KR100817316B1 - Portable device and Method for controlling refresh of shared memory - Google Patents

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KR100817316B1
KR100817316B1 KR1020060014488A KR20060014488A KR100817316B1 KR 100817316 B1 KR100817316 B1 KR 100817316B1 KR 1020060014488 A KR1020060014488 A KR 1020060014488A KR 20060014488 A KR20060014488 A KR 20060014488A KR 100817316 B1 KR100817316 B1 KR 100817316B1
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Abstract

휴대형 장치 및 공유 메모리의 리프레쉬 제어 방법이 개시된다. 본 발명의 실시예에 따른 메모리 장치는, n개의 프로세서에 각각 결합되도록 하기 위한 n개의 포트 및 상응하는 포트를 통해 프로세서로부터 입력된 커맨드 신호들의 조합에 의해 각 분할 영역의 리프레쉬(refresh) 모드를 결정하여 리프레쉬를 수행하는 리프레쉬 제어기를 포함할 수 있다. 본 발명에 따르면, 복수의 프로세서가 하나의 메모리를 공유하는 경우에도 리프레쉬 동작이 수행될 수 있도록 하여 데이터 보존을 가능하게 한다.

Figure R1020060014488

저전력 모드, 셀프 리프레쉬, refresh, 메모리, 공유

Disclosed are a refresh control method of a portable device and a shared memory. A memory device according to an embodiment of the present invention determines a refresh mode of each partition by a combination of n ports and n signal signals input from a processor through corresponding ports to couple to n processors, respectively. It may include a refresh controller to perform the refresh. According to the present invention, a refresh operation can be performed even when a plurality of processors share one memory, thereby enabling data preservation.

Figure R1020060014488

Low power mode, self refresh, refresh, memory, share

Description

휴대형 장치 및 공유 메모리의 리프레쉬 제어 방법{Portable device and Method for controlling refresh of shared memory}Portable device and method for controlling refresh of shared memory

도 1은 리프레쉬를 위한 종래 기술에 따른 SDRAM의 블록 구성도.1 is a block diagram of an SDRAM according to the prior art for refreshing.

도 2는 도 1에 도시된 제어부의 상세 회로도.FIG. 2 is a detailed circuit diagram of the control unit shown in FIG. 1. FIG.

도 3은 도 2에 도시된 셀프리프레쉬 모드 디코더의 상세 회로도.3 is a detailed circuit diagram of the cell fresh mode decoder shown in FIG. 2;

도 4는 도 1에 있어서 동작 타이밍도를 나타낸 도면.4 is a view showing an operation timing diagram in FIG. 1;

도 5는 메모리와 프로세서간에 송수신되는 커맨드 테이블(command table)을 나타낸 도면.5 illustrates a command table transmitted and received between a memory and a processor.

도 6은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 메모리와 프로세서들의 결합 구조를 예시한 도면.6 is a diagram illustrating a combination structure of a memory and a processor according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 리프레쉬 모드 제어기의 블록 구성도.7 is a block diagram of a refresh mode controller according to an embodiment of the present invention.

본 발명은 공유 메모리에 관한 것으로, 보다 상세하게는 휴대형 장치 및 공유 메모리의 저전력 모드 제어 방법에 관한 것이다.The present invention relates to shared memory, and more particularly, to a portable device and a low power mode control method of the shared memory.

일반적으로 휴대형 장치는 각각 미리 설정된 기능을 수행하기 위한 복수의 프로세서(processor)를 구비한다. 각각의 프로세서는 오퍼레이션(operation)을 위한 데이터, 처리하기 위한 데이터, 처리한 데이터 등을 저장하기 위한 메모리와 결합된다. In general, portable devices each have a plurality of processors for performing a predetermined function. Each processor is coupled with a memory for storing data for operations, data for processing, processed data, and the like.

잘 알려져 있는 바와 같이, 휘발성 메모리 장치에서 데이터를 저장하는 메모리 셀의 경우, 그 자체가 가지는 누설전류 성분으로 인해 저장하고 있는 데이터를 일정 시간 이상은 유지를 못하는 단점이 있다.As is well known, in the case of a memory cell storing data in a volatile memory device, there is a disadvantage in that data stored in the volatile memory device cannot be stored for a predetermined time or more.

이러한 한계를 보상하기 위해 시스템에서는 일정 시간마다 메모리 장치가 데이터를 다시 복원할 수 있도록 하는 리프레쉬(refresh) 동작을 수행한다. To compensate for this limitation, the system performs a refresh operation that allows the memory device to restore data again at certain times.

이러한 리프레쉬 동작은 시스템이 정상 동작 중에 리프레쉬 동작을 하는 오토 리프레쉬(Auto refresh)와 시스템이 장시간 동안 동작을 하지 않을 경우 리프레쉬 동작을 하는 셀프 리프레쉬 (self refresh)가 있다.Such a refresh operation includes an auto refresh that performs a refresh operation during a normal operation of the system and a self refresh that performs a refresh operation when the system does not operate for a long time.

여기서, 시스템이 장시간 동안 동작을 하지 않을 경우, 전력 소모를 감소시키기 위해 메모리 장치는 최소한의 동작만을 수행하는 상태를 유지하고, 이 상태에서도 메모리가 데이터를 정확히 유지하기 위해서는 리프레쉬 동작이 필수적으로 수행되어야 한다. 이때 수행되는 리프레쉬 동작을 셀프 리프레쉬(self refresh)라고 한다.In this case, when the system is not operated for a long time, the memory device maintains a minimum operation to reduce power consumption. In this state, a refresh operation must be performed in order for the memory to accurately maintain data. do. The refresh operation performed at this time is called self refresh.

즉, 셀프 리프레쉬(self refresh)란 DRAM 등의 휘발성 메모리 장치가 대기 상태에서 메모리 셀 내에 저장된 데이터를 유지하기 위해 자체적으로 내부에서 일정 주기(즉, 기본 주기)에 따라 리프레쉬를 수행하는 것을 의미한다.That is, self refresh means that a volatile memory device such as a DRAM performs internal refresh at a predetermined period (ie, a basic period) in order to maintain data stored in a memory cell in a standby state.

리프레쉬 동작은 기본적으로 정상 동작인 로우 액티브(row active), 프리차지(precharge) 동작과 동일하다. 즉, 메모리 셀에 저장되어 있는 데이터를 감지 증폭기로 증폭한 후 이 데이터를 다시 메모리 셀에 저장시키는 일련의 과정으로 이루어진다.The refresh operation is basically the same as the row active and precharge operations that are normal operations. That is, a series of processes are performed to amplify the data stored in the memory cell with a sense amplifier and store the data in the memory cell again.

한편, 셀프 리프레쉬 동작의 경우 메모리 장치 외부로부터의 명령없이 일정 시간마다 리프레쉬 동작이 이루어져야하기 때문에 셀프 리프레쉬 동작은 칩 내부에서 독립적으로 이루어진다.Meanwhile, in the case of the self refresh operation, since the refresh operation must be performed at a predetermined time without a command from the outside of the memory device, the self refresh operation is performed independently in the chip.

즉, 외부에서 로우 액티브 명령이 인가되지 않아도 로우 액티브 동작이 수행되고 프리차지 동작이 연이어 수행되어야 한다.That is, even if the low active command is not applied from the outside, the low active operation should be performed and the precharge operation should be performed successively.

그러나, 메모리 장치를 위한 종래의 리프레쉬 제어 방법은 단일 포트(single port) 메모리에 적합하도록 제시된 방법으로서, 복수의 프로세서가 하나의 메모리를 공유하는 공유 메모리 시스템에는 적합하지 않은 문제점이 있었다.However, the conventional refresh control method for a memory device is a method proposed to be suitable for a single port memory, which is not suitable for a shared memory system in which a plurality of processors share one memory.

따라서 본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 복수의 프로세서가 하나의 메모리를 공유하는 경우에도 리프레쉬 동작이 수행될 수 있도록 하여 데이터 보존을 가능하게 하는 휴대형 장치 및 공유 메모리의 리프레쉬 제어 방법을 제공하는 것이다.Accordingly, the present invention has been made to solve the above-described problem, and provides a refresh control method for a portable device and a shared memory that enable data preservation by allowing a refresh operation to be performed even when a plurality of processors share a single memory. It is.

본 발명의 다른 목적은 메모리에서 복수로 분할된 저장 영역 중 복수의 프로세서에 의해 공유되는 공통 영역에 저장된 데이터 보존을 위한 리프레쉬 동작의 수행이 가능한 휴대형 장치 및 공유 메모리의 리프레쉬 제어 방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a portable device capable of performing a refresh operation for preserving data stored in a common area shared by a plurality of processors among a plurality of storage areas divided in a memory, and a refresh control method of a shared memory.

본 발명의 또 다른 목적은 메모리의 저장 영역을 복수로 분할하고, 각 프로세서에 대해 특정 분할 영역을 할당함으로써 공유 메모리의 이용 효율을 극대화할 수 있는 휴대형 장치 및 공유 메모리의 리프레쉬 제어 방법을 제공하는 것이다.It is still another object of the present invention to provide a portable device and a refresh control method of a shared memory capable of maximizing the utilization efficiency of the shared memory by dividing a plurality of storage areas of the memory and allocating a specific partition area for each processor. .

본 발명의 또 다른 목적은 메모리가 전체적으로 셀프 리프레쉬 모드로 동작할 수 있도록 하여 전력 소모를 최소화할 수 있는 휴대형 장치 및 공유 메모리의 리프레쉬 제어 방법을 제공하는 것이다.It is still another object of the present invention to provide a portable device and a method of controlling refresh of shared memory, which can minimize power consumption by allowing the memory to operate in the self refresh mode as a whole.

그 외의 다른 본 발명의 목적들은 이하에 서술되는 바람직한 실시예를 통하여 보다 명확해질 것이다.Other objects of the present invention will become more apparent through the preferred embodiments described below.

상술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 일 측면에 따르면, 저장 영역의 각 분할 영역에 대한 리프레쉬 모드를 결정하여 수행하는 메모리 장치 및/또는 상기 메모리 장치를 포함하는 휴대형 단말기가 제공된다.According to an aspect of the present invention to achieve the above object, there is provided a memory device and / or a portable terminal including the memory device for determining and performing a refresh mode for each partition of the storage area.

본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 메모리 장치는, n(2이상의 자연수)개의 프로세서에 각각 결합되도록 하기 위한 n개의 포트; 및 상응하는 포트를 통해 상기 프로세서로부터 입력된 커맨드 신호들의 조합에 의해 각 분할 영역의 리프레 쉬(refresh) 모드를 결정하여 리프레쉬를 수행하는 리프레쉬 제어기-여기서, 상기 리프레쉬 모드는 셀프 리프레쉬(self refresh) 모드 또는 오토 리프레쉬(auto refresh) 모드임-를 포함할 수 있다. 여기서, 상기 메모리 장치의 저장 영역은 k(자연수)개의 분할 영역으로 분할되고, m(k 미만의 자연수)개의 분할 영역은 상기 n개의 프로세서 각각의 전용 영역으로 배분되며, j(k-m인 자연수)개의 분할 영역은 상기 n개의 프로세서가 억세스가능한 공통 영역으로 할당될 수 있다.A memory device according to an exemplary embodiment of the present invention may include n ports for coupling to n (two or more natural numbers) processors, respectively; And a refresh controller for performing a refresh by determining a refresh mode of each partition region by a combination of command signals input from the processor through a corresponding port, wherein the refresh mode is a self refresh mode. Or in auto refresh mode. Here, the storage area of the memory device is divided into k (natural numbers) partitions, and m (natural numbers less than k) partitions are allocated to dedicated areas of each of the n processors, and j (natural numbers of kms) The partition area may be allocated to a common area accessible by the n processors.

상기 전용 영역은 각각 상응하는 프로세서로부터 입력된 커맨드 신호들의 조합에 의해 리프레쉬 모드가 결정되고, 상기 공통 영역은 미리 지정된 하나의 프로세서로부터 입력된 커맨드 신호들의 조합에 의해 리프레쉬 모드가 결정될 수 있다.Each refresh area may be determined by a combination of command signals input from a corresponding processor, and the refresh mode may be determined by a combination of command signals input from one processor.

상기 전용 영역은 각각 상응하는 프로세서로부터 입력된 커맨드 신호들의 조합에 의해 리프레쉬 모드가 결정되고, 상기 공통 영역은 가장 최근에 억세스된 프로세서로부터 입력된 커맨드 신호들의 조합에 의해 리프레쉬 모드가 결정될 수 있다.Each refresh area may be determined by a combination of command signals input from a corresponding processor, and the refresh mode may be determined by a combination of command signals input from a most recently accessed processor.

상기 리프레쉬 제어기는, 결합된 프로세서 각각에 대응되는 n개의 커맨드 해석부; 및 상기 n개의 커맨드 해석부로부터 입력되는 n개의 리프레쉬 제어 신호에 상응하여 상기 m개의 전용 영역에 대한 리프레쉬 모드를 결정하고, 임의의 프로세서로부터 입력된 커맨드 신호에 의한 리프레쉬 제어 신호를 이용하여 상기 공통 영역의 리프레쉬 모드를 결정하는 영역 관리부-여기서, 상기 리프레쉬 제어 신호는 리프레쉬 진입 신호 또는 리프레쉬 퇴장 신호임-를 포함할 수 있다. 여기서, 상기 커맨드 해석부는, 상응하는 프로세서로부터 입력된 상기 칩 선택 신호(CS), 상기 기입 인에이블 신호(WE), 상기 행 어드레스 스트로브 신호(RAS) 및 상기 열 어드레스 스트로브 신호(CAS)를 해석하여 리프레쉬 커맨드인지 여부를 판단하고, 상응하는 결과값을 출력하는 커맨드 디코더; 상응하는 프로세서로부터 입력된 상기 클럭 인에이블 신호(CKE)의 반전 여부 정보를 생성하여 출력하는 CKE 레벨 감지부; 및 상기 결과값이 상기 리프레쉬 커맨드임을 나타내고, 상기 반전 여부 정보가 상기 클럭 인에이블 신호가 제1 값에서 제2 값으로 반전됨을 의미하는 경우 상기 리프레쉬 진입 신호를 생성하여 출력하는 커맨드 판별부를 포함할 수 있다.The refresh controller may include n command interpreters corresponding to each of the combined processors; And determining a refresh mode for the m dedicated areas in correspondence with the n refresh control signals input from the n command analyzing units, and using the refresh control signal by a command signal input from an arbitrary processor. And a region manager for determining a refresh mode of the refresh control signal, wherein the refresh control signal is a refresh enter signal or a refresh exit signal. The command analyzer may interpret the chip select signal CS, the write enable signal WE, the row address strobe signal RAS, and the column address strobe signal CAS input from a corresponding processor. A command decoder which determines whether the command is a refresh command and outputs a corresponding result value; A CKE level detector generating and outputting information on whether the clock enable signal CKE is inverted from a corresponding processor; And a command determiner configured to generate and output the refresh ingress signal when the result value indicates that the refresh command is generated and the inversion information indicates that the clock enable signal is inverted from a first value to a second value. have.

상기 커맨드 판별부는 상기 반전 여부 정보가 상기 클럭 인에이블 신호가 제2 값에서 제1 값으로 반전됨을 의미하는 경우 상기 리프레쉬 퇴장 신호를 생성하여 출력할 수 있다.The command determiner may generate and output the refresh exit signal when the inversion information indicates that the clock enable signal is inverted from a second value to a first value.

본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따른 휴대형 단말기는, n(2이상의 자연수)개의 프로세서; 및 상기 n개의 프로세서에 각각 결합된 메모리 장치를 포함할 수 있다. 여기서, 상기 메모리 장치는, 상기 n개의 프로세서에 각각 결합되도록 하기 위한 n개의 포트; 및 상응하는 포트를 통해 상기 프로세서로부터 입력된 커맨드 신호들의 조합에 의해 각 분할 영역의 리프레쉬(refresh) 모드를 결정하여 리프레쉬를 수행하는 리프레쉬 제어기-여기서, 상기 리프레쉬 모드는 셀프 리프레쉬(self refresh) 모드 또는 오토 리프레쉬(auto refresh) 모드임-를 포함하고, 상기 메모리 장치의 저장 영역은 k(자연수)개의 분할 영역으로 분할되고, m(k 미만의 자연수)개의 분할 영역은 상기 n개의 프로세서 각각의 전용 영역으로 배분되며, j(k-m인 자연수)개의 분할 영역은 상기 n개의 프로세서가 억세스가능한 공통 영역으로 할당될 수 있다.According to another preferred embodiment of the present invention, a portable terminal includes: n (two or more natural numbers) processors; And a memory device coupled to each of the n processors. The memory device may include: n ports for coupling to the n processors, respectively; And a refresh controller for performing a refresh by determining a refresh mode of each partition region by a combination of command signals input from the processor through a corresponding port, wherein the refresh mode is a self refresh mode or a refresh mode. And an auto refresh mode, wherein the storage area of the memory device is divided into k (natural numbers) partitions, and m (natural numbers less than k) partitions are dedicated areas of each of the n processors. J partitions may be allocated to a common area accessible by the n processors.

상기 전용 영역은 각각 상응하는 프로세서로부터 입력된 커맨드 신호들의 조합에 의해 리프레쉬 모드가 결정되고, 상기 공통 영역은 미리 지정된 하나의 프로세서로부터 입력된 커맨드 신호들의 조합에 의해 리프레쉬 모드가 결정될 수 있다.Each refresh area may be determined by a combination of command signals input from a corresponding processor, and the refresh mode may be determined by a combination of command signals input from one processor.

상기 전용 영역은 각각 상응하는 프로세서로부터 입력된 커맨드 신호들의 조합에 의해 리프레쉬 모드가 결정되고, 상기 공통 영역은 가장 최근에 억세스된 프로세서로부터 입력된 커맨드 신호들의 조합에 의해 리프레쉬 모드가 결정될 수 있다.Each refresh area may be determined by a combination of command signals input from a corresponding processor, and the refresh mode may be determined by a combination of command signals input from a most recently accessed processor.

상기 리프레쉬 제어기는, 결합된 프로세서 각각에 대응되는 n개의 커맨드 해석부; 및 상기 n개의 커맨드 해석부로부터 입력되는 n개의 리프레쉬 제어 신호에 상응하여 상기 m개의 전용 영역에 대한 리프레쉬 모드를 결정하고, 임의의 프로세서로부터 입력된 커맨드 신호에 의한 리프레쉬 제어 신호를 이용하여 상기 공통 영역의 리프레쉬 모드를 결정하는 영역 관리부-여기서, 상기 리프레쉬 제어 신호는 리프레쉬 진입 신호 또는 리프레쉬 퇴장 신호임-를 포함할 수 있다. 여기서, 상기 커맨드 해석부는, 상응하는 프로세서로부터 입력된 상기 칩 선택 신호(CS), 상기 기입 인에이블 신호(WE), 상기 행 어드레스 스트로브 신호(RAS) 및 상기 열 어드레스 스트로브 신호(CAS)를 해석하여 리프레쉬 커맨드인지 여부를 판단하고, 상응하는 결과값을 출력하는 커맨드 디코더; 상응하는 프로세서로부터 입력된 상기 클럭 인에이블 신호(CKE)의 반전 여부 정보를 생성하여 출력하는 CKE 레벨 감지부; 및 상기 결과값이 상기 리프레쉬 커맨드임을 나타내고, 상기 반전 여부 정보가 상기 클럭 인에이블 신호가 제1 값에서 제2 값으로 반전됨을 의미하는 경우 상기 리프레쉬 진입 신호를 생성하여 출력하는 커맨드 판별부를 포함할 수 있다.The refresh controller may include n command interpreters corresponding to each of the combined processors; And determining a refresh mode for the m dedicated areas in correspondence with the n refresh control signals input from the n command analyzing units, and using the refresh control signal by a command signal input from an arbitrary processor. And a region manager for determining a refresh mode of the refresh control signal, wherein the refresh control signal is a refresh enter signal or a refresh exit signal. The command analyzer may interpret the chip select signal CS, the write enable signal WE, the row address strobe signal RAS, and the column address strobe signal CAS input from a corresponding processor. A command decoder which determines whether the command is a refresh command and outputs a corresponding result value; A CKE level detector generating and outputting information on whether the clock enable signal CKE is inverted from a corresponding processor; And a command determiner configured to generate and output the refresh ingress signal when the result value indicates that the refresh command is generated and the inversion information indicates that the clock enable signal is inverted from a first value to a second value. have.

상기 커맨드 판별부는 상기 반전 여부 정보가 상기 클럭 인에이블 신호가 제2 값에서 제1 값으로 반전된 경우 리프레쉬 퇴장 신호를 생성하여 출력할 수 있다.The command determiner may generate and output a refresh exit signal when the clock enable signal is inverted from a second value to a first value.

상술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 다른 측면에 따르면, 공유 메모리의 각 분할 영역의 리프레쉬 모드를 결정하여 리프레쉬 동작을 수행하는 리프레쉬 제어 방법 및/또는 그 방법을 수행하기 위한 프로그램이 기록된 기록매체가 제공된다.According to another aspect of the present invention to achieve the above object, a refresh control method for performing a refresh operation by determining the refresh mode of each partition of the shared memory and / or a recording medium on which a program for performing the method is recorded Is provided.

바람직한 일 실시예에 따른 리프레쉬 제어 방법은 임의의 프로세서로부터 입력된 커맨드 신호들의 조합에 의해 각 분할 영역에 대한 리프레쉬 모드가 결정되되, 공통 영역은 억세스 권한을 가진 프로세서로부터 입력된 커맨드 신호들의 조합에 의해 리프레쉬 모드가 결정됨을 특징으로 한다. In a refresh control method according to an exemplary embodiment, a refresh mode for each partition is determined by a combination of command signals input from an arbitrary processor, and a common region is determined by a combination of command signals input from a processor having access authority. The refresh mode is determined.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어 도면 부호에 상관없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 또한, 본 명세서에서 본 발명의 설명을 위해 이용되는 서수(예를 들어, 제1, 제2 등)는 동일 또는 유사한 개체를 구분하기 위한 것일뿐, 이에 의해 본 발명이 제한되지 않음은 당연하다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, and in describing the present invention with reference to the accompanying drawings, the same or corresponding elements are denoted by the same reference numerals, and duplicated thereto. The description will be omitted. In addition, the ordinal numbers (for example, first, second, etc.) used for the description of the present invention herein are only to distinguish the same or similar individuals, it is obvious that the present invention is not limited thereto.

도 1은 리프레쉬를 위한 종래 기술에 따른 SDRAM의 블록 구성도이고, 도 2는 도 1에 도시된 제어부의 상세 회로도이며, 도 3은 도 2에 도시된 셀프리프레쉬 모드 디코더의 상세 회로도이고, 도 4는 도 1에 있어서 동작 타이밍도를 나타낸 도면이며, 도 5는 메모리와 프로세서간에 송수신되는 커맨드 테이블(command table)을 나타낸 도면이다.1 is a block diagram of a conventional SDRAM for refreshing, FIG. 2 is a detailed circuit diagram of the control unit shown in FIG. 1, FIG. 3 is a detailed circuit diagram of the cell refresh mode decoder shown in FIG. 2, and FIG. 4. 1 is a diagram illustrating an operation timing diagram in FIG. 1, and FIG. 5 is a diagram illustrating a command table transmitted and received between a memory and a processor.

종래 기술에 따른 오토 리프레쉬 회로는 도 1 에 도시된 바와 같이, 로우-어드레스 입력 버퍼(BF1), 셀프 리프레쉬 및 오토 리프레쉬 동작을 수행하기 위해 외부로부터 입력되는 명령들을 해석하는 제어부, 메모리 어레이 내의 모든 워드라인을 순차적으로 억세스할 수 있는 오토 리프레쉬 카운터(2), 셀프 리프레쉬 모드에서 자체 타이머로 리프레쉬 대상이 되는 모든 워드라인의 어드레스를 발생시키는 셀프 리프레쉬 카운터(3), 상기 오토 리프레쉬 카운터(2) 및 셀프 리프레쉬 카운터(3)에서 발생되는 어드레스와 외부의 어드레스를 디코딩하는 로우 디코더(4)로 구성된다.As shown in FIG. 1, the auto refresh circuit according to the related art includes a low-address input buffer (BF1), a controller for interpreting commands input from the outside to perform self refresh and auto refresh operations, and all words in a memory array. Auto refresh counter 2 that can access lines sequentially, self refresh counter 3 that generates addresses of all word lines to be refreshed with its own timer in self-refresh mode, the auto refresh counter 2 and self It consists of the row decoder 4 which decodes the address which generate | occur | produces in the refresh counter 3, and an external address.

제어부는 오토 리프레쉬 명령을 해석하여 오토 리프레쉬 카운터(2)의 순차적인 어드레스 증가 플래그 신호(REF)를 만드는 오토 리프레쉬 모드 디코더(도 2 참조)와, 셀프 리프레쉬 명령을 해석하여 셀프 리프레쉬 카운터(3)의 순차적인 어드레스 증가의 플래그 신호(SREF)를 만드는 셀프 리프레쉬 모드 디코더(도 3 참조)를 포함하여 구성된다. The control section analyzes the auto refresh command to generate the sequential address increment flag signal REF of the auto refresh counter 2 (see FIG. 2), and interprets the self refresh command to interpret the self refresh counter 3. And a self-refresh mode decoder (see Fig. 3) which produces a flag signal SREF of sequential address increments.

여기서, 오토 리프레쉬 모드 디코더는 도 2에 도시된 바와 같이, 외부 클럭 신호(ICLK)를 순차 반전하는 인버터들(INV21, INV22)과, 외부클럭신호(ICLK)의 순차 반전된 신호를 반전시키는 인버터(INV23)와, 외부 커맨드 신호들(ICSB, IRASB, ICASB, IWE)을 조합하는 노아게이트(NOR21)와, 외부 클럭 신호(ICLK)의 순차 반전된 신호와 그의 반전된 신호에 의해 제어되어 노아게이트(NOR21)의 출력이 입력단에 연결된 D 플립플롭(DFF21)과, 그 D 플립플롭(DFF21)의 출력과 외부 클럭 신호(ICLK)의 순차반전된 신호를 합하는 낸드 게이트(ND21)와, 그 낸드 게이트(ND21)의 출력을 반전시키는 인버터(INV24)로 구성된다. Here, as shown in FIG. 2, the auto refresh mode decoder may include inverters INV21 and INV22 that sequentially invert the external clock signal ICLK and an inverter that inverts the inverted signal of the external clock signal ICLK. The NOA gate NOR21 combining the INV23, the external command signals ISCB, IRASB, ICASB, and IWE, and the sequential inverted signal of the external clock signal ICLK and its inverted signal to control the The N flip-flop DFF21 whose output of NOR21 is connected to the input terminal, the NAND gate ND21 which sums the output of the D flip-flop DFF21 and the inverted signal of the external clock signal ICLK, and the NAND gate ( Inverter INV24 for inverting the output of ND21.

또한, 셀프 리프레쉬 모드 디코더는 도 3 에 도시된 바와 같이, 셀프 리프레쉬 퇴장(exit) 회로(EX)의 출력신호(FSB)와 셀프 리프레쉬 진입(entry) 회로(EN)의 출력신호(FRB)를 입력받아, 셀프 리프레쉬 카운터(3)로 어드레스 증가 플래그 신호(SREF)를 출력하는 RS 플립플롭(RSFF31)으로 구성된다. In addition, the self refresh mode decoder inputs an output signal FSB of the self refresh exit circuit EX and an output signal FRB of the self refresh entry circuit EN, as shown in FIG. 3. And an RS flip-flop RSFF31 which outputs the address increment flag signal SREF to the self refresh counter 3.

여기서, 셀프 리프레쉬 퇴장 회로(EX)는 제어 클럭 신호(ICKE)를 지연하는 지연기(DE31)와, 그 지연기(DE31)의 출력과 전원 인가시 항상 로우(Low)값을 가지는 신호(SET) 의 반전된 신호를 조합하여 출력신호(FSB)를 출력하는 노아 게이트(NOR31)로 구성된다. Here, the self refresh exit circuit EX includes a delay unit DE31 for delaying the control clock signal ICKE and a signal SET having a low value at all times when the output of the delay unit DE31 and power are applied. Is composed of a NOR gate NOR31 for outputting the output signal FSB by combining the inverted signals.

또한, 셀프 리프레쉬 진입 회로(EN)는 외부 클럭 신호(ICLK)를 순차 반전하는 인버터들(INV31, INV32)과, 그 인버터들(INV31, INV32)의 출력에 의해 제어되어 제어 클럭 신호(ICKE)가 입력단에 인가되는 제1 D 플립플롭(DFF31) 및 그 플립플롭(DFF31)의 출력이 입력단으로 인가되는 제2 D 플립플롭(DFF32)과, 그 제2 플립플롭 (DFF32)의 내부 클럭 신호(ICKI)를 지연시키는 지연기(DE32)와, 그 지연기(DE32)의 출력을 순차 반전하는 인버터들(INV33, INV34)과, 제2 D 플립플롭(DFF32)의 출력과 인버터들(INV33, INV34)의 출력을 조합하여 출력 클럭 신호(CKD3)를 출력하는 노아 게이트(NO32)와, 외부 클럭 신호(ICLK)를 순차 반전하는 인버터들(INV35, INV36)과, 외부 클럭 신호(ICLK)의 순차 반전된 신호를 반전시키는 인버터(INV37)와, 외부 커맨드 신호들(ICSB, IRASB, ICASB, IWE)을 조합하는 노아 게이트(NOR33)와, 외부 클럭 신호(ICLK)의 순차 반전된 신호와 그의 반전된 신호에 의해 제어되어 노아 게이트(NOR33)의 출력이 입력단에 연결된 D 플립플롭(DFF33)과, 그 D 플립플롭(DFF33)의 출력과 외부 클럭 신호(ICLK)의 순차 반전된 신호를 합하는 낸드 게이트(ND31)와, 그 낸드 게이트(ND31)의 출력을 반전시키는 인버터(INV38)와, 그 인버터(INV38)의 출력을 지연하는 지연기(DE33)와, 노아 게이트(NOR32)의 출력(CKD3)과 지연기(DE33)의 출력(SAR)을 합하는 낸드 게이트(ND32)로 구성된다.In addition, the self-refresh entry circuit EN is controlled by inverters INV31 and INV32 that sequentially invert the external clock signal ICLK and the outputs of the inverters INV31 and INV32 so that the control clock signal ICKE is controlled. The first D flip-flop DFF31 applied to the input terminal and the second D flip-flop DFF32 to which the output of the flip-flop DFF31 is applied to the input terminal, and the internal clock signal ICKI of the second flip-flop DFF32. Delay delay DE32 for delaying?), Inverters INV33 and INV34 for sequentially inverting the output of the delayer DE32, and outputs and inverters INV33 and INV34 of the second D flip-flop DFF32; The NOA gate NO32 outputs the output clock signal CKD3 by combining the outputs of the output signals, the inverters INV35 and INV36 that sequentially invert the external clock signal ICLK, and the external clock signal ICLK. Inverter INV37 for inverting the signal, Noah gate NOR33 for combining external command signals ISCB, IRASB, ICASB, and IWE, and others. Controlled by the sequentially inverted signal of the clock signal ICLK and its inverted signal, a D flip-flop DFF33 having an output of a Noah gate NOR33 connected to an input terminal, an output of the D flip-flop DFF33, and an external clock. A NAND gate ND31 that sums sequentially inverted signals of the signal ICLK, an inverter INV38 that inverts the output of the NAND gate ND31, and a delay unit DE33 that delays the output of the inverter INV38. And a NAND gate ND32 that combines the output CKD3 of the NOR gate NOR32 and the output SAR of the delay device DE33.

도 4및 도 5에 셀프 리프레시 모드로의 진입(entry)을 위한 타이밍도, 메모리와 프로세서간에 송수신되는 커맨드 테이블(command table)이 도시되어 있다.4 and 5 illustrate a timing diagram for entry into the self refresh mode, and a command table transmitted and received between the memory and the processor.

도 4 및 도 5에 되시된 바와 같이, 결합된 프로세서로부터 외부 커맨드 신호들의 조합이 셀프 리프레쉬 모드로의 진입(entry) 또는 퇴장(exit)을 나타내는 경우, 메모리는 상응하는 동작 모드에서 동작된다.As shown in Figures 4 and 5, when a combination of external command signals from the combined processor indicates entry or exit into the self refresh mode, the memory is operated in the corresponding mode of operation.

즉, 외부 커맨드 신호들 중 행(row) 및 열(column) 어드레스 스트로브 신호들(RAS 및 CAS) 및 칩 선택 신호(CS)가 로우(Low) 상태이고, 기입 인에이블 신호(WE)는 하이(High) 상태인 경우 메모리 장치는 리프레쉬 모드에서의 동작을 수행한 다. That is, the row and column address strobe signals RAS and CAS and the chip select signal CS of the external command signals are low, and the write enable signal WE is high ( High), the memory device performs an operation in the refresh mode.

이 경우, 셀프 리프레쉬 모드에서 동작되어야 하는지 오토 리프레쉬 모드에서 동작하여야 하는지는 클럭 인에이블 신호(CKE)에 의해 결정된다. 즉, 메모리는 클럭 인에이블 신호(CKE)가 하이 상태로 유지되는 경우라면 오토 리프레쉬 모드에서 동작되고, 클럭 인에이블 신호(CKE)가 하이 상태에서 로우 상태로 반전된 경우라면 셀프 리프레쉬 모드로 진입(entry)한다. 또한, 클럭 인에이블 신호(CKE)가 로우 상태에서 하이 상태로 반전된 경우라면 셀프 리프레쉬 모드에서 퇴장(exit)한다.In this case, whether to operate in the self refresh mode or the auto refresh mode is determined by the clock enable signal CKE. That is, the memory is operated in the auto refresh mode when the clock enable signal CKE is kept high and enters the self refresh mode when the clock enable signal CKE is inverted from the high state to the low state. entry). In addition, when the clock enable signal CKE is inverted from a low state to a high state, the clock enable signal CKE is exited from the self refresh mode.

상술한 바와 같이, 메모리는 기록된 데이터의 보존을 위해 외부 시스템(예를 들어, 결합된 프로세서)로부터 입력되는 외부 커맨드 신호들의 조합에 따라 상이한 리프레쉬 모드의 동작을 수행한다. As described above, the memory performs operations in different refresh modes according to a combination of external command signals input from an external system (e.g., a combined processor) to preserve the recorded data.

그러나, 상술한 종래 기술은 하나의 프로세서에만 독립적으로 결합되는 단일 포트 메모리에 적합한 리프레쉬 모드 제어 방법에 불과하다.However, the above-described prior art is merely a refresh mode control method suitable for a single port memory that is independently coupled to only one processor.

따라서, 복수의 프로세서에 의해 공유되는 메모리를 위한 리프레쉬 제어 방법에 요구된다. Therefore, there is a need for a refresh control method for a memory shared by a plurality of processors.

도 6은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 메모리와 프로세서들의 결합 구조를 예시한 도면이다.6 is a diagram illustrating a combination structure of a memory and a processor according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 6에 예시된 바와 같이, 메모리 장치(630)는 2개의 포트를 구비하고, 각각의 포트를 통해 메인 프로세서(610) 및 어플리케이션 프로세서(620)에 각각 결합될 수 있다. 물론, 메모리 장치(630)에는 하나 이상의 어플리케이션 프로세서가 더 결합될 수 있으며, 이를 위해 메모리 장치(630)는 더 많은 포트를 구비할 수도 있을 것이다. 이는, 종래와 같이 각 프로세서들이 독립적으로 하나 이상의 메모리를 구비하는 경우 휴대형 장치의 크기(size)가 증가하고, 제조 단가가 상승하는 등의 문제점을 해소하기 위한 것이다.As illustrated in FIG. 6, the memory device 630 may include two ports, and may be coupled to the main processor 610 and the application processor 620 through respective ports. Of course, one or more application processors may be further coupled to the memory device 630, and the memory device 630 may include more ports. This is to solve the problem that the size of the portable device increases, the manufacturing cost increases, and the like, when each processor independently includes one or more memories as in the related art.

여기서, 메인 프로세서(610)는 휴대형 단말기의 기본 기능(예를 들어, 이동 통신 단말기인 경우의 전화 통화 기능)과 구비된 어플리케이션 프로세서(620)들에 대한 제어 기능을 수행할 수 있다. 또한, 어플리케이션 프로세서(620)는 메인 프로세서(610)의 제어에 의해 미리 설정된 기능을 수행할 수 있다. Here, the main processor 610 may perform a control function for the basic functions of the portable terminal (eg, a phone call function in the case of a mobile communication terminal) and the application processors 620 provided therein. In addition, the application processor 620 may perform a function preset by the control of the main processor 610.

도시되지는 않았으나, 메인 프로세서(610)와 어플리케이션 프로세서(620)간에는 제어 명령, 처리 응답 등의 송수신을 위한 호스트 인터페이스(Host Interface)가 더 구비될 수 있다. 물론, 제어 명령, 처리 응답 등이 메모리 장치(630)의 미리 설정된 영역에 어느 하나의 프로세서에 의해 기록되고 다른 하나의 프로세서에 의해 독출되도록 구성된 경우라면 호스트 인터페이스는 생략될 수도 있을 것이다.Although not shown, a host interface may be further provided between the main processor 610 and the application processor 620 for transmitting and receiving control commands, processing responses, and the like. Of course, the host interface may be omitted if the control command, the processing response, etc. are configured to be written by one processor and read by the other processor in the preset area of the memory device 630.

메모리 장치(630)의 저장 영역은 예를 들어 4개의 뱅크(BANK 0~3)로 구분될 수 있고, 각 뱅크별로 억세스 가능한 프로세서가 미리 설정될 수 있다. The storage area of the memory device 630 may be divided into, for example, four banks BANK 0 to 3, and an accessible processor for each bank may be preset.

도 6에 예시된 바와 같이, 메모리의 저장 영역이 4개의 뱅크(BANK 0~3)로 구분될 때, 하나의 뱅크는 메인 프로세서를 위한 전용 영역으로 제1 포트를 통해 억세스될 수 있고, 두개의 뱅크는 어플리케이션 프로세서를 위한 전용 영역으로 제2 포트를 통해 억세스될 수 있으며, 나머지 하나의 뱅크는 메인 프로세서와 어플리케이션 프로세서가 각각 제1 포트 및 제2 포트를 통해 억세스할 수 있는 공통 영역으로 설정할 수 있다. As illustrated in FIG. 6, when the storage area of the memory is divided into four banks BANK 0 to 3, one bank may be accessed through the first port as a dedicated area for the main processor, and two banks may be accessed. The bank may be accessed through the second port as a dedicated area for the application processor, and the other bank may be set as a common area accessible by the main processor and the application processor through the first port and the second port, respectively. .

공통 영역에 복수의 프로세서가 동시에 접속할 수는 없으며, 어느 하나의 프로세서는 다른 하나의 프로세서가 공통 영역에 접속하지 않은 시점에서만 접속될 수 있다. 이를 위해, 제1 프로세서(즉, 메인 프로세서(610)와 어플리케이션 프로세서(620) 중 어느 하나)는 공통 영역에 접속하고자 하는 경우 및/또는 접속을 종료한 경우 해당 정보를 제2 프로세서(즉, 메인 프로세서(610)와 어플리케이션 프로세서(620) 중 다른 하나)로 전달하여야 한다. A plurality of processors may not be connected to a common area at the same time, and one processor may be connected only when another processor is not connected to the common area. To this end, the first processor (that is, either one of the main processor 610 and the application processor 620) transmits the information to the second processor (that is, the main processor when the connection is terminated and / or when the connection is terminated). The other of the processor 610 and the application processor 620).

상술한 공통 영역의 접속 상태 정보는 호스트 인터페이스를 통해 송수신되거나, 프로세서 내부의 미리 지정된 레지스터에 상응하는 값을 기록하거나, 메모리 장치(630) 내부의 미리 설정된 영역을 이용한 세마포어(semaphore) 기능을 이용하는 등의 다양한 방법에 의해 제공될 수 있다. 물론, 이외에도 공통 영역으로의 접속 여부에 대한 정보를 타 프로세서로 전달하기 위한 모든 방법이 제한없이 이용될 수 있음은 자명하다. The connection state information of the common area is transmitted and received through the host interface, records a value corresponding to a predetermined register inside the processor, or uses a semaphore function using the preset area inside the memory device 630. It can be provided by a variety of ways. Of course, it is obvious that all methods for transferring information on whether to access the common area to other processors may be used without limitation.

상술한 바와 같이, 메모리 장치(620)의 저장 영역을 복수로 분할한 후, 임의의 분할 영역을 각 프로세서에 할당된 전용 영역으로 지정하는 경우, 상응하는 프로세서에 의한 접속이 없는 경우 메모리 장치(620)는 해당 전용 영역에 대해 셀프 리프레쉬 모드로 진입하여 데이터 보존 동작을 수행할 수 있다. 그러나, 공통 영역의 경우, 어느 하나의 프로세서가 접속하지 않았다는 이유만으로 셀프 리프레쉬 모 드로 진입하여 데이터 보존 동작을 수행함은 바람직하지 않다. 이는 다른 프로세서가 접속할 수 있을 뿐 아니라 전력 소모 억제 측면에서도 바람직하지 않기 때문이다.As described above, when the storage area of the memory device 620 is divided into a plurality of regions, and if any partition is designated as a dedicated area allocated to each processor, the memory device 620 is not connected by a corresponding processor. ) May enter a self-refresh mode for the dedicated area and perform a data preservation operation. However, in the common area, it is not preferable to enter the self refresh mode and perform a data preservation operation only because one processor is not connected. This is because other processors can connect and are not desirable in terms of power consumption suppression.

이하, 도 7을 참조하여 공유 메모리의 각 분할 영역에 대한 리프레쉬 제어 방법을 구체적으로 설명하기로 한다.Hereinafter, a refresh control method for each partition of the shared memory will be described in detail with reference to FIG. 7.

도 7은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 리프레쉬 모드 제어기의 블록 구성도이다.7 is a block diagram of a refresh mode controller according to an embodiment of the present invention.

도 7을 참조하면, 도시된 리프레쉬 모드 제어기(710)는 복수의 프로세서(예를 들어, 610, 620 등)에 의해 공유되는 메모리 장치(630) 내에 포함되고, 복수의 프로세서에 각각 결합되도록 하는 메모리 장치(630)의 각 포트(예를 들어, 제1 포트, 제2 포트)에 각각 연결되어 상응하는 프로세서로부터 입력되는 외부 커맨드 신호들을 이용하여 셀프 리프레쉬 모드로의 진입(entry)/퇴장(exit) 여부를 결정한다. Referring to FIG. 7, the illustrated refresh mode controller 710 is included in a memory device 630 shared by a plurality of processors (eg, 610, 620, etc.), and configured to be coupled to a plurality of processors, respectively. Enter / exit self-refresh mode using external command signals connected to respective ports (eg, first port, second port) of the device 630 and input from the corresponding processor, respectively. Determine whether or not.

도 7을 참조하면, 리프레쉬 모드 제어기(710)는 제1 커맨드 디코더(720a), 제2 커맨드 디코더(720b), 제1 CKE 레벨 감지부(725a), 제2 CKE 레벨 감지부(725b), 제1 커맨드 판별부(730a), 제2 커맨드 판별부(730b), 제1 영역 관리부(733), 공통 영역 관리부 판별부(735) 및 제2 영역 관리부(737)를 포함한다. Referring to FIG. 7, the refresh mode controller 710 may include a first command decoder 720a, a second command decoder 720b, a first CKE level detector 725a, a second CKE level detector 725b, and a first command decoder 720a. The first command determining unit 730a, the second command determining unit 730b, the first area managing unit 733, the common area managing unit determining unit 735, and the second area managing unit 737 are included.

도시된 바와 같이, 커맨드 디코더(720a, b), CKE 레벨 감지부(725a, b), 커맨드 판별부(730a, b)는 결합된 각 프로세서로부터 각 신호를 입력받고 해석하여 결과값을 출력하기 위해 각 포트별로 구비된다. 도 7은 메모리 장치(630)에 결합된 프로세서가 2개인 경우를 가정하여 도시한 것이나, 결합된 프로세서가 n(2이상의 자연수)개일 수도 있으며, 이 경우 해당 구성 요소들은 n개의 쌍으로 형성될 것이다.As shown, the command decoders 720a and b, the CKE level detectors 725a and b, and the command determiners 730a and b receive and interpret each signal from each processor to output a result value. Each port is provided. FIG. 7 illustrates a case in which two processors are coupled to the memory device 630, but there may be n (natural number of two or more) processors combined, and in this case, the corresponding components may be formed as n pairs. .

제1 커맨드 디코더(720a)는 상응하도록 결합된 프로세서(예를 들어 도 6의 메인 프로세서(610) 또는 어플리케이션 프로세서(620)일 수 있으며, 이하 '제1 프로세서'라 칭함)로부터 클럭 신호(Clock), 기입 인에이블 신호(WE), 행(row) 및 열(column) 어드레스 스트로브 신호들(RAS 및 CAS)을 입력받고, 이들의 조합에 의해 리프레쉬 모드를 위한 커맨드(이하, '리프레쉬 커맨드'라 칭함)인지 여부를 판단한다. The first command decoder 720a may be a clock signal from a correspondingly coupled processor (for example, the main processor 610 or the application processor 620 of FIG. 6, hereinafter referred to as a 'first processor'). And a write enable signal WE, a row and column address strobe signals RAS and CAS are inputted, and a combination of these commands for a refresh mode (hereinafter referred to as a 'refresh command'). Or not).

제1 커맨드 디코더(720a)는 기입 인에이블 신호(WE)가 하이(High)로 되며, 칩 선택 신호(CS), 행(row) 및 열(column) 어드레스 스트로브 신호들(RAS 및 CAS)이 로우인 경우 리프레쉬 커맨드인 것으로 판단할 수 있다. The first command decoder 720a has the write enable signal WE high and the chip select signal CS, the row and column address strobe signals RAS and CAS are low. In this case, it may be determined that the refresh command is performed.

제1 커맨드 디코더(720a)는 제1 프로세서로부터 입력된 신호들에 의해 리프레쉬 커맨드인 것으로 판단하면, 상응하는 리프레쉬 판단 신호를 제1 커맨드 판별부(730a)로 출력한다.If it is determined that the first command decoder 720a is a refresh command by signals input from the first processor, the first command decoder 720a outputs a corresponding refresh determination signal to the first command determination unit 730a.

제1 CKE 레벨 감지부(725a)는 제1 프로세서로부터 입력되는 클럭 인에이블 신호(CKE)를 기록하고, 직전의 CKE값(CKE-1, 도 5 참조)과 현재의 CKE값(CKE, 도 5 참조)을 비교하여 CKE값이 하이(High)에서 로우(Low)로 반전된 경우 상태 신호(즉, 로우 상태 신호)를 제1 커맨드 판별부(730a)로 출력한다. 또한, 제1 CKE 레벨 감지 부(725a)는 제1 프로세서로부터 입력되는 클럭 인에이블 신호(CKE)를 기록하고, 직전의 CKE값(CKE-1, 도 5 참조)과 현재의 CKE값(CKE, 도 5 참조)을 비교하여 CKE값이 로우에서 하이로 반전된 경우 상태 신호(즉, 하이 상태 신호)를 제1 커맨드 판별부(730a)로 출력한다.The first CKE level detector 725a records the clock enable signal CKE input from the first processor, and immediately before the CKE value CKE-1 (see FIG. 5) and the current CKE value CKE (FIG. 5). When the CKE value is inverted from high to low, a state signal (ie, a low state signal) is output to the first command determination unit 730a. In addition, the first CKE level detecting unit 725a records the clock enable signal CKE input from the first processor, and immediately before the CKE value CKE-1 (see FIG. 5) and the current CKE value CKE, 5, when the CKE value is inverted from low to high, a state signal (that is, a high state signal) is output to the first command determination unit 730a.

다른 실시예로서, 제1 CKE 레벨 감지부(725a)는 CKE에 대한 정보(즉, 하이인지 또는 로우인지의 상태 정보)만을 기억하도록 구현될 수도 있다. 이 경우, 제1 CKE 레벨 감지부(725a)는 직전의 CKE값과 현재의 CKE값을 기억하도록 할 수 있다. 만일, 제1 CKE 레벨 감지부(725a)가 CKE에 대한 상태 정보만을 기억할 뿐 제1 커맨드 판별부(730a)로 상태 신호를 출력하지 않는 경우 제1 커맨드 판별부(730a)는 제1 CKE 레벨 감지부(725a)에 기억된 정보를 이용하여 CKE값의 변동 여부를 판단할 수 있을 것이다. As another embodiment, the first CKE level detector 725a may be implemented to store only information on the CKE (ie, state information of whether it is high or low). In this case, the first CKE level detection unit 725a may store the previous CKE value and the current CKE value. If the first CKE level detection unit 725a only stores state information on the CKE and does not output a status signal to the first command determination unit 730a, the first command determination unit 730a detects the first CKE level. The information stored in the unit 725a may be used to determine whether the CKE value is changed.

제1 커맨드 판별부(730a)는 제1 커맨드 디코더(720a)로부터 입력되는 리프레쉬 판단 신호와 제1 CKE 레벨 감지부(725a)로부터의 제1 제공 정보(즉, 제1 CKE 레벨 감지부(725a)로부터 입력되는 상태 신호 또는 제1 CKE 레벨 감지부(725a)에 기억된 상태 정보, 이하 동일함)를 이용하여 제1 프로세서에 상응하여 셀프 리프레쉬 모드로 진입하여야 할지 여부를 판단한다. The first command determiner 730a receives the refresh determination signal input from the first command decoder 720a and the first provision information from the first CKE level detector 725a (that is, the first CKE level detector 725a). It is determined whether to enter the self-refresh mode corresponding to the first processor using the state signal inputted from the state signal or the state information stored in the first CKE level detection unit 725a.

만일, 제1 CKE 레벨 감지부(725a)로부터의 제1 제공 정보에 의해 CKE값이 하이 상태로 유지되고 있다면 제1 커맨드 판별부(730a)는 제1 프로세서에 상응하여 셀프 리프레쉬 모드로 진입할 것을 결정하지 않는다. 이는 오토 리프레쉬 커맨드이기 때문이다. If the CKE value is maintained high by the first provision information from the first CKE level detector 725a, the first command determination unit 730a may enter the self refresh mode corresponding to the first processor. Do not decide. This is because it is an auto refresh command.

그러나, 제1 CKE 레벨 감지부(725a)로부터의 제1 제공 정보에 의해 CKE값이 하이 상태에서 로우 상태로 반전되었다면 제1 커맨드 판별부(730a)는 제1 프로세서에 상응하여 셀프 리프레쉬 모드로 진입할 것을 결정하고, 제1 SR(셀프 리프레쉬, Self Refresh) 진입 신호를 재1 영역 관리부(733) 및 공통 영역 관리부(735)로 출력한다. 제1 커맨드 판별부(730a)는 예를 들어 래치(latch) 회로로 구현될 수 있다. 제1 영역 관리부(733)는 제1 커맨드 판별부(730a)로부터 입력된 제1 SR 진입 신호에 따라 뱅크(BANK) 0에 대한 셀프 리프레쉬 동작을 수행한다.However, if the CKE value is inverted from the high state to the low state by the first provision information from the first CKE level detection unit 725a, the first command determination unit 730a enters the self refresh mode corresponding to the first processor. The first SR (self refresh) entry signal is determined and output to the first area manager 733 and the common area manager 735. The first command determination unit 730a may be implemented by, for example, a latch circuit. The first area manager 733 performs a self refresh operation on the bank BANK 0 according to the first SR entry signal input from the first command determiner 730a.

제1 커맨드 판별부(730a)는 제1 프로세서에 상응하여 셀프 리프레쉬 모드로 진입할 것을 결정한 이후, 제1 CKE 레벨 감지부(725a)로부터 CKE값의 새로운 상태 변화(즉, 로우에서 하이로의 반전)에 대한 정보가 제공되면 셀프 리프레쉬 모드로부터 퇴장할 것을 결정하고, 제1 SR 퇴장 신호를 제1 영역 관리부(733) 및 공통 영역 관리부(735)로 출력한다. 이 경우, 제1 커맨드 디코더(720a)에 의해 해석된 커맨드 정보는 무시될 수 있다. 제1 영역 관리부(733)는 제1 커맨드 판별부(730a)로부터 입력된 제1 SR 퇴장 신호에 따라 뱅크(BANK) 0에 대한 셀프 리프레쉬 동작을 종료한다.After the first command determination unit 730a determines to enter the self-refresh mode corresponding to the first processor, a new state change of the CKE value from the first CKE level detection unit 725a (that is, inversion from low to high). When the information about is provided, it is determined to exit from the self-refresh mode, and the first SR exit signal is output to the first area manager 733 and the common area manager 735. In this case, the command information interpreted by the first command decoder 720a may be ignored. The first area manager 733 terminates the self refresh operation on the bank BANK 0 according to the first SR exit signal input from the first command determiner 730a.

도시된 제2 커맨드 디코더(720b), 제2 CKE 레벨 감지부(725b) 및 제2 커맨드 판별부(730b)의 기능은 상술한 제1 커맨드 디코더(720a), 제1 CKE 레벨 감지부(725a) 및 제1 커맨드 판별부(730a)와 상이한 프로세서로부터 입력된 외부 커맨드 신호들을 해석한다는 차이점만 있을 뿐, 이외의 사항은 각각 일치하므로 이에 대한 설명은 생략한다. 다만, 이해의 편의를 위해 출력하는 신호는 제2 제공 정보, 제2 SR 진입 신호 및 제2 SR 퇴장 신호로 칭하기로 한다. 제2 커맨드 판별부(730b)는 제2 SR 진입 신호 또는 제2 SR 퇴장 신호를 공통 영역 관리부(735)와 제2 영역 관리부(737)로 출력할 것이다. 제2 영역 관리부(737)는 제2 커맨드 판별부(730b)로부터 입력된 제2 SR 진입 신호 또는 제2 SR 퇴장 신호에 따라 뱅크(BANK) 2 및 3에 대한 셀프 리프레쉬 동작을 수행하거나 셀프 리프레쉬 동작을 종료한다.The functions of the second command decoder 720b, the second CKE level detector 725b, and the second command determiner 730b shown in the drawing are the first command decoder 720a and the first CKE level detector 725a. And only the difference between interpreting the external command signals input from the processor different from the first command determination unit 730a, and other matters are the same, so description thereof will be omitted. However, the signal output for the convenience of understanding is referred to as the second provision information, the second SR entry signal, and the second SR exit signal. The second command determination unit 730b may output the second SR entry signal or the second SR exit signal to the common area manager 735 and the second area manager 737. The second area manager 737 performs the self refresh operation or the self refresh operation on the banks BANK 2 and 3 according to the second SR entry signal or the second SR exit signal input from the second command determination unit 730b. To exit.

공통 영역 관리부(735)는 공통 영역에 대한 리프레쉬 동작을 수행함에 있어, 고정적으로 미리 설정된 포트를 통해 입력된 외부 커맨드 신호에 의한 리프레쉬 모드를 수행하는 방법, 유동적으로 변경되는 포트를 통해 입력된 외부 커맨드 신호에 의한 리프레쉬 모드를 수행하는 방법이 있을 수 있다.In performing the refresh operation on the common area, the common area manager 735 performs a refresh mode by an external command signal input through a fixed port which is fixed in advance, or an external command input through a port that is fluidly changed. There may be a method of performing a refresh mode by a signal.

전자의 경우, 어느 하나의 프로세서로부터 입력되는 외부 커맨드 신호만이 공통 영역(예를 들어, BANK 1)에 대한 리프레쉬 모드를 결정할 것이다. 이 경우, 제1 커맨드 판별부(730a) 또는 제2 커맨드 판별부(730b)만의 출력이 공통 영역 관리부(735)로 입력되도록 미리 설정될 수 있다.In the former case, only external command signals input from either processor will determine the refresh mode for the common area (e.g. BANK 1). In this case, the output of only the first command determination unit 730a or the second command determination unit 730b may be set in advance so as to be input to the common area manager 735.

후자의 경우, 공통 영역에 대해 억세스 권한을 가진 프로세서로부터 입력된 외부 커맨드 신호에 의한 리프레쉬 모드를 수행할 수 있다. 억세스 권한을 가진 프로세서가 누구인지를 확인할 수 있도록 각 프로세서는 메모리 장치(630)로 공통 영역에 대한 접속 상태 정보를 제공하거나, 메모리 장치(630) 내부의 미리 설정된 영역에 미리 설정된 값을 기록하는 등의 다양한 방법을 이용할 수 있다.In the latter case, the refresh mode may be performed by an external command signal input from a processor having access to the common area. Each processor may provide connection status information about the common area to the memory device 630 or record a preset value in a preset area inside the memory device 630 so as to identify who has a processor. Various methods are available.

예를 들어, 현재 공통 영역에 억세스한 프로세서가 존재하는 경우 상응하는 포트를 통해 입력된 외부 커맨드 신호에 의한 오토 리프레쉬 모드가 수행될 것이 다. 그러나, 현재 공통 영역에 억세스한 프로세서가 존재하지 않는 경우 가장 최근에 억세스한 프로세서로부터 입력된 외부 커맨드 신호에 의한 리프레쉬 모드(즉, 오토 리프레쉬 모드 또는 셀프 리프레쉬 모드)가 수행될 것이다. 이러한 과정에 의해, 공통 영역은 현재 억세스한 또는 가장 최근에 억세스한 프로세서가 무엇인가에 따라 뱅크 0와 리프레쉬 모드를 함께 하거나, 뱅크 2 및 3과 리프레쉬 모드를 함께 할 수도 있다.For example, if there is a processor currently accessed in the common area, the auto refresh mode by the external command signal input through the corresponding port will be performed. However, if no processor is currently accessed in the common area, a refresh mode (ie, auto refresh mode or self refresh mode) by an external command signal input from the most recently accessed processor will be performed. By this process, the common area may enter the refresh mode together with the bank 0 or the refresh mode together with the banks 2 and 3, depending on which processor is currently accessed or most recently accessed.

상술한 과정에 의해, 공통 영역에 대한 리프레쉬의 불필요한 반복 수행을 억제함으로써 최소한의 전력 소모만으로 저장 영역(713) 내에 포함된 모든 분할 영역들에 기록된 데이터들의 보존 동작이 수행될 수 있다.By the above-described process, the preservation operation of the data recorded in all the partitions included in the storage area 713 can be performed with minimum power consumption by suppressing unnecessary repetition of refreshing the common area.

이제까지 본 발명에 따른 메모리의 리프레쉬 모드 제어 방법을 설명함에 있어, 결합된 각각의 프로세서로부터 입력된 신호 해석에 의해 CKE값이 하이(High)에서 로우(Low)로 반전되고, 기입 인에이블 신호(WE)가 하이로 되며, 칩 선택 신호(CS), 행(row) 및 열(column) 어드레스 스트로브 신호들(RAS 및 CAS)이 로우인 경우 상응하는 뱅크에 대해 셀프 리프레쉬 모드를 적용하는 경우를 중심으로 설명하였다. 또한, CKE값이 로우에서 하이로 변경되면 셀프 리프레쉬 모드로부터 퇴장하는 경우를 중심으로 설명하였다.So far, in describing the refresh mode control method of the memory according to the present invention, the CKE value is inverted from high to low by the signal analysis inputted from each of the combined processors, and the write enable signal WE ) Is high, and the chip select signal CS, the row and column address strobe signals RAS and CAS are low, and the self refresh mode is applied to the corresponding bank. Explained. In addition, the case where the CKE value is changed from low to high will be described based on the case of exiting from the self refresh mode.

그러나, 이는 단지 셀프 리프레쉬 모드로의 진입(entry)과 퇴장(exit)을 시그널링하기 위한 목적으로 사용되거나 적용될 수 있는 프로토콜을 예시한 것으로, 변형될 수도 있음은 자명하다. 예를 들어, 기입 인에이블 신호(WE) 및 열 어드레스 스트로브 신호(CAS) 등의 신호들이 도시된 것과 반전된 신호 레벨을 가지도록 할 수도 있을 것이다However, this is merely an example of a protocol that may be used or applied for the purpose of signaling entry and exit into the self-refresh mode, which may be modified. For example, the signals such as the write enable signal WE and the column address strobe signal CAS may be made to have an inverted signal level as shown.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 휴대형 장치 및 공유 메모리의 리프레쉬 제어 방법은 복수의 프로세서가 하나의 메모리를 공유하는 경우에도 리프레쉬 동작이 수행될 수 있도록 하여 데이터 보존을 가능하게 하는 효과가 있다.As described above, the method for controlling the refresh of the portable device and the shared memory according to the present invention has an effect of enabling data preservation by allowing the refresh operation to be performed even when a plurality of processors share a single memory.

또한, 본 발명은 메모리에서 복수로 분할된 저장 영역 중 복수의 프로세서에 의해 공유되는 공통 영역에 저장된 데이터 보존을 위한 리프레쉬 동작의 수행이 가능한 효과도 있다.In addition, the present invention has the effect that it is possible to perform a refresh operation for preserving data stored in a common area shared by a plurality of processors among a plurality of storage areas divided in a memory.

또한, 본 발명은 메모리의 저장 영역을 복수로 분할하고, 각 프로세서에 대해 특정 분할 영역을 할당함으로써 공유 메모리의 이용 효율을 극대화할 수 있는 효과도 있다.In addition, the present invention also has the effect of maximizing the utilization efficiency of the shared memory by dividing the storage area of the memory into a plurality and assigning a specific partition area to each processor.

또한, 본 발명은 메모리가 전체적으로 셀프 리프레쉬 모드로 동작할 수 있도록 하여 전력 소모를 최소화할 수 있는 효과도 있다.In addition, the present invention has the effect of minimizing power consumption by allowing the memory to operate in the self-refresh mode as a whole.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the above has been described with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art to which the present invention pertains without departing from the spirit and scope of the invention as set forth in the claims below It will be appreciated that modifications and variations can be made.

Claims (10)

메모리 장치에 있어서,In a memory device, n(2이상의 자연수)개의 프로세서에 각각 결합되도록 하기 위한 n개의 포트; 및n ports for respectively coupling to n (two or more natural numbers) processors; And 상응하는 포트를 통해 상기 프로세서로부터 입력된 커맨드 신호들의 조합에 의해 각 분할 영역의 리프레쉬(refresh) 모드를 결정하여 리프레쉬를 수행하는 리프레쉬 제어기-여기서, 상기 리프레쉬 모드는 셀프 리프레쉬(self refresh) 모드 또는 오토 리프레쉬(auto refresh) 모드임-를 포함하되,A refresh controller which performs a refresh by determining a refresh mode of each partition by a combination of command signals input from the processor through a corresponding port, wherein the refresh mode is a self refresh mode or an auto refresh mode. Include in auto refresh mode, 상기 메모리 장치의 저장 영역은 k(자연수)개의 분할 영역으로 분할되고, m(k 미만의 자연수)개의 분할 영역은 상기 n개의 프로세서 각각의 전용 영역으로 배분되며, j(k-m인 자연수)개의 분할 영역은 상기 n개의 프로세서가 억세스가능한 공통 영역으로 할당되는 것을 특징으로 하는 메모리 장치.The storage area of the memory device is divided into k (natural numbers) partitions, m (natural numbers less than k) partitions are divided into dedicated areas of each of the n processors, and j (natural numbers of km) partitions. Is the n processors are allocated to an accessible common area. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 전용 영역은 각각 상응하는 프로세서로부터 입력된 커맨드 신호들의 조합에 의해 리프레쉬 모드가 결정되고, 상기 공통 영역은 미리 지정된 하나의 프로세서로부터 입력된 커맨드 신호들의 조합에 의해 리프레쉬 모드가 결정되는 것을 특징으로 하는 메모리 장치.Each refresh area is determined by a combination of command signals input from a corresponding processor, and the refresh area is determined by a combination of command signals input from one processor. Memory device. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 전용 영역은 각각 상응하는 프로세서로부터 입력된 커맨드 신호들의 조합에 의해 리프레쉬 모드가 결정되고, 상기 공통 영역은 가장 최근에 억세스된 프로세서로부터 입력된 커맨드 신호들의 조합에 의해 리프레쉬 모드가 결정되는 것을 특징으로 하는 메모리 장치.Each refresh area is determined by a combination of command signals input from a corresponding processor, and the refresh area is determined by a combination of command signals input from a most recently accessed processor. Memory device. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 3, 상기 리프레쉬 제어기는,The refresh controller, 결합된 프로세서 각각에 대응되는 n개의 커맨드 해석부; 및N command interpreters corresponding to each of the combined processors; And 상기 n개의 커맨드 해석부로부터 입력되는 n개의 리프레쉬 제어 신호에 상응하여 상기 m개의 전용 영역에 대한 리프레쉬 모드를 결정하고, 임의의 프로세서로부터 입력된 커맨드 신호에 의한 리프레쉬 제어 신호를 이용하여 상기 공통 영역의 리프레쉬 모드를 결정하는 영역 관리부-여기서, 상기 리프레쉬 제어 신호는 리프레쉬 진입 신호 또는 리프레쉬 퇴장 신호임-를 포함하되,The refresh mode for the m dedicated areas is determined according to the n refresh control signals input from the n command interpreting units, and the refresh control signal by the command signal input from an arbitrary processor is used to determine the refresh mode of the common area. An area manager for determining a refresh mode, wherein the refresh control signal is a refresh enter signal or a refresh exit signal, 상기 커맨드 해석부는, The command analysis unit, 상응하는 프로세서로부터 입력된 칩 선택 신호(CS), 기입 인에이블 신호(WE), 행 어드레스 스트로브 신호(RAS) 및 열 어드레스 스트로브 신호(CAS)를 해석하여 리프레쉬 커맨드인지 여부를 판단하고, 상응하는 결과값을 출력하는 커맨드 디코더;The chip select signal CS, the write enable signal WE, the row address strobe signal RAS, and the column address strobe signal CAS inputted from the corresponding processor are interpreted to determine whether they are refresh commands, and the corresponding results. A command decoder for outputting a value; 상응하는 프로세서로부터 입력된 클럭 인에이블 신호(CKE)의 반전 여부 정보를 생성하여 출력하는 CKE 레벨 감지부; 및A CKE level detector configured to generate and output information on whether the clock enable signal CKE is inverted from a corresponding processor; And 상기 결과값이 상기 리프레쉬 커맨드임을 나타내고, 상기 반전 여부 정보가 상기 클럭 인에이블 신호가 제1 값에서 제2 값으로 반전됨을 의미하는 경우 상기 리프레쉬 진입 신호를 생성하여 출력하는 커맨드 판별부를 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 장치.And a command determiner configured to generate and output the refresh ingress signal when the result value indicates that the refresh command and the inversion information indicates that the clock enable signal is inverted from a first value to a second value. Memory device. 제4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 커맨드 판별부는 상기 반전 여부 정보가 상기 클럭 인에이블 신호가 제2 값에서 제1 값으로 반전됨을 의미하는 경우 상기 리프레쉬 퇴장 신호를 생성하여 출력하는 것을 특징으로 하는 메모리 장치.The command determining unit generates and outputs the refresh exit signal when the inversion information indicates that the clock enable signal is inverted from a second value to a first value. 휴대형 단말기에 있어서,In a portable terminal, n(2이상의 자연수)개의 프로세서; 및 상기 n개의 프로세서에 각각 결합된 메모리 장치를 포함하되n (two or more natural numbers) processors; And memory devices coupled to the n processors, respectively. 상기 메모리 장치는,The memory device, 상기 n개의 프로세서에 각각 결합되도록 하기 위한 n개의 포트; 및N ports for coupling to the n processors, respectively; And 상응하는 포트를 통해 상기 프로세서로부터 입력된 커맨드 신호들의 조합에 의해 각 분할 영역의 리프레쉬(refresh) 모드를 결정하여 리프레쉬를 수행하는 리프레쉬 제어기-여기서, 상기 리프레쉬 모드는 셀프 리프레쉬(self refresh) 모드 또는 오토 리프레쉬(auto refresh) 모드임-를 포함하고,A refresh controller which performs a refresh by determining a refresh mode of each partition by a combination of command signals input from the processor through a corresponding port, wherein the refresh mode is a self refresh mode or an auto refresh mode. In auto refresh mode, 상기 메모리 장치의 저장 영역은 k(자연수)개의 분할 영역으로 분할되고, m(k 미만의 자연수)개의 분할 영역은 상기 n개의 프로세서 각각의 전용 영역으로 배분되며, j(k-m인 자연수)개의 분할 영역은 상기 n개의 프로세서가 억세스가능한 공통 영역으로 할당되는 것을 특징으로 하는 휴대형 단말기.The storage area of the memory device is divided into k (natural numbers) partitions, m (natural numbers less than k) partitions are divided into dedicated areas of each of the n processors, and j (natural numbers of km) partitions. Wherein the n processors are allocated to an accessible common area. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 전용 영역은 각각 상응하는 프로세서로부터 입력된 커맨드 신호들의 조합에 의해 리프레쉬 모드가 결정되고, 상기 공통 영역은 미리 지정된 하나의 프로세서로부터 입력된 커맨드 신호들의 조합에 의해 리프레쉬 모드가 결정되는 것을 특징으로 하는 휴대형 단말기.Each refresh area is determined by a combination of command signals input from a corresponding processor, and the refresh area is determined by a combination of command signals input from one processor. Handheld terminal. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 전용 영역은 각각 상응하는 프로세서로부터 입력된 커맨드 신호들의 조 합에 의해 리프레쉬 모드가 결정되고, 상기 공통 영역은 가장 최근에 억세스된 프로세서로부터 입력된 커맨드 신호들의 조합에 의해 리프레쉬 모드가 결정되는 것을 특징으로 하는 휴대형 단말기.Each refresh area is determined by a combination of command signals input from a corresponding processor, and the refresh area is determined by a combination of command signals input from a most recently accessed processor. Portable terminal to be. 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 6 to 8, 상기 리프레쉬 제어기는,The refresh controller, 결합된 프로세서 각각에 대응되는 n개의 커맨드 해석부; 및N command interpreters corresponding to each of the combined processors; And 상기 n개의 커맨드 해석부로부터 입력되는 n개의 리프레쉬 제어 신호에 상응하여 상기 m개의 전용 영역에 대한 리프레쉬 모드를 결정하고, 임의의 프로세서로부터 입력된 커맨드 신호에 의한 리프레쉬 제어 신호를 이용하여 상기 공통 영역의 리프레쉬 모드를 결정하는 영역 관리부-여기서, 상기 리프레쉬 제어 신호는 리프레쉬 진입 신호 또는 리프레쉬 퇴장 신호임-를 포함하되,The refresh mode for the m dedicated areas is determined according to the n refresh control signals input from the n command interpreting units, and the refresh control signal by the command signal input from an arbitrary processor is used to determine the refresh mode of the common area. An area manager for determining a refresh mode, wherein the refresh control signal is a refresh enter signal or a refresh exit signal, 상기 커맨드 해석부는, The command analysis unit, 상응하는 프로세서로부터 입력된 칩 선택 신호(CS), 기입 인에이블 신호(WE), 행 어드레스 스트로브 신호(RAS) 및 열 어드레스 스트로브 신호(CAS)를 해석하여 리프레쉬 커맨드인지 여부를 판단하고, 상응하는 결과값을 출력하는 커맨드 디코더;The chip select signal CS, the write enable signal WE, the row address strobe signal RAS, and the column address strobe signal CAS inputted from the corresponding processor are interpreted to determine whether they are refresh commands, and the corresponding results. A command decoder for outputting a value; 상응하는 프로세서로부터 입력된 클럭 인에이블 신호(CKE)의 반전 여부 정보를 생성하여 출력하는 CKE 레벨 감지부; 및A CKE level detector configured to generate and output information on whether the clock enable signal CKE is inverted from a corresponding processor; And 상기 결과값이 상기 리프레쉬 커맨드임을 나타내고, 상기 반전 여부 정보가 상기 클럭 인에이블 신호가 제1 값에서 제2 값으로 반전됨을 의미하는 경우 상기 리프레쉬 진입 신호를 생성하여 출력하는 커맨드 판별부를 포함하는 것을 특징으로 하는 휴대형 단말기.And a command determiner configured to generate and output the refresh ingress signal when the result value indicates that the refresh command and the inversion information indicates that the clock enable signal is inverted from a first value to a second value. Portable terminal to be. 제9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 커맨드 판별부는 상기 반전 여부 정보가 상기 클럭 인에이블 신호가 제2 값에서 제1 값으로 반전된 경우 상기 리프레쉬 퇴장 신호를 생성하여 출력하는 것을 특징으로 하는 휴대형 단말기.And the command determining unit generates and outputs the refresh exit signal when the clock enable signal is inverted from a second value to a first value.
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