KR100489624B1 - Atmospheric pressure plasma generator - Google Patents

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Abstract

상압 플라즈마 발생 장치를 개시한다. 본 발명에 따른 상압 플라즈마 발생 장치는 상압 플라즈마 발생장치의 전원 인가 방식을 개선한 것으로서, 피처리물의 표면에 도달하는 이온과 전자의 수를 조절함으로써 피처리물의 표면 정전기량을 최소화한다.An atmospheric pressure plasma generating apparatus is disclosed. The atmospheric pressure plasma generator according to the present invention improves the power supply method of the atmospheric pressure plasma generator, and minimizes the amount of surface static electricity of the workpiece by controlling the number of ions and electrons that reach the surface of the workpiece.

Description

상압 플라즈마 발생 장치{Atmospheric pressure plasma generator}Atmospheric pressure plasma generator

본 발명은 플라즈마 발생 장치에 관한 것으로, 특히 상압에서 플라즈마를 발생시킬 수 있는 상압 플라즈마 발생 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a plasma generating apparatus, and more particularly to an atmospheric pressure plasma generating apparatus capable of generating a plasma at atmospheric pressure.

플라즈마는 방전시 기체의 온도가 높은 것을 이용하여 금속 절단, 용접 및 소각의 목적으로 사용되는 것이 일반적이지만, 플라즈마 상태에서 발생되는 활성 입자들을 화학 반응 등에도 적용할 수가 있다. 예를 들어, 피처리물의 표면 상태를 변화시키거나 피처리물 표면 위의 이물질 및 입자들을 제거하는 데에 이용될 수 있다. Plasma is generally used for the purpose of metal cutting, welding and incineration by using a gas having a high temperature during discharge, but active particles generated in a plasma state can be applied to chemical reactions and the like. For example, it can be used to change the surface state of a workpiece or to remove foreign substances and particles on the surface of the workpiece.

도 1은 종래의 상압 플라즈마 발생 장치를 도시한 것이고, 도 2는 도 1의 장치에서 거리에 따른 전위를 도시한 것이다. 도 1 및 도 2를 참조하면, 종래의 상압 플라즈마 발생 장치는 두 전극(10, 20) 중 음극(10)에는 주파수 수십 Hz에서 수백 kHz의 교류전원(40)을 인가하고 양극(20)은 접지(50)하여, 가스 주입구(30)에 가스를 주입하여 상압 상태에서 플라즈마(60)를 발생시킨다. 플라즈마(60) 전위와 각 전극(10, 20) 사이의 전위차를 독립적으로 제어할 수 없기 때문에, 피처리물(70)의 표면에 도달하는 이온(42)과 전자(52)의 수를 제어하는 것이 어렵다.FIG. 1 illustrates a conventional atmospheric pressure plasma generating apparatus, and FIG. 2 illustrates potentials along distances in the apparatus of FIG. 1. Referring to FIGS. 1 and 2, the conventional atmospheric pressure plasma generator applies an AC power supply 40 having a frequency of several hundred kHz at a frequency of several tens Hz to the cathode 10 of the two electrodes 10 and 20, and the anode 20 is grounded. 50, gas is injected into the gas injection port 30 to generate the plasma 60 at atmospheric pressure. Since the potential difference between the plasma 60 potential and each of the electrodes 10 and 20 cannot be independently controlled, the number of ions 42 and electrons 52 reaching the surface of the workpiece 70 can be controlled. It is difficult.

도 2에 도시한 것처럼, 조정치의 값을 크게 하면 이온(42)이 음극(10)으로 많은 양이 통과하여 결과적으로 피처리물(70)에 도달하는 이온(42)의 수가 감소한다. 그러나, 피처리물(70)에 도달하는 전자(52)의 수는 조절할 방법이 없다. 따라서, 도달하는 이온(42)과 전자(52)수의 차에 의한 높은 전위의 정전기가 발생한다. 특히, 피처리물(70)의 표면이 도전체와 절연체로 구성된 경우( 예를 들어, 금속막이 절연막 위에 패터닝되어 있는 경우), 상기 정전기가 방전됨으로 인하여 패턴 불량이 발생된다. As shown in FIG. 2, when the value of the adjustment value is increased, a large amount of ions 42 pass through the cathode 10, and as a result, the number of ions 42 reaching the object 70 is reduced. However, there is no way to adjust the number of electrons 52 that reach the workpiece 70. Therefore, a high potential static electricity is generated by the difference between the number of ions 42 and the electrons 52 that arrive. In particular, when the surface of the workpiece 70 is composed of a conductor and an insulator (for example, when a metal film is patterned on the insulating film), a pattern failure occurs due to the discharge of the static electricity.

즉, 종래의 플라즈마 발생 장치를 이용하여 피처리물의 표면 상태를 변화시키거나 그 표면 위의 이물질 및 입자들을 제거하고자 하는 경우, 처리 표면 및 피처리물의 상태나 구조에 따라 높은 정전기의 방전에 의해 손상을 받기 쉽다는 문제가 있다. That is, when changing the surface state of a workpiece or removing foreign matters and particles on the surface by using a conventional plasma generator, damage by high electrostatic discharge depending on the surface and the condition or structure of the workpiece. There is a problem that is easy to receive.

따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 피처리물의 표면에 도달하는 이온과 전자의 수를 제어하여 정전기 발생을 억제할 수 있는 상압 플라즈마 발생 장치를 제공하는 것이다.Accordingly, the technical problem to be achieved by the present invention is to provide an atmospheric pressure plasma generator that can suppress the generation of static electricity by controlling the number of ions and electrons that reach the surface of the workpiece.

상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 플라즈마 전위와 각 전극 사이의 전위차를 독립적으로 제어할 수 있는 상압 플라즈마 장치를 제안한다. 이 장치는, 피처리물 상부의 양극과 음극 사이에 가스를 주입하고 플라즈마를 발생시켜 피처리물의 표면을 처리하는 상압 플라즈마 발생 장치로서, 상기 플라즈마의 전위와 상기 두 전극 사이의 전위차를 독립적으로 조절할 수 있도록, 상기 양극과 음극 각각에 주파수가 서로 다른 교류전원을 인가하는 것을 특징으로 한다. 그리고, 상기 플라즈마가 상기 피처리물 측으로 유도되는 것을 돕기 위하여, 상기 피처리물 하부에서 일정 간격 이격 설치되는 보조 전극을 더 포함한다.In order to achieve the above technical problem, the present invention proposes an atmospheric pressure plasma apparatus that can independently control the potential difference between the plasma potential and each electrode. The apparatus is an atmospheric pressure plasma generator that injects a gas between an anode and a cathode on an upper part of a workpiece and generates a plasma to treat the surface of the workpiece, and independently adjusts the potential difference of the plasma and the potential difference between the two electrodes. In order to be able to, it is characterized by applying an AC power source having a different frequency to each of the positive electrode and the negative electrode. The auxiliary electrode may further include an auxiliary electrode provided at a predetermined interval below the object to help guide the plasma to the object.

본 발명에 있어서, 상기 양극과 음극의 면적이 서로 상이하게 구성될 수 있다. In the present invention, the areas of the positive electrode and the negative electrode may be configured to be different from each other.

본 발명에 따르면, 피처리물의 표면에 도달하는 이온과 전자의 수를 독립적으로 제어할 수 있으므로 정전기 발생을 억제할 수 있다.According to the present invention, since the number of ions and electrons that reach the surface of the workpiece can be controlled independently, the generation of static electricity can be suppressed.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 그러나, 다음에 예시하는 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 다음에 상술하는 실시예들에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위하여 제공되어지는 것이다. 도면에서 각 요소는 설명 및 도시의 편의를 위하여 과장되어진 것이다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described embodiments of the present invention; However, the following exemplary embodiments may be modified in many different forms, and the scope of the present invention is not limited to the following exemplary embodiments. Embodiments of the present invention are provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. In the drawings, each element is exaggerated for convenience of description and illustration.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 상압 플라즈마 발생 장치를 도시한 것이고, 도 4는 도 3의 장치에서 거리에 따른 전위를 도시한 것이다. 도 3 및 도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 상압 플라즈마 장치에서는, 두 전극(110, 120) 각각에 주파수가 f1과 f2로 서로 다른 교류전원(140, 150)을 인가한다. 주파수 f1과 f2는 각각 수십 Hz에서 수백 kHz의 범위를 가질 수 있다. 교류전원(140, 150) 각각에는 도 3에서와 같이 대역 통과 필터(Band Pass Filter ; BPF)(145, 155)를 설치할 수 있다. 그리고, 상압 상태에서 가스 주입구(130)에 헬륨, 아르곤, 질소, 산소 등의 가스를 주입하여 플라즈마(160)를 발생시킨다. 두 전극(110, 120) 각각에 교류전원(140, 150)을 인가함으로써, 플라즈마(160) 전위와 각 전극(110, 120) 사이의 전위차를 독립적으로 조절/제어할 수 있게 된다. 즉, 도 4에서와 같이 조정치 1과 조정치 2를 조절함으로써 전위차를 조절할 수 있다. 이와 같은 독립적인 전위차의 조절은 (화살표 방향으로 진행되어 이송 중인) 피처리물(170)의 표면에 도달하는 이온(142)과 전자(152)의 수를 독립적으로 제어한다. 따라서, 궁극적으로는 피처리물(170) 표면의 전기적 특성을 중성으로 유지할 수 있다. 피처리물 표면(170)의 정전기 발생을 억제함으로써 피처리물(170)의 재질 및 표면 상태와 관계없이 상압 플라즈마를 정전기의 데미지(damage)없이 적용하는 것이 가능해진다. 3 illustrates an atmospheric pressure plasma generating apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4 illustrates potentials along distances in the apparatus of FIG. 3. 3 and 4, in an atmospheric pressure plasma apparatus according to an embodiment of the present invention, AC powers 140 and 150 having different frequencies at f1 and f2 are applied to each of the two electrodes 110 and 120. The frequencies f1 and f2 can range from tens of Hz to hundreds of kHz, respectively. Each of the AC power sources 140 and 150 may be provided with a band pass filter (BPF) 145 and 155 as shown in FIG. 3. In addition, the plasma 160 is generated by injecting a gas such as helium, argon, nitrogen, or oxygen into the gas injection port 130 in the normal pressure state. By applying the AC power sources 140 and 150 to each of the two electrodes 110 and 120, the potential difference between the plasma 160 potential and the electrodes 110 and 120 can be independently adjusted / controlled. That is, the potential difference can be adjusted by adjusting the adjustment value 1 and the adjustment value 2 as shown in FIG. 4. This independent adjustment of the potential difference independently controls the number of ions 142 and electrons 152 that reach the surface of the workpiece 170 (proceeding in the direction of the arrow and being transported). Therefore, ultimately, the electrical characteristics of the surface of the workpiece 170 may be maintained to be neutral. By suppressing the generation of static electricity on the workpiece surface 170, it is possible to apply atmospheric pressure plasma without damaging static electricity, regardless of the material and surface state of the workpiece 170.

더욱 자세하게 도 4를 참조하면, 조정치 1의 값을 크게 할 경우에는 이온(142)이 음극(110)으로 많은 양이 통과하여 결과적으로 피처리물(170)에 도달하는 이온(142)의 수가 감소한다. 따라서, 조정치 1의 조절은 피처리물(170)에 도달하는 이온(142)의 수를 결정한다. 또한 조정치 2의 값을 크게 하면 전자(152)가 양극(120)으로 많은 양이 통과하여 결과적으로 피처리물(170)에 도달하는 전자(152)의 수가 감소한다. 따라서, 조정치 2의 조절은 피처리물(170)에 도달하는 전자(152)의 수를 결정한다. 즉, 피처리물(170) 표면에서의 정전기량을 최소화하기 위하여 조정치 1과 조정치 2를 조정함으로써 피처리물(170)의 표면에 전기적 특성을 중성으로 유지하는 목적을 달성한다.Referring to FIG. 4 in more detail, when the value of adjustment value 1 is increased, the number of ions 142 passing through a large amount of ions 142 to the cathode 110 and eventually reaching the workpiece 170 is obtained. Decreases. Thus, adjustment of adjustment value 1 determines the number of ions 142 that reach the workpiece 170. In addition, when the value of the adjustment value 2 is increased, a large amount of electrons 152 pass through the anode 120, and as a result, the number of electrons 152 that reaches the workpiece 170 is reduced. Thus, adjustment of adjustment value 2 determines the number of electrons 152 that reach the workpiece 170. That is, by adjusting the adjustment value 1 and the adjustment value 2 in order to minimize the amount of static electricity on the surface of the workpiece 170, the purpose of maintaining the electrical characteristics on the surface of the workpiece 170 to be neutral.

또한 양극(120) 또는 음극(110) 면적을 서로 상이하게 구성하여 피처리물(170)의 표면에 도달하는 이온(142)과 전자(152)의 수를 허용범위로 내로 조정하도록 할 수도 있다. In addition, the area of the anode 120 or the cathode 110 may be different from each other to adjust the number of the ions 142 and the electrons 152 that reach the surface of the object 170 within an allowable range.

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 상압 플라즈마 발생 장치를 도시한 것이다. 도 5에서 앞의 도 3과 동일한 요소에 대하여는 동일한 참조번호를 부여하고 반복적인 설명은 생략하기로 한다. 5 shows an atmospheric pressure plasma generating apparatus according to another embodiment of the present invention. In FIG. 5, the same reference numerals are given to the same elements as in FIG. 3, and repeated description thereof will be omitted.

플라즈마를 이용한 표면 처리에 있어서, 일반적으로 피처리물에 이온 및 전자를 도달하게 하는 요소는 중력과 공급 가스에 의한 흐름이다. 도 5에 나타낸 장치에는 이러한 요소에 추가하여, 피처리물(170) 하부에서 일정 간격 이격 설치된 보조 전극(180)에 의해 피처리물(170)에 전자와 이온이 원활하게 도달하게 유도한다.In the surface treatment using plasma, in general, the elements that bring ions and electrons to the object to be processed are gravity and flow by the supply gas. In addition to these elements, the apparatus shown in FIG. 5 induces electrons and ions to smoothly reach the object 170 by the auxiliary electrode 180 provided at a predetermined interval below the object 170.

본 발명의 특정 실시예들에 대한 이상의 설명은 예시 및 설명을 목적으로 제공되었다. 본 발명은 상기 실시예들에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가지 많은 수정 및 변형이 가능함은 명백하다.The foregoing description of specific embodiments of the present invention has been presented for purposes of illustration and description. The present invention is not limited to the above embodiments, and it is apparent that many modifications and variations can be made by those skilled in the art within the technical spirit of the present invention.

본 발명에 따르면, 플라즈마 전위와 각 전극 사이의 전위차를 독립적으로 제어할 수 있게 되어, 피처리물의 표면에 도달하는 이온과 전자의 수를 제어할 수 있다. 이에 따라, 정전기 발생을 억제할 수 있다. According to the present invention, the potential difference between the plasma potential and each electrode can be controlled independently, thereby controlling the number of ions and electrons that reach the surface of the workpiece. As a result, the generation of static electricity can be suppressed.

따라서, 본 발명은 피처리물의 재질 및 표면 상태에 관계없이 상압 플라즈마 발생 장치를 적용할 수 있게 한다. 특히, 반도체 및 LCD의 공정에서 절연막 위에 패터닝된 도전막이 형성되어 있는 경우에라도 본 발명에 따른 상압 플라즈마 장치를 적용한다면, 패턴의 데미지 없이 피처리물의 표면 상태를 변화시키거나 표면 위의 이물질 및 입자들을 제거할 수 있다. Therefore, the present invention makes it possible to apply the atmospheric pressure plasma generating apparatus regardless of the material and the surface state of the workpiece. In particular, even when the patterned conductive film is formed on the insulating film in the process of semiconductor and LCD, if the atmospheric pressure plasma apparatus according to the present invention is applied, the surface state of the workpiece can be changed without damaging the pattern or foreign substances and particles on the surface can be removed. Can be removed.

따라서, 제품의 변형없이 표면 세정 효과를 거둘 수 있으므로 생산 단가가 저감되고 공정 단순화에 크게 기여할 수 있으며 수율을 향상시킬 수 있다. Therefore, the surface cleaning effect can be achieved without deformation of the product, thereby reducing the production cost, greatly contributing to the process simplification, and improving the yield.

도 1은 종래의 상압 플라즈마 발생 장치를 도시한 것이다. 1 shows a conventional atmospheric pressure plasma generating apparatus.

도 2는 도 1의 장치에서 거리에 따른 전위를 도시한 것이다. FIG. 2 shows the potential with distance in the device of FIG. 1.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 상압 플라즈마 발생 장치를 도시한 것이다. 3 illustrates an atmospheric pressure plasma generating apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 4는 도 3의 장치에서 거리에 따른 전위를 도시한 것이다. 4 shows the potential over distance in the device of FIG. 3.

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 상압 플라즈마 발생 장치를 도시한 것이다. 5 shows an atmospheric pressure plasma generating apparatus according to another embodiment of the present invention.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *

110 : 음극 120 : 양극 110: cathode 120: anode

130 : 가스 주입구 140, 150 : 교류전원130: gas inlet 140, 150: AC power

145, 155 : 대역 통과 필터 160 : 플라즈마145, 155: band pass filter 160: plasma

170 : 피처리물 180 : 보조 전극170: to-be-processed object 180: auxiliary electrode

Claims (3)

피처리물 상부의 양극과 음극 사이에 가스를 주입하고 플라즈마를 발생시켜 피처리물의 표면을 처리하는 상압 플라즈마 발생 장치에 있어서, In the atmospheric pressure plasma generating apparatus for injecting a gas between the anode and the cathode on the top of the workpiece and generating a plasma to treat the surface of the workpiece, 상기 플라즈마의 전위와 상기 두 전극 사이의 전위차를 독립적으로 조절할 수 있도록, 상기 양극과 음극 각각에 주파수가 서로 다른 교류전원을 인가하고, Applying an AC power source having a different frequency to each of the anode and the cathode so that the potential difference between the plasma and the two electrodes can be adjusted independently, 상기 플라즈마가 상기 피처리물 측으로 유도되는 것을 돕기 위하여, 상기 피처리물 하부에서 일정 간격 이격 설치되는 보조 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마 발생 장치.In order to help the plasma to be guided to the side of the workpiece, the atmospheric pressure plasma generating apparatus comprising an auxiliary electrode which is spaced apart a predetermined interval below the workpiece. 제1항에 있어서, 상기 양극과 음극의 면적이 서로 상이하게 구성된 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마 발생 장치.The atmospheric pressure plasma generator according to claim 1, wherein the areas of the anode and the cathode are configured to be different from each other. 삭제delete
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100828590B1 (en) * 2006-11-01 2008-05-09 주식회사 에이피아이 Atmospheric pressure plasma system
KR100905257B1 (en) * 2007-08-31 2009-06-29 세메스 주식회사 Method for controlling electric potential, unit for controlling electric potential and apparatus for processing substrates using the same

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03204925A (en) * 1990-08-07 1991-09-06 Tadahiro Omi Plasma processor
JPH04290226A (en) * 1991-03-19 1992-10-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method and apparatus for generation of plasma
KR19980087289A (en) * 1997-05-22 1998-12-05 미따라이 후지오 Plasma processing method and apparatus
KR100302167B1 (en) * 1993-11-05 2001-11-22 히가시 데쓰로 Plasma Treatment Equipment and Plasma Treatment Methods

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03204925A (en) * 1990-08-07 1991-09-06 Tadahiro Omi Plasma processor
JPH04290226A (en) * 1991-03-19 1992-10-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method and apparatus for generation of plasma
KR100302167B1 (en) * 1993-11-05 2001-11-22 히가시 데쓰로 Plasma Treatment Equipment and Plasma Treatment Methods
KR19980087289A (en) * 1997-05-22 1998-12-05 미따라이 후지오 Plasma processing method and apparatus

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