KR100818671B1 - 슬릿 스캔 및 스핀 방식을 이용한 포토레지스트 코팅 장치및 방법, 그리고, 슬릿 스캔 및 스핀 방식을 이용한포토레지스트 코팅 방법에 의해 코팅된 포토레지스트 막을갖는 블랭크 마스크 및 이를 이용하여 제조된 포토 마스크 - Google Patents

슬릿 스캔 및 스핀 방식을 이용한 포토레지스트 코팅 장치및 방법, 그리고, 슬릿 스캔 및 스핀 방식을 이용한포토레지스트 코팅 방법에 의해 코팅된 포토레지스트 막을갖는 블랭크 마스크 및 이를 이용하여 제조된 포토 마스크 Download PDF

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Abstract

슬릿스캔 및 스핀 방식을 이용한 포토레지스트 코팅 장치 및 방법, 그리고, 슬릿 스캔 및 스핀 방식을 이용한 포토레지스트 코팅 방법에 의해 코팅된 포토레지스트 막을 갖는 블랭크 마스크 및 이를 이용하여 제조된 포토 마스크가 개시된다. 스핀척은 외부로부터 구동력을 전달받아 소정의 확산속도로 소정의 확산시간 동안 회전하여 상부에 장착된 마스크의 상면에 도포되어 있는 포토레지스트 물질을 균일하게 확산시켜 소정 두께의 포토레지스트 막을 형성시킨다. 스핀볼은 스핀척을 수용하는 수용공간을 갖는다. 슬릿노즐은 스핀척에 장착된 마스크의 상면으로부터 소정거리 이격되어 배치되고, 마스크의 일단부로부터 타단부 방향으로 구동되어 일단부에 설치된 슬릿을 통해 마스크의 상면에 포토레지스트 물질을 도포한다. 본 발명에 따르면, 마스크의 전체 영역에 걸쳐 우수한 균일성을 가진 포토레지스트 막을 형성할 수 있으며, 포토레지스트의 사용량을 최소로 하면서 마스크의 가장자리 부분의 포토레지스트 막의 과다형성에 따른 간섭색의 발생을 방지할 수 있다.
슬릿노즐, 스캔코팅, 스핀코팅, 포토레지스트, 블랭크 마스크, 포토 마스크

Description

슬릿 스캔 및 스핀 방식을 이용한 포토레지스트 코팅 장치 및 방법, 그리고, 슬릿 스캔 및 스핀 방식을 이용한 포토레지스트 코팅 방법에 의해 코팅된 포토레지스트 막을 갖는 블랭크 마스크 및 이를 이용하여 제조된 포토 마스크{Apparatus and method for coating photo-resist by silt scan and spin, and blank mask having a photo-resist film coated by the method and photo mask manufactured by using the same}
도 1은 스핀 코팅 방식이 적용된 종래의 포토레지스트 코팅 장치를 도시한 도면,
도 2는 스핀 코팅 방식이 적용된 종래의 포토레지스트 코팅 장치의 커버가 개방된 상태의 평면도,
도 3은 스캔 코팅 방식이 적용된 종래의 포토레지스트 코팅 장치를 도시한 도면,
도 4는 본 발명에 따른 슬릿 스캔 및 스핀 방식을 이용한 포토레지스트 코팅 장치의 일 실시예를 도시한 도면,
도 5는 본 발명에 따른 슬릿 스캔 및 스핀 방식을 이용한 포토레지스트 코팅 장치의 커버가 개방된 상태의 평면도,
도 6은 본 발명에 따른 슬릿 스캔 및 스핀 방식을 이용한 포토레지스트 코팅 방법의 일 실시예의 수행과정을 도시한 흐름도,
도 7a 및 도 7b는 각각 종래의 스핀 방식을 이용한 포토레지스트 코팅 방법 및 본 발명에 따른 슬릿 스캔 및 스핀 방식을 이용한 포토레지스트 코팅 장치에 의해 제조된 블랭크 마스크의 종단면을 도시한 도면,
도 8a 및 도 8b는 각각 종래의 스핀 방식을 이용한 포토레지스트 코팅 방법 및 본 발명에 따른 슬릿 스캔 및 스핀 방식을 이용한 포토레지스트 코팅 장치에 의해 제조된 블랭크 마스크의 단부로부터 중심방향으로의 포토레지스트 막의 두께변화를 도시한 도면,
도 9는 본 발명에 따른 슬릿 스캔 및 스핀 방식을 이용한 포토레지스트 코팅 방법의 수행시 제1스핀공정의 회전속도에 따른 포토레지스트 막의 두께 변화를 측정한 결과를 도시한 도면,
도 10 및 도 11은 각각 본 발명에 따른 슬릿 스캔 및 스핀 방식을 이용한 포토레지스트 코팅 방법의 수행시 제1스핀공정의 회전속도 및 회전시간에 따른 에지영역에서의 포토레지스트 막의 균일도 변화를 측정한 결과를 도시한 도면, 그리고,
도 12는 본 발명에 따른 슬릿 스캔 및 스핀 방식을 이용하여 포토레지스트 코팅 수행시 슬릿노즐 이동속도에 따른 포토레지스막의 두께 변화를 측정한 결과를 도시한 도면이다.
본 발명은 슬릿 스캔 및 스핀 방식을 이용한 포토레지스트 코팅 장치 및 방법, 그리고, 슬릿 스캔 및 스핀 방식을 이용한 포토레지스트 코팅 방법에 의해 코팅된 포토레지스트 막을 갖는 블랭크 마스크 및 이를 이용하여 제조된 포토 마스크에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 대형 LCD/PDP/Color Filter용 블랭크 마스크 상에 슬릿 스캔 방식과 스핀 방식을 이용하여 포토레지스트를 코팅하는 장치 및 방법, 그리고, 슬릿 스캔 및 스핀 방식을 이용한 포토레지스트 코팅 방법에 의해 코팅된 포토레지스트 막을 갖는 블랭크 마스크 및 이를 이용하여 제조된 포토 마스크에 관한 것이다.
TFT-LCD, PDP 및 Color filter용 판넬을 제작하기 위해서는 필수적으로 포토 마스크를 사용하는 포토리소그래피(photo lithography) 기술이 이용되고 있다. 포토 마스크는 유리기판(Quartz, Soda lime 등) 위에 크롬 박막을 증착(sputtering)한 후 포토레지스트 막을 코팅하고, 포토레지스트 막에 특정 파장의 빛을 노광하여 미세 패턴을 형성하여 제조된다. 이 때, 노광에 의한 미세 패턴의 형성 전의 제품을 블랭크 마스크라 한다. 이러한 블랭크 마스크에 미세한 디바이스 회로 패턴을 형성하기 위해서는 균일한 포토레지스트 막을 코팅해야만 포토 마스크의 미세 패턴 구현이 용이 하며, TFT-LCD, PDP, Color filter 등과 같은 대형 블랭크 마스크의 경우에도 판넬의 설계룰이 미세화됨에 따라 포토 마스크의 패턴에 있어서도 고정도의 미세화가 요구되고 있다. 따라서 포토 마스크에 미세하고 정교한 패턴을 형성하기 위해서는 포토레지스트 코팅막의 균일성이 좋아야 하고, 코팅 후 발생되는 얼룩(discolor)이나 미세한 이물질(particle) 등의 결함(defect)이 적어야 한다.
여기에서 블랭크 마스크(Blank mask)는 합성 석영 유리 또는 소다 라임(soda lime) 유리 기판 위에 크롬과 같은 금속 물질을 반응성 스퍼터링 방식을 이용하여 차광막을 형성하여 차광막 위에 반사방지막을 형성, 포토레지스트를 코터를 이용하여 포토레지스트를 반사방지막 위에 코팅한 것이다. 또한, 마스크(바이너리 마스크 또는 위상시프트 마스크)는 상술한 블랭크 마스크에서 포토레지스트를 코팅하기 전의 상태를 말한다. 즉, 합성 석영 유리 또는 소다 라임 유리 기판 위에 차광막 및 반사방지막이 스퍼터링된 것을 말한다.
종래의 대형 블랭크 마스크의 포토레지스트 코팅은 크게 스핀 코팅 방식과 모세혈관 원리를 이용한 스캔 방식에 의해 이루어지고 있다.
도 1은 스핀 코팅 방식이 적용된 종래의 포토레지스트 코팅 장치를 도시한 도면이고, 도 2는 스핀 코팅 방식이 적용된 종래의 포토레지스트 코팅 장치의 커버가 개방된 상태의 평면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 종래의 일반적인 스핀 코팅 장치(100)는 스핀볼(110), 스핀척(120), 모터(130), 유입관(140), 내부커버(150) 및 외부커버(160)를 구비한다.
스핀볼(110)은 스핀척(130)을 수용하며, 마스크(180)가 출입하기 위한 개구부 및 포토레지스트를 배출하기 위한 배출구를 갖는다. 스핀척(120)의 상부에는 마스크(180)가 장착되며, 스핀척(120)은 모터(130)의 구동력에 의해 회전한다. 유입관(140)은 단부에 형성된 통공형의 노즐을 통해 스핀척(120)에 장착되어 있는 마스크(180)에 포토레지스트(190)를 분사한다. 유입관(140)은 공정의 진행에 따라 스핀 척(120)에 마스크(180)가 장착되기 전과 마스크(180)에 포토레지스트(190)가 토출되기 전에 위치하는 초기위치 및 단부에 형성된 노즐이 스핀척(120)에 장착된 마스크(180)의 중앙에 위치하는 토출위치 사이를 이동한다. 내부커버(150)는 스핀척(120)의 상부 둘레면과 결합되어 스핀척(120)과 같이 회전하며, 외부커버(160)는 스핀볼(110)의 상부 둘레면과 결합되어 공정의 진행시 스핀볼(110)의 내부공간을 외부와 차단한다.
상기와 같은 구성을 갖는 종래의 스핀 코팅 장치(100)에 의한 포토레지스트 코팅 공정은 다음과 같다. 먼저, 내부커버(150)와 외부커버(160)가 상승한 상태에서 외부로부터 공급되는 포토레지스트(190)를 유도하는 유입관(140)이 말단에 형성되어 있는 노즐이 스핀척(120)에 장착되어 있는 마스크(180)의 중앙에 위치하도록 이동한다. 다음으로 포토레지스트(190)를 노즐을 통해서 스핀척(120)에 장착된 마스크(180)에 떨어뜨린 후 유입관(140)이 스핀볼(110)을 빠져나간 후 2개의 커버(150, 160)를 하강시켜 스핀척(120)과 스핀볼(110)을 밀폐시킨다. 다음으로 스핀척(120)에 모터(130)의 구동력을 전달하여 마스크(180)를 회전시켜 포토레지스트(190)를 마스크(180) 전체로 확산시킴으로써, 마스크(180) 상에 포토레지스트 막을 형성한다. 이 때, 마스크(180)의 중앙에 떨어진 포토레지스트(190)는 일정한 점도를 가지는 액상의 물질이므로 원형으로 확산된다.
상술한 바와 같은 스핀 코팅 방식을 적용할 경우에 포토레지스트(190)를 마스크(180)의 반사방지막 및 차광막 위에 뿌린 후 커버(150, 160)를 닫은 상태에서 스핀척(120)의 회전으로 요구되는 얇은 포토레지스트의 코팅막을 형성한다. 그러나 대형 LCD, PDP 및 Color Filter용 블랭크 마스크는 원형이거나 정사각형이 아니고 직사각형의 형태를 가지고 있기 때문에 마스크(180)의 중심으로부터 가로방향과 세로방향의 길이가 상이하다. 따라서 종래의 스핀 코팅 방식에 의한 포토레지스트 코팅 방법에 의하면 마스크(180)의 중앙으로부터 가장자리까지의 거리가 상이하므로, 마스크(180)의 중앙에 떨어진 포토레지스트(190)가 마스크(180)의 회전에 의해 확산되는 정도에 차이가 발생한다. 결국 마스크(180)의 중앙에 떨어진 포토레지스트(190)를 마스크(180)의 전면에 코팅함에 있어서, 마스크(180)의 가로길이와 세로길이의 차이로 인해 마스크(180)의 전체에 걸쳐 포토레지스트(190)를 균일하게 코팅하는 것이 용이하지 않다. 특히, 마스크(180)의 크기가 대형화될수록 마스크(180)의 무게가 비례적으로 증가하므로, 마스크(180)를 충분히 높은 회전수로 회전시키기 어렵게 된다. 따라서 마스크(180)에 많은 양의 포토레지스트(190)를 뿌린 상태에서 얇고 균일한 포토레지스트 막을 형성하기는 용이하지 않다.
이러한 문제를 해결하기 위해 대량의 포토레지스트(190)를 사용하는 방법이 적용될 수 있으나, 마스크(180)가 고속으로 회전하는 동안에 마스크(180)의 전면을 코팅하는데 필요한 최소량의 포토레지스트(190)를 제외한 나머지는 모두 배출되므로 불필요한 포토레지스트(190) 사용으로 비용상승의 문제가 발생한다. 또한 마스크(180)의 모서리 부위에 많은 포토레지스트(190)가 코팅되어 블랭크 마스크의 운송 및 이송과정에서의 박리되어 파티클이 발생하며, 이는 미세패턴의 형성을 방해하는 결함으로 작용한다.
도 3은 스캔 코팅 방식이 적용된 종래의 포토레지스트 코팅 장치를 도시한 도면이다.
도 3을 참조하면, 종래의 일반적인 스캔 코팅 장치(300)는, 진공척(310), 저장조(320) 및 슬릿노즐(330)로 구성된다.
진공척(130)의 하면에는 마스크(350)가 고정되며, 진공척(130)은 마스크(350)의 일단부로부터 타단부로 이동되거나 서로 수직한 두개의 축방향으로 이동된다. 저장조(320)에는 포토레지스트(360)가 저장된다. 슬릿노즐(330)은 저장조(320)의 상부에 장착되어 모세관원리에 의해 저장조(320)에 저장되어 있는 포토레지스트(360)가 슬릿노즐(330)을 통해 외부로 토출된다. 스캔 코팅의 수행시 초기에 슬릿노즐(330)과 마스크(350)의 코팅 시작면의 사이에 접액을 형성한다. 이어서 슬릿노즐(330)이 마스크(350) 면으로부터 수십 내지 수백마이크론 정도로 이격된 상태에서 진공척(310)을 구동하면, 마스크(350)가 이동하면서 모세관원리에 의해 마스크(350)면에 포토레지스트 막(370)이 형성된다. 마스크(350)에 코팅된 포토레지스트(360)에는 상당량의 솔벤트(solvent)가 함유되어 있기 때문에 스캔 코팅 후 자연건조를 통해 솔벤트가 증발되어 마스크(350)에 포토레지스트 막(370)이 형성된다.
상술한 바와 같은 스캔 코팅 방식은 포토레지스트의 사용량을 최소화할 수 있는 장점이 있지만, 스캔되는 과정에 주변 진동과 같은 환경적인 요인에 의해 코팅된 표면에 노즐 자국이 발생하거나 표면에 얼룩이 발생하는 문제가 있다. 또한, 포토레지스트 내에 함유된 솔벤트의 특성에 따라 코팅 상태가 달라질 수 있으므로, 제한된 종류의 포토레지스트를 선택해야 하는 어려움이 있다. 또한, 포토레지스트 를 마스크에 코팅한 후 건조를 위한 스핀공정없이 대기상태에서 포토레지스트 막의 솔벤트를 자연적으로 건조시키는 과정에서 마스크의 주변에 존재하는 공기의 영향으로 마스크의 표면에 상당히 많은 얼룩(discolor)이 발생하는 문제가 있다. 나아가, 포토레지스트를 도포한 후 마스크를 회전시키지 않기 때문에 접액이 시작되는 부분과 끝나는 부분에서 포토레지스트 막의 두께가 두꺼워지고 프레임의 폭이 넓어지는 문제점을 가지고 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 대형 블랭크 마스크에서 포토레지스트의 사용량을 최소로 하면서 마스크의 가장자리 부분의 포토레지스트 막의 과다형성을 방지하여 간섭색이 발생되지 않으며 막의 균일성을 높일 수 있는 슬릿 스캔 및 스핀 방식을 이용한 포토레지스트 코팅 장치 및 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는, 대형 블랭크 마스크에서 포토레지스트의 사용량을 최소로 하면서 마스크의 가장자리 부분의 포토레지스트 막의 과다형성을 방지하여 간섭색이 발생되지 않으며 막의 균일성을 높일 수 있는 슬릿 스캔 및 스핀 방식을 이용한 포토레지스트 코팅 방법에 의해 코팅된 포토레지스트 막을 갖는 블랭크 마스크 및 이를 이용하여 제조된 포토 마스크를 제공하는 데 있다.
상기의 기술적 과제를 달성하기 위한, 본 발명에 따른 슬릿 스캔 및 스핀 방식을 이용한 포토레지스트 코팅 장치는, 상부에 마스크가 장착되며, 외부로부터 구 동력을 전달받아 소정의 확산속도로 소정의 확산시간 동안 회전하여 상기 마스크의 상면에 도포되어 있는 포토레지스트 물질을 균일하게 확산시켜 소정 두께의 포토레지스트 막을 형성시키는 스핀척; 상기 스핀척을 수용하는 수용공간이 형성된 스핀볼; 및 상기 스핀척에 장착된 상기 마스크의 상면으로부터 소정거리 이격되어 배치되고, 상기 마스크의 일단부로부터 타단부 방향으로 구동되어 일단부에 설치된 슬릿을 통해 상기 마스크의 상면에 상기 포토레지스트 물질을 도포하는 슬릿노즐;을 구비한다.
상기의 다른 기술적 과제를 달성하기 위한, 본 발명에 따른 슬릿 스캔 및 스핀 방식을 이용한 포토레지스트 코팅 방법은, 스핀볼 내의 수용공간에 위치하며, 외부로부터 구동력을 전달받아 회전하는 스핀척의 상면에 마스크를 장착하는 단계; 상기 마스크의 상면으로부터 소정거리 이격되며, 단부에 형성된 슬릿을 통해 포토레지스트 물질을 토출하는 슬릿노즐을 상기 마스크의 일단부로부터 타단부 방향으로 구동하면서 상기 마스크의 상면에 상기 포토레지스트 물질을 도포하는 단계; 및 상기 스핀척을 소정의 확산속도로 소정의 확산시간 동안 회전시킴으로써 상기 마스크의 상면에 도포되어 있는 포토레지스트 물질을 균일하게 확산시켜 소정 두께의 포토레지스트 막을 형성하는 단계;를 갖는다.
상기의 또 다른 기술적 과제를 달성하기 위한, 본 발명에 따른 블랭크 마스크는 투명기판상에 차광막과 반사방지막이 순차적으로 적층되며, 스핀볼 내의 수용공간에 위치하며, 외부로부터 구동력을 전달받아 회전하는 스핀척의 상면에 마스크를 장착하는 단계; 상기 마스크의 상면으로부터 소정거리 이격되며, 단부에 형성된 슬릿을 통해 포토레지스트 물질을 토출하는 슬릿노즐을 상기 마스크의 일단부로부터 타단부 방향으로 구동하면서 상기 마스크의 상면에 상기 포토레지스트 물질을 도포하는 단계; 및 상기 스핀척을 소정의 확산속도로 소정의 확산시간 동안 회전시킴으로써 상기 마스크의 상면에 도포되어 있는 포토레지스트 물질을 균일하게 확산시켜 소정 두께의 포토레지스트 막을 형성하는 단계;를 수행하여 상기 반사방지막 상에 코팅된 포토레지스트 막을 갖는다.
상기의 또 다른 기술적 과제를 달성하기 위한, 본 발명에 따른 포토 마스크는, 투명기판상에 차광막과 반사방지막이 순차적으로 적층되며, 스핀볼 내의 수용공간에 위치하며, 외부로부터 구동력을 전달받아 회전하는 스핀척의 상면에 마스크를 장착하는 단계; 상기 마스크의 상면으로부터 소정거리 이격되며, 단부에 형성된 슬릿을 통해 포토레지스트 물질을 토출하는 슬릿노즐을 상기 마스크의 일단부로부터 타단부 방향으로 구동하면서 상기 마스크의 상면에 상기 포토레지스트 물질을 도포하는 단계; 및 상기 스핀척을 소정의 확산속도로 소정의 확산시간 동안 회전시킴으로써 상기 마스크의 상면에 도포되어 있는 포토레지스트 물질을 균일하게 확산시켜 소정 두께의 포토레지스트 막을 형성하는 단계;를 수행하여 상기 반사방지막 상에 코팅된 포토레지스트 막을 갖는 블랭크 마스크의 차광막, 반사방지막 및 포토레지스트 막을 소정의 패턴에 따라 선택적으로 제거하는 패터닝 처리에 의해 형성된 광투과부와 광차단부 또는 광투과부와 광반투과부를 갖는 마스크 패턴을 갖는다.
이에 의해, 마스크의 전체 영역에 걸쳐 우수한 균일성을 가진 포토레지스트 막을 형성할 수 있으며, 적절한 양의 포토레지스트를 사용함으로써 마스크의 상면에만 포토레지스트 막을 형성할 수 있어, 포토레지스트의 사용량을 최소로 하면서 마스크의 가장자리 부분의 포토레지스트 막의 과다형성에 따른 간섭색의 발생을 방지할 수 있다.
이하에서 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 슬릿 스캔 및 스핀 방식을 이용한 포토레지스트 코팅 장치 및 방법, 그리고, 슬릿 스캔 및 스핀 방식을 이용한 포토레지스트 코팅 방법에 의해 코팅된 포토레지스트 막을 갖는 블랭크 마스크 및 이를 이용하여 제조된 포토 마스크의 바람직한 실시예에 대해 상세하게 설명한다.
도 4는 본 발명에 따른 슬릿 스캔 및 스핀 방식을 이용한 포토레지스트 코팅 장치의 일 실시예를 도시한 도면이고, 도 5는 본 발명에 따른 슬릿 스캔 및 스핀 방식을 이용한 포토레지스트 코팅 장치의 커버가 개방된 상태의 평면도이다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 본 발명에 따른 슬릿 스캔 및 스핀 방식을 이용한 포토레지스트 코팅 장치(400)는 스핀볼(410), 스핀척(420), 척구동부(430), 슬릿노즐(440), 노즐구동부(450), 내부커버(460) 및 외부커버(470)를 구비한다.
스핀볼(410)은 스핀척(430) 및 마스크(480)를 수용하며, 이를 위해 내부에 수용공간이 형성된다. 또한, 스핀볼(410)의 상부에는 마스크(480)가 출입하기 위한 개구부가 형성되어 있고, 하부에는 포토레지스트를 배출하기 위한 배출구가 형성된다. 스핀척(420)의 상부에는 마스크(480)가 장착되어 고정되며, 스핀척(420)은 모터와 같은 척구동부(430)에 의해 회전된다. 이 때, 마스크(480)는 투명기판 위에 순차적으로 적층되어 있는 반사방지막 및 차광막이 위로 향하게 된 상태로 스핀척(420)에 고정된다.
슬릿노즐(440)은 마스크(480)의 상면과 대향하여 위치하며, 노즐구동부(450)에 의해 마스크(480)의 일단부로부터 타단부방향으로 구동되거나 마스크(480) 상의 서로 수직한 두개의 축방향으로 이동된다. 슬릿노즐(440)의 일단부에는 포토레지스트(490)가 토출되는 슬릿이 형성되어 있으며, 타단부는 포토레지스트가 저장되어 있는 저장조(미도시)에 연결된다. 슬릿노즐(440)의 슬릿의 간격은 10㎛ ~ 300㎛의 범위 내에서 조정되며, 노즐 내부의 간격이 클수록 많은 양의 포토레지스트(490)를 마스크(480)에 도포할 수 있다. 또한, 슬릿노즐(440)의 스캔 속도는 5mm/sec ~ 500mm/sec의 범위 내에서 조정되며, 스캔 속도가 빠를수록 포토레지스트(490)가 마스크(480)의 상부에 적게 도포된다. 또한, 스캔시 슬릿노즐(440)과 마스크(480) 사이의 이격거리는 0.1mm ~ 100mm의 범위 내에서 조정가능하다. 표 1에는 바람직한 스캔 조건이 기재되어 있으며, 이러한 스캔 조건에서 우수한 균일성을 갖는 포토레지스트 막이 형성된다. 이러한 스캔조건이 때 포토레지스트(490)의 점도는 2 ~ 30cp인 것이 바람직하다.
스캔 조건 설정값
스캔 속도 10mm/sec ~ 200mm/sec
노즐 간격 30㎛ ~ 200㎛
슬릿노즐과 마스크 사이의 간격 0.1mm ~ 2mm
슬릿노즐(440)이 스캔 방식에 의해 마스크(480) 상부에 일정한 양의 포토레지스트(490)를 도포한 후 슬릿노즐(440)은 스핀볼(410)의 밖으로 이동된다. 이상의 스캔 공정에 의해 충분한 양의 솔벤트가 함유되어 있는 포토레지스트 막(495)이 마스크(480)의 상면에 특정한 두께로 형성된다. 포토레지스트 막(495)의 두께는 스캔 속도, 노즐 간격 및 슬릿노즐(440)과 마스크(480) 사이의 간격을 조절함으로써 조절이 가능하다. 슬릿노즐(440)이 마스크(480)의 상면에 포토레지스트(490)를 도포한 후 이동되면, 상부에 위치한 내부커버(450) 및 외부커버(460)가 하강하여 각각 스핀척(420) 및 스핀볼(410)에 안착한다. 이 때, 내부커버(450)는 스핀척(420)의 상부 둘레면과 결합되어 스핀척(420)과 같이 회전하며, 외부커버(460)는 스핀볼(410)의 상부 둘레면과 결합되어 공정의 진행시 스핀볼(410)의 내부공간을 외부와 차단한다.
스핀볼(410)의 내부가 밀폐상태로 유지된 후 스핀척(420)과 연결된 모터(430)가 회전하여 스핀척(420), 마스크(480) 및 스핀척(420)에 결합된 내부커버(450)를 회전시킨다. 이러한 마스크(480)의 회전(즉, 제1스핀공정)에 의해 마스크(480)의 상면에 스캔에 의해 도포된 포토레지스트 막(495)이 최종적으로 원하는 두께로 형성된다. 표 2에는 균일한 포토레지스트 막(495)을 형성하기 위한 스핀척(420)의 회전속도, 회전시간 및 가속도/감속도의 범위가 기재되어 있다.
회전조건 설정값
회전속도 50 ~ 1000rpm
회전시간 5 ~ 120초
가속도/감속도 50 ~ 200rpm/sec
제1스핀공정에 의해 포토레지스트 막(495)를 원하는 두께로 형성한 후 두개의 커버(450, 460)가 스핀척(420) 및 스핀볼(410)로부터 분리가 되고, 이어서, 마스크(480) 상에 형성된 포토레지스트 막(495)의 건조를 위한 제2스핀공정이 수행된다. 제1스핀공정이 완료된 직후의 포토레지스트 막(495)은 많은 양의 솔벤트를 함유하고 있는 상태이므로 제2스핀공정에 의한 건조과정을 거치지 않으면 포토레지스트 막(495)의 표면에 얼룩과 같은 간섭색이 발생하게 된다. 제2스핀공정의 수행시 표면 얼룩과 같은 간섭색이 발생되지 않기 위해 마스크(480)와 내부커버(450) 사이의 간격은 500mm 이하로 설정된다. 표 3에는 제2스핀공정의 수행시에 마스크(480)에 형성된 포토레지스트 막의 두께 및 두께분포에 거의 영향을 미치지 않는 적절한 회전조건이 기재되어 있다.
회전조건 설정값
회전속도 200rpm 이하
회전시간 2400초 이하
상술한 바와 같은 3단계의 공정(즉, 스캔공정, 제1스핀공정 및 제2스핀공정)이 순차적으로 수행되면 마스크(480)에 균일한 포토레지스트 막(495)이 형성된다. 다음으로, 포토레지스트 막(495)이 형성된 마스크(480)에 대한 굽기 및 냉각처리를 거치면 포토레지스트 막(495)이 코팅된 블랭크 마스크가 완성된다.
도 6은 본 발명에 따른 슬릿 스캔 및 스핀 방식을 이용한 포토레지스트 코팅 방법의 일 실시예의 수행과정을 도시한 흐름도이다.
도 6을 참조하면, 이송장치(미도시)에 의해 마스크(480)를 스핀볼(410) 내에 위치한 스핀척(430)에 장착한 후 고정시킨다(S600). 다음으로, 슬릿노즐(440)이 스핀볼(410)의 상부영역으로부터 벗어난 지점(즉, 대기위치)으로부터 스핀척(430)에 장착되어 있는 마스크(480)의 일단부로부터 상방으로 일정거리 이격된 지점(즉, 초기위치)으로 이송된다(S610). 이 때, 슬릿노즐(440)과 마스크(480)의 간격은 0.1 ~ 2.0mm의 범위 내로 유지된다. 다음으로, 슬릿노즐(440)에 형성된 노즐로부터 마스크(480)로 점도가 2 ~ 30cp의 범위 내인 포토레지스트(490)가 배출되며, 포토레지스트(490)의 배출과 함께 노즐구동부(450)는 슬릿노즐(440)을 초기위치로부터 마스크(480)의 타단부 방향으로 이송시켜 마스크(480)의 상면에 포토레지스트(490)를 도포한다(S620). 이 때, 슬릿노즐(440)의 슬릿 간격은 100㎛ ~ 300㎛인 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는, 30㎛ ~ 200㎛이다. 또한, 마스크(480)의 일단부로부터 타단부 방향으로의 슬릿노즐(440)의 이동속도(즉, 스캔속도)는 50mm/sec ~ 500mm/sec로 유지되는 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는, 10mm/sec ~ 200mm/sec로 유지된다. 또한 마스크(480)의 폭보다 슬릿노즐(440)의 노즐폭이 작을 경우 슬릿노즐(440)은 지그재그 스캔방식에 의해 마스크(480)의 상면에 포토레지스트를 도포한다.
마스크(480)의 전체 영역에 대해 일정한 두께로 포토레지스트의 도포가 완료되면, 슬릿노즐(440)은 대기위치로 이송되며, 이어서, 내부커버(450) 및 외부커버(460)가 하강하여 각각 스핀척(420) 및 스핀볼(410)에 결착된다(S630). 스핀볼(410)의 내부가 밀폐상태로 유지된 후 마스크(480)를 회전시켜, 마스크(480)의 상면에 스캔에 의해 도포된 포토레지스트 막(495)을 최종적으로 원하는 두께로 형성한다(S640). 이 때, 원하는 두께 및 균일도의 포토레지스트 막(495)을 형성하기 위한 스핀척(420)의 회전속도 및 회전시간은 각각 50 ~ 1000rpm 및 5 ~ 120초 범위 내에서 선택된다. 또한, 정지상태에서 원하는 회전속도로의 스핀척(420)의 가속도 및 회전상태에서 정지시키기 위한 스핀척(420)의 감속도는 50 ~ 200rpm/sec의 범위 내에서 선택된다. 그리고 우수한 막의 균일도 및 마스크(480) 에지부에서의 도포된 포토레지스트 막(495)의 두께를 적게 가져가기 위해서는 마스크(480)가 놓여있는 스핀볼(410)의 배기압이 적정한 범위 내에서 제어되어야 한다. 이상과 같은 제1스핀공정에서 마스크(480)가 놓여있는 스핀볼(410)의 배기압은 0.25kPa 이하의 범위에서 양수 값으로 선택된다.
상술한 제1스핀공정에 의해 포토레지스트 막(495)을 원하는 두께 및 균일도로 형성한 후 내부커버(450) 및 외부커버(460)는 스핀척(420) 및 스핀볼(410)로부터 분리된다(S650). 이어서, 스핀척(440)을 회전시켜 포토레지스트 막(495)을 건조시키는 제2스핀공정을 수행한다(S660). 제2스핀공정의 수행시 표면 얼룩과 같은 간섭색이 발생되지 않기 위해 마스크(480)와 내부커버(450) 사이의 간격은 500mm 이하로 설정다. 또한, 스핀척(420)의 회전속도 및 회전시간은 각각 200rpm 이하 및 2400초 이하로 설정한다. 그리고 마스크(480)가 놓여있는 스핀볼(410)의 배기압은 0.25kPa 이하의 범위에서 양수 값으로 선택된다. 다음으로, 포토레지스트 막(495)이 형성된 마스크(480)에 대한 굽기 및 냉각처리를 거치면 포토레지스트 막(495)이 코팅된 블랭크 마스크가 완성된다(S670).
도 7a 및 도 7b는 각각 종래의 스핀 방식을 이용한 포토레지스트 코팅 방법 및 본 발명에 따른 슬릿 스캔 및 스핀 방식을 이용한 포토레지스트 코팅 장치에 의해 제조된 블랭크 마스크의 종단면을 도시한 도면이다. 도 7a 및 도 7b를 참조하면, 본 발명에 따른 슬릿 스캔 및 스핀 방식을 이용한 포토레지스트 코팅 장치에 의해 제조된 블랭크 마스크가 종래의 스핀 방식을 이용한 포토레지스트 코팅 장치에 의해 제조된 블랭크 마스크보다 포토레지스트 막의 균일도가 우수하며 블랭크 마스크의 단부에 형성된 포토레지스트 막의 두께가 얇게 형성된다.
또한, 도 8a 및 도 8b는 각각 종래의 스핀 방식을 이용한 포토레지스트 코팅 방법 및 본 발명에 따른 슬릿 스캔 및 스핀 방식을 이용한 포토레지스트 코팅 장치에 의해 제조된 블랭크 마스크의 단부로부터 중심방향으로의 포토레지스트 막의 두께변화를 도시한 도면이다. 도 8a 및 도 8b를 참조하면, 종래의 스핀 방식을 이용한 포토레지스트 코팅 장치에 의해 제조된 블랭크 마스크의 단부의 포토레지스트 막의 두께는 중심영역의 두께에 비하여 약 5500Å 정도 두껍게 코팅이 되고, 단부로부터 중심방향으로 약 9mm 영역 이후로부터는 균일한 두께 분포를 가진다. 이와 달리, 본 발명에 따른 슬릿 스캔 및 스핀 방식을 이용한 포토레지스트 코팅 장치에 의해 제조된 블랭크 마스크의 단부의 포토레지스트 막의 두께는 중심영역의 두께에 비하여 약 2000Å 정도 두껍게 코팅이 되고, 단부로부터 중심방향으로 약 10mm 영역 이후로부터는 균일한 두께 분포를 가진다.
도 9는 본 발명에 따른 슬릿 스캔 및 스핀 방식을 이용한 포토레지스트 코팅 방법의 수행시 제1스핀공정의 회전속도에 따른 포토레지스트 막의 두께 변화를 측정한 결과를 도시한 도면이다. 이 때, 슬릿 스캔의 조건과 포토레지스트의 점도는 일정한 상태에서 측정이 실시되었다. 도 9를 참조하면, 회전속도를 높일수록 포토레지스트 막의 두께가 얇아짐을 알 수 있다.
도 10 및 도 11은 각각 본 발명에 따른 슬릿 스캔 및 스핀 방식을 이용한 포토레지스트 코팅 방법의 수행시 제1스핀공정의 회전속도 및 회전시간에 따른 에지영역에서의 포토레지스트 막의 두께 변화를 측정한 결과를 도시한 도면이다. 도 10 및 도 11을 참조하면, 특정한 회전시간 영역 및 회전속도 영역에서 에지영역의 균일도가 우수한 포토레지스트 막을 형성할 수 있다. 그리나 회전 시간 또는 회전속도가 일정한 범위를 벗어나 너무 짧거나 길 경우에는 포토레지스트 막의 균일도가 상대적으로 저하된다.
도 12는 본 발명에 따른 슬릿 스캔 및 스핀 방식을 이용하여 포토레지스트 코팅 수행시 슬릿노즐 이동속도에 따른 포토레지스트 막의 두께 변화를 측정한 결과를 도시한 도면이다. 이 때, 슬릿노즐간의 간격과 마스크와 슬릿노즐간의 이격거리는 동일하게 설정하여 측정을 실시하였다. 도 12를 참조하면, 슬릿노즐의 이동속도가 빠를수록 도포된 포토레지스트 막의 두께는 얇아짐을 알 수 있다.
한편, 상술한 바와 같은 본 발명에 따른 슬릿 스캔 및 스핀 방식에 의한 포토레지스트 코팅 방법을 사용하여 포토레지스트 막이 성막된 블랭크 마스크를 제조할 수 있으며, 이와 같이 제조된 블랭크 마스크의 반사방지막과 포토레지스트 막을 소정의 패턴에 따라 선택적으로 제거하는 패터닝 처리에 의해 광투과부와 광차단부 또는 광투과부와 광반투과부를 형성하여 포토 마스크를 제조할 수 있다. 본 발명에 따른 슬릿 스캔 및 스핀 방식에 의한 포토레지스트 코팅 방법을 사용하여 포토레지스트 막이 성막된 블랭크 마스크는 표면의 얼룩이 발생하지 아니하고, 접액이 시작되는 부분과 종료되는 부분에서 포토레지스트 막의 두께 균일도가 향상되어 보다 정밀한 패턴의 형성이 가능하고, 블랭크 마스크의 옆면 및 뒷면에 불필요한 포토레지스트의 도포를 방지할 수 있어 포토레지스트의 제거공정과 같은 추가적인 공정을 수행하지 않아도 무방한 이점이 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상술한 특정의 바람직한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 청구범위 기재의 범위 내에 있게 된다.
본 발명에 따른 슬릿 스캔 및 스핀 방식을 이용한 포토레지스트 코팅 장치 및 방법, 그리고, 슬릿 스캔 및 스핀 방식을 이용한 포토레지스트 코팅 방법에 의해 코팅된 포토레지스트 막을 갖는 블랭크 마스크 및 이를 이용하여 제조된 포토 마스크에 의하면, 마스크 상에 포토레지스트를 노즐 스캔 방식에 의해 도포한 후 마스크를 회전시켜 막두께형성공정 및 막건조공정을 수행하여 포토레지스트 막을 형성함으로써, 마스크의 전체 영역에 걸쳐 우수한 균일성을 가진 포토레지스트 막을 형성할 수 있다. 또한, 적절한 양의 포토레지스트를 사용함으로써 마스크의 상면에만 포토레지스트 막을 형성할 수 있어, 포토레지스트의 사용량을 최소로 하면서 마스크의 가장자리 부분의 포토레지스트 막의 과다형성에 따른 간섭색의 발생을 방지할 수 있다. 나아가, 마스크의 옆면 및 뒷면에 포토레지스트가 도포되는 상황을 방지할 수 있어 사용자가 원하지 않는 부분에 형성된 포토레지스트의 제거공정 과 같은 추가적인 공정이 필요없어 시간과 비용을 절감할 수 있다.

Claims (29)

  1. 상부에 마스크가 장착되며, 외부로부터 구동력을 전달받아 소정의 확산속도로 소정의 확산시간 동안 회전하여 상기 마스크의 상면에 도포되어 있는 포토레지스트 물질을 균일하게 확산시켜 소정 두께의 포토레지스트 막을 형성시키고, 상기 포토레지스트 막의 형성 후에 소정의 건조속도로 소정의 건조시간동안 회전하여 상기 마스크의 상면에 형성된 포토레지스트 막을 건조시키는 스핀척;
    상기 스핀척에 장착된 상기 마스크의 상면으로부터 소정거리 이격되어 배치되고, 상기 마스크의 일단부로부터 타단부 방향으로 구동되어 일단부에 설치된 슬릿을 통해 상기 마스크의 상면에 상기 포토레지스트 물질을 도포하는 슬릿노즐; 및
    상기 스핀척의 일부 및 상기 마스크를 수용하기 위한 수용공간이 형성되고, 상기 포토레지스트 물질이 도포된 상기 마스크가 장착되어 있는 상기 스핀척과 결합되는 스핀볼;을 포함하는 것을 특징으로 하는 슬릿스캔 및 스핀 방식을 이용한 포토레지스트 코팅 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 마스크의 상면에 포토레지스트 물질의 도포 후에 상기 스핀볼의 둘레부에 결착되어 상기 스핀볼의 내부공간을 외부로부터 밀폐시키는 외부커버; 및
    상기 마스크의 상면에 포토레지스트 물질의 도포 후에 상기 스핀척의 둘레부에 결착되어 상기 스핀척과 함께 회전하는 내부커버;를 더 포함하며,
    상기 외부커버 및 상기 내부커버는 상기 스핀척이 상기 확산속도로 상기 확산시간 동안 회전하여 상기 마스크의 상면에 포토레지스트 막이 형성된 후 상기 스핀볼 및 상기 스핀척으로부터 분리되는 것을 특징으로 하는 슬릿스캔 및 스핀 방식을 이용한 포토레지스트 코팅 장치.
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 확산속도 및 상기 확산시간은 각각 50 내지 1000rpm 및 5 내지 120초의 범위 내에서 선택되는 것을 특징으로 하는 슬릿스캔 및 스핀 방식을 이용한 포토레지스트 코팅 장치.
  4. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 건조속도 및 상기 건조시간은 각각 200rpm 이하 및 2400초 이하의 범위의 양수 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 슬릿스캔 및 스핀 방식을 이용한 포토레지스트 코팅 장치.
  5. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 슬릿노즐의 이동속도는 5 ~ 500mm/sec의 범위 내에서 선택되는 것을 특징으로 하는 슬릿스캔 및 스핀 방식을 이용한 포토레지스트 코팅 장치.
  6. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 슬릿노즐의 슬릿간격은 10㎛ ~ 300㎛ 내의 범위에서 선택되는 것을 특징으로 하는 슬릿스캔 및 스핀 방식을 이용한 포토레지스트 코팅 장치.
  7. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 스핀척의 가속도 및 감속도는 200rpm/sec 이하의 양수인 것을 특징으로 하는 슬릿스캔 및 스핀 방식을 이용한 포토레지스트 코팅 장치.
  8. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    스캔시의 상기 슬릿노즐과 상기 마스크 상부 사이의 간격은 0.1mm ~ 2.0mm 내의 범위에서 선택되는 것을 특징으로 하는 슬릿스캔 및 스핀 방식을 이용한 포토레지스트 코팅 장치.
  9. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 마스크의 상면에 포토레지스트 물질의 도포 후에 상기 스핀볼의 둘레부에 결착되어 상기 스핀볼의 내부공간을 외부로부터 밀폐시키는 외부커버; 및
    상기 마스크의 상면에 포토레지스트 물질의 도포 후에 상기 스핀척의 둘레부에 결착되어 상기 스핀척과 함께 회전하는 내부커버;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 슬릿스캔 및 스핀 방식을 이용한 포토레지스트 코팅 장치.
  10. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 마스크의 상면에 포토레지스트 물질의 도포 후에 상기 스핀볼의 둘레부에 결착되어 상기 스핀볼의 내부공간을 외부로부터 밀폐시키는 외부커버; 및
    상기 마스크의 상면에 포토레지스트 물질의 도포 후에 상기 스핀척의 둘레부에 결착되어 상기 스핀척과 함께 회전하는 내부커버;를 더 포함하며,
    상기 외부커버 및 상기 내부커버는 상기 스핀척이 상기 확산속도로 상기 확산시간 동안 회전하여 상기 마스크의 상면에 포토레지스트 막이 형성된 후 상기 스핀볼 및 상기 스핀척으로부터 분리되는 것을 특징으로 하는 슬릿스캔 및 스핀 방식 을 이용한 포토레지스트 코팅 장치.
  11. 제 2항에 있어서,
    상기 마스크의 상면에 포토레지스트 막이 형성된 후 서로 분리된 상기 내부커버와 상기 마스크 사이의 이격거리는 500mm 이하의 양수인 것을 특징으로 하는 슬릿스캔 및 스핀 방식을 이용한 포토레지스트 코팅 장치.
  12. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 스핀볼의 배기압은 0.25kPa 이하의 양수 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 슬릿스캔 및 스핀 방식을 이용한 포토레지스트 코팅 장치.
  13. 외부로부터 구동력을 전달받아 회전하는 스핀척의 상면에 마스크를 장착하는 단계;
    단부에 형성된 슬릿을 통해 포토레지스트 물질을 토출하는 슬릿노즐을 상기 마스크의 상면으로부터 소정거리 이격시킨 상태에서 상기 슬릿노즐을 상기 마스크의 일단부로부터 타단부 방향으로 구동하면서 상기 마스크의 상면에 상기 포토레지스트 물질을 도포하는 단계;
    상기 스핀척을 소정의 확산속도로 소정의 확산시간 동안 회전시킴으로써 상기 마스크의 상면에 도포되어 있는 포토레지스트 물질을 균일하게 확산시켜 소정 두께의 포토레지스트 막을 형성하는 단계; 및
    상기 포토레지스트 막의 형성 후에 상기 스핀척을 소정의 건조속도로 소정의 건조시간동안 회전하여 상기 마스크의 상면에 형성된 포토레지스트 막을 건조시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 슬릿스캔 및 스핀 방식을 이용한 포토레지스트 코팅 방법.
  14. 제 13항에 있어서,
    상기 마스크의 상면에 상기 포토레지스트 물질을 도포한 후 상기 스핀볼의 둘레부에 결착되는 외부커버 및 상기 스핀척의 둘레부에 결착되어 상기 스핀척과 함께 회전하는 내부커버를 하강시켜 상기 스핀볼의 내부공간을 외부로부터 밀폐시키는 단계; 및
    상기 포토레지스트 막의 형성 후에 상기 외부커버 및 상기 내부커버를 각각 상기 스핀볼 및 상기 스핀척으로부터 분리시키는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 슬릿스캔 및 스핀 방식을 이용한 포토레지스트 코팅 방법.
  15. 제 13항 또는 제 14항에 있어서,
    상기 확산속도 및 상기 확산시간은 각각 50 내지 1000rpm 및 5 내지 120초의 범위 내에서 선택되는 것을 특징으로 하는 슬릿스캔 및 스핀 방식을 이용한 포토레지스트 코팅 방법.
  16. 제 13항 또는 제 14항에 있어서,
    상기 건조속도 및 상기 건조시간은 각각 200rpm 이하 및 2400초 이하의 범위의 양수 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 슬릿스캔 및 스핀 방식을 이용한 포토레지스트 코팅 방법.
  17. 제 13항 또는 제 14항에 있어서,
    스캔시의 상기 슬릿노즐과 상기 마스크 상부 사이의 간격은 0.1mm ~ 2.0mm 내의 범위에서 선택되는 것을 특징으로 하는 슬릿스캔 및 스핀 방식을 이용한 포토레지스트 코팅 방법.
  18. 제 13항 또는 제 14항에 있어서,
    상기 슬릿노즐의 이동속도는 5 ~ 500mm/sec의 범위 내에서 선택되는 것을 특징으로 하는 슬릿스캔 및 스핀 방식을 이용한 포토레지스트 코팅 방법.
  19. 제 13항 또는 제 14항에 있어서,
    상기 슬릿노즐의 슬릿간격은 10㎛ ~ 300㎛ 내의 범위에서 선택되는 것을 특징으로 하는 슬릿스캔 및 스핀 방식을 이용한 포토레지스트 코팅 방법.
  20. 제 13항 또는 제 14항에 있어서,
    상기 스핀척의 가속도 및 감속도는 200rpm/sec 이하의 양수인 것을 특징으로 하는 슬릿스캔 및 스핀 방식을 이용한 포토레지스트 코팅 방법.
  21. 제 13항 또는 제 14항에 있어서,
    상기 마스크의 상면에 상기 포토레지스트 물질을 도포한 후 상기 스핀볼의 둘레부에 결착되는 외부커버 및 상기 스핀척의 둘레부에 결착되어 상기 스핀척과 함께 회전하는 내부커버를 하강시켜 상기 스핀볼의 내부공간을 외부로부터 밀폐시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 슬릿스캔 및 스핀 방식을 이용한 포 토레지스트 코팅 방법.
  22. 제 13항 또는 제 14항에 있어서,
    상기 마스크의 상면에 상기 포토레지스트 물질을 도포한 후 상기 스핀볼의 둘레부에 결착되는 외부커버 및 상기 스핀척의 둘레부에 결착되어 상기 스핀척과 함께 회전하는 내부커버를 하강시켜 상기 스핀볼의 내부공간을 외부로부터 밀폐시키는 단계; 및
    상기 포토레지스트 막의 형성 후에 상기 외부커버 및 상기 내부커버를 각각 상기 스핀볼 및 상기 스핀척으로부터 분리시키는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 슬릿스캔 및 스핀 방식을 이용한 포토레지스트 코팅 방법.
  23. 제 14항에 있어서,
    서로 분리된 상기 내부커버와 상기 마스크 사이의 이격거리는 500mm 이하의 양수인 것을 특징으로 하는 슬릿스캔 및 스핀 방식을 이용한 포토레지스트 코팅 방법.
  24. 제 13항 또는 제 14항에 있어서,
    상기 스핀볼의 배기압은 0.25kPa 이하의 양수 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 슬릿스캔 및 스핀 방식을 이용한 포토레지스트 코팅 방법.
  25. 투명기판 상에 차광막 및 반사방지막이 순차적으로 적층되어 있는 블랭크 마스크에 있어서,
    제 13항 또는 제 14항에 기재된 슬릿스캔 및 스핀 방식을 이용한 포토레지스트 코팅 방법에 의해 상기 반사방지막 상에 코팅된 포토레지스트 막을 포함하는 블랭크 마스크.
  26. 제 25항에 있어서,
    상기 포토레지스트 물질의 점도는 2 내지 30cP인 것을 특징으로 하는 블랭크 마스크.
  27. 제 25항에 있어서,
    상기 확산속도 및 상기 확산시간은 각각 50 내지 1000rpm 및 5 내지 120초의 범위 내에서 선택되는 것을 특징으로 하는 블랭크 마스크.
  28. 제 25항에 있어서,
    상기 건조속도 및 상기 건조시간은 각각 200rpm 이하 및 2400초 이하의 범위의 양수 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 블랭크 마스크.
  29. 제 25항에 기재된 블랭크 마스크의 차광막, 반사방지막 및 포토레지스트 막을 소정의 패턴에 따라 선택적으로 제거하는 패터닝 처리에 의해 형성된 광투과부 와 광차단부 또는 광투과부와 광반투과부를 갖는 마스크 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 포토 마스크.
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