KR100835117B1 - 반도체 다이오드를 이용한 프로젝션 시스템 - Google Patents

반도체 다이오드를 이용한 프로젝션 시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR100835117B1
KR100835117B1 KR1020060009394A KR20060009394A KR100835117B1 KR 100835117 B1 KR100835117 B1 KR 100835117B1 KR 1020060009394 A KR1020060009394 A KR 1020060009394A KR 20060009394 A KR20060009394 A KR 20060009394A KR 100835117 B1 KR100835117 B1 KR 100835117B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light
semiconductor layer
projection system
optical modulator
type semiconductor
Prior art date
Application number
KR1020060009394A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20070078935A (ko
Inventor
조제희
Original Assignee
삼성전기주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전기주식회사 filed Critical 삼성전기주식회사
Priority to KR1020060009394A priority Critical patent/KR100835117B1/ko
Publication of KR20070078935A publication Critical patent/KR20070078935A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100835117B1 publication Critical patent/KR100835117B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/015—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on semiconductor elements with at least one potential jump barrier, e.g. PN, PIN junction
    • G02F1/017—Structures with periodic or quasi periodic potential variation, e.g. superlattices, quantum wells
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/003—Light absorbing elements
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B21/00—Projectors or projection-type viewers; Accessories therefor
    • G03B21/14—Details
    • G03B21/20—Lamp housings
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N9/00—Details of colour television systems
    • H04N9/12—Picture reproducers
    • H04N9/31—Projection devices for colour picture display, e.g. using electronic spatial light modulators [ESLM]
    • H04N9/3129—Projection devices for colour picture display, e.g. using electronic spatial light modulators [ESLM] scanning a light beam on the display screen
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N9/00—Details of colour television systems
    • H04N9/12—Picture reproducers
    • H04N9/31—Projection devices for colour picture display, e.g. using electronic spatial light modulators [ESLM]
    • H04N9/3138—Projection devices for colour picture display, e.g. using electronic spatial light modulators [ESLM] using arrays of modulated light sources
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/015—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on semiconductor elements with at least one potential jump barrier, e.g. PN, PIN junction
    • G02F1/0155—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on semiconductor elements with at least one potential jump barrier, e.g. PN, PIN junction modulating the optical absorption

Abstract

반도체 다이오드를 광변조기로 채용한 프로젝션 시스템이 개시된다. 개시된 프로젝션 시스템은, 백색광을 조명하는 광원;과 백색광을 시간 순차적으로 복수의 서로 다른 단색광으로 분리하는 컬러필터;와 분리된 단색광을 각각의 색신호에 따라 변조하는 것으로서, P형반도체층, 진성반도체층 및 N형반도체층으로 구성되어 역바이어스 전압의 크기에 따라 분리된 단색광을 흡수 또는 투과시키는 반도체 다이오드가 픽셀 단위로 배열된 광변조기;와 광변조기에 의해 변조되어 형성된 화상을 스크린 쪽으로 투사시키는 투사렌즈;를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

반도체 다이오드를 이용한 프로젝션 시스템{Projection system employing the semiconductor diode}
도 1은 종래기술에 의한 투과형 LCD를 사용한 프로젝션 시스템의 구성을 나타내는 도면이다.
도 2는 종래기술에 의한 DMD패널을 사용하는 DLP(Digital Light Processing) 프로젝션 시스템의 구성을 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 프로젝션 시스템의 구성을 나타내는 도면이다.
도 4는 도 3에 도시된 광변조기의 A 부분을 확대한 도면이다.
도 5은 도 4의 Ⅴ-Ⅴ' 선의 단면도이다.
도 6은 역바이어스 전압에 따른 흡수 스펙트럼의 변화를 개략적으로 도시한 그래프이다.
도 7은 역바이어스 전압에 따른 흡수 스펙트럼의 변화를 측정한 그래프이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
110.... 광원 115.... 컬러필터
117.... 글래스로드 120.... 광변조기
125.... 투사렌즈 140.... 반도체 다이오드
141.... N형전극 143.... P형전극
145... P형반도체층 147.... 진성반도체층
149... N형반도체층 151.... 투명전극
PLm.... P-터미널라인 NLk.... N-터미널라인
본 발명은 프로젝션 시스템에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 높은 광 효율과 빠른 광 변조속도를 갖는 구조의 프로젝션 시스템에 관한 것이다.
최근, 디스플레이 장치는 경량화, 경박화 뿐만 아니라 대화면으로 되어 가는 추세에 있으며, 이러한 디스플레이로서 프로젝터(projector) 또는 프로젝션(projection) TV가 대화면을 이룰 수 있는 하나의 해결책이 되고 있다.
이러한 프로젝션 시스템에 대한 새로운 기술로 대두되고 있는 마이크로 디스플레이 소자로는 투과형 LCD(Liquid Crystal Display)패널, 반사형 LCoS(Liquid Crystal on Silicon)패널, DMD(Digital Micromirror Device)패널이 있으며, 마이크로 소자를 몇 개 사용하느냐에 따라서 1패널 방식, 2패널 방식, 3패널 방식으로 분류된다.
투과형 LCD의 경우 3패널 방식이 일반적이고, LCoS의 경우 3패널 방식, 2패널 방식, 1패널 방식이, DMD의 경우 1패널 방식이 일반적으로 사용된다.
도 1은 종래기술에 의한 투과형LCD를 사용한 프로젝션 시스템의 구성을 나타내는 도면이다. 도면을 참조하면, 투과형LCD를 사용한 프로젝션 시스템은 광원(10)과, 광원(10)에서 발산된 빛을 적색,녹색,청색으로 분리하는 제1,제2 다이크로익 미러(15a,15b)와, 상기 다이크로익 렌즈(15a,15b)에서 분리된 빛을 입력되는 신호에 따라 변조하는 제1,제2,제3 LCD패널(20a,20b,20c) 및 상기 제1,제2,제3 LCD패널(20a,20b,20c)로부터 나온 이미지를 합성하는 색합성프리즘(25)을 포함한다. 미설명부호 18은 미러를 나타낸다.
이와 같은 프로젝션 시스템은 3패널 방식을 채용하여 벌키(bulky)한 구조를 가지면서도 LCD패널(20)의 구성품인 폴라라이저(polarizer)의 큰 광흡수 때문에 광효율이 낮다는 문제점이 있다. 또한, LCD 패널 방식은 배향막사이의 액정 배열에 의해 광을 변조하므로 제어신호에 따라 배열 방향이 바뀐 액정이 배향 방향으로 원위치 하는데 시간이 걸려 변조속도가 늦다는 단점이 있다.
도 2는 종래기술에 의한 DMD 패널을 사용하는 1패널 방식의 DLP(Digital Light Processing) 프로젝션 시스템의 구성을 나타내는 도면이다. 도면을 참조하면, DLP 프로젝션 시스템은 광원(30)과, 적색, 녹색, 청색의 광을 시간에 따라 순차적으로 분할하는 컬러 필터(35), 상기 각 색의 화면 정보를 순차적으로 표시하는 DMD소자(40) 및 상기 DMD소자(40)에서 나온 광을 스크린에 투사하기 위한 투사렌즈(45)를 포함한다.
이와 같이 DMD 소자를 채용하는 프로젝션 시스템은 LCD패널을 사용하는 경우보다 광 효율이 높아 1패널 방식을 채택할 수 있어 광학부품수가 줄어드는 장점이 있으나, DMD소자는 미국 TI사의 독점기술로서 전량 수입에 의존해야 하는 문제점이 있다. 또한, DMD 소자에 채용되는 마이크로 미러의 가장자리 부분에서 빛이 튀는 현상이 발생되고 이로 인해 화상 주위로 그레이 밴드가 생기는 헤일로 효과 (halo effect)가 초래될 수 있다.
따라서, 본 발명은 상기한 문제점을 감안하여 안출된 것으로, 1패널 방식을 채용하여 광학부품의 수를 최소화하면서도 높은 광효율을 가지며 또한 빠른 광 변조속도를 갖는 프로젝션 시스템을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 프로젝션 시스템은, 백색광을 조명하는 광원;과 상기 백색광을 시간 순차적으로 복수의 서로 다른 단색광으로 분리하는 컬러필터;와 상기 분리된 단색광을 각각의 색신호에 따라 변조하는 것으로서, P형반도체층, 진성반도체층 및 N형반도체층으로 구성되어 역바이어스 전압의 크기에 따라 상기 분리된 단색광을 흡수 또는 투과시키는 반도체 다이오드가 픽셀 단위로 배열된 광변조기;와 상기 광변조기에 의해 변조되어 형성된 화상을 스크린 쪽으로 투사시키는 투사렌즈;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이하 첨부된 도면들을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 상세히 설명하기로 한다. 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례에 따라 달라질 수 있다. 그러므로 이러한 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 프로젝션 시스템의 구성을 나타내는 도면이다. 도면을 참조하면, 프로젝션 시스템은 백색광을 조명하는 광원(110)과, 광원(110)로부터 조명된 백색광을 시간 순차적으로 복수개의 단색광으로 분리하는 컬러필터(115)와, 분리된 단색광을 각각의 색 신호에 따라 변조하는 광변조기(120)와, 광변조기(120)에 의해 변조되어 형성된 화상을 스크린에 투사하는 투사렌즈(125)를 포함한다.
광원(110)에서 생성된 백색광은 컬러필터(115)에 입사되며, 컬러필터(115)는 복수의 필터 영역으로 코팅되어 있어, 각 영역마다 특정 파장 대역의 광만 투과시키고 나머지 파장의 광은 투과하지 못하도록 되어 있다. 상기 컬러필터(115)는 예를 들어 제1,제2,제3 필터영역으로 나뉘어지고 각 영역은 적색, 녹색, 청색으로 코팅되어질 수 있다. 또한, 컬러필터(115)는 고속회전하게 되어 있어 입사된 백색광을 시간순차적으로 적색, 녹색, 청색의 광으로 분리시킨다.
컬러필터(115)에 의해 시간 순차적으로 분리되어 출사된 광은 광변조기(120)에 입사하게 된다. 광변조기(120)와 컬러필터(115)사이에는 컬러필터(115)에서 분리 출사된 광을 균일광으로 만드는 글래스로드(117)가 더 구비될 수 있다.
광변조기(120)는 상기와 같이 조명된 광을 각각의 색신호에 따라 변조하는 역할을 한다. 이 원리는 후술하기로 한다. 광변조기(120)에는 적색, 녹색, 청색의 단색광이 시간 순차적으로 입사되어 변조되며, 상기 각 칼라별 시간차는 매우 짧으므로 사람의 눈에는 이러한 시간차가 인식되지 못하고 단색광들이 합성되어 형성된 화상으로 인식되게 된다. 이렇게 형성된 화상은, 투사렌즈(125)에 의해 투사되어 스크린(미도시)에 도달하게 된다.
이하 도 4 내지 도 7을 참조하여, 본 발명의 프로젝션 시스템에 채용된 광변조기의 구조와, 광변조기를 구성하는 반도체 다이오드의 구조 및 상기 반도체 다이오드가 광을 투과 또는 흡수하는 원리를 상세히 설명하기로 한다.
도 4는, 도 3에 도시된 광변조기의 A 부분을 확대한 것으로 이차원 어레이 형태로 배열된 반도체 다이오드(140)들을 도시한다.
먼저, 도 4를 참조하면, 광변조기를 구성하는 반도체 다이오드(140)는 역바이어스 전압이 인가될 수 있도록 P형전극(143)과 N형전극(141)을 구비하고 있으며 이차원 어레이 형태로 배치되어 있다.
상기 이차원 어레이에서, 예컨대, k행 m열에 위치하게 되는 반도체 다이오드(140)의 N형 전극(141)은, 행 방향으로 배치되고 소정 전위값, VN,k(k=1,2,3...)를 갖는 N-터미널라인(NLk)에 연결된다. 그리고, 상기 반도체 다이오드(140)의 P형 전극(143)은, 열 방향으로 배치되고 소정 전위값, VP,m(m=1,2,3...)를 갖는 P-터미널라인(PLm)에 연결된다.
이 때, N형 전극(141)과 P형 전극(143)이 연결된 각각의 터미널 라인(NLk, PLm)의 전위값의 차이(VN,k-VP,m)가 반도체 다이오드(140)에 인가되는 역바이어스 전압(VR) 크기에 해당된다. 각각의 반도체 다이오드(140)는 하나의 픽셀에 대응하며, 후술하는 바와 같이 인가된 역바이어스 전압의 크기에 따라 광을 투과(on)시키거나 흡수(off)하게 된다.
P형, N형 전극의 형상을 포함한 반도체 다이오드(140)의 형상은 도시된 형상에 한정되는 것은 아니며, 예를 들면 화상 특성등을 고려하여 다른 형상으로 설계될 수 있다.
도 5는 도 4의 Ⅴ-Ⅴ' 선의 단면도이다. 도면을 참조하면, 반도체 다이오드(140)는 P형반도체층(145), 진성반도체층(147) 및 반도체 N층(149)의 P-I-N 구조로 되어 있다. P형반도체층(145)이 상부 및 N형반도체층(149)의 하부에는 P형전극(143) 및 N형전극(141)이 형성되어 있다. P형반도체층(145)과 P형전극(143)사이 및 N형반도체층(149)과 N형전극(141) 사이에는 투명전극(151)이 마련되어 있다.
투명전극(151)으로는 예를 들어, ITO, ZnO, TCO, NiO등의 재질이 사용될 수 있다.
외부에서 광이 입사될 때 반도체 다이오드(140)는 입사되는 광의 에너지와 진성반도체층의 밴드 갭 에너지의 크기 여하에 따라 광을 흡수 또는 투과시키게 된다. 즉, 진성반도체층(147)은 광의 흡수층으로 역할하여, 입사광의 에너지가 진성반도체층(146)의 밴드 갭 에너지보다 큰 경우 흡수되고, 밴드 갭 에너지(Eg)보다 작은 경우 투과된다. 진성반도체층(147)은 다중양자우물(multiple quantum well) 구조로 이루어질 수 있다.
한편, 밴드 갭 에너지는 역바이어스 전압이 증가함에 따라 작아지는 특성을 갖는다. 역바이어스 전압이 인가되면, 에너지 밴드에 전기 포텐셜 에너지가 더해지게 된다. 이 때, 더해지는 전기 포텐셜 에너지는 위치에 따라 다른 값이 되므로 에너지 밴드가 기울어지며 이에 따라 밴드 갭 에너지가 작아지게 되는 것이다. 이를 quantum-confinement stark effect라 한다. 밴드 갭 에너지가 작아짐에 따라 진성반도체층(147)에서 흡수되는 입사광의 에너지도 작아지게 된다.
도 7은 역바이어스 전압에 따른 흡수 스펙트럼의 변화를 개략적으로 도시한 것이다. x 축이 입사광의 파장이며 y축은 흡수계수(??)를 나타낸다. λ1,λ2,λ3,λ4는 인가된 역바이어스 전압이 각각 -2V,-5V,-8V,-10V 인 경우에 있어서, 광이 흡수되지 않고 투과되기 시작하는 최소 파장을 의미한다. 인가된 역바이어스 전압이 커짐에 따라 흡수 스펙트럼이 오른쪽으로 이동하고 있으며, 즉, 역바이어스 전압이 커짐에 따라 반도체 다이오드(140)를 투과할 수 있는 최소 파장은 커지고 있는 것을 볼 수 있다.
역바이어스 전압을 인가하지 않았을 때의 밴드 갭 에너지와 역바이어스 전압을 인가했을 때의 밴드 갭 에너지를 적절히 설계함으로써 특정 파장대역의 광을 on/off 할 수 있게 된다.
도 8은 역바이어스 전압에 따른 흡수 스펙트럼의 변화를 측정한 그래프이다. 측정에 사용된 반도체 다이오드는 P형반도체층과 N형반도체층의 재질로 GaN이 사용되었고, 진성반도체층은 InGaN/GaN 의 다중양자우물 구조로 되어 있다.
도면을 참조하면, 역바이어스 전압이 -1V에서 -20V 까지 변함에 따라 투과대 역의 파장이 달라진다. 관심대역인 가시광선 영역(380nm~780nm)을 살펴볼 때, 투과대역의 최소 파장이 약 400nm에서 450nm로 변하는 것을 볼 수 있다.
실험에 사용된 구조의 경우 파장이 대략 400nm~450nm에 해당하는 광은, 역바이어스 전압이 -1V일때 반도체 다이오드를 투과하게 되고, 역바이어스 전압이 -20V일 때 흡수되게 된다.
상기 실험은 예시적인 것이며, 필요에 따라 반도체 다이오드의 반도체 각 층의 구조, 재질을 다르게 설계함으로써 흡수특성이 개선되거나 또는 다른 파장대역으로 이동될 수 있다.
광변조기(도3의 120)에는 적색, 녹색, 청색의 광이 시간 순차적으로 입사되므로 광변조기(도3의 120)를 구성하는 반도체 다이오드(도4의 140)들은 각각의 단색광을 역바이어스 전압에 따라 on/off 제어 할 수 있어야 한다. 즉, 청색광의 최소파장과 적색광의 최대파장인 대략 430nm~650nm 대역의 파장을 제어할 수 있어야 한다.
역 바이어스 전압에 의해 밴드 갭 에너지는 작아지는 방향으로 변하므로, 제로(0) 바이어스를 기준으로 한 에너지 밴드 갭 에너지는 청색광을 투과시킬 수 있도록 적어도 2.9eV 이상이 되도록 설계되는 것이 바람직하다. 또한 최대 역바이어스 전압을 인가했을 때 적색광이 흡수되도록 밴드 갭 에너지가 1.9eV 이하가 될 수 있게 설계되는 것이 바람직하다.
흡수층이 되는 진성반도체층으로는 InGaAlP 또는 InGaAlN 계열의 재질이 사용될 수 있다.
한편, P형반도체층(144)및 N형반도체층(148)에서도 광의 흡수가 일어날 수 있다. 흡수층인 진성반도체층에서 광을 효과적으로 on/off 할 수 있기 위하여 상기 P형반도체층(144) 및 N형반도체층(148)은 가시광선 영역의 광을 투과시킬 수 있도록 설계되는 것이 바람직하다. 즉, P형반도체층(144) 및 N형반도체층(148)의 밴드 갭 에너지는 청색광의 최소파장인 430nm에 해당하는 광에너지, 약 2.9eV 보다 큰 값을 갖는 것이 바람직하다.
상기한 구조의 광변조기(도3의 120)에 입사된 각각의 단색광은 각 픽셀에 대응하는 반도체 다이오드에 인가된 역바이어스 전압에 따라 진성반도체층을 지나는 동안 흡수 또는 투과되어 광을 변조하게 된다.
상기한 바와 같이 구성된 본 발명에 따른 프로젝션 시스템은 반도체 다이오드를 이용하여 광변조를 하도록 구성된 것을 특징으로 한다.
본 발명의 프로젝션 시스템은, 반도체 다이오드가 광을 그 파장에 따라 투과 또는 흡수하는 것으로 투과대역의 파장에 해당하는 경우 광의 손실이 거의 없이 투과되므로 광 효율이 높으며 광변조 속도가 빠르다.
또한, 1패널 방식을 채용하므로 광학부품수가 줄어들게 되어 보다 컴팩트하고 단순한 구조가 된다는 장점이 있다.
이러한 본원 발명인 프로젝션 시스템은 이해를 돕기 위하여 첨부된 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 보호 범위는 첨부된 특허 청구 범위에 의해서 정해져야 할 것이다.

Claims (5)

  1. 백색광을 조명하는 광원;과
    상기 백색광을 시간 순차적으로 복수의 서로 다른 단색광으로 분리하는 컬러필터;와
    상기 분리된 단색광을 각각의 색신호에 따라 변조하는 것으로서, P형반도체층, 진성반도체층 및 N형반도체층으로 구성되어 역바이어스 전압의 크기에 따라 상기 분리된 단색광을 흡수 또는 투과시키는 반도체 다이오드가 픽셀 단위로 배열된 광변조기;와
    상기 광변조기에 의해 변조되어 형성된 화상을 스크린 쪽으로 투사시키는 투사렌즈;를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로젝션 시스템.
  2. 제1항에 있어서, 상기 광변조기는,
    상기 진성반도체층의 밴드 갭 에너지가, 역바이어스 전압을 인가하지 않을 때 상기 복수의 단색광을 투과시키도록 설계된 반도체 다이오드들의 어레이로 구성된 것을 특징으로 하는 프로젝션 시스템.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 광변조기의 반도체 다이오드는, 진성반도체층의 재질로 InGaAlP 또는 InGaAlN을 사용하는 것을 특징으로 하는 프로젝션 시스템.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 P형반도체층 및 상기 N형반도체층은, 상기 복수의 단색광을 모두 투과시키는 밴드 갭 에너지를 갖는 것을 특징으로 하는 프로젝션 시스템.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 컬러필터와 상기 광변조기 사이에는 상기 광변조기로 향하는 광이 균일광이 되도록 하는 글래스로드가 더 구비되는 것을 특징으로 하는 프로젝션 시스템.
KR1020060009394A 2006-01-31 2006-01-31 반도체 다이오드를 이용한 프로젝션 시스템 KR100835117B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060009394A KR100835117B1 (ko) 2006-01-31 2006-01-31 반도체 다이오드를 이용한 프로젝션 시스템

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060009394A KR100835117B1 (ko) 2006-01-31 2006-01-31 반도체 다이오드를 이용한 프로젝션 시스템

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070078935A KR20070078935A (ko) 2007-08-03
KR100835117B1 true KR100835117B1 (ko) 2008-06-05

Family

ID=38599741

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060009394A KR100835117B1 (ko) 2006-01-31 2006-01-31 반도체 다이오드를 이용한 프로젝션 시스템

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100835117B1 (ko)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR950035454A (ko) * 1994-01-07 1995-12-30 윌리엄 이. 힐러 순차적 컬러 이미징을 위한 방법 및 장치
JPH08234315A (ja) * 1995-02-28 1996-09-13 Fuji Photo Film Co Ltd 画像投影装置
KR20030061316A (ko) * 2002-01-10 2003-07-18 에누이씨 뷰 테크놀로지 가부시끼가이샤 디스플레이 시스템
JP2004252335A (ja) 2003-02-21 2004-09-09 Seiko Epson Corp 投射型表示装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR950035454A (ko) * 1994-01-07 1995-12-30 윌리엄 이. 힐러 순차적 컬러 이미징을 위한 방법 및 장치
JPH08234315A (ja) * 1995-02-28 1996-09-13 Fuji Photo Film Co Ltd 画像投影装置
KR20030061316A (ko) * 2002-01-10 2003-07-18 에누이씨 뷰 테크놀로지 가부시끼가이샤 디스플레이 시스템
JP2004252335A (ja) 2003-02-21 2004-09-09 Seiko Epson Corp 投射型表示装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20070078935A (ko) 2007-08-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8994764B2 (en) Image display apparatus and image display method
JP4445432B2 (ja) ２パネル液晶オンシリコンカラーマネージメントシステム
KR100565597B1 (ko) 광학계에 있어서 색 성능 향상 장치
US7364305B2 (en) Projector
US8246177B2 (en) Lighting unit and projection display apparatus
EP1631093A1 (en) Color combining unit and image display apparatus
JPH02149882A (ja) 画像投射装置
JP2004163817A (ja) プロジェクタ
WO2007052402A1 (ja) 偏光スイッチング液晶素子、およびこれを備える画像表示装置
JP2001228455A (ja) 映像投射装置
US7527381B2 (en) Optical system architecture
US4824214A (en) Unitary prepolarizing prism assembly for a four color liquid crystal light valve image projector
JP2004502189A (ja) カラー電気光学表示装置のための高コントラスト偏光光学系
US4911547A (en) Compact optical system for a single light valve projector using two axes of polarization
US8308300B2 (en) Color separation optical system and image projection apparatus
US8810739B2 (en) Projection type display apparatus and optical unit
US6819365B1 (en) Color LCD projector with micro display light engine
US20150261078A1 (en) Projection display apparatus and projection light generating method
US6498632B1 (en) Color reflective ferroelectric liquid crystal light valve with three spatial light modulators and increased light throughput
US20060187417A1 (en) Projector
US6624756B1 (en) Liquid crystal light valve system with automatic color balance correction
KR100925720B1 (ko) 듀얼 모드 기능을 갖는 투사형 디스플레이 장치
KR100835117B1 (ko) 반도체 다이오드를 이용한 프로젝션 시스템
KR100818487B1 (ko) 반도체 다이오드를 이용한 프로젝션 시스템
JP4856863B2 (ja) 投射型画像表示装置及びそれに使用される調整方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120329

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130430

Year of fee payment: 6

LAPS Lapse due to unpaid annual fee