KR100802185B1 - 시시디 이미지센서의 이디에스 테스트를 위한 구동드라이브 회로 - Google Patents

시시디 이미지센서의 이디에스 테스트를 위한 구동드라이브 회로 Download PDF

Info

Publication number
KR100802185B1
KR100802185B1 KR1020060083932A KR20060083932A KR100802185B1 KR 100802185 B1 KR100802185 B1 KR 100802185B1 KR 1020060083932 A KR1020060083932 A KR 1020060083932A KR 20060083932 A KR20060083932 A KR 20060083932A KR 100802185 B1 KR100802185 B1 KR 100802185B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
image sensor
ccd image
module
drive module
signal
Prior art date
Application number
KR1020060083932A
Other languages
English (en)
Inventor
김흥식
차승현
이학대
Original Assignee
주식회사 쎄이미지
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 쎄이미지 filed Critical 주식회사 쎄이미지
Priority to KR1020060083932A priority Critical patent/KR100802185B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100802185B1 publication Critical patent/KR100802185B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/282—Testing of electronic circuits specially adapted for particular applications not provided for elsewhere
    • G01R31/2831—Testing of materials or semi-finished products, e.g. semiconductor wafers or substrates
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/317—Testing of digital circuits
    • G01R31/3181—Functional testing
    • G01R31/319—Tester hardware, i.e. output processing circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14687—Wafer level processing
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

본원발명은 CCD 이미지센서의 EDS(Electrical Die Sorting:이하 'EDS'라고 한다.) 공정에 사용되는 DUT(Device Under Test:이하 'DUT'라고 한다.) 보드에 있어서,
CCD 이미지센서의 수평전송채널을 구동시키는 수평 구동 드라이브 모듈과 CCD 이미지센서 사이에, 가변 저항과 가변 콘덴서로 구성된 로우 패스 필터 회로를 추가 설계함으로써, DUT 보드의 수평 구동 드라이브 모듈이 CCD 이미지센서의 특성에 맞는 수평전송채널 구동 파형을 출력하고, 수평 구동 드라이브 모듈을 통해 유입되는 노이즈를 제거하여, 고주파수로 구동되는 CCD 이미지센서에서도 깨끗한 출력신호로 EDS 테스트가 가능하도록 하는 CCD 이미지센서의 EDS 테스트를 위한 구동 드라이브 회로에 관한 것이다.
EDS 공정, CDS 샘플링, 로우 패스 필터, CCD 이미지센서, DUT 보드

Description

시시디 이미지센서의 이디에스 테스트를 위한 구동 드라이브 회로{ EDS test for drive circuit }
도 1은 CDS 샘플링을 위한 EDS 테스트 시스템 구성도이다.
도 2는 CDS 샘플링을 하는데 필요한 두 점의 위치를 나타낸 도이다.
도 3은 종래의 CCD 이미지센서(21)를 9MHz의 고 주파수로 구동한 출력모듈(25)의 출력 파형을 나타낸 도이다.
도 4는 본원발명에 의한 일실시 예로 설계된 DUT보드(20)의 블록도이다.
도 5는 도 4의 일실시 예에 따라 CCD 이미지센서(21)를 9MHz의 고 주파수로 구동한 출력파형을 나타낸 도이다.
<도면의 주요 부분에 관한 부호의 설명>
10: EDS 테스트 장비 20: DUT 보드
21: CCD 이미지센서 웨이퍼 22: 수평 구동 드라이브 모듈
22-a: 반도체 칩, 전류 증폭 버퍼 22-b: 로우 패스 필터회로
23: 수직 구동 드라이브 모듈 24: 전압 바이어스 모듈
25: 출력모듈
본원발명은 다수의 CCD 이미지센서(21)로 형성된 웨이퍼의 분석방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 EDS공정에 사용되는 DUT보드(20)에 있어서, CCD 이미지센서를 구동하는 구동 드라이브 회로의 노이즈 영향을 최대한 줄여 출력모듈(25)의 깨끗한 출력 파형을 얻기 위한 CCD 이미지센서의 입력 구동 드라이브 회로 구현 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체소자는 먼저 FAB 공정을 수행함으로써, 웨이퍼 상에 소정의 막들을 형성시켜 그 막을 일정 패턴(Pattern)으로 형성하고, 이어서 EDS 공정을 수행함으로써, 상기 FAB공정 후 웨이퍼를 구성하는 칩들의 전기적 상태를 검사한다.
그리고 상기 웨이퍼상의 수많은 칩들을 분리하기 위해 다이아몬드 톱을 사용하여 웨이퍼를 절단하여 조립하는 어셈블리 공정을 수행하고, 낱개로 분리되어 있는 칩 중 EDS 테스트에서 양품으로 판정된 칩을 프레임 위에 붙이는 칩 집착(Die Bonding)공정과, 칩 내부의 외부연결단자와 리드프레임을 가는 금선으로 연결해주는 금속연결(Wire Bonding)공정 후, 최종적으로 연결 금선 부분을 보호하기 위해 화학수지로 밀봉해 주는 성형(Molding)공정을 함으로서, 하나의 완성된 반도체 소자가 제조된다.
이렇게 패키지 상태로 완성된 반도체 칩은 다시 최종 테스트(Final Test)를 거쳐 정상적인 기능을 갖는 하나의 CCD 이미지센서로 완성된다.
상기와 같은 제조 과정으로 완성되는 CCD 이미지센서는, 어느 한 부분이라도 결함이 있으면 버려야 하기 때문에, 제조 공정에서 부딪히는 실수나 문제점을 줄여 불량률을 최소화 하여야 한다.
또한, 양품이 구별되지 않은 상태에서 최종 패키징 공정으로 들어간다면 불량 칩까지 패키징되어 불필요한 가공비가 발생하는 결과를 가져오게 된다. 이러한 비용을 절감하기 위해 조립 전 EDS 테스트와 조립 후 최종 테스트는 반도체 공정에 있어서 중요한 테스트이다.
특히, 조립 전 EDS 테스트를 실행함으로써, 웨이퍼를 구성하고 있는 각 칩의 양품 및 불량품을 선별하고, 불량 칩 중에서 수리 가능한 칩은 재생함으로서 제조 과정에서 발생하는 불량률을 줄이며, 수리가 불가능한 불량 칩은 조기 제거함으로서 패키징 비용 및 패키지 검사 라인의 테스트 비용을 절감할 수 있다.
이러한 EDS 테스트 과정에서, CCD 이미지센서에서 출력되는 아날로그 신호를 데이터 처리하기 위해 디지털 신호로 변환하게 되는데, 이때 출력되는 아날로그 신호는 각종 펄스에 의한 커플링, 열잡음 등의 신호 유입으로 랜덤 잡음(Random Noise)이 발생하게 된다. 그래서 잡음을 제거하기 위해 상관 이중 샘플링(Correlated Double Sampling, 이하 CDS라 함)과정을 거쳐 디지털 신호로 컨버팅(Converting)한다.
하지만 상기와 같이 EDS 테스트 과정에서 발생되는 랜덤 잡음은 CCD 이미지센서가 고화소화 될수록 화소 수에 비례하여 커지게 된다.
이하 종래의 EDS 테스트를 위한 시스템 구성과 출력모듈(25)에 노이즈를 발생시키는 원인에 관해 상세히 설명하도록 한다. 도 1은 CDS 샘플링을 위한 EDS 테스트 시스템 구성도이다.
상기한 CDS 샘플링을 위한 EDS 테스트 장비(10)와 DUT보드(20)의 구성을 도 1을 참조하여 살펴보면 다음과 같다.
먼저 웨이퍼위에 하나의 CCD 이미지센서 칩을 장착시키기 위한 소켓(미도시)이 구비되고, 상기 소켓의 주연부에는 다수의 구동 모듈이 구비되어 테스트 신호를 출력하는 EDS 장비로부터 제어신호를 전달 받아 CCD 이미지센서로 전달해주는 DUT보드(20)와, 상기 DUT보드(20)의 CCD 이미지센서를 구동시키는 제어신호를 출력하고, 구동된 CCD 이미지센서에서 출력되는 신호를 입력받아 사용자가 각종 테스트를 할 수 있도록 다양한 테스트 장비를 구비하며, CCD 이미지센서의 테스트 결과를 화 면으로 출력하는 EDS 테스트 장비(10)로 구성된다.
여기서 상기 DUT보드(20)는 보다 상세하게, 소켓위에 장착되어 빛을 영상신호로 광전 변환하는 CCD 이미지센서(21)와, 상기 CCD 이미지센서(21)의 수평전송채널을 구동시키는 수평 구동 드라이브 모듈(22)과, 수평 구동 드라이브 모듈(22)의 전류를 증폭하는 반도체 칩(22-a)과, 수직전송채널을 구동시키는 수직 구동 드라이브 모듈(23)과, CCD 이미지센서(21)의 OFD(Over Flow Drain 이하 OFD라고 한다.) 및 기본 동작을 위해 인가하는 전압 바이어스 모듈(24)과, CCD 이미지센서(21)에서 검출된 신호를 EDS 테스트 장비로 출력하는 출력모듈(25)로 구성된다.
상기와 같이 구성된 EDS 테스트 시스템의 동작은, EDS 테스트 장비(10)로부터 CCD 이미지센서(21)를 동작시키기 위한 각종 구동신호가 DUT보드(20)로 출력되고, DUT보드(20)는 EDS 테스트 장비(10)로부터 입력받은 구동신호를 전압 바이어스 모듈(24)을 통해 CCD 이미지센서로 입력하고, 각 수직 및 수평 구동 드라이브 모듈(22)을 통해 CCD 이미지센서로 입력하여 CCD 이미지센서를 동작시키며, 상기 구동 전압의 입력으로 동작하는 CCD 이미지센서(21)는 포토다이오드에서 광전변환 과정을 거쳐 수직전송채널과 수평전송채널을 차례로 통과하여 플로팅디퓨전(Floating Diffusion)영역에 축적되고, 축적된 신호전하는 센싱앰프(Sense Amp)를 거쳐 입사한 빛의 세기에 비례하여 아날로그 전압으로 검출하게 된다. 이때 검출된 전압은 최종적으로 출력모듈(25)을 통해 EDS 테스트 장비(10)로 피드백 된다.
이어서 EDS 테스트 장비(10)로 피드백된 아날로그 전압은 CDS 샘플링 과정을 거쳐 디지털 영상 신호를 출력하고, 사용자로부터 양, 불량을 선별하는 테스트를 받게 된다. 이때 상기에서 실시한 CDS 샘플링 방법은, 통상적으로 실시되는 더블 샘플링 방법으로 한 픽셀마다 두 번 샘플링하게 되는데 출력 주파수 파형에서 더블 샘플링 되는 위치를 도 2를 참고하여 설명한다.
도 2는 CDS 샘플링을 하는데 필요한 두 점의 위치를 나타낸 도이다.
도 2와 같이 리셋(reset)신호 입력 후에 신호가 없는 평평한 구간(ΦR)에서 한번 샘플링하고, 빛에 반응한 최대 신호구간(ΦS)에 또 한 번 샘플링 하는 방법으로 샘플링 된다. 여기서 샘플링 위치를 찾는 일은 사람의 눈에 의지해 파형의 모양을 보고 샘플링 타이밍 구간을 찾게 되는데, 계속적으로 그 위치에서 샘플링이 되도록 EDS 테스트 장비(10)에 타이밍 위치를 입력해주게 된다.
따라서 출력모듈(25)로 출력되는 아날로그 신호의 샘플링 모양이 사람의 눈으로 구분 가능하도록 분명해야만 샘플링이 되는 위치의 타이밍 값을 정확히 알 수 있게 된다.
한편, 최근 CCD 이미지센서가 메가급 이상 고화소화 될수록 부하용량(capacitance)의 증가 및 구동 주파수 상향에 따라, [수학식 1]과 같이 부하 용량을 반복적으로 충방전하는데는 높은 전류가 사용되어 전체 소비 전력은 증가하게 된다.
[수학식 1]
Figure 112006063288243-pat00001
(f: 구동 주파수, C: 부하 용량, V: 전압 진폭, A: 전류)
보다 상세하게 일반적인 CCD 이미지센서의 수직전송채널의 구동에 있어서, 동작 주파수는 10~20kHz, 부하 용량은 500~2000pF, 전압 진폭은 5~10V 정도이며, 이에 따른 소비 전력은 0.13mW~4mW 정도의 범위이고, 수평전송채널의 구동에 있어서는, 동작주파수는 8~40MHz, 부하 용량은 10~50pF, 전압 진폭은 3~5V 정도이며, 이에 따른 소비 전력은 0.72mW~50mW로서, 결과적으로 수평전송채널은 수직전송채널 에 비해 상대적으로 큰 구동 신호를 필요로 하게 되므로, 수평 구동 드라이브 모듈(22) 회로에 의한 신호지연이 생기는 문제가 발생한다.
실제로 수평전송채널의 입력파형에 의해서 CCD 이미지센서의 출력신호가 영향을 많이 받는다는 것은 실험을 통해 확인할 수 있다. 이하 도 3을 참고하여 실험 결과를 살펴본다.
도 3은 상기 실험 결과 파형으로, 수평 구동 드라이브 모듈(22)을 저 주파수로 구동한 CCD 이미지센서의 출력 파형을 나타낸 도이다.
여기서 확인 할 수 있듯이, 도 3의 출력파형은 노이즈로 인한 리플(Ripple)이 생겨 신호파형의 모양을 구분하기 어려우며, 더욱이 한 주기(1 Cycle)동안 출력되는 출력파형에서 ΦR 구간과 ΦS 구간을 구분하기는 어려움을 확인 할 수 있다.
상기의 실험 결과와 같이 출력신호에 리플이 발생하는 원인의 하나로, 수평전송채널을 구동하는 수평 구동 드라이브 모듈(22)이 높은 주파수로 인해 노이즈가 실린 채 CCD 이미지센서로 입력되므로 출력신호에 영향을 끼치게 된다.
따라서 CCD 이미지센서의 출력파형에 직접적인 영향을 주는 수평 구동 드라이브 모듈(22)을 안정화하여 고주파수에서도 노이즈의 영향을 받지 않고 깨끗한 출력 파형을 얻을 수 있는 구동 드라이브 회로를 설계하는 것이 해결해야할 첫 번째 과제이다.
또한, CCD 이미지센서를 구동하기 위해서는 MHz단위의 입력신호가 필요하지만, 장비의 배치상의 이유로 EDS 테스트 장비(10)에서 DUT보드(20)까지의 회로 길이가 길어지면 입력신호가 약해져 CCD 이미지센서를 구동하기가 어렵게 된다. 그래서 통상적으로 전류 구동 능력을 향상시키기 위해서 전류 증폭 버퍼(22-a)를 수평 구동 드라이브 모듈(22)에 적용하고 있는데, 이 전류 증폭 버퍼(22-a)로 사용되는 반도체 칩(22-a)특성에 의하여 CCD 이미지센서의 입력 조건에 적합하지 않은 슬루 율(slew rate)이 생기게 되는 문제점이 있다.
따라서 슬루율(slew rate)을 갖는 반도체 칩(22-a)의 출력파형을 CCD 이미지센서의 수평전송채널 입력에 적합한 신호파형으로 변화시켜야 하는 것이 해결해야할 두 번째 과제이다.
그러나 아직 까지는 고화소의 CCD 이미지센서가 대중화 되지 않아 일부 기업에 의해서만 개발 및 생산되는 실정임으로 상기한 문제에 대한 해결책이 마련되지 않은 실정이다.
또한 상기한 문제를 해결하기 위해 높은 슬루율을 갖는 드라이브 회로를 설계하거나, 특수 장비를 설치할 수도 있겠지만 이 경우 대부분의 장비가 고가라는 단점이 있다.
본원발명은 상기한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, DUT보드(20)의 수평 구동 드라이브 모듈(22)에 필터회로를 추가 설계함으로써, 반도체 칩(22-a)의 특성에 의해 변형된 파형을 CCD 이미지센서에서 요구되는 입력파형으로 변화하고, 고주파수로 인한 노이즈를 제거하여 수평 구동 드라이브 모듈(22)을 통해 유입되는 노이즈를 제거하여 전류 구동 능력을 높이고, 고화소의 CCD 이미지센서에서 도 깨끗한 출력신호를 얻을 수 있어 최적화된 상태에서 EDS 테스트가 가능하도록 하는 것을 다른 목적으로 한다.
또한 본원발명은 높은 주파수 구동에 의한 노이즈 영향을 줄이기 위해 로우 패스 필터를 구동 드라이브 회로에 추가함으로써, 낮은 비용으로 회로를 구성하여 EDS 테스트의 효율을 높이는 것을 다른 목적으로 한다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본원발명은 DUT보드(20)에서 수평 구동 드라이브 모듈(22)과 CCD 이미지센서의 수평 구동신호 입력 단 사이에 안정된 입력파형을 위한 필터회로를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
이하 본원발명에 따른 로우 패스 필터회로(22-b)를 추가 설계한 DUT보드(20)의 일실시 예를 도 4를 참조하여 설명한다. 도 4는 본원발명에 의한 일실시 예로 설계된 DUT보드(20)의 블록도이다.
도 4에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼위에 하나의 CCD 이미지센서 칩을 장착시키기 위한 소켓위에 놓여지는 CCD 이미지센서(21)와, 상기 CCD 이미지센서(21)의 수평전송채널을 구동시키는 수평 구동 드라이브 모듈(22)과, 수평 구동 드라이브 모듈(22)의 전류를 증폭하는 반도체 칩(22-a)과, 상기 수평 구동 드라이브 모듈(22) 과 CCD 이미지센서(21) 사이에 가변 저항과 가변 콘덴서로 구성된 로우 패스 필터회로(22-b)와, 수직전송채널을 구동시키는 수직 구동 드라이브 모듈(23)과, CCD 이미지센서(21)의 OFD 및 기본 동작을 위해 인가하는 전압 바이어스 모듈(24)과, 촬상된 영상신호를 아날로그 신호로 출력하는 출력모듈(25)로 구성된다.
여기서 상기 DUT보드(20)의 수평 구동 드라이브 모듈(22)과 로우 패스 필터회로(22-b)의 보다 상세한 회로 구성은, 수평 구동 드라이브 모듈(22)의 끝단에 EDS 장비로부터 거리가 멀어짐에 따라 감소하는 주파수를 증폭하기 위해 전류 증폭 버퍼(22-a)를 갖는 반도체 칩(22-a)과, 상기 반도체 칩(22-a)에 직렬로 연결되어 저항을 가변 할 수 있도록 회로에 추가된 가변 저항과, 상기 가변저항과 병렬로 연결되어 콘덴서의 용량을 가변 할 수 있도록 회로에 추가된 가변콘덴서로 구성된 로우 패스 필터회로(22-b)는 CCD 이미지센서의 수평 구동 입력단자와 회로 적으로 연결된 구조로 설계된다.
이때, 상기 가변저항은 저항 값을 가변함으로써, 슬루율(slew rate)을 갖는 반도체 칩(22-a)의 출력파형을 CCD 이미지센서에서 요구되는 수평구동파형에 맞도록 조절할 수 있으며, 상기 가변콘덴서는 주파수의 높고 낮음에 맞춰 노이즈의 영향을 최소화 하도록 조절 할 수 있다.
상기와 같이 DUT보드(20)와 EDS 테스트 장비(10)로 구성된 EDS 테스트 시스 템의 동작은, EDS 테스트 장비(10)로부터 CCD 이미지센서를 동작시키기 위한 각종 구동신호가 DUT보드(20)로 출력되고, DUT보드(20)는 EDS 테스트 장비(10)로부터 입력받은 구동신호를 전압 바이어스 모듈(24)을 통해 CCD 이미지센서로 입력하고, 수직 구동 드라이브 모듈(23)을 통해 CCD 이미지센서 수직전송채널의 제어신호로 입력하며, 수평 구동 드라이브 모듈(22)을 통해 출력된 신호는 로우 패스 필터회로(22-b)를 통해 노이즈가 제거된 안정된 파형으로 CCD 이미지센서 수평전송채널의 제어신호로 입력되어 CCD 이미지센서가 동작한다.
계속해서 상기 구동 전압의 입력으로 동작하는 CCD 이미지센서는 포토다이오드에서 광전변환 과정을 거쳐 수직전송채널과 수평전송채널을 차례로 통과하여 플로팅디퓨전(Floating Diffusion)영역에 축적되고, 축적된 신호전하는 센싱앰프(Sense Amp)를 거쳐 입사한 빛의 세기에 비례하여 아날로그 전압으로 검출하게 된다. 그리고 검출된 전압은 최종적으로 출력모듈(25)을 통해 EDS 테스트 장비(10)로 피드백 된다.
이어서 EDS 테스트 장비(10)로 피드백된 아날로그 전압은 CDS 샘플링 과정을 거쳐 디지털 영상 신호를 출력하여 사용자로부터 양, 불량을 선별하는 테스트를 받게 된다. 이때 EDS로 피드백 되는 아날로그 전압은 고주파 노이즈가 제거되어 깨끗한 출력 파형을 얻을 수 있고, 이 파형으로 CDS 샘플링을 하여 최적화된 EDS 테스트를 수행할 수 있게 된다.
여기서 본원발명에 따른 CCD 이미지센서의 출력파형을 도 5를 참조하여 설명한다. 도 5는 도 4의 일실시 예에 따라 CCD 이미지센서를 9MHz의 고 주파수로 구동한 출력파형을 나타낸 도이다.
도 5에 보이는 바와 같이, 노이즈가 제거되어 도 2의 이상적인 CCD OUT 파형과 동일한 모양을 가지며, 리셋(Reset)구간 후에 신호가 없는 구간(ΦR)과 신호의 최대 출력 구간(ΦS)을 눈으로 명확히 구분할 수 있다.
상술한 설명에 있어서, 가변저항과 가변콘덴서로 구성된 로우 패스 필터(22-b)회로를 일 실시예로서 설명하였지만, 예를 들어 능동필터를 가지는 회로를 설계에 추가하여도 된다. 따라서 본원발명의 적용 범위는 특정 필터회로에 한정되는 것은 아니다.
본원발명에 따른 DUT보드(20)는, 수평 구동 드라이브 모듈(22)에 로우 패스 필터회로(22-b)를 추가 설계함으로써, 높은 주파수 입력을 필요로 하는 고화소의 CCD 이미지센서의 EDS 테스트 시에 수평 구동 드라이브 모듈(22)을 통해 유입되는 노이즈를 제거하고, 이상적인 입력파형을 CCD 이미지센서로 입력할 수 있어, CCD 이미지센서의 깨끗한 출력파형을 얻어 EDS 테스트를 최적화할 수 있는 이점이 있 다.
또한 CCD 이미지센서의 구동 입력신호로 이상적인 파형을 얻기 위해서 가변저항과 가변콘덴서를 사용함으로써, 저가의 비용으로 회로를 구성하여 EDS 테스트 효율을 높일 수 있는 이점이 있다.

Claims (2)

  1. 삭제
  2. 소켓 위에 장착되어 빛을 영상신호로 광전변환하는 CCD 이미지센서(21)와, 상기 CCD 이미지센서(21)의 수평전송채널을 구동시키는 수평 구동 드라이브 모듈(22)과, 수평 구동 드라이브 모듈(22)의 전류를 증폭하는 반도체 칩(22-a)과, 수직전송채널을 구동시키는 수직 구동 드라이브 모듈(23)과, CCD 이미지센서(21)의 OFD(Over Flow Drain 이하 OFD라고 한다.) 및 기본 동작을 위해 인가하는 전압 바이어스 모듈(24)과, CCD 이미지센서(21)에서 검출된 신호를 EDS 테스트 장비로 출력하는 출력모듈(25)로 이루어진 통상의 DUT(Device Under Test)보드(20)에 있어서,
    상기 수평 구동 드라이브 모듈(22)과 CCD 이미지센서(21) 사이에는 가변 저항과 가변 콘덴서로 구성되어 입력 파형을 안정화시켜주는 로우 패스 필터회로(22-b)가 더 포함되어 이루어진 것을 특징으로 하는 CCD 이미지센서의 EDS 테스트를 위한 구동 드라이브 회로.
KR1020060083932A 2006-09-01 2006-09-01 시시디 이미지센서의 이디에스 테스트를 위한 구동드라이브 회로 KR100802185B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060083932A KR100802185B1 (ko) 2006-09-01 2006-09-01 시시디 이미지센서의 이디에스 테스트를 위한 구동드라이브 회로

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060083932A KR100802185B1 (ko) 2006-09-01 2006-09-01 시시디 이미지센서의 이디에스 테스트를 위한 구동드라이브 회로

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100802185B1 true KR100802185B1 (ko) 2008-02-11

Family

ID=39342811

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060083932A KR100802185B1 (ko) 2006-09-01 2006-09-01 시시디 이미지센서의 이디에스 테스트를 위한 구동드라이브 회로

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100802185B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108495065A (zh) * 2018-02-01 2018-09-04 中国科学院国家空间科学中心 一种帧转移型面阵ccd的驱动时序控制方法
CN114814714A (zh) * 2022-06-30 2022-07-29 国网湖北省电力有限公司营销服务中心(计量中心) 一种兼容不同类型智能电能表检测的光电采样装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108495065A (zh) * 2018-02-01 2018-09-04 中国科学院国家空间科学中心 一种帧转移型面阵ccd的驱动时序控制方法
CN108495065B (zh) * 2018-02-01 2020-11-06 中国科学院国家空间科学中心 一种帧转移型面阵ccd的驱动时序控制方法
CN114814714A (zh) * 2022-06-30 2022-07-29 国网湖北省电力有限公司营销服务中心(计量中心) 一种兼容不同类型智能电能表检测的光电采样装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10586822B2 (en) Semiconductor module, MOS type solid-state image pickup device, camera and manufacturing method of camera
KR100737916B1 (ko) 이미지 센서 그리고 그것을 위한 테스트 시스템 및 테스트방법
CN100454985C (zh) 固态图像拾取装置
KR101354127B1 (ko) 물리량 분포 검출 장치 및 촬상 장치
CN1242608C (zh) 相关二次采样电路和包含该电路的cmos图象传感器
CN102386195A (zh) 半导体集成电路、电子设备、固态摄像装置和摄像装置
TW201337828A (zh) 用於高速成像應用之整合式多通道類比前端設備及數位轉化器
EP3220627A1 (en) Light detection device, image-capturing device, and image-capturing element
US20090184237A1 (en) Photodetector
CN103312998A (zh) 固态成像装置、驱动方法、和电子设备
US7268812B2 (en) Solid-state image pickup device and pixel defect testing method thereof
KR100536107B1 (ko) 고체촬상소자, 불량화소 변환방법, 결함 보정방법 및 전자정보장치
RU2390878C1 (ru) Устройство восприятия изображений и система формирования изображений
US8872097B2 (en) Low-flux and low-noise detection circuit having a readout circuit with shielded integration node
KR100802185B1 (ko) 시시디 이미지센서의 이디에스 테스트를 위한 구동드라이브 회로
JP2010508735A (ja) センサ・セル、イメージング・センサ装置、該イメージング・センサ装置の動作方法、及び該イメージング・センサ装置の設計方法
CN101124817A (zh) 固态图像摄取装置的驱动方法以及固态图像摄取装置
US20100141263A1 (en) System and method for testing an image sensor using gradation image capture
CN101212580A (zh) Cmos图像传感器
JP4347820B2 (ja) 撮像装置
US6545776B1 (en) Image sensor IC, facsimile apparatus and image scanner apparatus using the image sensor ICS
JP2013247205A (ja) 固体撮像装置、固体撮像装置の組立方法、および電子情報機器
CN115150570B (zh) 基于数字电路的双采样信号处理电路及显示面板检测设备
Takemoto et al. Characterization of 4 Million Micro-Bump Interconnections at 7.6-$\mu\text {m} $ Pitch for 3-D Stacked 16 Million Pixel Image Sensor
US8587700B2 (en) Method of detecting defects in image sensor, tester for the method, and control signal generator for the method

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee