KR100783812B1 - 유기 발광 소자의 제조 방법 - Google Patents
유기 발광 소자의 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100783812B1 KR100783812B1 KR1020060017921A KR20060017921A KR100783812B1 KR 100783812 B1 KR100783812 B1 KR 100783812B1 KR 1020060017921 A KR1020060017921 A KR 1020060017921A KR 20060017921 A KR20060017921 A KR 20060017921A KR 100783812 B1 KR100783812 B1 KR 100783812B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- photosensitive film
- region
- phase change
- electrodes
- light emitting
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 94
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 132
- 239000010408 film Substances 0.000 description 177
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 139
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 48
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 41
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 8
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 5
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 239000012074 organic phase Substances 0.000 description 1
- -1 p-phenylenevinylene Chemical group 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
본 발명은 화소 개구부의 개구율을 보다 증가시켜 유기 발광 소자의 실질적인 발광 면적을 증가시킬 수 있게 하는 유기 발광 소자의 제조 방법에 관한 것이다.
상기 유기 발광 소자의 제조 방법은, 기판 위에 줄무늬 형상의 복수의 제 1 전극을 형성하는 단계; 상기 복수의 제 1 전극이 형성된 기판 전면에 상변환 감광막을 형성하는 단계; 상기 복수의 제 1 전극과 직교하는 제 1 영역을 정의하는 차광 영역과, 상기 복수의 제 1 전극 사이의 제 2 영역을 정의하는 반투광 영역과, 나머지 영역을 정의하는 투광 영역을 구비한 하프톤 마스크를 통해, 상기 상변환 감광막에 제 1 노광하는 단계; 상기 제 1 노광된 상변환 감광막을 제 1 현상하는 단계; 상기 상변환 감광막을 상변환하는 단계; 상기 제 1 노광 단계보다 작은 노광 에너지로 상기 상변환 감광막의 전면에 제 2 노광하는 단계; 및 상기 제 2 노광된 상변환 감광막을 제 2 현상하는 단계를 포함한다.
유기 발광 소자, 상변환 감광막, 화소 개구부, 개구율
Description
도 1은 본 발명의 제 1 실시예 및 제 2 실시예에 따라 제조된 유기 발광 소자의 평면도이다.
도 2a 내지 도 2e는 도 1을 A-A'로 절단한 본 발명의 제 1 실시예 및 제 2 실시예에 따른 유기 발광 소자 제조 방법의 공정 단면도이다.
도 3a 내지 도 3e는 도 1을 B-B'로 절단한 본 발명의 제 1 실시예 및 제 2 실시예에 따른 유기 발광 소자 제조 방법의 공정 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제 3 실시예에 따라 제조된 유기 발광 소자의 평면도이다.
도 5a 내지 도 5e는 도 4를 A-A'로 절단한 본 발명의 제 3 실시예에 따른 유기 발광 소자 제조 방법의 공정 단면도이다.
도 6a 내지 도 6e는 도 4를 B-B'로 절단한 본 발명의 제 3 실시예에 따른 유기 발광 소자 제조 방법의 공정 단면도이다.
본 발명은 화소 개구부의 개구율을 보다 증가시켜 유기 발광 소자의 실질적인 발광 면적을 증가시킬 수 있게 하는 유기 발광 소자의 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로 유기 발광 소자는 평판 디스플레이 소자 중의 하나로 투명기판 상의 양전극층과 음전극층 사이에 유기 발광층을 개재하며, 매우 얇고, 매트릭스 형태로 형성할 수 있다.
이러한 유기 발광 소자는 15V 이하의 낮은 전압으로 구동이 가능하고, 다른 디스플레이 소자, 예를 들어, TFT-LCD에 비해 휘도, 시야각, 응답속도 및 소비 전력 등에서 우수한 특성을 나타낸다. 더구나, 유기 발광 소자는 다른 디스플레이 소자에 비해 1㎲의 빠른 응답 속도를 가지기 때문에 동영상 구현이 필수적인 차세대 멀티미디어용 디스플레이에 적합한 소자이다.
한편, 이와 같은 유기 발광 소자는 일반적으로, 전기적 절연이 가능한 물질로 이루어진 절연막 및 격벽을 양전극층이 형성된 기판 위에 순차 형성하고, 형성된 격벽의 오버행(overhang) 구조를 통해 유기 발광층 및 음전극층을 패터닝하여 제조된다.
여기서, 상기 절연막은 양전극층 위에 도트 형태의 화소 개구부를 제외한 전 영역에 걸쳐 형성되어 화소 개구부에 의해 화소를 정의하고 양전극층의 단부에서의 누설 전류를 억제시키는 역할을 한다.
또한, 상기 절연막 위에 형성되는 격벽은 양전극층과 직교하도록 일정 간격을 가지게 배열되고 역경사를 유지하는 오버행 구조로 이루어짐으로서 인접 화소 간의 음전극층을 분리시키는 역할을 한다.
따라서, 안정적인 유기 발광 소자를 제조하기 위해서는 절연막과 격벽을 모두 필요로 한다.
이 때문에, 종래부터 단순화된 공정을 통해 이러한 절연막 및 격벽을 형성할 수 있도록 하는 유기 발광 소자의 제조 방법이 다수 제안된 바 있다.
우선, 미국 특허 제 5,701,055 호에는 2 층의 감광막에 대한 노광 및 현상 공정을 각각 별도로 진행하여 상기 절연막 및 격벽을 별개로 형성하는 유기 발광 소자의 제조 방법이 개시된 바 있다.
이와 같은 종래 제 1 기술에 의할 경우, 각각 별도로 형성된 절연막 및 격벽에 의해, 화소를 정의하고 유기 발광층 및 음전극층을 양호하게 패터닝하여 안정적인 특성을 가지는 유기 발광 소자를 제조할 수 있다. 그러나, 이러한 종래 제 1 기술에서는, 상기 절연막 및 격벽을 형성하기 위하여, 2 회의 완전히 분리된 사진 석판 공정을 각각 별도로 진행하여야 하기 때문에 유기 발광 소자의 제조 공정이 매우 복잡해지고, 공정 원가가 크게 증가하는 문제점이 있다. 더구나, 완전히 분리된 2 층의 구조로 절연막 및 격벽을 각각 형성하기 때문에, 하부의 절연막과 상부의 격벽 사이의 접착력이 문제되어, 이러한 절연막과 격벽을 포함하는 소자 분리 구조의 폭/높이비가 작아지는 경우 이러한 소자 분리 구조가 무너져 버리는 문제점 역시 발생하게 된다.
이에 상기 종래 제 1 기술의 문제점을 해결하기 위해, 단일층의 감광막에 대한 보다 단순화된 제조 공정을 통해 일체화된 절연막 및 격벽을 형성할 수 있는 유 기 발광 소자의 제조 방법이 제안된 바 있다.
예를 들어, 본 발명의 출원인의 특허 등록 제 408091 호, 국제 특허 출원 PCT/KR2004/002366 호 및 특허 출원 제 2004-99179 호 등에는, 단일층의 상변환 감광막 등에 대한 최소 2 단계의 노광 및 현상 공정을 통해 일체화된 구조로 절연막 및 격벽을 형성하는 유기 발광 소자의 제조 방법이 개시되어 있다.
이러한 종래 제 2 기술에 따르면, 상기 종래 제 1 기술에 비해 절연막 및 격벽의 형성 공정을 단순화시킬 수 있는 동시에, 절연막 및 격벽을 일체화된 구조로 형성하여 상기 절연막 및 격벽을 포함하는 소자 분리 구조가 무너져 버리는 문제점을 어느 정도 해결할 수 있다.
그러나, 상기 종래 제 2 기술에 있어서는, 상기 절연막 및 오버행 구조의 격벽을 각각 패터닝하기 위한 2 차례의 노광 공정에서, 각각의 노광 마스크를 별도로 얼라인해 상기 절연막 및 격벽을 패터닝할 필요가 있다. 이 때문에, 상기 2 차례의 노광 공정에서 각각 사용되는 2 종류의 노광 마스크에 대한 어느 정도의 얼라인 마진이 필요하며, 이러한 얼라인 마진 확보의 필요성 때문에 상기 절연막 및 격벽의 폭을 줄이는데 한계가 있다. 따라서, 상기 종래 제 2 기술에 따르면, 상기 절연막 및 격벽의 폭을 줄여 상기 절연막에 의해 정의되는 화소 개구부의 개구율을 증가시키는데 한계가 있으며, 이에 따라, 유기 발광 소자의 실질적인 발광 면적을 증가시는데 한계가 있다.
이에 본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여, 화소 개구부의 개구율을 보다 증가시켜 유기 발광 소자의 실질적인 발광 면적을 증가시킬 수 있게 하는 유기 발광 소자의 제조 방법을 제공하기 위한 것이다.
이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 제 1 실시예에 따라, 기판 위에 줄무늬 형상의 복수의 제 1 전극을 형성하는 단계; 상기 복수의 제 1 전극이 형성된 기판 전면에 상변환 감광막을 형성하는 단계; 상기 복수의 제 1 전극과 직교하는 제 1 영역을 정의하는 차광 영역과, 상기 복수의 제 1 전극 사이의 제 2 영역을 정의하는 반투광 영역과, 나머지 영역을 정의하는 투광 영역을 구비한 하프톤 마스크를 통해, 상기 상변환 감광막에 제 1 노광하는 단계; 상기 제 1 노광된 상변환 감광막을 제 1 현상하는 단계; 상기 상변환 감광막을 상변환하는 단계; 상기 제 1 노광 단계보다 작은 노광 에너지로 상기 상변환 감광막의 전면에 제 2 노광하는 단계; 및 상기 제 2 노광된 상변환 감광막을 제 2 현상하는 단계를 포함하는 유기 발광 소자의 제조 방법이 제공된다.
또한, 본 발명의 제 2 실시예에 따라, 기판 위에 줄무늬 형상의 복수의 제 1 전극을 형성하는 단계; 상기 복수의 제 1 전극이 형성된 기판 전면에 상변환 감광막을 형성하는 단계; 상기 복수의 제 1 전극과 직교하는 제 1 영역 및 상기 복수의 제 1 전극 사이의 제 2 영역을 제외한 나머지 영역의 상기 상변환 감광막에 제 1 노광하는 단계; 상기 제 1 노광 단계보다 작은 노광 에너지로 상기 제 2 영역의 상 변환 감광막에 제 2 노광하는 단계; 상기 제 1 노광 및 제 2 노광된 상변환 감광막을 제 1 현상하는 단계; 상기 상변환 감광막을 상변환하는 단계; 상기 제 1 노광 단계보다 작은 노광 에너지로 상기 상변환 감광막의 전면에 제 3 노광하는 단계; 및 상기 제 3 노광된 상변환 감광막을 제 2 현상하는 단계를 포함하는 유기 발광 소자의 제조 방법이 제공된다.
그리고, 본 발명의 제 3 실시예에 따라, 기판 위에 줄무늬 형상의 복수의 제 1 전극을 형성하는 단계; 상기 복수의 제 1 전극이 형성된 기판 전면에 상변환 감광막을 형성하는 단계; 상기 복수의 제 1 전극과 직교하는 제 1 영역 및 상기 복수의 제 1 전극 사이의 제 2 영역을 제외한 나머지 영역의 상기 상변환 감광막에 제 1 노광하는 단계; 상기 제 1 노광된 상변환 감광막을 제 1 현상하는 단계; 상기 상변환 감광막을 상변환하는 단계; 상기 상변환 감광막의 전면에 제 2 노광하는 단계; 및 상기 제 2 노광된 상변환 감광막을 제 2 현상하는 단계를 포함하는 유기 발광 소자의 제조 방법이 제공된다.
상기 본 발명의 제 1 내지 제 3 실시예에 따른 유기 발광 소자의 제조 방법에서, 상기 제 2 현상 단계 후에, 상기 복수의 제 1 전극 위에 유기 발광층 및 제 2 전극을 순차 형성하는 단계가 더 포함될 수 있다. 이 때, 상기 제 2 현상 단계까지를 진행하면, 상기 제 1 영역의 상변환 감광막 상에 상기 복수의 제 1 전극과 직교하는 트렌치가 형성되며, 상기 트렌치의 깊이는 상기 유기 발광층과 제 2 전극을 합친 두께의 1.5-5배로 될 수 있다.
또한, 상기 본 발명의 제 1 내지 제 3 실시예에 따른 유기 발광 소자의 제조 방법에서, 상기 상변환 단계는 상기 상변환 감광막을 열처리하는 단계를 포함할 수 있다.
그리고, 상기 본 발명의 제 3 실시예에 따른 유기 발광 소자의 제조 방법은, 상기 제 1 현상 단계 후에, 상기 복수의 제 1 전극 사이의 제 3 영역의 상기 상변환 감광막에 노광하는 단계를 더 포함할 수 있다. 이 때, 상기 제 3 영역은 상기 복수의 제 1 전극 사이에서 상기 제 2 영역에 포함되면서 이보다 좁은 길이로 정의될 수 있다.
이하 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다.
우선, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기 발광 소자의 제조 방법에 대해 도면을 참고로 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따라 제조된 유기 발광 소자의 평면도이고(다만, 도 1에서는 유기 발광층(260) 및 제 2 전극(270)을 도시 생략하였다.), 도 2a 내지 도 2e는 도 1을 A-A'로 절단한 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기 발광 소자 제조 방법의 공정 단면도이고, 도 3a 내지 도 3e는 도 1을 B-B'로 절단한 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기 발광 소자 제조 방법의 공정 단면도이다.
도 1, 도 2a 및 도 3a를 참조하면, 상기 제 1 실시예에 따라 유기 발광 소자를 제조함에 있어서는, 우선, 투명한 글라스 또는 플라스틱 등으로 이루어진 투명 기판(210) 위에 ITO, IZO(또는 IXO) 등의 제 1 전극 형성 물질을 1,000 ~ 3,000 Å의 두께로 전면 증착한다. 이러한 제 1 전극 형성 물질은 세정한 투명 기판(210) 상에 스퍼터링 방법을 사용하여 증착하고, 증착된 제 1 전극 형성 물질의 면저항이 10 Ω/■ 이하로 되게 한다. 그리고, 감광막(미도시)에 대한 노광 및 현상 공정을 포함하는 사진 석판 공정을 통하여, 상기 제 1 전극 형성 물질을 복수의 줄무늬 형상으로 패터닝함으로서, 제 1 전극(220)을 양전극층으로서 형성한다.
그리고 나서, 상기 줄무늬 형상의 복수의 제 1 전극(220)이 형성된 투명 기판(210) 전면에 상변환 감광막(231)을 적층한다. 상기 상변환 감광막(231)으로는, 예를 들어, AZ 5214E(Clariant)와 같이 반도체의 제조 및 각종 디스플레이 소자의 제조 공정에 사용되는 통상적인 상변환 감광막(231)을 모두 사용할 수 있으며, 상기 AZ 5214E(Clariant)를 상변환 감광막(231)으로 사용하는 경우(이하에서는, 상기 AZ 5214E(Clariant)를 상변환 감광막으로 사용한 경우의 구성에 대해 기술하기로 한다.), 상변환 감광막(231)의 적층 두께는 1 ~ 5 ㎛로 함이 바람직하고, 3 ~ 5 ㎛로 함이 더욱 바람직하다.
상기 상변환 감광막(231)은 기본적으로 포지티브 감광막의 성질을 가지고 있지만, 노광한 후에 일정한 온도(예를 들어, AZ 5214E(Clariant)의 경우에는 115℃ 이상의 온도)로 열처리하면 노광된 부분이 네가티브 감광막과 같이 상변환되어(노광된 부분이 가교됨) 염기성 현상액에 녹지 않게 되는 특성을 나타낸다.
상기 상변환 감광막(231)을 적층한 후에는, 100 ℃의 온도에서 약 60초 동안 소프트베이크 공정을 진행하여 상기 상변환 감광막(231)이 적층된 결과물을 건조시키고 나서, 상기 상변환 감광막(231)에 대한 제 1 노광 공정을 진행한다. 보다 구체적으로, 상기 제 1 노광 공정에서는 상기 복수의 제 1 전극(220)과 직교하는 제 1 영역("가")을 정의하는 차광 영역과, 상기 복수의 제 1 전극(220) 사이의 제 2 영역("나")을 정의하는 반투광 영역과, 상기 제 1 영역("가") 및 제 2 영역("나")을 제외한 나머지 영역을 정의하는 투광 영역을 구비한 하프톤 마스크(도시 생략)을 통해, 상기 상변환 감광막(231)에 노광한다.
이러한 제 1 노광 공정은 상기 상변환 감광막(231)이 화소 개구부(250)를 정의하도록 격자 형태로 형성하기 위한 것으로, 예를 들어, 200 mJ/cm2 이상의 노광 에너지로 진행할 수 있다. 이보다 작은 에너지로 제 1 노광 공정을 진행하면, 화소 개구부(250)가 형성될 영역, 즉, 제 1 영역("가") 및 제 2 영역("나")을 제외한 나머지 영역의 상변환 감광막(231)이 하부까지 충분히 노광될 수 없기 때문에, 이후의 제 1 현상 공정을 진행하여도 화소 개구부(250)의 제 1 전극(220) 상에 상변환 감광막의 일부가 잔류하게 될 우려가 있다.
이러한 제 1 노광 공정을 진행하면, 상기 화소 개구부(250)가 형성될 영역, 즉, 제 1 영역("가") 및 제 2 영역("나")을 제외한 나머지 영역의 상변환 감광막 (231)이 모두 염기성 현상액에 의해 제거될 수 있는 상태로 변화된다. 또한, 상기 복수의 제 1 전극(220) 사이의 제 2 영역("나") 역시 상기 하프톤 마스크의 반투광 영역에 의해 일부 노광되기 때문에, 상기 제 2 영역("나")의 상변환 감광막(231) 중 일부 두께도 염기성 현상액에 의해 제거될 수 있는 상태로 변화된다.
한편, 상기 제 1 노광 공정 후에는, 상기 제 1 노광된 상변환 감광막(231)을 염기성 현상액으로 제 1 현상한다. 이러한 제 1 현상 공정을 진행하면, 도 2b 및 도 3b에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 영역("가") 및 제 2 영역("나")을 제외한 나머지 영역의 상변환 감광막(231)이 완전히 제거되고 상기 제 1 영역("가") 및 제 2 영역("나")에만 상변환 감광막(231)이 잔류하여, 상기 상변환 감광막(231)이 평면에서 보아 화소 개구부(250)를 정의하는 격자 형태로 형성된다(도 1 참조). 즉, 상기 상변환 감광막(231)이 완전히 제거된 영역에서 상기 제 1 전극(220)이 노출되어 유기 발광 소자의 각 화소를 정의하는 화소 개구부(250)가 형성된다.
이와 함께, 상기 반투광된 영역, 즉, 제 2 영역("나")에서는, 일부 두께의 상변환 감광막(231)이 염기성 현상액에 의해 제거되어 상기 제 1 영역("가")에 비해 낮은 두께의 상변환 감광막(231)이 잔류하게 된다.
또한, 상기 제 1 노광 공정 및 제 1 현상 공정은, 상변환되지 않고 포지티브 감광막의 성질을 띄고 있는 상변환 감광막(231)에 대해 진행되기 때문에, 상기 제 1 현상 공정 후에 상기 제 1 영역("가") 및 제 2 영역("나")에 잔류하는 상변환 감광막(231)은 모두 측벽이 정경사(positive profile)를 띄게 된다.
상기 제 1 현상 공정을 진행한 후에는, 도 2c 및 도 3c에 도시된 바와 같이, 상기 상변환 감광막(231)을 상변환한다. 이는 상기 제 1 노광 공정 및 제 1 현상 공정을 통해 제거되지는 않았지만, 상기 제 1 노광 공정의 영향을 받아 약하게 노광된 것과 같은 상태로 된 상변환 감광막(231)의 일부를 상변환시키기 위한 것이다. 즉, 상기 제 1 노광 공정을 진행하는 과정에서, 상기 제 1 영역("가")의 상변환 감광막(231) 및 상기 제 2 영역("나")의 상변환 감광막(231)의 일부는 노광의 대상이 되지 않아서 상기 제 1 현상 공정을 통해 제거되지 않고 해당 영역에 잔류하기는 하지만, 이와 인접하는 상변환 감광막(231)이 비교적 강한 에너지로 노광되어 상기 제 1 현상 공정에서 제거되었기 때문에, 상기 미제거된 상변환 감광막(231) 역시 상기 제 1 노광 공정의 영향을 받아 그 표면 일부("a"; 상기 제 1 노광되어 제거된 상변환 감광막(231)과 바로 인접하는 부분 - 제 1 영역("가")에 잔류하는 상변환 감광막(231)의 측벽 표면 및 제 2 영역("나")에 일부 잔류하는 상변환 감광막(231)의 표면)가 약하게 노광된 것과 같은 상태로 된다. 따라서, 이러한 상변환 감광막(231)의 표면 일부("a")에 대해, 예를 들어, 상변환을 위한 열처리 공정을 진행하면, 노광 후 열처리함으로서 네가티브 감광막의 성질을 갖게 되는 상변환 감광막의 성질에 따라, 상기 미제거된 상태로 잔류하는 상변환 감광막(231)의 표면 일부("a")가 가교되어 염기성 현상액에 녹지 않는 네가티브 감광막의 성질을 갖게 된다.
한편, 상기 상변환 감광막(231)으로서 AZ 5214E(Clariant)를 사용한 경우에는, 상기 상변환 공정에서 115-125℃의 온도에서 90-120 초 동안 상기 상변환 감광막(220)을 열처리할 수 있으며, 기타 상변환 감광막(231)의 종류에 따라 당업자에 게 자명한 조건으로 열처리 공정을 진행하여 상기 상변환 감광막(231)을 상변환할 수 있다.
상기 상변환 공정을 진행한 후에는, 도 2d 및 도 3d에 도시된 바와 같이, 노광량을 조절하여, 예를 들어, 100~200mJ/cm2 의 노광 에너지로 상기 상변환 감광막(231)의 전면에 제 2 노광한다.
이와 같은 제 2 노광 공정(전면 노광; Flood exposure)의 결과, 상기 제 1 영역("가")에 잔류하는 상변환 감광막(231)의 측벽과 상기 제 2 영역("나")에 일부 잔류하는 상변환 감광막(231)은 이미 이전의 상변환 공정에서 그 표면 일부("a")가 네가티브 감광막의 성질을 갖게 되었으므로 아무런 변화가 없다. 이에 비해, 상기 제 1 영역("가")에 잔류하는 상변환 감광막(231)의 상측 표면은 상변환되지 않고 포지티브 감광막의 성질을 유지하고 있으므로, 이러한 상측 표면으로부터 일부 두께("b")의 상변환 감광막(231)이 상기 제 2 노광 공정에 의해 염기성 현상액에 녹아 제거될 수 있는 상태로 변화된다. 다만, 상기 제 2 노광 공정에서는 노광량을 조절하여, 상기 제 1 영역("가")의 상변환 감광막(231) 상측 표면으로부터 일부 두께("b")만을 현상액에 녹을 수 있는 상태로 변화시키며, 이를 제외한 나머지 소정 두께의 상변환 감광막(231)은 현상액에 녹지 않는 포지티브 감광막의 상태를 유지하도록 한다.
이후, 도 2e 및 도 3e에서 볼 수 있는 바와 같이, 상기 제 2 노광된 상변환 감광막(231)을 염기성 현상액으로 제 2 현상한다. 이러한 제 2 현상 공정을 진행하 면, 상기 제 2 노광 공정에서 현상액에 녹을 수 있는 상태로 변화된 상변환 감광막(231)의 일부 두께("b")가 제거되어 상기 제 1 영역("가")의 상변환 감광막(231) 상에 상기 복수의 제 1 전극(220)과 직교하는 트렌치가 형성된다. 이러한 트렌치는 단면에서 보아 오버행 구조로 형성되어, 인접하는 화소 개구부(250)에 형성될 제 2 전극이 서로 단락되는 것을 방지하는 격벽(231b)으로서의 역할을 하게 된다.
이 때, 상기 트렌치는 인접 화소 개구부(250)의 단락의 가능성을 배제하기 위해 추후에 형성될 유기 발광층과 제 2 전극을 합친 두께보다 깊게 형성되어야 한다. 예를 들어, 상기 트렌치는 유기 발광층과 제 2 전극을 합친 두께의 1.5 ~ 15 배의 깊이로 형성될 수 있으며, 바람직하게는 1.5 ~ 15 배의 깊이로 형성될 수 있다. 또한, 상기 상변환 감광막(231)의 적층 두께가 1 ~ 5 ㎛로 되는 경우, 상기 트렌치는 0.5 ~ 4 ㎛의 깊이로 형성될 수 있고, 바람직하게는 2 ~ 4 ㎛의 깊이로 형성될 수 있다. 만일, 추후에 유기 발광층 및 제 2 전극과 함께 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 주입층 및 전자 수송층이 형성될 것이라 가정하면, 상기 트렌치는 약 3000Å의 깊이로 형성될 수 있다.
한편, 상기 트렌치 형성부를 제외한 나머지 상변환 감광막(231)은, 평면에서 보아 화소 개구부(250)를 정의하는 격자 형태를 유지하면서, 또한, 단면에서 보아 측벽이 정경사를 띄고 있으므로, 절연막(231a)으로서의 역할을 한다.
상기 제 2 현상 공정을 진행한 후에는, 투명 기판(210)에 대해 통상의 건조 공정 및 하드 베이크 공정을 진행하고, 상기 절연막(231a) 및 격벽(231b)이 형성된 투명 기판(210) 상에 유기 발광층(260)을 적층한다.
여기서 유기 발광층(260)의 재료로는 Alq3, Anthrancene Ir(ppy)3 등의 저분자 형광 및 인광 유기 발광 물질 또는 PPV(p-phenylenevinylene), PT(polythiophene) 등과 그들의 유도체들인 고분자 유기 발광 물질 등을 사용할 수 있다. 저분자계 유기물질은 챔버 내에 쉐도우 마스크를 설치한 기상 증착(thermal evaporation)방법을 이용하여 패턴을 형성하고, 고분자계 유기물질은 회전 도포(spin coating), 전사법, 잉크젯트 방법을 사용하여 패턴을 형성한다.
여기서 저분자 물질의 경우, 유기 발광층(260)의 형성 전에 정공 주입층과 그 상부의 정공 수송층을 순차 형성할 수 있다. 또한, 유기 발광층 상에 전자 수송층과 전자 주입층을 순차 형성할 수 있다. 정공 주입층은 일함수가 큰 정공 주입 전극을 이용하는 경우, 다량의 정공이 주입 가능하며 주입된 정공이 층중을 이동할 수 있어야 하고, 전자의 주입은 어렵고 주입이 가능하다 하여도 층중을 이동하기 어려운 성질을 가지는 유기 박막층이다. 또한, 전자 수송층은 일함수가 적은 전자 주입 전극을 이용하는 경우에 다량의 전자가 주입 가능하며 주입된 전자가 층중을 이동할 수 있어야 하고, 정공의 주입은 어렵고 주입이 가능하다 하여도 층 중을 이동하기 어려운 성질을 가지는 유기 박막층이다. 고분자의 경우는, 유기발광층(260)의 형성 전에 정공 수송층을 형성한다.
이어서, 유기 발광층(260)을 포함하는 투명 기판(210)상에 제 2 전극(270)을 음전극층으로서 형성한다. 제 2 전극(270)은 일함수가 낮은 금속, 예를 들면 Al, Li/Al, MgAg, Ca 등을 주로 사용하며 스퍼터링, 전자빔법(e-beam deposition), 열 증착법(thermal evaporation) 등의 방법에 의해 증착한다.
결국, 상술한 본 발명의 제 1 실시예에 따르면, 단일층의 상변환 감광막을 사용하여 절연막(231a) 및 격벽(231b)을 일체화된 구조로 형성할 수 있다. 또한, 제 1 노광 공정에서 하프톤 마스크를 사용하여 2 단계의 노광 공정을 1 단계로 줄일 수 있으므로 상기 절연막(231a) 및 격벽(231b)의 형성을 위한 공정 단계가 크게 단순화된다. 이와 동시에, 상기 절연막(231a) 및 격벽(231b)을 패터닝하기 위해 각각의 노광 마스크를 별도로 얼라인할 필요가 없게 되고 상기 격벽(231b)용 트렌치를 형성하기 위한 제 2 노광 공정이 노광 마스크의 얼라인을 필요로 하지 않는 전면 노광 공정으로 진행되므로, 상기 절연막(231a) 및 격벽(231b)을 형성하기 위해 필요한 얼라인 마진을 크게 줄일 수 있으며, 이에 따라, 상기 절연막(231a)의 역할을 하는 상변환 감광막의 폭을 줄여 화소 개구부(250)의 개구율을 증가시킬 수 있다. 따라서, 본 발명의 제 1 실시예에 따르면, 실질적인 발광 면적이 크게 증가된 유기 발광 소자를 제공할 수 있다.
다음으로, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기 발광 소자의 제조 방법을 상술하기로 한다.
다만, 상기 제 2 실시예에 따른 제조 방법은 대부분의 구성이 제 1 실시예와 동일하고, 단지, 하프톤 마스크를 사용한 상기 제 1 실시예의 제 1 노광 공정 대신 일반적인 노광 마스크를 사용한 제 1 노광 공정 및 제 2 노광 공정을 진행한다는 점에서만 상이하다. 그러므로, 이하에서는 제 1 실시예에 관한 도 1 내지 도 3을 참고로, 제 2 실시예의 구성에서 제 1 실시예와 달라지는 점에 대해서만 상술하기로 한다.
이러한 제 2 실시예에 따라 유기 발광 소자를 제조함에 있어서는, 우선, 도 2a 및 도 3a에 나타난 제 1 전극(220)의 형성 공정에서부터 상변환 감광막(231)의 형성 공정까지를 제 1 실시예와 동일하게 진행한다.
그리고 나서, 상기 복수의 제 1 전극(220)과 직교하는 제 1 영역("가") 및 상기 복수의 제 1 전극(220) 사이의 제 2 영역("나")을 제외한 나머지 영역의 상기 상변환 감광막(231)에 제 1 노광한다.
이러한 제 1 노광 공정은 상기 상변환 감광막(231)이 화소 개구부(250)를 정의하도록 격자 형태로 형성하기 위한 것으로, 예를 들어, 200 mJ/cm2 이상의 노광 에너지로 진행할 수 있다. 이보다 작은 에너지로 제 1 노광 공정을 진행하면, 상기 제 1 영역("가") 및 제 2 영역("나")을 제외한 나머지 영역의 상변환 감광막(231)이 하부까지 충분히 노광될 수 없기 때문에, 이후의 제 1 현상 공정을 진행하여도 화소 개구부(250)의 제 1 전극(220) 상에 상변환 감광막의 일부가 잔류하게 될 우려가 있다.
이러한 제 1 노광 공정을 진행하면, 상기 화소 개구부(250)가 형성될 영역, 즉, 제 1 영역("가") 및 제 2 영역("나")을 제외한 나머지 영역의 상변환 감광막(231)이 모두 염기성 현상액에 의해 제거될 수 있는 상태로 변화된다.
다만, 본 발명의 제 2 실시예에서는, 상술한 제 1 실시예와는 달리 상기 제 1 노광 공정에서 하프톤 마스크를 사용하지 않음에 따라 상기 제 2 영역("나")이 차단되어 노광되지 않기 때문에, 상기 제 2 영역("나")의 상변환 감광막(231) 역시 상기 제 1 영역("가")과 동일한 두께로 그대로 잔류한다.
이에 따라, 본 발명의 제 2 실시예에서는, 상기 제 1 노광 공정 후에, 상기 제 1 노광 공정보다 작은 노광 에너지로 상기 제 2 영역("나")의 상변환 감광막(231)에 제 2 노광한다. 이러한 제 2 노광 공정을 진행하면, 상기 제 2 영역("나")의 상변환 감광막(231) 중 일부 두께가 노광되어 염기성 현상액에 의해 제거될 수 있는 상태로 변화된다.
이때, 본 발명의 제 2 실시예에서는, 상기 제 1 노광 공정 및 제 2 노광 공정을 별도로 진행해 상기 상변환 마스크(231)를 격자 형태로 형성하기는 하지만, 상기 제 2 노광 공정에서는 상기 제 1 노광 공정에서 사용한 노광 마스크와 동일한 폭과 간격으로 투광 영역 및 차광 영역을 구비한 노광 마스크를 사용할 수 있고, 다만, 상기 제 2 노광 공정에서 사용하는 노광 마스크는 상기 제 2 영역("나")이 투광 영역에 포함되어 투광 영역이 격자 형태가 아닌 줄무늬 형태로 이어져 있다는 점에서만 상기 제 1 노광 공정에서 사용한 노광 마스크와 상이하다. 따라서, 상기 제 1 노광 공정 및 제 2 노광 공정 간에는, 2 종류의 노광 마스크를 각각 얼라인하기 위한 얼라인 마진 확보의 필요성이 거의 없다.
한편, 상기 제 2 노광 공정을 진행한 후에는, 상기 제 2 노광된 상변환 감광막(231)을 염기성 현상액으로 제 1 현상한다. 이러한 제 1 현상 공정을 진행하면, 도 2b 및 도 3b에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 영역("가") 및 제 2 영역("나")을 제외한 나머지 영역의 상변환 감광막(231)이 완전히 제거되고 상기 제 1 영역("가") 및 제 2 영역("나")에만 상변환 감광막(231)이 잔류하여, 상기 상변환 감광막(231)이 평면에서 보아 화소 개구부(250)를 정의하는 격자 형태로 형성된다(도 1 참조). 즉, 상기 상변환 감광막(231)이 완전히 제거된 영역에서 상기 제 1 전극(220)이 노출되어 유기 발광 소자의 각 화소를 정의하는 화소 개구부(250)가 형성된다.
이와 함께, 상기 제 2 노광된 영역, 즉, 제 2 영역("나")에서는, 일부 두께의 상변환 감광막(231)이 염기성 현상액에 의해 제거되어 상기 제 1 영역("가")에 비해 낮은 두께의 상변환 감광막(231)이 잔류하게 된다.
또한, 상기 제 1 노광 공정, 제 2 노광 공정 및 제 1 현상 공정은, 상변환되지 않고 포지티브 감광막의 성질을 띄고 있는 상변환 감광막(231)에 대해 진행되기 때문에, 상기 제 1 현상 공정 후에 상기 제 1 영역("가") 및 제 2 영역("나")에 잔류하는 상변환 감광막(231)은 모두 측벽이 정경사(positive profile)를 띄게 된다.
상기 제 1 현상 공정을 진행한 후에는, 제 1 실시예와 동일하게 상변환 공정을 진행하고(도 2c 및 도 3c 참조), 상기 제 1 실시예의 제 2 노광 공정과 동일하게 제 3 노광 공정을 진행한 후(도 2d 및 도 3d 참조), 그 이후의 현상 공정과 유기 발광층 및 제 2 전극의 형성 공정(도 2e 및 도 3e)까지를 상술한 제 1 실시예와 동일하게 진행하여 최종적으로 유기 발광 소자를 제조한다.
상술한 본 발명의 제 2 실시예에 따르더라도, 단일층의 상변환 감광막을 사용하여 절연막(231a) 및 격벽(231b)을 일체화된 구조로 형성할 수 있다. 또한, 상 기한 바와 같이, 제 1 노광 공정 및 제 2 노광 공정 간에 2 종류의 노광 마스크를 각각 얼라인 하기 위한 얼라인 마진 확보의 필요성이 거의 없으며, 격벽(231b)용 트렌치를 형성하기 위한 제 3 노광 공정 역시 노광 마스크의 얼라인을 필요로 하지 않는 전면 노광 공정으로 진행되므로, 상기 절연막(231a) 및 격벽(231b)을 형성하기 위해 필요한 얼라인 마진을 크게 줄일 수 있으며, 이에 따라, 상기 절연막(231a)의 역할을 하는 상변환 감광막의 폭을 줄여 화소 개구부(250)의 개구율을 증가시킬 수 있다. 따라서, 본 발명의 제 2 실시예에 따르면, 실질적인 발광 면적이 크게 증가된 유기 발광 소자를 제공할 수 있다.
마지막으로, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 유기 발광 소자의 제조 방법을 상술하기로 한다.
다만, 상기 제 3 실시예에 따른 제조 방법은 대부분의 구성이 제 2 실시예와 동일하고, 단지, 상기 제 1 현상 공정 전에 제 2 영역("나")에 대한 노광 공정을 진행하지 않고, 상기 제 2 영역("나")의 상변환 감광막(231)의 높이를 상기 제 1 영역("가")과 동일하게 유지한다는 점에서만 상이하므로, 이하에서는 도면을 참고로 제 3 실시예의 구성에서 제 2 실시예와 달라지는 점에 대해서만 상술하기로 한다.
도 4는 본 발명의 제 3 실시예에 따라 제조된 유기 발광 소자의 평면도이고(다만, 도 1에서는 유기 발광층(260) 및 제 2 전극(270)을 도시 생략하였다.), 도 5a 내지 도 5e는 도 4를 A-A'로 절단한 본 발명의 제 3 실시예에 따른 유기 발광 소자 제조 방법의 공정 단면도이고, 도 6a 내지 도 6e는 도 4를 B-B'로 절단한 본 발명의 제 3 실시예에 따른 유기 발광 소자 제조 방법의 공정 단면도이다.
이러한 제 3 실시예에 따라 유기 발광 소자를 제조함에 있어서는, 우선, 도 5a 및 도 6a에 나타난 바와 같이, 제 1 전극(220)의 형성 공정에서부터 상변환 감광막(231)의 형성 공정까지를 상술한 제 2 실시예와 동일하게 진행한다.
그리고 나서, 제 2 실시예와 동일하게, 상기 복수의 제 1 전극(220)과 직교하는 제 1 영역("가") 및 상기 복수의 제 1 전극(220) 사이의 제 2 영역("나")을 제외한 나머지 영역의 상기 상변환 감광막(231)에 제 1 노광한다. 이러한 제 1 노광 공정을 진행하는 구체적인 조건 및 방법은 상술한 제 2 실시예와 동일하다.
이러한 제 1 노광 공정을 진행하면, 상기 화소 개구부(250)가 형성될 영역, 즉, 제 1 영역("가") 및 제 2 영역("나")을 제외한 나머지 영역의 상변환 감광막(231)이 모두 염기성 현상액에 의해 제거될 수 있는 상태로 변화된다. 이 때, 상기 제 1 노광 공정에서는, 상기 제 2 실시예와 마찬가지로, 상기 제 2 영역("나")이 차단되어 노광되지 않기 때문에, 상기 제 2 영역("나")의 상변환 감광막(231)이 상기 제 1 영역("가")과 동일한 두께로 그대로 잔류한다.
그런데, 본 발명의 제 3 실시예에서는, 상기 제 2 실시예와는 달리, 상기 제 1 노광 공정 후에 상기 제 2 영역("나")의 상변환 감광막(231)의 일부 두께를 노광하기 위한 별도의 노광 공정을 진행하지 않는다.
즉, 제 1 노광 공정을 진행한 후에 바로, 상기 제 1 노광된 상변환 감광막 (231)을 염기성 현상액으로 제 1 현상한다. 이러한 제 1 현상 공정을 진행하면, 도 5b 및 도 6b에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 영역("가") 및 제 2 영역("나")을 제외한 나머지 영역의 상변환 감광막(231)이 완전히 제거되고 상기 제 1 영역("가") 및 제 2 영역("나")에만 상변환 감광막(231)이 잔류하여, 상기 상변환 감광막(231)이 평면에서 보아 화소 개구부(250)를 정의하는 격자 형태로 형성된다(도 1 참조). 즉, 상기 상변환 감광막(231)이 완전히 제거된 영역에서 상기 제 1 전극(220)이 노출되어 유기 발광 소자의 각 화소를 정의하는 화소 개구부(250)가 형성된다.
이와 함께, 상기 제 1 영역("가") 및 제 2 영역("나")에서 상변환 감광막(231)이 제거되지 않으므로, 이들 영역에 동일한 두께의 상변환 감광막(231)이 그대로 잔류한다.
또한, 상기 제 1 노광 공정 및 제 1 현상 공정은, 상변환되지 않고 포지티브 감광막의 성질을 띄고 있는 상변환 감광막(231)에 대해 진행되기 때문에, 상기 제 1 현상 공정 후에 상기 제 1 영역("가") 및 제 2 영역("나")에 잔류하는 상변환 감광막(231)은 모두 측벽이 정경사(positive profile)를 띄게 된다.
상기 제 1 현상 공정을 진행한 후에는, 도 5c 및 도 6c에 도시된 바와 같이, 상기 상변환 감광막(231)을 상변환한다. 이는 상기 제 1 노광 공정 및 제 1 현상 공정을 통해 제거되지는 않았지만, 상기 제 1 노광 공정의 영향을 받아 약하게 노광된 것과 같은 상태로 된 상변환 감광막(231)의 일부를 상변환시키기 위한 것이다.
즉, 상기 제 1 노광 공정을 진행하는 과정에서, 상기 제 1 영역("가") 및 상 기 제 2 영역("나")의 상변환 감광막(231)은 노광의 대상이 되지 않아서 상기 제 1 현상 공정을 통해 제거되지 않고 해당 영역에 잔류하기는 하지만, 이와 인접하는 상변환 감광막(231)이 비교적 강한 에너지로 노광되어 상기 제 1 현상 공정에서 제거되었기 때문에, 상기 제 1 영역("가") 및 제 2 영역("나")의 상변환 감광막(231) 역시 상기 제 1 노광 공정의 영향을 받아 그 표면 일부("a"; 상기 제 1 노광되어 제거된 상변환 감광막(231)과 바로 인접하는 부분 - 제 1 영역("가")에 잔류하는 상변환 감광막(231)의 표면 일부 및 제 2 영역("나")에 잔류하는 상변환 감광막(231)의 표면)가 약하게 노광된 것과 같은 상태로 된다. 특히, 서로 인접하는 줄무늬 형상의 제 1 전극(220) 사이의 거리가 충분히 좁아서 상기 제 2 영역("나")의 폭 "α"가 충분히 좁하지면(도 1 참조), 상기 제 2 영역("나")에 잔류하는 상변환 감광막(231)의 전 표면이 약하게 노광된 것과 같은 상태로 된다.
따라서, 이러한 상변환 감광막(231)의 표면 일부("a")에 대해, 예를 들어, 상변환을 위한 열처리 공정을 진행하면, 노광 후 열처리함으로서 네가티브 감광막의 성질을 갖게 되는 상변환 감광막의 성질에 따라, 상기 제 1 영역("가") 및 제 2 영역("나")에 잔류하는 상변환 감광막(231)의 표면 일부("a")가 가교되어 염기성 현상액에 녹지 않는 네가티브 감광막의 성질을 갖게 된다.
다만, 경우에 따라서는, 상기 제 2 영역("나")의 폭 "α"가 충분히 좁아지 못하여, 상기 제 2 영역("나")의 상변환 감광막(231) 중 중앙부의 표면 일부가 제 1 노광 공정의 영향을 받지 않은 상태로 유지될 수도 있다. 이러한 경우에는, 상기 제 1 현상 공정의 진행 후 상변환 공정의 진행 전에, 상기 복수의 제 1 전극(220) 사이의 제 3 영역의 상기 상변환 감광막(231)에 대한 노광 공정을 추가적으로 진행할 수도 있다. 이 때, 상기 제 3 영역은 상기 제 2 영역("나") 내에서 추후에 제 2 전극이 형성될 영역에 대응하는 것으로, 상기 제 2 영역("나")에 포함되면서 이보다 좁은 길이로 정의될 수 있다.
상기 제 3 영역에 대한 별도의 노광 공정을 진행하고 상기 상변환 공정을 진행하면, 상기 제 2 영역("나") 중에서 적어도 제 2 전극이 형성될 제 3 영역의 상변환 감광막(231)은 전 표면이 염기성 현상액에 녹지 않는 네가티브 감광막의 성질을 갖게 되므로, 추후에 제 2 현상 공정을 진행하더라도 상기 제 3 영역의 상변환 감광막(231) 상에는 격벽으로서 작용하는 트렌치가 형성되지 않는다. 따라서, 추후에 형성되는 제 2 전극이 이러한 제 3 영역의 상변환 감광막(231)을 타고 넘어 끈어지지 않고 상기 제 1 전극(220)과 직교하는 방향으로 바람직하게 배열될 수 있다. 또한, 상기 제 3 영역을 제외한 나머지 제 1 영역("가") 및 제 2 영역("나")의 상변환 감광막 상에는 모두 격벽으로서 작용하는 트렌치가 형성되므로, 상기 제 1 전극(220)이 배열된 방향을 따라 서로 인접하는 화소 개구부(250)의 제 2 전극이 서로 단락되는 것을 방지할 수 있다.
한편, 상기 상변환 공정을 진행한 후에는, 상기 제 2 실시예의 제 3 노광 공정과 동일하게 제 2 노광 공정을 진행한 후(도 5d 및 도 6d 참조), 그 이후의 제 2 현상 공정과 유기 발광층 및 제 2 전극의 형성 공정(도 5e 및 도 6e)까지를 상술한 제 2 실시예와 동일하게 진행하여 최종적으로 유기 발광 소자를 제조한다.
상술한 본 발명의 제 3 실시예에 따르더라도, 단일층의 상변환 감광막을 사 용하여 절연막(231a) 및 격벽(231b)을 일체화된 구조로 형성할 수 있다[다만, 제 3 실시예에 따라 제조된 유기 발광 소자에서는, 절연막(231a)으로서 작용하는 제 2 영역("나") 또는 제 3 영역의 상변환 감광막(231)이, 격벽(231b)용 트렌치가 형성된 나머지 영역(제 1 영역("가") 또는 제 1 영역("가") 및 제 3 영역을 제외한 제 2 영역("나"))의 상변환 감광막(231)과 동일한 높이로 잔류하고 있다는 점에서만 상기 제 2 실시예와 다르다.]. 또한, 상기한 바와 같이, 상기 격벽(231b)용 트렌치를 형성하기 위한 제 2 노광 공정이 노광 마스크의 얼라인을 필요로 하지 않는 전면 노광 공정으로 진행되므로, 상기 절연막(231a) 및 격벽(231b)을 형성하기 위해 필요한 얼라인 마진을 크게 줄일 수 있으며, 이에 따라, 상기 절연막(231a)의 역할을 하는 상변환 감광막의 폭을 줄여 화소 개구부(250)의 개구율을 증가시킬 수 있다. 따라서, 본 발명의 제 2 실시예에 따르면, 실질적인 발광 면적이 크게 증가된 유기 발광 소자를 제공할 수 있다.
본 발명의 제 1 실시예에 따르면, 하프톤 마스크를 사용하여 2 단계의 노광 공정을 1 단계로 줄일 수 있으므로, 단일층의 상변환 감광막에 대한 보다 단순화된 공정을 통해 절연막 및 격벽을 일체화된 구조로 형성할 수 있다. 이와 동시에, 상기 절연막 및 격벽을 패터닝하기 위해 각각의 노광 마스크를 별도로 얼라인할 필요가 없게 되고 상기 격벽을 형성하기 위한 제 2 노광 공정이 노광 마스크의 얼라인을 필요로 하지 않는 전면 노광 공정으로 진행되므로, 상기 절연막 및 격벽을 형성 하기 위해 필요한 얼라인 마진을 크게 줄일 수 있으며, 이에 따라, 상기 절연막의 역할을 하는 상변환 감광막의 폭을 줄여 화소 개구부의 개구율을 증가시킬 수 있다. 따라서, 본 발명의 제 1 실시예에 따르면, 실질적인 발광 면적이 크게 증가된 유기 발광 소자를 제공할 수 있다.
또한, 본 발명의 제 2 실시예 및 제 3 실시예에 따르더라도, 상기 절연막 및 격벽을 형성하기 위해 필요한 얼라인 마진을 크게 줄일 수 있으며, 이에 따라, 상기 절연막의 역할을 하는 상변환 감광막의 폭을 줄여 화소 개구부의 개구율을 증가시킬 수 있다. 따라서, 본 발명의 제 2 실시예 및 제 3 실시예에 의해서도, 실질적인 발광 면적이 크게 증가된 유기 발광 소자를 제공할 수 있다.
결국, 본 발명에 따르면, 단일층의 상변환 감광막에 대한 단순화된 공정을 통해 일체화된 구조로 절연막 및 격벽을 형성할 수 있고, 화소 개구부의 개구율을 증가시켜 실질적인 발광 면적이 크게 증가된 유기 발광 소자를 제조할 수 있게 하는 유기 발광 소자의 제조 방법을 제공할 수 있다.
따라서, 본 발명은 유기 발광 소자의 공정 단순화, 고해상도화 및 저소비전력화에 크게 기여할 수 있다.
Claims (14)
- 기판 위에 줄무늬 형상의 복수의 제 1 전극을 형성하는 단계;상기 복수의 제 1 전극이 형성된 기판 전면에 상변환 감광막을 형성하는 단계;상기 복수의 제 1 전극과 직교하는 제 1 영역을 정의하는 차광 영역과, 상기 복수의 제 1 전극 사이의 제 2 영역을 정의하는 반투광 영역과, 나머지 영역을 정의하는 투광 영역을 구비한 하프톤 마스크를 통해, 상기 상변환 감광막에 제 1 노광하는 단계;상기 제 1 노광된 상변환 감광막을 제 1 현상하는 단계;상기 상변환 감광막을 상변환하는 단계;상기 제 1 노광 단계보다 작은 노광 에너지로 상기 상변환 감광막의 전면에 제 2 노광하는 단계; 및상기 제 2 노광된 상변환 감광막을 제 2 현상하는 단계를 포함하는 유기 발광 소자의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 현상 단계 후에, 상기 복수의 제 1 전극 위에 유기 발광층 및 제 2 전극을 순차 형성하는 단계를 더 포함하는 유기 발광 소자의 제조 방법.
- 제 2 항에 있어서, 상기 제 2 현상 단계를 진행하면, 상기 제 1 영역의 상변환 감광막 상에 상기 복수의 제 1 전극과 직교하는 트렌치가 형성되며, 상기 트렌치의 깊이는 상기 유기 발광층과 제 2 전극을 합친 두께의 1.5-15배인 유기 발광 소자의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 상변환 단계는 상기 상변환 감광막을 열처리하는 단계를 포함하는 유기 발광 소자의 제조 방법.
- 기판 위에 줄무늬 형상의 복수의 제 1 전극을 형성하는 단계;상기 복수의 제 1 전극이 형성된 기판 전면에 상변환 감광막을 형성하는 단계;상기 복수의 제 1 전극과 직교하는 제 1 영역 및 상기 복수의 제 1 전극 사이의 제 2 영역을 제외한 나머지 영역의 상기 상변환 감광막에 제 1 노광하는 단계;상기 제 1 노광 단계보다 작은 노광 에너지로 상기 제 2 영역의 상변환 감광막에 제 2 노광하는 단계;상기 제 1 노광 및 제 2 노광된 상변환 감광막을 제 1 현상하는 단계;상기 상변환 감광막을 상변환하는 단계;상기 제 1 노광 단계보다 작은 노광 에너지로 상기 상변환 감광막의 전면에 제 3 노광하는 단계; 및상기 제 3 노광된 상변환 감광막을 제 2 현상하는 단계를 포함하는 유기 발광 소자의 제조 방법.
- 제 5 항에 있어서, 상기 제 2 현상 단계 후에, 상기 복수의 제 1 전극 위에 유기 발광층 및 제 2 전극을 순차 형성하는 단계를 더 포함하는 유기 발광 소자의 제조 방법.
- 제 6 항에 있어서, 상기 제 2 현상 단계를 진행하면, 상기 제 1 영역의 상변환 감광막 상에 상기 복수의 제 1 전극과 직교하는 트렌치가 형성되며, 상기 트렌치의 깊이는 상기 유기 발광층과 제 2 전극을 합친 두께의 1.5-15배인 유기 발광 소자의 제조 방법.
- 제 5 항에 있어서, 상기 상변환 단계는 상기 상변환 감광막을 열처리하는 단 계를 포함하는 유기 발광 소자의 제조 방법.
- 기판 위에 줄무늬 형상의 복수의 제 1 전극을 형성하는 단계;상기 복수의 제 1 전극이 형성된 기판 전면에 상변환 감광막을 형성하는 단계;상기 복수의 제 1 전극과 직교하는 제 1 영역 및 상기 복수의 제 1 전극 사이의 제 2 영역을 제외한 나머지 영역의 상기 상변환 감광막에 제 1 노광하는 단계;상기 제 1 노광된 상변환 감광막을 제 1 현상하는 단계;상기 상변환 감광막을 상변환하는 단계;상기 상변환 감광막의 전면에 제 2 노광하는 단계; 및상기 제 2 노광된 상변환 감광막을 제 2 현상하는 단계를 포함하는 유기 발광 소자의 제조 방법.
- 제 9 항에 있어서, 상기 제 1 현상 단계 후에, 상기 복수의 제 1 전극 사이의 제 3 영역의 상기 상변환 감광막에 노광하는 단계를 더 포함하는 유기 발광 소자의 제조 방법.
- 제 10 항에 있어서, 상기 제 3 영역은 상기 복수의 제 1 전극 사이에서 상기 제 2 영역에 포함되면서 이보다 좁은 길이로 정의되는 유기 발광 소자의 제조 방법.
- 제 9 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 2 현상 단계 후에, 상기 복수의 제 1 전극 위에 유기 발광층 및 제 2 전극을 순차 형성하는 단계를 더 포함하는 유기 발광 소자의 제조 방법.
- 제 12 항에 있어서, 상기 제 2 현상 단계를 진행하면, 상기 제 1 영역의 상변환 감광막 상에 상기 복수의 제 1 전극과 직교하는 트렌치가 형성되며, 상기 트렌치의 깊이는 상기 유기 발광층과 제 2 전극을 합친 두께의 1.5-15배인 유기 발광 소자의 제조 방법.
- 제 9 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 상변환 단계는 상기 상변환 감광막을 열처리하는 단계를 포함하는 유기 발광 소자의 제조 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020060017921A KR100783812B1 (ko) | 2006-02-23 | 2006-02-23 | 유기 발광 소자의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020060017921A KR100783812B1 (ko) | 2006-02-23 | 2006-02-23 | 유기 발광 소자의 제조 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20070051629A KR20070051629A (ko) | 2007-05-18 |
| KR100783812B1 true KR100783812B1 (ko) | 2007-12-07 |
Family
ID=38274748
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020060017921A KR100783812B1 (ko) | 2006-02-23 | 2006-02-23 | 유기 발광 소자의 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100783812B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102024098B1 (ko) * | 2013-05-28 | 2019-09-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 이의 제조방법 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003332051A (ja) * | 2002-05-09 | 2003-11-21 | Dainippon Printing Co Ltd | エレクトロルミネッセント素子の製造方法 |
| JP2004181395A (ja) * | 2002-12-04 | 2004-07-02 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機積層部材の製造方法、有機積層部材、色変換部材およびカラーディスプレイ |
| KR20050027907A (ko) * | 2003-09-16 | 2005-03-21 | 대우전자서비스주식회사 | 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법 |
| KR20060060246A (ko) * | 2004-11-30 | 2006-06-05 | 주식회사 대우일렉트로닉스 | 유기 전계 발광 소자의 제조 방법 |
-
2006
- 2006-02-23 KR KR1020060017921A patent/KR100783812B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003332051A (ja) * | 2002-05-09 | 2003-11-21 | Dainippon Printing Co Ltd | エレクトロルミネッセント素子の製造方法 |
| JP2004181395A (ja) * | 2002-12-04 | 2004-07-02 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機積層部材の製造方法、有機積層部材、色変換部材およびカラーディスプレイ |
| KR20050027907A (ko) * | 2003-09-16 | 2005-03-21 | 대우전자서비스주식회사 | 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법 |
| KR20050117615A (ko) * | 2003-09-16 | 2005-12-15 | 씨엘디 주식회사 | 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법 |
| KR20060060246A (ko) * | 2004-11-30 | 2006-06-05 | 주식회사 대우일렉트로닉스 | 유기 전계 발광 소자의 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20070051629A (ko) | 2007-05-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7091660B2 (en) | Polymer organic light emitting diode | |
| US7622899B2 (en) | Organic electroluminescence display and method of fabricating the same | |
| KR100643404B1 (ko) | 디스플레이장치 및 그 제조방법 | |
| KR101322310B1 (ko) | 유기전기발광소자 및 그 제조방법 | |
| US20030052596A1 (en) | Organic electroluminescence display and fabricating method thereof | |
| KR102024098B1 (ko) | 표시장치 및 이의 제조방법 | |
| KR101867637B1 (ko) | 표시 장치 및 그의 제조 방법 | |
| KR100762121B1 (ko) | 유기 전계 발광 소자의 제조 방법 | |
| CN111162095A (zh) | 驱动背板及其制备方法、显示面板、显示装置 | |
| KR100783812B1 (ko) | 유기 발광 소자의 제조 방법 | |
| JP4739209B2 (ja) | 有機ｅｌディスプレイの製造方法 | |
| KR100768692B1 (ko) | 유기 발광 소자 및 그의 제조 방법 | |
| JP4973698B2 (ja) | 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JP6083122B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 | |
| KR101157263B1 (ko) | 유기전계발광표시장치 및 그 제조 방법 | |
| KR100408091B1 (ko) | 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법 | |
| KR100762120B1 (ko) | 유기 ｅｌ 소자 및 그 제조 방법 | |
| KR100768710B1 (ko) | 유기 발광 소자의 제조 방법 | |
| KR101347164B1 (ko) | 평판표시장치와 이의 제조방법 | |
| KR101264865B1 (ko) | 유기전계 발광소자의 제조방법 | |
| KR100770580B1 (ko) | 유기 ｅｌ 소자의 제조 방법 | |
| JP2010152059A (ja) | 電子機器の製造方法及び短絡体 | |
| KR100768693B1 (ko) | 유기 발광 소자 및 그의 제조 방법 | |
| KR20040085383A (ko) | 다층 구조의 격벽 구조물을 포함하는 유기 전계발광소자및 그의 제조 방법 | |
| KR20070025032A (ko) | 디스플레이 장치와 디스플레이 장치의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| G15R | Request for early publication | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20111201 Year of fee payment: 5 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |