KR100828590B1 - Atmospheric pressure plasma system - Google Patents
Atmospheric pressure plasma system Download PDFInfo
- Publication number
- KR100828590B1 KR100828590B1 KR20060107431A KR20060107431A KR100828590B1 KR 100828590 B1 KR100828590 B1 KR 100828590B1 KR 20060107431 A KR20060107431 A KR 20060107431A KR 20060107431 A KR20060107431 A KR 20060107431A KR 100828590 B1 KR100828590 B1 KR 100828590B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- plasma
- electrodes
- electrode
- magnetic field
- power supply
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32816—Pressure
- H01J37/32825—Working under atmospheric pressure or higher
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3266—Magnetic control means
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
본 발명에 따르면, 제1전극 및 제1전극과 일정간격 이격된 상태로 마주보는 제2전극, 제1,2전극 하방에 일정간격 이격된 상태로 접지된 접지플레이트를 구비하는 전극부와, 제1,2전극 사이에 활성화가스를 공급하는 가스저장부와, 제1,2전극에 고압의 전원을 공급하여 제1,2전극 및 접지플레이트 사이에서 플라즈마가 발생되게 하는 전원공급부로 구성되어 기판을 제1,2전극 및 접지플레이트 사이로 이송시켜 발생되는 플라즈마에 의해 표면처리공정을 수행하는 플라즈마 발생장치에 있어서, 전극부의 접지플레이트 하부에는 전원공급부의 전원공급에 의해 발생된 플라즈마에 자계를 발생시켜 플라즈마의 전자 및 이온을 집속되게 하는 자계발생수단을 구비한다.According to the present invention, there is provided an electrode unit including a first electrode and a second electrode facing each other at a predetermined interval from the first electrode, a ground plate grounded at a predetermined interval below the first and second electrodes; A gas storage unit for supplying an activation gas between the first and second electrodes, and a power supply unit for supplying a high voltage power to the first and second electrodes to generate a plasma between the first and second electrodes and the ground plate. In the plasma generating apparatus performing a surface treatment process by the plasma generated by transferring between the first and second electrodes and the ground plate, the plasma is generated by generating a magnetic field in the plasma generated by the power supply of the power supply unit under the ground plate And magnetic field generating means for focusing electrons and ions.
이와 같은 대기압 플라즈마 발생장치는, 발생된 플라즈마에 자계를 발생시켜 플라즈마의 전자나 이온들을 집속시켜 이송되는 기판 상에 플라즈마가 집속된 상태로 도달되게 하여 기판의 표면처리공정 효과를 증대시키게 된다.Such an atmospheric pressure plasma generator generates a magnetic field in the generated plasma, focuses electrons or ions of the plasma, and reaches a plasma focused state on the transported substrate to increase the surface treatment process effect of the substrate.
플라즈마, 대기압, 발생장치, 전극, 자계, 자석 Plasma, atmospheric pressure, generator, electrode, magnetic field, magnet
Description
도 1은 종래의 대기압 플라즈마 발생장치를 나타낸 개략도,1 is a schematic view showing a conventional atmospheric plasma generator;
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 대기압 플라즈마 발생장치의 개략도,2 is a schematic diagram of an atmospheric pressure plasma generating apparatus according to an embodiment of the present invention,
도 3은 도 2에 나타낸 자계발생수단의 확대단면도,3 is an enlarged cross-sectional view of the magnetic field generating means shown in FIG. 2;
도 4a 및 도 4c는 도 3의 형상 및 배열상태에 따른 자계발생상태도,Figures 4a and 4c is a magnetic field generation state according to the shape and arrangement of Figure 3,
도 5a 및 도 5b는 도 3에 나타낸 연결플레이트의 전원공급 상태단면도,5A and 5B are cross-sectional views of a power supply state of the connection plate shown in FIG.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>
100:플라즈마 발생장치 200:기판100: plasma generator 200: substrate
300:전극부 310:제1전극300: electrode 310: first electrode
320:제2전극 330:접지플레이트320: second electrode 330: ground plate
400:가스저장부 500:전원공급부400: gas storage unit 500: power supply unit
600:자계발생수단 610:영구자석600: magnetic field generating means 610: permanent magnet
620:연결플레이트 630:케이스620: connecting plate 630: case
본 발명은 플라즈마 발생장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 대기압 플 라즈마 발생장치에 관한 것이다.The present invention relates to a plasma generating apparatus, and more particularly to an atmospheric pressure plasma generating apparatus.
일반적으로, 전압 또는 가열 등에 의하여 기체가 전리(ionization)되어 전자 및 이온의 수밀도가 비약적으로 증가되는데, 이러한 기체가 전리된 상태 즉, 전리기체를 플라즈마라고 한다.In general, a gas is ionized by voltage or heating, and the number density of electrons and ions increases dramatically. The state in which the gas is ionized, that is, an ionizing gas, is called plasma.
이러한, 플라즈마는 액정표시장치를 포함하는 평판표시장치 및 반도체의 제조 공정 중 하나인 포토리소그래피 공정에 있어서, 금속물질 또는 반도체증 등을 패터닝 시 이용되는 포토레지스트를 애싱(ashing)처리하여 제거하거나, 기타 유기물질이나 반도체물질 등으로 이루어진 박막을 에칭(etching)하거나, 표면의 유기물 등을 제거하기 위한 세정(cleaning)공정에 플라즈마 발생장치를 이용하여 진행하고 있다.In the photolithography process, which is one of the manufacturing processes of a flat panel display including a liquid crystal display and a semiconductor, the plasma may be removed by ashing a photoresist used for patterning a metal material or semiconductor deposition, or the like. A plasma generator is used to etch a thin film made of other organic materials, semiconductor materials, or the like, or to clean the surface to remove organic materials.
여기서, 플라즈마 발생장치는 대기압과 진공상태에서 플라즈마를 발생시킬 수 있으나, 진공 플라즈마 발생장치는 진공상태를 만들기 위한 장비 및 장소의 제약이 있어 근래에는 대기압 플라즈마 발생장치를 사용하고 있다.Here, the plasma generator can generate a plasma at atmospheric pressure and a vacuum state, but the vacuum plasma generator has used an atmospheric pressure plasma generator since there are limitations in the equipment and place for making a vacuum state.
도 1은 종래의 대기압 플라즈마 발생장치를 개략적으로 도시한 도면이다.1 is a view schematically showing a conventional atmospheric pressure plasma generating apparatus.
도면에 도시한 바와 같이, 종래의 대기압 플라즈마 발생장치(10)는 서로 일정간격 이격된 상태로 마주보는 제1전극(1)과 제2전극(2)이 형성되어 있으며, 상기 제1,2전극(1,2) 하방에는 접지된 접지플레이트(7)가 구비되어 있으며, 상기 제1,2전극(1,2)은 고압의 전원공급부(3)와 연결한다. 상기 제1,2전극(1,2) 상부에는 가스저장용기(4)로부터 가스를 공급받아 이격된 제1,2전극(1,2) 사이에 활성화 가스를 공급한다.As shown in the drawing, the conventional atmospheric pressure
따라서, 표면처리 공정을 진행할 기판(6)을 상기 제1,2전극(1,2) 및 상기 접지플레이트(7) 사이에 이송시키면서 제1,2전극(1,2)에 고압의 전원을 공급하면 공급된 활성화 가스로 인해 제1,2전극(1,2) 및 상기 접지플레이트(7) 사이에서 플라즈마가 발생되고, 발생된 플라즈마는 기판의 표면을 처리하게 된다.Therefore, the high voltage power is supplied to the first and
그러나, 종래의 대기압 플라즈마 발생장치(10)는 대기압하에서 플라즈마를 발생시켜 기판(6)에 적용함으로써 플라즈마가 발생되어 플라즈마의 전자나 이온들의 집속이 이루어지지 못하면서 기판(6)표면에 안정적으로 도달되지 못하여 기판(6) 표면처리가 용이하게 이루어지지 못하는 문제점이 있다.However, the conventional atmospheric pressure
따라서, 종래의 대기압 플라즈마 발생장치는 전자나 이온을 집속하기 위해 플라즈마 전극을 다단으로 사용하게 되는데, 이러한, 경우에는 설치장소가 커지게 됨과 더불어 설치비용이 증대되는 문제점이 있다.Therefore, the conventional atmospheric pressure plasma generating apparatus uses a plasma electrode in multiple stages to focus electrons or ions. In this case, the installation place becomes large and the installation cost increases.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위해 창출된 것으로서, 발생된 플라즈마의 전자와 이온을 대기압하에서 집속되게 하여 기판의 플라즈마 처리효과를 증대할 수 있도록 하는 대기압 플라즈마 발생장치를 제공하는데 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide an atmospheric pressure plasma generating apparatus capable of focusing electrons and ions of the generated plasma under atmospheric pressure to increase the plasma treatment effect of the substrate.
본 발명의 다른 목적 및 장점들은 하기에 설명될 것이며, 본 발명의 실시예에 의해 알게 될 것이다. 또한, 본 발명의 목적 및 장점들은 특허청구범위에 나타낸 수단 및 조합에 의해 실현될 수 있다. Other objects and advantages of the invention will be described below and will be appreciated by the embodiments of the invention. Furthermore, the objects and advantages of the present invention can be realized by means and combinations indicated in the claims.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 제1전극 및 상기 제1전극과 일정간격 이격된 상태로 마주보는 제2전극, 상기 제1,2전극 하방에 일정간격 이격된 상태로 접지된 접지플레이트를 구비하는 전극부와, 상기 제1,2전극 사이에 활성화가스를 공급하는 가스저장부와, 상기 제1,2전극에 고압의 전원을 공급하여 상기 제1,2전극 및 상기 접지플레이트 사이에서 플라즈마가 발생되게 하는 전원공급부로 구성되어 기판을 상기 제1,2전극 및 상기 접지플레이트 사이로 이송시켜 발생되는 플라즈마에 의해 표면처리공정을 수행하는 플라즈마 발생장치에 있어서, 상기 전극부의 접지플레이트 하부에는 상기 전원공급부의 전원공급에 의해 발생된 플라즈마에 자계를 발생시켜 플라즈마의 전자 및 이온을 집속되게 하는 자계발생수단을 포함한다.The present invention for achieving the above object, the first electrode and the second electrode facing in a state spaced apart from the first electrode, the ground grounded at a predetermined interval spaced below the first and second electrodes An electrode portion having a plate, a gas storage portion for supplying an activation gas between the first and second electrodes, and a high voltage power supply to the first and second electrodes to provide a gap between the first and second electrodes and the ground plate. In the plasma generating apparatus is composed of a power supply for generating a plasma in the plasma generating apparatus for performing a surface treatment process by the plasma generated by transferring the substrate between the first and second electrodes and the ground plate, the lower portion of the ground plate Magnetic field generating means for generating a magnetic field in the plasma generated by the power supply of the power supply unit to focus electrons and ions of the plasma.
그리고, 상기 자계발생수단은 상호 일정간격 이격된 상태로 마주보는 상부 및 하부의 극성이 반대가 되도록 구비되는 복수개의 영구자석과, 각 상기 영구자석의 하부 극성을 연결하는 연결플레이트와, 상기 영구자석 및 상기 연결플레이트를 감싸 상기 영구자석에서 발생되는 자계가 외부영향에 의해 약화되지 않도록 하는 케이스를 포함하는 것이 바람직하다.And, the magnetic field generating means is a plurality of permanent magnets provided so that the polarity of the upper and lower facing each other at a predetermined interval apart from each other, the connection plate for connecting the lower polarity of each of the permanent magnets, the permanent magnet And a case surrounding the connection plate to prevent the magnetic field generated in the permanent magnet from being weakened by external influences.
또한, 상기 연결플레이트는 자성체로 형성하는 것이 바람직하다.In addition, the connection plate is preferably formed of a magnetic material.
또한, 상기 연결플레이트에는 상기 영구자석의 자계 세기가 커지도록 교류전원이나 직류전원이 선택적으로 연결공급하는 것이 바람직하다.In addition, it is preferable that the AC power supply or the DC power supply is selectively connected to the connection plate so that the magnetic field strength of the permanent magnet is increased.
또한, 상기 케이스는 비자성체로 형성하는 것이 바람직하다.In addition, the case is preferably formed of a nonmagnetic material.
이하 첨부된 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적인 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.Prior to this, terms or words used in the specification and claims should not be construed as having a conventional or dictionary meaning, and the inventors should properly explain the concept of terms in order to best explain their own invention. It should be interpreted as meanings and concepts corresponding to the technical idea of the present invention based on the principle of definition.
따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.Therefore, the embodiments described in the specification and the drawings shown in the drawings are only the most preferred embodiment of the present invention and do not represent all of the technical idea of the present invention, various modifications that can be replaced at the time of the present application It should be understood that there may be equivalents and variations.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 대기압 플라즈마 발생장치의 개략도이다.2 is a schematic diagram of an atmospheric pressure plasma generating apparatus according to an embodiment of the present invention.
도시된 바와 같이, 본 발명의 일실시예에 따른 대기압 플라즈마 발생장치(100)는, 제1전극(310) 및 상기 제1전극(310)과 일정간격 이격된 상태로 마주보는 제2전극(320) 및 제1,2전극(310,320) 하방에 일정간격 이격된 상태로 접지된 접지플레이트(330)를 구비하는 전극부(300), 상기 제1전극(310) 및 제2전극(320) 사이에 활성화가스를 공급하는 가스저장부(400), 상기 1전극 및 상기 제2전극(320)에 고압의 전원을 공급하는 전원공급부(500)를 구비한다.As shown, the atmospheric pressure
따라서, 상기 가스저장부(400)의 활성화가스가 상기 제1전극(310) 및 제2전극(320) 사이에 공급된 상태에서 상기 전원공급부(500)에 의해 고압의 전원이 상기 제1전극(310) 및 상기 제2전극(320)에 공급되면, 상기 제1,2전극(310,320) 및 상기 접지플레이트(330) 사이에서 플라즈마가 발생하며, 발생된 플라즈마가 상기 제1,2 전극(310,320) 및 상기 접지플레이트(330) 사이로 이송되는 기판(200)의 표면처리공정을 수행하게 된다.Therefore, the high voltage power is supplied by the
그리고, 상기 전극부(300)의 접지플레이트(330) 하부에는 상기 전원공급부(500)에서 공급되는 고압의 전원에 의해 발생한 플라즈마에 자계를 발생시켜 상기 기판(200) 표면으로 플라즈마의 전자나 이온을 집속시키는 자계발생수단(600)이 구비되어 있다.In addition, a magnetic field is generated in the plasma generated by the high voltage power supplied from the
여기서, 도 3에 도시한 바와 같이, 상기 자계발생수단(600)은 상호 일정간격 이격된 상태로, 마주보는 상부 및 하부의 극성이 반대가 되도록 구비하는 복수개의 영구자석(610)과, 각 상기 영구자석(610)의 하부 극성을 연결하는 연결플레이트(620)를 구비한다.Here, as shown in Figure 3, the magnetic field generating means 600 is a plurality of
상기 영구자석(610)은 도 3에서 상호 일정간격 이격된 상태로 3개의 영구자석이 도시되었으나 이에 한정되지 않고 그 이상의 영구자석을 구비할 수도 있다.The
또한, 상기 영구자석(610)은 도 4a 및 도 4c에 도시한 바와 같은 형상 및 배열 상태를 달리하여 자계 강도를 조절하여 발생된 플라즈마 내부의 전자와 이온의 직진도와 회전방향 및 회전속도를 결정하게 된다.In addition, the
그리고, 상기 연결플레이트(620)는 상기 영구자석(610)의 하부 극성을 연결한 상태에서 자화되어 발생되는 자계의 세기가 커지도록 자성체로 형성하는 것이 바람직하다.In addition, the
즉, 상기 연결플레이트(620)는 상기 영구자석(610)에 연결되어 자화가 용이한 금속재질을 사용하는 것이 바람직하다.That is, the
여기서, 도 5a 및 도 5b에 도시한 바와 같이 상기 연결플레이트(620)에는 교류전원(700)이나 직류전원(800)을 연결공급함으로써 상기 영구자석(610)의 자계 세기가 커지도록 할 수도 있다.5A and 5B, the magnetic field strength of the
즉, 상기 연결플레이트(620)에 교류전원(700)이나 직류전원(800)을 공급하게 되면, 상기 영구자석(610) 및 상기 연결플레이트(620)가 전자석이 되면서 공급되는 전원크기에 따라 발생되는 자계의 크기도 달라지게 된다.That is, when the
또한, 상기 자계발생수단(600)은 상기 영구자석(610) 및 상기 연결플레이트(620)를 감싸 상기 영구자석(610)에서 발생되는 자계가 외부영향에 의해 약화되지 않도록 하는 케이스(630)를 포함한다.In addition, the magnetic field generating means 600 includes a
따라서, 상기 케이스(630)는 외부영향에 의해 상기 영구자석(610)의 자계에 영향을 주지 않도록 비자성체로 형성하는 것이 바람직하며, 특히 구리계열의 합금을 사용하거나 세라믹이나 고분자수지를 사용하는 것이 바람직하다.Therefore, the
이와 같이, 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 대기압 플라즈마 발생장치(100)의 기판(200)표면처리공정을 수행할 경우에는, 먼저, 상기 가스저장부(400)에서 활성화가스를 상기 전극부(300)의 제1전극(310) 및 제2전극(320) 사이로 공급시키면서, 상기 전원공급부(500)를 통해 상기 전극부(300)의 제1,2전극(310,320)에 고압의 전원을 공급한다.As such, when performing the surface treatment process of the
이와 동시에, 상기 전극부(300)의 제1,2전극(310,320) 및 접지플레이트(330) 사이에 상기 기판(200)을 이송시킨다.At the same time, the
그러면, 상기 전극부(300)의 제1,2전극(310,320) 및 상기 접지플레이트(330) 사이에서 플라즈마가 발생하게 된다.Then, plasma is generated between the first and
이때, 배출되는 플라즈마의 전자나 이온들은 상기 기판(200) 하부에 위치하고 있는 상기 자계발생수단(600)의 상기 영구자석(610)의 자계에 의해 상기 영구자석(610) 사이로 집속되면서 대기압하에서 상기 기판(200) 표면에 플라즈마가 집속된 상태로 도달되게 하여 상기 기판(200)의 표면처리공정 효과가 증대되도록 한다.At this time, the electrons or ions of the discharged plasma is focused between the
이상과 같이 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 이것에 의해 한정되지 않으며 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술 사상과 아래에 기재될 특허청구범위의 균등범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능함은 물론이다.As described above, although the present invention has been described by way of limited embodiments and drawings, the present invention is not limited thereto and is described by the person of ordinary skill in the art to which the present invention pertains. Various modifications and variations are possible without departing from the scope of the appended claims.
상술한 바와 같은 본 발명의 대기압 플라즈마 발생장치는, 발생된 플라즈마에 자계를 발생시켜 플라즈마의 전자나 이온들을 집속시켜 이송되는 기판 상에 플라즈마가 집속된 상태로 도달되게 하여 기판의 표면처리공정 효과를 증대시키게 된다.The atmospheric pressure plasma generating apparatus of the present invention as described above generates a magnetic field in the generated plasma to focus electrons or ions of the plasma to reach the focused plasma on the transported substrate, thereby improving the surface treatment process of the substrate. Increased.
Claims (5)
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20060107431A KR100828590B1 (en) | 2006-11-01 | 2006-11-01 | Atmospheric pressure plasma system |
PCT/KR2006/005459 WO2008054039A1 (en) | 2006-11-01 | 2006-12-14 | Atmospheric pressure plasma system |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20060107431A KR100828590B1 (en) | 2006-11-01 | 2006-11-01 | Atmospheric pressure plasma system |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20080039732A KR20080039732A (en) | 2008-05-07 |
KR100828590B1 true KR100828590B1 (en) | 2008-05-09 |
Family
ID=39344369
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR20060107431A KR100828590B1 (en) | 2006-11-01 | 2006-11-01 | Atmospheric pressure plasma system |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100828590B1 (en) |
WO (1) | WO2008054039A1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101579787B1 (en) | 2014-10-28 | 2015-12-29 | 주식회사 피글 | Atmospheric plasma gas generator |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102032294B1 (en) | 2018-04-13 | 2019-10-15 | 주식회사 에이피피 | Apparatus for generating atmospheric pressure plasma |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20010084567A (en) * | 2000-02-28 | 2001-09-06 | 0 | Apparatus for producing glow discharge plasama in atmosphere |
KR20050035707A (en) * | 2003-10-14 | 2005-04-19 | 위순임 | Apparatus for generating plasma at atmospheric pressure |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0817171B2 (en) * | 1990-12-31 | 1996-02-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Plasma generator and etching method using the same |
KR100489624B1 (en) * | 2002-06-21 | 2005-05-17 | 주식회사 디엠에스 | Atmospheric pressure plasma generator |
-
2006
- 2006-11-01 KR KR20060107431A patent/KR100828590B1/en active IP Right Grant
- 2006-12-14 WO PCT/KR2006/005459 patent/WO2008054039A1/en active Application Filing
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20010084567A (en) * | 2000-02-28 | 2001-09-06 | 0 | Apparatus for producing glow discharge plasama in atmosphere |
KR20050035707A (en) * | 2003-10-14 | 2005-04-19 | 위순임 | Apparatus for generating plasma at atmospheric pressure |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101579787B1 (en) | 2014-10-28 | 2015-12-29 | 주식회사 피글 | Atmospheric plasma gas generator |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2008054039A1 (en) | 2008-05-08 |
KR20080039732A (en) | 2008-05-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI529800B (en) | Method and apparatus for high aspect ratio dielectric etch | |
US6849857B2 (en) | Beam processing apparatus | |
TWI516174B (en) | Controlling ion energy distribution in plasma processing systems | |
CN100424832C (en) | Method and apparatus for plasma etching | |
US20130081761A1 (en) | Radical passing device and substrate processing apparatus | |
JP5233093B2 (en) | Mounting table for plasma processing apparatus and plasma processing apparatus | |
JP2010170982A (en) | Electrostatic chuck and manufacturing device for organic field emission element provided with the same | |
TW473556B (en) | Planer gas introducing unit of CCP reactor | |
JP2004104095A (en) | Magnetron plasma etching apparatus | |
JP2004047511A (en) | Method for releasing, method for processing, electrostatic attracting device, and treatment apparatus | |
JP2019061849A5 (en) | ||
TW201324573A (en) | Processing system and method for charge neutralization, and ion implantation system | |
KR100828590B1 (en) | Atmospheric pressure plasma system | |
KR20180076306A (en) | Electrostatic chuck apparatus and electrostatic adsorption method | |
JP2010278362A (en) | Plasma etching apparatus | |
KR950034507A (en) | Helicon plasma processing method and device | |
JPH0269956A (en) | Method and apparatus for electrostatically chucking | |
JP6558901B2 (en) | Plasma processing method | |
KR101894598B1 (en) | Plasma processing apparatus | |
JP2012204582A (en) | Plasma processing apparatus | |
KR20040107983A (en) | Aperture for manufacturing a semiconductor device | |
JP2014070275A (en) | Plasma treatment method, and plasma treatment apparatus | |
KR101094644B1 (en) | Apparatus for generating hollow cathode plasma and apparatus for treating substrate by hollow cathode plasma | |
CN107447195B (en) | Magnetron and magnetron sputtering system | |
JP4800230B2 (en) | Vacuum processing equipment |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
N231 | Notification of change of applicant | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130412 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140430 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150227 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160302 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20200311 Year of fee payment: 15 |