KR100778783B1 - Heating apparatus for batch type furnace - Google Patents

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서기훈
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Abstract

A heating apparatus of a batch type furnace is provided to induce thermal deformation by arranging a lower heating wire along an inner circumference of a heating block. A batch type vertical heat treatment reaction chamber is divided into a plurality of heating regions along a vertical direction. A coil-shaped heating wire is installed at upper and lower regions of each of the heating regions along an outer circumference of the batch type vertical heat treatment reaction chamber. A lower heating wire(10) of the lowest heating region is positioned at an entrance of the batch type vertical heat treatment reaction chamber in the heating regions. A plurality of heating unit(12) are formed at the upper and lower regions. The heating units are repeatedly formed along the outer circumference of the lower region in order to be arranged radially in the lower region.

Description

배치식 반응챔버의 히팅장치{Heating Apparatus for Batch type Furnace}Heating Apparatus for Batch Reaction Chamber {Heating Apparatus for Batch type Furnace}

도 1a 은 배치방식의 열처리 공정이 포함되는 반도체 제조장치를 나타낸 개념설명도,1A is a conceptual diagram illustrating a semiconductor manufacturing apparatus including a batch heat treatment process;

도 1b 는 종래 배치방식의 히팅장치를 나타낸 개념설명도,1B is a conceptual diagram illustrating a heating apparatus of a conventional arrangement method;

도 1c 는 종래 배치방식의 히팅장치에서 발생되는 문제점을 설명하기 위한 평면설명도,1C is a plan explanatory diagram for explaining a problem occurring in the conventional heating apparatus of the arrangement method;

도 2a 는 본 발명에 따른 히팅장치를 나타낸 개념설명도,2a is a conceptual diagram illustrating a heating apparatus according to the present invention;

도 2b 는 하부전열선의 가열유닛을 나타낸 사시설명도 및 단면설명도,Figure 2b is a facility name and cross-sectional view showing the heating unit of the lower heating wire,

도 2c 는 종래 도 1c 와 대응되는 본 발명의 히팅장치를 나타낸 평면설명도,Figure 2c is a plan explanatory view showing a heating apparatus of the present invention corresponding to the conventional Figure 1c,

도 3 은 본 발명에 따른 히팅장치에서 하부전열선의 배열상태를 나타낸 전개설명도이다.3 is an explanatory view showing the arrangement of the lower heating wire in the heating apparatus according to the present invention.

- 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 --Explanation of symbols for the main parts of the drawings-

1 - 반응챔버, 2 - 보트,1-reaction chamber, 2-boat,

3 - 승강장치, 4, - 전열선,3-lifting device, 4,-heating wire,

5 - 히팅블럭, 6,16 - 인슐레이터,5-heating block, 6,16-insulator,

7 - 가변저항기, 10 - 하부전열선,7-potentiometer, 10-lower heating wire,

12 - 가열유닛, 14 - 허용공간부,12-heating unit, 14-permissible space,

18 - 곡면부, 20 - 연결부.18-curved surface, 20-connection.

본 발명은 배치방식의 반도체 열처리장치 반응챔버에서 최하부에 설치되는 하부전열선의 열변형에 대응하기 위한 배치방식 반응챔버의 히팅장치에 관한 것이다.The present invention relates to a heating apparatus of a batch type reaction chamber for coping with thermal deformation of a lower heating wire installed at a lowermost portion in a batch type semiconductor heat treatment device reaction chamber.

일반적으로 반도체 제조공정 또는 이것이 응용되는 평판표시기판(LCD, PDP)등의 제조공정에는 다수의 열처리공정을 포함하고 있으며, 예를 들어 박막 증착공정이나 액티베이션공정 또는 결정화공정에는 열처리공정이 단위공정으로 포함되어 있다.In general, a semiconductor manufacturing process or a manufacturing process such as a flat panel display substrate (LCD, PDP) to which it is applied includes a plurality of heat treatment processes. For example, a heat treatment process is a unit process in a thin film deposition process, an activation process, or a crystallization process. Included.

일례로, 상기 열처리공정이 포함되는 박막형성의 대표적 방법으로 화학기상증착(CVD:Chemical Vapour Deposition)이 있으며, 이는 기체상태의 화합물을 가열된 모재표면에서 반응시켜 생성물을 모재표면에 증착시키는 방법으로, 특히 반도체나 이것이 응용되는 평판표시기판(예를 들어 LCD,PDP) 등의 생산공정에서는 매우 중요한 단위공정이다.For example, a typical method of thin film formation including the heat treatment process is chemical vapor deposition (CVD), which is a method of depositing a product on a substrate surface by reacting a gaseous compound on a heated substrate surface In particular, it is a very important unit process in the production process of semiconductors and flat panel display substrates (for example, LCD and PDP).

상기 박막의 미세구조와 성장결과는 성장계면위에서 핵생성과정과 표면확산에 의해서 결정되고 기판온도, 반응기 압력, 가스조성에 의해서 영향을 받으며, 열처리나 후속공정에 의해 미세구조의 변화가 일어나는데, 그 변화는 박막의 특성에 직접적인 영향을 미치게 된다.The microstructure and growth results of the thin film are determined by the nucleation process and surface diffusion on the growth interface, and are affected by substrate temperature, reactor pressure, and gas composition, and microstructure changes occur by heat treatment or subsequent processes. The change has a direct effect on the properties of the thin film.

이에 따라 반도체 제조장치는 크게 공정공간을 제공하는 반응챔버와 이 반응챔버 내에서 열처리 환경을 조성하기 위한 히팅장치와 박막의 재료로서 기상의 소스가스를 공급하기 위한 가스공급장치로 이루어진다.Accordingly, the semiconductor manufacturing apparatus includes a reaction chamber that provides a process space, a heating device for creating a heat treatment environment within the reaction chamber, and a gas supply device for supplying a gaseous source gas as a thin film material.

예시도면 도 1 은 반도체 제조장치를 나타내고 있으며, 다수의 기판을 처리하기 위한 배치(Batch)방식의 공정장치를 나타내고 있다.Exemplary Drawings FIG. 1 shows a semiconductor manufacturing apparatus and shows a batch processing apparatus for processing a plurality of substrates.

반도체 기판(100)을 다량으로 탑재하기 위한 배치식의 보트(2)는 반응챔버(1)로의 투입을 위해 승강장치(3)가 포함되며, 보트로의 반도체 기판 로딩/언로딩을 위해 스테이션과는 엔드이펙터(로봇아암)로 매개되어 있다.The batch boat 2 for mounting a large amount of the semiconductor substrate 100 includes a hoisting apparatus 3 for input into the reaction chamber 1, and a station and a station for loading / unloading the semiconductor substrate into the boat. Is mediated by an end effector (robot arm).

이러한 배치식의 처리방식에 따라 다량의 반도체 기판의 열처리환경을 조성하기 위한 히팅장치로서, 도시된 것은 반응챔버(1)에서 배치형으로 투입된 다량의 반도체 기판을 열처리하기 위하여 반응챔버(1)에 코일형으로 권취된 전열선(4)을 나타내고 있다.A heating apparatus for creating a heat treatment environment for a large amount of semiconductor substrates in accordance with the batch-type treatment method, and the drawing is shown in the reaction chamber 1 to heat-treat a large amount of semiconductor substrates introduced in a batch type from the reaction chamber 1. The heating wire 4 wound up in the coil form is shown.

히팅장치는 배치식의 기판 처리장치임에 따라 상하의 영역을 가열영역(T1,T2,T3,T4,T5)으로 구분하여 섹터별로 독립된 제어로서 구동되며, 단열재로 이루어진 히팅블럭(5)에 인슐레이터(6)를 통해 고정설치된다.Since the heating apparatus is a batch type substrate processing apparatus, the upper and lower regions are divided into heating regions (T1, T2, T3, T4, and T5) and driven as independent control for each sector. It is fixed through 6).

한편, 각 가열영역은 온도조절장치(가변저항기:7)를 통해 단계적인 발열이 수행되고, 반응챔버(1)를 통과한 복사파장에 의해 반응챔버 내부에 고온환경이 조성된다.On the other hand, each heating zone is a step-by-step heat generation is performed through a temperature control device (variable resistor) 7, a high temperature environment is created inside the reaction chamber by the radiation wavelength passing through the reaction chamber (1).

그러나, 종래의 히팅장치는 특히 하부구역에서 전열선의 단손이나 손상 및 변형이 발생된다는 문제점이 있다. 이것은 특히 반응챔버(1)의 입구인 최하부의 가 열구역(T5)이 급격한 열변경 구역에 위치하여 열하중을 발생시키는 구역이기 때문이다.However, the conventional heating apparatus has a problem in that shortage, damage and deformation of the heating wire are generated, particularly in the lower region. This is because the lowermost heating zone T5, which is the inlet of the reaction chamber 1, is located in the abrupt heat change zone and generates heat load.

이때 발생되는 열하중은 전열선(4)을 따라 그 축방향 힘으로서 열팽창과 수축에 의한 열하중이나 비틀림 등이 발생되며, 그 내부 스트레스와 반복된 열하중은 결국 전열선(4)을 손상시키게 된다.The heat load generated at this time is a heat load or torsion due to thermal expansion and contraction as the axial force along the heating wire 4, the internal stress and repeated heat load will eventually damage the heating wire (4).

더욱 큰 문제점으로는 도 1c 와 같이, 기존 전열선(4)은 변형 특히 팽창이 발생될 때 히팅블럭(5)이 전열선(4)의 외주를 압박하고 있고 방사상으로 마련된 인슐레이터(6)가 각 개소를 지지하고 있으므로, 내부로 변형(팽창)이 발생되고 이것이 주름지게 굴곡되어 반응챔버(1)의 외주에 접촉 또는 간섭된다.As a further problem, as shown in FIG. Since it is supporting, deformation (expansion) occurs inside and it is bent corrugated to contact or interfere with the outer circumference of the reaction chamber 1.

그리고, 반응챔버(1)의 외주에 직접 접촉된 전열선(4)은 전도열에 의해 반응챔버(1)를 손상시키게 되어 전열선(4)뿐만 아니라, 주변 장치의 손상을 야기시키게 되는 것이다. In addition, the heating wire 4 directly in contact with the outer circumference of the reaction chamber 1 may damage the reaction chamber 1 by conduction heat, causing damage to the peripheral device as well as the heating wire 4.

이러한 열하중에 의한 변형은 하부영역에 집중됨이 밝혀져 있으며, 이러한 하부영역의 손상에 의한 교체와 유지보수는 전체 장치의 신뢰성을 하락시키게 되는 문제점을 발생시키며, 공정중단을 야기시키게 된다.It is found that the deformation due to the thermal load is concentrated in the lower region, and the replacement and maintenance caused by the damage of the lower region causes a problem of lowering the reliability of the entire apparatus, and causes a process interruption.

이에 본 발명은 상기 문제점을 개선하기 위하여 안출된 것으로, 배치방식의 반도체 열처리장치 반응챔버에서 최하부에 설치되는 하부전열선의 열변형에 대응하기 위한 배치방식 반응챔버의 히팅장치를 제공함에 그 목적이 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a heating apparatus of a batch type reaction chamber for coping with thermal deformation of a lower heating wire installed at a lower portion of a batch type semiconductor heat treatment device reaction chamber. .

이를 위한 본 발명은 반응챔버의 입구에 위치되는 최하부 가열영역의 하부전 열선은 그 상하구역에 호형상으로 왕복되게 감아지면서 하부영역인 히팅블럭의 내주를 따라 반복적으로 배치시킨 것이다.In the present invention, the lower heating wire of the lowermost heating zone located at the inlet of the reaction chamber is repeatedly arranged along the inner circumference of the heating block, which is the lower zone while being wound reciprocally in the upper and lower zones.

이에 의해 그 감아진 호형상의 외주 방사상으로 열변형이 유도되며, 이때 히팅블럭의 내주방향은 열변형을 수용하는 허용공간을 제공하게 된다.As a result, the heat deformation is induced in the outer circumferential radial shape of the wound arc, and the inner circumferential direction of the heating block provides an allowable space for receiving the heat deformation.

이하, 이 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 갖는 자가 이 발명을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 이 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조로 하여 상세히 설명하기로 한다. 이 발명의 목적, 작용효과를 포함하여 기타 다른 목적들, 특징점들, 그리고 동작상의 이점들이 바람직한 실시예의 설명에 의해 보다 명확해질 것이다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, the most preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily implement the present invention. . Other objects, features, and operational advantages, including the purpose, working effects, and the like of the present invention will become more apparent from the description of the preferred embodiment.

참고로 여기에서 개시되는 실시예는 여러가지 실시가능한 예중에서 당업자의 이해를 돕기 위하여 가장 바람직한 예를 선정하여 제시한 것으로, 이 발명의 기술적 사상이 반드시 이 실시예만 의해서 한정되거나 제한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위내에서 다양한 변화와 변경 및 균등한 타의 실시예가 가능한 것이다.For reference, the embodiments disclosed herein are presented by selecting the most preferable examples to help those skilled in the art among various possible examples, and the technical spirit of the present invention is not necessarily limited or limited only by the embodiments. Various changes, modifications, and other equivalent embodiments may be made without departing from the spirit of the invention.

예시도면 도 2a 는 본 발명에 따른 히팅장치를 나타낸 개념도설명도이고, 도 2b 는 하부전열선의 가열유닛을 나타낸 사시설명도 및 단면설명도이며, 도 3c 는 종래 도 1c 와 대응되는 평면설명도이다.Figure 2a is a schematic diagram illustrating a heating apparatus according to the present invention, Figure 2b is a facility name and cross-sectional explanatory diagram showing the heating unit of the lower heating wire, Figure 3c is a plan view corresponding to the conventional Figure 1c. .

그리고, 예시도면 도 3 은 본 발명에 따른 히팅장치에서 하부전열선의 배열상태를 나타낸 전개설명도이다.And, Figure 3 is an explanatory view showing the arrangement of the lower heating line in the heating apparatus according to the present invention.

본 발명은 배치방식의 종형열처리 반응챔버(1)를 그 상하를 따라 복수의 가열영역으로 구분하고, 하나의 가열영역마다 그 상하구역에 반응챔버의 외주를 따라 상부로부터 하부까지 코일형상으로 전열선(4)이 설치된 배치방식 반응챔버의 히팅장치에 있어서;According to the present invention, the vertical heat treatment reaction chamber 1 of the batch method is divided into a plurality of heating zones along its upper and lower sides, and the heating wires are coiled from the top to the bottom along the outer periphery of the reaction chamber in the upper and lower zones for each heating zone. In the heating apparatus of the batch reaction chamber is installed 4);

상기 복수의 가열영역에서 반응챔버의 입구에 위치되는 하부영역의 하부전열선(10)은 그 상하구역에 호형상으로 왕복되게 감아지면서 가열유닛(12)이 형성되고, 이 가열유닛(12)이 하부영역의 외주를 따라 반복적으로 형성되어 상기 하부 영역에 방사상으로 배치된 것을 특징으로 하는 배치방식 반응챔버의 히팅장치이다.In the plurality of heating zones, the lower heating wire 10 of the lower zone located at the inlet of the reaction chamber is wound around the upper and lower zones in an arc shape, and a heating unit 12 is formed. It is formed repeatedly along the outer periphery of the region is a heating apparatus of a batch reaction chamber characterized in that disposed radially in the lower region.

이에 따라 가열유닛(12)은 그 감아진 호형상의 외주부 방사상으로 변형이 유도되는 변형유도부인 것을 특징으로 한다.Accordingly, the heating unit 12 is characterized in that the deformation guide portion is induced in the radially outer peripheral portion of the wound arc shape.

그리고, 히팅블럭(5)에는 반응챔버(1) 사이의 공간에서 하부전열선(10)의 열변형을 수용하는 허용공간부(14)가 형성된 것을 특징으로 한다.In addition, the heating block 5 is characterized in that the allowable space portion 14 is formed to accommodate the thermal deformation of the lower heating wire 10 in the space between the reaction chamber (1).

여기서, 하부전열선(10)은 호형상의 왕복에 의한 교차점을 포함하여 히팅블럭에 전열선을 고정하는 인슐레이터(16)가 설치되며, 교차점에 위치되는 인슐레이터(16)는 하부전열선(10)의 직접 접촉이 회피되도록 서로 이격된 관로가 형성된 것을 특징으로 한다.Here, the lower heating wire 10 is provided with an insulator 16 for fixing the heating wire to the heating block including the intersection by the round-shaped reciprocating arc, the insulator 16 located at the intersection is in direct contact with the lower heating wire (10). Characterized in that the conduits are spaced apart from each other to avoid this.

그리고, 인슐레이터(14)에서 하부전열선이 관통되는 관로의 양단인 입출구에는 그 단부와 하부전열선(10)의 마찰을 완화하기 위한 곡면부(18)가 형성된 것을 특징으로 한다.In addition, the inlet and outlet, which are both ends of the conduit through which the lower heating wire passes through the insulator 14, is characterized in that the curved portion 18 is formed to reduce the friction between the end and the lower heating wire 10.

한편, 하부전열선(10)에서 하나의 호형상과 이에 이웃하는 다른 호형상을 연 결하는 연결부(20)가 가열영역의 상부와 하부영역을 가로지르도록 이웃된 호형상의 교차점은 그 상부와 하부가 서로 번갈아 가며 형성되는 것이 더 포함된다.On the other hand, in the lower heating wire 10, the intersection of adjacent arc-shaped intersections is formed so that the connecting portion 20 connecting one arc shape and another arc shape adjacent thereto crosses the upper and lower areas of the heating area. It is further included that are formed alternately with each other.

즉, 상기 가열유닛(12)은 이에 이웃하는 가열유닛(12)의 교차점이 상부와 하부가 서로 번갈아가며 형성되어 상기 가열유닛(12)을 연결하는 연결부(20)가 가열영역의 상부와 하부를 가로지르도록 연결된 것을 특징으로 한다.That is, the heating unit 12 is formed by alternating intersections of the neighboring heating unit 12 with the upper and lower portions thereof so that the connecting portion 20 connecting the heating unit 12 is connected to the upper and lower portions of the heating area. It is characterized in that connected across.

상술된 바와 같이, 본 발명은 배치방식의 반도체 열처리장치 반응챔버에서 최하부에 설치되는 하부전열선의 열변형에 대응하는 히팅장치를 제공한다.As described above, the present invention provides a heating apparatus corresponding to the heat deformation of the lower heating wire provided at the lowermost part in the reaction chamber of the semiconductor heat treatment apparatus of the batch method.

이를 위한 본 발명은 하부전열선(10)에서 그 열변형 방향을 반응챔버의 내측 방사방향(중심방향)에서 반응챔버(1)와 히팅블럭(5) 사이의 공간인 원주상으로 변형이 유도되도록 변경시킨 것이다.The present invention for this purpose is to change the heat deformation direction in the lower heating wire 10 so that deformation is induced in the circumferential shape which is a space between the reaction chamber 1 and the heating block 5 in the inner radial direction (center direction) of the reaction chamber. It is.

이것은 하부의 가열영역이 담당하는 상하구역을 상하폭으로 감아진 호형상의 가열유닛(12)을 마련하고, 이러한 가열유닛(12)을 반응챔버의 외주를 따라 방사상으로 배치시켜 가열유닛(12)이 그 변형에 대응하도록 구비하여 달성된다.This provides an arc-shaped heating unit 12 wound up and down the upper and lower regions of the lower heating area, and arranges the heating unit 12 radially along the outer circumference of the reaction chamber to heat the heating unit 12. It is provided so as to correspond to the deformation.

구체적으로, 기판을 배치식으로 공정처리하기 위한 반응챔버(1)가 마련되고, 이 반응챔버를 복수의 가열영역(T1,T2,T3,T4,T5)으로 구분하여, 각 가열영역마다 그 상하구역에 전열선(4)이 배치되며, 각각에 전원이 별도로 인가되고 가변저항기(7)가 매개된다.Specifically, a reaction chamber 1 for processing a substrate in a batch manner is provided, and the reaction chamber is divided into a plurality of heating regions T1, T2, T3, T4, and T5, and the upper and lower portions of each of the heating regions are each upper and lower. Heating zones 4 are arranged in the zone, and power is separately applied to each and the variable resistor 7 is mediated.

여기서, 반응챔버(1)의 입구에 위치되어 열변경이 급격한 최하부의 가열영역(T5)에 배치되는 하부전열선(10)은 그 상하구역의 범위에서 호형상으로 왕복되게 감아지면서 하부영역인 히팅블럭(5)의 내주를 따라 반복적으로 배치시켜, 그 감아 진 호형상의 외주부 방사상으로 변형을 허용하는 공간을 제공하는 히팅블럭(5)의 내주방향으로 열변형이 유도되도록 설치된다.Here, the lower heating wire 10 positioned at the inlet of the reaction chamber 1 and disposed in the lowermost heating area T5 where the heat change is abrupt is wound around the arc shape in the upper and lower areas, and the heating block is the lower area. It is arranged so as to induce heat deformation in the inner circumferential direction of the heating block 5, which is repeatedly arranged along the inner circumference of (5) and provides a space allowing radial deformation of the outer circumferential portion of the wound arc.

즉, 하부 가열영역의 상하폭의 범위를 폭으로 하는 호형상으로 감아진 가열유닛(12)이 형성된다.That is, the heating unit 12 wound in the arc shape which makes the range of the upper and lower width of a lower heating area | region wide is formed.

이 가열유닛(12)이 연결부(20)로 연결되어 반응챔버(1)의 외주를 따라, 구체적으로는 히팅블럭(5)과 반응챔버(1) 사이의 공간에서 히팅블럭(5)의 내주면에 설치되며, 이에 의해 다수의 가열유닛(12)이 반응챔버(1)를 포위하는 방사상으로 배치된다.The heating unit 12 is connected to the connecting portion 20 along the outer circumference of the reaction chamber 1, specifically, on the inner circumferential surface of the heating block 5 in the space between the heating block 5 and the reaction chamber 1. Thereby, a plurality of heating units 12 are arranged radially surrounding the reaction chamber 1.

여기서, 상기 가열유닛(12)의 방사상 배치를 위하여 감아져 교차된 가열유닛(12)은 연결부(20)를 통해 이웃된 가열유닛(12)과 연결되며, 연결부(20)는 두가지 형태로 형성될 수 있다.(도 3 참조)Here, the heating unit 12 wound and crossed for the radial arrangement of the heating unit 12 is connected to the neighboring heating unit 12 through the connecting portion 20, the connecting portion 20 is to be formed in two forms (See Figure 3).

즉, 교차부를 상부 또는 하부에 위치시켜 어느 하나의 구역에 연결부(20)를 배치시킬 수 있고(도 3a 참조), 교차부의 상하를 반복되게 배치시켜 연결부(20)가 가열영역(T5)의 상하를 가로지르도록 배치시킬 수 있다.(도 3b 참조)That is, the connecting portion 20 may be disposed at any one region by placing the intersection portion at the upper portion or the lower portion thereof (see FIG. 3A), and the upper and lower portions of the intersection portion are repeatedly disposed so that the connecting portion 20 is disposed at the upper and lower portions of the heating region T5. Can be arranged to cross (see Figure 3b).

상기 연결부(20)가 가열영역(T5)의 상하를 가로지르도록 한 것은, 예를 들어 교차점이 상부에 위치되고 이웃된 가열유닛(12) 사이의 간격을 넓을 경우, 이를 연결하는 연결부(14)가 가열영역(T5)의 상부에 집중되어, 연결부(14)에 의한 발열이 가열영역의 상부로 집중되기 때문이다.The connection part 20 is arranged to cross the upper and lower sides of the heating area T5, for example, when the intersection is located at the top and the distance between the neighboring heating unit 12 is wide, connecting part 14 for connecting it Is concentrated in the upper portion of the heating region T5, so that heat generated by the connecting portion 14 is concentrated in the upper portion of the heating region.

이에 따라, 교차점이 상하로 교차되게 배치될 경우, 연결부(14)는 가열영역(T5)의 상부에서 하부까지 전 구간을 담당하게 연결되며, 이것이 반복되어 상하 로 고르게 발열구역이 형성된다.Accordingly, when the intersection is arranged to cross up and down, the connecting portion 14 is connected to cover the entire section from the top to the bottom of the heating area (T5), which is repeated to form a heating zone evenly up and down.

반면, 도 3a 와 같이 가열유닛(12)의 간격이 좁을 경우, 가열유닛(12)이 담당하는 상하구역의 발열로도 충분하며, 이 경우 교차점에 연결되는 연결부(20)는 상부 또는 하부 어느 한 곳으로 배치되어도 무방할 것이다.On the other hand, when the interval between the heating unit 12 is narrow, as shown in Figure 3a, the heating unit 12 is also sufficient to generate heat in the upper and lower zones, in this case, the connecting portion 20 connected to the intersection is either upper or lower It may be placed anywhere.

이러한 본 발명은 종래에서 전열선의 변형과 그 돌출방향이 반응챔버의 내측 방사상으로 진행되는 것을 변경시켜, 그 변형방향을 반응챔버(1)를 포위하는 원주상에 근접한 방향으로 유도시킨다.(도 1c 와 도 2c 대비, 화살표 변형방향 참조)In the present invention, the deformation of the heating wire and the protrusion direction of the heating wire are changed in the radial direction of the inner side of the reaction chamber, thereby inducing the deformation direction in a direction close to the circumference surrounding the reaction chamber 1 (Fig. 1C). 2c, see arrow deformation direction)

이것은 호형상으로 굴곡된 하나의 가열유닛(12)이 전열선 길이방향의 변형에 융통적으로 대응하는 구조물을 이루기 때문이며, 호형상의 굴곡은 하부전열선(10)의 팽창시 그 호형상의 크기를 증가시키는 방향, 즉 방사상으로 확장되려는 변형으로 진행되고 그 호형상은 종래와 달리 가열구역의 상하방향으로 배치되기 때문이다.This is because one heating unit 12 curved in arc shape forms a structure that flexibly corresponds to the deformation of the heating wire length direction, and the arc-shaped bending increases the size of the arc shape when the lower heating wire 10 expands. This is because it proceeds to the deformation direction, that is, to expand radially and the arc shape is arranged in the vertical direction of the heating zone, unlike the prior art.

그리고 이때, 호형상의 하나의 가열유닛(12)을 살펴보면, 그 외주방사상으로 이것을 압박하는 구조물이 없다. And at this time, looking at one heating unit 12 of the arc shape, there is no structure that presses this in the outer circumferential shape.

따라서, 가열유닛(12)은 자체로서 그 감아진 호형상의 외주부가 방사상으로 변형을 수용하는 변형유도부가 되는 것이고, 히팅블럭(5)의 내주와 반응챔버(1) 사이의 공간은 하부전열선(10)의 길이방향에 대한 변형을 수용하는 허용공간부(14)로서 역할을 수행하게 되어, 이러한 변형유도부와 허용공간부(14)의 조합이 하부전열선의 변형에 대응하는 것이다.Therefore, the heating unit 12 itself becomes a deformation induction part receiving the deformation radially in the outer peripheral portion of the arc shape, and the space between the inner circumference of the heating block 5 and the reaction chamber 1 is a lower heating wire ( It serves as the allowable space portion 14 to accommodate the deformation in the longitudinal direction of 10), such a combination of the deformation guide portion and the allowable space portion 14 corresponds to the deformation of the lower heating wire.

한편, 하나의 가열유닛(12)은 도 2b 와 같이, 인슐레이터(16)를 매개로 히팅 블럭(5)에 설치되며, 인슐레이터(16)는 가열유닛인 하부전열선(10)의 외주에 끼워져 히팅블럭(5)에 고정된다.On the other hand, one heating unit 12 is installed in the heating block 5 via the insulator 16, as shown in Figure 2b, the insulator 16 is fitted to the outer periphery of the lower heating wire 10 is a heating block heating block It is fixed to (5).

상기 인슐레이터(16)는 가열유닛(12)의 호형상을 보유지지하며, 교차점의 인슐레이터(16)는 하부전열선(10)이 직접 접촉되는 것을 회피하기 위하여 이격된 단열구조물을 제공한다.The insulator 16 holds the arc shape of the heating unit 12, and the insulators 16 at the intersections provide spaced apart insulating structures to avoid direct contact of the lower heating wire 10.

이를 위해 하부전열선의 교차점에 위치되는 인슐레이터는 도시된 바와 같이 하부전열선(10)의 직접 접촉이 회피되도록 서로 이격된 관로가 형성된다.To this end, the insulators located at the intersections of the lower heating wires are formed with conduits spaced apart from each other such that direct contact of the lower heating wires 10 is avoided as shown.

그리고, 상기 인슐레이터(16)는 하부전열선(10)이 관통되는 관로의 양단인 입출구에는 그 단부와 하부전열선의 마찰을 완화하기 위한 곡면부(18)가 형성됨이 바람직하다.In addition, the insulator 16 preferably has curved portions 18 formed at both entrances and exits of the conduit through which the lower heating wire 10 penetrates to reduce friction between the end and the lower heating wire.

상술된 바와 같이 본 발명에 따르면, 배치식 반응챔버의 입구에 위치되는 최하부 가열영역의 하부전열선은 그 상하구역에 호형상으로 왕복되게 감아지면서 하부영역인 히팅블럭의 내주를 따라 반복적으로 배치시켜 그 감아진 호형상의 외주 방사상으로 열변형을 유도시킴으로써, 최하부 가열영역에서 전열선의 손상과 그 변형에 따른 장치의 손상이 방지되어 궁극적으로는 배치식 반응챔버를 통한 열처장치의 신뢰성이 향상되는 효과가 있다.As described above, according to the present invention, the lower heating wire of the lower heating zone located at the inlet of the batch reaction chamber is repeatedly disposed along the inner circumference of the heating block, which is the lower zone, while being wound reciprocally in the upper and lower zones. By inducing heat deformation radially in the outer shape of the wound arc, the damage of the heating wire in the lower heating zone and the damage of the device due to the deformation are prevented, and ultimately, the reliability of the thermal device through the batch reaction chamber is improved. have.

Claims (5)

배치방식의 종형열처리 반응챔버를 그 상하를 따라 복수의 가열영역으로 구분하고, 하나의 가열영역마다 그 상하구역에 반응챔버의 외주를 따라 상부로부터 하부까지 코일형상으로 전열선이 설치된 배치방식 반응챔버의 히팅장치에 있어서;The batch-type vertical heat treatment reaction chamber is divided into a plurality of heating zones along its upper and lower sides, and heating elements are coiled from the top to the bottom along the outer periphery of the reaction chamber in each heating zone. In the heating apparatus; 상기 복수의 가열영역에서 반응챔버의 입구에 위치되는 최하부 가열영역의 하부전열선은 그 상하구역에 호형상으로 왕복되게 감아지면서 가열유닛이 형성되고, 이 가열유닛이 하부영역의 외주를 따라 반복적으로 형성되어 상기 하부영역에 방사상으로 배치된 것을 특징으로 하는 배치방식 반응챔버의 히팅장치.In the plurality of heating zones, the lower heating wire of the lower heating zone located at the inlet of the reaction chamber is wound around the upper and lower zones in an arc shape to form a heating unit, and the heating unit is repeatedly formed along the outer periphery of the lower zone. Heating device of the batch-type reaction chamber characterized in that the radially arranged in the lower region. 제 1 항에 있어서, 가열유닛은 그 감아진 호형상의 외주부 방사상으로 변형이 유도되는 변형유도부이며, 히팅블럭에는 반응챔버 사이의 공간에서 상기 변형유도부의 수용하는 허용공간부가 형성된 것을 특징으로 하는 배치식 반응챔버의 히팅장치.2. The arrangement according to claim 1, wherein the heating unit is a deformation inducing part inducing deformation radially in the outer circumferential portion of the wound arc, and the heating block has an allowable space part accommodating the deformation induction part in a space between the reaction chambers. Heating device of the reaction chamber. 제 1 항에 있어서, 하부전열선은 호형상의 왕복에 의한 교차점을 포함하여 히팅블럭에 전열선을 고정하는 인슐레이터가 설치되며, 교차점에 위치되는 인슐레이터는 하부전열선의 직접 접촉이 회피되도록 서로 이격된 관로가 형성된 것을 특 징으로 하는 배치식 반응챔버의 히팅장치.According to claim 1, the lower heating wire is provided with an insulator for fixing the heating wire to the heating block including the intersection by the round-shaped reciprocating arc, the insulators located at the intersection has a pipe spaced apart from each other so as to avoid direct contact of the lower heating wire. Heating device of a batch reaction chamber characterized in that formed. 제 3 항에 있어서, 인슐레이터는 하부전열선이 관통되는 관로의 양단인 입출구에는 그 단부와 하부전열선의 마찰을 완화하기 위한 곡면부가 형성된 것을 특징으로 하는 배치식 반응챔버의 히팅장치.4. The heating apparatus of a batch reaction chamber according to claim 3, wherein the insulator has curved portions at both ends of the inlet and outlet of the conduit through which the lower heating wire passes. 제 1 항에 있어서, 가열유닛은 이에 이웃하는 가열유닛의 교차점이 상부와 하부가 서로 번갈아가며 형성되어 상기 가열유닛을 연결하는 연결부가 가열영역의 상부와 하부를 가로지르도록 연결된 것을 특징으로 하는 배치식 반응챔버의 히팅장치.According to claim 1, wherein the heating unit is characterized in that the intersection of the heating unit adjacent to the upper and lower sides are formed alternately with each other so that the connecting portion connecting the heating unit is connected so as to cross the upper and lower portion of the heating area. Heating device of the reaction chamber.
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