KR100837547B1 - Target Assembly Alignment Structure of Physical Vapor Deposition Apparatus - Google Patents

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KR100837547B1 KR1020030100974A KR20030100974A KR100837547B1 KR 100837547 B1 KR100837547 B1 KR 100837547B1 KR 1020030100974 A KR1020030100974 A KR 1020030100974A KR 20030100974 A KR20030100974 A KR 20030100974A KR 100837547 B1 KR100837547 B1 KR 100837547B1
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    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target

Abstract

본 발명은 물리기상증착장치의 타겟 어셈블리 정렬구조에 관한 것으로, 타겟 어셈블리를 챔버의 상부에 안치할 때, 올바르게 정렬될 수 있도록 한 것이다. The present invention relates to a target assembly alignment structure of a physical vapor deposition apparatus, so that when the target assembly is placed on the upper portion of the chamber, it can be properly aligned.

본 발명의 구성은 소정크기를 가지는 챔버와, 이 챔버의 상부에 안치되는 타겟 어셈블리로 이루어진 물리기상증착장치에 있어서, 상기 챔버의 일측에는 끼움부가 형성되고, 상기 타겟 어셈블리의 일면에는 상기 끼움부에 끼워져 정위치에 안착될 수 있도록 하는 끼움돌기가 형성된 구조이다.In the configuration of the present invention, a physical vapor deposition apparatus including a chamber having a predetermined size and a target assembly placed on an upper portion of the chamber, wherein a fitting portion is formed at one side of the chamber, and the fitting portion is formed at one surface of the target assembly. The fitting protrusion is formed to be fitted to be seated in place.

이러한 구성을 가지는 본 발명은 타겟 어셈블리를 챔버의 상부에 정확하게 안착할 수 있어 종래와 같이 챔버의 누설현상을 방지할 수 있어 증착과정을 양호하게 실시할 수 있고, 전압관련한 에러발생율을 감소시킬수 있도록 한 것이다.The present invention having such a configuration can be accurately seated on the upper part of the chamber to prevent the leakage of the chamber as in the prior art can perform a good deposition process, it is possible to reduce the voltage-related error occurrence rate will be.

반도체, 기판, 챔버, PVD, 증착, 끼움돌기, 끼움부, 정렬, 어긋남, 실린더Semiconductor, Substrate, Chamber, PVD, Deposition, Fittings, Fittings, Alignment, Mismatch, Cylinders

Description

물리기상증착장치의 타겟 어셈블리 정렬구조{Target Assembly Alignment Structure of Physical Vapor Deposition Apparatus}Target Assembly Alignment Structure of Physical Vapor Deposition Apparatus}

도 1은 종래의 물리기상증착장치의 개략도1 is a schematic diagram of a conventional physical vapor deposition apparatus

도 2는 종래의 타겟어셈블리가 챔버에 정확하게 정렬되지 못함을 나타낸 설명도2 is an explanatory diagram showing that the conventional target assembly is not aligned correctly in the chamber;

도 3은 본 발명에 따른 정렬구조를 나타낸 개략도3 is a schematic view showing an alignment structure according to the present invention

도 4는 본 발명에 따른 정렬구조를 나타낸 도 3의 평면도Figure 4 is a plan view of Figure 3 showing an alignment structure according to the invention

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 * Explanation of symbols on the main parts of the drawings

2 : 챔버2: chamber

2a : 끼움부2a: fitting

4 : 타겟어셈블리4: target assembly

4a : 끼움돌기4a: fitting

6 : 히터6: heater

8 : 기판8: substrate

10 : 공압실린더10: pneumatic cylinder

11 : 실린더본체11: cylinder body

12 : 피스톤로드 12: piston rod                 

13 : 연결구13 connector

14 : 지지대14: support

본 발명은 물리기상증착장치의 타켓 어셈블리 정렬장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 타겟 어셈블리를 챔버의 상부에 안치할 때, 올바르게 정렬될 수 있도록 한 것이다. The present invention relates to a target assembly aligning apparatus of the physical vapor deposition apparatus, and more particularly, when the target assembly is placed on the upper portion of the chamber, it can be aligned correctly.

일반적으로, 반도체 제조공정중에서 금속 박막을 형성하기 위한 물리기상증착(Physical Vapor Deposition Apparatus, 이하 "PVD"라 함)공정이 있는바, 이 공정에 사용되는 증착장치는 첨부된 예시도면 도 1에 도시된 바와 같이, 소정크기를 가지는 챔버(2)와, 이 챔버(2)의 상부에 구비되는 타겟어셈블리(4)로 이루어진다.In general, there is a physical vapor deposition (PVD) process for forming a metal thin film during the semiconductor manufacturing process, the deposition apparatus used in this process is shown in the accompanying drawings, Figure 1 As described above, the chamber 2 includes a chamber 2 having a predetermined size and a target assembly 4 provided above the chamber 2.

상기 타겟어셈블리(4)는 반도체 기판 표면에 증착을 위한 알루미늄과 같은 고체금속으로 이루어진 타겟과, DC전원 인가부, 냉각용 초순수 공급부, 마그네트 등을 포함하여 구성되어 있다. The target assembly 4 includes a target made of a solid metal such as aluminum for deposition on a semiconductor substrate surface, a DC power supply unit, an ultrapure water supply unit for cooling, a magnet, and the like.

또한, 상기 챔버(2)의 내부에는 히터(6)가 구비되고, 이 히터(6)위에는 증착하고자 하는 반도체 기판(8)이 구비된다. In addition, a heater 6 is provided inside the chamber 2, and a semiconductor substrate 8 to be deposited is provided on the heater 6.

이러한 PVD장치에서 상기 타겟어셈블리(4)를 챔버(2)의 상부에 안치하고자 하는 경우에는 챔버(2)의 일측으로 이동수단이 설치된다. 이 이동수단으로서는 공 압실린더(10)를 사용하는바, 이 공압실린더(10)는 고정설치되는 실린더본체(11)와, 이 실린더본체(11)내에서 왕복운동을 하는 피스톤로드(12)와, 이 피스톤로드(12)상에 결합된 연결구(13)와, 이 연결구(13)와 일체로 연결되면서 일측으로 연장되어 타겟어셈블리(4)의 양측면에 연결,고정되는 지지대(14)로 이루어져 있다. 이 지지대(14)는 타겟어셈블리(4)와 분리가능하도록 나사와 같은 체결수단에 의해 결합되어 있다. In such a PVD apparatus, when the target assembly 4 is to be placed on the upper portion of the chamber 2, a moving means is installed at one side of the chamber 2. As the moving means, a pneumatic cylinder 10 is used. The pneumatic cylinder 10 includes a cylinder body 11 fixedly mounted, a piston rod 12 reciprocating in the cylinder body 11, and , The connector 13 coupled to the piston rod 12, and the support 14 which is connected to both sides of the target assembly 4 is extended to one side and integrally connected to the connector 13, and fixed. . The support 14 is coupled by fastening means such as screws to be detachable from the target assembly 4.

따라서, 이러한 이동수단을 갖춘 종래의 장치에서는 타겟어셈블리(4)를 소정위치에서 해당 챔버(2)의 상부에 안치하기 위해 피스톤로드(12)를 중심축으로 하여 공압실린더(10)를 로테이션을 시키고, 해당 챔버(2)의 상부에 위치하게되면, 상기 피스톤로드(12)의 하강동작에 의해 하강하여 안치되도록 한 것이다. Therefore, in the conventional apparatus having such a moving means, the pneumatic cylinder 10 is rotated around the piston rod 12 in order to set the target assembly 4 on the upper portion of the chamber 2 at a predetermined position. , If it is located in the upper portion of the chamber 2, it is to be lowered and settled by the lowering operation of the piston rod 12.

그런데, 이송수단인 공압실린더(10)의 로테이션 동작시, 타겟어셈블리(4)가 해당 챔버(2)의 상부 정위치에 정확하게 도달하여야 하는데, 이러한 도달위치가 정확하게 이루어지지 않고 약간 어긋난 상태로 위치하게 되는 경우가 발생하였다. By the way, during the rotation operation of the pneumatic cylinder 10, which is a conveying means, the target assembly 4 should accurately reach the upper right position of the chamber 2, such that the reaching position is not made accurately but positioned slightly shifted. Occurred.

그에따라 도 2에 도시된 바와 같이, 타겟어셈블리(4)가 챔버(2)에 대하여 정위치보다 약간 어긋난 상태로 위치하게 된다. Accordingly, as shown in FIG. 2, the target assembly 4 is positioned slightly offset from the home position with respect to the chamber 2.

그러면, 증착과정등 후속 작업시, 누설현상이 발생하거나 또는 DC전압과 관련하여 에러가 발생할 우려가 높아지는 등의 문제점이 있었다. Then, there is a problem that, in subsequent work such as a deposition process, a leakage phenomenon or an error related to DC voltage increases.

본 발명은 상기와 같은 문제를 해결하기 위하여 발명된 것으로서, 본 발명의 목적은, 증착을 위한 타겟 어셈블리가 챔버의 상면에 정확하게 안치되도록 한 물리기상증착장치의 타겟 어셈블리 정렬구조를 제공함에 있다. The present invention has been invented to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a target assembly alignment structure of the physical vapor deposition apparatus so that the target assembly for deposition is accurately placed on the upper surface of the chamber.

상술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에서는 소정크기를 가지는 챔버와, 이 챔버의 상부에 안치되는 타겟 어셈블리로 이루어진 물리기상증착장치에 있어서, 상기 챔버의 일측에는 끼움부가 형성되고, 상기 타겟 어셈블리의 일면에는 상기 끼움부에 끼워져 정위치에 안착될 수 있도록 하는 끼움돌기가 형성된 것을 기술적 특징으로 한다.In order to achieve the above object, in the present invention, in the physical vapor deposition apparatus comprising a chamber having a predetermined size and a target assembly placed on an upper portion of the chamber, a fitting portion is formed at one side of the chamber, and one surface of the target assembly is provided. Is characterized in that the fitting projection is formed so that it can be seated in place in the fitting portion.

이하, 첨부된 예시도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명한다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

상기 종래기술과 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 부호를 부여하여 설명하고, 새로운 구성요소에 대해서는 새로운 부호를 부여하여 상세하게 설명한다. The same components as in the prior art will be described with the same reference numerals, and the new components will be described with the new reference numerals in detail.

도 3은 본 발명에 따른 정렬구조를 나타낸 개략도이다. 종래와 마찬가지로 소정크기를 가지는 챔버(2)와, 이 챔버(2)의 상면에 안치되는 타겟 어셈블리(4)가 구비되어 있다.3 is a schematic view showing an alignment structure according to the present invention. As in the prior art, a chamber 2 having a predetermined size and a target assembly 4 placed on an upper surface of the chamber 2 are provided.

이 타겟 어셈블리(4)를 챔버(2)의 상부에 이동시켜서 안치시킬 수 있도록 하는 이동수단이 구비되는바, 이 이동수단은 공압실린더(10)로 이루어져 있는바, 이 공압실린더(10)는 실린더본체(11)와, 이 실린더본체(11)이 내부에서 왕복운동을 한는 피스톤로드(12)와, 이 피스톤로드(12)상에 결합된 연결구(13)와, 이 연결구(13)와 일체로 연결되면서 일측으로 연장되어 타겟어셈블리(4)의 양측면에 연결,고정되는 지지대(14)로 이루어져 있다. 이 지지대(14)는 타겟어셈블리(4)와 분리가능하도록 나사와 같은 체결수단에 의해 결합되어 있다. A moving means is provided to move the target assembly 4 to the upper part of the chamber 2, and the moving means is composed of a pneumatic cylinder 10. The pneumatic cylinder 10 is a cylinder The main body 11, the piston rod 12 in which the cylinder body 11 reciprocates inward, the coupling end 13 coupled to the piston rod 12, and the coupling end 13 It is connected to both sides of the target assembly 4 is extended to one side while being connected is composed of a support (14). The support 14 is coupled by fastening means such as screws to be detachable from the target assembly 4.

여기서, 본 발명은 상기 챔버(2)의 일측면에 끼움부(2a)가 형성되고, 상기 타겟어셈블리(4)를 이루고 있는 바디부에 상기 끼움부(2a)에 끼워질 수 있도록 하는 끼움돌기(4a)가 형성되어 있다. Here, the present invention is a fitting portion (2a) is formed on one side of the chamber 2, the fitting protrusion to be fitted to the fitting portion (2a) to the body portion constituting the target assembly (4) ( 4a) is formed.

상기 끼움부(2a)는 "U"자형으로 형성되어 내부에 공간을 가지도록 하여 상기 끼움돌기(4a)가 용이하게 삽입되어 안착되도록 오목하게 들어간 홈의 형태를 취하고 있다. The fitting portion 2a is formed in a “U” shape to have a space therein, so that the fitting protrusion 4a is easily recessed to be inserted and seated.

도면중 미설명부호 20은 타겟이다. In the drawing, reference numeral 20 is a target.

이러한 구성을 가지는 본 발명은 이동수단인 공압실린더(10)의 회전동작에 의해 타겟어셈블리(4)를 챔버(2)의 상부에 위치이동시키고, 이어서 하강동작에 의해 챔버(2)의 상면에 안착시킨다. 이때, 챔버(2)의 일측면에 형성된 끼움부(2a)에 타겟어셈블리(4)의 끼움돌기(4a)가 삽입되면, 정위치가 설정된 것이므로, 양호한 안착상태를 유지할 수 있다. According to the present invention having such a configuration, the target assembly 4 is moved to an upper portion of the chamber 2 by the rotational operation of the pneumatic cylinder 10, which is a moving means, and then, the target assembly 4 is seated on the upper surface of the chamber 2 by the lowering operation. Let's do it. At this time, when the fitting protrusion 4a of the target assembly 4 is inserted into the fitting portion 2a formed on one side of the chamber 2, since the correct position is set, it is possible to maintain a good seating state.

만일, 상기 타겟어셈블리(4)가 챔버(2)의 상면에 정위치가 아닌 경우에는 타겟어셈블리(4)의 끼움돌기(4a)가 챔버(2)의 끼움부(2a)에 정확하게 끼워지지 않게되므로, 완전한 안착상태가 되지 않아 재조정을 해야한다. If the target assembly 4 is not in the correct position on the upper surface of the chamber 2, the fitting protrusion 4a of the target assembly 4 may not be correctly fitted to the fitting portion 2a of the chamber 2. However, it will not be fully seated and must be readjusted.

따라서, 항상 챔버의 상부에 타겟어셈블리를 안치할때에는 정렬상태가 양호한 안착상태를 유지할 수 있는 것이다. Therefore, when the target assembly is always placed on the upper part of the chamber, it is possible to maintain a good seating state.

이와 같이 본 발명은 간단한 구조를 통해 타겟 어셈블리를 챔버의 상부에 정확하게 안착할 수 있어 종래와 같이 챔버의 누설현상을 방지할 수 있어 증착과정을 양호하게 실시할 수 있고, 전압관련한 에러발생율을 감소시킬 수 있는 등의 효과가 있는 것이다. As described above, the present invention enables the target assembly to be accurately seated on the upper part of the chamber through a simple structure, thereby preventing leakage of the chamber as in the prior art, and thus performing a deposition process well and reducing a voltage related error occurrence rate. It can be such an effect.

Claims (1)

챔버와, 상기 챔버의 상면에 이동가능하게 결합되는 타겟 어셈블리로 이루어진 물리기상증착장치에 있어서,In the physical vapor deposition apparatus comprising a chamber and a target assembly movably coupled to an upper surface of the chamber, 상기 타겟 어셈블리의 측면에 형성된 끼움돌기;A fitting protrusion formed on a side of the target assembly; 상기 타겟 어셈블리가 결합되는 상기 챔버의 상면 외곽부에 형성되고, 상기 타겟 어셈블리의 이동에 따라 상기 끼움돌기가 착탈되도록 홈이 형성됨으로써 상기 타겟 어셈블리의 정위치를 가이드하는 끼움부를 포함하는 물리기상증착장치의 타겟 어셈블리 정렬장치.Physical vapor deposition apparatus is formed on the outer surface of the upper surface of the chamber to which the target assembly is coupled, and the groove is formed so that the fitting protrusion is detachable in accordance with the movement of the target assembly to guide the correct position of the target assembly. Target Assembly Alignment.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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