KR100802450B1 - 다중 반투과부를 구비한 하프톤 마스크 및 그 제조방법 - Google Patents

다중 반투과부를 구비한 하프톤 마스크 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 투과부, 반투과부 및 차광부를 가지는 하프톤 마스크 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 서로 다른 광 투과율을 가지는 반투과부가 적어도 두개 이상 구비됨으로써, 하나의 마스크로 복수층을 패터닝할 수 있는 다중 반투과부를 구비한 하프톤 마스크 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 다중 반투과부를 구비한 하프톤 마스크를 이루는 구성수단은, 투명기판, 상기 투명기판 상에 형성되어 조사되는 소정 파장대의 광을 투과시키는 광투과부, 상기 투명기판 상에 형성되어 조사되는 소정 파장대의 광을 차단시키는 광차단부, 상기 투명기판 상에 조사되는 소정 파장대의 광을 서로 다른 광투과율로 통과시키는 적어도 두개 이상의 반투과부를 포함하여 이루어지되, 상기 반투과부는 슬릿형 반투과부 또는 적층형 반투과부 또는 이들의 조합으로 구성되는 것을 특징으로 한다.
마스크, 하프톤, 반투과부

Description

다중 반투과부를 구비한 하프톤 마스크 및 그 제조방법{half tone mask having multi half permeation part and method for manufacturing thereof}
도 1은 종래의 포토 마스크의 개략도이다.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명에 따른 다중 반투과부를 구비한 하프톤 마스크의 개략도이다.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 제1 실시예에 따른 다중 반투과부를 구비한 하프톤 마스크를 제조하는 공정 순서도이다.
도 4a 내지 도 5b는 본 발명의 제2 실시예에 따른 다중 반투과부를 구비한 하프톤 마스크를 제조하는 공정 순서도이다.
도 6a 내지 도 6c는 본 발명의 제3 실시예에 따른 다중 반투과부를 구비한 하프톤 마스크를 제조하는 공정 순서도이다.
본 발명은 투과부, 반투과부 및 차광부를 가지는 하프톤 마스크 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 서로 다른 광 투과율을 가지는 반투과부가 적어도 두개 이상 구비됨으로써, 하나의 마스크로 복수층을 패터닝할 수 있는 다중 반투과부를 구비한 하프톤 마스크 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
포토리소그라피(Photolithography)공정으로 패터닝을 할 때 사용되는 일반적인 포토마스크는, 도 1에 도시된 바와 같이, 투명기판(11)과 투명기판(11) 상에 형성되며 광을 투과시키는 광투과부(13)와 광을 차단시키는 광차단부(15)를 가진다.
상기와 같은 종래의 마스크는 한 층의 패턴을 구현할 수 밖에 없으므로 노광→현상→에칭으로 이루어지는 한 싸이클의 포토리소그라피 공정에만 사용할 수 있다. 상세히 설명하면, 액정디스플레이의 TFT(Thin Film Transistor) 및 CF(Color Filter)는 많은 층이 증착/도포되어 있고, 증착/도포된 각 층은 각각 포토리소그라피공정으로 패터닝된다. 그런데, 한 싸이클의 포토리소그라피 공정을 줄일 수 만 있다면 큰 경제적인 효과를 얻을 수 있는데, 종래의 마스크는 단지 한 층의 패턴을 구현할 수 밖에 없는 구조로 되어 있으므로, 비경제적이다.
본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해소하기 위하여 안출된 것으로, 서로 다른 광 투과율을 가지는 반투과부가 적어도 두개 이상 구비됨으로써, 하나의 마스크로 복수층을 패터닝할 수 있는 다중 반투과부를 구비한 하프톤 마스크 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
상기와 같은 기술적 과제를 해결하기 위하여 제안된 본 발명인 다중 반투과부를 구비한 하프톤 마스크를 이루는 구성수단은, 투명기판, 상기 투명기판 상에 형성되어 조사되는 소정 파장대의 광을 투과시키는 광투과부, 상기 투명기판 상에 형성되어 조사되는 소정 파장대의 광을 차단시키는 광차단부, 상기 투명기판 상에 조사되는 소정 파장대의 광을 서로 다른 광투과율로 통과시키는 적어도 두개 이상의 반투과부를 포함하여 이루어지되, 상기 반투과부는 슬릿형 반투과부 또는 적층형 반투과부 또는 이들의 조합으로 구성되는 것을 특징으로 한다. 즉, 상기 반투과부는 적층형 반투과부 또는 슬릿형 반투과부들로만 이루어질 수도 있고, 적층형 반투과부와 슬릿형 반투과부들의 조합으로도 이루어질 수도 있다.
또한, 상기 적층형 반투과부는 반투과물질막을 적층하여 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 슬릿형 반투과부는 상기 광차단부의 소정 부분에 형성되는 것을 특징으로 한다. 즉, 조사되는 광을 차단하는 광차단부에 슬릿을 형성함으로써, 조사되는 광의 일부만 통과시키는 슬릿형 반투과부를 형성시킬 수 있다.
또한, 상기 슬릿형 반투과부는 상기 적층형 반투과부의 소정 부분에 형성되는 것을 특징으로 한다. 즉, 반투과물질막을 적층하여 적층형 반투과부를 형성시키고, 이 적층형 반투과부에 슬릿을 형성시켜 조사되는 소정 파장대의 광을 일부만 투과시키는 슬릿형 반투과부를 형성시킬 수 있다.
또한, 상기 적층형 반투과부의 광투과율은 반투과 물질막의 조성을 달리하거나, 두께를 달리하여 조정되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 반투과 물질막은 Cr, Si, Mo, Ta, Ti, Al을 주원소로 하여, 상기 주원소 물질(주원소로만 이루어진 물질) 또는 상기 주원소들 중 적어도 두개 이상이 혼합된 복합 물질이거나, 상기 주원소 또는 복합 물질에 C0x, Ox, Nx 중 적어도 하나가 첨가된 물질로 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 슬릿형 반투과부의 광투과율은 슬릿의 폭과 높이를 변경하여 조정되는 것을 특징으로 한다.
한편, 본 발명인 다중 반투과부를 구비한 하프톤 마스크의 제조 방법을 이루는 구성수단은, 투명기판 상에 차광물질막과 제1 포토레지스트를 순차적으로 형성한 후, 노광 및 현상 공정으로 상기 제1 포토레지스트에 적어도 하나의 슬릿 공간부를 형성하는 단계, 상기 현상 공정에 의하여 노출된 상기 차광물질막을 에칭한 후, 상기 제1 포토레지스트를 제거하여 광차단부, 광투과부 및 슬릿형 반투과부를 형성하는 단계, 상기 광투과부 상에 반투과 물질을 적층하여 상기 슬릿형 반투과부와 다른 광투과율을 가지는 적어도 하나의 적층형 반투과부를 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
또한, 투명기판 상에 차광물질막과 제 1 포토레지스트를 순차적으로 형성하고, 노광 →현상→에칭공정으로 상기 차광물질막에 광이 투과하는 광투과부와 광을 차단하는 광차단부를 형성하는 단계, 상기 광투과부 상에 소정 파장대의 광의 일부만을 투과시키는 반투과 물질을 적층하여 적어도 하나의 적층형 반투과부를 형성하는 단계, 상기 적층형 반투과부와 광차단부 중 적어도 하나에 상기 적층형 반투과부와 광투과율이 다른 슬릿형 반투과부를 적어도 하나 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 상기와 같은 구성수단으로 이루어져 있는 본 발명인 다중 반투과부를 구비한 하프톤 마스크 및 그 제조 방법에 관한 작용 및 바람직한 실시예를 상세하게 설명한다.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명에 따른 다중 반투과부를 구비한 하프톤 마스크의 단면도들이다.
도 2a 내지 도 2c에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 다중 반투과부를 구비한 하프톤 마스크(Half Tone Mask)는 투명기판(110), 광차단부(130), 광투과부(120) 및 복수개의 반투과부(140)를 가진다.
조사되는 소정 파장대의 광을 투과시키는 투명기판(110)은 석영(Qz)으로 마련된다. 그리고, 상기 광차단부(130)와 광투과부(120)는 상기 투명기판(110) 상에 적층되는 차광물질막을 패터닝함으로써 형성된다. 즉, 패터닝되어 상기 투명기판(110)을 노출시키는 부분이 광을 투과시키는 광투과부(120)이고, 패터닝되지 않아 상기 막이 잔존하는 부분이 광을 차단시키는 광차단부(130)이다.
상기 차광물질막은 조사되는 광을 차단하는 물질이면 어떠한 물질도 가능하나, Cr, CrxOy 중 어느 하나 또는 이들의 조합으로 형성된 물질로 형성된다. 상기 첨자는 원소들의 결합에 따라 변하는 자연수이다.
한편, 상기 투명기판(110) 상에는 조사되는 소정 파장대의 광을 서로 다른 투과율로 통과시키는 반투과부(140)가 적어도 두개 이상 형성된다. 상기 반투과부(140)는 레이져 빔 조사에 의하여 형성되는 슬릿형 반투과부와 반투과물질이 적층 되어 형성되는 적층형 반투과부로 구성된다. 따라서, 상기 반투과부(140)는 적층형 반투과부 또는 슬릿형 반투과부들만으로 형성될 수 있고, 적층형 반투과부와 슬릿형 반투과부가 조합되어 함께 존재하여 구성될 수도 있다.
도 2a의 지시번호 141이 슬릿형 반투과부이고, 지시번호 143이 적층형 반투과부이다. 또한, 도 2b의 지시번호 143, 147 및 149가 슬릿형 반투과부이고, 지시번호 141 및 145가 적층형 반투부이다. 그리고, 도 2c의 지시번호 141 및 143이 슬릿형 반투과부이고, 지시번호 145가 적층형 반투과부이다.
본 발명에서의 가장 큰 특징은 상기 반투과부(140)가 다중으로 구비되고, 이와 같이 다중으로 구비되는 반투과부(140)들은 서로 다른 광투과율을 가진다는 점이다.
상기 적어도 두개 이상의 반투과부(140)들 중 적층형 반투과부들의 광투과율은 적층되는 반투과 물질막의 조성을 달리하거나, 두께를 달리하여 조정될 수 있다. 즉, 반투과 물질을 이루는 조성물의 특성에 따라 광투과율을 서로 달리할 수 있고, 같은 조성물을 이용하는 경우에도 두께를 달리함으로써 광투과율을 조정할 수 있다.
한편, 상기 반투과 물질은 Cr, Si, Mo, Ta, Ti, Al을 주원소로 하여, 상기 주원소물질(주원소로만 이루어진 물질) 또는 상기 주원소들 중 적어도 두개 이상이 혼합된 복합 물질이거나, 상기 주원소 또는 복합 물질에 COx, Ox, Nx 중 적어도 하나가 첨가된 물질인 것이 바람직하다. 상기 첨자는 결합되는 주원소에 따라 변하는 자연수이다.
즉, 상기 적층형 반투과부의 조성물은 조사되는 소정 파장대의 광을 일부만 통과시킬 수 있다면 다양하게 형성할 수 있다. 본 발명에서는 CrxOy, CrxCOy, CrxOyNz, SixOy, SixOyNz, SixCOy, SixCOyNz, MoxSiy, MoxOy, MoxOyNz, MoxCOy, MoxOyNz, MoxSiyOz, MoxSiyOzN MoxSiyCOzN, MoxSiyCOz, TaxOy, TaxOyNz, TaxCOy, TaxOyNz, AlxOy, AlxCOy, AlxOyNz, AlxCOyNz, TixOy, TixOyNz, TixCOy 중 어느 하나 또는 이들의 조합으로 상기 적층형 반투과부를 형성할 수 있다. 그런데, 가장 바람직하게는 산소가 포함된 크롬(CrxOy)으로 상기 반투과부(130)를 형성하는 것이다. 상기 첨자 x,y 및 z는 자연수로서 각 화학 원소의 개수를 의미한다.
한편, 상기 반투과부들(140) 중 슬릿형 반투과부들은 상기 광차단부(130)의 소정 부분에 형성될 수도 있고, 상기 적층형 반투과부의 소정 부분에 형성될 수도 있다. 즉, 상기 광차단부(130) 또는 적층형 반투과부 상에 레이져 빔을 조사하여 형성된다. 이와 같이 형성되는 슬릿형 반투과부들의 광투과율은 슬릿의 폭과 높이를 변경함으로써 조정될 수 있다.
이와 같이 형성되는 슬릿형 반투과부와 적층형 반투과부는 조사되는 광의 일부만 통과시키되, 서로 다른 광투과율로 조사되는 광을 투과시킨다.
상기 조사되는 광은 노광기에 따라 그 파장대가 달라질 수 있으므로 별도로 제한되는 것은 아니며, 일반적으로 300㎚∼440㎚ 파장대가 사용된다. 상기 반투과부(130)는 상기 조사되는 광의 일부만 투과시킬 수 있으면 족하고 광투과량에 제한이 있는 것은 아니며, 바람직하게는 조사되는 광의 10％∼90％의 광을 투과시킬 수 있으면 된다.
다음은, 상기와 같은 구조로 이루어진 본 발명인 다중 반투과부를 구비한 하프톤 마스크를 제조하는 공정을 첨부된 도면을 참조하여 설명한다. 도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 제1 실시예에 따른 다중 반투과부를 구비한 하프톤 마스크를 제조하는 공정을 보인 도이다.
먼저 단계 S10에 도시된 바와 같이, 석영(Qz)재의 투명기판(110) 상에 차광물질막(111)과 파지티브(Positive) 성질을 가진 제1 포토레지스트(113)를 순차적으로 형성한다. 그런 후, 상기 제 1 포토레지스트(113)의 상측에서 레이져 빔을 조사하여 제 1 포토레지스트(113) 상에 원하는 패턴을 드로잉(Drawing)한다.
상기 차광물질막은 조사되는 광을 차단하는 물질이면 어떠한 물질도 가능하나, Cr, CrxOy 중 어느 하나 또는 이들의 조합으로 형성된 물질로 형성된다. 상기 첨자는 원소들의 결합에 따라 변하는 자연수이다.
단계(S20)에서는 상기 레이져 빔이 조사된 제 1 포토레지스트(113)의 부위를 현상하여 제거한다. 상기 레이져 빔을 조사할 때는 상기 제1 포토레지스트(113)에 적어도 하나의 슬릿 형상이 형성될 수 있도록 한다. 따라서, 레이져 빔이 조사된 상기 제1 포토레지스트(113)를 현상하게 되면, 적어도 하나의 슬릿 공간부가 형성될 수 있도록 한다.
단계 S30에서는 현상 공정에 의하여 외부로 노출된 차광물질막(111)의 부위를 에칭하여 제거한다. 그런 후, 단계 S40에서 상기 제1 포토레지스트(113)를 제거한다.
그러면, 상기 차광물질막(111) 중, 제거된 부위는 조사되는 소정 파장대의 광을 투과시키는 광투과부(120)가 되고, 잔존하는 부위는 광을 차단시키는 광차단부(130)가 된다. 그리고, 상기 광차광층(111) 중, 슬릿 형상으로 패터닝된 부분이 조사되는 광의 일부만을 통과시키는 슬릿형 반투과부(141)가 된다. 즉, 포토리소그라피 공정으로 차광물질막(111)에 광이 투과하는 광투과부(120)와 광을 차단하는 광차단부(130) 및 광의 일부만을 통과시키는 슬릿형 반투과부(141)가 형성한다.
상기와 같이 슬릿형 반투과부(141)가 형성된 후에는, 상기 광투과부(120) 상에 반투과 물질을 적층하여 적어도 하나의 적층형 반투과부를 형성한다. 상기 형성될 적층형 반투과부는 상기 슬릿형 반투과부(141)와 다른 광투과율로 조사되는 광의 일부만을 통과시킨다.
상기 슬릿형 반투과부(141)와 다른 광투과율을 가지는 적층형 반투과부를 형성시키기 위하여, 먼저 단계 S50에서 광투과부(120), 슬릿형 반투과부(141) 및 광 차단부(130) 상에 제2 포토레지스트(115)를 코팅하여 형성시킨다.
그런 다음, 상기 제2 포토레지스트(115)의 상측에서 레이져 빔을 조사하여 상기 제2 포토레지스트(115) 상에 원하는 패턴을 드로잉(drawing)한다. 그리고, 단계 S60과 같이 상기 레이져 빔이 조사된 상기 제2 포토레지스트(115)의 부위를 현상하여 제거한다. 그러면, 단계 S60에서와 같이 적층형 반투과부(단계 S80에서 도면부호 143으로 표기됨)가 형성될 공간부(150)가 형성된다.
즉, 상기 적층형 반투과부(143)가 형성될 부분에 해당하는 상기 광투과부(120) 부분만 외부로 노출되도록 상기 제2 포토레지스트(115)를 노광 및 현상한다.
상기와 같이 상기 제2 포토레지스트(115)가 노광 및 현상된 후에는, 단계 S70에서와 같이 상기 외부로 노출된 광투과부(120) 상부, 즉 적층형 반투과부(143)가 형성될 공간부(150)와 제2 포토레지스트(115) 상부에 반투과 물질을 적층한다.
즉 단계(S70)에서는 적층형 반투과부(143)가 형성될 공간부(150)와 제2 포토레지스트(115) 상에 조사되는 소정 파장대의 광의 일부만을 투과시키는 반투과 물질 막(160)을 적층하여 형성한다. 상기 반투과 물질막(160)은 스퍼터링(sputtering) 코팅에 의하여 형성한다. 상기 반투과 물질막(160)은 조사되는 소정 파장대의 광을 일부만 통과시킬 수 있는 화학 조성물로 이루어진다.
그런 다음, 단계 S80과 같이, 상기 제2 포토레지스트(115) 및 그 상부에 적층된 반투과 물질막(160)은 리프트 오프(lift-off)법으로 제거시킨다. 그러면, 상기 외부로 노출된 광투과부 상부, 즉 적층형 반투과부(143)가 형성될 공간부(150)에만 상기 반투과 물질막(160)이 잔존하는데, 이 잔존하는 반투과 물질막(160)이 적층형 반투과부(143)가 된다.
상기 적층형 반투과부(143)의 광투과율은 조사되는 소정 파장대의 광을 일부만 통과시킬 수 있는 화학 조성물의 조성비, 두께를 통하여 원하는 대로 조절할 수 있다.
상기와 같이 단계 S50 ~ S80을 통하여, 적층형 반투과부(143)가 형성된다. 즉, 슬릿형 반투과부(141)와 광투과율이 서로 다른 별도의 반투과부가 형성된다.
만약, 또 다른 적층형 반투과부를 형성시키고자 하는 경우에는 상기 단계 S50 ~ S80과 동일한 공정을 거치면 된다. 다만, 또 다른 적층형 반투과부는 투명기 판(110)이 노출되는 광투과부(120) 상에 형성되기 때문에 포토레지스트의 노광 및 현상 부분이 달라질 뿐이다. 즉, 상기 적층형 반투과부를 더 형성하기 위하여 상기 단계 S50 ~ S80이 반복 수행되면 된다. 결과적으로 필요에 따라 무한대의 반투과부를 형성시킬 수 있다.
계속해서, 발명의 이해를 돕기 위해, 또 다른 적층형 반투과부(단계 S120에서 145로 표기됨)를 형성하는 과정에 대하여 간단하게 설명한다.
단계 S90에서와 같이, 슬릿형 반투과부(141)와 적층형 반투과부(143)가 형성된 상태에서, 두개의 반투과부(141, 143), 광차단부(130) 및 광투과부(120) 상에 제3 포토레지스트(117)를 코팅에 의하여 형성한다. 그런 다음, 단계 S100에서와 같이, 레이져 빔을 조사하여 원하는 부분만을 노광시키고, 노광된 부분만을 현상하다. 그러면, 또 다른 적층형 반투과부(145)가 형성될 공간부(170)가 형성된다.
상기와 같이 공간부(170)가 형성된 후에는, 상기 공간부(170)와 상기 제3 포토레지스트(117) 상부에 반투과 물질막(160)을 적층하여 형성시킨다.
즉 단계(S110)에서는 또 다른 적층형 반투과부(145)가 형성될 공간부(170)와 제3 포토레지스트(117) 상에 조사되는 소정 파장대의 광의 일부만을 투과시키는 반투과물질막(160)을 적층하여 형성한다. 상기 반투과물질막(160)은 스퍼터링(sputtering) 코팅에 의하여 형성한다. 상기 반투과물질막(160)은 조사되는 소정 파장대의 광을 일부만 통과시킬 수 있는 화학 조성물로 이루어진다.
그런 다음, 단계 S120과 같이, 상기 제3 포토레지스트(117) 및 그 상부에 적층된 반투과 물질막(160)은 리프트 오프(lift-off)법으로 제거시킨다. 그러면, 상 기 외부로 노출된 광투과부 상부, 즉 또 다른 적층형 반투과부(145)가 형성될 공간부(170)에만 상기 반투과 물질막(160)이 잔존하는데, 이 잔존하는 반투과 물질막(160)이 또 다른 적층형 반투과부(145)가 된다.
상기 또 다른 적층형 반투과부(145)의 광투과율은 조사되는 소정 파장대의 광을 일부만 통과시킬 수 있는 화학 조성물의 조성비, 두께를 통하여 원하는 대로 조절할 수 있다.
상기와 같이 단계 S90 ~ S120을 통하여, 또 다른 적층형 반투과부(145)가 형성된다. 즉, 슬릿형 반투과부(141) 및 처음에 형성된 적층형 반투과부(143)와 광투과율이 서로 다른 별도의 적층형 반투과부(145)가 형성된다.
다음은 첨부된 도면 4a 내지 5b를 참조하여 본 발명의 제2 실시예에 따른 다중 반투과부를 구비한 하프톤 마스크의 제조 공정에 대하여 상세하게 설명한다.
도시된 바와 같이, 단계(S10)에서는 석영(Qz)재의 투명기판(110) 상에 조사되는 광을 차단할 수 있는 물질로 형성된 차광물질막(111)과 파지티브(Positive) 성질을 가진 제 1 포토레지스트(113)를 순차적으로 형성하고, 제 1 포토레지스트(113)의 상측에서 레이져 빔을 조사하여 제 1 포토레지스트(113) 상에 원하는 패턴을 드로잉(Drawing)한다.
단계(S20)에서는 상기 레이져 빔이 조사된 제 1 포토레지스트(113)의 부위를 현상하여 제거하고, 단계(S30)에서는 제 1 포토레지스트(113)의 제거에 의하여 외부로 노출된 차광물질막(111)의 부위를 에칭하여 제거한다.
그리고, 단계(S40)에서는 제 1 포토레지스트(113)를 완전히 제거한다. 그러면, 상기 차광물질막(111) 중, 제거된 부위는 조사되는 소정 파장대의 광을 투과시키는 광투과부(120)가 되고, 잔존하는 부위는 광을 차단시키는 광차단부(130)가 된다. 즉, 포토리소그라피 공정으로 차광물질막(111)에 광이 투과하는 광투과부(120)와 광을 차단하는 광차단부(130)를 형성한다.
다음에는, 조사되는 소정 파장대의 광의 일부만을 투과시키는 반투과 물질을 상기 광투과부(120) 상에 적층하여 적어도 하나의 적층형 반투과부를 형성하는데, 이를 상세히 설명한다.
단계(S50)에서는 광투과부(120)와 광차단부(130) 상에 조사되는 소정 파장대의 광의 일부만을 투과시키는 반투과 물질 막(150)을 적층하여 형성한다. 상기 반투과 물질막(150)은 스퍼터링(sputtering) 코팅에 의하여 형성한다. 상기 반투과 물질막(150)은 조사되는 소정 파장대의 광을 일부만 통과시킬 수 있는 화학 조성물로 이루어진다.
상기와 같은 단계(S50)에서 반투과 물질막(150)을 형성한 후에는, 파지티브(Positive) 성질을 가진 제 2 포토레지스트(155)를 상기 반투과 물질막(150) 상에 코팅하여 형성한다(S60참조). 단계(S60)에서는 레이져 빔을 조사하여 반투과 물질 막(150) 중, 소정의 필요한 부위가 외부로 노출될 수 있도록 상기 제2 포토레지스트(155)를 노광시켜 드로잉하고, 단계(S70)에서는 레이져 빔이 조사된 제 2 포토레지스트(155)의 부위를 현상하여 제거한다.
상기 반투과 물질 막(150) 중 외부로 노출되는 부분은 적층형 반투과부(단계 S80에서 도면부호 145로 표기됨)가 형성될 부분을 제외한 부분 중에서, 상기 반투과 물질 막(150)이 적층된 투명기판(110) 상부면이다.
다음, 단계(S80)에서는 외부로 노출된 반투과 물질 막(150)을 습식식각 에칭에 의하여 투명 기판(110)의 소정 부분이 외부로 노출되도록 하고, 그 후에 남아 있는 반투과물질 막(150) 상에 존재하는 제2 포토레지스트(155)를 제거한다. 그러면, 반투과물질 막(150)은 상기 광차단부(130)와 상기 투명기판(110) 상면 일부에만 남게되고, 상기 투명기판(110) 상면 일부에 남아 있는 광투과 물질 막(150)이 바로 적층형 반투과부(145)에 해당된다.
즉, 광투과부(120) 중 일부 부위에만 조사되는 소정 파장대의 광을 일부만 통과시킬 수 있는 화학 조성물이 코팅되는데, 이것이 조사되는 소정 파장대의 광의 일부만을 투과시키는 적층형 반투과부(145)이다. 상기 적층형 반투과부(145)의 광투과율은 조사되는 소정 파장대의 광을 일부만 통과시킬 수 있는 화학 조성물의 조성비, 두께를 통하여 원하는 대로 조절할 수 있다.
이와 같이 단계 S10 ~ S80을 통해 적층형 반투과부(145)를 형성하게 되면, 광차단부(130)는 반투과 물질막(150)을 포함하게 된다. 적층형 반투과부(145)를 형성하는 경우에, 상기 광차단부(130)가 반투과 물질막(150)을 포함하지 않는 경우에 대하여 첨부된 도 5a 및 도 5b를 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 5a에 도시된 단계 S10 ~ S40은 상기에서 설명한 도 4a에 도시된 단계 S10 ~ S40과 동일하기 때문에 생략하고, 적층형 반투과막(145)을 형성하는 공정을 보여 주는 도 5b에 도시된 공정만 설명한다.
도 5a에 도시된 단계 S40에서와 같이 제1 포토레지스트(113)를 완전히 제거한 후에는, 적층형 반투과부를 형성시키기 위하여, 먼저 단계 S50에서 광투과부(120) 및 광 차단부(130) 상에 제2 포토레지스트(155)를 코팅하여 형성시킨다.
그런 다음, 상기 제2 포토레지스트(155)의 상측에서 레이져 빔을 조사하여 상기 제2 포토레지스트(155) 상에 원하는 패턴을 드로잉(drawing)한다. 그리고, 단계 S60과 같이 상기 레이져 빔이 조사된 상기 제2 포토레지스트(155)의 부위를 현상하여 제거한다. 그러면, 단계 S60에서와 같이 적층형 반투과부(단계 S80에서 도면부호 145으로 표기됨)가 형성될 공간부가 형성된다.
즉, 상기 적층형 반투과부(145)가 형성될 부분에 해당하는 상기 광투과부(120) 부분만 외부로 노출되도록 상기 제2 포토레지스트(155)를 노광 및 현상한다.
상기와 같이 상기 제2 포토레지스트(155)가 노광 및 현상된 후에는, 단계 S70에서와 같이 상기 외부로 노출된 광투과부(120) 상부, 즉 적층형 반투과부(145)가 형성될 공간부와 제2 포토레지스트(155) 상부에 반투과 물질을 적층한다.
즉 단계(S70)에서는 적층형 반투과부(145)가 형성될 공간부와 제2 포토레지스트(155) 상에 조사되는 소정 파장대의 광의 일부만을 투과시키는 반투과 물질 막(150)을 적층하여 형성한다. 상기 반투과 물질막(150)은 스퍼터링(sputtering) 코팅에 의하여 형성한다. 상기 반투과 물질막(150)은 조사되는 소정 파장대의 광을 일부만 통과시킬 수 있는 화학 조성물로 이루어진다.
그런 다음, 단계 S80과 같이, 상기 제2 포토레지스트(155) 및 그 상부에 적 층된 반투과 물질막(150)은 리프트 오프(lift-off)법으로 제거시킨다. 그러면, 상기 외부로 노출된 광투과부 상부, 즉 적층형 반투과부(145)가 형성될 공간부에만 상기 반투과 물질막(150)이 잔존하는데, 이 잔존하는 반투과 물질막(150)이 적층형 반투과부(145)가 된다.
상기 적층형 반투과부(145)의 광투과율은 조사되는 소정 파장대의 광을 일부만 통과시킬 수 있는 화학 조성물의 조성비, 두께를 통하여 원하는 대로 조절할 수 있다.
상기와 같이 도 4a 내지 도 4b 및 도 5a 내지 도 5b를 통해 적층형 반투과부(145)가 형성되면, 상기 적층형 반투과부(145)와 광투과율이 다른 슬릿형 반투과부를 적어도 하나 형성한다. 상기 슬릿형 반투과부는 상기 공정에 의하여 형성된 적층형 반투과부(145)에 레이져 빔을 조사하여 형성될 수도 있고, 상기 광차단부(130)에 레이져 빔을 조사하여 형성될 수도 있다.
계속해서, 첨부된 도 4c 및 도 4d를 참조하여 슬릿형 반투과부를 형성하는 공정에 대하여 설명하다. 이하에서 설명하는 공정은 첨부된 도 4b의 단계 S80 이후에 진행되는 공정이지만, 첨부된 도 5b의 단계 S80 이후에 진행될 수도 있다.
먼저 단계 S90에 도시된 바와 같이, 이미 형성된 적층형 반투과부(145), 광차단부(130) 및 광투과부(120) 상에 파지티브 성질을 가진 제3 포토레지스트(165)를 형성한다.
그런 후, 상기 제3 포토레지스트(165)의 상측에서 레이져 빔을 조사하여 상 기 제3 포토레지스트(165) 상에 원하는 패턴을 드로잉(Drawing)한다.
단계(S100)에서는 상기 레이져 빔이 조사된 제3 포토레지스트(165)의 부위를 현상하여 제거한다. 상기 레이져 빔을 조사할 때는 상기 제3 포토레지스트(165)에 적어도 하나의 슬릿 형상이 형성될 수 있도록 한다. 따라서, 레이져 빔이 조사된 상기 제3 포토레지스트(165)를 현상하게 되면, 적어도 하나의 슬릿 공간부가 형성될 수 있도록 한다.
단계 S110에서는 현상 공정에 의하여 외부로 노출된 상기 광차단부(130) 및 적층형 반투과부(145) 부위를 에칭하여 제거한다. 그런 후, 단계 S120에서 상기 제3 포토레지스트(165)를 제거한다.
그러면, 상기 광차단부(130)와 상기 적층형 반투과부(145) 중 적어도 하나에 슬릿형 반투과부가 형성된다. 도 5c에 도시된 공정에서는 상기 광차단부(130)와 적층형 반투과부(145)에 모두 슬릿형 반투과부(143, 147, 149)가 형성된 것을 예시한다.
상기와 같이 형성된 슬릿형 반투과부(143, 147, 149)들은 미리 형성된 적층형 반투과부(145)와 다른 광투과율을 가지고, 슬릿형 반투과부들 서로 간에도 다른 광투과율을 가진다. 상기 슬릿형 반투과부들(143, 147, 149)은 슬릿 폭을 변경하거나, 슬릿 개수를 달리하거나, 슬릿이 형성되는 공간(적층형 반투과부 또는 광차단부)을 달리하여 서로 간의 광투과율을 달리할 수 있다.
한편, 상기와 같이 슬릿형 반투과부(143, 147, 149)가 형성된 후에는, 상기 광투과부(120) 상에 반투과 물질을 적층하여 적어도 하나의 부가적인 적층형 반투 과부를 더 형성시킬 수 있다. 상기 부가의 적층형 반투과부는 이미 형성된 상기 슬릿형 반투과부들(143, 147, 149) 및 적층형 반투과부(145)와 다른 광투과율로 조사되는 광의 일부만을 통과시킨다.
상기 부가의 적층형 반투과부를 형성시키기 위하여, 먼저 도 4d에 도시된 단계 S130에서와 같이, 광투과부(120), 슬릿형 반투과부(143, 147, 149), 적층형 반투과부(145) 및 광 차단부(130) 상에 제4 포토레지스트(170)를 코팅하여 형성시킨다.
그런 다음, 상기 제4 포토레지스트(170)의 상측에서 레이져 빔을 조사하여 상기 제4 포토레지스트(170) 상에 원하는 패턴을 드로잉(drawing)한다. 그리고, 단계 S140과 같이 상기 레이져 빔이 조사된 상기 제4 포토레지스트(170)의 부위를 현상하여 제거한다. 그러면, 단계 S140에서와 같이 부가의 적층형 반투과부(단계 S160에서 도면부호 141로 표기됨)가 형성될 공간부(171)가 형성된다.
즉, 상기 부가의 적층형 반투과부(141)가 형성될 부분에 해당하는 상기 광투과부(120) 부분만 외부로 노출되도록 상기 제4 포토레지스트(170)를 노광 및 현상한다.
상기와 같이 상기 제4 포토레지스트(170)가 노광 및 현상된 후에는, 단계 S150에서와 같이 상기 외부로 노출된 광투과부(120) 상부, 즉 부가의 적층형 반투과부(141)가 형성될 공간부(171)와 제4 포토레지스트(170) 상부에 반투과 물질을 적층한다.
즉 단계(S150)에서는 부가의 적층형 반투과부(141)가 형성될 공간부(171)와 제4 포토레지스트(170) 상에 조사되는 소정 파장대의 광의 일부만을 투과시키는 반투과 물질 막(175)을 적층하여 형성한다. 상기 반투과 물질막(175)은 스퍼터링(sputtering) 코팅에 의하여 형성한다. 상기 반투과 물질막(175)은 조사되는 소정 파장대의 광을 일부만 통과시킬 수 있는 화학 조성물로 이루어진다.
그런 다음, 단계 S160과 같이, 상기 제4 포토레지스트(170) 및 그 상부에 적층된 반투과 물질막(175)은 리프트 오프(lift-off)법으로 제거시킨다. 그러면, 상기 외부로 노출된 광투과부 상부, 즉 부가의 적층형 반투과부(141)가 형성될 공간부(171)에만 상기 반투과 물질막(175)이 잔존하는데, 이 잔존하는 반투과 물질막(175)이 부가의 적층형 반투과부(141)가 된다.
상기 부가의 적층형 반투과부(141)의 광투과율은 조사되는 소정 파장대의 광을 일부만 통과시킬 수 있는 화학 조성물의 조성비, 두께를 통하여 원하는 대로 조절할 수 있다.
상기와 같이 단계 S130 ~ S160을 통하여, 부가의 적층형 반투과부(143)가 형성된다. 즉, 슬릿형 반투과부(143, 147, 149) 및 이미 형성된 적층형 반투과부(145)와 광투과율이 서로 다른 별도의 반투과부가 형성된다.
만약, 또 다른 부가의 적층형 반투과부를 형성시키고자 하는 경우에는 상기 단계 S130 ~ S160과 동일한 공정을 거치면 된다. 다만, 또 다른 부가의 적층형 반투과부는 투명기판(110)이 노출되는 광투과부(120) 상에 형성되기 때문에 포토레지스트의 노광 및 현상 부분이 달라질 뿐이다. 즉, 상기 부가의 적층형 반투과부를 더 형성하기 위하여 상기 단계 S130 ~ S160이 반복 수행되면 된다. 결과적으로 필 요에 따라 무한대의 반투과부를 형성시킬 수 있다.
다음은, 본 발명의 제3 실시예에 따른 다중 반투과부를 구비한 하프톤 마스크를 제조하는 공정에 대하여 첨부된 도 6a 내지 도 6c를 참조하여 상세하게 설명한다.
도시된 바와 같이, 단계(S10)에서는 석영(Qz)재의 투명기판(110) 상에 반투과물질 막(113)과 조사되는 광을 차단할 수 있는 물질로 형성된 차광물질막(115)을 순차적으로 적층한다. 그리고, 상기 차광물질막(115) 상부에 파지티브 성질을 가진 제1 포토레지스트(160)를 형성한다.
상기 반투과물질 막(113)은 Cr, Si, Mo, Ta, Ti, Al을 주원소로 하여, 상기 주원소물질(주원소로만 이루어진 물질) 또는 상기 주원소들 중 적어도 두개 이상이 혼합된 복합 물질이거나, 상기 주원소 또는 복합 물질에 COx, Ox, Nx 중 적어도 하나가 첨가된 물질로 형성할 수 있다. 상기 첨자는 결합되는 주원소에 따라 변하는 자연수이다.
다음으로, 단계 S20에 도시된 바와 같이, 상기 제1 포토레지스트(160)의 상측에서 레이져 빔을 조사하여 제1 포토레지스트(160) 상에 원하는 패턴을 드로잉(Drawing)한다.
상기 제1 포토레지스트(160) 상에 형성되는 패턴은 풀(full) 노광과 하프(half) 노광을 수행하여 형성된다. 즉, 풀(full) 노광이 수행되는 상기 제1 포토레지스트(160) 부분은 조사되는 빛을 모두 받아 모든 두께에 대하여 반응하고, 하프 (half) 노광이 수행되는 상기 제1 포토레지스트(160) 부분은 조사되는 빛의 일부만을 받아 일정 두께에 대하여만 반응한다.
상기와 같이 풀(full) 노광과 하프(half) 노광을 수행한 후, 상기 노광된 제1 포토레지스트(160) 부분을 현상하면, 단계 S20에 도시된 바와 같이, 풀(full) 노광 영역(161)과 하프(half) 노광 영역(163)이 형성된다.
상기와 같이 풀(full) 노광 영역(161)과 하프(half) 노광 영역(163)이 형성된 후에는, 상기 풀(full) 노광 영역(161)에 노출된 상기 차광물질 막(115)과, 상기 차광물질 막(115) 하부에 존재하는 반투과물질 막(113)을 순차적으로 에칭한다. 그러면, 단계 S30에 도시된 바와 같이, 투명기판(110)이 외부로 노출되는 부분에 해당하는 광투과부(120)가 형성된다.
상기 단계(S30)에서 광투과부(120)를 형성한 후에는, 상기 제1 포토레지스트(160)에 대하여 에싱(ashing) 처리를 수행한다. 그러면, 단계 S40에 도시된 바와 같이, 상기 하프(half) 노광 영역(163)에 잔존하는 제1 포토레지스트(160)는 제거되어 상기 차광물질 막(115)이 외부로 노출되고, 상기 제1 포토레지스트(160)의 높이는 전체적으로 낮아진다.
상기와 같이, 제1 포토레지스트(160)에 대하여 에싱 처리를 수행하여 상기 하프(half) 노광 영역(163)에 위치한 차광물질막(115)이 외부로 노출되면, 단계 S50에 도시된 바와 같이, 상기 외부로 노출된 차광물질막(115)을 부분 에칭함으로써 상기 차광물질 막(115)의 하부에 위치하는 상기 반투과물질 막(113)을 외부로 노출시킨다.
상기와 같이, 외부로 노출된 반투과물질 막(113)이 본 발명의 제3 실시예에 따른 적층형 반투과부(145)에 해당한다. 상기 적층형 반투과부(145)가 형성된 후, 상기 차광물질막(115) 상에 잔존하는 제1 포토레지스트(160)를 제거한다. 그러면, 단계 S60에 도시된 바와 같이, 반투과물질 막(113)과 차광물질막(115)이 적층되어 형성된 광차단부(130)가 형성된다.
상기 적층형 반투과부(145)의 광투과율은 조사되는 소정 파장대의 광을 일부만 통과시킬 수 있는 화학 조성물의 조성비, 두께를 통하여 원하는 대로 조절할 수 있다.
상기 적층형 반투과부(145)는 Cr, Si, Mo, Ta, Ti, Al을 주원소로 하여, 상기 주원소물질(주원소로만 이루어진 물질) 또는 상기 주원소들 중 적어도 두개 이상이 혼합된 복합 물질이거나, 상기 주원소 또는 복합물질에 COx, Ox, Nx 중 적어도 하나가 첨가된 물질로 형성하는 것이 바람직하다. 상기 첨자는 결합되는 주원소에 따라 변하는 자연수이다.
상기와 같이, 적층형 반투과부(145)를 형성한 후에는, 상기 적층형 반투과부(145)와 다른 광투과율을 가지는 슬릿형 반투과부를 적어도 하나 형성할 수 있다. 상기 슬릿형 반투과부는 상기 적층형 반투과부(145) 또는 반투과물질 막(113)과 차광물질막(115)이 적층되어 형성된 광차단부(130)에 레이져 빔을 조사하여 형성될 수 있다.
계속해서, 단계 S70 이하의 공정을 참조하여 적층형 반투과부(145)에 슬릿형 반투과부를 형성하는 과정에 대하여 설명한다.
먼저 단계 S70에 도시된 바와 같이, 이미 형성된 적층형 반투과부(145), 반투과물질 막(113)과 차광물질막(115)이 적층되어 형성된 광차단부(130) 및 광투과부(120) 상에 파지티브 성질을 가진 제2 포토레지스트(170)를 형성한다.
그런 후, 상기 제2 포토레지스트(170)의 상측에서 레이져 빔을 조사하여 상기 제2 포토레지스트(170) 상에 원하는 패턴을 드로잉(Drawing)한다.
단계(S80)에서는 상기 레이져 빔이 조사된 제2 포토레지스트(170)의 부위를 현상하여 제거한다. 상기 레이져 빔을 조사할 때는 상기 제2 포토레지스트(170)에 적어도 하나의 슬릿 형상이 형성될 수 있도록 한다. 따라서, 레이져 빔이 조사된 상기 제2 포토레지스트(170)를 현상하게 되면, 적어도 하나의 슬릿 공간부가 형성될 수 있도록 한다.
단계 S90에서는 현상 공정에 의하여 외부로 노출된 상기 광차단부(130) 또는 적층형 반투과부(145) 부위를 에칭하여 제거한다. 그런 후, 단계 S100에서 상기 제2 포토레지스트(170)를 제거한다.
그러면, 상기 광차단부(130)와 상기 적층형 반투과부(145) 중 적어도 하나에 슬릿형 반투과부(141)가 형성된다. 단계 S100에 도시된 공정에서는 상기 적층형 반투과부(145)에만 슬릿형 반투과부(141)가 형성된 것을 예시한다.
상기와 같이 형성된 슬릿형 반투과부(141)는 미리 형성된 적층형 반투과부(145)와 다른 광투과율을 가진다.
상기와 같은 공정에 의하여 형성된 슬릿형 반투과부(141)와 다른 광투과율을 가지는 부가적인 슬릿형 반투과부를 형성하기 위하여 상기 단계 S60 ~ S100이 반복 수행될 수 있다.
즉, 도 6c에 도시된 단계 S110 ~ S140를 수행함으로써, 상기 적층형 반투과부(140) 및 슬릿형 반투과부(141)와 광투과율이 다른 부가의 슬릿형 반투과부(143)를 형성할 수 있다. 만약, 또 다른 부가 반투과부를 형성시키고자 하는 경우에는 상기 단계 S80 ~ S110과 동일한 공정을 거치면 된다.
다만, 부가의 슬릿형 반투과부(143)는 상기 슬릿형 반투과부(141)가 형성되지 않는 적층형 반투과부(145) 또는 광차단부(130)에 형성되기 때문에 포토레지스트의 노광 및 현상 부분이 달라질 뿐이다. 상기 부가의 슬릿형 반투과부(143)는 슬릿 폭을 변경하거나, 슬릿의 개수를 변경함으로써, 상기 슬릿형 반투과부(141)와 광투과율을 달리 할 수 있다.
이상에서 설명한 실시예에 의하면, 원하는 만큼의 반투과부를 형성시킬 수 있고, 이렇게 완성된 마스크를 이용하면, 복수층을 패터닝할 수 있게 된다. 이와 같은 공정에 의하여 형성되는 다중 반투과부를 구비한 하프톤 마스크는 각 종 평판패널 디스플레이 소자를 제조하는데 이용할 수 있다.
상기와 같은 구성 및 작용 그리고 바람직한 실시예를 가지는 본 발명인 다중 반투과부를 구비한 하프톤 마스크 및 그 제조 방법에 의하면, 하나의 마스크로 다수 싸이클의 포토리소그라피 공정에 적용할 수 있으므로 제조공정이 단축되어 원가 가 절감되는 장점이 있다.
이상에서는, 본 발명의 일 실시예에 따라 본 발명을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 변경 및 변형한 것도 본 발명에 속함은 당연하다.

Claims (9)

  1. 투명기판;
    상기 투명기판 상에 형성되어 조사되는 소정 파장대의 광을 투과시키는 광투과부;
    상기 투명기판 상에 형성되어 조사되는 소정 파장대의 광을 차단시키는 광차단부;
    상기 투명기판 상에 조사되는 소정 파장대의 광을 서로 다른 광투과율로 통과시키는 적어도 두개 이상의 반투과부를 포함하여 이루어지되,
    상기 반투과부는 반투과물질막을 적층하여 적층형반투과부로 형성되는 것을 특징 것을 특징으로 하는 다중 반투과부를 구비한 하프톤 마스크..
  2. 삭제
  3. 투명기판;
    상기 투명기판 상에 형성되어 조사되는 소정 파장대의 광을 투과시키는 광투과부;
    상기 투명기판 상에 형성되어 조사되는 소정 파장대의 광을 차단시키는 광차단부;
    상기 투명기판 상에 조사되는 소정 파장대의 광을 서로 다른 광투과율로 통과시키는 적어도 두개 이상의 반투과부를 포함하여 이루어지되,
    상기 반투과부는 슬릿형 반투과부로 구성되며, 상기 슬릿형 반투과부는 상기 광차단부의 소정 부분에 형성되는 것을 특징으로 하는 다중 반투과부를 구비한 하프톤 마스크.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 반투과부는 상기 슬릿형 반투과부와 반투과물질막을 적층한 적층형 반투과부의 조합으로 이루어지되,
    상기 슬릿형 반투과부는 상기 적층형 반투과부의 소정 부분에 형성되는 것을 특징으로 하는 다중 반투과부를 구비한 하프톤 마스크.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 적층형 반투과부의 광투과율은 반투과 물질막의 조성을 달리하거나, 두께를 달리하여 조정되는 것을 특징으로 하는 다중 반투과부를 구비한 하프톤 마스크.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 반투과 물질막은 Cr, Si, Mo, Ta, Ti, Al을 주원소로 하여, 상기 주원소 물질 또는 상기 주원소들 중 적어도 두개 이상이 혼합된 복합 물질이거나, 상기 주원소 또는 복합물질에 C0x, Ox, Nx 중 적어도 하나가 첨가된 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 다중 반투과부를 구비한 하프톤 마스크.
  7. 청구항 3 또는 청구항 4에 있어서,
    상기 슬릿형 반투과부의 광투과율은 슬릿의 폭과 높이를 변경하여 조정되는 것을 특징으로 하는 다중 반투과부를 구비한 하프톤 마스크.
  8. 투명기판 상에 차광물질막과 제1 포토레지스트를 순차적으로 형성한 후, 노광 및 현상 공정으로 상기 제1 포토레지스트에 적어도 하나의 슬릿 공간부를 형성하는 단계;
    상기 현상 공정에 의하여 노출된 상기 차광물질막을 에칭한 후, 상기 제1 포토레지스트를 제거하여 광차단부, 광투과부 및 슬릿형 반투과부를 형성하는 단계;
    상기 광투과부 상에 반투과 물질을 적층하여 상기 슬릿형 반투과부와 다른 광투과율을 가지는 적어도 하나의 적층형 반투과부를 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 다중 반투과부를 구비한 하프톤 마스크의 제조방법.
  9. 투명기판 상에 차광물질막과 제 1 포토레지스트를 순차적으로 형성하고, 노광 →현상→에칭공정으로 상기 차광물질막에 광이 투과하는 광투과부와 광을 차단하는 광차단부를 형성하는 단계;
    상기 광투과부 상에 소정 파장대의 광의 일부만을 투과시키는 반투과 물질을 적층하여 적어도 하나의 적층형 반투과부를 형성하는 단계;
    상기 적층형 반투과부와 광차단부 중 적어도 하나에 상기 적층형 반투과부와 광투과율이 다른 슬릿형 반투과부를 적어도 하나 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 다중 반투과부를 구비한 하프톤 마스크의 제조방법.
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