KR100784356B1

KR100784356B1 - 질산성 질소 및 보론을 포함한 이온성물질을 제거하는수질정화방법

Info

Publication number: KR100784356B1
Application number: KR1020060055943A
Authority: KR
Inventors: 추광호
Original assignee: 추광호
Priority date: 2006-06-21
Filing date: 2006-06-21
Publication date: 2007-12-13

Abstract

본 발명은 폐수속에서 수질오염 및 부영양화의 주원인 되고 있는 질산성 질소와 그 밖의 염들을 제거하기 위한 정화방법에 관한 것으로 특히, 질산성 질소, 보론 등 이온성 물질을 포함한 폐수를 역삼투막으로 정화시키는 방법으로 역삼투압을 통과하며 정화시키려할 때, 역삼투막의 표면을 음이온성 고분자 전해질로 역삼투막 표면에 코팅하여 정전기적 반발력에 의해 음전하를 띤 이온성 물질의 제거율을 향상시킨 여과공정인 질산성 질소 및 보론을 포함한 이온성물질을 제거하는 수질정화방법에 관한 것이다.

따라서 본 발명은 기존의 비용이 드는 생물학적 처리를 통해 폐수처리 공정을 수행하지 않고, 막을 이용한 역삼투막 여과방식을 사용하기에 그 효과도 높다.

또한 본 발명은 역삼투막 여과 공정을 용이하게 하기 위해 전처리 공정을 선 실시하여 그 효과를 극대화하여 NO₃의 제거율을 95%까지 달성한 고 효율의 정화방법이다.

전처리단계, KOH, PAA, 코팅막 등

Description

질산성 질소 및 보론을 포함한 이온성물질을 제거하는 수질정화방법{The cleansing method of wastewater}

도 1은 본 발명의 제1차 여과단계와 2차 여과단계의 수순을 도시한 시스템도,

도 2는 본 발명의 크로스플로우 로 시스템(cross flow RO system)을 도시한 도면,

도 3은 본 발명의 데드엔드(dead-end RO system)로 시스템을 도시한 도면,

도 4는 본 발명의 전처리 과정에서 침전된 침전층을 촬영한 사진,

도 5는 본 발명의 전처리 과정에서 제거되는 물질을 나타내는 도면,

도 6은 본 발명의 여과단계에서 pH의 변화에 따른 제거율을 도시한 도면,

도 7은 본 발명의 실제폐수와 만들어진 폐수를 비교하여 제거율을 측정한 도면,

도 8은 본 발명에서 발생되는 도난현상을 설명하는 도면,

도 9는 본 발명에서 pH4의 조건으로 2단계 여과처리시 발생되는 제거율을 도시한 도면,

도 10은 본 발명에서 압력에 따른 그 제거율의 변화를 도시한 도면,

도 11은 본 발명에서 농축계수와 투과량과의 관계를 도시한 도면,

도 12는 본 발명에서 사용되는 코팅막과 일반막의 정화효과를 측정한 도면,

도 13은 본 발명에서 사용된 PAA층에 따라 증대된 정화효과에 대한 가능성을 보여주는 설명도,

도 14는 본 발명에서 PAA층에 따른 투과율의 효과를 도시한 도면이다.

일반적으로 수질 오염 및 부영양화의 주원인이 되는 질산성 질소는 생물학적 처리를 기본으로 한 폐수 처리공정이 적용되어 왔다.

즉, 미생물을 폐수에 투입하여 이를 분해시키는 방식을 사용한 것이다.

이러한 생물학적 처리는 일반적인 하수 처리시 경제적이고 효율적인 방법이지만 탄소원 주입, 미생물활성 온도 유지 등 미생물 생장조건을 맞추어 주어야한다는 제한요소를 안고 있다.

또한 이 제한요소는 일반폐수처리에 비해 산업폐수 처리시 치명적인 단점으로 작용하기도 한다.

본 연구에 사용된 폐수는 실제 반도체 에칭작업 후 발생하는 것으로 총질소가 40000 mg/ℓ로 존재하지만 유기물이 거의 없어 하루 약 2000톤의 폐수를 생물학적으로 처리하기 위해서는 연간 6억에 이르는 비용이 소모된다.

또한, 탄소원 주입을 하더라도 미생물 성장 제한 성분으로 인해 여전히 생물학적 처리에 의한 효과가 미미하여 문제가 많다.

상기한 문제점을 해결한 본 발명은, 폐수속에서 수질오염 및 부영양화의 주원인 되고 있는 질산성 질소와 그 밖의 염들을 제거하기 위한 정화방법에 관한 것으로 특히, 질산성 질소, 보론 등 이온성 물질을 포함한 폐수를 역삼투막으로 정화시키는 방법으로 역삼투압을 통과하며 정화시키려할 때, 역삼투막의 표면을 음이온성 고분자 전해질로 역삼투막 표면에 코팅하여 정전기적 반발력에 의해 음전하를 띤 이온성 물질의 제거율을 향상시킨 여과공정인 질산성 질소 및 보론을 포함한 이온성물질을 제거하는 수질정화방법을 제공하고자 한다.

또한 본 발명의 상기 역삼투막을 이용한 여과공정의 시작 전에는, 폐수가 산성이고 폐수 내에 Si, F 성분이 존재하는 경우에는 KOH를 토입하여 K2SiF6 침전물을 형성시켜 역삼투막 오염물질인 Si와 F 성분을 선 제거하는 질산성 질소 및 보론을 포함한 이온성물질을 제거하는 수질정화방법을 제공하고자 한다.

또한 본 발명의 상기 역삼투막을 이용한 여과공정은, 크로스플로우 로 시스 템(cross flow RO system)이나 또는 데드엔드 시스템(dead-end RO system)이 사용될 수 있고; 상기 여과공정에서는, 폐수 내에 유기산이 존재할 경우 폐수의 pH가 중성이 아닌 분리막이 견딜 수 있는 산성 pH인 4.0 부근까지만 증가시켜 Donnan 현상에 의해 이온성 염의 제거율을 극대화시키는 질산성 질소 및 보론을 포함한 이온성물질을 제거하는 수질정화방법을 제공하고자 한다.

본 발명은 폐수를 정화시키는 방법이라는 점에서는 종래의 그것과 유사하다.

그러나 질산성 질소를 포함한 폐수를 정화시킴에 있어서 생물학적 처리에 의존하지 않고 역삼투압 방식을 사용했다는 점과, 상기 역삼투압 방식을 적용하기 위해 일단 Si, F 및 그 밖의 막 오염 물질을 제거하기 위한 전처리공정을 선 수행하여 그 효과를 극대화한 점에서 큰 특징이 있기에 도시된 도면과 함께 상세히 설명한다.

즉, 본 발명은, 질산성 질소, 보론 등 이온성 물질을 포함한 폐수를 역삼투막으로 정화시키는 방법에 있어서, 역삼투압을 통과하며 정화시키려할 때, 역삼투막의 표면을 음이온성 고분자 전해질로 역삼투막 표면에 코팅하여 정전기적 반발력에 의해 음전하를 띤 이온성 물질의 제거율을 향상시킨다.

다시 말하자면, 다양한 역삼투막을 사용하되, 그 막의 표면을 음이온성 고분자 전해질을 이용하여 코팅을 하여 폐수를 걸르게 된다.

그러면 정전기적 반발력이 발휘되어 음전하를 띤 이온성 물질의 제거율이 상당히 높다.

물론 그에 따른 제거율의 효과등은 아래의 실시예에 상세히 설명하였다.

그리고 본 발명은, 상기 역삼투막을 이용한 여과공정의 시작 전에, 폐수가 산성이고 폐수 내에 Si, F 성분이 존재하는 경우에는 KOH를 토입하여 K2SiF6 침전물을 형성시켜 역삼투막 오염물질인 Si와 F 성분을 선 제거한 상태로 진행시키는 것이 보다 바람직하다.

즉, 역삼투압방식을 사용하기에 상기 막에 Si, F이 끼여 거르는 작용이 미미할 소지가 많다.

따라서 이를 먼저 제거하기 위한 전처리 과정은 필요하다.

또한 본 발명의 상기 역삼투막을 이용한 여과공정은, 크로스플로우 로 시스템(cross flow RO system)이나 또는 데드엔드 시스템(dead-end RO system)이 사용될 수 있다(여기서 상기 RO는 Reverse Osmosis를 말한다).

즉, 상기한 모든 크로스플로우 로 시스템(cross flow RO system)이나 또는 데드엔드 시스템(dead-end RO system)은 역삼투압을 이용하여 불순물을 걸러주는 공지된 공정이다.

따라서 이러한 공정이 모두 본 발명에서는 실시가 가능하다.

그리고 이에 따른 실시예들은 모두 하기에 상세히 설명한다.

한편 본 발명의 상기 여과공정에서는, 폐수 내에 유기산이 존재할 경우 폐수의 pH가 중성이 아닌 분리막이 견딜 수 있는 산성 pH인 4.0 부근까지만 증가시켜 Donnan 현상에 의해 이온성 염의 제거율을 극대화시키는 것이 바람직하다.

그럼 본 발명을 도시된 도면과 함께 상세히 설명한다.

[ 실시예 1]

즉, 발명은 질산성 질소를 포함한 폐수를 정화시키는 방법을 실시함에 있어서 본 출원인은 제1단계로 질산성 질소를 포함한 폐수 1톤당 약 KOH 400-600Kg을 투입하고, 교반시킨 후 실온까지 방냉시켜 침전물을 침전시키는 전처리단계를 거쳐 보았다.

이때 KOH를 원수가 중성이 아닌 pH4의 산성조건일 때까지만 넣어주어 도난현상을 최소화하여 이렇게 혼합하여 교반, 방냉의 절차를 거치면, 상기 폐수는 밑에 침전층이 발생된다.

따라서 이 침전층을 제거하고, 상부층을 이루는 폐수만을 가지고 다음의 단계인 역삼투압 방식으로 정화하였다.

물론 이에 대한 자세한 데이터와 도면의 인용은 실험의 현장감을 위해 본 발명의 정화방법을 그대로 실시한 실시예를 통해 아래에서 인용한다.

한편 상기 전처리단계를 거치고 본 발명은 제2단계로, 침전물을 제거하고, 남은 폐수만을 폴리아크릴엑시드(PAA:polyacrylic acid)으로 코팅된 RE-30 역삼투막을 이용한 크로스플로우 로 시스템(cross flow RO system)으로 여과시키는 1차 여과단계를 실시하였다.

물론 이때 본 실험에서는 이 크로스플로우 로 시스템만을 사용하였지만 공지된 다른 형태의 역삼투압 여과공정이 사용되어도 무방하다.

아무튼 본 발명은 공지된 크로스플로우 로 시스템(cross flow RO system)으 로 1차 여과단계를 거치되, 상기 RE-30 역삼투막에 폴리아크릴엑시드막(PAA:polyacrylic acid)을 입혀서 사용을 하였다.

한편 본 발명에서 사용한 상기 RO-30은 막 제조회사인 새한이 생산한 판매되는 막이 사용되었으며, 고분자 물질을 입히는 과정은 본 출원인에 의해 수행되었다.

또한 본 발명에서 사용되는 아로막 즉, 역삼투막은 그 공극이 적어 당업계에서는 공극이 없다고 칭하고 있다.

따라서 메쉬 단위로 그 공극을 정할 수 없는 것이 일반적이다.

그런데 본 발명의 제 2단계인 1차 여과단계에서의 조건은 온도는 15-25℃를 유지하는 것이 바람직하고, 압력은 6-12bar를 유지하며 여과시키는 것이 바람직하였다.

즉, 온도는 상온을 유지하는 것이 기계적인 도움을 불필요하기에 경제적으로 도움이 되었고, 압력은 증대시킬수록 배출량과 정화효과가 뛰어나나 공정장치의 ㅇ안정성과 폐수처리 운전의 비용절감을 위해서 상대적으로 저압인 6-12bar에서 운전하였다.

그리고 6bar 이하를 유지하게 되면, 1차 정화된 폐수의 양이 적어 오랜 시간이 걸리게 된다.

다음으로 상기 제2단계인 1차 여과단계가 진행된 폐수는 제3단계인 1차 여과된 폐수를 폴리아크릴엑시드(PAA:polyacrylic acid)으로 코팅된 RE-30 역삼투막을 이용한 데드엔드 시스템(dead-end RO system)으로 여과시키는 2차 여과단계를 실시 하였다.

여기서 본 발명의 전술된 크로스플로우 로 시스템(cross flow RO system: 도 2에 도시)과 데드엔드 시스템(dead-end RO system)을 설명하자면, 전자인 크로스플로우 로 시스템은 공지된 역삼투막 여과방법으로 막과 수평한 상태로 폐수를 흐르게 하고, 그 막을 통과하여 폐수가 수직으로 떨어지게 하는 시스템이다.

또한 후자인 데드엔드 시스템(dead-end RO system)도 공지된 역삼투막 여과방법으로 막을 하부에 두고 압력을 주어 폐수가 막을 통과하게 하며, 항상 폐수를 교반시켜 상하로 밀도가 동일하게 유지시키는 조건을 제시한 방법을 칭한다.

즉, 본 발명의 제3단계는 1차 여과된 폐수를 역시 폴리아크릴엑시드막(PAA:polyacrylic acid)으로 코팅된 RE-30 역삼투막을 통과시켜 정화를 하는 것이다.

물론 본 발명에서는 이러한 정화방식에 한정되는 것이 아니다.

한편 상기 2차 여과단계에서는, 온도는 15-25℃를 유지하고, 압력은 6-12bar를 유지하며 마그네틱 스터어러의 속도는 300-400rpm을 유지하였다.

즉 본 발명은 전술된 방법을 따라 순차적으로 진행하며 폐수를 깨끗하게 정화하는 것이다.

그럼 아래에는 도시된 도면과 함께 실질적으로 본 발명을 활용하여 구체적으로 실험한 실시예를 나열하여 본 발명의 설명에 도움을 주고자 한다.

[ 실시예 2]

1. 재료 및 방법

1.1. 실험재료

원수는 반도체 에칭 공정에서 나오는 강산성 폐수로서 불산 1.89%, 질산 33.5%, 초산 43.4%를 함유하고 있는 폐수를 사용하였다.

이 폐수의 특징은 고농도로 질산을 함유하고 있다는 점 이외에 F의 농도가 아주 높았고, 막 공정에서 막 오염을 일으킬 수 있는 Si, Ca, Mg등의 물질이 함유되어 있었다.

즉, 아래에서 보이듯, 테이블 1은 그 폐수의 실질적인 구성 성분을 분석한 것이다.

Table 1. Characteristics of Wastewater

Parameter	Value
pH	-1.27 (predicted)
Conductivity (mS)	3,220
NO3-N (mg/L)	40,700
F (mg/L)	67,400
Si	577
Ca (mg/L)	62.4
Mg (mg/L)	2.48

1.2. 연구방법

실험은 크게 3단계로 진행되었다.

1) 전처리, 2) 분리막의 적용, 3) 코팅막의 적용의 순으로 진행되었다.

일반적으로 전처리에 많이 사용되는 중화제, Ca(OH)2와 KOH을 사용하여 비교 분석하였다.

즉, 전처리 공정에서는 중화제를 2가지로 사용을 해서 실험에 응했다.

그러나 그 결과 KOH가 본 발명에서 전처리 과정을 수행하기 위해서는 더 뛰어난 효과를 가져왔기에 본 발명은 그 중화제로 KOH를 선정한 것이다.

그리고 중화 후 중력침전, 0.45μm으로 여과, 희석하였다.

또한 다음의 단계로 분리막의 실험은 도 1과 같이 2단 구성을 기준으로 실험하였다.

즉, 첫 공정의 실험 장치는 도 2의 cross flow로 실험하였으며, 두 번째 공정은 도 3의 데드엔드 시스템(dead-end RO system)으로 실험하였다.

다시 말해서 본 발명에서 전술된 1차 여과단계와 2차 여과단계를 설명하는 것이다.

여기서 참고적으로 본 발명에서 사용한 역삼투막은 새한의 RE-LP, RE-30, RE-80을 사용하였으며, RE-30에 PAA(Polyacrylic acid)을 코팅한 코팅막을 제작하여 비교 분석하였다.

2. 결과 및 고찰

2.1. 중화 전처리

도 4는 Ca(OH)2와 KOH의 중화실험 후의 사진을 나타내었다.

즉, 2가지 중화제를 모두 폐수의 전처리 과정에 사용하여 보았다.

그러나 도시된 도면에서처럼, KOH를 사용한 폐수(우측 도면)가 더 침전이 잘 되었다.

즉, Ca(OH)2과 KOH의 중화결과를 비교하였을 때 Ca(OH)2 주입시 점액질의 침전물(좌측도면)을 형성하여 고액분리가 되지 않아 분리막 공정의 전처리 물질로 적합하지 않은 것으로 판단되었다.

반면 KOH를 사용하였을 경우에는 침전물(우측도면)을 확실하게 형성하였으며, Ca(OH)2와는 다르게 액체와 고체의 분리가 뚜렷하였다.

따라서 상기 침전물을 제거하기 용이하였기에 KOH가 더 효과적인 중화제임을 확인하였던 것이다.

침전물을 XRD로 분석한 결과로는 도 5에서 보듯 Ca(OH)2로 중화시 발생하는 침전물은 CaF2였으며, KOH로 중화시 발생한 침전물은 대부분이 K2(SiF6)이였으며 KNO3도 일부 포함되어있었다.

이 결과 KOH로 중화하였을 때 F와 막 오염 물질의 물질이 되는 Si의 대부분을 제거할 수 있었다.

즉, 본 발명에서 사용하는 전처리 과정은 향후 거치게 될 분리막 공정시 분리막에 끼일 수 있는 물질을 걸러 주기 위한 것이다.

따라서 상기 막 오염 물질을 제거시키기 위해선 KOH가 최선이었다.

그리고 도 5는 XRD analysis of inorganic precipitates, 즉, 성분 분석표이다.

그리고 중화 후 중강침전, 0.45μm로 여과하였으며, 중화시 사용될 인근의 KOH계 폐수와 중화를 가정하여 그와 비슷한 농도로 희석하였을 때의 전처리 후의 폐수의 성상은 Table 2에서 나타내었다.

즉, KOH를 순수하게 화학적 혼합을 통해 만드는 작업은 비용이 발생되기에, 기존에 발생될 수 있는 KOH계 폐수를 사용하여 중화제로 사용한 것이다.

따라서 별도의 KOH 화합물을 제조해야할 비용을 절감하고, 침전의 효과를 얻는 용이함이 있다.

그리고 Table 2에서 보이듯, 침전물로 인하여 폐수 내의 염의 양을 대표하는 전기전도도가 많이 줄었으며 Si와 F가 많이 줄어든 것을 알 수 있다.

Table 2. Characteristics of MAE Wastewater Neutralized with KOH

Item	Raw Wastewater	Neutralized Wastewater	Rejection (%)
pH	-1.27	7
Conductivity, mS/cm	3,220	345	89
TDS, mg/L	1,760,00	180,000	89
F, mg/L	60,400	20,900	69
NO3-N, mg/L	40,700	30,700	25
Ca, mg/L	62.4	1.92	97
Mg, mg/L	2.48	2.07	17
Si, mg/L	577	32.7	94

2.2. 역삼투 여과 특성

도 6은 막의 종류와 pH에 따른 제거율의 변화를 조사한 실험 결과표이다.

즉, 예상한 것처럼 조밀한 막일수록 높은 제거율을 보였지만 의외로 pH가 증가함에 따라 제거율이 떨어짐을 알 수 있었다.

그리고 다른 염을 배제한 NO3폐수의 거동과 실제 폐수와의 거동을 도 7에서 비교하면 pH가 높아짐에 따라 차이가 커짐을 알 수 있다.

이것은 다른 염의 영향과 Donnan현상의 일부로 해석된다.

여기서 말한 도난 현상을 상세하게 설명한다.

이 Donnan 현상은 막을 통과하지 못하는 염이 있을 때 그와 같은 극성의 염이 투과를 더 잘하는 현상을 일컫는다.

이 폐수안에 주 성분인 K, F, NO3, CH3COO의 수황반경은 300 pm, 350 pm, 400 pm로써 K가NO3보다 더 작고 CH3COO는 NO3보다 크다.

이것은 K의 막투과속도가 NO3보다 잘 통과함을 의미하고 CH3COO는 NO3보다 잘 통과하지 못함을 의미한다.

그리고 KOH로 pH4.7이상 즉 중성조건을 만들어주면 막을 잘 통과하는 K의 양이 증가하는 반면 막을 잘 통과하지 못하는 아세트산이 아세트염으로 변하여 다른 음이온의 제거율이 낮아지게 하는 영향을 미치게 된다.(도 8 참조).

위의 실험결과로 판단하였을때 pH 4에서 막여과를 수행하는 것이 타당할 것으로 생각되었으며 pH 4의 운전조건에서 2단계 여과처리를 하였을 때 의 제거율은 Fig 9에서 나타내었듯 각 단계에서 60~65%의 제거율을 보였으며 전체적으로 85%의 제거율을 달성할 수 있었다(도 9참조).

그리고 도시된 도 10은 압력에 따른 제거율을 조사한 것이다.

압력에 따른 제거율은 증가하였으며 이것은 염의 투과속도는 압력에 거의 일정한데 반해 물의 투과속도는 비례적으로 상승하기 때문에 제거율도 증가하는 것으로 판단된다.

또한 농축 계수과 투과량의 관계는 도 11처럼 농축 계수가 증가함에 따라 투 과량이 줄어드는 현상을 보였으며, 첫 번째 공정보다 두 번째 공정에서 높았는데 이것은 염이 증가함에 따라 투과량의 저항으로 작용하는 삼투압이 증가하기 때문으로 해석된다.

2.3. 일반막과 코팅막의 비교실험

일반막과 코팅막의 제거율의 변화를 도 12에서 나타내었다.

즉, 본 발명에서는 그 코팅막의 정화 우수성을 살펴보기 위해 일반적인 막과 PAA로 코팅된 코팅막을 번갈아 실험하여 보았다.

그런데 코팅막이 고농도에서는 제거율의 차이가 크지 않지만 저농도에서는 제거율의 향상이 두드러졌다.

즉, 전체 2단 구성을 하였을 경우 95%의 제거율을 달성할 수 있었다.

이것은 도 13에서처럼, 막표면에 NO3와 같은 극성인 (-)극성을 띠고 있는 PAA를 코팅해줌으로서 NO3- 과의 정전기적 반발력이 증대되어 제거율이 높아진 것으로 해석된다.

더불어 투과율의 변화는 도 14와 같이 나타났다.

즉, 1번째 공정에서는 차이가 크게 없었으며, 2번째 단에서는 1단보다는 컸으나 전체적으로 큰 차이가 없었다.

3. 결론

위의 연구에서 전처리 중화제로서 Ca(OH)2와 KOH를 비교 분석하였다.

일반적으로 중화제로 많이 사용하는 Ca(OH)2의 경우 본연구의 폐수에는 고액분리 면에서 중화제로 적합하지 않음을 알 수 있었다.

반면 KOH를 이용하였을 때 고액분리를 쉽게 할 수 있었을 뿐 아니라 부수적으로 F와 Si를 제거할 수 있었기 때문에 RO공정 전처리 중화제로 적합하다고 판단된다.

분리막 처리조건 조사 연구에서 중성에서 pH가 증가함에 따라 제거효율이 좋은 것이 특징적이었는데 이것은 Donnan현상의 영향으로 풀이되며 Donnan현상의 최소화를 위해 산성조건에서 타당하였다.

시스템을 2단 구성을 하였을 경우 일반막을 이용하여 각 단계에서 60~65%의 제거율을 달성할 수 있었으며 전체 제거율 85%를 보였다.

한편 코팅막을 사용하였을 경우 정전기적 반발력의 증대로 NO3의 제거율을 증대시킬 수 있었으며, 특히 저농도에서 그 효과가 탁월하였다.

그리하여 전체제거율은 95%를 달성할 수 있었다.

이상의 설명에서처럼, 본 발명은 기존의 비용이 드는 생물학적 처리를 통해 폐수처리 공정을 수행하지 않고, 막을 이용한 역삼투막 여과방식을 사용하기에 그 효과도 높다.

또한 본 발명은 역삼투막 여과 공정을 용이하게 하기 위해 전처리 공정을 선 실시하여 그 효과를 극대화하여 NO₃의 제거율을 95%까지 달성한 고 효율의 정화방법 이다.

Claims

질산성 질소, 보론 등 이온성 물질을 포함한 폐수를 역삼투막으로 정화시키는 방법에 있어서,

상기 역삼투막을 이용한 크로스플로우 로 시스템(cross flow Reverse Osmosis system)이나 또는 데드엔드 로 시스템(dead-end Reverse Osmosis system)을 이용한 여과 공정을 통해 정화시키려할 때, 역삼투막의 표면을 음이온성 고분자 전해질로 역삼투막 표면을 코팅하여 정전기적 반발력에 의해 음전하를 띤 이온성 물질의 제거율을 향상시킨 여과공정을 특징으로 하는 질산성 질소 및 보론을 포함한 이온성물질을 제거하는 수질정화방법.
제 1항에 있어서,

상기 역삼투막을 이용한 여과공정의 시작 전에,

폐수가 산성이고 폐수 내에 Si, F 성분이 존재하는 경우에는 폐수 1톤 당 KOH 400-600Kg을 투입하여 K2SiF6 침전물을 형성시켜 역삼투막 오염물질인 Si와 F 성분을 선 제거하는 것을 특징으로 하는 질산성 질소 및 보론을 포함한 이온성물질을 제거하는 수질정화방법.
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