KR100813252B1 - 출력광 모니터 수단을 구비하는 면방출 반도체 레이저 - Google Patents

출력광 모니터 수단을 구비하는 면방출 반도체 레이저 Download PDF

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Abstract

출력광 모니터 수단을 구비하는 면방출 반도체 레이저에 관해 개시되어 있다. 개시된 면방출 반도체 레이저는 기판과 상기 기판 상에 순차적으로 형성된 하부 반사층 및 공진기층을 공유하되, 각각 상기 공진기층의 서로 다른 영역 상에 반사율이 상기 하부 반사층과 서로 다르고 전류 제한층이 내재된 상부 반사층을 분리된 형태로 구비하는 두 개의 면방출 반도체 레이저, 곧 메인 면방출 반도체 레이저 및 모니터용 면방출 반도체 레이저가 정반대 방향으로 동등한 레이저광을 방출하도록 일체화된 것을 특징으로 한다. 이러한 면방출 레이저를 이용하면, 상기 모니터용 면방출 반도체 레이저로부터 방출되는 레이저광을 수광하여 상기 메인 면방출 반도체 레이저의 동작 특성을 측정하기 때문에, 상기 메인 면방출 반도체 레이저의 광출력이 손실되지 않는다. 그리고 상기 모니터용 면방출 반도체 레이저로부터 방출되는 레이저광은 상기 메인 면방출 반도체 레이저로부터 방출되는 레이저광과 동일한 세기를 갖기 때문에, 상기 메인 면방출 반도체 레이저의 동작 특성을 정확하게 측정할 수 있다.

Description

출력광 모니터 수단을 구비하는 면방출 반도체 레이저{VCSEL comprising means for monitoring output light}
도 1은 본 발명의 실시예에 의한 출력광 모니터 수단을 구비하는 면방출 반도체 레이저의 단면도이다.
도 2는 분산 브래그 반사기(DBR)층을 구성하는 단위 물질층 페어(pair)의 적층수에 따른 반사율 스펙트럼을 보여주는 그래프이다.
도 3은 도 1에 도시한 면방출 반도체 레이저에 구비된 DBR층의 구성에 따른 반사율 스펙트럼을 보여주는 그래프이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호설명*
40:기판 42, 54, 56:제1 내지 제3 전극
44:제1 반사층(하부 DBR층) 47:제2 반사층(제1 상부 DBR층)
46:공진기층 48, 50:제2 및 제3 상부 DBR층
52:유전막 58:도전성 라인
44a, 44b, 47a, 47b, 48a, 48b:제1 내지 제6 화합물 반도체층
46a, 46c:하부 및 상부 캐리어 제한층
46b:활성층 A, B:제1 및 제2 면방출 반도체 레이저
C:콘택홀
본 발명은 면방출 반도체 레이저에 관한 것으로서, 자세하게는 메인 면방출 반도체 레이저로부터 방출되는 레이저광을 모니터하기 위한 수단을 구비하는 면방출 반도체 레이저에 관한 것이다.
광통신이나 광기록 장치에 사용되는 면방출 반도체 레이저의 경우, 광손실이 낮고 변조가 용이하면서 균일한 광출력을 갖는 것이 바람직하다. 따라서 광통신이나 광기록 장치에 면방출 반도체 레이저로부터 출력되는 광을 모니터하기 위한 포토다이오드가 상기 면방출 반도체 레이저와 함께 장착되는 것이 일반적이다. 이때, 포토다이오드는 레이저광이 방출되는 면방출 반도체 레이저의 상부에 장착되거나 그 반대쪽인 하부에 장착된다.
전자의 경우, 포토다이오드는 상기 면방출 반도체 레이저로부터 출력되는 레이저광의 일부를 수광하여 상기 면방출 반도체 레이저의 동작 특성을 모니터하기 때문에, 상기 면방출 반도체 레이저의 광출력이 손실되는 것은 불가피하다.
한편, 상기 면방출 반도체 레이저의 하부로도 상부로 방출되는 메인 레이저광과 동일한 레이저광이 방출된다. 그러나, 상부로 메인 레이저광이 방출되는 면방출 반도체 레이저의 경우, 그 하부에 구비된 DBR층의 반사율은 상부에 구비된 DBR층보다 높기 때문에, 하부로 방출되는 레이저광의 세기는 미약하다.
따라서 후자의 경우, 상기 면방출 반도체 레이저를 모니터 하는 것이 가능하 기는 하지만, 포토다이오드에 수광되는 레이저광의 세기가 미약하기 때문에, 광전변환에 따른 모니터 전류 역시 미약하게 되어 정확한 모니터링이 어려울 수 있다. 특히, 자발방출에 의해 상기 면방출 반도체 레이저의 하부로 방출되는 광에 기인한 모니터 전류와 구분하기 어려울 수 있다.
본 발명이 이루고자하는 기술적 과제는 상술한 종래 기술의 문제점을 개선하기 위한 것으로서, 방출되는 레이저광의 출력은 감소시키지 않으면서 모니터링의 정확성은 높일 수 있는 출력광 모니터 수단을 구비하는 면방출 반도체 레이저를 제공함에 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 기판과 상기 기판 상에 순차적으로 형성된 하부 반사층 및 공진기층을 공유하되, 각각 상기 공진기층의 서로 다른 영역 상에 반사율이 상기 하부 반사층과 서로 다르고 전류 제한층이 내재된 상부 반사층을 분리된 형태로 구비하는 두 개의 면방출 반도체 레이저, 곧 메인 면방출 반도체 레이저 및 모니터용 면방출 반도체 레이저가 정반대 방향으로 동등한 레이저광을 방출하도록 일체화된 것을 특징으로 하는 면방출 반도체 레이저를 제공한다.
상기 하부 반사층은 굴절률이 서로 다른 두 화합물 반도체층이 반복 적층된 분산 브래그 반사기(Distributed Bragg Reflector, DBR)층이고, 상기 메인 면방출 반도체 레이저에 속하는 상기 상부 반사층에 내재된 전류 제한층의 어퍼쳐가 상기 모니터용 면방출 반도체 레이저에 속하는 상기 상부 반사층에 내재된 전류 제한층의 어퍼쳐보다 작다.
상기 메인 면방출 반도체 레이저에 속하는 상기 상부 반사층은 상기 하부 반사층보다 반사율이 낮은 제1 상부 DBR층이다. 그리고 상기 모니터용 면방출 반도체 레이저에 속하는 상기 상부 반사층은 상기 하부 반사층보다 반사율이 높은 DBR층이다.
상기 하부 반사층보다 반사율이 높은 DBR층은 굴절률이 서로 다른 화합물 반도체층이 반복 적층되어 구성된 제2 상부 DBR층과 상기 제2 상부 DBR층 상에 형성된 굴절률이 서로 다른 유전막이 반복 적층되어 구성된 제3 상부 DBR층으로 구성된다.
또한, 본 발명은 상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 기판, 상기 기판 상에 형성된 제1 반사층, 상기 제1 반사층 상에 형성된 공진기층, 상기 공진기층 상에 형성되어 있고 제1 전류 제한층이 내재된 제2 반사층, 상기 기판의 전면에 형성된 제1 전극 및 상기 제1 반사층 상에 형성된 제2 전극을 구비하는 제1 면방출 반도체 레이저와,
상기 공진기층 하부에 상기 제1 전극, 상기 기판 및 상기 제1 반사층을 순차적으로 구비하고, 상기 공진기층 상에 상기 제2 반사층과 분리된, 상기 제1 반사층보다 반사율이 높고 제2 전류 제한층이 내재된 제3 반사층을 구비하며, 상기 제3 반사층 상에 도전성 라인을 통해 상기 제2 전극과 연결된 제3 전극을 구비하는 제2 면방출 반도체 레이저가 일체화 되게 구성된 것을 특징으로 하는 면방출 반도체 레 이저를 제공한다.
상기 제1 및 제2 반사층은 각각 하부 DBR층 및 제1 상부 DBR층이고, 상기 제3 반사층은 제2 및 제3 상부 DBR층으로 구성된다.
상기 제3 상부 DBR층은 귤절률이 서로 다른 유전막이 반복 적층되어 구성된다.
이러한 본 발명을 이용하면, 메인 면방출 반도체 레이저와 일체로 모니터 전용 면방출 반도체 레이저를 구비하기 때문에, 모니터에 기인하여 메인 면방출 반도체 레이저의 광출력이 저하되는 것은 방지하면서 그의 동작 특성은 정확히 모니터할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예에 의한 출력광 모니터 수단을 구비하는 면방출 반도체 레이저를 첨부된 도면들을 참조하여 상세하게 설명한다. 이 과정에서 도면에 도시된 층이나 영역들의 두께는 명세서의 명확성을 위해 과장되게 도시된 것이다.
도 1을 참조하면, 기판(40)의 저면에 제1 전극(42)이 형성되어 있다. 기판(40)은 화합물 반도체 기판으로써, 예를 들면 비소갈륨(GaAs) 기판이다. 기판(40) 상에 제1 반사율을 갖는 제1 반사층(44)이 형성되어 있다. 제1 반사층(44)은 하부 분산 브래그 반사기(DBR)층으로써, 제1 및 제2 화합물 반도체층(44a, 44b)이 반복 적층된 것이다. 제1 및 제2 화합물 반도체층(44a, 44b)은 굴절률이 다른 화합물 반도체층인 것이 바람직하다. 일 예로써, 제1 및 제2 화합물 반도체층(44a, 44b)은 도핑 농도를 다르게 한 AlGaAs층이 될 수 있다. 제1 반사층(44) 상에 공진기층(46)이 형성되어 있다. 공진기층(46)은 제1 반사층(44)과 접촉되는 n-하부 캐리어 제한층(46a), 캐리어 재결합에 의한 광이 방출되는 활성층(46b) 및 p-상부 캐리어 제한층으로 구성된다. 활성층(46b)은 다중 양자 우물(Multi-Quantum Wells) 구조 또는 양자 점(quantum dot)을 갖는 2원, 3원 또는 4원 혼정계의 화합물 반도체층으로써, GaAs층, InGaAs층, AlGaAs층, InAs층, GaInNAs층 또는 GaPSb층이다. 공진기층(46)의 p-상부 캐리어 제한층(46c) 상에 제2 반사층(47)과 제3 반사층(48, 50)이 형성되어 있다. 제2 반사층(47)은 제1 상부 DBR층으로 구성되고, 제3 반사층(48, 50)은 순차적으로 형성된 제2 상부 DBR층(48)과 제3 상부 DBR층(50)으로 구성된다. 제2 반사층(47) 및 제2 상부 DBR층(48)의 굴절률은 제1 반사층(44)의 굴절률보다 작다. 그러나, 제2 상부 DBR층(48)과 제3 상부 DBR층(50)으로 구성된 제3 반사층(48, 50)의 굴절률은 제1 반사층(44)의 굴절률보다 크다. 이에 따라 제1 반사층(44)과 공진기층(46)과 제2 반사층(47)으로 구성된 제1 면방출 반도체 레이저(A)와 제1 반사층(44)과 공진기층(46)과 제3 반사층(48, 50)으로 구성된 제2 면방출 반도체 레이저(B)의 경우 공진기층(46)을 중심으로 상하로 구비된 반사층의 굴절률 분포가 반대로 되어 제1 및 제2 면방출 반도체 레이저(A, B)로부터 방출되는 메인 레이저광의 방출 방향은 정반대가 된다. 곧, 제1 면방출 반도체 레이저(A)의 경우, 제2 반사층(47)을 통해 위쪽으로 제1 메인 레이저광이 방출되지만, 제2 면방출 반도체 레이저(B)의 경우, 제1 반사층(44)을 통해 아래쪽으로 제2 메인 레이저광이 방출된다. 제1 및 제2 면방출 반도체 레이저(A, B)의 구성을 볼 때, 상기 제1 및 제2 메인 레이저광들은 동등하다. 따라서 상기 제2 메인 레이저광을 이용하여 제1 면방출 반도체 레이저(A)의 동작 특성을 파악할 수 있다. 이를 위해, 도면에 도시하지는 않았지만, 제2 면방출 반도체 레이저(B)의 아래쪽에 포토다이오드와 같은 수광 수단이 구비된다.
이와 같이, 제1 면방출 반도체 레이저(A)의 동작 특성을 파악하는데 제1 반사층(44) 및 공진기층(46)을 비롯해서 제1 전극(42)을 제1 면방출 반도체 레이저(A)와 공동으로 구비하는, 제1 면방출 반도체 레이저(A)와 일체화된 제2 면방출 반도체 레이저(B)에서 방출되는 제2 메인 레이저광을 이용하기 때문에, 메인 반도체 레이저인 제1 면방출 반도체 레이저(A)의 광출력 손실을 방지할 수 있을 뿐만 아니라, 상기 제2 메인 레이저광은 제1 면방출 반도체 레이저(A)로부터 방출되는 제1 메인 레이저광과 동등한 세기를 갖기 때문에 제1 면방출 반도체 레이저(A)의 동작 특성도 정확하게 측정할 수 있다.
제1 면방출 반도체 레이저(A)의 제2 반사층(47)은 p-상부 캐리어 제한층(46c)이 노출되는 비어홀(C)에 의해 제2 상부 DBR층(48)과 분리된다. 비어홀(C)은 절연막(49)으로 채워져 있다. 제2 반사층(47)의 비어홀(C)과 대향하는 측면은 유전막(52)으로 덮여 있다. 제2 반사층(47)은 제1 상부 DBR층으로써 제3 및 제4 화합물 반도체층(47a, 47b), 예를 들면 굴절률을 다르게 한 제1 및 제2 AlGaAs층이 반복 적층된 것이다. 이러한 제2 반사층(47)에 제1 어퍼쳐(first aperture)를 갖는 제1 전류 제한층(47d)이 내재되어 있고, 그 둘레에 절연막(47c)이 형성되어 있다. 제1 전류 제한층(47d)의 구성은 제3 화합물 반도체층(47a)의 구성과 동일하다. 절연막(47c)은 레이저 발진을 위해 활성층(46b)으로 유입되는 전류를 차단한다. 따라서, 제2 반사층(47)에서 제1 전류 제한층(47d)은 레이저 발진을 위한 전류 가 활성층(46b)으로 유입될 수 있는 유일한 통전 채널이다. 이러한 제1 전류 제한층(47d)은 공진기층(46)에 근접되게 내재된 것이 바람직하다.
한편, 제2 반사층(47)보다 넓은 면적 상에 형성된 제3 반사층(48, 50)의 제2 상부 DBR층(48)은 제5 및 제6 화합물 반도체층, 예를 들면 굴절률을 다르게 한 AlGaAs층이 반복 적층된 것으로 제3 및 제4 화합물 반도체층(47a, 47b)이 반복 적층된 상기 제1 상부 DBR층과 동일한 것이다. 다만, 제2 상부 DBR층(48)의 경우, 제1 전류 제한층(47d)과 동등한 위치에 제2 전류 제한층(48d)이 내재되어 있는데, 제2 전류 제한층(48d)의 어퍼쳐(이하, 제2 어퍼쳐(second aperture)라 함)가 제1 전류 제한층(47d)의 제1 어퍼쳐보다 크다. 이렇게 함으로써, 제1 면방출 반도체 레이저(A) 및 제2 면방출 반도체 레이저의 레이저 발진에 필요한 최소 전류값, 곧 문턱 전류(threshold current)값이 같아지게 된다. 제3 상부 DBR층(50)은 제1 면방출 반도체 레이저의 와이어 본딩용 금속을 패시배이션(passivation)하기 위한 유전막으로 구성된 반사층으로써, 제2 반사층(47)과 제2 상부 DBR층(48)을 분리시키는 절연막(49)과 연결되어 있다. 제3 상부 DBR층(50)은 편의 상 단층으로 도시되어 있으나, 실제로는 굴절률이 다른 제1 및 제2 유전막이 반복 적층되어 구성된다. 이러한 제3 상부 DBR층(50)이 제2 상부 DBR층(48) 상에 구비됨으로써, 상기한 바와 같이 제2 면방출 반도체 레이저의 제1 반사층(44)과 제3 반사층(48, 50)사이에 굴절률 반전이 이루어져서, 제2 면방출 반도체 레이저(B)로부터 방출되는 상기 제2 메인 레이저광의 방출 방향은 제1 면방출 반도체 레이저(A)로부터 방출되는 상기 제1 메인 레이저광의 방출 방향과 정반대가 된다. 제1 면방출 반도체 레이저(A)의 제2 반 사층(47) 상에 제1 전극(42)과 함께 제1 면방출 반도체 레이저(A)를 발진시키기 위해 활성층(46b)으로 전류를 공급하는데 사용되는 제2 전극(54)이 형성되어 있다. 제2 전극(54)은 상기 제1 메인 레이저가 방출되는, 제1 전류 제한층(47d)에 대응되는 영역의 양측에 형성되어 있다. 제3 반사층(48, 50)의 제2 상부 DBR층(48) 상에 제3 상부 DBR층(50)과 접촉되는, 제1 전극(42)과 함께 제2 면방출 반도체 레이저(B)를 발진시키는데 사용되는 제3 전극(56)이 형성되어 있다. 제2 전극(54)과 제3 전극(56)은 제3 상부 DBR층(50) 상으로 형성된 도전성 라인(58)으로 연결되어 있다. 따라서 제1 면방출 반도체 레이저(A)가 동작될 때, 이것과 일체화되게 형성된 제2 면방출 반도체 레이저(B)도 동시에 동작된다.
도 2는 본 발명의 실시예에 의한 면방출 반도체 레이저의 반사율 스펙트럼을 보여주는 그래프로써, 제1 그래프(G1)는 하부 DBR층이 23.5 겹(pair)으로 구성되고 상부 DBR층이 18겹으로 구성된 경우의 반사율 스펙트럼을 나타내고, 제2 그래프(G2)는 하부 DBR층이 23. 5겹이고, 상부 DBR층이 22겹인 경우의 반사율 스펙트럼을 나타낸다. 13,000(Å)에서 캐버티 피크(cavity peak)(P)가 나타남을 볼 수 있다.
도 3은 도 1에 도시한 면방출 반도체 레이저의 반사율 스펙트럼을 보여주는 그래프로써, 제3 그래프(G3)는 제5 및 제6 화합물 반도체층(48a, 48b)이 18회 반복 적층된 제2 상부 DBR층(48)과 상기 제1 및 제2 유전막이 4회 반복 적층된 제3 상부 DBR층(50)으로 구성된 제3 반사층(49, 50)에 대한 반사율 스펙트럼을 나타낸다. 그리고 제4 그래프(G4)는 제1 및 제2 화합물 반도체층(44a, 44b)이 23.5 겹 반복 적 층된 제1 반사층(44)의 반사율 스펙트럼을 나타낸다. 또한, 제5 그래프(G5)는 제3 및 제4 화합물 반도체층(47a, 47b)이 18겹 반복 적층된 제2 반사층(47)의 반사율 스펙트럼을 나타낸다.
제3 내지 제5 그래프들(G3, G4, G5)을 참조하면, 제1 및 제2 면방출 반도체 레이저들(A, B)로부터 각각 방출되는 상기 제1 및 제2 메인 레이저광의 파장이 12,500∼13,500(Å) 정도일 때, 제3 반사층(48, 50)의 반사율이 제1 및 제2 반사층(44, 47)의 반사율보다 크고, 제2 반사층(47)의 반사율은 제1 반사층(44)의 반사율보다 작다는 것을 알 수 있다. 이러한 사실은 상기한 제1 및 제2 면방출 반도체 레이저(A, B)로부터 방출되는 상기 제1 및 제2 메인 레이저광의 방출 방향이 정반대라는 사실을 뒷받침한다.
상기한 설명에서 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나, 그들은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다, 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 예들 들어 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 제2 면방출 반도체 레이저를 메인으로 하고, 제1 면방출 반도체 레이저를 모니터용으로 구성할 수도 있을 것이다. 또한, 제3 반사층(48, 50)을 제2 반사층(47)과 재질이 다르고 제1 반사층(44)보다 반사율이 큰 하나의 DBR층으로 구성할 수도 있을 것이다. 또한, 모니터용으로 준비된 제2 면방출 반도체 레이저를 제1 면방출 반도체 레이저가 동작될 때마다 동작되도록 구성하는 대신, 제1 면방출 반도체 레이저의 동작 특성을 모니터할 때만 동작되도록 구성될 수 있다. 때문에 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 의하여 정하여 질 것이 아니고 특허 청구범위에 기재된 기술적 사상에 의해 정하여져야 한다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 의한 면방출 반도체 레이저는 메인 면방출 반도체 레이저(제1 면방출 반도체 레이저)와 이것의 동작 특성을 모니터하기 위해 상기 메인 면방출 반도체 레이저로부터 방출되는 레이저광과 동일한 레이저광을 정반대 방향으로 방출하도록 구성된 모니터용 면방출 반도체 레이저(제2 면방출 반도체 레이저)가 일체화된 것이다. 따라서 본 발명을 이용하면, 상기 모니터용 면방출 반도체 레이저로부터 방출되는 레이저광을 수광하여 상기 메인 면방출 반도체 레이저의 동작 특성을 측정하기 때문에, 상기 메인 면방출 반도체 레이저의 광출력이 손실되지 않는다. 그리고 상기 모니터용 면방출 반도체 레이저로부터 방출되는 레이저광은 상기 메인 면방출 반도체 레이저로부터 방출되는 레이저광과 동일한 세기를 갖기 때문에, 상기 메인 면방출 반도체 레이저의 동작 특성을 정확하게 측정할 수 있다.

Claims (12)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 형성된 제1 반사층;
    상기 제1 반사층 상에 형성된 공진기층;
    상기 공진기층 상에 형성되어 있고 제1 전류 제한층이 내재된 제2 반사층;
    상기 기판의 전면에 형성된 제1 전극; 및
    상기 제1 반사층 상에 형성된 제2 전극을 구비하는 제1 면방출 반도체 레이저와,
    상기 공진기층 하부에 상기 제1 전극, 상기 기판 및 상기 제1 반사층을 순차적으로 구비하고, 상기 공진기층 상에 상기 제2 반사층과 분리된, 상기 제1 반사층보다 반사율이 높고 제2 전류 제한층이 내재된 제3 반사층을 구비하며, 상기 제3 반사층 상에 도전성 라인을 통해 상기 제2 전극과 연결된 제3 전극을 구비하는 제2 면방출 반도체 레이저가 일체화 되게 구성된 것을 특징으로 하는 면방출 반도체 레이저.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제2 전류 제한층의 어퍼쳐(aperture)는 상기 제1 전류 제한층의 어퍼쳐보다 큰 것을 특징으로 하는 면방출 반도체 레이저.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 반사층은 각각 하부 DBR층 및 제1 상부 DBR층인 것을 특징으로 하는 면방출 반도체 레이저.
  4. 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 제3 반사층은 순차적으로 적층된 제2 및 제3 상부 DBR층으로 구성된 것을 특징으로 하는 면방출 반도체 레이저.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 제3 상부 DBR층은 굴절률이 다른 제1 및 제2 유전막이 반복 적층되어 구성된 것을 특징으로 하는 면방출 반도체 레이저.
  6. 제 4 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 상부 DBR층은 동일한 화합물 반도체층으로 구성된 것을 특징으로 하는 면방출 반도체 레이저.
  7. 기판과 상기 기판 상에 순차적으로 형성된 하부 반사층 및 공진기층을 공유하되, 각각 상기 공진기층의 서로 다른 영역 상에 반사율이 상기 하부 반사층과 서로 다르고 전류 제한층이 내재된 상부 반사층을 분리된 형태로 구비하는 두 개의 면방출 반도체 레이저, 곧 메인 면방출 반도체 레이저 및 모니터용 면방출 반도체 레이저가 정반대 방향으로 동등한 레이저광을 방출하도록 일체화된 것을 특징으로 하는 면방출 반도체 레이저.
  8. 제 6 항에 있어서, 상기 하부 반사층은 굴절률이 서로 다른 두 화합물 반도체층이 반복 적층된 DBR층인 것을 특징으로 하는 면방출 반도체 레이저.
  9. 제 6 항에 있어서, 상기 메인 면방출 반도체 레이저에 속하는 상기 상부 반사층에 내재된 전류 제한층의 어퍼쳐가 상기 모니터용 면방출 반도체 레이저에 속하는 상기 상부 반사층에 내재된 전류 제한층의 어퍼쳐보다 작은 것을 특징으로 하는 면방출 반도체 레이저.
  10. 제 6 항 또는 제 8 항에 있어서, 상기 메인 면방출 반도체 레이저에 속하는 상기 상부 반사층은 상기 하부 반사층보다 반사율이 낮은 제1 상부 DBR층인 것을 특징으로 하는 면방출 반도체 레이저.
  11. 제 6 항 또는 제 8 항에 있어서, 상기 모니터용 면방출 반도체 레이저에 속하는 상기 상부 반사층은 상기 하부 반사층보다 반사율이 높은 DBR층인 것을 특징으로 하는 면방출 반도체 레이저.
  12. 제 10 항에 있어서, 상기 하부 반사층보다 반사율이 높은 DBR층은 굴절률이 서로 다른 화합물 반도체층이 반복 적층되어 구성된 제2 상부 DBR층과 상기 제2 상부 DBR층 상에 형성된 굴절률이 서로 다른 유전막이 반복 적층되어 구성된 제3 상부 DBR층으로 구성된 것을 특징으로 하는 면방출 반도체 레이저.
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