔버(42, 52, 62)의 척(chuck)에 안착시키는 경우, 로봇암(44a, 54a, 64a)은 기판(W)의 노치(W1)가 기설정된 방향을 향하도록 기판(W)을 안착시켜야 한다. 일반적으로 각각의 공정챔버에 놓여진 기판(W)의 오리엔트 각은 동일하다. 특히, 각각의 공정챔버들이 모두 동일한 공정을 수행하는 경우에는 각각의 공정챔버들에 설정된 기판의 오리엔트 각은 동일하여야 한다. 보통 기판(W)은 기판(W)이 공정챔버의 척(chuck)에 놓여졌을 때, 기판(W)의 노치(W1)가 기판 출입구를 향하는 방향으로 놓여지도록 설정된다. 공정시 기판(W)의 노치(W1)를 기설정된 방향을 향하도록 기판(W)을 정렬시키는 것을 오리엔트 각 정렬(orient angle align)이라고 한다. 따라서, 각각의 처리유닛들(40, 50, 60)은 공정시 상술한 기판(W)의 공정위치가 만족하 도록 기판들(W)을 이송시켜야 한다. In the process of performing the above-described process, when the robot arms 44a, 54a, 64a seat the substrate W on the chucks of the process chambers 42, 52, 62, the robot arms 44a, 54a, 64a) must seat the substrate W such that the notch W1 of the substrate W faces a predetermined direction. In general, the orient angles of the substrates W placed in the respective process chambers are the same. In particular, when each of the process chambers performs the same process, the orientation angles of the substrates set in the respective process chambers must be the same. Usually, the substrate W is set so that the notch W1 of the substrate W is placed in the direction toward the substrate entrance and exit when the substrate W is placed on the chuck of the process chamber. Aligning the substrate W so that the notch W1 of the substrate W faces a predetermined direction during the process is referred to as an orient angle alignment. Therefore, each of the processing units 40, 50, and 60 must transfer the substrates W so that the above-described process position of the substrate W is satisfied during the process.

예컨대, 로드락 챔버(30)로부터 제3 처리유닛(60)의 제3 공정챔버(62)로 기판(W)을 이송하는 과정을 설명하면, 이에프이엠(20)의 로봇암(22)은 로드 포트(10)에 안착된 수납 부재(C)로부터 기판 정렬기(substrate aligner)(24)로 기판(W)을 이송한다. 기판 정렬기(24)는 기판(W)의 오리엔트 각을 정렬시킨다. 오리엔트 각이 정렬된 기판(W)은 로봇암(22)에 의해 로드락 챔버(30)의 제1 챔버(32)에 안착된다. 이때, 도 1a에 도시된 바와 같이, 제1 챔버(32)에 안착된 기판(W)의 노치(W1)는 제1 방향(Z1)을 향한다. 상기 제1 방향(Z1)은 기판(W)이 제1 챔버(32)에 안착되었을 때, 기판(W)의 노치(W1)가 제1 처리유닛(40)의 로봇암(44a)을 향하는 방향이다.For example, the process of transferring the substrate W from the load lock chamber 30 to the third process chamber 62 of the third processing unit 60 will be described. The substrate W is transferred from the receiving member C seated on the port 10 to the substrate aligner 24. The substrate aligner 24 aligns the orient angle of the substrate W. As shown in FIG. The substrate W whose orient angles are aligned is seated in the first chamber 32 of the load lock chamber 30 by the robot arm 22. In this case, as shown in FIG. 1A, the notch W1 of the substrate W seated in the first chamber 32 faces the first direction Z1. The first direction Z1 is a direction in which the notch W1 of the substrate W faces the robot arm 44a of the first processing unit 40 when the substrate W is seated in the first chamber 32. to be.

기판(W)이 제1 챔버(32)에 안착되면, 로봇암(44a)은 제1 챔버(32)로부터 제1 버퍼부(70)에 기판(W)을 안착시킨다. 이때, 기판(W)의 노치(W1) 방향은 아래방향(Y2)을 향한다. 그리고, 도 1b에 도시된 바와 같이, 제1 버퍼부(70)는 기판(W)의 노치(W1)가 상방향(Y1)을 향하도록 기판(W)을 180°회전시킨다. 제2 처리유닛(50)의 로봇암(54a)은 노치(W1)가 상방향(Y1)을 향하도록 오리엔트 각이 정렬된 기판(W)을 제2 버퍼부(80)에 안착시킨다. 이때, 기판(W)의 노치(W1) 방향은 다시 아래방향(Y2)을 향하므로, 도 1c에 도시된 바와 같이, 제2 버퍼부(80)는 기판(W)의 노치(W1)가 상방향(Y1)을 향하도록 기판(W)을 180°회전시킨다. 그리고, 제3 처리유닛(60)의 로봇암(64a)은 제3 공정챔버(62) 내 척에 기판(W)을 안착시킨다. 따라서, 기판(W)은 노치(W1)가 기판 출입구(우측방향(X1))를 향하게 되므로, 기판(W)의 노치(W1)가 기설정된 방향을 향하도록 제3 공정챔버(62)에 놓여진다.When the substrate W is seated in the first chamber 32, the robot arm 44a seats the substrate W in the first buffer unit 70 from the first chamber 32. At this time, the notch W1 direction of the substrate W is directed downward (Y2). As shown in FIG. 1B, the first buffer unit 70 rotates the substrate W by 180 ° such that the notch W1 of the substrate W faces the upper direction Y1. The robot arm 54a of the second processing unit 50 mounts the substrate W having an orient angle aligned to the second buffer unit 80 so that the notch W1 faces the upper direction Y1. At this time, since the notch W1 direction of the substrate W is directed downward (Y2), as shown in FIG. 1C, the notch W1 of the substrate W is raised as shown in FIG. 1C. The substrate W is rotated 180 degrees to face the direction Y1. The robot arm 64a of the third processing unit 60 mounts the substrate W on the chuck in the third process chamber 62. Thus, the substrate W is placed in the third process chamber 62 so that the notch W1 faces the substrate entrance (right direction X1), so that the notch W1 of the substrate W faces the predetermined direction. Lose.

이러한 기판(W)의 오리엔트 각 정렬은 처리유닛들(40, 50, 60) 상호간에 기판(W)이 이송되어질 때 수행된다. 따라서, 제3 공정챔버(62)에서 공정이 완료된 기판(W)이 로드 포트(10)의 수납부재(C)로 반송되어지는 경우에도 기판(W)의 오리엔트 각 정렬은 제1 버퍼부(70) 및 제2 버퍼부(80)에서 수행된다.This orient angle alignment of the substrate W is performed when the substrate W is transferred between the processing units 40, 50, and 60. Accordingly, even when the substrate W, which has been processed in the third process chamber 62, is conveyed to the housing member C of the load port 10, the orientation of the orientation of the substrate W may be adjusted by the first buffer unit 70. ) And the second buffer unit 80.

그러나, 상술한 기판 처리 장치(1')는 다음과 같은 문제점이 있다.However, the above-described substrate processing apparatus 1 'has the following problems.

첫째, 상술한 기판 처리 장치(1')는 기판 처리량이 적다. 즉, 상술한 바와 같이, 처리유닛들(40, 50, 60) 상호간에 기판(W)이 이송되어질 때, 버퍼부(70, 80)에서 기판(W)의 오리엔트 각을 정렬시키기 위한 시간이 부가되므로, 기판(W) 처리에 따른 시간이 증가된다. 특히, 처리유닛들의 개수가 증가할수록 처리유닛들(40, 50, 60) 사이에는 기판(W)의 오리엔트 각을 정렬시키기 위한 시간이 증가되므로 장치의 기판(W) 처리량이 감소한다.First, the substrate processing apparatus 1 ′ described above has a small substrate throughput. That is, as described above, when the substrate W is transferred between the processing units 40, 50, and 60, time for aligning the orient angles of the substrate W in the buffer units 70 and 80 is added. Therefore, the time according to the processing of the substrate W is increased. In particular, as the number of processing units increases, the time for aligning the orient angle of the substrate W between the processing units 40, 50, 60 increases, so that the throughput of the substrate W of the apparatus decreases.

둘째, 상술한 기판 처리 장치(1')는 장치의 제작 비용이 크다. 즉, 처리유닛들(40, 50, 60) 상호간에 기판들(W)을 이송할 때 기판들(W)의 오리엔트 각을 정렬시키기 위해 버퍼부(70, 80)에는 기판(W)을 회전시키는 수단이 제공되어야 한다.Second, the substrate processing apparatus 1 'mentioned above has a large manufacturing cost. That is, when transferring the substrates W between the processing units 40, 50, 60, the buffer units 70, 80 rotate the substrate W to align the orient angles of the substrates W. FIG. Means should be provided.

본 발명은 기판 처리량을 향상시키는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and method for improving the substrate throughput.

또한, 본 발명은 제작 비용을 절감하는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.Moreover, an object of this invention is to provide the substrate processing apparatus and method which reduce manufacturing cost.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 일렬로 배치되는 로드락 챔버 및 복수의 처리유닛들, 그리고 상기 로드락 챔버 및 상기 처리유닛들 상호간 기판의 이송을 제어하는 제어부를 포함하되, 상기 처리유닛들 각각은 적어도 하나의 공정챔버 및 상기 공정챔버로 기판을 이송하는 로봇암을 가지는 트랜스퍼 챔버를 포함하고, 상기 제어부는 상기 로드락 챔버에 기판의 노치 또는 플랫존이 제1 방향으로 놓여지는 기판들이 상기 처리유닛들 중 상기 로드락 챔버에서 인접하게 배치되는 제1 처리유닛으로부터 시작하여 홀수 번째 위치되는 처리유닛에 제공되는 공정챔버로 이송되도록 상기 로봇암을 제어하고, 상기 로드락 챔버에 기판의 노치 또는 플랫존이 상기 제1 방향과 상이한 제2 방향으로 놓여지는 기판들이 상기 제1 처리유닛으로부터 시작하여 짝수 번째 위치되는 처리유닛에 제공되는 공정챔버로 이송되도록 상기 로봇암을 제어한다.The substrate processing apparatus according to the present invention for achieving the above object includes a load lock chamber and a plurality of processing units arranged in a line, and a control unit for controlling the transfer of the substrate between the load lock chamber and the processing units, Each of the processing units includes a transfer chamber having at least one process chamber and a robot arm for transferring the substrate to the process chamber, wherein the control unit has a notch or flat zone of the substrate in the load lock chamber in a first direction. The robot arm is controlled so that the substrates to be placed are transferred from the first processing unit disposed adjacent to the load lock chamber among the processing units to the process chamber provided to the processing unit located at an odd number, and the load lock chamber Substrates in which a notch or flat zone of the substrate is placed in a second direction different from the first direction The robot arm is controlled to be transferred from the net to the process chamber provided to the even-numbered processing unit.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제1 방향은 기판이 상기 로드락 챔버에 놓여졌을 때 기판의 노치가 상기 제1 처리유닛에 구비되는 로봇암을 향하는 방향이고, 상기 제2 방향은 기판이 상기 로드락 챔버에 놓여졌을 때 기판의 노치가 상기 제1 처리유닛에 구비되는 로봇암과 반대되는 방향이다.According to an embodiment of the invention, the first direction is a direction toward the robot arm provided in the first processing unit when the substrate is placed in the load lock chamber, the second direction is the substrate When placed in the load lock chamber, the notch of the substrate is in a direction opposite to the robot arm provided in the first processing unit.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 기판 처리 장치는 상기 처리유닛들 사이에 위치되는 버퍼부를 더 포함하되, 상기 버퍼부에는 기판이 놓여지며 고정설치되는 지지부재가 제공된다.According to an embodiment of the present invention, the substrate processing apparatus further includes a buffer unit positioned between the processing units, wherein the buffer unit is provided with a supporting member on which the substrate is placed and fixed.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 기판 처리 장치는 상기 로드락 챔버와 인접하게 배치되는 이에프이엠을 더 포함하되, 상기 이에프이엠은 복수의 기판들을 수납하는 수납부재로부터 상기 로드락 챔버로 기판을 이송하는 로봇암과 상기 로봇암이 기판을 이송시키기 전, 기판의 노치 또는 플랫존이 상기 제1 방향 또는 상기 제2 방향을 향하도록 기판을 정렬시키는 기판 정렬기를 구비한다.According to an embodiment of the present invention, the substrate processing apparatus further includes an IFM disposed adjacent to the loadlock chamber, wherein the IFM transfers the substrate to the loadlock chamber from an accommodating member accommodating a plurality of substrates. And a substrate aligner for aligning the substrate such that the notch or flat zone of the substrate faces the first direction or the second direction before the robot arm and the robot arm transfer the substrate.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 방법은 일렬로 배치되는 로드락 챔버 및 복수의 처리유닛들을 구비하여 기판을 처리하되, 상기 로드락 챔버에 기판의 노치 또는 플랫존이 제1 방향으로 놓여지는 기판들은 상기 처리유닛들 중 상기 로드락 챔버에서 인접하게 배치되는 제1 처리유닛으로부터 시작하여 홀수 번째 위치되는 처리유닛에 제공되는 공정챔버로 이송되고, 상기 로드락 챔버에 기판의 노치 또는 플랫존이 상기 제1 방향과 상이한 제2 방향으로 놓여지는 기판들은 상기 제1 처리유닛으로부터 시작하여 짝수 번째 위치되는 처리유닛에 제공되는 공정챔버로 이송된다.The substrate processing method according to the present invention for achieving the above object is provided with a load lock chamber and a plurality of processing units arranged in a line to process the substrate, the notch or flat zone of the substrate in the load lock chamber in the first direction The substrates to be transferred are transferred to a process chamber provided to an odd numbered processing unit starting from a first processing unit disposed adjacent to the load lock chamber among the processing units, and a notch or Substrates in which the flat zone is placed in a second direction different from the first direction are transferred to the process chamber provided from the first processing unit to the evenly positioned processing unit.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제1 방향과 상기 제2 방향은 기판이 상기 로봇암의 블레이드에 놓여졌을 때, 상기 기판의 노치 또는 플랫존이 서로 반대되는 방향이 되도록 제공된다.According to an embodiment of the present invention, the first direction and the second direction are provided such that the notches or flat zones of the substrates are opposite to each other when the substrate is placed on the blade of the robot arm.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 로봇암은 공정시 기판을 안착시키는 블레이드를 구비하고, 상기 제1 방향은 상기 제1 처리유닛에 구비되는 로봇암의 블레이드가 기판을 이송하기 위해 상기 로드락 챔버의 기판 출입구를 통과할 때, 상기 로드락 챔버에 놓여진 기판의 노치가 상기 블레이드를 향하는 방향이고, 상기 제2 방향은 상기 기판이 상기 제1 처리유닛에 구비되는 로봇암의 블레이드 놓여졌을 때, 상기 제1 방향과 반대되는 방향이다.According to an embodiment of the present invention, the robot arm has a blade for seating the substrate during the process, the first direction is the load lock chamber for transporting the substrate blade of the robot arm provided in the first processing unit When passing through the substrate entrance of the, the notch of the substrate placed in the load lock chamber is a direction toward the blade, the second direction is when the substrate is placed blade of the robot arm provided in the first processing unit, The direction opposite to the first direction.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 처리유닛들 상호간의 기판 이송은 상기 기판의 오리엔트 각의 정렬을 위해 기판을 회전시키는 과정 없이 이루어진다.According to an embodiment of the present invention, the substrate transfer between the processing units is performed without rotating the substrate to align the orient angle of the substrate.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 처리유닛들 상호간의 기판 이송은 상기 처리유닛들 사이에 위치되는 버퍼부에 놓여진 기판이 상기 버퍼부로부터 상기 처리유닛으로 기판이 이송되기 전에 기판은 비회전된다.According to an embodiment of the present invention, the substrate transfer between the processing units is non-rotated before the substrate placed in the buffer unit located between the processing units is transferred from the buffer unit to the processing unit.

본 발명의 실시예에 따르면, 기판의 노치가 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향을 향하도록 하는 기판의 정렬은 상기 로드락 챔버로 기판이 이송되어 지기 전에 이루어진다.According to an embodiment of the present invention, the alignment of the substrate such that the notch of the substrate faces the first direction and the second direction is made before the substrate is transferred to the load lock chamber.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제1 챔버로부터 상기 처리유닛으로의 기판 이송과 상기 제2 챔버로부터 상기 처리유닛으로의 기판 이송은 교대로 이루어진다.According to an embodiment of the present invention, substrate transfer from the first chamber to the processing unit and substrate transfer from the second chamber to the processing unit are alternately performed.

본 발명의 실시예에 따르면, 복수의 기판들을 수납하는 수납부재로부터 상기 제1 챔버로의 기판 이송과 상기 수납부재로부터 상기 제2 챔버로의 기판 이송은 교대로 이루어진다.According to an embodiment of the present invention, the substrate transfer from the accommodating member accommodating the plurality of substrates to the first chamber and the substrate transfer from the accommodating member to the second chamber are alternately performed.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해지도록, 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달되도록 하기 위해 제공되는 것이다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the invention is not limited to the embodiments described herein but may be embodied in other forms. Rather, the embodiments introduced herein are provided so that the disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the spirit of the invention to those skilled in the art.

또한, 본 실시예에서는 반도체 집적회로 칩 제조용 웨이퍼를 처리하는 장치를 예로 들어 설명하였으나, 본 발명은 다양한 종류의 기판을 처리하는 모든 장치 에 적용이 가능하다.In addition, the present embodiment has been described using an apparatus for processing a wafer for semiconductor integrated circuit chip manufacturing as an example, the present invention can be applied to any apparatus for processing a variety of substrates.

또한, 본 실시예에서는 300mm 웨이퍼를 처리하는 장치를 예로 들어 설명하였으나, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 다양한 구경의 웨이퍼를 처리하는 장치 적용이 가능하다. 예컨대, 본 실시예에서는 기판의 노치 방향을 정렬하여 기판의 오리엔트 각을 정렬시키는 경우를 예로 들어 설명하였으나, 기판이 200mm 이하인 경우에는 기판의 플랫존(flat zone)을 정렬하여 기판의 오리엔트 각을 정렬시킨다.In addition, the present embodiment has been described with an apparatus for processing a 300mm wafer as an example, the substrate processing apparatus according to the present invention is applicable to the apparatus for processing a wafer of various diameters. For example, in the present embodiment, a case of aligning the notch direction of the substrate to align the orientation angle of the substrate is described as an example. However, when the substrate is 200 mm or less, the orientation of the substrate is aligned by aligning the flat zone of the substrate. Let's do it.

(실시예)(Example)

도 2는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 평면도이고, 도 3은 도 1에 도시된 로드락 챔버 및 제1 내지 제3 처리유닛들의 일부를 보여주는 측면도이다. 그리고, 도 4는 도 3에 도시된 로봇암의 사시도이다.FIG. 2 is a plan view of a substrate processing apparatus according to the present invention, and FIG. 3 is a side view showing a portion of the load lock chamber and first to third processing units shown in FIG. 1. 4 is a perspective view of the robot arm shown in FIG. 3.

도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(apparatus for treating substrate)(1)는 로드 포트(load port)(10), 설비전방종단모듈(EFEM:Equipment Front End Module, 이하 '이에프이엠')(20), 로드락 챔버(load-rock chamber)(30), 제1 처리유닛(first treating unit)(40), 제2 처리유닛(second treating unit)(50), 제3 처리유닛(second treating unit)(60), 제1 버퍼부(first buffer member)(100), 제2 버퍼부(second buffer member)(200), 그리고 제어기(controller)(300)를 포함한다.2 and 3, an apparatus for treating substrate 1 according to the present invention includes a load port 10 and an equipment front end module (EFEM). 20 ', load-rock chamber 30, first treating unit 40, second treating unit 50, third treatment A second treating unit 60, a first buffer member 100, a second buffer member 200, and a controller 300.

로드 포트(10), 이에프이엠(20), 로드락 챔버(30), 제1 내지 제3 처리유닛(40, 50, 60)은 순차적으로 일렬로 배치된다. 그리고, 제1 버퍼부(100)는 제1 처리유닛(40)과 제2 처리유닛(50) 사이에 배치되고, 제2 버퍼부(200)는 제2 처리유닛(50)과 제3 처리유닛(60) 사이에 배치된다.The load port 10, the EMP 20, the load lock chamber 30, and the first to third processing units 40, 50, and 60 are sequentially arranged in a row. The first buffer unit 100 is disposed between the first processing unit 40 and the second processing unit 50, and the second buffer unit 200 is the second processing unit 50 and the third processing unit. Disposed between 60.

본 실시예에서는 기판 처리 장치(1)가 세 개의 처리유닛들(40, 50, 60)을 구비하여 기판들(W)을 처리하는 것을 예로 들어 설명하였으나, 처리유닛의 개수는 다양하게 적용될 수 있다. In this embodiment, the substrate processing apparatus 1 includes three processing units 40, 50, and 60 to process the substrates W, but the number of processing units may be variously applied. .

로드 포트(10)는 복수의 로더(loader)(12)들을 가진다. 로더들(12)은 이에프이엠(20)의 전면을 따라 배치된다. 로더들(12) 각각은 공정시 수납부재(C)를 안착시켜 지지한다. 수납부재(C)는 복수의 기판들(W)을 수납하는 용기이다. 수납부재(C)로는 전면개방일체식포드(FOUP:Front Open Unified Pod, 이하 '푸웁')이 사용된다.The load port 10 has a plurality of loaders 12. The loaders 12 are disposed along the front side of the EMP 20. Each of the loaders 12 mounts and supports the receiving member C during the process. The accommodation member C is a container that accommodates the plurality of substrates W. As shown in FIG. As the housing member C, a front open integrated pod (FOUP) is used.

이에프이엠(20)는 로봇암(robot arm)(22) 및 기판 정렬기(substrate alinger)(24)를 가진다. 로봇암(22)은 수납부재(C)와 로드락 챔버(30), 그리고 기판 정렬기(24) 상호간에 기판(W)을 이송한다. 기판 정렬기(24)는 기판(W)의 오리엔트 각(orient angle)을 정렬(align)한다. 기판 정렬기(24)는 기판(W)의 노치(W1)가 기설정된 방향을 향하도록 기판(W)을 회전시킨다. 기판 정렬기(24)가 기판(W)의 오리엔트 각을 정렬하는 과정은 후술하겠다.The EMP 20 has a robot arm 22 and a substrate alinger 24. The robot arm 22 transfers the substrate W between the housing member C, the load lock chamber 30, and the substrate aligner 24. The substrate aligner 24 aligns the orient angle of the substrate W. As shown in FIG. The substrate aligner 24 rotates the substrate W such that the notch W1 of the substrate W faces a predetermined direction. The process of aligning the orient angle of the substrate W by the substrate aligner 24 will be described later.

로드락 챔버(30)는 제1 챔버(first chamber)(32) 및 제2 챔버(second chamber)(34)를 포함한다. 제1 챔버(32)와 제2 챔버(34)는 이에프이엠(20)과 제1 처리유닛(40) 상호간의 기판(W)이 이송되는 인터페이스 기능을 수행한다. 제1 및 제2 챔버(32, 34)에는 기판 출입구(32a, 34a)가 제공된다. 기판 출입구(32a)는 제1 챔버(32)와 후술할 제1 처리유닛(40)의 제1 트랜스퍼 챔버(44) 상호간에 기판(W)이 이송되는 통로이고, 기판 출입구(34a)는 제2 챔버(34)와 제1 트랜스퍼 챔버(44) 상호간에 기판(W)이 이송되는 통로이다. 여기서, 제1 챔버(32)의 기판 출입구(32a)는 제1 방향(Z1)을 향하도록 개방되고, 제2 챔버(34)의 기판 출입구(34a)는 제2 방향(Z2)을 향하도록 개방된다.The load lock chamber 30 includes a first chamber 32 and a second chamber 34. The first chamber 32 and the second chamber 34 perform an interface function of transferring the substrates W between the EMP 20 and the first processing unit 40. The first and second chambers 32, 34 are provided with substrate entrances 32a, 34a. The substrate entrance 32a is a passage through which the substrate W is transferred between the first chamber 32 and the first transfer chamber 44 of the first processing unit 40 to be described later, and the substrate entrance 34a is a second passage. It is a passage through which the substrate W is transferred between the chamber 34 and the first transfer chamber 44. Here, the substrate entrance 32a of the first chamber 32 is opened to face the first direction Z1, and the substrate entrance 34a of the second chamber 34 is open to face the second direction Z2. do.

제1 처리유닛(40)은 제1 공정챔버들(process chabmer)(42) 및 제1 트랜스퍼 챔버(first transfer chamber)(44)를 포함한다. 제1 공정챔버들(42)은 공정시 기판(W)을 처리하는 공정을 수행한다. 제1 공정챔버들(42)은 제1 트랜스퍼 챔버(44)의 양측에 각각 하나씩 배치된다. 제1 공정챔버들(42)은 서로 동일한 구성 및 구조를 가진다. 제1 공정챔버들(42)에는 기판(W)이 출입되기 위한 기판 출입구(42a)가 제공된다. 또한, 제1 공정챔버들(42)의 내부에는 공정시 기판(W)을 지지하는 척(chuck)(42b)이 구비된다.The first processing unit 40 includes first process chambers 42 and a first transfer chamber 44. The first process chambers 42 perform a process of treating the substrate W during the process. The first process chambers 42 are disposed one each on both sides of the first transfer chamber 44. The first process chambers 42 have the same configuration and structure. The first process chambers 42 are provided with a substrate entrance 42a through which the substrate W enters and exits. In addition, a chuck 42b for supporting the substrate W during the process is provided inside the first process chambers 42.

제1 트랜스퍼 챔버(44)는 제1 로봇암(first robot arm)(44a)을 가진다. 도 4를 참조하면, 제1 로봇암(44a)은 로드락 챔버(30)와 제1 공정챔버들(42) 상호간, 그리고 로드락 챔버(30)와 제1 버퍼부(100) 상호간에 기판(W)을 이송한다. 제1 로봇암(44a)은 블레이드(44a'), 아암부(44a''), 그리고 구동기(44a''')를 가진다. 블레이드(44a')는 기판(W)을 지지한다. 아암부(44a'')는 복수의 아암(arm)들로 이루어진다. 각각의 아암들은 블레이드(44a')가 기판(W)을 이송하도록 서로 유기적으로 동작한다. 구동기(44a''')는 기판(W)이 공정상 요구되는 위치로 이송되도록 아암부(44a'')를 구동한다.The first transfer chamber 44 has a first robot arm 44a. Referring to FIG. 4, the first robot arm 44a may include a substrate (not shown) between the load lock chamber 30 and the first process chambers 42, and between the load lock chamber 30 and the first buffer unit 100. Transfer W). The first robot arm 44a has a blade 44a ', an arm portion 44a' ', and a driver 44a' ''. The blade 44a 'supports the substrate W. As shown in FIG. Arm portion 44a '' is made up of a plurality of arms. Each of the arms operates organically with each other such that the blade 44a 'carries the substrate W. The driver 44a '' 'drives the arm portion 44a' 'so that the substrate W is transferred to a position required for the process.

다시 도 2 및 도 3을 참조하면, 제2 처리유닛(50)은 제2 공정챔버들(second process chambers)(52) 및 제2 트랜스퍼 챔버(second transfer chamber)(54)를 가진다. 제2 공정챔버들(52) 각각은 상술한 제1 공정챔버(42)와 동일한 구성 및 구조를 가지며, 제2 공정챔버(52)은 제2 트랜스퍼 챔버(54)의 양측에 각각 하나씩 배치된다. 제2 공정챔버(52)와 제2 트랜스퍼 챔버(54) 사이에는 기판 출입구(52a)가 제공된다. 제2 공정챔버(52) 내부에는 척(52b)이 설치된다. 제2 트랜스퍼 챔버(54)는 제2 로봇암(second robot arm)(54a)을 가진다. 제2 로봇암(54a)은 제1 처리유닛(40)과 제3 처리유닛(60), 그리고 제2 공정챔버들(52) 상호간에 기판(W)을 이송한다. 제2 로봇암(54a)은 제1 트랜스퍼 챔버(42)와 동일한 구성 및 구조를 가진다.Referring again to FIGS. 2 and 3, the second processing unit 50 has second process chambers 52 and a second transfer chamber 54. Each of the second process chambers 52 has the same configuration and structure as that of the first process chamber 42 described above, and the second process chambers 52 are disposed on each side of the second transfer chamber 54. A substrate entrance 52a is provided between the second process chamber 52 and the second transfer chamber 54. The chuck 52b is installed in the second process chamber 52. The second transfer chamber 54 has a second robot arm 54a. The second robot arm 54a transfers the substrate W between the first processing unit 40, the third processing unit 60, and the second process chambers 52. The second robot arm 54a has the same configuration and structure as the first transfer chamber 42.

제3 처리유닛(60)은 대체로 제2 처리유닛(50)의 구성 및 구조와 동일하다. 즉, 제3 처리유닛(60)은 제3 공정챔버들(62) 및 제3 트랜스퍼 챔버(64)를 가진다. 제3 공정챔버(62)는 제3 트랜스퍼 챔버(64)의 양측에 하나씩 배치된다. 제3 공정챔버(62)와 제3 트랜스퍼 챔버(64) 사이에는 기판 출입구(62a)가 제공되고, 제3 공정챔버(62) 내부에는 척(62b)이 설치된다. 제3 트랜스퍼 챔버(64)는 제3 로봇암(64a)을 가진다. 제3 로봇암(64a)은 제2 버퍼부(200)와 제3 공정챔버들(62) 상호간에 기판(W)을 이송한다. 제3 로봇암(64a)은 상술한 제1 로봇암(44a)과 동일한 구성 및 구조를 가진다.The third processing unit 60 is generally the same as the configuration and structure of the second processing unit 50. That is, the third processing unit 60 has third process chambers 62 and a third transfer chamber 64. The third process chambers 62 are arranged one by one on both sides of the third transfer chamber 64. The substrate entrance and exit 62a is provided between the third process chamber 62 and the third transfer chamber 64, and the chuck 62b is provided inside the third process chamber 62. The third transfer chamber 64 has a third robot arm 64a. The third robot arm 64a transfers the substrate W between the second buffer unit 200 and the third process chambers 62. The third robot arm 64a has the same configuration and structure as the first robot arm 44a described above.

보통 기판(W)의 오리엔트 각 정렬은 공정챔버 내 척(chuck)에 기판(W)이 안착되었을 경우, 기판(W)의 노치(W1)가 기판 출입구를 향하도록 설정된다. 따라서, 본 실시예에서는 제1 내지 제3 공정챔버들(42, 52, 62) 중 트랜스퍼 챔버(44, 54, 64)를 기준으로 좌측에 배치되는 챔버들은 공정시 기판(W)이 척에 놓여졌을 때, 기판(W)의 노치(W1) 방향이 우측방향(X1)을 향하도록 기판(W)의 오리엔트 각이 설정된다. 이에 반해, 제1 내지 제3 공정챔버들(42, 52, 62)들 중 트랜스퍼 챔버(44, 54, 64)를 기준으로 우측에 배치되는 챔버들은 공정시 기판(W)이 척에 놓여졌을 때, 기판(W)의 노치(W1) 방향이 좌측방향(X2)을 향하도록 기판(W)의 오리엔트 각이 설정된다.Orient angle alignment of the substrate W is normally set such that the notch W1 of the substrate W faces the substrate entrance when the substrate W is seated on the chuck in the process chamber. Therefore, in the present exemplary embodiment, the chambers disposed on the left side of the first to third process chambers 42, 52, and 62 with respect to the transfer chambers 44, 54, and 64 are placed on the chuck during the process. When closed, the orientation angle of the substrate W is set so that the notch W1 direction of the substrate W faces the right direction X1. In contrast, the chambers disposed on the right side of the first to third process chambers 42, 52, and 62 with respect to the transfer chambers 44, 54, and 64 are disposed when the substrate W is placed on the chuck during the process. The orient angle of the substrate W is set so that the notch W1 direction of the substrate W faces the left direction X2.

제1 버퍼부(100)는 제1 지지부재(first support member)(110) 및 제2 지지부재(second support member)(120)를 가진다. 제1 지지부재(110) 및 제2 지지부재(120)는 제1 처리유닛(40)으로부터 제2 처리유닛(50)으로, 또는 제2 처리유닛(50)으로부터 제1 처리유닛(40)으로 기판(W)이 이송되기 전에 제1 트랜스퍼 챔버(44)와 제2 트랜스퍼 챔버(54) 사이에서 기판(W)을 대기시킨다. 제1 지지부재(110) 및 제2 지지부재(120)는 제1 트랜스퍼 챔버(44)와 제2 트랜스퍼 챔버(54) 사이에 고정설치된다.The first buffer part 100 has a first support member 110 and a second support member 120. The first support member 110 and the second support member 120 are from the first processing unit 40 to the second processing unit 50, or from the second processing unit 50 to the first processing unit 40. The substrate W is held between the first transfer chamber 44 and the second transfer chamber 54 before the substrate W is transferred. The first support member 110 and the second support member 120 are fixedly installed between the first transfer chamber 44 and the second transfer chamber 54.

제2 버퍼부(200)는 제1 버퍼부(100)와 동일한 구성 및 구조를 가진다. 즉, 제2 버퍼부(200)는 상술한 제1 지지부재(110) 및 제2 지지부재(120)와 동일한 제1 지지부재(210) 및 제2 지지부재(220)를 가진다. 제1 지지부재(210) 및 제2 지지부재(220)는 제2 처리유닛(50)로부터 제3 처리유닛(60)로, 또는 제3 처리유닛(60)으로부터 제2 처리유닛(50)으로 기판(W)이 이송되기 전에 제2 트랜스퍼 챔버(54)과 제3 트랜스퍼 챔버(64) 사이에서 기판(W)을 대기시킨다. 제1 지지부재(210) 및 제2 지지부재(220)는 제2 트랜스퍼 챔버(54)와 제3 트랜스퍼 챔버(64) 사이에 고정설치된다.The second buffer unit 200 has the same structure and structure as the first buffer unit 100. That is, the second buffer part 200 has the same first support member 210 and the second support member 220 as the first support member 110 and the second support member 120 described above. The first support member 210 and the second support member 220 are transferred from the second processing unit 50 to the third processing unit 60, or from the third processing unit 60 to the second processing unit 50. The substrate W is held between the second transfer chamber 54 and the third transfer chamber 64 before the substrate W is transferred. The first support member 210 and the second support member 220 are fixedly installed between the second transfer chamber 54 and the third transfer chamber 64.

제1 버퍼부(100) 및 제2 버퍼부(200)는 기판(W)을 회전시키거나 기판(W)의 위치를 변경시키는 등의 기능을 수행하지 않으며, 단순히 기판(W)을 지지하는 기능만을 수행한다. 따라서, 제1 지지부재(110, 210) 및 제2 지지부재(120, 220)에는 종래 기술에 따른 버퍼부(도 1a의 참조번호(70, 80))와 다르게 기판(W)의 오리엔트 각의 정렬을 위한 기판 회전수단 및 감지센서들이 구비되지 않는다.The first buffer unit 100 and the second buffer unit 200 do not perform a function of rotating the substrate W or changing the position of the substrate W, and simply support the substrate W. Only carry. Accordingly, the first support members 110 and 210 and the second support members 120 and 220 may have different angles of the orient of the substrate W, unlike the buffer parts (reference numerals 70 and 80 of FIG. 1A) according to the related art. There is no substrate rotating means and sensor for alignment.

제어기(300)는 상술한 기판 처리 장치(1)의 기판 처리 공정을 제어한다. 즉, 제어기(300)는 로드 포트(10), 이에프이엠(20), 로드락 챔버(30), 처리유닛들(40, 50, 60), 그리고 제1 및 제2 버퍼부(100, 200) 상호간의 기판(W) 이송을 제어한다. 제어기(300)가 기판(W)을 이송하는 과정은 후술하겠다.The controller 300 controls the substrate processing process of the substrate processing apparatus 1 described above. That is, the controller 300 includes a load port 10, an EMP 20, a load lock chamber 30, processing units 40, 50, 60, and first and second buffer units 100 and 200. Control the transfer of the substrate W to each other. A process of transferring the substrate W by the controller 300 will be described later.

이하, 상술한 기판 처리 장치(1)의 공정 과정을 상세히 설명한다. Hereinafter, the process of the substrate processing apparatus 1 described above will be described in detail.

도 5 내지 도 7은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 공정 과정을 설명하기 위한 도면들이다. 보다 상세하게는 도 5 및 도 6은 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)가 공정시 로드락 챔버(30)의 제1 챔버(32)로부터 제1 및 제3 처리유닛(제1 처리유닛(40)을 기준으로 홀수 번째 위치되는 처리유닛)(이하, '홀수열 처리유닛')(40, 60)의 공정챔버들(42, 62)로 기판(W)을 이송하는 과정을 보여주는 도면들이다. 그리고, 도 7은 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)가 공정시 로드락 챔버(30)의 제2 챔버(34)로부터 제2 처리유닛(제1 처리유닛(40)을 기준으로 짝수 번째 위치되는 처리유닛)(이하, '짝수열 처리유닛')(50)의 공정챔버들(52)로 기판(W)을 이송하는 과정을 보여주는 도면들이다.5 to 7 are views for explaining the process of the substrate processing apparatus according to the present invention. In more detail, FIGS. 5 and 6 show that the substrate processing apparatus 1 according to the present invention is provided with a first and a third processing unit (the first processing unit (1) 40 is a view showing a process of transferring the substrate (W) to the process chambers (42, 62) of the odd numbered processing unit) (hereinafter, 'odd heat treatment unit') (40, 60). In addition, FIG. 7 shows an even-numbered position of the substrate processing apparatus 1 according to the present invention from the second chamber 34 of the load lock chamber 30 during the process of the second processing unit (the first processing unit 40). The process of transferring the substrate (W) to the process chambers 52 of the processing unit) (hereinafter, 'even-numbered processing unit') (50).

본 실시예에서는 로드락 챔버(30)와 홀수열 처리유닛(40, 60) 상호간의 기판(W) 이송과 로드락 챔버(30)와 짝수열 처리유닛(50) 상호간의 기판(W) 이송이 교대로 이루어지는 경우를 예로 들어 설명한다. 즉, 이에프이엠(20)으로부터 로드락 챔버(30)의 제1 챔버(32)로의 기판 이송과 이에프이엠(20)으로부터 로드락 챔버(30)의 제2 챔버(34)로의 기판 이송은 교대로 이루어진다. 또한, 제1 챔버(32)로부터 홀수열 처리유닛(40, 60)으로의 기판 이송과 제2 챔버(34)로부터 짝수열 처리유닛(50)으로의 기판 이송은 교대로 이루어진다.In this embodiment, the transfer of the substrate W between the load lock chamber 30 and the odd heat treatment units 40 and 60 and transfer of the substrate W between the load lock chamber 30 and the even heat treatment unit 50 are performed. An example of alternating cases will be described. That is, substrate transfer from the EPDM 20 to the first chamber 32 of the loadlock chamber 30 and substrate transfer from the EPMP 20 to the second chamber 34 of the loadlock chamber 30 are alternately performed. Is done. Further, substrate transfer from the first chamber 32 to the odd heat treatment units 40 and 60 and substrate transfer from the second chamber 34 to the even heat treatment unit 50 are alternately performed.

먼저, 제1 챔버(32)와 홀수열 처리유닛(40, 60)의 상호간의 기판(W) 이송 과정은 다음과 같다. 기판 처리 공정이 개시되면, 제어기(300)는 이에프이엠(20)의 로봇암(22)이 로드 포트(10)에 안착된 수납부재(C)로부터 기판 정렬기(24)로 기판(W)을 이송하도록 로봇암(22)을 제어한다. 도 5를 참조하면, 기판 정렬기(24)는 처음에 이송되어진 기판(W)을 기판(W)의 노치(W1)가 우측 방향(X1)을 향하도록 기판(W)을 정렬한다. 노치(W1)가 우측방향(X1)을 향하도록 정렬된 기판(W)은 로봇암(22)에 의해 로드락 챔버(30)의 제1 챔버(32)로 이송된다. 제1 챔버(32)에 놓여지는 기판(W)은 노치(W1)가 제1 방향(Z1)을 향한다. 제1 방향(Z1)은 제1 챔버(32)에 기판(W)이 놓여졌을 때, 기판(W)의 노치(W1) 방향이 기판 출입구(32a)를 통과하는 로봇암(44a)의 블레이드(44a')를 향하는 방향이다.First, the process of transferring the substrate W between the first chamber 32 and the odd heat treatment units 40 and 60 is as follows. When the substrate processing process is started, the controller 300 moves the substrate W from the housing member C on which the robot arm 22 of the EPDM 20 is seated in the load port 10 to the substrate aligner 24. The robot arm 22 is controlled to transfer. Referring to FIG. 5, the substrate aligner 24 aligns the substrate W so that the notch W1 of the substrate W faces the right direction X1. The substrate W aligned so that the notch W1 faces the right direction X1 is transferred to the first chamber 32 of the load lock chamber 30 by the robot arm 22. The notch W1 of the substrate W placed in the first chamber 32 faces the first direction Z1. In the first direction Z1, when the substrate W is placed in the first chamber 32, the blade of the robot arm 44a in which the notch W1 direction of the substrate W passes through the substrate entrance 32a ( 44a ').

여기서, 기판 정렬기(24)는 이에프이엠(20)의 우측에 배치되어 있으므로, 기판 정렬기(24)는 기판(W)의 노치(W1)가 우측방향(X1)을 향하도록 기판(W)을 정렬하여야만 로봇암(22)에 의해 기판(W)이 제1 챔버(32)에 놓여졌을 때 기판(W)의 노 치(W1)가 제1 방향(Z1)을 향한다. 그러므로, 만약, 기판 정렬기(24)가 이에프이엠(20)의 좌측에 배치되어 있다면, 기판 정렬기(24)는 기판(W)의 노치(W1)가 좌측방향(X2)을 향하도록 하여야만 기판(W)이 제1 챔버(32)에 놓여졌을 때 기판(W)의 노치(W1)가 제1 방향(X1)을 향할 것이다. 이렇듯, 기판 정렬기(24)의 설치 위치에 따라 기판 정렬기(24)가 기판(W)의 오리엔트 각의 정렬은 변경된다. 결론적으로 기판 정렬기(24)는 기판 정렬기(24)의 설치위치에 상관없이 로봇암(22)이 기판(W)을 제1 챔버(32)로 이송하는 경우에는 기판(W)의 노치(W1)가 제1 방향(Z1)을 향할 수 있도록 기판(W)을 정렬시켜야 하고, 로봇암(22)이 기판(W)을 제2 챔버(34)로 이송하는 경우에는 기판(W)의 노치(W1)가 제2 방향(Z2)을 향하도록 기판(W)을 정렬시켜야 한다.Here, since the substrate aligner 24 is disposed on the right side of the YEPM 20, the substrate aligner 24 may have the substrate W such that the notch W1 of the substrate W faces the right direction X1. Only when the substrate W is placed in the first chamber 32 by the robot arm 22, the notch W1 of the substrate W faces the first direction Z1. Therefore, if the substrate aligner 24 is disposed on the left side of the EPDM 20, the substrate aligner 24 must be such that the notch W1 of the substrate W faces the left direction X2. When W is placed in the first chamber 32, the notch W1 of the substrate W will face the first direction X1. In this way, the alignment of the orientation angle of the substrate W in the substrate aligner 24 is changed according to the installation position of the substrate aligner 24. As a result, the substrate aligner 24 may have a notch of the substrate W when the robot arm 22 transfers the substrate W to the first chamber 32 regardless of the installation position of the substrate aligner 24. The substrate W must be aligned so that the W1 can face the first direction Z1, and the notch of the substrate W when the robot arm 22 transfers the substrate W to the second chamber 34. The substrate W should be aligned so that the W1 faces the second direction Z2.

제어기(300)는 제1 로봇암(44a)이 제1 챔버(32)로부터 제1 공정챔버들(42) 중 좌측에 배치되는 공정챔버의 척(42b)에 기판(W)이 안착하도록 제1 로봇암(44a)을 제어한다. 이때, 척(42b)에 안착된 기판(W)은 노치(W1)가 기판 출입구(42a)를 향한다. 즉, 제1 공정챔들(42) 중 트랜스퍼 챔버(44)를 기준으로 좌측에 위치되는 챔버에 안착된 기판(W)의 노치(W1)는 우측방향(X1)을 향한다. 만약, 제1 공정챔버들(42) 중 트랜스퍼 챔버(44)를 기준으로 우측에 위치되는 챔버의 척(42b)에 기판이 안착되면, 기판(W)의 노치(W1)는 좌측방향(X2)을 향한다. 제1 공정챔버(42)는 척(42b)에 안착된 기판(W)상에 소정의 반도체 제조 공정을 수행한다. 공정이 완료된 기판(W)은 다시 제1 공정챔버(42)로부터 반출되어 제1 챔버(32)로 이송되어진 후 로봇암(22)에 의해 수납부재(C)로 반송된다.The controller 300 includes a first robot arm 44a so that the substrate W rests on the chuck 42b of the process chamber in which the first robot arm 44a is disposed on the left side of the first process chambers 42. The robot arm 44a is controlled. At this time, the notch W1 is directed toward the substrate entrance 42a of the substrate W seated on the chuck 42b. That is, the notch W1 of the substrate W seated in the chamber located on the left side of the first process chambers 42 with respect to the transfer chamber 44 faces the right direction X1. If the substrate is seated on the chuck 42b of the chamber located on the right side with respect to the transfer chamber 44 among the first process chambers 42, the notch W1 of the substrate W is leftward (X2). Heads up. The first process chamber 42 performs a predetermined semiconductor manufacturing process on the substrate W seated on the chuck 42b. The board | substrate W with which a process is completed is carried out from the 1st process chamber 42 again, is conveyed to the 1st chamber 32, and is conveyed to the accommodating member C by the robot arm 22. FIG.

만약, 제1 로봇암(44a)이 제1 챔버(32)로부터 제1 공정챔버들(42)로 기판(W)을 이송할 때, 제1 공정챔버들(42) 모두에서 기판상에 공정이 수행되고 있으면, 제어기(300)는 로드락 챔버(30)로부터 제3 처리유닛(60)으로 기판(W)이 이송되도록 한다. 즉, 도 6을 참조하면, 제어기(300)는 제1 로봇암(44a)이 제1 챔버(32)에 놓여진 기판(W)을 제1 버퍼부(100)의 제1 지지부재(110)로 기판(W)을 이송하도록 제1 로봇암(44a)을 제어한다. 제1 지지부재(110)에 놓여진 기판(W)은 노치(W1)가 아래방향(Y2)을 향한다. 그리고, 제어기(300)는 제2 로봇암(54a)이 제1 지지부재(110)에 놓여진 기판(W)을 제2 버퍼부(200)의 제1 지지부재(210)에 안착하도록 제2 로봇암(54a)을 제어한다. 이때, 제1 지지부재(210)에 안착된 기판(W)은 노치가(W1)가 상방향(Y1)을 향한다. 그리고, 제어기(300)는 제3 로봇암(64a)이 제1 지지부재(210)로부터 제3 공정챔버(62)로 기판(W)을 이송하도록 제3 로봇암(64a)을 제어한다. 이때, 제3 공정챔버(62)의 척(62b)에 안착되는 기판(W)은 노치(W1)가 기판 출입구(62a)를 향한다.When the first robot arm 44a transfers the substrate W from the first chamber 32 to the first process chambers 42, the process is carried out on the substrate in all of the first process chambers 42. If so, the controller 300 allows the substrate W to be transferred from the load lock chamber 30 to the third processing unit 60. That is, referring to FIG. 6, the controller 300 transfers the substrate W on which the first robot arm 44a is placed in the first chamber 32 to the first support member 110 of the first buffer unit 100. The first robot arm 44a is controlled to transfer the substrate W. FIG. In the substrate W placed on the first supporting member 110, the notch W1 faces the downward direction Y2. In addition, the controller 300 may allow the second robot arm 54a to seat the substrate W on the first support member 110 on the first support member 210 of the second buffer unit 200. The arm 54a is controlled. At this time, the substrate W mounted on the first support member 210 has a notch value W1 toward the upper direction Y1. In addition, the controller 300 controls the third robot arm 64a so that the third robot arm 64a transfers the substrate W from the first support member 210 to the third process chamber 62. At this time, the notch W1 faces the substrate entrance 62a of the substrate W seated on the chuck 62b of the third process chamber 62.

제3 공정챔버(62)는 척(62b)에 안착된 기판(W)상에 소정의 반도체 제조 공정을 수행한다. 공정이 완료된 기판(W)은 다시 제3 공정챔버(62)로부터 제2 지지부재(220)로 이송된 후 제2 로봇암(54a)에 의해 제2 지지부재(220)로부터 제1 지지부재(120)로 이송된다. 그리고, 제1 지지부재(120)에 놓여진 기판(W)은 제1 로봇암(42a)에 의해 제1 챔버(32)로 이송되어진 후 로봇암(22)에 의해 수납부재(C)로 반송된다.The third process chamber 62 performs a predetermined semiconductor manufacturing process on the substrate W seated on the chuck 62b. After the process is completed, the substrate W is transferred from the third process chamber 62 to the second support member 220, and then the first support member 220 is transferred from the second support member 220 by the second robot arm 54a. 120). Subsequently, the substrate W placed on the first support member 120 is transferred to the first chamber 32 by the first robot arm 42a and then transferred to the housing member C by the robot arm 22. .

계속해서, 제2 챔버(34)와 짝수열 처리유닛(50) 상호간의 기판(W) 이송 과정 을 설명한다. 제2 공정챔버들(52)로 이송되어질 기판(W)들은 기판 정렬기(24)가 기판(W)의 노치(W1) 방향이 좌측방향(X2)을 향하도록 기판(W)의 오리엔트 각을 정렬한다. 노치(W1)가 좌측방향(X2)을 향하도록 정렬된 기판(W)은 로봇암(22)에 의해 로드락 챔버(30)의 제2 챔버(34)로 이송된다. 제1 챔버(32)에 놓여지는 기판(W)은 노치(W1)가 제2 방향(Z2)을 향한다. 제2 방향(Z2)은 제2 챔버(34)에 기판(W)이 놓여졌을 때, 기판(W)의 노치(W1) 방향이 기판 출입구(34a)를 통과하는 로봇암(44a)의 블레이드(44a')와 반대되는 방향을 향하는 방향이다.Subsequently, a process of transferring the substrate W between the second chamber 34 and the even heat treatment unit 50 will be described. The substrates W to be transferred to the second process chambers 52 may have an orientation angle of the substrate W such that the substrate aligner 24 faces the notch W1 of the substrate W toward the left direction X2. Sort it. The substrate W aligned so that the notch W1 faces the left direction X2 is transferred to the second chamber 34 of the load lock chamber 30 by the robot arm 22. The notch W1 faces the second direction Z2 of the substrate W placed in the first chamber 32. The second direction Z2 is a blade of the robot arm 44a in which the notch W1 direction of the substrate W passes through the substrate entrance 34a when the substrate W is placed in the second chamber 34. 44a ') is the opposite direction.

도 7을 참조하면, 제어기(300)는 제1 로봇암(44a)이 제2 챔버(34)로부터 제1 버퍼부(100)의 제1 지지부재(110)에 기판(W)을 안착하도록 제1 로봇암(44a)을 제어한다. 이때, 제1 지지부재(110)에 안착된 기판(W)은 기판(W)의 노치(W1) 방향이 상방향(Y1)을 향한다. 그리고, 제어기(300)는 제2 로봇암(54a)이 제1 지지부재(110)로부터 제2 공정챔버들(52) 중 어느 하나로 기판(W)을 이송하도록 제2 로봇암(54a)을 제어한다. 제2 공정챔버(52)로 이송되어진 기판(W)은 제2 공정챔버(52)의 척(52b)에 안착된다. 이때, 척에 안착된 기판(W)은 노치(W1)가 기판 출입구(52a)를 향한다. 즉, 제2 공정챔버들(52) 중 트랜스퍼 챔버(54)를 기준으로 좌측에 위치되는 챔버에 안착된 기판(W)의 노치(W1)는 우측방향(X1)을 향한다. 이에 반해, 제2 공정챔버들(52) 중 트랜스퍼 챔버(54)를 기준으로 우측에 위치되는 챔버에 안착된 기판(W)의 노치(W1)는 좌측방향(X2)을 향한다.Referring to FIG. 7, the controller 300 may be configured such that the first robot arm 44a seats the substrate W on the first support member 110 of the first buffer unit 100 from the second chamber 34. One robot arm 44a is controlled. At this time, the notch W1 of the substrate W mounted on the first support member 110 faces the upper direction Y1. In addition, the controller 300 controls the second robot arm 54a so that the second robot arm 54a transfers the substrate W from the first support member 110 to any one of the second process chambers 52. do. The substrate W transferred to the second process chamber 52 is seated on the chuck 52b of the second process chamber 52. At this time, the notch W1 faces the substrate entrance 52a of the substrate W seated on the chuck. That is, the notch W1 of the substrate W seated in the chamber positioned on the left side of the second process chambers 52 with respect to the transfer chamber 54 faces the right direction X1. In contrast, the notch W1 of the substrate W seated in the chamber positioned on the right side of the second process chambers 52 with respect to the transfer chamber 54 faces the left direction X2.

제2 공정챔버(52)는 척(52b)에 안착된 기판(W)상에 소정의 반도체 제조 공정을 수행한다. 공정이 완료된 기판(W)은 다시 제2 공정챔버(52)로부터 제2 지지부 재(120)로 이송된 후 제1 로봇암(44a)에 의해 제2 챔버(34)로 이송되어진 후 로봇암(22)에 의해 수납부재(C)로 반송된다.The second process chamber 52 performs a predetermined semiconductor manufacturing process on the substrate W seated on the chuck 52b. After the process is completed, the substrate W is transferred from the second process chamber 52 to the second support member 120, and then transferred to the second chamber 34 by the first robot arm 44a. 22) is conveyed to the storage member C.

본 발명에 따른 기판 처리 장치 및 방법은 공정시 로드락 챔버(30)에 기판(W)의 노치(W1)가 제1 방향(Z1)으로 놓여지는 기판들은 홀수열 처리유닛(40, 60)에 제공되는 공정챔버(42, 62)로 이송된다. 이에 반해, 로드락 챔버(30)에 기판(W1)의 노치(W1)가 제2 방향(Z2)으로 놓여지는 기판들은 짝수열 처리유닛(50)에 제공되는 공정챔버(52)로 이송된다. 따라서, 이에프이엠(20)의 기판 정렬기(24)가 기판(W)의 오리엔트 각을 정렬한 후에는 기판(W)의 오리엔트 각을 정렬하는 과정 없이 처리유닛들(40, 50, 60) 및 버퍼부(100, 200) 상호간에 기판(W)이 이송된다.In the substrate processing apparatus and method according to the present invention, substrates in which the notch W1 of the substrate W is placed in the first direction Z1 in the load lock chamber 30 during the process may be applied to the odd heat treatment units 40 and 60. It is transferred to the process chambers 42 and 62 provided. In contrast, the substrates in which the notch W1 of the substrate W1 is placed in the second direction Z2 in the load lock chamber 30 are transferred to the process chamber 52 provided to the even-numbered heat treatment unit 50. Therefore, after the substrate aligner 24 of the EMP 20 aligns the orient angle of the substrate W, the processing units 40, 50, 60 and the process of aligning the orient angle of the substrate W may not be performed. The substrate W is transferred between the buffer units 100 and 200.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 기판 처리 장치 및 방법은 공정시 처리유닛들(40, 50, 60) 상호간에 기판들(W)을 이송할 때, 기판(W)의 오리엔트 각을 정렬시키기 위한 과정 없이 기판(W)의 이송을 수행할 수 있으므로, 종래의 처리유닛들(40, 50, 60) 상호간에 기판 이송시에 기판(W)의 오리엔트 각을 정렬하기 위한 시간이 부가되지 않으므로, 기판(W) 처리를 신속하게 처리할 수 있어 장치의 기판 처리량을 향상시킨다.As described above, the substrate processing apparatus and method according to the present invention, when transferring the substrates (W) between the processing units (40, 50, 60) in the process, for aligning the orient angle of the substrate (W) Since the transfer of the substrate W can be performed without a process, since the time for aligning the orient angle of the substrate W is not added when transferring the substrate between the conventional processing units 40, 50, and 60, the substrate (W) The treatment can be processed quickly, thereby improving the substrate throughput of the apparatus.

또한, 본 발명은 기판 처리 공정시 기판(W)의 오리엔트 각을 정렬시키기 위한 장치가 요구되지 않는다. 즉, 본 발명의 기판 처리 장치(1)는 처리유닛들(40, 50, 60) 상호간의 기판(W) 이송시에 기판(W)의 오리엔트 각을 정렬시키기 위한 구성들이 요구되지 않는다. 따라서, 종래의 기판(W)의 오리엔트 각을 정렬시키기 위해 버퍼부에 부가되는 기판 회전 수단 및 기판의 노치(notch)를 감지하는 감지센서 들이 필요하지 않으므로, 장치의 제작 비용을 절감할 수 있다.In addition, the present invention does not require an apparatus for aligning the orient angle of the substrate W in the substrate processing process. That is, the substrate processing apparatus 1 of the present invention does not require any configuration for aligning the orient angle of the substrate W at the time of transferring the substrate W between the processing units 40, 50, and 60. Therefore, since the substrate rotating means added to the buffer unit and the sensing sensors for detecting the notch of the substrate are not required to align the orient angle of the conventional substrate W, the manufacturing cost of the apparatus can be reduced.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한, 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description illustrates the present invention. In addition, the foregoing description shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications may be made within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, the scope equivalent to the disclosed contents, and / or the skill or knowledge in the art. The above-described embodiments illustrate the best state for implementing the technical idea of the present invention, the use of other inventions such as the present invention in other state known in the art, and the specific fields of application and uses of the invention. Various changes required are also possible. Accordingly, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed to include other embodiments.

본 발명에 따른 기판 처리 장치 및 방법은 공정시 처리유닛들 상호간에 기판을 이송할 때 기판의 노치가 기설정된 방향을 향하도록 기판을 정렬시키는 과정없이 기판을 처리할 수 있어 기판의 처리량을 향상시킨다.The substrate processing apparatus and method according to the present invention can process a substrate without the process of aligning the substrate so that the notch of the substrate faces a predetermined direction when transferring the substrates between the processing units during the process, thereby improving the throughput of the substrate. .

또한, 본 발명에 따른 기판 처리 장치 및 방법은 공정시 기판의 노치를 기설정된 방향을 향하도록 기판을 정렬시키는 수단이 구비되지 않으므로, 장치의 제작 비용을 절감한다. In addition, the substrate processing apparatus and method according to the present invention does not include a means for aligning the substrate so that the notch of the substrate faces a predetermined direction during processing, thereby reducing the manufacturing cost of the apparatus.

Claims (10)

기판을 처리하는 장치에 있어서,In the apparatus for processing a substrate, 일렬로 배치되는 로드락 챔버 및 복수의 처리유닛들, 그리고 상기 로드락 챔버 및 상기 처리유닛들 상호간 기판의 이송을 제어하는 제어부를 포함하되,A load lock chamber and a plurality of processing units arranged in a line, and the control unit for controlling the transfer of the substrate between the load lock chamber and the processing units, 상기 처리유닛들 각각은,Each of the processing units, 적어도 하나의 공정챔버와,At least one process chamber, 상기 공정챔버로 기판을 이송하는 로봇암을 가지는 트랜스퍼 챔버를 포함하고,A transfer chamber having a robot arm for transferring a substrate to the process chamber, 상기 제어부는,The control unit, 상기 로드락 챔버에 기판의 노치 또는 플랫존이 제1 방향으로 놓여지는 기판들이 상기 처리유닛들 중 상기 로드락 챔버에서 인접하게 배치되는 제1 처리유닛으로부터 시작하여 홀수 번째 위치되는 처리유닛에 제공되는 공정챔버로 이송되도록 상기 로봇암을 제어하고,Substrates in which the notch or flat zone of the substrate is placed in the first direction in the load lock chamber are provided to the processing unit which is located in the odd numbered position starting from the first processing unit disposed adjacent to the load lock chamber among the processing units. Control the robot arm to be transferred to the process chamber, 상기 로드락 챔버에 기판의 노치 또는 플랫존이 상기 제1 방향과 상이한 제2 방향으로 놓여지는 기판들이 상기 제1 처리유닛으로부터 시작하여 짝수 번째 위치되는 처리유닛에 제공되는 공정챔버로 이송되도록 상기 로봇암을 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.In the load lock chamber, the robot is placed such that substrates having a notched or flat zone of a substrate in a second direction different from the first direction are transferred to a process chamber provided to a processing unit that is even-numbered starting from the first processing unit. The substrate processing apparatus characterized by controlling an arm. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1 방향은,The first direction, 기판이 상기 로드락 챔버에 놓여졌을 때 기판의 노치 또는 플랫존이 상기 제1 처리유닛에 구비되는 로봇암을 향하는 방향이고,When the substrate is placed in the load lock chamber, the notch or flat zone of the substrate is directed toward the robot arm provided in the first processing unit, 상기 제2 방향은,The second direction, 기판이 상기 로드락 챔버에 놓여졌을 때 기판의 노치 또는 플랫존이 상기 제1 처리유닛에 구비되는 로봇암을 향하는 방향과 반대되는 방향인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And a notch or flat zone of the substrate when the substrate is placed in the load lock chamber is in a direction opposite to the direction toward the robot arm provided in the first processing unit. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 기판 처리 장치는,The substrate processing apparatus, 상기 처리유닛들 사이에 위치되는 버퍼부를 더 포함하되,Further comprising a buffer unit located between the processing units, 상기 버퍼부에는,The buffer section, 기판이 놓여지며 고정설치되는 지지부재가 제공되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.Substrate processing apparatus, characterized in that the support member is placed and fixed to the substrate is provided. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 3, 상기 기판 처리 장치는,The substrate processing apparatus, 상기 로드락 챔버와 인접하게 배치되는 이에프이엠을 더 포함하되,Further comprising an EEM is disposed adjacent to the load lock chamber, 상기 이에프이엠은,The EMP is, 복수의 기판들을 수납하는 수납부재로부터 상기 로드락 챔버로 기판을 이송하는 로봇암과,A robot arm transferring the substrate to the load lock chamber from an accommodating member accommodating a plurality of substrates; 상기 로봇암이 기판을 이송시키기 전, 기판의 노치 또는 플랫존이 상기 제1 방향 또는 상기 제2 방향을 향하도록 기판을 정렬시키는 기판 정렬기를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And a substrate aligner for aligning the substrate such that the notch or flat zone of the substrate faces the first direction or the second direction before the robot arm transfers the substrate. 일렬로 배치되는 로드락 챔버 및 복수의 처리유닛들을 구비하여 기판을 처리하되, The substrate is provided with a load lock chamber and a plurality of processing units arranged in a line, 상기 로드락 챔버에 기판의 노치 또는 플랫존이 제1 방향으로 놓여지는 기판들은 상기 처리유닛들 중 상기 로드락 챔버에서 인접하게 배치되는 제1 처리유닛으로부터 시작하여 홀수 번째 위치되는 처리유닛에 제공되는 공정챔버로 이송되고,Substrates in which the notch or flat zone of the substrate is placed in the first direction in the load lock chamber are provided to a processing unit that is located in an odd number of positions, starting from a first processing unit disposed adjacent to the load lock chamber among the processing units. Transferred to the process chamber, 상기 로드락 챔버에 기판의 노치 또는 플랫존이 상기 제1 방향과 상이한 제2 방향으로 놓여지는 기판들은 상기 제1 처리유닛으로부터 시작하여 짝수 번째 위치되는 처리유닛에 제공되는 공정챔버로 이송되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The substrate in which the notch or flat zone of the substrate is placed in a second direction different from the first direction in the load lock chamber is transferred to the process chamber provided to the processing unit positioned evenly from the first processing unit. Substrate processing method. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, wherein 상기 제1 방향과 상기 제2 방향은,The first direction and the second direction, 기판이 상기 로드락 챔버의 로봇암에 놓여졌을 때, 상기 기판의 노치 또는 플랫존이 서로 반대되는 방향이 되도록 제공되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.And when the substrate is placed on the robot arm of the load lock chamber, notches or flat zones of the substrate are provided in opposite directions to each other. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 로봇암은,The robot arm is, 공정시 기판을 안착시키는 블레이드를 구비하고,It has a blade for seating the substrate during the process, 상기 제1 방향은,The first direction, 상기 제1 처리유닛에 구비되는 로봇암의 블레이드가 기판을 이송하기 위해 상기 로드락 챔버의 기판 출입구를 통과할 때, 상기 로드락 챔버에 놓여진 기판의 노치 또는 플랫존이 상기 제1 처리유닛에 구비되는 로봇암의 블레이드를 향하는 방향이고, When the blade of the robot arm provided in the first processing unit passes through the substrate entrance and exit of the load lock chamber to transport the substrate, the notch or flat zone of the substrate placed in the load lock chamber is provided in the first processing unit. Direction toward the blade of the robot arm, 상기 제2 방향은,The second direction, 상기 기판이 상기 제1 처리유닛에 구비되는 로봇암의 블레이드에 놓여졌을 때, 상기 제1 방향과 반대되는 방향인 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.And the substrate is in a direction opposite to the first direction when the substrate is placed on a blade of the robot arm provided in the first processing unit. 제 5 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 5 to 7, 상기 처리유닛들 상호간의 기판 이송은,Substrate transfer between the processing units, 상기 기판의 오리엔트 각의 정렬을 위해 기판을 회전시키는 과정 없이 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.And a process of rotating the substrate to align the orient angle of the substrate. 제 5 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 5 to 7, 상기 처리유닛들 상호간의 기판 이송은,Substrate transfer between the processing units, 상기 처리유닛들 사이에 위치되는 버퍼부에 놓여진 기판이 상기 버퍼부로부터 상기 처리유닛으로 기판이 이송되기 전에 기판은 비회전되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.And the substrate is non-rotated before the substrate is placed in the buffer portion located between the processing units and the substrate is transferred from the buffer portion to the processing unit. 제 5 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 5 to 7, 기판의 노치 또는 플랫존이 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향으로 놓여지는 것은,The notch or flat zone of the substrate is placed in the first direction and the second direction, 상기 로드락 챔버로 기판이 이송되기 전에 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.Before the substrate is transferred to the load lock chamber.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101338229B1 (en) * 2012-01-12 2013-12-06 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 Vaccuum processing appratus
CN104882395A (en) * 2014-02-27 2015-09-02 圆益Ips股份有限公司 Substrate processing apparatus and substrate processing method

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6327517B1 (en) 2000-07-27 2001-12-04 Applied Materials, Inc. Apparatus for on-the-fly center finding and notch aligning for wafer handling robots
JP2003068819A (en) * 2001-07-16 2003-03-07 Applied Materials Inc Dual wafer load lock

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6327517B1 (en) 2000-07-27 2001-12-04 Applied Materials, Inc. Apparatus for on-the-fly center finding and notch aligning for wafer handling robots
JP2003068819A (en) * 2001-07-16 2003-03-07 Applied Materials Inc Dual wafer load lock

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101338229B1 (en) * 2012-01-12 2013-12-06 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 Vaccuum processing appratus
CN104882395A (en) * 2014-02-27 2015-09-02 圆益Ips股份有限公司 Substrate processing apparatus and substrate processing method

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