KR100809412B1 - 전계 흡수형 변조기가 집적된 레이저 장치 및 그 제조방법 - Google Patents

전계 흡수형 변조기가 집적된 레이저 장치 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

광변조기의 단면으로부터 재입사되는 광에 의해 레이저 다이오드의 동작 특성의 변형을 방지할 수 있는 광변조기가 집적된 레이저 장치 및 그 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명은 화합물 반도체 기판, 상기 화합물 기판의 제 1 영역에 형성되는 광 변조기, 상기 제 1 영역과 인접하는 화합물 기판의 제 2 영역에 형성되는 분포 궤환형 레이저 다이오드, 및 상기 화합물 기판의 제 3 영역에 형성되며, 상기 분포 궤환형 레이저 다이오드로 재입사되는 광의 위상을 조절하는 위상 조절부를 포함하며, 상기 위상 조절부에 소정의 전류를 인가하여 광변조기의 측단면으로 부터 재입사되는 광의 위상을 조절한다.
EML, 재입사, 위상

Description

전계 흡수형 변조기가 집적된 레이저 장치 및 그 제조방법{Electro-absorption Modulator integrated laser and method of manufacturing the same}
도 1 및 도 2는 일반적인 EML 소자의 단면도이다.
도 3은 종래의 EML 소자에서 발생되는 이완 진동을 보여주는 그래프이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 EML 소자의 단면도이다.
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 EML 소자의 단면도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 불순물 영역을 분리 영역으로 이용하는 EML 소자의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 InP 윈도우를 갖는 EML 소자의 단면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100 : 화합물 반도체 기판 110 : n+ 클래드층
115 :그레이팅 120a,120b,120c, 120 : 활성층
121 : 트렌치 122 : 불순물 영역
125a,125b,125c : p- 클래드층 130 : n형 오믹 전극
135a,135b,135c : p형 오믹 전극 140 : 무반사막
본 발명은 전계 흡수형 변조기가 집적된 레이저 장치 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 광변조기의 단면으로부터 재입사되는 광에 의해 레이저 다이오드의 동작 특성의 변형을 방지할 수 있는 광변조기가 집적된 레이저 장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 전계 흡수형 변조기가 집적된 레이저 장치(Electro-absorption Modulator integrated laser: 이하 EML 소자)는 광송신기에서 광원의 역할을 하고 있다. 상기 EML 소자는 실질적인 광원인 레이저 다이오드(분포 궤환형 레이저 다이오드) 및 상기 레이저 다이오드의 출력을 변조시키는 변조기를 포함하며, 상기 레이저 다이오드 및 변조기가 동일 기판에 형성되는 데 그 특징이 있다. 이러한 EML 소자는 레이저 다이오드에서 출력된 신호파를 반도체의 전계에 따른 흡수차를 이용하여 변조시키므로써, 필요한 주파수를 얻게 된다. 이와같은 EML 소자는 변조기를 거치는 동안 광의 손실이 적어 큰 대역폭을 유지할 수 있고, 무엇보다도 레이저 다이오드와 광변조기가 일체로 형성됨에 따라 모듈의 크기가 매우 작다는 장점을 가지므로, 다량의 정보를 송신하는 초고속 광통신망에 적합하다.
도 1 및 도 2는 일반적인 EML 소자의 단면도로서, 도 1 및 도 2를 참조하여 일반적인 EML 소자에 대해 설명하기로 한다.
EML 소자는 도 1에 도시된 바와 같이, InP 기판(10)을 포함한다. 상기 InP 기판(10)은 광변조기가 형성될 영역(이하, 광변조기 영역:A) 및 레이저 다이오드가 형성될 영역(이하, 레이저 다이오드 영역:B)으로 구분될 수 있다. 그 후, 상기 InP 기판 상부에 전체에 n+ InP층(15)을 공지의 방식으로 성장시킨 다음, 이후 형성될 레이저 다이오드 분포 궤환형(Distributed Feedback)이 될 수 있도록 상기 n+InP층(15)내에 회절 격자, 즉, 그레이팅(grating:20)을 형성한다. 그후, 그레이팅(20)이 형성된 레이저 다이오드 영역(B) 상에 레이저 활성층(25a)을 형성하고, 상기 광변조기 영역(A)의 n+ InP층(15) 상부에 광변조기 활성층(25b)을 형성한다. 광변조기 영역(A) 및 레이저 다이오드 영역(B) 상부에 p- 클래드층(30)을 형성한 다음, 상기 변조기 영역(A)과 레이저 다이오드 영역(B)의 경계 부분에 위치하는 p- 클래드층(30)을 소정 부분 식각하여, 상기 p- 클래드층(30)을 상기 광변조기 영역(A)과 레이저 다이오드 영역(B)으로 분리한다.
그후, InP 기판(10)의 뒷면에 n+ 오믹 전극(35)을 형성하고, 상기 광변조기 영역(A)의 p- 클래드층(30a) 및 레이저 다이오드 영역(B)의 p- 클래드층(30b) 상부에 p+ 오믹 전극(40a,40b)을 각각 공지의 방식으로 형성하여, 광변조기(50a) 및 DFB 레이저 다이오드(50b)를 완성한다.
이때, 광변조기(50a)의 측면에 단면 반사를 감소시키기 위하여 무반사막(45)이 코팅된다. 상기 무반사막(45)에 의해 광변조기(50a)의 반사율을 0.1% 미만으로 줄일 수 있다.
또한, 도 2에 도시된 바와 같이, 추가적인 단면 반사를 감소시키기 위하여 광변조기(50a)와 상기 무반사 코팅막(45) 사이에 InP 윈도우(47)를 더 형성할 수 있다.
종래의 EML 소자는 광변조기(50a)의 측벽에 무반사막(45, 도 1 및 도 2 참조) 및 InP 윈도우(47, 도 2참조)에 의해 광변조기(50a)의 측단면 반사율을 0.1% 미만으로 감소시켰다. 하지만, 상기 0.1% 미만의 반사율을 갖는 광이 상기 레이저 다이오드(50b)에 재입사되면 여전히 레이저 다이오드의 동작 상태에 영향을 미치기 때문에, 보다 낮은 광변조기의 측단면 반사율이 요구되어 진다.
그러나 종래의 EML 소자는 무반사막(45) 및 InP 윈도우(47)을 형성함에 의해, 광변조기의 측단면 반사율을 감소시키는데 한계에 봉착하였으므로, 더이상 광변조기의 측단면 반사율을 감소시키기에는 어려움이 있다.
또한, 작은 량의 광이라도 상기 분포 궤환형 레이저 다이오드(50b)에 재입사되면, 상술한 바와 같이 레이저 다이오드의 동작 상태에 영향을 미치는 이완 진동(relaxation oscillation)이 발생될 수 있다. 상기 이완 진동은 도 3에 도시된 바와 같이 주파수에 대한 응답 특성 곡선에서 피크 형태(도 3에서 "x"로 표시됨)로 뚜렷이 나타내어 지며, 이러한 이완 진동은 레이저 다이오드의 출력을 변형시킨다.
따라서, 본 발명의 목적은 광변조기의 측단면으로부터 재입사되는 광에 의해 레이저 다이오드의 동작 특성의 변형을 방지할 수 있는 광변조기가 집적된 레이저 장치를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 상기한 광변조기 집적된 레이저 장치의 제조방법을 제공하는 것이다.
상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, 화합물 반도체 기판, 상기 화합물 기판의 제 1 영역에 형성되는 광 변조기, 상기 제 1 영역과 인접하는 화합물 기판의 제 2 영역에 형성되는 분포 궤환형 레이저 다이오드, 및 상기 화합물 기판의 제 3 영역에 형성되며, 상기 분포 궤환형 레이저 다이오드로 재입사되는 광의 위상을 조절하는 위상 조절부를 포함하며, 상기 위상 조절부에 소정의 전류를 인가하여 광변조기의 측단면으로 부터 재입사되는 광의 위상을 조절한다.
상기 위상 조절부는 상기 광변조기와 분포 궤환형 레이저 다이오드의 사이에 위치한다. 상기 위상 조절부는 상기 화합물 반도체 기판상에 형성되는 n클래드층, 상기 n클래드층 상부에 형성되는 활성층, 상기 활성층 상부에 형성되며 상기 광변조기의 p 클래드층 및 상기 분포 궤환형 레이저 다이오드의 p클래드층과 전기적으로 분리된 p 클래드층, 및 상기 p클래드층 상부에 형성되는 위상 조절 전극을 포함한다. 상기 위상 조절부의 n 클래드층은 상기 광변조기의 n 클래드층 및 상기 분포 궤환형 레이저 다이오드의 n 클래드층과 공통임이 바람직하다. 또는, 상기 광변조기의 활성층, 상기 분포 궤환형 레이저 다이오드의 활성층 및 상기 위상 조절부의 활성층은 각각 경계를 가지고 마주하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 다른 견지에 따르면, 광변조기 영역, 분포 궤환형 레이저 다이오드 영역 및 상기 광변조기 영역과 분포 궤환형 레이저 다이오드 영역 사이의 위상 조절부 영역이 한정되어 있는 InP 화합물 반도체 기판을 준비한다. 상기 화합물 반도체 기판상에 n 클래드층을 형성한다음, 상기 분포 궤환형 레이저 다이오드 영역의 n 클래드층 상부에 그레이팅을 형성한다. 상기 n 클래드층 상부에 활성층을 형성한다. 그후, 상기 활성층 상부에 p 클래드층을 형성하고, 상기 광변조기 영역, 분포 궤환형 레이저 다이오드 영역 및 상기 위상 조절 영역별로 상기 p 클래드층을 전기적으로 분리한다. 상기 화합물 반도체 기판 뒷면에 n형 오믹 전극을 형성한다음, 상기 광변조기 영역, 분포 궤환형 레이저 다이오드 영역 및 위상 조절 영역 각각의 p 클래드층 상부에, 광변조기의 p형 오믹 전극, 분포 궤환형 레이저 다이오드 영역의 p형 오믹 전극 및 위상 조절 영역의 위상 조절 전극을 형성한다.
이하, 첨부한 도면에 의거하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하도록 한다. 그러나, 본 발명의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시 예들로 인해 한정되어 지는 것으로 해석되어져서는 안된다. 본 발명의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이며, 도면상에서 동일한 부호로 표시된 요소는 동일한 요소를 의미한다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 EML 소자의 단면도이다.
도 4를 참조하면, 화합물 반도체 기판(100)을 준비한다. 상기 화합물 반도체 기판(100)은 InP 성분을 포함하며, 광변조기가 형성될 영역(A), 분포 궤환형 레이저 다이오드가 형성될 영역(B) 및 광변조기 영역(A)과 분포 궤환형 레이저 다이오드 영역(B) 사이에 위치하는 위상 조절부(C)를 포함한다.
화합물 기판(100) 상부에 n+ 클래드층(110)을 형성한다. n+ 클래드층(110)은 상기 InP 기판(100)을 소정 두께만큼 성장시켜 얻어진다. 상기 분포 궤환형 레이저 다이오드 영역(B)의 n+ 클래드층(110b) 상에 공지의 방식으로 그레이팅(115)을 형성한다.
n+ 클레드층(110b) 상부에 활성층을 형성한다. 상기 활성층은 도 4에 도시된 바와 같이, 위상 조절부(C)를 포함하는 광변조기 영역(A)과 분포 궤환형 레이저 다이오드 영역(B) 각각에 개별적으로 형성할 수 있다. 도면부호 120a는 위상 조절부(C)를 포함하는 광변조기 영역(A)의 활성층(이하, 제 1 활성층)을 나타내고, 120b는 분포 궤환형 레이저 다이오드(B)의 활성층(이하, 제 2 활성층)을 나타낸다. 이와 같이 각 영역별로 활성층을 개별적으로 형성하는 경우, 도 4와 같이 제 1 및 제 2 활성층(120a,120b) 사이에 계면이 존재하여 버트 구조를 이룰 수 있다.
또한, 활성층(120a,120b,120c)은 도 5a에 도시된 바와 같이, 광변조기 영역(A), 분포 궤환형 레이저 다이오드 영역(B) 및 위상 조절부(C) 각각마다 선택적으로 성장시켜 얻어질 수 있다. 이러한 경우, 상기 위상 조절부(C)의 활성층(120c)은 광변조기 영역(A)의 활성층의 밴드갭(band gap)과 상기 분포 궤환형 레이저 다이오드 영역(B)의 활성층의 밴드갭 사이의 밴드갭을 가짐이 바람직하다.
한편, 활성층(120)은 도 5b에 도시된 바와 같이, 상기 n+ 클래드층(110a,110b)을 일괄적으로 선택 성장시켜, 영역별로 경계가 존재하지 않도록 형성할 수도 있다. 상기 각각의 실시예의 활성층들은 InGaAsP 물질계의 다중층으로 구성될 수 있다.
활성층(120a,120b) 상부에 p- 클래드층을 성장시킨 다음, 상기 p- 클래드층 을 광변조기 영역(A), 레이저 다이오드 영역(B) 및 위상 조절부(C) 별로 전기적으로 분리시켜, 광변조기 영역(A)의 p- 클래드층(125a), 레이저 다이오드 영역(B)의 p- 클래드층(125b) 및 위상 조절부(C)의 p-클래드층(125c)을 형성한다. 이때, 상기 p- 클래드층(125a,125b,12c)을 전기적으로 분리시키는 방법으로는 도 4에 도시된 바와 같이, p- 클래드층에 트렌치(121)를 형성하여 분리시키는 방법이 있다. 다른 방법으로는 도 6에 도시된 바와 같이, 각 영역(A,B,C)의 경계에 해당하는 p-클래드층에 불순물, 예컨대, n형 불순물(122)을 주입하여 전기적으로 분리시키는 방법이 있다.
그후, 공지의 방식에 의하여, 상기 화합물 반도체 기판(100)의 뒷면에 n형 오믹 전극(130)을 형성한다. 이어서, 제 1 p-클래드층(125a) 상부에 광변조기의 p형 오믹 전극(135a)을 형성하고, 제 2 p-클래드층(125b) 상부에 레이저 다이오드의 p형 오믹 전극(135b)을 형성하여, 광변조기(150a) 및 분포 궤환형 레이저 다이오드(150b)를 형성한다. 상기 p형의 오믹 전극들(135a,135b)을 형성하는 단계와 동시에, 상기 제 3 p-클래드층(125c) 상부에 위상 조절 전극(135c)을 형성한다.
그후, 광 변조기(150a)의 측단면에, 상기 광변조기(150a)의 단면에서 발생되는 광반사를 방지하기 위하여 무반사막(140)을 코팅한다. 또한, 추가적인 단면 반사를 감소시키기 위하여, 도 7에 도시된 바와 같이 상기 무반사막(140)과 광변조기(150a)의 측벽 사이에, 바람직하게는 무반사막(140)과, n-클래드층(120a), 활성층(120a) 및 p-클래드층(125a)으로 구성되는 적층 구조물 사이에 InP 물질로 된 윈도우(145)를 더 형성할 수 있다.
이와 같은 EML 소자는 광변조기(150a)와 분포 궤환형 레이저 다이오드(150b)의 사이에 위상 조절 전극(135c)을 포함하는 위상 조절부를 형성한다. 이러한 위상 조절부는 분포 궤환형 레이저 다이오드(150b)의 입력부에 해당하는 광변조기(150a)과 분포 궤환형 레이저 다이오드(150b)의 사이에 배치되어, 소정의 전류 인가시 상기 분포 궤환형 레이저 다이오드(150b)에 입사되는 광의 위상을 조절하는 외부 공진기의 역할을 하게 된다.
O. Ushakov 씨에 의해 제안된 논문(Self - Organization in semiconductor lasers with Ultrashot optical feedback, Physical Review Letters, Vol 92, Number 4, 2004. 1,30)에 의하면 분포 궤환형 레이저 다이오드의 외부 공진기에 소정의 전류를 인가하게 되면, 분포 궤환형 레이저 다이오드에 재입사되는 광의 위상이 조절되는 것으로 알려졌다.
그러므로, 외부 공진기의 역할을 하는 본 발명의 위상 조절 전극(135) 전극에 소정의 전류, 예컨대, 재입사되는 광의 위상을 최소화시킬 수 있을 정도의 전류를 인가하면, 광변조기(150a)로부터 미량이라도 반사되어 재입사되는 광의 위상을 조절하므로써, 레이저 다이오드의 이완 진동 문제점을 감소시킬 수 있다.
이상에서 자세히 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면 광변조기 및 분포 궤환형 레이저 다이오드가 집적된 EML 소자에 있어서, 상기 광변조기와 상기 분포 궤환형 레이저 다이오드의 경계 부근에 재입사 광의 위상을 조절하는 위상 조절 전극을 형성한다.
이와 같은 위상 조절 전극은 상기 분포 궤환형 레이저 다이오드의 외부 공진기의 역할을 하여, 상기 위상 조절 전극에 특정한 전류를 인가함으로써 분포 궤환형 레이저 다이오드로 재입사되는 광의 위상을 줄일 수 있다. 이와 같이, 재입사되는 광의 위상을 감소시킴으로써 광학적 피드백(feedback)에 의한 분포 궤환형 레이저 다이오드의 이완 진동을 제거할 수 있다.
이상에서 본 발명에 대한 기술 사상을 첨부 도면과 함께 서술하였지만 이는 본 발명의 가장 양호한 일 실시예를 예시적으로 설명한 것이지 본 발명을 한정하는 것은 아니다. 또한, 이 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자이면 누구나 본 발명의 기술 사상의 범주를 이탈하지 않는 범위 내에서 다양한 변형 및 모방이 가능함은 명백한 사실이다.

Claims (19)

  1. 화합물 반도체 기판;
    상기 화합물 기판의 제 1 영역에 형성되는 광 변조기;
    상기 제 1 영역과 대향하는 화합물 기판의 제 2 영역에 형성되는 분포 궤환형 레이저 다이오드; 및
    상기 제 1 영역과 상기 제 2 영역 사이에 위치하는 상기 화합물 기판의 제 3 영역에 형성되고, 상기 광 변조기의 측단면으로부터 반사되어 상기 분포 궤환형 레이저 다이오드로 재입사되는 광의 위상을 조절하는 위상 조절부를 포함하며,
    상기 위상 조절부에 소정의 전류를 인가하여 상기 광 변조기의 측단면으로부터 재입사되는 광을 조절하는 EML 소자.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 광변조기는,
    상기 화합물 반도체 기판상에 형성되는 n 클래드층;
    상기 n 클래드층 상부에 형성되는 활성층;
    상기 활성층 상부에 형성되는 p 클래드층;
    상기 p형 클래드층 상부에 형성되는 p형 오믹 전극; 및
    상기 화합물 반도체 기판의 배면에 형성되는 n형 오믹 전극을 포함하는 EML 소자.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 분포 궤환형 레이저 다이오드는,
    상기 화합물 반도체 기판상에 형성되는 n 클래드층;
    상기 n 클래드층 상부에 형성되는 그레이팅;
    상기 그레이팅 상부에 형성되는 활성층;
    상기 활성층 상부에 형성되는 p 클래드층;
    상기 p형 클래드층 상부에 형성되는 p형 오믹 전극; 및
    상기 화합물 반도체 기판의 배면에 형성되는 n형 오믹 전극을 포함하는 EML 소자.
  4. 삭제
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 위상 조절부는,
    상기 화합물 반도체 기판상에 형성되는 n클래드층;
    상기 n클래드층 상부에 형성되는 활성층;
    상기 활성층 상부에 형성되며 상기 광변조기의 p 클래드층 및 상기 분포 궤환형 레이저 다이오드의 p클래드층과 전기적으로 분리된 p 클래드층; 및
    상기 p클래드층 상부에 형성되는 위상 조절 전극을 포함하는 EML 소자.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 위상 조절부의 n 클래드층은 상기 광변조기의 n 클래드층 및 상기 분포 궤환형 레이저 다이오드의 n 클래드층과 공통인 것을 특징으 로 하는 EML 소자.
  7. 제 5 항에 있어서, 상기 광변조기의 활성층, 상기 분포 궤환형 레이저 다이오드의 활성층 및 상기 위상 조절부의 활성층은 각각 경계를 가지고 마주하는 것을 특징으로 하는 EML 소자.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 위상 조절부의 활성층의 물질은,
    상기 광변조기의 활성층 또는 상기 분포 궤환형 레이저 다이오드의 활성층의 물질층과 동일한 물질인 것을 특징으로 하는 EML 소자.
  9. 제 7 항에 있어서, 상기 위상 조절부의 활성층은 상기 광변조기의 활성층의 밴드갭과 상기 분포 궤환형 레이저 다이오드의 활성층의 밴드갭 사이의 밴드갭을 갖는 물질인 것을 특징으로 하는 EML 소자.
  10. 제 5 항에 있어서, 상기 광변조기의 활성층, 상기 분포 궤환형 레이저 다이오드의 활성층, 및 상기 위상 조절부의 활성층은 경계없이 동일한 물질인 EML 소자.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 활성층은 InGaAsP 물질을 포함하는 EML 소자.
  12. 제 5 항에 있어서, 상기 광변조기의 p 클래드층, 상기 위상 조절부의 p클래드층 및 상기 분포 궤환형 레이저 다이오드의 p 클래드층은 각각 소정 거리 이격되도록 배치되는 EML 소자.
  13. 제 12 항에 있어서, 상기 광변조기의 p 클래드층, 상기 위상 조절부의 p클래드층 및 상기 분포 궤환형 레이저 다이오드의 p 클래드층은 5 내지 20㎛ 정도 이격되는 EML 소자.
  14. 제 5 항에 있어서, 상기 광변조기의 p 클래드층과 상기 위상 조절부의 p클래드층 사이, 및 상기 위상 조절부의 p클래드층과 상기 분포 궤환형 레이저 다이오드의 p 클래드층 사이에, 상기 상기 광변조기의 p 클래드층, 상기 위상 조절부의 p클래드층 및 상기 분포 궤환형 레이저 다이오드의 p 클래드층을 전기적으로 분리시키기 위한 불순물 영역이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 EML 소자.
  15. 제 1 항에 있어서, 상기 광변조기의 측단면에 무반사막이 형성되어 있는 EML 소자.
  16. 제 15 항에 있어서, 상기 무반사막과 상기 광변조기 사이에 화합물 윈도우가 더 형성되는 EML 소자.
  17. 광변조기 영역, 분포 궤환형 레이저 다이오드 영역 및 상기 광변조기 영역과 분포 궤환형 레이저 다이오드 영역 사이의 위상 조절부 영역이 한정되어 있는 InP 화합물 반도체 기판을 제공하는 단계;
    상기 화합물 반도체 기판상에 n 클래드층을 형성하는 단계;
    상기 분포 궤환형 레이저 다이오드 영역의 n 클래드층 상부에 그레이팅을 형성하는 단계;
    상기 n 클래드층 상부에 활성층을 형성하는 단계;
    상기 활성층 상부에 p 클래드층을 형성하는 단계;
    상기 광변조기 영역, 분포 궤환형 레이저 다이오드 영역 및 상기 위상 조절 영역별로 상기 p 클래드층을 전기적으로 분리하는 단계;
    상기 화합물 반도체 기판 뒷면에 n형 오믹 전극을 형성하는 단계; 및
    상기 광변조기 영역, 분포 궤환형 레이저 다이오드 영역 및 위상 조절 영역 각각의 p 클래드층 상부에, 광변조기의 p형 오믹 전극, 분포 궤환형 레이저 다이오드 영역의 p형 오믹 전극 및 위상 조절 영역의 위상 조절 전극을 형성하는 단계를 포함하는 EML 소자의 제조방법.
  18. 제 17 항에 있어서, 상기 활성층은 상기 n 클래드층을 선택적으로 성장시켜 얻어지는 EML 소자의 제조방법.
  19. 제 17 항에 있어서, 상기 활성층은 상기 광변조기 영역, 분포 궤환형 레이저 다이오드 영역 및 상기 위상 조절 영역별로 각각 성장시키는 EML 소자의 제조방법.
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