KR100834133B1 - Apparatus for transferring semiconductor wafer - Google Patents
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Abstract
Description
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 이송 장치를 도시한 도면.1 illustrates a semiconductor wafer transfer device in accordance with an embodiment of the present invention.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 이송부를 도시한 단면도.2 is a cross-sectional view showing a wafer transfer unit according to an embodiment of the present invention.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 제 1 웨이퍼 이송 모듈의 회전 구동을 도시한 도면.3 illustrates a rotational drive of a first wafer transfer module according to an embodiment of the invention.
도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 제 1 웨이퍼 이송 모듈의 웨이퍼 로딩을 도시한 도면.4 shows wafer loading of a first wafer transfer module according to a first embodiment of the invention.
도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 제 1 웨이퍼 이송 모듈의 웨이퍼 언로딩을 도시한 도면.5 illustrates wafer unloading of a first wafer transfer module according to a second embodiment of the present invention.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>
100: 반도체 웨이퍼 이송 장치 110: 덮개부100: semiconductor wafer transfer device 110: cover portion
120: 챔버부 130: 웨이퍼 이송부120: chamber portion 130: wafer transfer portion
140: 로드락 챔버 150: 제 1 공정 챔버140: load lock chamber 150: first process chamber
160: 제 2 공정 챔버160: second process chamber
본 발명은 반도체 웨이퍼의 이송 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 로드락 챔버와 공정 챔버 사이에서 웨이퍼를 이송하기 위한 장치로 회전 운동을 통하여 제 1 공정 챔버와 로드락 챔버간의 웨이퍼 이송을 수행하는 제 1 웨이퍼 이송 모듈 및 회전 운동의 회전 축에 수직인 평면을 기준으로 제 1 웨이퍼 이송 모듈에 대하여 대칭인 위치에서 회전 축과 동일한 축상에서의 회전 운동을 통하여 제 2 공정 챔버와 로드락 챔버간의 웨이퍼 이송을 수행하는 제 2 웨이퍼 이송 모듈을 포함한다.The present invention relates to a transfer device for a semiconductor wafer, and more particularly, a device for transferring a wafer between a load lock chamber and a process chamber, wherein the wafer transfer between the first process chamber and the load lock chamber is performed through a rotational motion. 1 Wafer transfer between the second process chamber and the load lock chamber via a rotational movement on the same axis as the rotational axis at a position symmetrical with respect to the first wafer transfer module with respect to the wafer transfer module and a plane perpendicular to the rotational axis of the rotational movement. It includes a second wafer transfer module to perform the.
라디오, 텔레비젼, 컴퓨터등에 사용되는 다이오우드, 트랜지스터, 사이리스터등의 반도체 소자는 실리콘등의 단결정을 성장시킨 기둥 모양의 봉을 얇게 잘라서 원판 모양으로 만든 웨이퍼로 부터 만들어진다. 즉, 상기 웨이퍼가 사진공정, 식각 공정, 박막 형성 공정 등 일련의 단위 공정들을 순차적으로 거쳐서 반도체 소자로 제조되는 것이다. 상기 단위 공정들은 연속적인 공정들로 구성되고, 이러한 연속 공정을 수행하기 위해서 각 공정이 이루어지는 장치와 장치 사이에서 상기 웨이퍼의 이송이 빈번하게 이루어지며, 상기 공정 중 일부는 진공상태에서 이루어진다.Semiconductor devices such as diodes, transistors, and thyristors used in radios, televisions, computers, etc. are made from wafers made of discs by thinly cutting columnar rods made of silicon or single crystals. In other words, the wafer is sequentially manufactured through a series of unit processes such as a photo process, an etching process, and a thin film forming process. The unit processes are composed of continuous processes, and in order to perform such a continuous process, the wafer is frequently transferred between the apparatuses and the apparatuses in which each process is performed, and some of the processes are performed in a vacuum state.
진공 상태에서 반도체 제조 공정을 진행하는 설비는, 필요한 장비를 갖춘 공정 챔버(process chamber)와 로드락 챔버(loadlock chamber)을 구비하는데, 이는 단결정을 성장시켜 제조되는 웨이퍼는 대기상태에서 다수의 웨이퍼가 일정간격으로 상하로 배치된 상태에서 카세트 내에 적재되므로 공정 챔버로 이송하기에 앞서 웨이퍼를 진공상태로 만들어주는 것이 필요하기 때문이다. 즉, 웨이퍼는 진공상태와 대기상태를 수시로 전환할 수 있는 로드락 챔버로 이동된 후 웨이퍼 이송장치에 의해 해당 공정실로 이송된다.The equipment for carrying out the semiconductor manufacturing process in a vacuum state has a process chamber and a loadlock chamber equipped with the necessary equipment. This is because it is required to make the wafer in a vacuum state before transferring to the process chamber because it is placed in the cassette in a state arranged up and down at regular intervals. That is, the wafer is moved to the load lock chamber which can switch between the vacuum state and the standby state at any time and then transferred to the corresponding process chamber by the wafer transfer device.
이와 같은 역할을 수행하는 진공 로봇에 있어서 통상적인 관련 술에서는 수 개의 로드락 챔버와 공정 챔버에서 웨이퍼를 이송하는 웨이퍼 이송용 모듈이 한 개이며, 웨이퍼 이송용 모듈은 로봇 암과 블레이드를 갖고 있다.In the related art, in the vacuum robot which performs such a role, there is one wafer transfer module for transferring wafers from several load lock chambers and a process chamber, and the wafer transfer module has a robot arm and a blade.
그런데, 1개의 웨이퍼 이송용 모듈로 로드락 챔버에서 공정 챔버로의 이송, 각각의 공정 챔버들간의 이송, 공정 챔버에서 로드락 챔버로의 이송을 모두 담당하고 있으므로, 해당 챔버에서 작업이 끝난 웨이퍼라도 이미 이송이 진행되는 동안은챔버 내에서 대기하여야 한다.However, one wafer transfer module is responsible for the transfer from the load lock chamber to the process chamber, the transfer between the respective process chambers, and the transfer from the process chamber to the load lock chamber. While the transfer is already in progress, it must wait in the chamber.
이로 인한 생산수율의 감소현상은 공정시간이 짧은 공정이거나 공정 챔버의 수가 많을수록, 또는 로봇 암의 구동속도가 느린 장비일수록 웨이퍼 이송에 따른 이송 대기 시간이 길어진다는 문제가 있었다.As a result, the decrease in production yield has a problem in that the shorter the processing time or the larger the number of process chambers or the slower the driving speed of the robot arm, the longer the waiting time for wafer transfer.
뿐만 아니라, 한국 공개 특허(출원번호: 10-2004-0115753) "두 개의 웨이퍼 이송용 모듈을 갖는 웨이퍼 이송 장치"에서는 제 1 이송용 모듈과 제 2 이송용 모듈을 구비하여 로드락 챔버들로부터 공정 챔버들 사이에서 웨이퍼를 이송하고, 한번에 적어도 두 개의 웨이퍼를 이송하지만 하나의 이송용 모듈이 이송할 수 있는 웨이퍼는 하나로 제한된다는 문제가 있었다. 뿐만 아니라, 이송용 모듈의 회전 반경이 넓어 이송 설비의 규모가 증가하는 문제점이 있었다.In addition, the Korean published patent application (application number: 10-2004-0115753) "wafer transfer device having two wafer transfer module" is provided with a first transfer module and a second transfer module to process from the load lock chambers There is a problem that the wafers are transferred between the chambers, and at least two wafers are transferred at one time, but only one wafer that can be transferred by one transfer module is limited to one. In addition, there is a problem in that the size of the transport facility increases because the rotation radius of the transport module is wide.
본 발명은 상기한 문제점을 개선하기 위해서 고안된 것으로 보다 상세하게는 로드락 챔버와 공정 챔버 사이에서 웨이퍼를 이송하기 위한 장치로 회전 운동을 통하여 제 1 공정 챔버와 로드락 챔버간의 웨이퍼 이송을 수행하는 제 1 웨이퍼 이송 모듈 및 회전 운동의 회전 축에 수직인 평면을 기준으로 제 1 웨이퍼 이송 모듈에 대하여 대칭인 위치에서 회전 축과 동일한 축상에서의 회전 운동을 통하여 제 2 공정 챔버와 로드락 챔버간의 웨이퍼 이송을 수행하는 제 2 웨이퍼 이송 모듈을 이용하여 소정 개수의 웨이퍼의 공급 및 회수를 동시에 수행하기 위한 반도체 웨이퍼 이송 장치이다.The present invention is designed to improve the above problems, and more particularly, a device for transferring wafers between the first process chamber and the load lock chamber through a rotational movement as a device for transferring wafers between the load lock chamber and the process chamber. 1 Wafer transfer between the second process chamber and the load lock chamber via a rotational movement on the same axis as the rotational axis at a position symmetrical with respect to the first wafer transfer module with respect to the wafer transfer module and a plane perpendicular to the rotational axis of the rotational movement. A semiconductor wafer transfer device for simultaneously supplying and retrieving a predetermined number of wafers by using a second wafer transfer module that performs a.
본 발명의 목적들은 이상에서 언급한 목적들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The objects of the present invention are not limited to the above-mentioned objects, and other objects that are not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.
본 발명의 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 이송 장치는 회전 운동을 통하여 제 1 공정 챔버와 로드락 챔버간의 웨이퍼 이송을 수행하는 제 1 웨이퍼 이송 모듈, 및 회전 운동의 회전 축에 수직인 평면을 기준으로 제 1 웨이퍼 이송 모듈에 대하여 대칭인 위치에서 회전 축과 동일한 축상에서의 회전 운동을 통하여 제 2 공정 챔버와 로드락 챔버간의 웨이퍼 이송을 수행하는 제 2 웨이퍼 이송 모듈을 포함한다.According to an embodiment of the present invention, a semiconductor wafer transfer apparatus includes a first wafer transfer module that performs wafer transfer between a first process chamber and a load lock chamber through a rotational movement, and a plane based on a plane perpendicular to the rotational axis of the rotational movement. And a second wafer transfer module for performing wafer transfer between the second process chamber and the load lock chamber through a rotational movement on the same axis as the rotation axis at a position symmetrical with respect to the one wafer transfer module.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다. Specific details of other embodiments are included in the detailed description and the drawings.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Advantages and features of the present invention and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but can be implemented in various different forms, and only the embodiments make the disclosure of the present invention complete, and the general knowledge in the art to which the present invention belongs. It is provided to fully inform the person having the scope of the invention, which is defined only by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 이송 장치를 도시한 도면이다.1 is a view showing a semiconductor wafer transfer apparatus according to an embodiment of the present invention.
본 발명의 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 이송 장치(100)는 덮개부(110), 챔버부(120) 및 이송 장치(130)를 포함할 수 있으며, EFEM(Equipment Front End Module)의 로드락 챔버(140)로부터 좌, 우측면에 90도의 각을 이루는 제 1 공정 챔버(Process Chamber)(150)와 제 2 공정 챔버(160)를 포함할 수 있다.The semiconductor wafer transfer apparatus 100 according to the embodiment of the present invention may include a cover 110, a chamber 120, and a transfer device 130, and may include a load lock chamber (EFEM) of the equipment front end module (EFEM). A
도시된 바와 같이, 덮개부(110)와 챔버부(120)는 반도체 웨이퍼 이송 장치(100)의 상부와 하부를 의미하며, 대칭 구조를 이룬다. 덮개부(110)와 챔버부(120)는 로드락 챔버(140)와 공정 챔버(150, 160)들 사이에서 소정의 웨이퍼를 이송하는 이송 장치(130)와 결합되어 웨이퍼를 이송한다.As shown, the cover 110 and the chamber 120 refers to the upper and lower portions of the semiconductor wafer transfer apparatus 100 and form a symmetrical structure. The cover part 110 and the chamber part 120 are coupled to the transfer device 130 for transferring a predetermined wafer between the
웨이퍼 이송을 담당하는 이송 장치(130)는 덮개부(110) 및 챔버부(120)와 결합되며, 로드락 챔버(140)와 제 1 공정 챔버(150) 사이에서 웨이퍼를 이송하는 제 1 웨이퍼 이송 모듈, 로드락 챔버(140)와 제 2 공정 챔버(160)사이에서 웨이퍼를 이송하는 제 2 웨이퍼 이송 모듈을 포함한다. The transfer device 130 in charge of the wafer transfer is coupled to the cover 110 and the chamber 120 and the first wafer transfer to transfer the wafer between the
각각의 웨이퍼 이송 모듈은 회전 구동을 수행하는 회전 구동부, 웨이퍼가 로딩되거나 언로딩되는 웨이퍼 이송부, 웨이퍼 이송부의 직선 구동을 수행하는 두 개의 직선 구동부를 포함한다.Each wafer transfer module includes a rotation driver for performing a rotational drive, a wafer carrier for loading or unloading a wafer, and two linear drivers for performing a linear drive of the wafer carrier.
여기에서 회전 구동부는 로드락 챔버(140)와 공정 챔버(150, 160)들 사이에서 90도의 회전 구동을 수행하며, 회전 구동부와 결합되는 두 개의 직선 구동부들은 소정 간격의 이격을 두고 결합되어 독립된 직선 구동을 수행하는 것으로 새로운 웨이퍼를 공급하기 위한 제 1 직선 구동부와 공정 처리된 웨이퍼를 회수 하기 위한 제 2 직선 구동부로 구성된다.Here, the rotational drive unit performs a 90-degree rotational drive between the
각각의 직선 구동부들은 웨이퍼를 로딩하거나 언로딩 하기 위해 두 개의 블레이드를 포함하는 웨이퍼 이송부와 결합된다.Each linear drive is coupled with a wafer carrier comprising two blades for loading or unloading the wafer.
이와 같은 구성 요소를 포함하는 본 발명의 반도체 웨이퍼 이송 장치(100)에서는 덮개부(110) 및 챔버부(120)와 결합되는 이송 장치(130)가 대칭 구조를 이루고, 해당 장치들의 동작이 독립적으로 이루어진다. 예를 들어, 덮개부(110)와 결합되는 이송 장치(130)의 제 1 웨이퍼 이송 모듈이 제 1 공정 챔버(150)에서 웨이퍼를 공급하거나 회수하는 동안 챔버부(120)와 결합되는 이송 장치(130)의 제 2 웨이퍼 이송 모듈은 로드락 챔버(140)로부터 새로운 웨이퍼를 공급받거나 제 2 공정 챔버(160)에서 회수한 웨이퍼를 로드락 챔버(140)로 회수한다.In the semiconductor wafer transfer apparatus 100 of the present invention including such a component, the transfer apparatus 130 coupled to the lid 110 and the chamber 120 forms a symmetrical structure, and the operations of the apparatuses are independent. Is done. For example, the transfer device coupled with the chamber portion 120 while the first wafer transfer module of the transfer device 130 coupled with the lid 110 supplies or retrieves the wafer from the first process chamber 150 ( The second wafer transfer module of 130 receives a new wafer from the
뿐만 아니라, 두 개의 블레이드를 포함하는 웨이퍼 이송부로 인해 한번의 구동으로 두 장의 웨이퍼를 동시에 공급하거나 회수할 수 있다.In addition, the wafer transfer part including the two blades can simultaneously supply or retrieve two wafers with one drive.
이송 장치(130)에 포함되는 제 1, 2 웨이퍼 이송 모듈에 대해서는 후술되는 도 2에서 상세한 설명을 하기로 한다.The first and second wafer transfer modules included in the transfer apparatus 130 will be described in detail later with reference to FIG. 2.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 이송 장치를 도시한 단면도이다.2 is a cross-sectional view showing a transfer device according to an embodiment of the present invention.
본 발명의 실시예에 따른 이송 장치(130)는 도 1에서 언급했듯이 덮개부(110)와 결합되는 제 1 웨이퍼 이송 모듈(200)과 챔버부(120)와 결합되어 대칭 구조를 이루는 제 2 웨이퍼 이송 모듈(205)을 포함한다. As described above with reference to FIG. 1, the transfer device 130 according to the embodiment of the present invention combines the first
도시된 바와 같이, 제 1 웨이퍼 이송 모듈(200)과 제 2 웨이퍼 이송 모듈(205)은 대칭 구조를 이루며, 각각의 웨이퍼 이송 모듈(200, 205)들은 로드락 챔버(140)와 공정 챔버(150, 160)들 사이에서 회전 구동을 하는 회전 구동부(210), 제 1 결합 부재(215)를 바탕으로 회전 구동부(200)와 결합되어 독립적으로 직선 구동을 하는 제 1 직선 구동부(220)와 제 2 직선 구동부(225)를 포함한다. As shown, the first
제 1 웨이퍼 이송 모듈(200)의 회전 구동부(210)는 도 1에서 전술한 로드락 챔버(140)와 제 1 공정 챔버(150)사이에서 90도의 회전 구동을 하고, 제 2 웨이퍼 이송 모듈(205)의 회전 구동부(미도시) 역시 로드락 챔버(140)와 제 2 공정 챔버(160)사이에서 제 1 웨이퍼 이송 모듈(200)과 반대 방향으로 90도 회전 구동을 한다. The rotation driving unit 210 of the first
즉, 제 1 웨이퍼 이송 모듈(200)과 제 2 웨이퍼 이송 모듈(205)은 로드락 챔버(140)의 좌, 우측에 위치하는 공정 챔버(150, 160)들 사이에서 서로 반대 방향으로 독립적으로 회전 구동을 한다.That is, the first
한편, 제 1 결합 부재(215)와 결합되어 독립적으로 직선 구동을 하는 제 1, 2 직선 구동부(220, 225)는 웨이퍼 이송을 위해 각각 웨이퍼 이송부(미도시)와 결 합되는데, 각각의 웨이퍼 이송부는 제 2 결합 부재와 결합되는 두 개의 블레이드(240), 제 3 결합 부재(245)와 결합되는 또 다른 두 개의 블레이드(250)를 포함한다.Meanwhile, the first and second linear drivers 220 and 225 coupled to the first coupling member 215 and independently driving linearly are coupled to wafer transfer units (not shown) for wafer transfer, respectively. The part includes two blades 240 coupled with the second coupling member and another two blades 250 coupled with the
여기에서, 제 1 직선 구동부(220)와 결합되는 웨이퍼 이송부, 제 2 직선 구동부와 결합되는 웨이퍼 이송부는 소정 간격(d)의 이격을 두어 구성하여 제 1 직선 구동부(220)와 제 2 직선 구동부(225)가 동시에 직선 구동될 수 있도록 한다.Here, the wafer transfer unit coupled to the first linear driver 220 and the wafer transfer unit coupled to the second linear driver 220 may be spaced apart from each other by a predetermined distance d, so that the first linear driver 220 and the second linear driver ( 225 can be linearly driven simultaneously.
즉, 제 1, 2 직선 구동부(220, 225)는 새로운 웨이퍼(255) 이송 시 로드락 챔버(140) 방향으로 소정 거리만큼 전진 직선 구동하여 동시에 두 장의 웨이퍼(255)를 블레이드(240 또는 250)에 로딩하며, 웨이퍼(255)의 로딩이 완료되면 다시 소정 거리만큼 후퇴 직선 구동한다. That is, the first and second linear drivers 220 and 225 drive linearly forward the predetermined distance in the direction of the
임의의 직선 구동부에 웨이퍼가 로딩되면, 회전 구동부(200)를 통해 제 1 공정 챔버(150) 방향으로 회전 구동하며, 제 1 공정 챔버(150)에서도 로드락 챔버(140)에서와 마찬가지로 전진과 후퇴의 직선 구동을 통해 제 1 공정 챔버(150)로 새로운 웨이퍼(255)를 공급한다.When the wafer is loaded in any linear driving unit, the driving unit rotates in the direction of the
본 발명의 실시예에 따른 회전 구동부(210)의 회전 방향 및 제 1 웨이퍼 이송 모듈(200) 및 제 2 웨이퍼 이송 모듈(205)에 포함되는 각 부의 구동 순서는 일예를 들어 상술한 것으로 이에 국한 하지는 않는다.The rotation direction of the rotation driver 210 and the driving order of each part included in the first
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 제 1 웨이퍼 이송 모듈의 회전 구동을 도시한 도면이다.3 is a view showing a rotational drive of the first wafer transfer module according to an embodiment of the present invention.
본 발명의 실시예에 따른 제 1 웨이퍼 이송 모듈(200)의 회전 구동을 도시한 것으로 제 1 웨이퍼 이송 모듈(200)은 제 1 공정 챔버(150)와 로드락 챔버(140) 사이에서 90도의 회전 구동을 한다.A rotational drive of the first
도시된 바와 같이, 제 1 웨이퍼 이송 모듈(200)에 포함되는 회전 구동부(200)는 제 1 직선 구동부(210), 제 2 직선 구동부(220)와 도 2에서 전술한 제 1 결합 부재(220)로 결합되며, 새로운 웨이퍼의 공급 및 공정 처리된 웨이퍼를 회수하기 위해 제 1 공정 챔버(150)와 로드락 챔버(140) 사이에서 회전 구동을 한다.As shown in the drawing, the
예를 들어, 제 1 웨이퍼 이송 모듈(200)의 초기 상태가 제 1 공정 챔버(150) 방향인 경우 새로운 웨이퍼를 공정 처리하기 위해 제 1 공정 챔버(150)로 공급하고자 하는 경우 제 1 웨이퍼 이송 모듈(200)의 회전 구동부(200)를 반 시계의 회전 방향(300)에 위치한 로드락 챔버(140)로 90도 회전 구동을 한다.For example, when the initial state of the first
제 1 웨이퍼 이송 모듈(200)은 회전 구동부(200)의 90도 회전 구동으로 제 1 직선 구동부(210) 또는 제 2 직선 구동부(220)가 로드락 챔버(140)로 직선 구동할 수 있는 위치에 자리하게 된다.The first
제 1 웨이퍼 이송 모듈(200)가 로드락 챔버(140)방향으로 위치하면, 해당 모듈의 직선 구동부 중 적어도 하나인, 제 1 직선 구동부(210)가 두 장의 새로운 웨이퍼를 로딩하기 위해 로드락 챔버(140)방향으로 전진 직선 구동하여 새로운 웨이퍼가 로딩하고, 제 1 공정 챔버(150)로의 회전 구동이 가능한 위치로 후퇴 직선 구동한다.When the first
이때, 회전 구동부(200)는 로드락 챔버(140)에서 시계 방향의 회전 방향(310)으로 제 1 웨이퍼 이송 모듈을 90도 회전 구동한다.In this case, the
제 1 웨이퍼 이송 모듈(200)이 제 1 공정 챔버(150)로 위치하게 되면, 새로운 웨이퍼가 로딩된 제 1 직선 구동부(210)가 제 1 공정 챔버(150)방향으로 직선 구동하여 해당 웨이퍼를 언로딩하고, 회전 구동 가능한 위치로 직선 구동한다. 이때, 제 1 공정 챔버(150)에서 공정 처리된 웨이퍼가 있을 경우 새로운 웨이퍼를 공급한 제 1 직선 구동부(210)와 동시에 제 2 직선 구동부(220)가 제 1 공정 챔버(150)로 직선 구동하여 공정 처리된 두 장의 웨이퍼를 회수한다.When the first
즉, 두 장의 새로운 웨이퍼 공급과 두 장의 공정 처리된 웨이퍼의 회수가 제 1 직선 구동부(210) 및 제 2 직선 구동부(220)에 의해 동시에 수행됨으로써, 웨이퍼의 공급 및 회수에 따른 웨이퍼 이송 시간을 단축할 수 있다.That is, the supply of two new wafers and the recovery of two processed wafers are simultaneously performed by the first linear driver 210 and the second linear driver 220, thereby shortening the wafer transfer time according to the supply and recovery of wafers. can do.
뿐만 아니라, 제 1 결합 부재(215)에 해당 부재의 면적을 조절할 수 있는 면적 조절부(미도시)를 구비하는 경우 예를 들어, 제 1 직선 구동부(210) 및 제 2 직선 구동부(220)와 수직을 이루는 제 3, 4의 직선 구동부(미도시)를 결합하여 웨이퍼(255)의 구경 변화에 상응하여 제 1 직선 구동부(210)와 제 2 직선 구동부(220)의 간격을 조절하여 웨이퍼(255)의 구경과 무관하게 다양한 구경의 웨이퍼를 로딩하거나 언로딩 하여 로드락 챔버와 공정 챔버사이에서 소정의 웨이퍼를 이송할 수도 있다.In addition, when the first coupling member 215 is provided with an area controller (not shown) that can adjust the area of the member, for example, the first linear driver 210 and the second linear driver 220 and By combining the third and fourth linear driving units (not shown) which are perpendicular to each other, the gap between the first linear driving unit 210 and the second linear driving unit 220 is adjusted to correspond to the change in the aperture of the
이와 같은 경우에는 도 2에서 언급한 제 2 결합 부재(230)와 결합되는 블레이드(240), 제 3 결합 부재(245)에 결합되는 블레이드(250)의 수가 각각 하나씩 결합되는 것이 바람직하며, 해당 부재(220, 245)들이 동일 선상에 위치할 때, 간격(d)이 0일 때,가 바람직하다.In this case, it is preferable that the number of blades 240 coupled to the
도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 제 1 웨이퍼 이송 모듈의 웨이퍼 로딩을 도시한 도면이다.4 is a diagram illustrating wafer loading of the first wafer transfer module according to the first embodiment of the present invention.
본 발명의 제 1 실시예에 따른 제 1 웨이퍼 이송 모듈의 웨이퍼 로딩은 로드락 챔버(140)로부터 새로운 웨이퍼를 제 1 공정 챔버(150)로 공급하고, 제 1 공정 챔버(150)에서 공정 처리된 웨이퍼를 로드락 챔버(140)로의 회수를 도시한 것이다.The wafer loading of the first wafer transfer module according to the first embodiment of the present invention supplies a new wafer from the
본 발명의 제 1 실시예에서는 소정의 웨이퍼를 이송하는 제 1 웨이퍼 이송 모듈(200) 또는 제 2 웨이퍼 이송 모듈(205) 중 제 1 웨이퍼 이송 모듈(200)의 이송을 도시한 것이며, 웨이퍼 이송을 위한 초기 상태가 도시된 바와 같이, 로드락 챔버(140) 방향이라는 것을 전제로 한다.In the first embodiment of the present invention, the transfer of the first
먼저, 로드락 챔버(140)에 새로운 웨이퍼가 로딩되면, 제 1 웨이퍼 이송 모듈(200)은 제 1 직선 구동부(210)에 제 2 결합 부재(220)와 결합되는 두 개의 블레이드(240)에 웨이퍼를 로딩하기 위해 제 1 웨이퍼 이송부(400)를 로드락 챔버(140) 방향으로 소정 거리만큼 직선 구동한다. First, when a new wafer is loaded in the
이때, 직선 구동하는 제 1 직선 구동부(210)의 직선 구동 거리(420)는 제 1 웨이퍼 이송부(400) 또는 제 2 웨이퍼 이송부(410)의 초기 상태에 따라 상이할 수 있으나, 제 1 웨이퍼 이송 모듈(200)이 회전 구동부(215)에 의해 덮개부(110) 내에서 회전 구동 가능한 직선 구동 거리(420)만큼 직선 구동하는 것이 바람직하다.At this time, the
제 1 직선 구동부(210)가 직선 구동 거리(420)만큼 소정 거리를 직선 구동하면, 제 1 웨이퍼 이송부(400)의 블레이드(240)에는 두 장의 새로운 웨이퍼가 로딩된다. When the first linear driver 210 linearly drives a predetermined distance by the
이때, 제 2 웨이퍼 이송부(410)에 제 1 공정 챔버(150)에서 공정 처리된 웨이퍼가 있을 경우 제 2 웨이퍼 이송부(410)는 제 1 웨이퍼 이송부(400)와 동시에 직선 구동하여 새로운 웨이퍼의 공급 및 공정 처리된 웨이퍼의 회수를 동시에 수행한다.At this time, when there is a wafer processed in the
이 같이 공급 및 회수의 동시 수행이 가능하기 위해서는 로드락 챔버(140) 및 제 1, 2 공정 챔버(150, 160)가 공급과 회수를 동시에 수행할 수 있도록 복층 구조로 이루어져야 함을 전제로 한다.In order to be able to simultaneously perform supply and recovery, it is assumed that the
새로운 웨이퍼의 로딩 및 공정 처리된 웨이퍼의 언로딩이 완료되면, 제 1 웨이퍼 이송부(400)와 제 2 웨이퍼 이송부(410)는 직선 구동 거리(420)만틈 후퇴 직선 구동하여 회전 구동이 가능한 초기 상태가 된다.When the loading of the new wafer and the unloading of the processed wafer are completed, the first
위와 같이 제 1 이송 모듈(200)에서의 소정 동작이 수행되는 동안 해당 모듈과 대칭 구조를 이루는 제 2 이송 모듈(250)의 초기 상태가 제 2 공정 챔버(160) 방향인 경우 해당 챔버에 새로운 웨이퍼를 공급하거나 공정 처리된 웨이퍼를 제 1 이송 모듈(200)의 동작에 상응하여 회수할 수 있다. As described above, when the initial state of the second transfer module 250, which is symmetrical with the module during the predetermined operation in the
반면, 제 2 웨이퍼 이송 모듈(205)의 초기 상태가 제 1 웨이퍼 이송 모듈(200)과 로드락 챔버(140) 방향으로 동일 할 경우 로드락 챔버(140)의 구조에 따라 공급 및 회수되는 웨이퍼의 수가 한번에 4 장이 될 수 도 있다.On the other hand, when the initial state of the second wafer transfer module 205 is the same in the direction of the first
즉, 소정의 웨이퍼를 이송하는 이송 장치(130)가 독립적으로 회전 구동이 가능한 제 1 이송 모듈(200)과 제 2 이송 모듈(205) 을 포함하고, 각각의 이송 모듈들이 독립적으로 직선 구동이 가능한 직선 구동부를 구비함으로써, 적어도 하나의 웨이퍼 이송 모듈에서 두 장의 웨이퍼에 대한 공급 및 회수가 동시에 이루어질 수 있고, 대칭을 이루는 또 다른 웨이퍼 이송 모듈에서 두 장의 웨이퍼의 공급 및 회수가 동시에 이루어져 웨이퍼 이송에 따르는 이송 시간을 단축할 수 있다.That is, the transfer device 130 for transferring a predetermined wafer includes a
도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 제 1 웨이퍼 이송 모듈의 웨이퍼 언로딩을 도시한 도면이다.5 is a diagram illustrating wafer unloading of the first wafer transfer module according to the second embodiment of the present invention.
본 발명의 실시예에 따른 제 1 웨이퍼 이송 모듈(200)의 웨이퍼 언로딩은 전술한 도 4에서 로딩되는 웨이퍼를 제 1 공정 챔버(150)로 공급하는 것을 도시한 것이다.Wafer unloading of the first
도 4에서 언급했듯이, 제 1 웨이퍼 이송 모듈(200)에 두 장의 새로운 웨이퍼가 로딩되어 회전 구동 가능한 상태가 되면, 회전 구동부()에 의해 반시계의 회전 방향(310)으로 90도 회전 구동을 한다.As mentioned in FIG. 4, when two new wafers are loaded into the first
회전 구동부(200)에 의해 도 3에서 전술한 제 1 공정 챔버(150) 방향으로 제 1 웨이퍼 이송 모듈(200)이 위치하면, 새로운 위치가 로딩된 제 1 직선 구동부(210)가 제 1 공정 챔버(150)방향으로 전진 직선 구동을 한다.When the first
이때, 제 1 공정 챔버(150)에서 공정 처리된 웨이퍼가 있을 경우 제 2 직선 구동부(260)가 동시에 직선 구동을 하여 제 1 웨이퍼 이송부(400)에 의한 새로운 웨이퍼 공급 및 제 2 웨이퍼 이송부(420)에 의한 공정 처리된 웨이퍼의 회수가 이루어진다.In this case, when there is a wafer processed in the
웨이퍼의 공급 및 회수가 완료되면, 제 1 웨이퍼 이송 모듈(200)은 로드락 챔버(140)로의 회전 구동이 가능하도록 전진 직선 구동한 제 1, 2 직선 구동 부(210, 260)를 직선 구동 거리(420)만큼 후퇴 직선 구동을 한다.When the supply and recovery of the wafer is completed, the first
위와 같이, 제 1 웨이퍼 이송 모듈(200)에 의해 소정 동작이 수행되는 동안 제 2 웨이퍼 이송 모듈(205)에서는 제 2 공정 챔버(160)에서 회수한 웨이퍼를 로드락 챔버(140)로 언로딩 하고, 새로운 웨이퍼를 로딩하여 제 2 공정 챔버(160) 방향으로의 회전 구동이 이루어 질 수 있도록 한다.As described above, while the predetermined operation is performed by the first
즉, 제 1 웨이퍼 이송 모듈(200)을 통해 제 1 공정 챔버(150)로 새로운 웨이퍼가 공급되고 공정 처리된 웨이퍼가 회수되는 동안 제 2 웨이퍼 이송 모듈(205)에서는 이에 상응하는 동작으로 제 2 공정 챔버(160)에 새로운 웨이퍼를 공급하고 공정 처리된 웨이퍼를 회수 할 수도 있고, 제 2 공정 챔버(160)에서 회수된 웨이퍼를 로드락 챔버(140)로 언로딩 하거나 새롭게 공급되는 웨이퍼를 로딩할 수도 있지만, 제 1 웨이퍼 이송 모듈(200)과 제 웨이퍼 이송 모듈(205)의 동작은 상호 90도의 각을 이루며 동작하는 것이 바람직하다.That is, while the new wafer is supplied to the
이는 각각의 모듈이 독립적인 회전 구동이 가능한 회전 구동부(210) 및 독립적인 직선 구동이 가능한 웨이퍼 이송부(400, 410)를 포함함으로써, 적어도 두 장의 새로운 웨이퍼를 적어도 하나의 공정 챔버(150, 160)로 공급하고, 적어도 두 장의 공정 처리된 웨이퍼를 로드락 챔버(140)로 회수할 수 있는 것이다.This means that each module includes a rotation drive 210 capable of independent rotation driving and
본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상 기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구의 범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구의 범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.Those skilled in the art will appreciate that the present invention can be embodied in other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present invention. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are exemplary in all respects and not restrictive. The scope of the present invention is indicated by the scope of the following claims rather than the detailed description, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and equivalent concepts are included in the scope of the present invention. Should be interpreted as
상기한 바와 같은 반도체 웨이퍼 이송 장치 및 방법에 따르면 본 발명의 효과는 공정 챔버에서 공정이 완료된 웨이퍼의 회수와 로드락 챔버로부터 새롭게 공급되는 웨이퍼의 공급이 동시에 수행된다는 장점으로 인해 해당 챔버들 사이에서 웨이퍼의 이송 시간이 단축되는 장점도 있다.According to the semiconductor wafer transfer apparatus and method as described above, the effect of the present invention is that the wafer is interposed between the chambers due to the advantages of the recovery of the wafers completed in the process chamber and the supply of newly supplied wafers from the load lock chamber. It also has the advantage of shortening the transfer time.
뿐만 아니라, 웨이퍼의 공급 및 회수 시 적어도 두 장의 웨이퍼를 동시에 처리 할 수 있다는 장점도 있다.In addition, there is an advantage in that at least two wafers can be processed simultaneously when the wafer is supplied and recovered.
Claims (6)
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1020060126364A KR100834133B1 (en) | 2006-12-12 | 2006-12-12 | Apparatus for transferring semiconductor wafer |
Applications Claiming Priority (1)
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1020060126364A KR100834133B1 (en) | 2006-12-12 | 2006-12-12 | Apparatus for transferring semiconductor wafer |
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH04163937A (en) * | 1990-10-29 | 1992-06-09 | Fujitsu Ltd | Manufacturing device for semiconductor |
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US6582175B2 (en) | 2000-04-14 | 2003-06-24 | Applied Materials, Inc. | Robot for handling semiconductor wafers |
JP2006054455A (en) * | 2004-08-12 | 2006-02-23 | Semes Co Ltd | Substrate transfer equipment |
-
2006
- 2006-12-12 KR KR1020060126364A patent/KR100834133B1/en not_active IP Right Cessation
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