KR100839187B1 - Transfer chamber of apparatus for manufacturing semiconductor device and method for transferring substrates in the transfer chamber - Google Patents
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Abstract
Description
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 트랜스퍼 챔버들이 적용된 멀티 챔버 시스템을 보여주는 구성도이다. 1 is a block diagram showing a multi-chamber system to which transfer chambers are applied according to an embodiment of the present invention.
도 2 및 도 3은 제2트랜스퍼 챔버의 평면도와 측단면도이다. 2 and 3 are plan and side cross-sectional views of the second transfer chamber.
도 4는 제2트랜스퍼 챔버의 측단면도이다.4 is a side cross-sectional view of the second transfer chamber.
도 5a 내지 도 5d는 제2트랜스퍼 챔버에서 기판의 노치방향을 맞추는 과정을 단계적으로 보여주는 도면들이다.5A through 5D are diagrams illustrating a step of adjusting a notch direction of a substrate in a second transfer chamber.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명** Explanation of symbols for the main parts of the drawings *
110 : 인덱스110: index
120 : 로드락 챔버120: load lock chamber
130 : 반송부130: the return unit
132a : 제1트랜스퍼 챔버 132a: first transfer chamber
132b : 제2트랜스퍼 챔버132b: second transfer chamber
142 : 버퍼 챔버 142: buffer chamber
144 : 카세트144: cassette
160 : 버퍼 스테이지160: buffer stage
본 발명은 반도체 제조 설비의 트랜스퍼 챔버에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로는 기판의 노치방향을 정렬할 수 있는 반도체 제조 설비의 트랜스퍼 챔버 및 그 챔버에서의 기판 반송 방법에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a transfer chamber of a semiconductor manufacturing facility, and more particularly, to a transfer chamber of a semiconductor manufacturing facility capable of aligning a notch direction of a substrate, and a substrate transfer method in the chamber.
일반적으로, 클라스터(cluster) 시스템은 반송 로봇(또는 핸들러;handler)와 그 주위에 마련된 복수의 처리 모듈을 포함하는 멀티 챔버형 장치를 지칭한다. 최근에는, 액정 모니터 장치(LCD), 플라즈마 디스플레이 장치, 반도체 제조 장치 등에 있어서 복수의 처리를 일관해서 실행할 수 있는 클러스터 시스템의 수요가 높아지고 있다. In general, a cluster system refers to a multi-chambered device comprising a transfer robot (or handler) and a plurality of processing modules arranged around it. In recent years, the demand of the cluster system which can perform a some process consistently in a liquid crystal monitor (LCD), a plasma display apparatus, a semiconductor manufacturing apparatus, etc. is increasing.
특히, 플라즈마를 이용한 건식식각공정에서 사용되는 클라스터 시스템은, 플라즈마의 생성을 위하여 고진공환경이 요구되는 다수개의 공정챔버를 구비하고, 저진공상태의 중앙챔버 내에서 상기 다수개의 진공챔버로 웨이퍼를 로딩 및 언로딩하는 챔버내 반송장치를 구비하는 집중형 멀티챔버 시스템이다. In particular, the cluster system used in the dry etching process using plasma includes a plurality of process chambers that require a high vacuum environment for generating plasma, and transfers wafers to the plurality of vacuum chambers in a central chamber in a low vacuum state. A centralized multichamber system having an in-chamber conveying device for loading and unloading.
통상적인 반도체소자 제조용 식각설비의 멀티챔버 시스템은, 중앙에 6각형의 중앙챔버가 설치되고, 상기 중앙챔버의 각진 측면에 각각 공정이 이루어지는 4개의 공정챔버가 연결되어 설치되는 구성이다.A multichamber system of an etching apparatus for manufacturing a conventional semiconductor device has a hexagonal central chamber in the center and four process chambers in which processes are formed on each side of the central chamber are connected to each other.
그러나, 이러한 통상적인 집중형 멀티챔버 시스템은, 상술한 바와 같이 6각형의 중앙챔버를 구성하는 데 있어서(기본적으로 4개의 공정챔버와 2개의 로드락챔버로 구성되는 경우), 중앙챔버가 차지하는 면적 때문에 설비전체의 면적은 물론, 제조 라인 내의 설비배치에 있어서 중시되는 설비폭(w)이 필요이상으로 증가되고, 중앙챔버를 진공상태로 유지시키는 데 필요한 진공설비의 규모가 증가되어 장치비 및 설치비가 증가된다. However, such a conventional centralized multichamber system, as described above, constitutes a hexagonal central chamber (when basically composed of four process chambers and two load lock chambers), the area occupied by the central chamber. As a result, the installation width (w), which is important in the arrangement of equipment in the manufacturing line, as well as the entire area of the equipment, is increased more than necessary, and the size of the vacuum equipment required to keep the central chamber in vacuum is increased, thereby increasing the equipment cost and installation cost. Is increased.
또한, 이러한 중앙챔버의 면적은, 설치되는 공정챔버의 갯수가 증가함에 따라서 더욱 가중되는 것이다. 예를 들면 설치되는 동일크기의 공정챔버를 4개에서 6개로 증가시키려면 중앙챔버를 정8각형으로 구성하여야 하고,이 경우 중앙챔버의 면적증가는 더욱 증대된다. 때문에, 필요한 공정챔버의 갯수가 증가하면 상기와 같은 집중형 멀티챔버 시스템을 하나 더 추가하여 설치하게 된다.In addition, the area of the central chamber is further increased as the number of process chambers installed increases. For example, to increase the number of process chambers of the same size from four to six, the central chamber should be composed of a regular octagon, and in this case the area increase of the central chamber is further increased. Therefore, when the number of process chambers required increases, one more centralized multichamber system is installed.
그러나, 고가인 집중형 멀티챔버 시스템을 구입하는 구입비 및 설치비가 과중하게 소요되고, 필요이상으로 설비의 면적이 넓어지므로 설비의 바닥면적(Footprint)이 증가하여 고가의 유지비가 소요되는 청정실을 넓게 차지하게 되고, 공정챔버나 로드락챔버에 부설되는 각종의 공정가스 및 진공관련장치들이 중복되는 등의 문제점이 있었다. However, the purchase cost and installation cost of purchasing expensive intensive multichamber system are excessively increased, and the area of the facility is expanded more than necessary, so the footprint of the facility is increased, thus occupying a large clean room requiring expensive maintenance cost. In addition, various process gases and vacuum-related devices installed in the process chamber or the load lock chamber are overlapped.
그리고, 트랜스퍼 챔버가 다단으로 붙는 인라인 시스템의 경우에는 제1트랜스퍼 챔버에서의 기판 노치 방향과 제2트랜스퍼 챔버에서의 기판 노치 방향이 반대가 된다. 이러한 기판의 노치방향을 맞추기 위해서는 버퍼챔버에서 기판의 방향을 180도 바꾸어주는 정렬장치가 별도로 요구된다. 특히, 진공상태에서 기판의 방향을 바꾸다 보면 기판의 슬라이딩 현상이 발생되고, 기판의 회전 속도의 한계로 인한 스루풋이 저하되는 문제점이 발생된다.In the case of the inline system in which the transfer chamber is attached in multiple stages, the substrate notch direction in the first transfer chamber and the substrate notch direction in the second transfer chamber are reversed. In order to match the notch direction of the substrate, an alignment device for changing the direction of the substrate by 180 degrees in the buffer chamber is separately required. In particular, when the direction of the substrate is changed in a vacuum state, a sliding phenomenon of the substrate occurs, and a problem occurs that throughput is reduced due to the limitation of the rotational speed of the substrate.
본 발명은 반송장치의 회전을 이용하여 기판의 노치 방향을 맞출 수 있는 새로운 형태의 반도체 제조 설비의 트랜스퍼 챔버 및 그 챔버에서의 기판 반송 방법을 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a transfer chamber of a new type of semiconductor manufacturing equipment capable of aligning the notch direction of a substrate by using a rotation of the transfer apparatus, and a substrate transfer method in the chamber.
또한, 본 발명은 기판의 노치 방향을 맞출 때 기판의 슬라이딩이 발생되지 않는 반도체 제조 설비의 트랜스퍼 챔버 및 그 챔버에서의 기판 반송 방법을 제공하는데 있다.In addition, the present invention provides a transfer chamber of a semiconductor manufacturing facility in which sliding of the substrate does not occur when the notch direction of the substrate is aligned, and a substrate transfer method in the chamber.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 의하면, 반도체 제조 설비의 트랜스퍼 챔버는 버퍼 챔버와 공정 챔버로 통하는 출입구를 갖는 하우징; 상기 하우징에 설치되며, 기판 반송을 위한 반송로봇; 및 상기 하우징의 상부에 설치되며 상기 반송로봇에 의해 반송되는 기판이 일시적으로 놓여지는 버퍼 스테이지를 포함한다.According to a feature of the present invention for achieving the above object, a transfer chamber of a semiconductor manufacturing facility includes a housing having an entrance to the buffer chamber and a process chamber; A transport robot installed in the housing for transporting a substrate; And a buffer stage installed at an upper portion of the housing and temporarily placing a substrate conveyed by the transport robot.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 버퍼 스테이지는 상기 반송로봇에 의해 기판이 놓여지는 입구와, 상기 반송로봇에 의해 기판이 인출되는 출구가 마주보도록 제공된다. According to an embodiment of the present invention, the buffer stage is provided such that an inlet at which the substrate is placed by the transfer robot and an outlet at which the substrate is drawn out by the transfer robot face each other.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 반송로봇은 180도 회전된다.According to an embodiment of the present invention, the transport robot is rotated 180 degrees.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 반송로봇은 상기 버퍼 스테이지에 기판을 올려놓은 후에는 반대방향에서 상기 버퍼 스테이지로부터 기판을 인출하도록 180도 회전된다.According to an embodiment of the invention, the carrier robot is rotated 180 degrees to withdraw the substrate from the buffer stage in the opposite direction after placing the substrate on the buffer stage.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 의하면, 반도체 제조 설비의 트랜스퍼 챔버에서의 기판 반송방법은 버퍼 챔버로부터 기판을 인출하는 단계; 기판의 노치방향을 정렬하는 단계; 기판의 노치방향에 대한 정렬을 마친 기판을 공정챔버로 로딩하는 단계를 포함한다.According to a feature of the present invention for achieving the above object, a substrate transfer method in a transfer chamber of a semiconductor manufacturing facility comprises the steps of: withdrawing a substrate from a buffer chamber; Aligning the notch direction of the substrate; And loading the substrate, which has been aligned with the notch direction of the substrate, into the process chamber.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 정렬 단계는 반송로봇이 제1방향에서 상기 트랜스퍼 챔버의 상부에 설치된 버퍼 스테이지로 기판을 올려놓는 단계; 상기 반송로봇이 제2방향에서 상기 버퍼 스테이지로부터 기판을 인출하는 단계를 포함한다.According to an embodiment of the present invention, the step of aligning includes the steps of placing a substrate on a buffer stage installed on top of the transfer chamber by a carrier robot in a first direction; The carrier robot withdrawing the substrate from the buffer stage in a second direction.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 정렬 단계는 반송로봇이 제1방향에서 상기 트랜스퍼 챔버의 상부에 설치된 버퍼 스테이지로 기판을 올려놓는 단계; 상기 반송로봇을 180도 회전시키는 단계; 상기 반송로봇이 상기 제1방향과는 정반대되는 제2방향에서 상기 버퍼 스테이지로부터 기판을 인출하는 단계를 포함한다.According to an embodiment of the present invention, the step of aligning includes the steps of placing a substrate on a buffer stage installed on top of the transfer chamber by a carrier robot in a first direction; Rotating the
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 의하면, 반도체 제조 설비의 트랜스퍼 챔버에서의 기판 반송방법은 상기 트랜스퍼 챔버에 설치된 반송로봇이 버퍼 챔버로부터 기판을 인출하여 상기 트랜스퍼 챔버의 상부에 설치된 버퍼 스테이지로 기판을 올려놓는 단계; 상기 반송로봇이 기판을 올려놓는 방향과는 정반대되는 방향에서 상기 버퍼 스테이지로부터 기판을 인출하는 단계; 기판을 공정챔버로 로딩하는 단계를 포함한다.According to a feature of the present invention for achieving the above object, the substrate transfer method in the transfer chamber of the semiconductor manufacturing equipment is a buffer stage installed in the upper portion of the transfer chamber by the transfer robot installed in the transfer chamber withdraws the substrate from the buffer chamber Placing the substrate into the furnace; Withdrawing the substrate from the buffer stage in a direction opposite to the direction in which the carrier robot places the substrate; Loading the substrate into the process chamber.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 반송로봇이 상기 버퍼 스테이지로 기판을 올려놓는 방향과, 상기 버퍼 스테이지로부터 기판을 인출하는 방향이 정반대다. According to the embodiment of the present invention, the direction in which the carrier robot puts the substrate on the buffer stage and the direction in which the substrate is taken out from the buffer stage are opposite.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 반송로봇은 상기 버퍼 스테이지에 기판을 올려놓은 후에는 반대방향에서 상기 버퍼 스테이지로부터 기판을 인출하도록 180도 회전된다.According to an embodiment of the invention, the carrier robot is rotated 180 degrees to withdraw the substrate from the buffer stage in the opposite direction after placing the substrate on the buffer stage.
예컨대, 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예로 인해 한정되어 지는 것으로 해석되어져서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다. For example, embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited by the embodiments described below. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the shape of the elements in the drawings and the like are exaggerated to emphasize a clearer description.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면 도 1 내지 도 5d를 참조하면서 보다 상세히 설명한다. 상기 도면들에 있어서 동일한 기능을 수행하는 구성요소에 대해서는 동일한 참조번호가 병기되어 있다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to FIGS. 1 to 5D. In the drawings, the same reference numerals are given to components that perform the same function.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 트랜스퍼 챔버들이 적용된 멀티 챔버 시스템을 보여주는 구성도이다. 1 is a block diagram showing a multi-chamber system to which transfer chambers are applied according to an embodiment of the present invention.
도 1을 참조하면, 멀티 챔버 시스템(100)은 인덱스(110), 로드락챔버(120), 반송부(130) 그리고 반송부(130)에 연결된 6개의 공정챔버(150)들을 포함한다. Referring to FIG. 1, the
인덱스(110)는 멀티 챔버 시스템(100)의 전방에 배치된다. 인덱스(110)는 기판들이 적재된 풉(front open unified pod, FOUP;일명 캐리어)(112)이 안착되는 그리고 풉(112)의 덮개를 개폐하는 3개의 풉 오프너(이하, 로드 포트라고도 함)(114) 와, 대기압에서 동작되는 대기압 반송 로봇(116)을 포함한다. 풉(112)은 생산을 위한 일반적인 로트(lot)용 캐리어로써, 물류 자동화 장치(예를 들어, OHT, AGV, RGV)에 의하여 로드 포트에 안착된다. 인덱스는 최근 300mm 웨이퍼 반송 장치로 많이 사용되는 설비 전방 단부 모듈(equipment front end module, 이하 EFEM) 또는 로드락 챔버라고 불리는 인터페이스이다.
대기압 반송 로봇(116)은 로드포트(114)와 로드락 챔버(120) 사이에서 기판을 반송하기 위해 동작할 수 있는 것이다. 대기압 반송 로봇(116)은 로드 포트(114)에 놓여진 풉(112)으로부터 일회 동작에 한 장의 기판을 반출하여 로드락 챔버(120)의 카세트(122)에 반입할 수 있는 1개의 암 구조를 갖는 로봇으로 구성될 수 있다. 인덱스(110)에 설치되는 대기압 반송 로봇(116)은 본 실시예에서 보여주는 싱글 암 구조의 방식 이외에도 통상적인 반도체 제조 공정에서 사용되는 다양한 로봇들이 사용될 수 있다. 예를 들어, 두 장의 기판을 하나의 암으로 핸들링 할 수 있는 더블 블레이드 구조의 암을 구비한 로봇이나, 2개 이상의 암을 구비한 로봇 또는 이들을 혼합적으로 채용한 로봇이 사용될 수 있다. The
로드락 챔버(120)는 일측이 하나의 게이트밸브(180)에 의해 인덱스(110)에 접속되고, 타측은 다른 하나의 게이트밸브(180)에 의해 반송부(130)의 제1트랜스퍼 챔버(132a)와 접속된다. 로드락 챔버(120)는 제1트랜스퍼 챔버(132a)의 반송로봇(140)이 기판을 로딩 또는 언로딩하는 시기에 제1트랜스퍼 챔버(132a)와 동일한(근접한) 진공분위기를 형성하며, 인덱스(110)로부터 미가공 기판을 공급받거나 이미 가공된 기판을 인덱스(110)로 반송시키게 될 때에는 대기압 상태로서 전환된다. 즉, 로드락 챔버(120)는 제1트랜스퍼 챔버(132a)의 기압상태가 변화되는 것을 방지시키기 위해 그 자체적으로 진공 상태와 대기압 상태를 교차하면서 압력을 유지하게 되는 특징이 있다. 로드락챔버(120)는 기판들이 임시 대기하는 카세트를 구비한다. One side of the
반송부(130)는 기판 반송이 이루어지는 공간으로 복수의 트랜스퍼 챔버들이 직렬로 배치된 구조로 이루어진다. 본 실시예에서는 제1트랜스퍼 챔버(132a)와 제2트랜스퍼 챔버(132b) 그리고 제3트랜스퍼 챔버(132c)가 직렬로 배치된 구조를 예를 들어 설명한다. 반송부(130)는 트랜스퍼 챔버들(132a,132b,132c) 사이에 게이트밸브를 설치하지 않고 제1트랜스퍼 챔버(132a), 제2트랜스퍼 챔버(132b) 그리고 제3트랜스퍼 챔버(132c)를 일체적으로 연결한다. 즉, 반송부(130)는 제1,2,3트랜스퍼 챔버(132a,132b,132c) 전체를 둘러싸는 하나의 큰 챔버로 이루어진다고 볼 수 있다. 이 경우에는 제1,2,3트랜스퍼 챔버(132a,132b,132c) 각각에 진공펌프를 포함하는 배기 시스템을 설치할 필요가 없고, 제1,2,3트랜스퍼 챔버(132a,132b,132c) 중 어느 하나에만 배기 시스템을 설치하면 되기 때문에 비용의 삭감을 도모할 수 있다.The
이와 같은 구조를 갖는 멀티 챔버 시스템(100)은 제3트랜스퍼 챔버 옆으로 트랜스퍼 챔버를 추가 연결하고, 추가로 연결된 트랜스퍼 챔버의 양측에 공정챔버를 연결 배치하는 것으로 공정챔버의 증설이 이루어질 수 있다. 따라서, 기존의 중앙 집중형 멀티챔버 시스템에 비해 공정챔버의 증설이 용이하다. 특히, 본 발명의 멀티 챔버 시스템(100)은 기존의 중앙 집중형 시스템과 비교하면, 설비의 폭을 최소화할 수 있게 된다. 따라서, 설비면적은 통상적인 멀티챔버 시스템과 비교하여 월등하게 축소될 뿐만 아니라, 설비를 더욱 콤팩트(compact)하게 구성할 수 있는 것이다. In the
여기서, 상기 공정 챔버(150)들은 인터커넥트 구조들을 형성하기 위해 절연막에 애퍼쳐(aperture)들이나 개구들을 에치하도록 구성된 식각 챔버로 설명하였으나, 그 외에도 다양한 기판 프로세싱 작동들을 수행하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 공정 챔버는 절연막을 증착시키도록 구성된 CVD 챔버일 수 있고; 공정 챔버는 장벽(barrier) 막을 증착시키도록 구성된 PVD 챔버일 수 있다. Although the
다시 도 1을 살펴보면, 제1트랜스퍼 챔버(132a), 제2트랜스퍼 챔버(132b) 그리고 제3트랜스퍼 챔버(132c) 각각은 게이트밸브(180)를 통해 2개의 공정챔버(150)가 접속되며, 제1트랜스퍼 챔버(132a)와 제2트랜스퍼 챔버(132b) 사이 그리고 제2트랜스퍼 챔버(132b)와 제3트랜스퍼 챔버(132c) 사이에는 반송로봇(140) 간의 기판 인계(주고받음)가 직접 이루어지지 못하기 때문에 기판 패스를 위해 기판이 일시적으로 머무르는 버퍼 챔버(142)가 구비된다. Referring again to FIG. 1, two
한편, 제1트랜스퍼 챔버(132a), 제2트랜스퍼 챔버(132b) 그리고 제3트랜스퍼 챔버(132c)에서는 반송장치(140)의 회전을 이용하여 기판의 노치 방향을 맞출 수 있는 구조적인 특징을 갖는다. 제1,2,3트랜스퍼 챔버(132a,132b,132c)는 모두 동일한 구성을 이루어지며, 아래에서는 제2트랜스퍼 챔버를 대표하여 설명하기로 한다.On the other hand, the
도 2 및 도 3 그리고 도 4는 제2트랜스퍼 챔버(132b)의 평면도와 측단면도들이다. 2, 3 and 4 are top and side cross-sectional views of the
제2트랜스퍼 챔버(132b)는 하우징 내부에 기판 반송에 필요한 반송로봇(140)과, 하우징의 천장에 기판이 일시적으로 놓여질 수 있는 버퍼 스테이지(160)가 제공된다. 즉, 버퍼 스테이지(160)는 반송로봇(140)이 180도 회전하는 동안 일시적으로 기판(w)이 놓여지는 곳이다. 버퍼 스테이지(160)는 챔버 중앙에 위치되는 것이 바람직하며, 반송로봇(140)에 의해 기판이 놓여지는 입구(162)와, 반송로봇(140)에 의해 기판이 인출되는 출구(164)가 서로 마주보도록 제공되어야 한다. 그리고, 반송로봇(140)은 버퍼 스테이지(160)의 입구(162)측을 통해 기판(W)을 올려놓고, 180도 회전한 후 버퍼 스테이지(160)의 출구(164)측을 통해 기판을 인출하는 과정을 통해 기판의 노치(n) 방향을 맞추게 된다. 반송로봇(140)은 이러한 동작을 위해 180도 회전될 수 있고, 높낮이 조절될 수 있다.The
상술한 바와 같은 구성으로 이루어지는 본 발명의 트랜스퍼 챔버(132a,132b,132c)들은 천장에 설치된 버퍼 스테이지(160)에 기판(w)을 올려놓고 반송로봇(140)을 180도 회전시켜 버퍼 스테이지(160)에 놓여진 기판(w)을 반대측에서 인출함으로써 기판의 노치(n)방향을 맞추게 된다. 이러한 방식은 기판 회전을 통해 노치방향을 맞추는 방법에 비해 기판의 슬립 현상이 없기 때문에 속도와 안정성을 동시에 확보할 수 있는 각별한 효과를 갖는다. 또한, 트랜스퍼 챔버 천장에 설치되는 간단한 버퍼 스테이지를 이용함으로써 기존의 버퍼챔버에서 카세트 회전을 위해 추가되는 비용을 절감할 수 있는 각별한 효과를 갖는다. The
도 5a 내지 도 5d는 제2트랜스퍼 챔버에서 기판의 노치방향을 맞추는 과정을 단계적으로 보여주는 도면들이다.5A through 5D are diagrams illustrating a step of adjusting a notch direction of a substrate in a second transfer chamber.
도 5a에 도시된 바와 같이, 반송로봇(140)은 제1트랜스퍼 챔버(132a)와 제2트랜스퍼 챔버(132b) 사이에 위치한 버퍼챔버(142)로부터 기판을 인출한다. 그리고 반송로봇(140)은 하우징 천장에 설치된 버퍼 스테이지(160)의 입구(162)측을 통해 기판(w)을 올려놓는다. 이때, 도 5b에 도시된 바와 같이, 반송로봇(140)은 제1방향(a)에서 버퍼 스테이지(160)의 입구(162)측을 통해 기판을 올려놓는다. 그런 다음, 반송로봇(140)은 180도 회전을 통해 방향을 바꾼다(도 5c 참조). 그리고 반송로봇(140)은 제2방향(b)에서 버퍼 스테이지(160)의 출구(164)측을 통해 기판(w)을 인출하면 기판(w)의 노치방향이 바꿔지게 된다(도 5d 참조). 이렇게 기판(w)의 노치방향을 맞춘 상태에서 반송로봇(140)은 제2트랜스퍼 챔버(132b)에 연결된 공정챔버(150)로 기판(w)을 로딩하게 된다. 마찬가지로, 제3트랜스퍼 챔버(132c)에서도 제2트랜스퍼 챔버(132b)에서와 같은 방법으로 기판의 노치방향을 맞출 수 있다.As shown in FIG. 5A, the
이상에서, 본 발명에 따른 트랜스퍼 챔버의 구성 및 작용을 상기한 설명 및 도면에 따라 도시하였지만 이는 예를 들어 설명한 것에 불과하며 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화 및 변경이 가능함은 물론이다.In the above, the configuration and operation of the transfer chamber according to the present invention is shown in accordance with the above description and drawings, but this is merely described, for example, and various changes and modifications are possible without departing from the spirit of the present invention. to be.
이와 같은 본 발명은 반송장치의 회전을 이용하여 기판의 노치 방향을 맞추기 때문에 기판 회전을 통해 노치방향을 맞추는 방법에 비해 속도와 안정성을 동시에 확보할 수 있는 각별한 효과를 갖는다. Such the present invention has a special effect of ensuring the speed and stability at the same time as compared to the method of adjusting the notch direction through the rotation of the substrate to adjust the notch direction of the substrate using the rotation of the conveying device.
본 발명은 트랜스퍼 챔버 천장에 설치되는 간단한 버퍼 스테이지를 이용함으로써 기존의 버퍼챔버에서 카세트 회전을 위한 회전장치 설치시 추가되는 비용을 절감할 수 있는 각별한 효과를 갖는다. The present invention has a special effect of reducing the cost added to the installation of a rotating device for rotating the cassette in the existing buffer chamber by using a simple buffer stage installed on the ceiling of the transfer chamber.
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Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1020070018545A KR100839187B1 (en) | 2007-02-23 | 2007-02-23 | Transfer chamber of apparatus for manufacturing semiconductor device and method for transferring substrates in the transfer chamber |
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Cited By (2)
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KR101005887B1 (en) * | 2008-11-26 | 2011-01-06 | 세메스 주식회사 | Equipment for treating substrate |
CN109656104A (en) * | 2018-12-26 | 2019-04-19 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | A kind of base plate exposure method and device |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05243366A (en) * | 1991-09-10 | 1993-09-21 | Tokyo Electron Yamanashi Kk | Vacuum treatment apparatus |
KR20010081006A (en) * | 1998-11-17 | 2001-08-25 | 히가시 데쓰로 | Vacuum processing system |
-
2007
- 2007-02-23 KR KR1020070018545A patent/KR100839187B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05243366A (en) * | 1991-09-10 | 1993-09-21 | Tokyo Electron Yamanashi Kk | Vacuum treatment apparatus |
KR20010081006A (en) * | 1998-11-17 | 2001-08-25 | 히가시 데쓰로 | Vacuum processing system |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101005887B1 (en) * | 2008-11-26 | 2011-01-06 | 세메스 주식회사 | Equipment for treating substrate |
CN109656104A (en) * | 2018-12-26 | 2019-04-19 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | A kind of base plate exposure method and device |
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