KR100817762B1 - Automatic plating system for wafer - Google Patents

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KR100817762B1 KR1020070042442A KR20070042442A KR100817762B1 KR 100817762 B1 KR100817762 B1 KR 100817762B1 KR 1020070042442 A KR1020070042442 A KR 1020070042442A KR 20070042442 A KR20070042442 A KR 20070042442A KR 100817762 B1 KR100817762 B1 KR 100817762B1
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Abstract

An automatic wafer plating system is provided to easily remove a plating liquid and fine foreign substances adhered to the surface of a wafer returned to its original position after a plating process while using nitrogen gas by installing a buffer pusher in an elevation cap part the presses downward the wafer supported by an elastic support member of a plate bath and by installing a nitrogen gas injecting nozzle in the elevation cap part. In an automatic plating system, a stacked wafer(1a) with a surface to be plated is taken out from a loading apparatus(20) to a transfer apparatus(30) and the wafer is transferred to a plate bath of a plate part containing a refluxing plating liquid so as to be plated. The plated wafer is cleaned by using clean water and the cleaned wafer is dried. After the wafer with the surface to be plated is soaked into the plating liquid in the plate part to be plated, the plate liquid stuck to the surface of the plate wafer after the wafer is separated from the plate liquid is immediately removed by spray gas of high pressure by using a plating and plating liquid removing apparatus(500). After a cleaning and drying apparatus(600) adsorbs and rotates the processed wafer(1c) from which the plating and plating liquid are removed to be cleaned by water, the water on the surface of the cleaned wafer is dehydrated and dried at high rotation speed.

Description

웨이퍼 자동 도금시스템{AUTOMATIC PLATING SYSTEM FOR WAFER}Wafer Automatic Plating System {AUTOMATIC PLATING SYSTEM FOR WAFER}

도 1은 본 발명의 일실시 예에 따른 웨이퍼 자동 도금시스템이 설치된 상태를 도시한 사시도1 is a perspective view showing a state in which the automatic wafer plating system is installed according to an embodiment of the present invention

도 2는 본 발명의 일실시 예에 따른 웨이퍼 자동 도금시스템을 설명하기 위해 개략적으로 도시한 사시도2 is a perspective view schematically showing a wafer automatic plating system according to an embodiment of the present invention;

도 3은 본 발명의 일실시 예에 따른 웨이퍼 자동 도금시스템의 도금 및 도금액제거장치를 개략적으로 도시한 사시도Figure 3 is a perspective view schematically showing a plating and plating liquid removal apparatus of the automatic wafer plating system according to an embodiment of the present invention

도 4는 도 3의 개략적인 분해 사시도4 is a schematic exploded perspective view of FIG.

도 5는 본 발명의 도금 및 도금액제거장치의 도금부의 도금조에 웨이퍼가 안착된 상태를 도시한 측단면도Figure 5 is a side cross-sectional view showing a state in which the wafer is seated in the plating bath of the plating portion of the plating and plating solution removal apparatus of the present invention.

도 6은 본 발명의 도금 및 도금액제거장치의 도금부에 안착된 웨이퍼가 승강캡부의 승강캡에 의해 하방으로 눌려 압압된 상태를 도시한 측단면도Figure 6 is a side cross-sectional view showing a state in which the wafer seated on the plating portion of the plating and plating liquid removing apparatus of the present invention is pressed down by the lifting cap of the lifting cap portion to be pressed.

도 7은 본 발명의 도금 및 도금액제거장치의 상하 승강 및 회동부재의 승강바가 상승에 따라 승강캡부의 승강캡이 원위치로 상승된 상태에서 도금부에서 도금된 웨이퍼가 원위치로 복귀되면서 승강캡부 승강캡의 질소가스분사노즐을 통해 질소가스 분사되면서 도금 웨이퍼에 묻은 도금액이 제거되는 상태를 도시한 측단면도7 is a lifting cap portion lifting cap while the plated wafer is returned to its original position in the state in which the elevating cap of the elevating cap portion is raised to its original position as the elevating bar of the elevating and rotating members of the plating and plating liquid removing device of the present invention is raised. Side view showing a state in which the plating liquid on the plated wafer is removed while nitrogen gas is injected through the nitrogen gas injection nozzle

도 8은 본 발명의 일실시 예에 따른 웨이퍼 자동 도금시스템의 세정 및 건조 장치를 개략적으로 도시한 사시도8 is a perspective view schematically showing a cleaning and drying apparatus of the automatic wafer plating system according to an embodiment of the present invention

도 9는 도 8의 개략적인 분해 사시도9 is a schematic exploded perspective view of FIG. 8

도 10은 본 발명의 세정 및 건조장치의 흡착 회전부재에 도금 및 도금액제거 웨이퍼가 흡착된 상태를 도시한 측단면도Figure 10 is a side cross-sectional view showing a state in which the plating and plating liquid removal wafer is adsorbed on the adsorption rotating member of the cleaning and drying apparatus of the present invention.

도 11은 본 발명의 세정 및 건조장치의 흡착 회전부재에 흡착된 도금 및 도금액제거 웨이퍼가 세정조 승강부재가 상승된 상태에서 흡착 회전부재가 회전되면서 물공급부재로부터 분출되는 물에 의해 세정되는 상태를 도시한 측단면도11 is a state in which the plating and plating liquid removal wafer adsorbed to the adsorption rotating member of the cleaning and drying apparatus of the present invention is cleaned by water ejected from the water supply member while the adsorption rotating member is rotated while the cleaning tank elevating member is raised. Side cross-sectional view

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

1a. 피도금 웨이퍼 1b. 도금 웨이퍼1a. Plated Wafer 1b. Plated wafer

1c. 도금 및 도금액제거 웨이퍼 1d. 세정 및 건조 웨이퍼1c. Plating and Plating Liquid Removal Wafers 1d. Clean and Dry Wafers

2. 도금액 3. 물2. Plating solution 3. Water

10. 하우징 12. 흡배기 공조관10. Housing 12. Intake and exhaust air conditioner

13. 전원공급부 14. 제어부13. Power supply unit 14. Control unit

15. 설치테이블 20. 로딩장치15. Mounting Table 20. Loading Device

30. 반송장치 40. 정렬장치30. Carrier 40. Aligner

500. 도금 및 도금액제거장치 510. 도금부500. Plating and plating liquid removal device 510. Plating part

520. 도금조 522. 상부커버플레이트520. Plating bath 522. Top cover plate

523. 도금조 (-)전극 접점 529. 도금조 (+)전극523. Plating bath (-) electrode contacts 529. Plating bath (+) electrodes

524. 탄성받침부재 530. 회수 도금조524. Elastic support member 530. Recovery plating bath

540. 도금액저장탱크 560. 승강캡부540. Plating solution storage tank 560. Lifting cap

570. 승강캡 574. 완충푸셔570. Lifting cap 574. Shock absorber

575. 승강캡부 (-)전극 접점 576. 질소가스분사노즐575. Lifting cap (-) electrode contact 576. Nitrogen gas injection nozzle

580. 상하 승강 및 회동부재 590. 승강바580. Up and down lifting and rotating members 590. Lifting bar

591. 제1 실린더 596. 회동바591. First Cylinder 596. Rotating Bar

597. 제2 실린더597. Second Cylinder

600. 세정 및 건조장치 610. 흡착 회전부재600. Cleaning and drying device 610. Adsorption rotary member

620. 흡착봉 624. 흡착공620. Suction Bar 624. Suction Hole

630. 공기흡입관 640. 구동모터630. Air suction pipe 640. Drive motor

660. 세정조 승강부재 668. 세정조 실린더660. Cleaning tank lifting member 668. Cleaning tank cylinder

665. 세정조 666. 세정수 배출관665. Rinsing tank 666. Rinsing water discharge pipe

670. 물공급부재 673. 물공급관670. Water supply member 673. Water supply pipe

70. 언로딩장치70. Unloading device

본 발명은 웨이퍼 자동 도금시스템에 관한 것으로서, 보다 구체적으로 설명하면, 반도체 웨이퍼의 표면을 도금액에 침전하여 자동 도금할 경우에 도금액이 환류되는 도금조에 탄성받침부재를 구비하고, 도금조를 회수 도금조의 내부에 안치하는 구조를 제공함으로서 작은 공간에 추가 소요 비용없이 웨이퍼가 도금시에 상하로 유동되어 보다 완전한 도금이 이루어지고, 도금액의 회수 장치를 별도로 설치하지 않고, 도금장치에서 회수를 한 번에 처리할 수 있는 웨이퍼 자동 도금시스템에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer automatic plating system, and more specifically, to provide an elastic support member in a plating bath in which the plating solution is refluxed when the surface of the semiconductor wafer is deposited in the plating solution and automatically plated. By providing a structure that is settled inside, the wafer flows up and down at the time of plating without additional cost in a small space, so that a more complete plating is performed, and the recovery is processed at once in the plating apparatus without installing a plating liquid recovery device. The present invention relates to a wafer automatic plating system that can be used.

또한, 도금조의 탄성받침부재에 안치 지지된 웨이퍼를 하방으로 누르는 승강캡부에 웨이퍼에 전달되는 충격을 방지하는 완충푸셔와 함께 질소가스분사노즐을 체결한 구조를 제공함으로서 도금시 도금조의 하방으로 내려가면서 도금액이 넘쳐 분출되기 때문에 하강 침전되면서 도금된 후에 원위치로 복귀되어 도금액 밖으로 드러난 웨이퍼 표면에 묻어 있는 도금액 및 미세 이물질을 질소 가스를 분사하여 손쉽게 제거할 수 있어 도금의 품질을 높일 수 있는 웨이퍼 자동 도금시스템에 관한 것이다.In addition, by providing a structure in which a nitrogen gas injection nozzle is fastened together with a cushioning pusher that prevents the shock transmitted to the wafer, the lifting cap portion presses downwardly the wafer supported by the elastic support member of the plating bath, while descending downward from the plating bath. As the plating liquid is ejected, the plating liquid is discharged down and the plating solution is returned to its original position after returning to the original position, and the plating liquid and fine foreign substances on the surface of the wafer exposed out of the plating liquid can be easily removed by spraying nitrogen gas, thereby improving the plating quality. It is about.

또한, 반도체 웨이퍼의 표면을 정수된 물을 사용하여 세정할 경우에 웨이퍼가 흡착된 흡착봉을 회전시키고, 세정조를 상하승강 구동되는 구조를 제공함으로서 작은 공간에 추가 소요 비용없이 세정시에 웨이퍼가 회전되어 세정 효율이 높고, 별도로 건조장치를 설치하지 않고 세정장치에서 한 번에 건조를 할 수 있는 웨이퍼 자동 도금시스템에 관한 것이다.In addition, when the surface of the semiconductor wafer is cleaned using purified water, the wafer is adsorbed by rotating the adsorption rod and the cleaning tank is driven up and down. The present invention relates to a wafer automatic plating system which is rotated to have high cleaning efficiency and can be dried at a time in a cleaning apparatus without installing a drying apparatus.

일반적으로 반도체 웨이퍼는 에어분사방식과 구리, 니켈 등과 같은 금속 도금액에 침적하여 전기도금방식을 행하고 있다.BACKGROUND ART In general, semiconductor wafers are electroplated by depositing in an air spraying method and a metal plating solution such as copper and nickel.

상기 도금방식중 도금액 침적 도금을 할 경우에 종래 기술의 웨이퍼 자동 도금시스템(도시 안함)은 피도금면을 가진 웨이퍼가 적재된 로딩장치에서 반송장치(반송로봇)가 피도금 웨이퍼를 인출하여, 도금장치의 도금조에 침적하여 전기도금을 시행한다.In the plating method of the plating method, the prior art wafer automatic plating system (not shown) is carried out by a transfer device (carrying robot) withdrawing a plated wafer from a loading device on which a wafer having a plated surface is loaded, and plating. Electroplating is carried out by dipping in the plating bath of the apparatus.

그 후, 도금된 웨이퍼를 세정장치에서 세정한 후 별도로 세정장치에서 정수된 물로 세정한다. 그리고, 별도의 외부 건조장치에서 건조처리를 행하는 구조이다.Thereafter, the plated wafer is cleaned in a cleaning apparatus and then separately washed with purified water in the cleaning apparatus. And it is a structure which performs a drying process in a separate external drying apparatus.

그러나, 종래 기술은 별도의 장치를 추가 장착하여 즉, 도금액에 침전되어 도금되는 웨이퍼를 보다 완전하게 도금이 되도록 상하 진동시키는 진동장치 등의 장치를 별도로 추가 장착하거나, 도금된 웨이퍼를 세정장치로 세정한 후 건조시키기 위해 건조장치를 별도로 추가 장착하여야 하는 구조이기 때문에 많은 제조 비용 및 공간이 소요되는 문제점이 있었다.However, in the prior art, an additional device is additionally installed, that is, an additional device such as a vibrating device that vibrates up and down so that the wafer deposited and plated in the plating liquid is plated more completely, or the plated wafer is cleaned with a cleaning device. Since it is a structure that must be additionally equipped with a drying apparatus to dry afterwards, there was a problem that a lot of manufacturing cost and space is required.

본 발명은 상술한 종래의 문제점을 극복하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적 은 반도체 웨이퍼의 표면을 도금액에 침전하여 자동 전기도금할 경우에 도금조에 도금시 탄성받침부재에 안치 지지된 웨이퍼를 하강 유동 침전시켜 보다 완전한 도금이 되고, 탄성받침부재의 탄성력에 의해 원위치로 복귀되어 도금액 밖으로 드러난 웨이퍼 표면에 묻어 있는 도금액 및 미세 이물질을 질소 가스를 분사하여 손쉽게 제거할 수 있어 도금의 품질을 높일 수 있는 웨이퍼 자동 도금시스템을 제공하는 데 있다.The present invention is to overcome the above-mentioned conventional problems, an object of the present invention is to settle down the surface of the semiconductor wafer in the plating liquid and the automatic electroplating in the plating bath in the plating bath in the down flow settled down the wafer supported by the elastic support member The plating solution is returned to its original position by the elastic force of the elastic support member, and the plating liquid and fine foreign substances on the surface of the wafer exposed out of the plating liquid can be easily removed by spraying with nitrogen gas to improve the plating quality. To provide a plating system.

본 발명의 또 다른 목적은 반도체 웨이퍼의 표면을 정수된 물을 사용하여 세정할 경우에 웨이퍼가 흡착된 흡착봉을 회전시키고, 세정조를 상하승강 구동되는 구조를 제공함으로서 작은 공간에 추가 소요 비용없이 세정시에 웨이퍼가 회전되어 세정 효율이 높고, 별도로 건조장치를 설치하지 않고 세정장치에서 한 번에 건조를 할 수 있는 웨이퍼 자동 도금시스템을 제공하는 데 있다.Still another object of the present invention is to provide a structure in which the wafer is adsorbed when the surface of the semiconductor wafer is cleaned using purified water, and the cleaning tank is driven up and down to provide a structure in which no space is required. The wafer is rotated at the time of cleaning, the cleaning efficiency is high, and to provide a wafer automatic plating system that can be dried at a time in the cleaning apparatus without installing a separate drying apparatus.

상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 웨이퍼 자동 도금시스템의 일례로서, 다음의 구성과 효과에서 자세히 설명한다.As an example of the automatic wafer plating system according to the present invention for achieving the above object of the present invention, will be described in detail in the following configuration and effects.

상술한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 웨이퍼 자동 도금시스템은 로딩장치(20)에서 적재된 피도금면을 가진 웨이퍼(1a)를 반송장치(30)로 인출하여 도금액(2)이 환류되는 도금부(510)의 도금조(520)로 이송해 침적 도금하고, 도금된 웨이퍼(1b)를 정수된 물(3)로 세정하고, 세정된 웨이퍼를 건조시키는 웨이퍼 자동 도금시스템에 있어서, 상기 피도금 웨이퍼(1a)를 도금부(510)의 도금액(2) 에 침적하여 도금한 후, 도금액에서 분리된 도금 웨이퍼(1b) 표면에 묻은 도금액을 바로 고압의 분사 가스로 제거하는 도금 및 도금액제거장치(500)와; 상기 도금 및 도금액제거장치(500)에서 도금 및 도금액제거 처리가 된 웨이퍼(1c)를 흡착 및 회전시켜 물(3)로 세정한 후, 세정된 웨이퍼 표면에 묻은 물을 바로 고속 회전으로 탈수하여 건조시키는 세정 및 건조장치(600)를 포함한다.In the automatic wafer plating system according to the present invention for achieving the above object, the wafer 1a having the plated surface loaded in the loading device 20 is taken out to the transfer device 30 so that the plating solution 2 is refluxed. In the automatic plating system of the wafer which transfers to the plating tank 520 of the plating section 510 to be deposited, immerses the plated wafer 1b with purified water 3, and dries the cleaned wafer. After plating the plated wafer 1a to the plating solution 2 of the plating part 510, plating and plating solution removal is performed to remove the plating solution on the surface of the plating wafer 1b separated from the plating solution with a high-pressure injection gas. Device 500; The plating and plating liquid removal apparatus 500 sucks and rotates the wafer 1c, which has been subjected to the plating and plating liquid removal treatment, and then washes with water (3), and immediately dehydrates and dries the water on the cleaned wafer surface at high speed. It comprises a washing and drying apparatus 600 to.

이하, 본 발명의 바람직한 일실시 예에 따른 웨이퍼 자동 도금시스템을 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, an automatic wafer plating system according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail.

도 1은 본 발명의 일실시 예에 따른 웨이퍼 자동 도금시스템이 설치된 상태를 도시한 사시도이고, 도 2는 본 발명의 일실시 예에 따른 웨이퍼 자동 도금시스템을 설명하기 위해 개략적으로 도시한 사시도이다.1 is a perspective view showing a state in which the automatic wafer plating system is installed according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is a perspective view schematically showing a wafer automatic plating system according to an embodiment of the present invention.

도 1 및 도 2를 참조하여, 본 발명의 일실시 예에 따른 웨이퍼 자동 도금시스템을 설명하면, 로딩장치(20)에서 적재된 피도금면을 가진 웨이퍼(1a)를 반송장치(30)로 인출하여 도금액(2)이 환류되는 도금부(510)의 도금조(520)로 이송해 침적 도금하고, 도금된 웨이퍼(1b)를 정수된 물(3)로 바람직하게는, 세정수를 사용하여 세정하고, 세정된 웨이퍼를 건조시키는 구조로, 장방형의 하우징(10)과, 상기 하우징(10)의 내부에 장착되며 피도금면을 가진 웨이퍼(1a)가 적재되는 로딩장치(20)와, 상기 로딩장치(20)에 적재된 피도금 웨이퍼(1a)를 인출하여 도금 및 언로딩을 위한 장치들로 순차적으로 반송하는 반송장치(30)와, 상기 반송장치(30)에 의해 반송된 피도금 웨이퍼(1a)를 인치별(4인치, 6인치 웨이퍼 등)로 분류하여 정 렬하는 정렬장치(40)와, 상기 정렬된 피도금 웨이퍼(1a)를 도금처리하기 위해 반송장치로 인출하여 도금액이 환류되는 도금부(510)의 도금조(520)로 이송해 침적 도금하고, 도금된 웨이퍼(1b)에 묻은 도금액을 승강캡부(560)의 질소가스분사노즐(576)로 질소가스를 고압 분사하여 제거하는 도금 및 도금액제거장치(500)와, 상기 도금 및 도금액제거장치(500)에서 도금 및 도금액제거 처리된 웨이퍼(1c)를 흡착 및 회전시켜 정수된 물로 세정한 후, 세정된 웨이퍼에 묻은 물을 바로 고속 회전으로 탈수하여 건조시키는 세정 및 건조장치(600)와, 상기 세정 및 건조장치(600)에서 세정 및 건조 처리된 웨이퍼(1d)가 외부로 반출되도록 반송장치(30)에 의해 반송 적재되는 언로딩장치(70)를 포함하여 구성된다.Referring to FIGS. 1 and 2, a wafer automatic plating system according to an embodiment of the present invention will be described. The wafer 1a having the plated surface loaded from the loading apparatus 20 is taken out to the conveying apparatus 30. The plating solution 2 is transferred to the plating bath 520 of the plating section 510 where the reflux solution 2 is refluxed, and the plated wafer 1b is rinsed with purified water 3, preferably using washing water. And a structure for drying the cleaned wafer, a rectangular housing 10, a loading device 20 mounted inside the housing 10 and having a surface to be plated 1a loaded thereon, and the loading A conveying apparatus 30 which draws out the to-be-plated wafer 1a loaded in the apparatus 20 and sequentially conveys them to apparatuses for plating and unloading, and a to-be-plated wafer conveyed by the conveying apparatus 30 ( 1a) sorting device 40 sorting by sorting by inch (4 inch, 6 inch wafer, etc.), and the aligned plating way In order to plate the fur 1a, the plating liquid is transferred to the plating tank 520 of the plating portion 510 where the plating liquid is refluxed, and the plating solution is deposited and the plating liquid deposited on the plated wafer 1b is elevated. Adsorption of the plating and plating liquid removing device 500 for removing the nitrogen gas by high pressure injection with a nitrogen gas injection nozzle 576 of the c), and the wafer 1c which has been plated and the plating liquid removing processed by the plating and plating liquid removing device 500. And a washing and drying apparatus 600 which spins and cleans the purified wafer with water, and then dehydrates and dries the water on the cleaned wafer at a high speed rotation, and a wafer that has been cleaned and dried by the washing and drying apparatus 600 ( And an unloading device 70 conveyed and loaded by the conveying device 30 so that 1d) is carried out to the outside.

즉, 본 발명의 일실시 예에 따른 웨이퍼 자동 도금시스템은 상기 피도금 웨이퍼(1a)가 도금된 후 바로 피도금 웨이퍼(1a) 표면에 묻은 도금액이 제거되며, 도금 및 도금액제거 처리된 웨이퍼(1c)의 세정 후 바로 건조되는 구조이다.That is, in the automatic wafer plating system according to an embodiment of the present invention, the plating liquid on the surface of the wafer to be plated 1a is removed immediately after the plated wafer 1a is plated, and the plating and plating solution removing process 1c is performed. ) Is dried immediately after cleaning.

상기 하우징(10)은 상면에는 내부에 청정공기를 공급하기 위한 흡배기 공조관(12)이 연결되고, 내부 일측에는 전기도금에 필요한 전력을 공급하기 위한 전원공급부(13)와 전기도금에 필요한 일련의 처리를 제어하는 제어부(14)가 내장되고, 타측에는 내부 중앙에 내장된 설치테이블(15)에 의해 상하부로 구획되어 웨이퍼 도금을 위한 장치들이 내장된다. The housing 10 is connected to the intake and exhaust air conditioner 12 for supplying clean air to the upper surface, the inner side of the power supply 13 for supplying power for electroplating and a series of necessary for electroplating The control unit 14 for controlling the process is embedded, and on the other side, the upper and lower parts are partitioned by the mounting table 15 embedded in the inner center, and the apparatus for wafer plating is embedded.

도 3은 본 발명의 일실시 예에 따른 웨이퍼 자동 도금시스템의 도금 및 도금 액제거장치를 개략적으로 도시한 사시도, 도 4는 도 3의 개략적인 분해 사시도, 도 5는 본 발명의 도금 및 도금액제거장치의 도금부의 도금조에 웨이퍼가 안착된 상태를 도시한 측단면도이다.Figure 3 is a perspective view schematically showing a plating and plating liquid removal apparatus of the automatic wafer plating system according to an embodiment of the present invention, Figure 4 is a schematic exploded perspective view of Figure 3, Figure 5 is a plating and plating solution removal of the present invention It is a side sectional view which shows the state in which the wafer was seated in the plating tank of the plating part of the apparatus.

도 3 내지 도 5를 참조하여 설명하면, 본 발명의 일실시 예에 따른 웨이퍼 자동 도금시스템의 도금 및 도금액제거장치(500)는 상기 피도금 웨이퍼(1a)를 도금부(510)의 도금액(2)에 침적하여 도금한 후, 도금액에서 분리된 도금 웨이퍼(1b) 표면에 묻은 도금액을 바로 고압의 분사 가스로 제거하고, 제거된 도금액을 회수하는 장치이다.Referring to FIGS. 3 to 5, the plating and plating liquid removing apparatus 500 of the automatic wafer plating system according to an embodiment of the present invention uses the plating liquid 2 of the plating portion 510 to transfer the plated wafer 1a. The plating liquid deposited on the surface of the plating wafer 1b separated from the plating liquid is immediately removed by a high-pressure injection gas, and the removed plating liquid is recovered.

상기 도금부(510)는 상기 도금액이 외부 도금액저장탱크(540)로부터 공급되어 만충 환류되며 상기 탄성받침부재(524)가 체결 고정된 상부커버플레이트(522)가 상부에 체결 고정된 도금조(520)와, 상기 승강캡부(560)가 하강 구동되어 도금조의 탄성받침부재(524)에 안착 지지된 피도금 웨이퍼(1a)가 하강 압압됨에 따라 도금조(520) 외부로 넘쳐 흐르는 도금액이 회수되도록 도금조가 내부에 안치되는 회수 도금조(530)를 포함한다.The plating part 510 is a plating tank 520 in which the plating liquid is supplied from an external plating liquid storage tank 540 and fully refluxed, and an upper cover plate 522 on which the elastic support member 524 is fastened and fastened is fastened and fixed on the upper part. And the elevating cap 560 is driven to descend and the plated wafer 1a seated and supported by the elastic support member 524 of the plating vessel is pressed down and plated so that the plating liquid overflowed outside the plating vessel 520 is recovered. The bath includes a recovery plating bath 530 placed therein.

상기 도금 및 도금액제거장치(500)의 승강캡부(560)는 승강캡(570)과, 상하 승강 및 회동부재(580)를 포함한다.The elevating cap part 560 of the plating and plating liquid removing device 500 includes an elevating cap 570, and an elevating and rotating member 580.

상기 승강캡(570)은 두 개의 연결 플레이트(570a)가 결합되며, 상기 피도금 웨이퍼(1a)를 하방으로 밀어 압압할 때 피도금 웨이퍼에 전달되는 충격이 완화되도록 하부에 완충스프링(574a)을 가진 완충푸셔(574)가 돌출 설치되고, 상부에는 도 금 웨이퍼(1b)에 묻은 도금액을 제거하는 질소가스가 분사되는 질소가스분사노즐(576)이 설치된다.The lifting cap 570 has two connection plates 570a coupled thereto, and cushions the spring 574a at the bottom to alleviate the shock transmitted to the plated wafer when the plated wafer 1a is pushed downward. An excitation buffer pusher 574 is provided to protrude, and a nitrogen gas injection nozzle 576 to which nitrogen gas for removing the plating liquid deposited on the plating wafer 1b is injected is installed at the upper portion.

상기 상하 승강 및 회동부재(580)는 상기 승강캡부(560)의 일측에 체결 고정되어 제1 실린더(591)의 구동에 의해 승강캡이 상기 도금부의 도금조(520) 상부에서 상하 승강되도록 하는 승강바(590)와, 상기 승강바에 일측이 체결 고정되어 제2 실린더(597)의 구동에 의해 승강캡이 회동 승강되도록 하는 회동바(596)를 포함하여 구성된다.The vertical elevating and rotating member 580 is fastened and fixed to one side of the elevating cap portion 560 so that the elevating cap is elevated up and down in the plating bath 520 by the driving of the first cylinder 591. The bar 590 and one side is fastened and fixed to the elevating bar is configured to include a rotating bar (596) to allow the elevating cap to be elevated by the drive of the second cylinder (597).

도 6은 본 발명의 도금 및 도금액제거장치의 도금부에 안착된 웨이퍼가 승강캡부의 승강캡에 의해 하방으로 눌려 압압된 상태를 도시한 측단면도이고, 도 7은 본 발명의 도금 및 도금액제거장치의 상하 승강 및 회동부재의 승강바가 상승에 따라 승강캡부의 승강캡이 원위치로 상승된 상태에서 도금부에서 도금된 웨이퍼가 원위치로 복귀되면서 승강캡부 승강캡의 질소가스분사노즐을 통해 질소가스 분사되면서 도금 웨이퍼에 묻은 도금액이 제거되는 상태를 도시한 측단면도이다.Figure 6 is a side cross-sectional view showing a state in which the wafer seated on the plating portion of the plating and plating liquid removing apparatus of the present invention is pressed down by the lifting cap portion of the lifting cap portion and pressed, and Figure 7 is a plating and plating liquid removing apparatus of the present invention. As the lifting cap of the elevating cap portion is raised to the original position as the elevating bar of the elevating member and the elevating member of the rotating member are raised, the plated wafer is returned to the original position and nitrogen gas is injected through the nitrogen gas injection nozzle of the elevating cap portion of the elevating cap. It is a side sectional view which shows the state in which the plating liquid adhered to a plating wafer is removed.

상술한 바와 같은 구성에 의해서 본 발명의 바람직한 일실시 예에 따른 웨이퍼 자동 도금시스템은 다음과 같이 작동된다.By the above-described configuration, the automatic wafer plating system according to the preferred embodiment of the present invention operates as follows.

이하에서는, 본 발명의 특징적 구성부인 도금 및 도금액제거장치(500)와 세정 및 건조장치(600)를 중심으로 작동을 설명한다.Hereinafter, the operation of the plating and plating liquid removing apparatus 500 and the cleaning and drying apparatus 600 which are characteristic components of the present invention will be described.

우선, 도 6 및 도 7을 참조하여 본 발명의 특징적 구성부인 도금 및 도금액제거장치(500)의 작동을 설명하면, 먼저, 정렬장치(40)에서 얼라인(align)된 피도금 웨이퍼를 반송장치(30, 반송로봇)의 이송아암(31)으로 인출하여 이송아암(31)을 도금 및 도금액제거장치(500) 도금조(520)의 상부커버플레이트(522) 상부로 이동시킨 후 하방으로 내린다. 이때, 도금조(520)의 상부커버플레이트(522) 중앙 통공에 체결 고정된 탄성받침부재(524)에 피도금 웨이퍼(1a)가 안치되기 위해서 상부커버플레이트(522) 상면의 일측에는 이송아암(31)이 상부커버플레이트(522) 상면에 걸려 하강되는 것을 방지하도록 길이방향으로 절개 형성된 이송아암 삽입홈(521)에 이송아암(31)의 일측이 삽입되어 단부의 피도금 웨이퍼(1a)의 저면이 탄성받침부재(524)에 면접된 후 이송아암(31)을 뺀다(역으로 도금된 웨이퍼(1b)를 인출하는 경우에는 이송아암 삽입홈(521)을 따라 이송아암(31)을 삽입한 후 상승시켜 도금 웨이퍼(1b)를 인출한다).First, referring to FIGS. 6 and 7, the operation of the plating and plating liquid removing apparatus 500, which is a characteristic component of the present invention, will be described below. First, the plated wafer aligned in the alignment apparatus 40 is transferred. (30, the transfer robot) is drawn out to the transfer arm 31 to move the transfer arm 31 to the upper portion of the upper cover plate 522 of the plating and plating solution removal device 500 plating tank 520 and then lowered. At this time, in order to place the wafer to be plated on the elastic support member 524 fastened and fixed to the central hole of the upper cover plate 522 of the plating tank 520, one side of the upper surface of the upper cover plate 522 has a transfer arm ( One side of the transfer arm 31 is inserted into the transfer arm insertion groove 521 which is cut in the longitudinal direction so as to prevent the 31 from being caught by the upper surface of the upper cover plate 522 and the bottom surface of the plated wafer 1a at the end. After the interview with the elastic support member 524, the transfer arm 31 is pulled out (when the reversed plated wafer 1b is taken out, the transfer arm 31 is inserted along the transfer arm insertion groove 521). To raise the plated wafer 1b).

이때, 유량센서(541)에 의해 제어되는 도금액공급 펌프(542)가 구동되어 도금액저장탱크(540)의 도금액이 공급관을 통해 필터(543)와 회수 도금조(530) 내부에 설치된 도금액공급탱크(544)를 거쳐 도금조(520)가 완충된 상태이다.At this time, the plating liquid supply pump 542 controlled by the flow sensor 541 is driven so that the plating liquid supply tank of the plating liquid storage tank 540 is provided inside the filter 543 and the recovery plating tank 530 through the supply pipe ( The plating bath 520 is buffered via 544.

그 후, 승강캡부(560)의 상하 승강 및 회동부재(580)의 제2 실린더(597) 승강노드를 상승 구동시키면 힌지축(598)을 중심으로 회동바(596)의 단부에 체결된 승강캡(570)이 하강하여 상기 탄성받침부재(524)에 안치 지지된 피도금 웨이퍼(1a)를 눌러 하강시켜 압압한다. 한편, 상하 승강 및 회동부재(580)의 제1 실린더(591) 승강노드를 추가로 상승 구동시켜 승강바(590)가 하강하면서 승강바와 체결 고정된 승강캡부(560)의 승강캡(570)이 하강하여 상기 탄성받침부재(524)에 안치 지지된 피도금 웨이퍼(1a)를 눌러 하강시켜 압압되도록 제어할 수 있다.Thereafter, when the up and down lifting and lowering of the lifting cap 560 and the elevating node of the second cylinder 597 of the rotating member 580 are driven up and down, the lifting cap fastened to the end of the rotating bar 596 around the hinge shaft 598. 570 is lowered to press and lower the plated wafer 1a held by the elastic support member 524 to be pressed down. On the other hand, the elevating cap 570 of the elevating cap portion 560 is fixed to the elevating bar while the elevating bar 590 is lowered by further driving the elevating node of the first cylinder (591) of the up and down lifting and rotating member 580 It can be controlled to be pressed down by pressing down the plated wafer (1a) supported by the elastic support member 524 is lowered.

따라서, 피도금 웨이퍼(1a)는 도금액이 완충된 도금조(520)의 4개의 (-)전극 접점(523)과 연결되어 있는 탄성받침부재(524)에 압압되어 결국 피도금 웨이퍼(1a)는 도금조(520)의 4개의 (-)전극 접점(523)과 완벽하게 접속된다.Therefore, the plated wafer 1a is pressed by the elastic support member 524 connected to the four (-) electrode contacts 523 of the plating bath 520 in which the plating liquid is buffered, so that the plated wafer 1a The four (-) electrode contacts 523 of the plating bath 520 are perfectly connected.

이때 상기 도금조(520)의 (-)전극 접점(523)과 대응되는 위치에 고정된 승강캡부(560) 승강캡(570)의 4개의 (-)전극 접점(575)에 도금조(520)의 4개의 (-)전극 접점(523)이 컨택하면서, 동시에 도금조(520)의 4개의 (-)전극 접점(523)과 연결된 피도금 웨이퍼(1a)가 안착 지지된 금속재로 된 탄성받침부재(524)로 전기가 공급되어 동시에 피도금 웨이퍼(1a)가 도금조 내부에서 도금액(2)에 노출된 (+)전극(529)과 통전되어 전기도금이 이루어져 도금이 완료된다.At this time, the plating bath 520 on the four (-) electrode contacts 575 of the lifting cap 560 and the lifting cap 570 fixed at a position corresponding to the (-) electrode contact 523 of the plating bath 520. An elastic support member made of a metal material on which the four (-) electrode contacts 523 of the contact and the plated wafer 1a connected to the four (-) electrode contacts 523 of the plating bath 520 are simultaneously seated and supported. Electricity is supplied to 524. At the same time, the plated wafer 1a is energized with the (+) electrode 529 exposed to the plating solution 2 in the plating bath, and electroplating is performed to complete the plating.

한편, 상기 도금조 내부에서 도금액(2)에 노출된 (+)전극(529)과 연결된 전선(529a)과 상기 승강캡(570)의 4개의 (-)전극 접점(575)은 전기적으로 연결되어 있음은 물론이다.Meanwhile, the wire 529a connected to the positive electrode 529 exposed to the plating solution 2 in the plating bath and the four (-) electrode contacts 575 of the lifting cap 570 are electrically connected to each other. Of course.

그 후, 상하 승강 및 회동부재(580)의 제1 실린더(591) 승강노드를 당겨 소정 길이로 하강 구동시키면 승강바(590)가 상승하면서 승강바와 체결 고정된 승강캡부(560)의 승강캡(570)이 도금 웨이퍼(1b)에 대한 압압이 해제되도록 상승하여 상기 탄성받침부재(524)에 안치 지지된 도금된 웨이퍼(1b)가 탄성받침부재(524)의 탄성 복원력에 의해 원위치로 상승되면서 도금된 웨이퍼(1b)가 도금액에 침적된 상태에서 도금액 밖으로 드러난 상태가 된다. Thereafter, when the first cylinder 591 of the upper and lower elevating and rotating members 580 is pulled up and lowered to a predetermined length, the elevating cap 560 of the elevating cap portion 560 is fastened to the elevating bar 590 while being elevated. 570 is raised to release the pressure on the plated wafer 1b so that the plated wafer 1b held by the elastic support member 524 is raised to its original position by the elastic restoring force of the elastic support member 524. In the state in which the wafer 1b is deposited in the plating liquid, the wafer 1b is brought out of the plating liquid.

한편, 상기 도금된 웨이퍼(1b)가 도금액 밖으로 드러난 상태가 되는 원리는, 도금액이 피도금 웨이퍼(1a)에 도금되면서 줄어들고, 상기와 같이 탄성받침부재(524)에 안치 지지된 피도금 웨이퍼(1a)가 눌려져 하강 압압됨에 따라 도금조(520)내의 도금액(2)이 도금조(520) 도금액 유출홈(526)을 통해 외부 즉, 회수 도금조(530)로 유출되어 하부의 회수공(531) 통해 도금액저장탱크(540)로 회수 환류되기 때문이다.On the other hand, the principle that the plated wafer (1b) is exposed to the outside of the plating solution, the plating solution is reduced as the plating solution to be plated on the wafer (1a), and the plated wafer (1a) held by the elastic support member 524 as described above ) Is pressed down and pressed down, the plating liquid 2 in the plating tank 520 flows out to the outside, that is, the recovery plating tank 530 through the plating solution 520, the plating solution outlet groove 526, and the recovery hole 531 at the bottom thereof. This is because it is returned to the plating liquid storage tank 540 through.

이때, 도금액 밖으로 드러난 상태의 도금 웨이퍼(1b)에 묻은 도금액 및 미세 이물질은 승강캡(570)의 질소가스분사노즐(576)을 통해 질소가스가 고압 분사되면서 제거되며 따라서 도금 품질이 향상된다.At this time, the plating liquid and fine foreign matter on the plating wafer 1b in the state exposed out of the plating liquid are removed while nitrogen gas is injected under high pressure through the nitrogen gas injection nozzle 576 of the lifting cap 570, thereby improving plating quality.

그 후, 승강캡부(560)의 상하 승강 및 회동부재(580)의 제2 실린더(597) 승강노드를 하강 구동시키면 힌지축(598)을 중심으로 회동바(596)의 단부에 체결된 승강캡(570)이 상승해 반송장치(30)의 이송아암(31)로 도금 및 도금액제거 웨이퍼(1c)를 인출할 수 있다.Subsequently, when the elevating cap of the elevating cap 560 is moved up and down and the elevating node of the second cylinder 597 of the rotating member 580 is driven, the elevating cap fastened to the end of the pivoting bar 596 about the hinge shaft 598. 570 rises and the plating and plating liquid removal wafer 1c can be taken out by the transfer arm 31 of the transfer apparatus 30.

동시에, 유량센서(541)에 의해 제어되는 도금액공급 펌프(542)가 구동되어 도금액저장탱크(540)의 도금액이 공급관을 통해 필터(543)와 회수 도금조(530) 내부에 설치된 도금액공급탱크(544)를 거쳐 도금조(520)가 완충되는 것이 반복된다.At the same time, the plating liquid supply pump 542 controlled by the flow sensor 541 is driven so that the plating liquid supply tank of the plating liquid storage tank 540 is installed inside the filter 543 and the recovery plating tank 530 through the supply pipe ( It is repeated that the plating bath 520 is buffered via 544.

도 8은 본 발명의 일실시 예에 따른 웨이퍼 자동 도금시스템의 세정 및 건조장치를 개략적으로 도시한 사시도이고, 도 9는 도 8의 개략적인 분해 사시도이다.8 is a perspective view schematically showing a cleaning and drying apparatus of an automatic wafer plating system according to an embodiment of the present invention, Figure 9 is a schematic exploded perspective view of FIG.

도 8 및 도 9를 참조하면, 본 발명의 세정 및 건조장치(600)는 상기 도금 및 도금액제거장치(500)에서 도금 및 도금액제거 처리가 된 웨이퍼(1c)를 흡착 및 회전시켜 물(3)로 세정한 후, 세정된 웨이퍼 표면에 묻은 물을 바로 고속 회전으로 탈수하여 건조시키는 장치이다.8 and 9, the cleaning and drying apparatus 600 of the present invention adsorbs and rotates the wafer 1c that has been subjected to the plating and plating liquid removal treatment in the plating and plating liquid removing apparatus 500 to rotate the water 3. After washing with water, the water on the surface of the cleaned wafer is immediately dehydrated and dried at high speed.

상기 세정 및 건조장치의 흡착 회전부재(610)는 상면에 흡착공(624)이 형성된 중공의 흡착봉(620)과, 상기 흡착봉(620)에 도금 및 도금액제거 웨이퍼(1c)가 흡착 고정되어 회전되도록 흡착봉의 중공에 연결된 공기흡입관(630)과, 흡착봉의 일측에 연결되어 회전 구동되는 구동모터(640)를 포함하여 구성된다.The adsorption rotating member 610 of the cleaning and drying apparatus has a hollow adsorption rod 620 having adsorption holes 624 formed on an upper surface thereof, and a plating and plating liquid removal wafer 1c adsorbed and fixed to the adsorption rod 620. It comprises an air suction pipe 630 connected to the hollow of the adsorption rod to rotate, and a drive motor 640 connected to one side of the adsorption rod to rotate.

그리고, 상기 세정 및 건조장치(600)의 세정조 승강부재(660)는 상기 흡착봉(620) 상면의 도금 및 도금액제거 웨이퍼(1c)가 세정 회전시 도금 및 도금액제거 웨이퍼(1c)가 내부에 안치되도록 상승되며 하부에 세정수 배출관(666)이 연결된 세정조(650)와, 상기 세정조(665)의 하부면에 체결 고정되어 세정조 실린더(668)의 구동에 의해 상기 세정조가 상하 승강되도록 구성된다.In addition, the cleaning tank elevating member 660 of the cleaning and drying apparatus 600 has a plating and plating liquid removing wafer 1c disposed therein when the plating and plating liquid removing wafer 1c on the upper surface of the adsorption rod 620 is cleaned and rotated. A washing tank 650 which is raised to be settled and connected to a washing water discharge pipe 666 at a lower portion thereof is fastened and fixed to a lower surface of the washing tank 665 so that the washing tank is lifted up and down by driving of the washing tank cylinder 668. It is composed.

도 10은 본 발명의 세정 및 건조장치의 흡착 회전부재에 도금 및 도금액제거 웨이퍼가 흡착된 상태를 도시한 측단면도이고, 도 11은 본 발명의 세정 및 건조장치의 흡착 회전부재에 흡착된 도금 및 도금액제거 웨이퍼가 세정조 승강부재가 상승된 상태에서 흡착 회전부재가 회전되면서 물공급부재로부터 분출되는 물에 의해 세정되는 상태를 도시한 측단면도이다.Figure 10 is a side cross-sectional view showing a state in which the plating and the plating liquid removal wafer is adsorbed on the adsorption rotating member of the cleaning and drying apparatus of the present invention, Figure 11 is a plating and adsorbed on the adsorption rotating member of the cleaning and drying apparatus of the present invention A side cross-sectional view showing a state where the plating liquid removal wafer is cleaned by water ejected from the water supply member while the adsorption rotating member is rotated while the cleaning tank elevating member is raised.

이하에서는, 도 10 및 도 11을 참조하여, 본 발명의 특징적 구성부인 세정 및 건조장치(600)의 작동을 설명한다.10 and 11, the operation of the cleaning and drying apparatus 600, which is a characteristic component of the present invention, will be described.

우선, 상기 도금 및 도금액제거 웨이퍼(1c)를 인출하기 위해 이송아암 삽입홈(521)을 따라 반송장치(30)의 이송아암(31)을 삽입한 후 상승시켜 도금 및 도금액제거 웨이퍼(1c)를 인출하여, 다음 공정인 세정 및 건조장치(600)로 반송하면, 상기 도금 및 도금액제거 웨이퍼(1c)는 세정 및 건조장치(600)의 흡착 회전부재(610) 흡착봉(620) 상면의 흡착공(624)에 반송 흡착된다.First, the transfer arm 31 of the transfer device 30 is inserted along the transfer arm insertion groove 521 to withdraw the plating and plating liquid removing wafer 1c, and then raised to raise the plating and plating liquid removing wafer 1c. After drawing out and conveying to the cleaning and drying apparatus 600 which is the next process, the plating and plating liquid removing wafer 1c is adsorbed on the upper surface of the adsorption rotating member 610 and the adsorption rod 620 of the cleaning and drying apparatus 600. It is conveyed and adsorbed to 624.

그 후, 세정조 승강부재(660)의 세정조 실린더(668)의 승강로드가 상승하면서 세정조(665)가 도금이 되고 및 도금액제거가 된 상태의 웨이퍼(1c)를 감싸 내부에 위치되게 상승 구동된다.Thereafter, as the lifting rod of the cleaning tank cylinder 668 of the cleaning tank lifting member 660 is raised, the cleaning tank 665 is plated and lifted so as to be located inside the wafer 1c in a state where the plating liquid is removed. Driven.

그 후, 흡착봉(620)이 회전되면서 물공급부재(670)를 통해 세정된 물이 분출되어 세정이 행하여 진다. 이때, 도금 및 도금액제거 웨이퍼(1c)가 회전되기 때문에 세정 효율이 향상된다.Thereafter, while the adsorption rod 620 is rotated, the water washed through the water supply member 670 is ejected to perform the cleaning. At this time, since the plating and plating liquid removal wafer 1c is rotated, the cleaning efficiency is improved.

세정이 완료되면, 물공급관(673)을 통한 물 공급을 중단하며, 이때, 건조를 위해 흡착봉(620)의 회전은 계속되는 구조이기 때문에 작은 공간에 추가 소요 비용없이 세정시에 웨이퍼가 회전되어 세정 효율이 높고, 별도로 건조장치를 설치하지 않고 세정장치에서 한 번에 건조를 할 수 있다.When the cleaning is completed, the water supply through the water supply pipe 673 is stopped, and at this time, since the rotation of the adsorption rod 620 is continued for drying, the wafer is rotated and cleaned at a small space without additional cost. The efficiency is high, and drying can be done in one time in the washing apparatus without installing the drying apparatus separately.

한편, 상기 승강캡부(560)는 상기 도금부(510)의 탄성받침부재(524)에 안착 지지된 피도금 웨이퍼(1a)를 하방으로 밀어 압압하여 도금부(510)의 도금조(520)에 완충된 도금액(2)에 침적시켜 도금되게 한 후, 도금된 웨이퍼(1b)에 대한 압압이 해제되도록 상승하여 상기 도금액에 침적 도금된 웨이퍼(1b)가 도금부의 탄성받침부재(524)의 탄성 복원력에 의해 도금액 밖으로 원위치 복귀되게 한 후, 바로 상부에 구비된 질소가스분사노즐(576)을 통해 질소가스를 도금액이 묻은 도금 웨이퍼에 분사하여 도금액을 제거하는 기능을 가질 수 있다.On the other hand, the lifting cap 560 pushes down the plated wafer 1a seated and supported by the elastic support member 524 of the plating portion 510 to be pressed to the plating tank 520 of the plating portion 510. After immersing in the buffered plating solution 2 to be plated, the pressure restoring force on the plated wafer 1b is released so that the wafer 1b immersed in the plating solution is elastically restoring of the elastic support member 524 of the plating part. After returning to the original position out of the plating liquid, it may have a function of removing the plating liquid by spraying the nitrogen gas to the plating wafer with the plating liquid through the nitrogen gas injection nozzle 576 provided immediately above.

본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시 예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시 예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시 예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.Although the technical spirit of the present invention has been described in detail according to the above preferred embodiment, it should be noted that the above embodiment is for the purpose of description and not of limitation. In addition, those skilled in the art will understand that various embodiments are possible within the scope of the technical idea of the present invention.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 웨이퍼 자동 도금시스템은 반도체 웨이퍼의 표면을 도금액에 침전하여 자동 도금할 경우에 도금액이 환류되는 도금조에 탄성받침부재를 구비하고, 도금조를 회수 도금조의 내부에 안치하는 구조를 제공함으로서 작은 공간에 추가 소요 비용없이 웨이퍼가 도금시에 상하로 유동되어 보다 완전한 도금이 이루어지고, 도금액의 회수 장치를 별도로 설치하지 않고 도금장치에서 회수를 한 번에 처리할 수 있는 효과가 있다.As described above, the wafer automatic plating system according to the present invention includes an elastic support member in the plating bath in which the plating solution is refluxed when the surface of the semiconductor wafer is deposited in the plating solution and automatically plated, and the plating bath is placed inside the recovery plating bath. By providing a structure that allows the wafer to flow up and down at the time of plating without additional cost in a small space, more complete plating is achieved, and it is possible to process recovery at once in the plating apparatus without separately installing a plating liquid recovery apparatus. There is.

또한, 도금조의 탄성받침부재에 안치 지지된 웨이퍼를 하방으로 누르는 승강캡부에 웨이퍼에 전달되는 충격을 방지하는 완충푸셔와 함께 질소가스분사노즐을 체결한 구조를 제공함으로서 도금시 도금조의 하방으로 내려가면서 도금액이 넘쳐 분출되기 때문에 하강 침전되면서 도금된 후에 원위치로 복귀된 웨이퍼 표면에 묻어 있는 도금액 및 미세 이물질을 질소 가스를 분사하여 손쉽게 제거할 수 있는 효과가 있다.In addition, by providing a structure in which a nitrogen gas injection nozzle is fastened together with a cushioning pusher that prevents the shock transmitted to the wafer, the lifting cap portion presses downwardly the wafer supported by the elastic support member of the plating bath, while descending downward from the plating bath. Since the plating liquid is ejected in excess, the plating liquid and fine foreign matters buried on the surface of the wafer returned to its original position after plating while falling down are easily removed by spraying nitrogen gas.

또한, 반도체 웨이퍼의 표면을 정수된 물을 사용하여 세정할 경우에 웨이퍼가 흡착된 흡착봉을 회전시키고, 세정조를 상하승강 구동되는 구조를 제공함으로서 작은 공간에 추가 소요 비용없이 세정시에 웨이퍼가 회전되어 세정 효율이 높고, 별도로 건조장치를 설치하지 않고 세정장치에서 한 번에 건조를 할 수 있는 효과가 있다.In addition, when the surface of the semiconductor wafer is cleaned using purified water, the wafer is adsorbed by rotating the adsorption rod and the cleaning tank is driven up and down. Rotating efficiency is high, there is an effect that can be dried at a time in the washing apparatus without installing a separate drying apparatus.

Claims (8)

로딩장치(20)에서 적재된 피도금면을 가진 웨이퍼(1a)를 반송장치(30)로 인출하여 도금액(2)이 환류되는 도금부(510)의 도금조(520)로 이송해 침적 도금하고, 도금된 웨이퍼(1b)를 정수된 물(3)로 세정하고, 세정된 웨이퍼를 건조시키는 웨이퍼 자동 도금시스템에 있어서, The wafer 1a having the plated surface loaded in the loading device 20 is taken out to the transfer device 30, transferred to the plating bath 520 of the plating part 510 where the plating solution 2 is refluxed, and deposited by plating. In the wafer automatic plating system for cleaning the plated wafer 1b with purified water 3 and drying the cleaned wafers, 상기 피도금면을 가진 웨이퍼(1a)를 도금부(510)의 도금액(2)에 침적하여 도금한 후, 도금액에서 분리된 도금 웨이퍼(1b) 표면에 묻은 도금액을 바로 고압의 분사 가스로 제거하는 도금 및 도금액제거장치(500)와; After the wafer 1a having the surface to be plated is deposited by plating on the plating solution 2 of the plating portion 510, the plating solution deposited on the surface of the plating wafer 1b separated from the plating solution is directly removed by a high pressure injection gas. Plating and plating liquid removing apparatus 500; 상기 도금 및 도금액제거장치(500)에서 도금 및 도금액제거 처리가 된 웨이퍼(1c)를 흡착 및 회전시켜 물(3)로 세정한 후, 세정된 웨이퍼 표면에 묻은 물을 바로 고속 회전으로 탈수하여 건조시키는 세정 및 건조장치(600)를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 자동 도금시스템.The plating and plating liquid removal apparatus 500 sucks and rotates the wafer 1c, which has been subjected to the plating and plating liquid removal treatment, and then washes with water (3), and immediately dehydrates and dries the water on the cleaned wafer surface at high speed. Wafer automatic plating system, characterized in that configured to include a cleaning and drying device (600). 제1항에 있어서, 상기 도금 및 도금액제거장치(500)는 상부에 피도금 웨이퍼(1a)가 안착 지지되며 피도금 웨이퍼에 작용되는 외력에 의해 상하유동되는 탄성받침부재(524)가 체결된 도금부(510)와; The plating and plating solution removing apparatus 500 of claim 1, wherein the plated wafer 1a is seated and supported on an upper portion of the plating and plating solution removing device 500, and an elastic support member 524 fastened up and down by external force acting on the plated wafer is fastened. Unit 510; 상기 도금부(510)의 탄성받침부재(524)에 안착 지지된 피도금 웨이퍼(1a)를 하방으로 밀어 도금액이 완충된 도금조(520)의 상부에 노출된 (-)전극 접점(523)과 연결되어 있는 탄성받침부재(524)에 압압되도록 하고 상기 도금조(520)의 (-)전극 접점(523)과 대응되는 위치에 고정된 (-)전극 접점(575)에 도금조(520)의 (-)전극 접점(523)이 컨택하면서 피도금 웨이퍼(1a)가 도금조(520) 내부에서 도금액(2)에 노출된 (+)전극(529)과 통전되어 도금된 후, 도금 웨이퍼(1b)에 대한 압압이 해제되도록 상승하여 도금 웨이퍼(1b)가 도금부의 탄성받침부재(524)의 탄성 복원력에 의해 원위치 복귀되면서 도금액 밖으로 드러남과 동시에 바로 상부에 구비된 질소가스분사노즐(576)을 통해 질소가스를 도금액이 묻은 도금 웨이퍼에 분사하여 도금액을 제거하는 승강캡부(560)를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 자동 도금시스템.A negative electrode contact 523 exposed to the upper portion of the plating bath 520 in which the plating liquid is buffered by pushing the plated wafer 1a seated and supported by the elastic support member 524 of the plating part 510 downwardly; It is pressed by the elastic support member 524 connected to the (-) electrode contact 575 of the plating bath 520 fixed to a position corresponding to the (-) electrode contact 523 of the plating bath 520 The plated wafer 1b is energized and plated with the (+) electrode 529 exposed to the plating liquid 2 inside the plating bath 520 while the (-) electrode contact 523 contacts, and then the plated wafer 1b. The plated wafer 1b is returned to its original position by the elastic restoring force of the elastic support member 524 of the plated portion, and is exposed out of the plating solution. It comprises a lifting cap portion 560 to remove the plating liquid by injecting nitrogen gas on the plating wafer with the plating liquid Automatic wafer plating system, characterized in that. 제2항에 있어서, 상기 도금 및 도금액제거장치(500)의 도금부(510)는 상기 도금액이 외부 도금액저장탱크(540)로부터 공급되어 만충 환류되며 상기 탄성받침부재(524)가 체결 고정된 상부커버플레이트(522)가 상부에 체결 고정된 도금조(520)와, 상기 승강캡부(560)가 하강 구동되어 도금조의 탄성받침부재(524)에 안착 지지된 피도금 웨이퍼(1a)가 하강 압압됨에 따라 도금조(520) 외부로 넘쳐 흐르는 도금액이 회수되도록 도금조가 내부에 안치되는 회수 도금조(530)를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 웨이퍼 자동 도금시스템.The upper part of claim 2, wherein the plating part 510 of the plating and plating liquid removing device 500 is fully refluxed from the plating liquid supplied from an external plating liquid storage tank 540, and the elastic support member 524 is fastened and fixed. The plating plate 520 is fastened and fixed to the upper cover plate 522, and the lifting cap 560 is driven downward to be pressed down to be plated wafer (1a) seated and supported by the elastic support member 524 of the plating bath. According to the plating bath 520, a plating bath 530, the plating bath is settled therein so as to recover the plating liquid flowing out to the outside, characterized in that the automatic wafer plating system made. 제2항에 있어서, 상기 도금 및 도금액제거장치(500)의 승강캡부(560)는 상기 피도금 웨이퍼(1a)를 하방으로 밀어 압압할 때 피도금 웨이퍼에 전달되는 충격이 완화되도록 하부에 완충스프링(574a)을 가진 완충푸셔(574)가 돌출 설치되고, 상부에는 도금 웨이퍼(1b)에 묻은 도금액을 제거하는 질소가스가 분사되는 질소가스분사노즐(576)이 설치된 승강캡(570)과; 상기 승강캡(570)의 일측에 체결 고정되어 제1 실린더(591)의 구동에 의해 승강캡이 상기 도금부의 도금조(520) 상부에서 상하 승강되도록 하는 승강바(590)와, 상기 승강바에 일측이 체결 고정되어 제2 실린더(597)의 구동에 의해 승강캡이 회동 승강되도록 하는 회동바(596)를 가진 상하 승강 및 회동부재(580)를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 웨이퍼 자동 도금시스템.According to claim 2, The lifting cap portion 560 of the plating and plating liquid removing device 500 is a buffer spring in the lower portion to alleviate the shock transmitted to the plated wafer when pressing the plated wafer (1a) by pressing downward A lifting cap 570 having a buffer pusher 574 having a 574a installed thereon, and a nitrogen gas injection nozzle 576 having a nitrogen gas sprayed thereon for removing a plating solution from the plating wafer 1b; An elevating bar 590 which is fastened and fixed to one side of the elevating cap 570 so that the elevating cap is elevated up and down in the plating bath 520 of the plating part by driving of the first cylinder 591, and one side of the elevating bar. Wafer automatic plating system comprising the up and down lifting and rotating member (580) having a rotation bar (596) is fastened and fixed so that the lifting cap is rotated by the drive of the second cylinder (597). 제1항에 있어서, 상기 세정 및 건조장치(600)는 상면에 도금 및 도금액제거 웨이퍼(1c)를 흡착 고정하여 회전되는 흡착 회전부재(610)와, 상기 도금 및 도금액제거 웨이퍼(1c)가 세정 회전시 상승되는 세정조 승강부재(660)와, 상기 흡착 회전부재의 상면에 흡착되어 회전되는 도금 및 도금액제거 웨이퍼에 물이 공급되도록 일측에 물공급관(673)이 연결된 물공급부재(670)를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 자동 도금시스템.The cleaning and drying apparatus 600 of claim 1, wherein the cleaning and drying apparatus 600 includes an adsorption rotating member 610 which is rotated by adsorption and fixing the plating and plating liquid removing wafer 1c on the upper surface, and the plating and plating liquid removing wafer 1c is cleaned. Cleaning tank elevating member 660 which is raised during rotation, and a water supply member 670 having a water supply pipe 673 connected to one side thereof so that water is supplied to the plating and plating liquid removal wafer which is adsorbed on the upper surface of the adsorption rotating member and rotated. Wafer automatic plating system comprising a. 제5항에 있어서, 상기 세정 및 건조장치의 흡착 회전부재(610)는 상면에 흡착공(624)이 형성된 중공의 흡착봉(620)과, 상기 흡착봉(620)에 도금 및 도금액제거 웨이퍼(1c)가 흡착 고정되어 회전되도록 흡착봉의 중공에 연결된 공기흡입관(630)과, 흡착봉의 일측에 연결되어 회전 구동되는 구동모터(640)를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 웨이퍼 자동 도금시스템.The method of claim 5, wherein the adsorption rotating member 610 of the cleaning and drying apparatus is a hollow adsorption rod 620, the adsorption hole 624 is formed on the upper surface, and the plating and plating liquid removal wafer ( 1c) is an automatic suction plating system characterized in that it comprises an air suction pipe 630 connected to the hollow of the adsorption rod so that the adsorption fixed is rotated, and a drive motor (640) connected to one side of the adsorption rod to rotate. 제5항에 있어서, 상기 세정 및 건조장치(600)의 세정조 승강부재(660)는 상기 흡착봉(620) 상면의 도금 및 도금액제거 웨이퍼(1c)가 세정 회전시 도금 및 도금액제거 웨이퍼(1c)가 내부에 안치되도록 상승되며 하부에 세정수 배출관(666)이 연결된 세정조(665)와, 상기 세정조(665)의 하부면에 체결 고정되어 세정조 실린더(668)의 구동에 의해 상기 세정조가 상하 승강되도록 이루어진 것을 특징으로 하는 웨이퍼 자동 도금시스템.The cleaning tank elevating member 660 of the cleaning and drying apparatus 600 is a plating and plating liquid removing wafer 1c when the plating and plating liquid removing wafer 1c on the upper surface of the suction rod 620 is rotated. ) Is raised so as to be settled inside, and the washing tank 665 connected to the washing water discharge pipe 666 at the lower portion thereof is fastened and fixed to the lower surface of the washing tank 665 so that the washing tank is driven by the washing tank cylinder 668. Wafer automatic plating system, characterized in that the jaw is made up and down. 상면에는 내부에 청정공기를 공급하기 위한 흡배기 공조관(12)이 연결되고, 내부 일측에는 전기도금에 필요한 전력을 공급하기 위한 전원공급부(13)와 전기도금에 필요한 일련의 처리를 제어하는 제어부(14)가 내장되고, 타측에는 내부 중앙에 내장된 설치테이블(15)에 의해 상하부로 구획되어 웨이퍼 도금을 위한 장치들이 내장되는 장방형의 하우징(10)과; The upper surface is connected to the intake and exhaust air conditioner tube 12 for supplying clean air therein, the inner side of the power supply unit 13 for supplying the power required for electroplating and a control unit for controlling a series of processes required for electroplating ( A rectangular housing (10) having a built-in unit 14, and on the other side thereof divided into upper and lower parts by an installation table 15 embedded in an inner center thereof, in which devices for wafer plating are embedded; 상기 하우징(10)의 내부에 장착되며 피도금면을 가진 웨이퍼(1a)가 적재되는 로딩장치(20)와; A loading device 20 mounted inside the housing 10 and having a wafer 1a loaded thereon with a plated surface thereon; 상기 로딩장치(20)에 적재된 피도금 웨이퍼(1a)를 인출하여 도금 및 언로딩을 위한 장치들로 순차적으로 반송하는 반송장치(30)와; A conveying apparatus 30 which takes out the to-be-plated wafer 1a loaded in the loading apparatus 20 and sequentially conveys them to apparatuses for plating and unloading; 상기 반송장치(30)에 의해 반송된 피도금 웨이퍼(1a)를 정렬하는 정렬장치(40)와; An alignment device (40) for aligning the plated wafer (1a) conveyed by the transfer device (30); 상기 정렬된 피도금 웨이퍼(1a)를 도금처리하기 위해 반송장치로 인출하여 도금액이 환류되는 도금부(510)의 도금조(520)로 이송해 침적 도금하고, 도금된 웨이퍼(1b)에 묻은 도금액을 승강캡부(560)의 질소가스분사노즐(576)로 질소가스를 고압 분사하여 제거하는 도금 및 도금액제거장치(500)와;The plated wafer 1a is withdrawn to a transfer device for plating and transferred to the plating bath 520 of the plating section 510 where the plating solution is refluxed to deposit and plate the plating solution on the plated wafer 1b. A plating and plating liquid removing apparatus 500 for removing nitrogen gas by high-pressure injection into the nitrogen gas injection nozzle 576 of the elevating cap 560; 상기 도금 및 도금액제거장치(500)에서 도금 및 도금액제거 처리된 웨이퍼(1c)를 흡착 및 회전시켜 정수된 물로 세정한 후, 세정된 웨이퍼에 묻은 물을 바로 고속 회전으로 탈수하여 건조시키는 세정 및 건조장치(600)와;The plating and plating liquid removing apparatus 500 sucks and rotates the plated and plating liquid removed wafer 1c and cleans it with purified water, and then cleans and dries to dehydrate water dried on the cleaned wafer at high speed. Device 600; 상기 세정 및 건조장치(600)에서 세정 및 건조 처리된 웨이퍼(1d)가 외부로 반출되도록 반송장치(30)에 의해 반송 적재되는 언로딩장치(70)를 포함하여 구성되어, And an unloading device 70 conveyed and loaded by the conveying device 30 so that the wafer 1d cleaned and dried in the cleaning and drying device 600 is carried out to the outside. 상기 피도금 웨이퍼(1a)가 도금된 후 바로 피도금 웨이퍼(1a) 표면에 묻은 도금액이 제거되며, 도금 및 도금액제거 처리된 웨이퍼(1c)의 세정 후 바로 건조되는 구조로 이루어진 것을 특징으로 하는 웨이퍼 자동 도금시스템.Wafer characterized in that the plating liquid on the surface of the wafer to be plated (1a) is removed immediately after the plated wafer (1a) is plated, and dried immediately after cleaning the plated and the plating solution removal treatment (1c) Automatic plating system.
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