KR100818432B1 - Method for adjusting a develop inspection cd and a final inspection cd in a process for manufacturing a semiconductor device - Google Patents

Method for adjusting a develop inspection cd and a final inspection cd in a process for manufacturing a semiconductor device Download PDF

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Abstract

A method for adjusting a DI(develop inspection) CD(critical dimension) and an FI(final inspection) CD in a semiconductor device fabricating process is provided to correct the trend of the FI CD by adjusting the focus of exposure equipment. A wafer is loaded into exposure equipment(S10). The exposure energy of the exposure equipment is adjusted to make the wafer have a desired CD(S20). An exposure process is performed on the wafer(S30). The exposure energy of the exposure equipment is varied in a manner that the DI CD of the wafer is measured and the measured DI CD has a predetermined CD(S40). The wafer is loaded into etching equipment(S50). An etch process is performed on the wafer(S60). The FI CD of the wafer is measured(S70). The focus of the exposure equipment is adjusted so that the FI CD of the wafer has a predetermined CD(S80). The focus of the exposure equipment can be adjusted only in a predetermined range by an interlock.

Description

반도체 소자 제조공정에서 ＤＩ 선폭과 ＦＩ 선폭을 조절하는 방법{METHOD FOR ADJUSTING A DEVELOP INSPECTION CD AND A FINAL INSPECTION CD IN A PROCESS FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE}METHODS FOR ADJUSTING A DEVELOP INSPECTION CD AND A FINAL INSPECTION CD IN A PROCESS FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE}

도 1은 종래의 기술에 따른 반도체 소자 제조공정에서 선폭을 조절하는 방법을 도시한 흐름도이고,1 is a flowchart illustrating a method of adjusting a line width in a semiconductor device manufacturing process according to the prior art;

도 2는 노광장비의 포커스별 DI 선폭의 프로파일을 나타낸 이미지이고,2 is an image showing a profile of the DI line width for each focus of the exposure apparatus;

도 3은 본 발명에 따른 반도체 소자 제조공정에서 DI 선폭과 FI 선폭을 조절하는 방법을 도시한 흐름도이고,3 is a flowchart illustrating a method for adjusting DI line width and FI line width in a semiconductor device manufacturing process according to the present invention;

도 4는 노광장비의 포커스별 DI 선폭과 FI 선폭의 차이를 테스트한 실험 데이터이다.4 is experimental data for testing the difference between the DI line width and FI line width for each focus of the exposure apparatus.

본 발명은 반도체 소자 제조공정에서 DI 선폭과 FI 선폭을 조절하는 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 노광장비의 영향에 따라 트렌드가 달라지는 FI 선폭을 노광장비의 포커스 조절을 통하여 FI 선폭의 트렌드를 보정하는 반도체 소자 제조공정에서 DI 선폭과 FI 선폭을 조절하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for adjusting DI line width and FI line width in a semiconductor device manufacturing process, and more particularly, correcting the trend of FI line width by adjusting the focus of the exposure device with the FI line width whose trend varies according to the influence of the exposure equipment. It relates to a method for adjusting the DI line width and FI line width in the semiconductor device manufacturing process.

일반적으로, 반도체 소자는 포토공정, 확산공정, 식각공정, 화학기상증착공정 등 다양한 단위공정에 의해 제조된다.In general, semiconductor devices are manufactured by various unit processes, such as a photo process, a diffusion process, an etching process, and a chemical vapor deposition process.

이러한 단위공정중 포토 및 식각공정에서는 공정을 마친 다음 선폭이 제대로 구현되었는지 확인하기 위하여 선폭(Critical dimension, CD)을 측정하는 단계(Measure Step)를 거치게 된다. In the photolithography and etching processes during the unit process, a critical step (CD) is measured to determine whether the line width is properly implemented after the process.

노광후 측정하는 선폭을 일반적으로 DI(Develop inspection) 선폭("노광후 선폭"이라고도 함)이라 하고, 에칭후 측정하는 선폭을 FI(Final inspection) 선폭("에칭후 선폭"이라고도 함)이라 한다.The line width measured after exposure is generally called DI (Develop inspection) line width (also called "post exposure line width"), and the line width measured after etching is called FI (final inspection) line width (also called "post etching line width").

종래의 반도체 소자를 제조하기 위한 공정에서 선폭을 조절하는 방법을 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Referring to the accompanying drawings, a method for adjusting the line width in a process for manufacturing a conventional semiconductor device is as follows.

도 1은 종래의 기술에 따른 반도체 소자 제조공정에서 선폭을 조절하는 방법을 도시한 흐름도이다. 도시된 바와 같이, 종래의 기술에 따른 반도체 소자 제조공정에서 선폭을 조절하는 방법은 웨이퍼를 노광장비로 로딩하는 단계(S1)와, 웨이퍼에 형성되는 패턴의 선폭이 정해진 선폭을 가지도록 노광장비의 노광 에너지를 조절하는 단계(S2)와, 웨이퍼에 대한 노광을 실시하는 단계(S3)와, 웨이퍼에 대한 DI 선폭을 측정하여 측정된 DI 선폭이 정해진 선폭을 가지도록 노광장비의 노광 에너지를 변경하는 단계(S4)와, 웨이퍼를 에칭장비로 로딩하는 단계(S5)와, 웨이퍼에 대한 에칭을 실시하는 단계(S6)를 포함한다.1 is a flow chart illustrating a method for adjusting the line width in the semiconductor device manufacturing process according to the prior art. As shown, the method for adjusting the line width in the semiconductor device manufacturing process according to the prior art is the step of loading the wafer into the exposure equipment (S1), and the line width of the pattern formed on the wafer has a predetermined line width of the exposure equipment Adjusting the exposure energy (S2), performing the exposure to the wafer (S3), and measuring the DI linewidth on the wafer to change the exposure energy of the exposure equipment so that the measured DI linewidth has a defined linewidth. Step S4, loading the wafer into the etching equipment (S5), and performing an etching on the wafer (S6).

이와 같이, 포토공정의 후속공정인 에칭공정을 마친 웨이퍼의 FI 선폭이 최종적으로 반도체 소자의 특성을 결정하는 중요한 요소일 뿐만 아니라 DI 선폭의 사 이즈에 따라 밀접한 관계를 가지며, DI 선폭과 FI 선폭을 모니터링하는 것을 반드시 필요한 일이다.As such, the FI line width of the wafer after the etching process, which is a subsequent step of the photo process, is not only an important factor in determining the characteristics of the semiconductor device but also has a close relationship depending on the size of the DI line width. Monitoring is a must.

포토 및 에칭공정을 마친 웨이퍼에 있어서 DI 선폭과 FI 선폭은 여러 가지 요인에 의해 차이가 발생하며, 그 중 가장 큰 요인은 노광후 프로파일이며, 이는 노광시 포커스의 조정으로 변경 가능하다. The difference between the DI line width and the FI line width in the photo-etched wafers is due to various factors, the biggest of which is the post-exposure profile, which can be changed by adjusting the focus during exposure.

그러나, 실제로 DI 선폭의 트렌드(Trend) 관리가 중요하며, 그 변동 가능치에 한계가 있으므로, DI 선폭가 FI 선폭 차이의 변화에 따라 노광장비의 포커스를 변동시키는 것은 원하는 선폭을 얻지 못할 위험이 높다.However, in practice, trend management of DI line width is important and there is a limit to the changeable value. Therefore, changing the focus of the exposure apparatus according to the change in the FI line width difference has a high risk of not obtaining the desired line width.

도 2는 노광장비의 포커스별 DI 선폭의 프로파일을 나타낸 것이다. 도 2에서 알 수 있듯이 노광장비별 프로파일은 다르게 나타나며, 이에 따라 DI 선폭도 차이가 있으므로 변동할 수 있는 마진내, 예를 들어 0.1 내지 0.4㎛ 에서만 한정적으로 포커스 변동이 가능하다. 이처럼 종래의 경우 DI 선폭을 피이드백 받아서 타겟(target)과 대비하여 노광장비의 에너지를 보정 후 다음 lot에 적용하는 방법이 사용된다. Figure 2 shows the profile of the DI line width for each focus of the exposure equipment. As can be seen in FIG. 2, the profile for each exposure apparatus is shown differently, and accordingly, DI line width is also different, and thus the focus variation can be limited only within a margin that can vary, for example, 0.1 to 0.4 μm. As such, in the conventional case, the DI line width is fed back and the energy of the exposure equipment is corrected in comparison with a target and then applied to the next lot.

특히, 반도체 소자를 제조하기 위한 단위공정은 Cp/Cpk(공정지수) 값, 예컨대 기준이 되는 선폭에 대한 실제로 측정된 선폭에 대한 비율(실제 선폭/기준 선폭)을 관리하여 공정의 안정성과 생산능력을 평가하는데, 이러한 공정지수는 고객사의 요청에 의하여 관리되고, 대외적으로 생산능력을 나타내는 지표로 인식되므로 일정값 이상의 능력치를 나타내는 것은 반드시 필요한 일이며, 이로 인해 FI 선폭이 DI 선폭에 비해 보다 중요하다. In particular, the unit process for manufacturing a semiconductor device manages the Cp / Cpk (process index) value, for example, the ratio of the actual measured line width to the reference line width (actual line width / reference line width) to ensure the stability and production capacity of the process. This process index is managed at the client's request and is recognized as an indicator of production capacity externally. Therefore, it is necessary to indicate the capability value above a certain value, so that the FI line width is more important than the DI line width. .

그러나, 노광장비와 에칭장비간에 특성에 의하여 FI 선폭의 사이즈가 트렌드(trend)를 가지는 경우가 많고, 노광장비의 경우 동일한 제품을 생산하더라도 공정조건, 특히, 프로파일에 미세한 차이가 발생하므로 노광장비별 트렌드(trend)가 다르게 나타나는 문제점을 가지고 있었다. However, due to the characteristics between the exposure equipment and the etching equipment, the size of the FI line width often has a trend, and in the case of the exposure equipment, even if the same product is produced, a slight difference occurs in the process conditions, in particular, the profile. The problem was that trends appeared differently.

이러한 문제점을 가짐에도 불구하고, FI 선폭이 이들 공정에 고려되어 있지 않게 됨으로써 FI 선폭이 정해진 값을 가지는데 장애가 될 뿐만 아니라 FI 선폭의 트렌드(trend)가 불안정해지며, 이로 인해 반도체 소자의 수율을 저하시키는 문제점을 가지고 있었다.Despite these problems, the FI linewidth is not taken into account in these processes, which not only prevents the FI linewidth from having a predetermined value but also makes the trend of the FI linewidth unstable, thereby increasing the yield of semiconductor devices. It had a problem of degrading.

본 발명은 상술한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명은 노광장비의 영향에 따라 트렌드가 달라지는 FI 선폭을 노광장비의 포커스 조절을 통하여 FI 선폭의 트렌드를 보정함으로써 FI 선폭의 공정지수를 향상시키며, 반도체 소자의 수율을 증대시키는 반도체 소자 제조공정에서 DI 선폭과 FI 선폭을 조절하는 방법을 제공하는데 있다.The present invention is to solve the above-mentioned problems, the present invention improves the process index of the FI line width by correcting the trend of the FI line width by adjusting the focus of the exposure equipment to the FI line width that changes the trend according to the influence of the exposure equipment In addition, the present invention provides a method for controlling the DI line width and FI line width in a semiconductor device manufacturing process that increases the yield of semiconductor devices.

이와 같은 목적을 실현하기 위한 본 발명은, 반도체 소자를 제조하기 위한 공정에서 DI(Develop inspection) 선폭과 FI(Final inspection) 선폭을 조절하는 방법에 있어서, 웨이퍼를 노광장비로 로딩하는 단계와, 웨이퍼가 원하는 선폭을 가지도록 노광장비의 노광 에너지를 조절하는 단계와, 웨이퍼에 대한 노광을 실시하는 단계와, 웨이퍼에 대한 DI 선폭을 측정하여 정해진 선폭을 가지도록 노광장비의 노광 에너지를 변경하는 단계와, 웨이퍼를 에칭장비로 로딩하는 단계와, 웨이퍼에 대한 에칭을 실시하는 단계와, 웨이퍼에 대한 FI 선폭을 측정하는 단계와, 웨이퍼의 FI 선폭이 정해진 선폭을 가지도록 노광장비의 포커스를 조절하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method for adjusting a DI (Develop inspection) line width and a final inspection (FI) line width in a process for manufacturing a semiconductor device, the method comprising: loading a wafer into an exposure apparatus; Adjusting exposure energy of the exposure apparatus to have a desired line width, performing exposure on the wafer, measuring DI line width on the wafer, and changing exposure energy of the exposure apparatus to have a predetermined line width; Loading the wafer into the etching equipment, etching the wafer, measuring the FI linewidth of the wafer, and adjusting the focus of the exposure apparatus so that the FI linewidth of the wafer has a predetermined linewidth Characterized in that it comprises a.

이하, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 더욱 상세히 설명하기로 한다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention.

도 3은 본 발명에 따른 반도체 소자 제조공정에서 DI 선폭과 FI 선폭을 조절하는 방법을 도시한 흐름도이다. 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 소자 제조공정에서 DI(Develop inspection) 선폭("노광후 선폭"이라고도 함)과 FI(Final inspection) 선폭("에칭후 선폭"이라고도 함)을 조절하는 방법은 웨이퍼를 노광장비로 로딩하는 단계(S10)와, 노광장비의 노광 에너지를 조절하는 단계(S20)와, 웨이퍼에 대한 노광을 실시하는 단계(S30)와, 웨이퍼에 대한 DI 선폭을 측정하여 노광장비의 노광 에너지를 변경하는 단계(S40)와, 웨이퍼를 에칭장비로 로딩하는 단계(S50)와, 웨이퍼에 대한 에칭을 실시하는 단계(S60)와, 웨이퍼에 대한 FI 선폭을 측정하는 단계(S70)와, 웨이퍼의 FI 선폭이 정해진 선폭을 가지도록 노광장비의 포커스를 조절하는 단계(S80)를 포함한다.3 is a flowchart illustrating a method for adjusting DI line width and FI line width in a semiconductor device manufacturing process according to the present invention. As shown, in the semiconductor device manufacturing process according to the present invention, a method for adjusting the DI (Develop inspection) line width (also called "post exposure line width") and FI (final inspection) line width (also called "post etching line width") Loading the wafer into the exposure equipment (S10), adjusting the exposure energy of the exposure equipment (S20), performing the exposure to the wafer (S30), and measuring the DI line width for the wafer exposure equipment Changing the exposure energy (S40), loading the wafer into the etching equipment (S50), etching the wafer (S60), and measuring the FI line width for the wafer (S70). And adjusting the focus of the exposure apparatus so that the FI line width of the wafer has a predetermined line width (S80).

노광공정을 실시하게 될 웨이퍼가 노광장비로 로딩되면(S10), 웨이퍼에 형성되는 패턴이 정해진 선폭을 가지도록 노광장비의 노광 에너지를 조절하고(S20), 웨이퍼에 대한 노광을 실시한다(S30).When the wafer to be subjected to the exposure process is loaded into the exposure apparatus (S10), the exposure energy of the exposure apparatus is adjusted so that the pattern formed on the wafer has a predetermined line width (S20), and the exposure to the wafer is performed (S30). .

웨이퍼에 대한 노광을 마치면 웨이퍼의 DI 선폭을 측정하고, 측정된 DI 선폭이 타겟(target)의 선폭, 즉 정해진 선폭을 가지도록 노광장비의 노광 에너지를 변경함으로써 DI 선폭이 트렌드를 가지도록 보정한다(S40).After the exposure to the wafer is finished, the DI line width of the wafer is measured, and the DI line width is corrected to have a trend by changing the exposure energy of the exposure apparatus so that the measured DI line width has a target line width, that is, a predetermined line width ( S40).

DI 선폭에 따라 노광장비의 노광 에너지를 변경하면(S40), 웨이퍼를 에칭장비로 로딩하고(S50), 웨이퍼에 대한 에칭을 실시한 다음(S60), 웨이퍼에 대한 FI 선폭을 측정한다(S70)When the exposure energy of the exposure equipment is changed according to the DI line width (S40), the wafer is loaded into the etching equipment (S50), the wafer is etched (S60), and the FI line width of the wafer is measured (S70).

웨이퍼의 FI 선폭이 타겟(target)의 선폭, 즉 정해진 선폭을 가지는지 판단하여 FI 선폭이 정해진 선폭을 가지도록 노광장비의 포커스를 조절한다(S80).It is determined whether the FI line width of the wafer has a target line width, that is, a predetermined line width, and the focus of the exposure apparatus is adjusted so that the FI line width has a predetermined line width (S80).

노광장비의 포커스를 조절하는 단계(S80)는 인터록(interlock), 즉 선폭이 원하지 않는 프로파일을 가지지 않도록 미리 설정된 범위, 예컨대 -0.1 내지 0.1㎛ 내에서만 포커스를 조절함으로써 포커스시 불필요한 시간을 소요하지 않도록 한다. 이 때, 인터록에 의해 미리 설정된 범위는 작업자의 판단에 의해 정해지며, 이러한 범위는 작업자의 조작에 의해 미리 설정될 수 있다.Adjusting the focus of the exposure apparatus (S80) is an interlock, i.e., by adjusting the focus only within a predetermined range, for example, -0.1 to 0.1 µm so that the line width does not have an undesired profile, so as to avoid unnecessary time in focus. do. At this time, the range preset by the interlock is determined by the operator's judgment, and this range can be preset by the operator's operation.

노광장비의 포커스를 조절하는 단계(S80)는 포커스를 변경시 그 단위가 0.005 내지 0.02㎛, 바람직하게는 0.01㎛로 이루어짐으로써 FI 선폭을 미세하게 조절하도록 한다.In step S80 of adjusting the focus of the exposure apparatus, when the focus is changed, the unit is made of 0.005 to 0.02 μm, preferably 0.01 μm to finely adjust the FI line width.

이와 같은 구조로 이루어진 반도체 소자 제조공정에서 DI 선폭과 FI 선폭을 조절하는 방법의 작용은 다음과 같이 이루어진다.In the semiconductor device manufacturing process having such a structure, the operation of the method for adjusting the DI line width and the FI line width is performed as follows.

웨이퍼의 FI 선폭이 타겟(target)의 선폭을 가지도록 노광장비의 포커스를 조절함으로써(S80), FI 선폭의 트렌드를 보정하여, 이로 인해 FI 선폭의 공정지수를 향상시키게 된다. By adjusting the focus of the exposure apparatus so that the FI line width of the wafer has a target line width (S80), the trend of the FI line width is corrected, thereby improving the process index of the FI line width.

도 4에서 포커스 0.3을 기준으로 볼 때, - 방향은 DI 선폭과 FI 선폭간의 차이, 즉 FI-DI Bias가 증가하는 경향이며, 반대로 + 방향은 DI 선폭과 FI 선폭간의 차이가 감소하는 방향으로 나타난다. 이와 같이, FI 선폭의 트렌드(Trend)에 따라 결과를 피이드백(feedback) 받아서, 그 정도에 따라 DI 선폭과 FI 선폭간의 차이에 대한 트렌드를 유지할 수 있도록 포커스를 DI 선폭과 FI 선폭간의 차이 증가 또는 감소하는 방향으로 미세 변동시키게 된다. Based on the focus 0.3 in FIG. 4, the − direction tends to increase the difference between the DI line width and the FI line width, that is, the FI-DI Bias, and conversely, the + direction appears to decrease the difference between the DI line width and the FI line width. . As such, the feedback is fed back according to the trend of the FI linewidth, and the focus is increased to maintain the trend of the difference between the DI line width and the FI line width according to the degree. Fine fluctuations in decreasing direction.

이로 인해 에너지 개념은 DI 선폭에서 수정하고, 포커스는 FI 선폭의 데이터를 피이드백 받아서 수정함으로써 이들 공정을 효율적으로 콘트롤할 수 있는 장점을 가지게 된다.This allows the energy concept to be modified in the DI linewidth, and the focus can be controlled efficiently by feeding back and modifying the data in the FI linewidth.

또한, 포커스는 일정 범위의 마진(margin) 내에서만 변동 가능하도록 인터록(interlock)을 걸 수 있도록 함으로써 정해진 범위를 초과하지 않도록 할 뿐만 아니라 포커스에 소요되는 시간을 단축시킬 수 있다.In addition, the focus can be interlocked so as to be variable only within a margin of a certain range, thereby not only exceeding a predetermined range but also shortening the time required for focus.

이상과 같이 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 노광장비의 영향에 따라 트렌드가 달라지는 FI 선폭을 노광장비의 포커스 조절을 통하여 FI 선폭의 트렌드를 보정함으로써 FI 선폭의 공정지수를 향상시키며, 반도체 소자의 수율을 증대시킨다.As described above, according to the preferred embodiment of the present invention, the process index of the FI line width is improved by correcting the trend of the FI line width by adjusting the focus of the exposure apparatus with the FI line width whose trend varies according to the influence of the exposure equipment. Increase yield.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 소자 제조공정에서 DI 선폭과 FI 선폭을 조절하는 방법은 노광장비의 영향에 따라 트렌드가 달라지는 FI 선폭을 노광장비의 포커스 조절을 통하여 FI 선폭의 트렌드를 보정함으로써 FI 선폭의 공정지수를 향상시키며, 반도체 소자의 수율을 증대시키는 효과를 가지고 있다. As described above, the method for adjusting the DI line width and FI line width in the semiconductor device manufacturing process according to the present invention by correcting the trend of the FI line width through the focus control of the exposure equipment to the FI line width, the trend of which varies depending on the influence of the exposure equipment. It improves the process index of the FI line width and has the effect of increasing the yield of semiconductor devices.

이상에서 설명한 것은 본 발명에 따른 반도체 소자 제조공정에서 DI 선폭과 FI 선폭을 조절하는 방법을 실시하기 위한 하나의 실시예에 불과한 것으로서, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구범위에서 청구하는 바와 같이 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.What has been described above is only one embodiment for implementing a method for adjusting the DI line width and FI line width in the semiconductor device manufacturing process according to the present invention, the present invention is not limited to the above embodiment, the following claims As claimed in the scope of the present invention, those skilled in the art to which the present invention pertains will have the technical spirit of the present invention to the extent that various modifications can be made.

Claims (3)

반도체 소자를 제조하기 위한 공정에서 DI(Develop inspection) 선폭과 FI(Final inspection) 선폭을 조절하는 방법에 있어서,In the method for manufacturing a semiconductor inspection (DI) line width and final inspection line width (FI) in the process for manufacturing a semiconductor device, 웨이퍼를 노광장비로 로딩하는 단계와,Loading the wafer into the exposure apparatus; 상기 웨이퍼가 원하는 선폭을 가지도록 상기 노광장비의 노광 에너지를 조절하는 단계와,Adjusting exposure energy of the exposure apparatus so that the wafer has a desired line width; 상기 웨이퍼에 대한 노광을 실시하는 단계와,Exposing the wafer; 상기 웨이퍼에 대한 DI 선폭을 측정하여 정해진 선폭을 가지도록 상기 노광장비의 노광 에너지를 변경하는 단계와,Changing the exposure energy of the exposure apparatus so as to have a predetermined line width by measuring the DI line width of the wafer; 상기 웨이퍼를 에칭장비로 로딩하는 단계와,Loading the wafer into an etching apparatus; 상기 웨이퍼에 대한 에칭을 실시하는 단계와,Etching the wafer; 상기 웨이퍼에 대한 FI 선폭을 측정하는 단계와,Measuring a FI linewidth for the wafer; 상기 웨이퍼의 FI 선폭이 정해진 선폭을 가지도록 상기 노광장비의 포커스를 조절하는 단계Adjusting the focus of the exposure apparatus so that the FI line width of the wafer has a predetermined line width 를 포함하는 반도체 소자 제조공정에서 DI 선폭과 FI 선폭을 조절하는 방법.Method of controlling the DI line width and FI line width in the semiconductor device manufacturing process comprising a. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 노광장비의 포커스를 조절하는 단계는,Adjusting the focus of the exposure equipment, 인터록(interlock)에 의해 미리 설정된 범위내에서만 포커스를 조절하는 것Adjusting focus only within a preset range by interlock 을 특징으로 하는 반도체 소자 제조공정에서 DI 선폭과 FI 선폭을 조절하는 방법.Method of controlling the DI line width and FI line width in the semiconductor device manufacturing process characterized in that. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 노광장비의 포커스를 조절하는 단계는,Adjusting the focus of the exposure equipment, 포커스의 변경 단위가 0.005 내지 0.02㎛로 이루어지는 것The unit of focus change being from 0.005 to 0.02 μm 을 특징으로 하는 반도체 소자 제조공정에서 DI 선폭과 FI 선폭을 조절하는 방법.Method of controlling the DI line width and FI line width in the semiconductor device manufacturing process characterized in that.
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