KR100802119B1 - 스위치를 이용한 가변 축퇴 임피던스 제공회로, 및 이를 이용한 전자회로 - Google Patents

스위치를 이용한 가변 축퇴 임피던스 제공회로, 및 이를 이용한 전자회로 Download PDF

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Abstract

가변 축퇴 임피던스를 제공하는 회로가 개시된다. 본 회로는, 교차 연결된 2개의 트랜지스터, 각 트랜지스터의 출력 단자 사이를 직렬로 연결하는 커패시터 단, 및, 소정의 제1 제어 신호에 따라, 커패시터 단 및 출력 단자 사이의 연결상태를 온/오프 제어하는 스위치를 포함한다. 이 경우, 커패시터 단과 병렬로 배치되어, 2개의 트랜지스터 각각의 출력 단자 사이를 직렬로 연결하는 적어도 하나의 서브 커패시터 단, 및, 서브 커패시터 단 및 출력 단자 사이의 연결 상태를 온/오프 제어하는 적어도 하나의 서브 스위치를 더 포함할 수도 있다. 이에 따라, 축퇴 커패시턴스를 조정함으로써 축퇴 임피던스의 크기를 조정할 수 있게 된다. 본 회로는 전압 제어 발진 회로 및 주파수 분주 회로에 사용될 수 있다.
축퇴 임피던스, 커패시터, 스위치, 전압 제어 발진 회로

Description

스위치를 이용한 가변 축퇴 임피던스 제공회로, 및 이를 이용한 전자회로 { Variable degeneration impedance supply circuit for using switch, and electronic circuits therewith }
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 가변 축퇴 임피던스 제공회로의 구성을 나타내는 회로도,
도 2는 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 가변 축퇴 임피던스 제공회로의 구성을 나타내는 회로도,
도 3은 도 2의 가변 축퇴 임피던스 제공회로에서 제어신호에 따라 변화되는 회로 구성을 나타내는 회로도,
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 전압 제어 발진 회로의 구성을 나타내는 회로도, 그리고,
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 주파수 분주 회로의 구성을 나타내는 회로도이다.
* 도면 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
110 : 커패시터 단 310 : LC 탱크단
320 : 트랜지스터 단 330 : 축퇴 임피던스 조정단
410 : 차동입력신호검출단 420 : 트랜지스터 단
430 : 축퇴 임피던스 조정단
미국 특허 US 6304146호에는 본 발명의 배경 지식이 되는 듀얼 밴드 주파수 합성 장치 및 방법이 개시되고 있다.
본 발명은 가변 축퇴 임피던스 제공회로 및 이를 이용한 전자회로에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 스위치 및 커패시터를 이용하여 축퇴 임피던스를 변화시킬 수 있는 가변 축퇴 임피던스 제공회로 및 이를 이용한 전자회로에 관한 것이다.
전자 기술의 발달에 힘입어, 점차 다양한 종류의 전자기기가 개발되어 보급되고 있다. 각 전자기기는 각종 패시브 및 액티브 전기 소자가 조합된 전자 회로를 포함하고 있다. 그 중, 대표적인 것으로, 전압 제어 발진기(Voltage Controlled Oscillator : VCO) 및 주파수 분주기 (Frequency divider) 등이 있다.
전압 제어 발진기는 외부에서 인가된 전압으로 원하는 발진 주파수를 출력할 수 있게 해주는 장치이고, 주파수 분주기는 입력 신호의 주파수를 소정 분주 비율로 나누어 주는 장치이다. 이러한 전압 제어 발진기 및 분주기는 이동 통신 단말기, 아날로그 음향 합성장치 등에서 주로 쓰인다.
한편, 이러한 전자 회로에서는 입력 신호에 노이즈가 삽입될 수 있다. 이에 따라, 저항, 커패시터 등을 조합하여 축퇴 임피던스(degeneration impedance)를 제 공함으로써, 전체 출력 신호의 크기를 감쇠시켜 노이즈가 제거될 수 있도록 한다.
일반적으로, 축퇴 임피던스를 제공하기 위해서는 교차 연결된 트랜지스터 쌍(cross coupled transistor pair)을 이용한다. 하지만, 축퇴 임피던스의 크기가 고정되어 있으면, 멀티 밴드 주파수 신호에 이용할 수 없게 된다는 문제점이 있었다. 이에 따라, 종래의 축퇴 임피던스 제공 회로에서는, 출력 신호의 주파수 튜닝을 위해서 가변 커패시터(varactor)를 사용하였다. 예를 들어, 전압 제어 발진기의 경우, 발진 주파수는 병렬로 연결된 인덕터 및 커패시터의 공진 주파수에 의하여 결정된다. 이 경우, 발진 주파수를 변화시키기 위해서는 전압 제어 가변 커패시터(배랙터 : varactor)를 사용한다. 배랙터는 입력 전압에 따라 커패시턴스의 값이 변화하므로, 발진 주파수를 변경시킬 수 있게 된다. 하지만, 가변 커패시터를 이용한 주파수 튜닝은 소정의 중심 주파수 주변 대역에서만 가능하므로, 멀티 밴드 영역에서 동작하는 전자 회로에 적용하기에는 무리가 있다는 문제점이 있었다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은, 커패시터와 연결된 스위치를 제어함으로써 축퇴 임피던스의 크기를 정밀하게 조정시킬 수 있는 가변 축퇴 임피던스 제공회로를 제공함에 있다.
본 발명의 또다른 목적은 가변 축퇴 임피던스 제공회로를 이용함으로써 멀티 밴드에서 동작할 수 있는 전압 제어 발진회로, 및 주파수 분주 회로를 제공함에 있다.
이상과 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시 예에 따르면, 가변 축퇴 임피던스 제공 회로는, 교차 연결된 2개의 트랜지스터, 소정의 커패시턴스를 가지며, 상기 2개의 트랜지스터 각각의 출력 단자 사이를 직렬로 연결하는 커패시터 단, 및, 소정의 제1 제어 신호에 따라, 상기 커패시터 단 및 상기 출력 단자 사이의 연결상태를 온/오프 제어하는 스위치를 포함한다.
바람직하게는, 상기 2개의 트랜지스터는 MOS 트랜지스터이며, 상기 출력 단자는 소스 단자가 될 수 있다.
또한 바람직하게는, 상기 커패시터 단은, 직렬로 연결된 적어도 하나의 커패시터를 포함할 수 있다.
보다 바람직하게는, 본 가변 축퇴 임피던스 제공 회로는, 상기 커패시터 단과 병렬로 배치되어, 상기 2개의 트랜지스터 각각의 소스 단자 사이를 직렬로 연결하는 적어도 하나의 서브 커패시터 단, 및, 소정의 제어 신호에 따라, 상기 서브 커패시터 단 및 상기 소스 단자 사이의 연결 상태를 온/오프 제어하는 적어도 하나의 서브 스위치를 더 포함할 수 있다.
또한 바람직하게는, 소정의 제2 제어 신호에 따라, 상기 2개의 트랜지스터 각각의 소스 단자 사이의 연결 상태를 온/오프 제어하는 트랜지스터 스위치를 더 포함할 수도 있다.
이 경우, 상기 스위치 및 상기 서브 스위치 중 적어도 하나의 스위치에 인가되는 제어신호는 상기 제2 제어 신호에 대한 반전 신호를 사용할 수 있다.
또한, 상기 스위치 및 상기 서브 스위치는, MOS 트랜지스터 및 바이폴라 트 랜지스터 중 하나로 구현될 수 있다.
한편, 본 발명의 일 실시 예에 따른 전압 제어 발진 회로는, 소정의 주파수 신호를 출력하는 LC 탱크단, 교차 연결된 2 개의 MOS 트랜지스터를 이용하여, 상기 LC 탱크단의 기생 임피던스를 제거하기 위한 축퇴 임피던스를 제공하는 트랜지스터 단, 및, 소정의 제어 신호에 따라, 상기 2 개의 MOS 트랜지스터의 축퇴 임피던스 크기를 조정하는 축퇴 임피던스 조정단을 포함한다.
바람직하게는, 상기 트랜지스터 단은, 상기 차동 입력 신호를 각각의 드레인 단자로 입력받는 2 개의 MOS 트랜지스터를 사용할 수 있다.
또한 바람직하게는, 상기 축퇴 임피던스 조정단은, 소정 크기의 커패시턴스를 가지며, 상기 2개의 MOS 트랜지스터 각각의 소스 단자 사이를 직렬로 연결하는 커패시터 단, 및, 상기 제어 신호에 따라 스위칭 되어, 상기 커패시터 단 및 상기 소스 단자 사이의 연결상태를 온/오프 제어하는 스위치를 포함한다.
이 경우, 상기 커패시터 단은, 직렬로 연결된 적어도 하나의 커패시터를 포함할 수 있다.
보다 바람직하게는, 상기 축퇴 임피던스 조정단은, 상기 커패시터 단과 병렬로 배치되어, 상기 2개의 MOS 트랜지스터 각각의 소스 단자 사이를 직렬로 연결하는 적어도 하나의 서브 커패시터 단, 및, 소정의 제어 신호에 따라, 상기 서브 커패시터 단 및 상기 소스 단자 사이의 연결 상태를 온/오프 제어하는 적어도 하나의 서브 스위치를 더 포함할 수 있다.
또한 바람직하게는, 상기 축퇴 임피던스 조정단은, 소정의 제1 제어 신호에 따라, 상기 2개의 MOS 트랜지스터 각각의 소스 단자 사이의 연결 상태를 온/오프 제어하는 트랜지스터 스위치를 더 포함할 수 있다.
이 경우, 상기 스위치 및 상기 서브 스위치 중 적어도 하나의 스위치에 인가되는 제어신호는 상기 제1 제어 신호에 대한 반전 신호가 될 수 있다.
또한, 상기 스위치 및 상기 서브 스위치는, MOS 트랜지스터 및 바이폴라 트랜지스터 중 하나로 구현될 수 있다.
한편, 본 발명의 일 실시 예에 따른 주파수 분주 회로는, 외부 제어 신호에 따라, 소정의 차동 입력 신호를 검출하는 차동입력신호검출단, 교차 연결된 2 개의 트랜지스터를 이용하여 소정의 축퇴 임피던스를 형성함으로써, 상기 입력 신호에 포함된 노이즈를 제거한 후 저장하는 트랜지스터 단, 및 상기 트랜지스터 단에 형성되는 상기 축퇴 임피던스의 크기를 조정하는 축퇴 임피던스 조정단을 포함한다.
바람직하게는, 상기 트랜지스터 단은, 상기 차동 입력 신호를 각각의 드레인 단자로 입력받는 2 개의 MOS 트랜지스터를 포함할 수 있다.
보다 바람직하게는, 상기 축퇴 임피던스 조정단은, 소정 크기의 커패시턴스를 가지며 상기 2 개의 MOS 트랜지스터 각각의 소스 단자 사이를 직렬로 연결하는 커패시터 단, 및, 소정의 제어 신호에 따라, 상기 커패시터 단 및 상기 출력 단자 사이의 연결 상태를 온/오프 제어하는 스위치를 포함할 수 있다.
또한 바람직하게는, 상기 커패시터 단은, 직렬로 연결된 적어도 하나의 커패시터를 포함할 수 있다.
한편, 상기 축퇴 임피던스 조정단은, 상기 커패시터 단과 병렬로 배치되어, 상기 2개의 MOS 트랜지스터 각각의 소스 단자 사이를 직렬로 연결하는 적어도 하나의 서브 커패시터 단, 및, 소정의 제어 신호에 따라, 상기 서브 커패시터 단 및 상기 소스 단자 사이의 연결 상태를 온/오프 제어하는 서브 스위치를 더 포함할 수 있다.
보다 바람직하게는, 상기 축퇴 임피던스 조정단은, 소정의 제1 제어 신호에 따라, 상기 2개의 MOS 트랜지스터 각각의 소스 단자 사이의 연결 상태를 온/오프 제어하는 트랜지스터 스위치를 더 포함할 수 있다.
이 경우, 상기 스위치 및 상기 서브 스위치 중 적어도 하나의 스위치에 인가되는 제어 신호는 상기 제1 제어 신호의 반전 신호가 될 수 있으며, 상기 스위치 및 상기 서브 스위치는, MOS 트랜지스터 및 바이폴라 트랜지스터 중 하나로 구현될 수 있다.
이하에서, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 대하여 자세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 가변 축퇴 임피던스 제공 회로의 구성을 나타내는 회로도이다. 가변 축퇴 임피던스 제공 회로는 소정 기능을 수행하는 회로에 연결되어, 축퇴 임피던스를 제공하는 역할을 하는 회로이다. 즉, 도 1에 따르면, 본 가변 축퇴 임피던스 제공 회로는 소정 회로(미도시)의 출력단에 연결된 2개의 트랜지스터 T1 및 T2를 포함한다. 이 경우, T1 및 T2는 교차 연결된다. 도 1에서는 MOS 트랜지스터를 T1 및 T2로 사용하고 있으나, 바이폴라 트랜지스터로 구현할 수도 있다.
즉, 도 1에 따르면, 제1 및 제2 MOS 트랜지스터(T1, T2) 각각의 드레인 단자 로 소정 기능을 수행하는 회로의 출력 신호(Output)가 입력된다. 또한, 제1 MOS 트랜지스터(T1)의 게이트 단자는 제2 MOS 트랜지스터(T2)의 드레인 단자와 연결되며, 제2 MOS 트랜지스터(T2)의 게이트 단자도 제1 MOS 트랜지스터(T1)의 드레인 단자에 연결된다.
한편, 제1 및 제2 MOS 트랜지스터(T1, T2)의 사이에는 커패시터 단(110) 및 스위치(SW1)가 직렬로 연결된다. 도 1에서는 커패시터 단(110)이 하나의 커패시터(Cdeg)만을 포함하지만, 실시예에 따라서 직렬로 연결된 복수개의 커패시터를 포함할 수도 있다. 한편, 커패시터 단(110)이 2개의 커패시터로 구현되는 경우, 스위치(SW1)를 2개의 커패시터의 사이에 연결될 수 있다.
한편, 스위치(SW1)는 MOS 트랜지스터 또는 바이폴라 트랜지스터로 구현될 수 있다. MOS 트랜지스터로 구현된 경우, 게이트 단자에 소정의 제어 신호를 입력함으로써 스위칭 시킬 수 있다. 스위치(SW1)가 온된 경우, 제1 및 제2 MOS 트랜지스터(T1, T2) 각각의 트랜스컨덕턴스 및 커패시터 단(110)의 커패시턴스의 조합으로 인해서, 축퇴 임피던스가 형성된다.
제1 및 제2 MOS 트랜지스터(T1, T2) 각각의 트랜스컨덕턴스가 gm으로 동일하고, 각각의 자체 커패시턴스가 Cgs이며, 커패시터 단(110)의 커패시턴스가 Cdeg라고 가정한 경우, 출력단에서 바라본 임피던스 Zo는 다음 수식과 같이 표현될 수 있다.
Figure 112005010877866-pat00001
수학식 1에서 Rdeg는 스위치(SW1)의 내부 저항, Zdeg는 Cdeg 및 Rdeg에 의해 형성되는 축퇴 임피던스를 의미한다. 즉, 축퇴 임피던스는 아래의 수식과 같이 표현될 수 있다.
Figure 112005010877866-pat00002
한편, 제1 및 제2 MOS 트랜지스터가 gm/ Cgs >>ω인 경우, 수학식 1은 아래의 수식과 같이 근사화 될 수 있다.
Figure 112005010877866-pat00003
이에 따라, 수학식 2를 수학식 3에 대입하면, 출력단에서 바라본 임피던스는 다음 수식과 같이 표현될 수 있다.
Figure 112005010877866-pat00004
수학식 2 및 수학식 4를 비교하여 보면, 스위치(SW1)가 온됨에 따라서, 출력단에서 바라본 트랜스컨덕턴스 성분이 아래의 수식과 같이 표현됨을 알 수 있다.
Figure 112005010877866-pat00005
한편, 출력단에서 바라본 축퇴 커패시턴스는 커패시터 단(110)의 커패시턴스 Cdeg임을 알 수 있다. 결과적으로, 축퇴 임피던스의 크기는 스위치(SW1)에 의해 조정될 수 있게 된다.
도 2는 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 가변 축퇴 임피던스 제공 회로의 구성을 나타내는 회로도이다. 도 2에 따르면, 교차 연결된 2 개의 MOS 트랜지스터(T1, T2) 각각의 소스 단자 사이를 연결하는 커패시터 단(210_1) 이외에, 복수개의 서브 커패시터 단(210_2 ~ 210_n)이 더 추가되었다. 서브 커패시터 단(210_2 ~ 210_n)도 커패시터 단(210_1)과 마찬가지로 직렬로 연결된 하나 이상의 커패시터로 구현될 수 있으며, 복수개의 서브 스위치(SW2, ..., SWn)와 각각 연결된다. 이에 따라, 스위치 및 서브 스위치(SW1 ~ SWn) 각각에 소정의 제어신호를 입력하여 제어함으로써, 축퇴 커패시턴스의 크기를 다양하게 변화시킬 수 있다.
한편, 교차 연결된 2 개의 MOS 트랜지스터(T1, T2) 각각의 소스 단자 사이에는 별도의 트랜지스터 스위치(T3)가 연결된다. 도 2에서 T3은 MOS 트랜지스터로 구현되었으나, 바이폴라 트랜지스터를 사용할 수도 있다. T3의 게이트 단자에는 제어 신호인 Mod 신호가 입력된다.
이 경우, 스위치 및 서브 스위치(SW1 ~ SWn) 각각에 입력되는 제어 신호 중 적어도 하나 이상의 스위치에 입력되는 제어 신호는 Mod 신호를 반전시킨 반전 신호를 사용할 수 있다. 즉, Mod 신호가 1(즉, 하이레벨신호)이면 반전 신호는 0(즉, 로우레벨신호)이 되고, Mod 신호가 0이면 반전 신호는 1이 된다. 이에 따라, T1 및 T2 각각의 소스 단자 사이의 연결 상태가 오프 상태가 되는 것을 방지할 수 있도록 한다.
도 3은 Mod 신호에 따라 변화되는 회로 구조를 설명하기 위한 회로도이다. 먼저, 도 3의 (a)는 Mod 신호가 1인 경우의 회로 구조이다. Mod 신호가 1인 경우에는 T3이 온이 되므로, 종래의 경우와 같이 축퇴 임피던스의 크기가 고정된다. 이 경우, T3의 내부 저항 Ron1, 자체 커패시턴스 Cm1 및 Cm2은 축퇴 임피던스 성분에 포함될 수 있다. 이 중, Cm1은 T3의 드레인 및 게이트 간의 커패시턴스, Cm2는 T3의 소스 및 게이트 간의 커패시턴스를 의미한다.
도 3의 (b)는 Mod 신호가 0인 경우의 회로 구조이다. Mod 신호가 0이면 T3이 오프 상태가 된다. 따라서, 각 스위치(SW1 ~ SWn)의 스위칭 상태에 따라서 축퇴 커 패시턴스를 조정할 수 있게 된다. 즉, 각 스위치(SW1 ~ SWn) 중 Mod 신호의 반전 신호가 입력되는 스위치는 턴-온 상태가 된다. 이에 따라, 턴-온된 스위치와 연결된 각 커패시터 단(210_1 ~ 210_n)의 커패시턴스(C1), 턴-온된 스위치의 자체 커패시턴스 Cp1, Cp2, 및 내부저항 Ron2가 축퇴 임피던스 성분에 포함될 수 있다. 각 스위치(SW1 ~ SWn)에 입력되는 제어 신호를 조정함으로써, 다양한 축퇴 커패시턴스를 제공할 수 있게 된다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 전압 제어 발진 회로의 구성을 나타내는 회로도이다. 도 4에 따르면, 전압 제어 발진 회로는 LC 탱크단(310), 트랜지스터단(320), 및, 축퇴 임피던스 조정단(330)을 포함한다.
LC 탱크단(310)은 인덕터(L) 및 배랙터(C)의 조합으로 구현될 수 있다. 이에 따라, 공진 현상을 일으켜 소정의 발진 주파수 신호를 생성할 수 있게 된다. 이 경우, 배랙터를 이용하여 공진 주파수를 조정함으로써, 멀티 밴드에서 동작할 수 있도록 할 수 있다.
트랜지스터단(320)은 교차 연결된 2 개의 트랜지스터 T1 및 T2를 포함한다. 도 4에서는 MOS 트랜지스터를 T1 및 T2로 사용하였으나, 바이폴라 트랜지스터로 구현할 수도 있다. T1 및 T2를 교차 연결함으로써, 상술한 바와 같이 축퇴 임피던스를 형성하도록 할 수 있다. 축퇴 임피던스는 LC 탱크단(310)에 생성되는 임피던스 성분을 제거하기 위한 것이다.
축퇴 임피던스 조정단(330)은 트랜지스터단(320)에 형성되는 축퇴 임피던스의 크기를 조정하는 역할을 한다. 축퇴 임피던스 조정단(330)은 적어도 하나의 커 패시터 단(330_1 ~ 330_n) 및 각 커패시터 단(330_1 ~ 330_n)에 연결된 스위치(SW1 ~ SWn)을 포함한다.
한편, 상술한 바와 같이, 축퇴 임피던스 조정단(330)은 T1 및 T2 각각의 소스 단자 사이에 연결된 트랜지스터 스위치 T3을 더 포함할 수 있다. 이에 따라, T3이 온되면 축퇴 임피던스는 소정 크기로 고정되게 되고, T3이 오프되면 축퇴 임피던스는 각 스위치(SW1 ~ SWn)에 입력되는 제어 신호에 따라 조정될 수 있게 된다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 주파수 분주 회로(frequency divider circuit)의 구성을 나타내는 회로도이다. 보다 구체적으로는, 도 5의 회로는 D-래치 회로 구성의 일 예를 나타내는 회로도이다. 도 5에 따르면, 주파수 분주 회로는 차동입력신호검출단(410), 트랜지스터 단(420), 및, 축퇴 임피던스 조정단(430)을 포함한다.
차동입력신호검출단(410)은 서로 마주 보는 형태로 연결된 2 개의 트랜지스터(Td1, Td2)를 포함하는 차동 증폭기 회로로 구성될 수 있다. 각 트랜지스터 (Td1, Td2)의 소스 단자에는 트랜지스터 스위치 Td3의 드레인 단자가 연결된다. Td3의 게이트 단자에는 외부 제어 신호 IN이 입력된다. 즉, 외부 제어 신호가 하이 레벨 신호이면, Td3가 턴-온 되어 Td1, Td2 각각의 소스 단자가 접지된다. 이에 따라 Td1, Td2 각각의 게이트 단자로 인가되는 차동 입력 신호 D, Db가 소정 크기로 증폭되어 출력되게 된다.
트랜지스터 단(420)은 소정 크기의 축퇴 임피던스를 형성하여 차동입력신호 검출단(410)으로부터 출력되는 신호 중 노이즈 성분을 제거한 후, 저장하는 역할을 한다. 축퇴 임피던스를 형성하기 위해서, 트랜지스터 단(420)은 교차 연결된 2개의 트랜지스터 T1 및 T2로 구현된다. 도 5에서는 MOS 트랜지스터를 사용하고 있으나, 바이폴라 트랜지스터를 사용할 수도 있다.
축퇴 임피던스 조정단(430)은 다른 실시예들과 같이 복수개의 커패시터 단 및 스위치(SW1 ~ SWn)을 포함할 수 있다. 이에 따라, 트랜지스터 단(420)에 형성되는 축퇴 임피던스를 조정할 수 있다. 도 5에 따르면, 각 커패시터 단은 각 스위치(SW1 ~ SWn) 양측에 각각 연결된 두 개의 커패시터(Ca1 및 Ca2 ~ Cn1 및 Cn2)로 구현되어 있음을 알 수 있다. 한편, 축퇴 임피던스 조정단(430)은 트랜지스터 스위치(T3)를 더 포함함으로써, 외부 제어 신호인 Mod 신호에 따라 축퇴 임피던스 조정모드 및 축퇴 임피던스 고정모드 중 하나의 모드를 선택할 수 있도록 한다. 상술한 바와 같이, Mod 신호 및 각 스위치(SW1 ~ SWn) 제어 신호는 서로 반전 관계에 있는 신호로 사용할 수 있다.
한편, 축퇴 임피던스 조정단(430)은 차동입력신호검출단(410)에 인가되는 제어 신호 IN에 대한 반전 신호인 INb가 게이트 단자로 각각 입력되는 두 개의 MOS 트랜지스터 스위치(T4, T5)를 더 포함한다. 이에 따라, 차동입력신호검출단(410)이 동작하는 동안(즉, IN이 하이레벨신호인 경우)에는 트랜지스터 단(420) 및 축퇴 임피던스 조정단(430)은 동작을 정지하게 된다. 반면에, IN이 로우레벨신호가 되면 INb가 하이레벨신호로 변하게 되므로, 트랜지스터 단(420) 및 축퇴 임피던스 조정단(430)이 동작하게 된다. 이러한 방식으로, 전압 제어 발진 회로 및 주파수 분주 회로 등에서 다양한 크기의 축퇴 임피던스를 제공할 수 있게 된다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 전압 제어 발진 회로 및 주파수 분주 회로에서 축퇴 임피던스의 크기를 정밀하게 조정할 수 있게 된다. 이에 따라, 전압 제어 발진 회로 및 주파수 분주 회로가 멀티 밴드에서 동작할 수 있도록 한다. 또한, 스위치 및 커패시터를 이용하여 축퇴 임피던스의 크기를 조정할 수 있도록 함으로써, 전체 회로 크기를 줄일 수 있게 된다.
또한, 이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어져서는 안될 것이다.

Claims (23)

  1. 교차 연결된 2개의 트랜지스터;
    상기 2개의 트랜지스터 각각의 출력 단자 사이를 직렬로 연결하는 커패시터 단; 및,
    제1 제어 신호에 따라, 상기 커패시터 단 및 상기 출력 단자 사이의 연결상태를 온/오프 제어하는 스위치; 및,
    제2 제어 신호에 따라 상기 2개의 트랜지스터 각각의 소스 단자 사이의 연결상태를 온/오프 제어하는 트랜지스터 스위치;를 포함하는 것을 특징으로 하는 가변 축퇴 임피던스 제공 회로.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 2개의 트랜지스터는 MOS 트랜지스터이며, 상기 출력 단자는 소스 단자인 것을 특징으로 하는 가변 축퇴 임피던스 제공 회로.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 커패시터 단은,
    직렬로 연결된 적어도 하나의 커패시터;를 포함하는 것을 특징으로 하는 가변 축퇴 임피던스 제공 회로.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 커패시터 단과 병렬로 배치되어, 상기 2개의 트랜지스터 각각의 소스 단자 사이를 직렬로 연결하는 적어도 하나의 서브 커패시터 단; 및,
    제어 신호에 따라, 상기 서브 커패시터 단 및 상기 소스 단자 사이의 연결 상태를 온/오프 제어하는 적어도 하나의 서브 스위치;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가변 축퇴 임피던스 제공 회로.
  5. 삭제
  6. 제4항에 있어서,
    상기 스위치 및 상기 서브 스위치 중 적어도 하나의 스위치에 인가되는 제어신호는 상기 제2 제어 신호에 대한 반전 신호인 것을 특징으로 하는 가변 축퇴 임피던스 제공 회로.
  7. 제4항에 있어서,
    상기 스위치 및 상기 서브 스위치는,
    MOS 트랜지스터 및 바이폴라 트랜지스터 중 하나인 것을 특징으로 하는 가변 축퇴 임피던스 제공 회로.
  8. 주파수 신호를 출력하는 LC 탱크단;
    교차 연결된 2 개의 트랜지스터를 이용하여, 상기 LC 탱크단의 기생 임피던스를 제거하기 위한 축퇴 임피던스를 제공하는 트랜지스터 단; 및,
    제1 제어 신호에 따라, 상기 2 개의 MOS 트랜지스터의 축퇴 임피던스 크기를 조정하고, 제2 제어 신호에 따라 상기 2 개의 MOS 트랜지스터 간의 연결 상태를 온/오프 제어하는 축퇴 임피던스 조정단;을 포함하는 것을 특징으로 하는 전압 제어 발진 회로.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 트랜지스터 단은,
    차동 입력 신호를 각각의 드레인 단자로 입력받는 2 개의 MOS 트랜지스터;를 포함하는 것을 특징으로 하는 전압 제어 발진 회로.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 축퇴 임피던스 조정단은,
    상기 2개의 MOS 트랜지스터 각각의 소스 단자 사이를 직렬로 연결하는 커패시터 단; 및,
    상기 제1 제어 신호에 따라 스위칭 되어, 상기 커패시터 단 및 상기 소스 단자 사이의 연결상태를 온/오프 제어하는 스위치;를 포함하는 것을 특징으로 하는 전압 제어 발진 회로.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 커패시터 단은,
    직렬로 연결된 적어도 하나의 커패시터;를 포함하는 것을 특징으로 하는 전압 제어 발진 회로.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 축퇴 임피던스 조정단은,
    상기 커패시터 단과 병렬로 배치되어, 상기 2개의 MOS 트랜지스터 각각의 소 스 단자 사이를 직렬로 연결하는 적어도 하나의 서브 커패시터 단; 및,
    소정의 제어 신호에 따라, 상기 서브 커패시터 단 및 상기 소스 단자 사이의 연결 상태를 온/오프 제어하는 적어도 하나의 서브 스위치;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전압 제어 발진 회로.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 축퇴 임피던스 조정단은,
    상기 제2 제어 신호에 따라, 상기 2개의 MOS 트랜지스터 각각의 소스 단자 사이의 연결 상태를 온/오프 제어하는 트랜지스터 스위치;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전압 제어 발진 회로.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 스위치 및 상기 서브 스위치 중 적어도 하나의 스위치는 상기 제2 제어 신호의 반전 신호에 의해 제어되는 것을 특징으로 하는 전압 제어 발진 회로.
  15. 제12항에 있어서,
    상기 스위치 및 상기 서브 스위치는,
    MOS 트랜지스터 및 바이폴라 트랜지스터 중 하나인 것을 특징으로 하는 전압 제어 발진 회로.
  16. 외부 제어 신호에 따라, 차동 입력 신호를 검출하는 차동입력신호검출단;
    교차 연결된 2 개의 트랜지스터를 이용하여 축퇴 임피던스를 형성함으로써, 상기 차동 입력 신호에 포함된 노이즈를 제거한 후 저장하는 트랜지스터 단; 및
    제1 제어 신호에 따라 상기 트랜지스터 단에 형성되는 상기 축퇴 임피던스의 크기를 조정하며, 제2 제어 신호에 따라 상기 2 개의 트랜지스터 각각의 소스 단자 사이의 연결 상태를 직접 온/오프 제어하는 축퇴 임피던스 조정단;을 포함하는 것을 특징으로 하는 주파수 분주 회로.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 트랜지스터 단은,
    상기 차동 입력 신호를 각각의 드레인 단자로 입력받는 2 개의 MOS 트랜지스터;를 포함하는 것을 특징으로 하는 주파수 분주 회로.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 축퇴 임피던스 조정단은,
    상기 2 개의 MOS 트랜지스터 각각의 소스 단자 사이를 직렬로 연결하는 커패시터 단; 및,
    소정의 제어 신호에 따라, 상기 커패시터 단 및 상기 소스 단자 사이의 연결 상태를 온/오프 제어하는 스위치;를 포함하는 것을 특징으로 하는 주파수 분주 회로.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 커패시터 단은,
    직렬로 연결된 적어도 하나의 커패시터;를 포함하는 것을 특징으로 하는 주파수 분주 회로.
  20. 제18항에 있어서,
    상기 축퇴 임피던스 조정단은,
    상기 커패시터 단과 병렬로 배치되어, 상기 2개의 MOS 트랜지스터 각각의 소스 단자 사이를 직렬로 연결하는 적어도 하나의 서브 커패시터 단; 및,
    상기 서브 커패시터 단 및 상기 소스 단자 사이의 연결 상태를 온/오프 제어하는 서브 스위치;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 주파수 분주 회로.
  21. 제20항에 있어서,
    상기 축퇴 임피던스 조정단은,
    상기 제2 제어 신호에 따라, 상기 2개의 MOS 트랜지스터 각각의 소스 단자 사이의 연결 상태를 온/오프 제어하는 트랜지스터 스위치;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 주파수 분주 회로.
  22. 제21항에 있어서,
    상기 스위치 및 상기 서브 스위치 중 적어도 하나의 스위치는 상기 제2 제어 신호의 반전 신호에 의해 제어되는 것을 특징으로 하는 주파수 분주 회로.
  23. 제20항에 있어서,
    상기 스위치 및 상기 서브 스위치는, MOS 트랜지스터 및 바이폴라 트랜지스터 중 하나인 것을 특징으로 하는 주파수 분주 회로.
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7902930B2 (en) * 2006-12-05 2011-03-08 Electronics And Telecommunications Research Institute Colpitts quadrature voltage controlled oscillator
US20080164955A1 (en) * 2007-01-04 2008-07-10 Pfeiffer Ullrich R Voltage controlled oscillator circuits and methods using variable capacitance degeneration for increased tuning range
US8212592B2 (en) * 2009-08-20 2012-07-03 Qualcomm, Incorporated Dynamic limiters for frequency dividers
US8487670B2 (en) * 2009-09-03 2013-07-16 Qualcomm, Incorporated Divide-by-two injection-locked ring oscillator circuit
US8299862B1 (en) 2009-12-02 2012-10-30 Marvell International Ltd. Tuning circuit for inductor capacitor (LC) tank digitally controlled oscillator
US8531241B1 (en) * 2011-01-26 2013-09-10 Applied Micro Circuits Corporation System and method for process, voltage, temperature (PVT) stable differential amplifier transfer function
US20120242395A1 (en) * 2011-03-23 2012-09-27 Qualcomm Incorporated Low loss switched capacitor
US9219452B2 (en) * 2012-05-22 2015-12-22 Intel Deutschland Gmbh Dual mode receiver with RF splitter using programmable passive components

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030027531A1 (en) * 2001-08-02 2003-02-06 International Business Machines Corporation Wireless communications system having variable gain mixer
US20060091968A1 (en) 2004-10-29 2006-05-04 Hooman Darabi Method and system for a differential switched capacitor array for a voltage controlled oscillator (VCO) or a local oscillator (LO) buffer

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3892383B2 (ja) * 2002-10-15 2007-03-14 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 電圧制御発振器

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030027531A1 (en) * 2001-08-02 2003-02-06 International Business Machines Corporation Wireless communications system having variable gain mixer
US20060091968A1 (en) 2004-10-29 2006-05-04 Hooman Darabi Method and system for a differential switched capacitor array for a voltage controlled oscillator (VCO) or a local oscillator (LO) buffer

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