KR100774071B1 - 소형의 멀티모드 안테나 및 그것을 이용한 고주파 모듈 - Google Patents

Abstract

염가이며 소형인 멀티미디어 무선 단말기에 이용하는, 복수의 주파수에서 1개의 급전점을 공용할 수 있는 소형의 멀티모드 안테나를 제공하고, 동 안테나를 이용한 고주파 모듈을 제공하기 위해, 안테나를, 방사 도체(1)의 일단을 복수의 주파수에서 공통인 단일의 급전점(4)으로 하고, 그 일단에 제1 1포트 공진 회로(2)를 접속하며, 방사 도체(1)의 타단에 제2 1포트 공진 회로(3)를 접속하는 구조로 한다. 급전점(4)으로부터 자유 공간을 보았을 경우의 어드미턴스의 컨덕턴스 성분을 고주파 회로의 특성 어드미턴스(5)와 동일하게 하고, 상기 어드미턴스의 서셉턴스 성분을, 급전점(4)에 접속한 공진 회로(2)에 의해 복수의 주파수에서 상쇄한다.

Description

소형의 멀티모드 안테나 및 그것을 이용한 고주파 모듈{SMALL MULTIMODE ANTENNA AND HIGH FREQUENCY MODULE USING IT}

본 발명은, 멀티미디어 서비스를 유저에게 제공하는 무선 단말기의 안테나 및 그 안테나를 포함하는 고주파 모듈에 관한 것으로, 특히 복수의 서비스를 서로 다른 주파수의 전자파를 매체로 하는 정보 전송에 의해 행하기 위한 멀티미디어 무선 단말기를 대상으로 하고, 그 단말기에 적용되는 멀티모드 안테나 및 그 안테나를 포함하는 멀티모드 대응 고주파 모듈에 관한 것이다.

최근, 다양한 정보 전달, 정보 제공에 관한 서비스를 무선을 이용하여 제공하는 멀티미디어 서비스가 한창 행해지고 있으며, 다수의 무선 단말기가 개발되어 실용에 제공되고 있다. 이들 서비스는, 전화, 텔레비전, LAN(Local Area Network) 등 해마다 다양화되고 있으며, 모든 서비스를 유저가 향수하기 위해서는, 개개의 서비스에 대응하는 무선 단말기를 소지하게 된다.

이러한 서비스를 향수하는 유저의 편리성 향상을 위해, 멀티미디어 서비스를, 언제 어디서라도 미디어의 존재를 의식시키지 않고, 즉 유비쿼터스로 유저에게 제공하고자 하는 움직임이 시작되고 있으며, 하나의 단말기로 복수의 정보 전달 서비스를 실현하는, 소위 멀티모드 단말기가 부분적이지만 실현되고 있다.

통상의 무선에 의한 유비쿼터스한 정보 전송의 서비스는 전자파를 매체로 하기 때문에, 동일한 서비스 에어리어에서는, 1종류의 서비스에 관해 하나의 주파수를 사용함으로써, 복수의 서비스가 유저에게 제공된다. 따라서, 멀티미디어 단말기는, 복수의 주파수의 전자파를 송수신하는 기능을 갖게 된다.

종래의 멀티미디어 단말기에서는, 예를 들면, 하나의 주파수에 대응하는 싱글 모드의 안테나를 복수개 준비하고, 이들을 하나의 무선 단말기에 탑재하는 방법이 채용된다. 이 방법에서는, 각각의 싱글 모드 안테나를 독립적으로 동작시키기 위해 파장 정도의 거리를 두고 이들을 탑재할 필요가 있으며, 통상의 유비쿼터스한 정보 전송에 관한 서비스에 이용되는 전자파의 주파수가 자유 공간 전파 특성의 제한에 의해 수백 ㎒ 내지 수㎓로 한정되기 때문에, 안테나를 이격시키는 거리가 수십㎝ 내지 수m로 되며, 따라서, 단말기 치수가 커져 유저의 휴대에 관한 편리성이 만족되지 않는다. 또한, 서로 다른 주파수에 감도를 갖는 안테나를 거리를 두고 배치하기 때문에, 안테나에 결합하는 고주파 회로도 그 주파수마다 분리·설치할 필요가 있다.

그 때문에, 반도체의 집적 회로 기술을 적용하는 것이 곤란하게 되며, 단말기 치수가 증대될 뿐만 아니라 고주파 회로의 고비용을 초래하는 문제가 있다. 억지로 집적 회로 기술을 적용하여 회로 전체를 집적화해도 고주파 회로로부터 개개의 거리가 떨어진 안테나까지 고주파 케이블로 결합할 필요가 발생한다. 그런데, 유저가 휴대 가능한 치수의 단말기에 적용 가능한 고주파 케이블의 축 직경은, 1밀리 내외의 직경을 갖는다. 그 때문에, 현상에서는 동 고주파 케이블의 전송 손실은, 수㏈/m에 달한다. 이러한 고주파 케이블의 사용에 의해, 고주파 회로가 소비하는 전력이 증가하여, 유비쿼더스 정보 서비스를 제공하는 단말기의 사용 시간의 현저한 저하, 혹은 전지 체적의 증대에 의한 단말기 중량의 현저한 증가를 야기하여, 단말기를 사용하는 유저의 편리성을 현저하게 손상시키는 문제가 있다.

상기와는 별도로, 루프 안테나 혹은 공중선 부재의 일단을 하나의 주파수를 취급하는 송신기에 결합하고, 타단을 다른 주파수를 취급하는 수신기에 결합하는 2주파 공용 안테나의 개시가 있다(예를 들면, 일본 특개소61-295905호 공보 및 일본 특개평1-158805호 공보 참조).

일본 특개소61-295905호 공보에 기재된 2주파 공용 안테나에서는, 방사 도체인 루프 안테나의 양단에 접속된 제1 및 제2 공진 회로가 루프 안테나와 함께, 한쪽의 단자에서는 송신 주파수에서 공진하고, 또 다른쪽의 단자에서는 수신 주파수에서 공진하도록 하며, 한쪽의 단자에 송신기를 다른쪽의 단자에 수신기를 각각 접속하는 구성을 채용하고 있다.

한편, 일본 특개평1-158805호 공보에 기재된 2주파 공용 안테나에서는, 방사 도체인 공중선 부재의 한쪽의 단자와 송신 출력 단자 사이에 접속된 송신 주파수에 공진하는 제1 공진 회로가, 수신 주파수에 대해서는 고임피던스를 나타내어 공중선 부재를 송신 출력 단자로부터 분리하고, 공중선 소재의 다른쪽의 단자와 수신 입력 단자 사이에 접속된 수신 주파수에 공진하는 제2 공진 회로가, 송신 주파수에 대해서는 고임피던스를 나타내어 공중선 부재를 수신 입력 단자로부터 분리하는 구성을 채용하고 있다.

이러한 2주파 공용 안테나를 이용하는 무선 단말기에서도, 서로 다른 주파수를 취급하는, 서로 떨어진 위치의 입출력 단자(급전점)의 각각에 송신기 및 수신기를 준비할 필요가 있기 때문에, 양자의 집적화가 곤란하게 되어, 무선 단말기의 소형화가 저해된다.

<발명의 개시>

멀티미디어 무선 단말기의 키 디바이스 중 하나는, 복수의 주파수의 전자파에 대하여 감도를 갖는 멀티모드 안테나이다. 멀티모드 안테나는, 단일 구조로 복수의 주파수의 전자파에 대하여 자유 공간의 특성 임피던스와 무선 단말기의 고주파 회로의 특성 임피던스 사이의 우수한 정합 특성을 실현하는 것이다.

그와 같은 멀티모드 안테나에서, 서로 다른 주파수의 전자파에 대한 급전점(입출력 단자)을 동일하게 할 수 있으면, 복수의 주파수를 취급하는 고주파 회로가 1개의 급전점을 공용할 수 있도록 되기 때문에, 반도체의 집적 회로 기술의 적용이 가능하게 되며, 따라서 고주파 회로부의 소형화가 실현 가능하게 되어, 복수 주파수에 대응하는 소형·저가격 고주파 모듈을 실현할 수 있다.

본 발명의 목적은, 염가이며 소형인 멀티미디어 무선 단말기를 구현하기 위한, 복수의 주파수에서 1개의 급전점을 공용할 수 있는 소형의 멀티모드 안테나를 제공하는 것에 있으며, 동일 멀티모드 안테나를 이용한 소형의 고주파 모듈을 제공하는 것에 있다.

상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 멀티모드 안테나는, 그 안테나가 동작해야 할 복수의 주파수의 전자파를 방사하는 방사 도체와, 그 방사 도체의 일단에 접속한 제1 1포트(2 단자) 공진 회로와, 그 방사 도체의 타단에 접속한 제2 1포트 공진 회로와, 그 제1 1포트 공진 회로에 접속한 복수의 주파수에서 공통인 단일의 급전점을 갖는 구조를 채용한다.

그와 같은 구조의 멀티모드 안테나에서는, 서로 다른 복수의 주파수에 대하여 급전점(입출력 단자)이 동일하기 때문에 복수의 주파수를 취급하는 복수의 고주파 회로가 집적화 가능하게 되어 그 복수의 고주파 회로의 소형·저가격화가 실현됨과 함께, 안테나 자체도 1개의 급전점만 존재하기 때문에 소형화가 가능하게 된다. 종래 기술의 안테나에서는, 복수의 입출력 단자(급전점)를 전기적으로 독립적으로 동작시키기 위해 동일 단자간에 유한의 공간이 필요로 되며, 그와 같은 공간의 준비가 안테나 자신의 소형화의 큰 장해가 되었다.

본 발명에서 복수의 주파수에 대하여 급전점을 동일하게 할 수 있었던 이유는, 종래 기술과는 다른 공진 회로의 설계 기술을 새롭게 발명한 것에 의한다. 본 발명의 멀티모드 안테나를 구성하는 공진 회로는, 임의의 주파수에서 개방 혹은 단락으로 되어 방사 도체의 일부를 전기적으로 타부로부터 분리하는 종래 기술에서 채용한 동작은 하지 않고, 방사 도체와 동일 방사 도체에 접속되는 복수의 공진 회로가 일체로 되어 동작한다. 그 결과, 전체로서, 멀티모드 안테나의 1개의 급전점이, 복수의 주파수에서 고주파 회로의 임피던스와 정합하는 임피던스를 나타내며, 자유 공간의 특성 임피던스와 고주파 회로의 특성 임피던스 사이의 정합이 실현된다.

본 발명에 따른 공진 회로의 설계는, 방사 도체를 저항 성분을 갖는 용량 성분과 인덕턴스 성분의 분포형 공진 회로로 간주하여 행해진다. 본 발명의 설계법에 따르면, 예를 들면 도 11A, 도 11B, 도 11C의 구조에서, 동 도면에 도시되어 있는 공진 회로의 소자값 및 방사 도체 치수에 기초하여, 1㎓/2㎓의 2모드 동작에 관하여 정재파비 2 이하의 양호한 임피던스 정합(VSWR<2)이 각각의 주파수 대역에서의 3%/5.5%의 대역 폭에서 확보된다.

도 1은 본 발명에 따른 멀티모드 안테나의 일 실시예를 설명하기 위한 구성도.

도 2는 멀티모드 안테나의 공진 회로의 특성을 설명하기 위한 스미스도.

도 3은 멀티모드 안테나의 공진 회로의 리액턴스 함수를 설명하기 위한 곡선도.

도 4는 본 발명의 멀티모드 안테나의 다른 실시예를 설명하기 위한 구성도.

도 5는 본 발명의 멀티모드 안테나의 다른 실시예를 설명하기 위한 구성도.

도 6은 본 발명의 멀티모드 안테나의 다른 실시예를 설명하기 위한 구성도.

도 7은 본 발명의 멀티모드 안테나의 다른 실시예를 설명하기 위한 구성도.

도 8은 본 발명의 멀티모드 안테나의 다른 실시예를 설명하기 위한 구성도.

도 9는 본 발명의 멀티모드 안테나의 다른 실시예를 설명하기 위한 구성도.

도 10A1, 도 10A2, 도 10B1, 도 10B2는 본 발명의 멀티모드 안테나에 이용하는 공진 회로를 설명하기 위한 회로도.

도 11A는 본 발명의 멀티모드 안테나의 다른 실시예를 설명하기 위한 사시도, 도 11B, 도 11C는 도 11A에 도시한 실시예에 이용하는 공진 회로를 설명하기 위한 회로도.

도 12A는 본 발명의 멀티모드 안테나의 다른 실시예를 설명하기 위한 사시도, 도 12B, 도 12C는 도 12A에 도시한 실시예에 이용하는 공진 회로를 설명하기 위한 회로도.

도 13은 본 발명의 멀티모드 안테타의 다른 실시예를 설명하기 위한 사시도.

도 14는 본 발명의 멀티모드 안테나의 다른 실시예를 설명하기 위한 사시도.

도 15는 본 발명의 멀티모드 안테나의 다른 실시예를 설명하기 위한 사시도.

도 16은 본 발명의 멀티모드 안테나의 다른 실시예를 설명하기 위한 전개도.

도 17은 본 발명의 멀티모드 안테나의 다른 실시예를 설명하기 위한 전개도.

도 18은 본 발명의 멀티모드 안테나의 다른 실시예를 설명하기 위한 전개도.

도 19는 본 발명의 멀티모드 안테나의 다른 실시예를 설명하기 위한 전개도.

도 20은 본 발명의 멀티모드 안테나의 다른 실시예를 설명하기 위한 전개도.

도 21은 본 발명의 멀티모드 안테나의 다른 실시예를 설명하기 위한 전개도.

도 22A는 본 발명의 고주파 모듈의 일 실시예를 설명하기 위한 상면도, 도 22B는 도 22A에 도시한 고주파 모듈의 저면도.

도 23A는 본 발명의 고주파 모듈의 다른 실시예를 설명하기 위한 상면도, 도 23B는, 도 23A에 도시한 고주파 모듈의 저면도.

도 24A는 본 발명의 고주파 모듈의 다른 실시예를 설명하기 위한 상면도, 도 24B는 도 24A에 도시한 고주파 모듈의 저면도.

<발명을 실시하기 위한 최량의 형태>

이하, 본 발명에 따른 멀티모드 안테나 및 그것을 이용한 고주파 모듈을 도면에 도시한 몇 개의 실시예를 참조하여 더욱 상세히 설명한다. 또한, 각 도면에서, 동일 기능을 갖는 것에는 동일 기호를 붙이고, 그 반복 설명을 생략하는 것으로 한다.

본 발명의 일 실시예를 도 1, 도 2 및 도 3을 이용하여 설명한다. 도 1은 본 발명으로 이루어지는 멀티모드 안테나의 구성 요소와 그 결합 관계를 도시하는 구성도이고, 도 2 및 도 3은 도 1의 공진 회로의 특성을 설명하는 각각 스미스도 및 리액턴스 함수의 특성도이다.

도 1에서는, 복수의 주파수의 전자파를 방사하는 방사 도체(1)의 일단과 접지 전위점 사이에 제1 1포트 공진 회로(2)가 접속되며, 방사 도체(1)의 다른 일단과 접지 전위점 사이에 제2 1포트 공진 회로(3)가 접속되고, 방사 도체(1)와 제1 1포트 공진 회로(2)의 결합점을 복수의 주파수에서 공통인 단일의 급전점(4)으로 하는 안테나 구조로서, 급전점(4)에는, 특성 임피던스(5)와 전압원(6)의 직렬 등가 회로로 표시되는 고주파 회로가 결합된다.

공진 회로(2, 3)는, 등가 회로로서 리액턴스 소자를 이용하여 표현된다. 즉, 등가 회로는, C(용량) 소자, L(인덕턴스) 소자로 이루어지는 공진 회로에 의해 구성된다. 그 예를 도 10A1, 도 10A2, 도 10B1, 도 10B2에 도시한다. 후에 설명하지만, 도 10A1, 도 10A2 중 어느 하나의 회로를 채용함으로써, 2개의 주파수에 대응하는 2모드 안테나를 실현할 수 있으며, 도 10B1, 도 10B2 중 어느 하나의 회로를 채용함으로써, 4개의 주파수에 대응하는 4모드 안테나를 실현할 수 있다. 또한, 도 10A1, 도 10A2, 도 10B1, 도 10B2의 회로예는, 대응하는 주파수의 수에 대하여 등가 회로로 표시되는 최소 소자 수의 공진 회로이다.

급전점(4)에서, 방사 도체(1)와 제2 공진 회로(3)는, 복수의 주파수에서, 고주파 회로의 특성 임피던스(5)와 등가인 특성 어드미턴스와 개략 동일한 실부의 값과 특정한 허부의 값을 갖는 어드미턴스를 나타내고, 제1 공진 회로(2)는 그 특정한 허부의 값과 개략 동일한 절대값을 가지며 부호가 역인 값을 갖는 서셉턴스값을 갖도록 설정된다. 그 서셉턴스값을 갖는 어드미턴스는, 제1 공진 회로(2)가 급전점(4)에서 고주파 회로에 대하여 병렬로 접속되므로, 도 2의 A 또는 B의 점의 근방에 설정된다.

점 A, B가 존재하는 도면에서의 원은, 스미스도가 고주파 회로의 특성 임피던스(5)로 규격화된 경우, 그 특성 임피던스와 등가인 순저항 성분으로 표시되는 특성 어드미턴스의 궤적으로 된다.

따라서, 점 A, B가 그 특성 어드미턴스의 궤적 상에 있는 경우, 고주파 회로와 본 발명으로 이루어지는 멀티모드 안테나는, 양호한 정합을 실현할 수 있게 된다. 다른 시점에서 보면, 고주파 회로와 본 발명으로 이루어지는 멀티모드 안테나가 양호한 정합 상태를 실현하기 위해서는, 그 서셉턴스값을 갖는 어드미턴스는 그 특성 어드미턴스의 궤적의 근방에 존재할 필요가 있게 된다.

본 실시예의 안테나를 복수의 반송파에 대응하는 멀티모드 안테나로서 동작시키기 위해서는, 각 반송파의 주파수에 대하여 급전점(4)으로부터 방사 도체(1)측을 본 어드미턴스가 도 2의 A 또는 B의 근방에 존재할 필요가 있지만, 각 반송파의 주파수에 대응하여 그 주파수가 증가하는 방향으로 교대로 A, B 또는 B, A의 근방에 존재하는 것이 바람직하다. 여기서 점 A는, 특성 어드미턴스의 궤적에서 서셉턴스값이 플러스인 영역의 점, 점 B는 동일하게 마이너스인 영역의 점을 대표하고 있다. 그 이유를 도 3을 이용하여 설명한다.

제1 공진 회로(2)의 등가 회로 표현에서의 C(용량), L(인덕턴스) 소자의 배치에 의해 그 제1 공진 회로의 서셉턴스의 주파수 특성은, F와 Gi, F와 Gi와 H, Gi와 H, Gi만(i=1, 2, …) 중 어느 하나의 형태를 취한다. 제1 공진 회로(2)의 서셉턴스값(jB)의 주파수 특성은, 도 3에 도시한 바와 같이 주파수축을 따라 우측 위 상승의 단조 증가 함수로 된다. 이것은, 리액턴스 함수 혹은 서셉턴스 함수와 허위츠 다항식의 관계로부터 이미 증명되어 있다.

도 3으로부터 알 수 있는 바와 같이, 서셉턴스 함수는, 주파수의 증가와 함께 극과 영점 혹은 영점과 극을 교대로 반복한다. 이 극과 영점의 개수는, 공진 회로를 등가 회로 표현한 경우의 C와 L 소자 수와 1대1의 대응이 있으며, LC의 1개의 쌍에서 하나의 극 혹은 하나의 영점을 생성한다. 즉, 도 10A1의 회로에서 하나의 극이 생성되며, 도 10A2의 회로에서 하나의 영점이 생성된다. 그리고, 도 10A1, 도 10A2의 회로에서 1회의 반복이 행해져, 2개의 주파수에의 대응이 가능하게 된다. 또한, 도 10B1, 도 10B2의 회로에서는 3회의 반복이 행해져, 2개의 주파수에의 대응이 가능하게 된다.

이와 같이, 본 실시예의 안테나가 멀티모드 안테나로서 대응해야 할 복수의 반송파의 주파수에 대하여, 급전점(4)으로부터 방사 도체(1)측을 본 어드미턴스가 점 A와 점 B의 위치를 교대로 반복하는 값을 취하면, 이들 점 A, 점 B에서의 그 어드미턴스의 서셉턴스 성분을 상쇄하는 제1 공진 회로(2)를 최소의 소자 수를 갖는 등가 회로 표현으로 구성할 수 있다. 이 경우, 제1 공진 회로(2)를 등가 회로 표현하였을 때의 극과 영점의 수의 총합이, 상기 복수의 주파수의 수와 동일하게 된다. 이와 같이 하여, 그 제1 공진 회로의 소형화, 저손실화가 도모되며, 따라서 안테나의 소형화가 도모됨과 함께, 도 3으로부터 명백해지는 바와 같이, 인접하는 주파수를 갖는 반송파에서 불필요한 극에 관한 급준한 임피던스 변화를 회피할 수 있기 때문에 안테나 전체로서의 광대역화의 효과도 발생한다.

이 때문에 본 발명은, 복수의 주파수에서, 단일의 급전부(4)에서, 고주파 회로부와 자유 공간의 양호한 임피던스 정합이 실현되어, 본 발명의 안테나에 비래하는 복수의 주파수의 전자파의 에너지를 효율적으로 고주파 회로에 전달할 수 있기 때문에, 서로 다른 주파수의 반송파를 이용하는 무선의 복수의 정보 전송 서비스를 유저에게 제공하는 멀티미디어 무선 단말기에 적합한 멀티모드 안테나를 실현하는 효과가 있다.

본 발명의 다른 실시예를 도 4, 도 2 및 도 3을 이용하여 설명한다. 도 4는, 본 발명으로 이루어지는 멀티모드 안테나의 구성 요소와 그 결합 관계를 도시하는 도면으로, 도 1의 실시예와 다른 점은, 제1 1포트 공진 회로(2)의 방사 도체(1)와 결합하고 있지 않은 일단이 접지 전위점과 접속하지 않고 직접 급전점(4)으로 되는 구성인 것이다. 또한, 본 실시예에서도, 공진 회로(2, 3)에 예를 들면 도 10A1, 도 10A2, 도 10B1, 도 10B2도에 도시한 회로가 이용된다.

제1 1포트 공진 회로(2)의 방사 도체(1)와의 결합점(140)에서 복수의 주파수에서, 방사 도체(1)과 제2 공진 회로(3)는, 고주파 회로부의 특성 임피던스(5)와 개략 동일한 실부의 값과 특정한 허부의 값을 갖는 임피던스를 나타내며, 제1 공진 회로(2)는, 그 특정한 허부의 값과 개략 동일한 절대값을 가지며 부호가 역인 값을 갖는 리액턴스값을 갖는다.

그 리액턴스값을 갖는 임피던스는, 제1 공진 회로(2)가 급전점(4)에서 고주파 회로에 대하여 직렬로 접속되기 때문에 도 2의 a 또는 b의 점의 근방이도록 설정된다. 점 a, b가 존재하는 도면에서의 원은, 스미스도가 고주파 회로의 특성 임피던스로 규격화된 경우, 그 특성 임피던스와 등가인 순저항 성분으로 표시되는 특성 임피던스의 궤적으로 된다.

따라서, 점 a, b가 그 특성 임피던스의 궤적 상에 있는 경우에는, 고주파 회로와 본 발명으로 이루어지는 멀티모드 안테나는, 양호한 정합이 달성 가능하게 된다. 다른 시점에서 보면, 고주파 회로부와 본 발명으로 이루어지는 멀티모드 안테나가 양호한 정합 상태를 실현하기 위해서는, 그 리액턴스값을 갖는 임피던스는, 그 특성 임피던스의 궤적의 근방에 존재할 필요가 있게 된다.

본 실시예의 안테나를 복수의 반송파에 대응하는 멀티모드 안테나로서 동작시키기 위해서는, 각 반송파의 주파수에 대하여 제1 1포트 공진 회로(2)의 방사 도체(1)와의 결합점(140)으로부터 방사 도체(1)측을 본 임피던스가 도 2의 a 혹은 b의 근방에 존재할 필요가 있지만, 각 반송파의 주파수에 대응하여 그 주파수가 증가하는 방향으로 교대로 a, b 혹은 a, b의 근방에 존재하는 것이 바람직하다. 여기서 점 a는, 특성 임피던스의 궤적에서 리액턴스값이 플러스인 영역의 점, 점 b는 동일하게 마이너스인 영역의 점을 대표하고 있다. 그 이유 및 그 효과는, 도 1의 실시예의 경우와 마찬가지이다. 그리고, 제1 공진 회로(2)를 등가 회로 표현하였을 때의 극과 영점의 수의 총합이, 상기 복수의 주파수의 수와 동일하게 된다.

본 실시예의 효과는, 도 1의 실시예와 마찬가지이지만, 또한, 방사 도체(1)와 제2 공진 회로(3)가 결합점(140)에서 나타내는 임피던스의 허부의 절대값이 큰 경우, 제1 공진 회로(2)를 보다 적은 소자값의 폭을 갖는 등가 회로로 실현할 수 있는 효과를 갖는다.

본 발명의 다른 실시예를 도 5를 이용하여 설명한다. 도 5는, 본 발명으로 이루어지는 멀티모드 안테나의 구성 요소와 그 결합 관계를 도시하는 도면으로서, 도 2의 실시예와 다른 점은, 결합점(140)과 접지 전위점 사이에 제3 1포트 공진 회로(7)가 삽입되어 있는 것이다.

본 실시예에서는, 제2 공진 회로(3)를 예를 들면 도 10B1, 도 10B2의 등가회로 구성으로 실현하고, 제1 공진 회로(2), 제3 공진 회로(7)를 예를 들면 도 10A1, 도 10A2의 등가 회로 구성으로 실현함으로써, 4모드 안테나를 실현할 수 있다. 또한, 결합점(140)에 접속되는 제1 1포트 공진 회로(2) 및 제3 1포트 공진 회로(7)를 등가 회로 표현하였을 때의 극과 영점의 수의 총합이, 대응해야 할 복수의 주파수의 수와 동일하게 된다.

본 실시예의 효과는, 도 1의 실시예와 마찬가지이지만, 또한, 방사 도체(1)와 제2 공진 회로(3)가 결합점(140)에서 나타내는 임피던스의 허부의 절대값이 상기 복수의 주파수에서 대, 소로 변화되는 경우, 제3 공진 회로(7)를 적은 소자값의 폭을 갖는 등가 회로로 실현할 수 있는 효과를 갖는다.

본 발명의 다른 실시예를 도 6을 이용하여 설명한다. 도 6은, 본 발명으로 이루어지는 멀티모드 안테나의 구성 요소와 그 결합 관계를 도시하는 도면으로, 도 5의 실시예와 다른 점은, 제2 1포트 공진 회로(3)가 방사 도체(1)의 단부 이외의 일점과 접지 전위점 사이에 형성되는 것이다. 또한, 본 실시예에서도, 제2 공진 회로(3)를 예를 들면 도 10B1, 도 10B2의 등가 회로 구성으로 실현하고, 제1 공진 회로(2), 제3 공진 회로(7)를 예를 들면 도 10A1, 도 10A2의 등가 회로 구성으로 실현함으로써, 4모드 안테나를 실현할 수 있다.

본 실시예의 효과는, 도 5의 실시예와 마찬가지이지만, 또한, 방사 도체(1)와 제2 공진 회로(3)가 결합점(140)에서 나타내는 임피던스의 허부의 절대값의 대응해야 할 복수의 주파수에서의 변화를 억제하여, 제1 및 제3 공진 회로(2, 7)를 적은 소자값의 폭을 갖는 등가 회로로 실현할 수 있는 효과를 갖는다.

본 발명의 다른 실시예를 도 7을 이용하여 설명한다. 도 7은, 본 발명으로 이루어지는 멀티모드 안테나의 구성 요소와 그 결합 관계를 도시하는 도면으로, 도 5의 실시예와 다른 점은, 제4 1포트 공진 회로(8)가 방사 도체(1)가 있는 일점과 다른 일점의 사이에 형성되는 것이다. 본 실시예에서는, 제1∼제4 공진 회로(2, 3, 7, 8)를 예를 들면 도 10A1, 도 10A2의 등가 회로 구성으로 실현함으로써, 4모드 안테나를 실현할 수 있다.

본 실시예의 효과는, 도 5의 실시예와 마찬가지이지만, 도 6의 실시예와 동일하게, 방사 도체(1)와 제2 공진 회로(3)가 결합점(140)에서 나타내는 임피던스의 허부의 절대값의 대응해야 할 복수의 주파수에서의 변화를 억제하여, 제1 및 제3 공진 회로(2, 7)를 적은 소자값의 폭을 갖는 등가 회로로 실현할 수 있는 효과를 갖는다.

본 발명의 다른 실시예를 도 8을 이용하여 설명한다. 도 8은, 본 발명으로 이루어지는 멀티모드 안테나의 구성 요소와 그 결합 관계를 도시하는 도면으로, 도 5의 실시예와 다른 점은, 제4 1포트 공진 회로(8)가 방사 도체(1)가 있는 일점과 접지 전위 사이에 형성되는 것이다. 또한, 본 실시예에서도, 제1∼제4 공진 회로(2, 3, 7, 8)를 예를 들면 도 10A1, 도 10A2의 등가 회로 구성으로 실현함으로써, 4모드 안테나를 실현할 수 있다.

본 실시예의 효과는 도 7의 실시예와 마찬가지이지만, 방사 도체(1)의 물리적 치수가 작아 제4 공진 회로(8)를 결합해야 할 2점을 그 방사 도체 상에 형성하는 것이 곤란한 경우라도, 도 7의 실시예와 동일하게, 방사 도체(1)와 제2 공진 회로(3)가 결합점(140)에서 나타내는 임피던스의 허부의 절대값의 대응해야 할 복수의 주파수에서의 변화를 억제하여, 제1 및 제3 공진 회로(2, 7)를 적은 소자값의 폭을 갖는 등가 회로로 실현할 수 있는 효과를 갖는다.

본 발명의 다른 실시예를 도 9를 이용하여 설명한다. 도 9는, 본 발명으로 이루어지는 멀티모드 안테나의 구성 요소와 그 결합 관계를 도시하는 도면으로, 도 5의 실시예와 다른 점은, 제2 1포트 공진 회로(3)의 방사 도체(1)와 결합하지 않는 일단을 접지 전위점으로부터 분리하고, 그 일단에 제2 방사 도체(9)의 일단이 결합하고, 제2 방사 도체(9)의 다른 일단과 접지 전위점 사이에 제4 1포트 공진 회로(8)가 결합되는 것이다. 본 실시예에서는, 제1∼제4 공진 회로(2, 3, 7, 8)를 예를 들면 도 10A1, 도 10A2의 등가 회로 구성으로 실현함으로써, 4모드 안테나를 실현할 수 있다.

본 실시예에 따르면, 본 발명으로 이루어지는 안테나를 구성하기 위한 방사 도체를 단일의 연속 구조체로서 형성하는 것이 곤란한 공간적 제한이 부과되어 있는 경우라도, 도 7의 실시예와 동일하게, 방사 도체(1)와 제2 공진 회로(3)가 결합점(140)에서 나타내는 임피던스의 허부의 절대값의 대응해야 할 복수의 주파수에서의 변화를 억제하여, 제1 및 제3 공진 회로(2, 7)를 적은 소자값의 폭을 갖는 등가 회로로 실현할 수 있는 효과를 갖는다. 본 실시예에서는, 방사 도체가 2개의 연속체로 분할된 예를 나타냈지만, 분할수는 2일 필요는 없고, 3 이상의 연속체로 분할하는 것이 가능하며, 그와 같은 분할에서도, 본 도면, 도 7 및 도 8의 실시예로부터의 유추에 의해, 마찬가지의 효과를 갖는 구성을 용이하게 실현 가능하다.

본 발명의 다른 실시예를 도 11A∼도 11C를 이용하여 설명한다. 도 11A는, 본 발명으로 이루어지는 소형의 멀티모드 안테나의 일 설계예를 도시하는 도면으로, 도 1의 실시예의 구성을 예로 채용한 설계로 되어 있다. 방사 도체(1)는, 폭 1㎜의 띠 형상 도체를 절곡하여 형성되며, 접지 기판(11) 상에 폭 1㎜ 길이 15㎜의 판 형상 사각형부가 접지 기판(11)으로부터 거리 3㎜ 떨어져 배치된다. 그리고, 그 판 형상 사각형부의 양단은, 접지 기판(11)을 향하여 직각으로 절곡되며, 접지 기판과 전기적으로 접촉하지 않도록 개략 3㎜의 길이만큼 폭 1㎜를 유지하여 연장되어 있다.

양단이 절곡되어진 띠 형상의 방사 도체(1)의 일단과 접지 기판 사이에는 제1 1포트 공진 회로(2)가 형성되며, 그 방사 도체(1)의 다른 일단과 접지 기판 사이에는 제2 1포트 공진 회로(3)가 형성되고, 그 방사 도체(1)와 제1 공진 회로(2)의 결합점이 급전점(4)으로서, 특성 임피던스(5)와 전압원(6)에서 등가 회로 표현되는 고주파 회로부와 결합되어 있다.

본 구조에서, 제1 공진 회로(2)를 도 11B에 도시한 서셉턴스 jBs(Cs=21.5pF, Ls=0.169nH)를 나타내는 등가 회로로 구성하고, 제2 공진 회로(3)를 도 11C에 도시한 리액턴스 jX(Co=0.0827pF, Lo=24.60nH)를 나타내는 등가 회로로 구성함으로써, 반송파 주파수 1㎓와 동 2㎓에서 정재파비(VSWR)<2로 되는 대역 폭을 각각 3%와 5%로 할 수 있어, 2모드 안테나를 실현할 수 있었다.

본 발명의 다른 실시예를 도 12A∼도 12C를 이용하여 설명한다. 도 12는, 본 발명으로 이루어지는 소형의 멀티모드 안테나의 일 설계예를 도시하는 도면으로, 도 11의 실시예와 마찬가지의 방사 도체 구조 및 공진 회로와의 결합 구성을 예로 든 설계로 되어 있다. 본 구조에서, 제1 공진 회로(2)를 도 12B에 도시한 서셉턴스 jBs(Cs=32.1pF, Ls=0.593nH)를 나타내는 등가 회로로 구성하고, 제2 공진 회로(3)를 도 12C에 도시한 리액턴스 jX(Co=0.0885pF, Lo=24.06nH)를 나타내는 등가 회로로 구성함으로써, 반송파 주파수 1㎓와 동 2㎓에서 정재파비(VSWR)<2로 되는 대역 폭을 각각 0.7%와 10%로 할 수 있어, 상기 2개의 반송파 주파수에서 안테나가 대응해야 할 대역 폭이 크게 서로 다른 2모드 안테나를 실현할 수 있었다.

본 발명의 다른 실시예를 도 13을 이용하여 설명한다. 도 13은, 본 발명으로 이루어지는 소형의 멀티모드 안테나의 구성 요소와 그 결합 관계를 도시하는 도면으로, 지금까지 설명한 실시예와 다른 점은, 방사 도체(1)가 접지 전위를 구성상 포함하고 있는 것이다. 본 실시예에서는, 도면의 간결함을 우선하여 특성 임피던스(5)와 전압원(6)의 직렬 접속을 하나의 여진원(12)으로 나타낸다.

본 실시예에서는 판 형상의 방사 도체(1)가 접지 전위를 포함하고 있기 때문에, 제1 1포트 공진 회로(2)의 일단은, 급전점(4)에서 여진원(12)의 일단과 결합하고, 제1 공진 회로(2)와 여진원(12)의 직렬 접속의 양단이 방사 도체(1)의 제1 갭(13)에서 방사 도체(1)와 전기적으로 접속하며, 또한 제2 1포트 공진 회로(3)의 양단이 방사 도체(1)의 제2 갭(14)에서 방사 도체(1)와 전기적으로 접속하고 있다.

본 실시예의 구성에서의 등가 회로는 도 4의 실시예와 등가이며, 본 실시예는, 도 4의 실시예와 마찬가지의 효과를 제공할 수 있다. 또한, 본 실시예의 구조에서는, 안테나 자신이 접지 전위를 포함하고 있기 때문에, 본 안테나를 고주파 회로의 접지 전위를 제공하는 회로 기판과 독립적으로 동작시키는 것이 가능해져, 동일 회로 기판의 영향을 고려하지 않는 용이한 안테나 설계를 가능하게 하는 효과를 가짐과 함께, 방사 도체와 고주파 회로를 떨어뜨려 접지해야만 하는 사양에 대응하는 안테나를 실현하는 효과가 있다.

본 발명의 다른 일 실시예를 도 14를 이용하여 설명한다. 도 14는, 본 발명으로 이루어지는 소형의 멀티모드 안테나의 구성 요소와 그 결합 관계를 도시하는 도면으로, 도 13의 실시예와 다른 점은, 방사 도체(1)가 제3 갭(15)을 갖고, 제3 갭(15)에서 제3 1포트 공진 회로(7)가 그 방사 도체(1)와 전기적으로 접속하는 것이다.

본 실시예의 구성에서의 등가 회로는 도 5 혹은 도 6의 실시예와 등가로, 도 5 혹은 도 6의 실시예와 마찬가지의 효과를 본 실시예는 제공할 수 있다. 또한, 본 실시예의 구조에서는, 도 13의 실시예의 경우와 마찬가지로, 동일 회로 기판의 영향을 고려하지 않는 용이한 안테나 설계를 가능하게 하는 효과를 가짐과 함께, 방사 도체와 고주파 회로부를 떨어뜨려 접지해야만 하는 사양에 대응하는 안테나를 실현하는 효과가 있다.

본 발명의 다른 실시예를 도 15를 이용하여 설명한다. 도 15는, 본 발명으로 이루어지는 소형의 멀티모드 안테나의 구성 요소와 그 결합 관계를 도시하는 도면으로, 도 14의 실시예와 다른 점은, 제1 갭(13)이 방사 도체(1)에 형성되는 슬릿(16)과 일체로 되어 있는 것이다.

본 실시예에 따르면, 여진원(12) 근방의 전류 상태를 슬릿(16)을 이용하여 방사 도체(1)의 형상으로 제어할 수 있으므로, 제1 공진 회로(2)와 여진원(12)의 직렬 접속 회로의 양단의 주파수 변화에 대한 임피던스 변화를 작게 할 수 있어, 결과적으로 상이한 복수의 반송파 주파수에서의 대역 폭의 확대가 가능하게 된다. 본 실시예에서는, 슬릿(16)은 주위가 도체로 둘러싸인 폐쇄 영역으로는 되어 있지 않지만, 주위가 모두 둘러싸인 소위 슬롯 형상에서도 마찬가지의 효과가 가능한 것은 용이하게 유추 가능하다.

본 발명의 다른 실시예를 도 16을 이용하여 설명한다. 도 16은, 본 발명으로 이루어지는, 적층 기판을 이용하여 형성한 소형의 멀티모드 안테나의 구조와 그 제조법과의 관계를 도시하는 도면으로, 상면의 최상층(21), 좌측면(22), 우측면(23), 정면(24), 층간의 중간층(25), 및 저면의 최하층(26)으로 구성되어 있다.

이들 구조를 형성하기 위해, 적층 기판 프로세스에 의해, 최상층(21)의 최상층 패턴, 최상층(21)을 상면에 갖는 유전체로 이루어지는 상부 유전체 기판(28), 상부 유전체 기판(28)의 하면에서의 중간층(25)의 중간층 패턴, 중간층(25)에 접하는 하부 유전체 기판(27), 및 유전체로 이루어지는 하부 유전체 기판(27)의 저면에서의 최하층(26)의 최하층 패턴이 형성된다. 또한, 중간층(25)은, 하부 유전체 기판(27)의 상면에 형성되도록 해도 된다.

최상층(21)의 최상층 패턴인 방사 도체 상층 패턴(31)이 상부 유전체 기판(28)의 상면에 후막 프로세스 혹은 박막 프로세스에 의해 인쇄되며, 좌측면(22)의 상부 유전체 기판(28)의 부분에 방사 도체 좌측면 패턴(32)이 후막 프로세스 혹은 박막 프로세스에 의해 인쇄되고, 우측면(23)의 상부 유전체 기판(28)의 부분에 방사 도체 우측면 패턴(33)이 후막 프로세스 혹은 박막 프로세스에 의해 인쇄되며, 상부 유전체 기판(28)의 하면(혹은 하부 유전체 기판(27)의 상면)에서의 중간층(25)에 중간층 패턴인 제1 스파이럴 형상 도체 패턴(41) 및 제2 스파이럴 도체 패턴(42)이 박막 프로세스에 의해 인쇄되고, 좌측면(22)의 하부 유전체 기판(27)의 부분에 급전 도체 패턴(34)이 후막 프로세스 혹은 박막 프로세스에 의해 인쇄되며, 하부 유전체 기판(27)의 저면에서의 최하층(26)에 최하층 패턴인 제1 띠 형상 접지 도체 패턴(51) 및 제2 띠 형상 접지 도체 패턴(52)이 후막 프로세스 혹은 박막 프로세스에 의해 인쇄된다.

상기한 바와 같이 각 패턴이 인쇄되고 나서, 상부 유전체 기판(28)의 하면과 하부 유전체 기판(27)의 상면이 접착되어, 적층 구조가 완성된다. 접착 시에는, 예를 들면, 기판(28)의 하면 또는 기판(27)의 상면에 접착용의 층을 형성해 놓고, 양 기판을 중첩하고 나서 열 및 압력을 가하여 접착하는 방법이 채용된다.

적층 구조에서는, 다음과 같은 전기적 접합이 형성된다. 방사 도체 상층 패턴(31)과 방사 도체 좌측면 패턴(32)과 방사 도체 우측면 패턴(33)이 전기적으로 접합되며, 방사 도체 좌측면 패턴(32)과 제1 스파이럴 형상 도체 패턴(41)이 전기적으로 접합되고, 방사 도체 우측면 패턴(33)과 제2 스파이럴 형상 도체 패턴(42)이 전기적으로 접합되며, 급전 도체 패턴(34)과 방사 도체 좌측면 패턴(32)이 전기적으로 접합되고, 제1 스파이럴 형상 도체 패턴(41)과 제1 띠 형상 접지 도체 패턴(51)이 하부 유전체 기판(27)의 내부에 형성되는 제1 관통 홀(43)을 통해 전기적으로 접합되며, 제2 스파이럴 형상 도체 패턴(42)과 제2 띠 형상 접지 도체 패턴(52)이 하부 유전체 기판(27)의 내부에 형성되는 제2 관통 홀(44)을 통해 전기적으로 접합된다.

본 실시예의 구조에서는, 상부 유전체 기판(28)의 유전율과 하부 유전체 기판(27)의 유전율은 동일해도, 혹은 달라도 상관없다. 단, 다른 경우에는, 방사 도체 패턴(31)과 스파이럴 형상 도체 패턴(41, 42)의 결합을 적게 하여 그 방사 도체 패턴(31, 32, 33)으로부터 자유 공간으로의 전자파의 방사 효율을 증가시키기 때문에, 상부 유전체 기판(28)의 유전율을 하부 유전체 기판(27)의 유전율보다 낮게 하는 것이 바람직하다.

또한, 본 실시예에서는, 상부 유전체 기판(28) 및 하부 유전체 기판(27)을 각각 자성체로 이루어지는 상부 자성체 기판 및 하부 자성체 기판으로 대체하는 것이 가능하다. 그 경우, 상부 자성체 기판의 투자율과 하부 자성체 기판의 투자율은 동일해도, 혹은 달라도 상관없다. 단, 다른 경우에는, 상부 자성체 기판의 투자율을 하부 자성체 기판의 투자율보다 낮게 하는 것이 바람직하다.

본 실시예의 구조에서는, 스파이럴 형상 도체(41, 42)와 관통 홀(43, 44)에 의해 등가 회로 표현에서 공진 회로로 되는 구조를 실현할 수 있으므로, 급전 도체(34)의 일부를 급전점으로 하고, 또한 제1 및 제2 띠 형상 접지 도체(51, 52)를 고주파 회로의 접지 전위와 결합함으로써, 도 1의 실시예의 구성을 구현화할 수 있다.

따라서, 본 실시예에 의해, 적층 기판 프로세스를 이용하여 본 발명으로 이루어지는 멀티모드 안테나를 제조할 수 있으므로, 그 멀티모드 안테나의 소형화 및 양산 효과에 의한 저비용화가 달성된다.

본 발명의 다른 실시예를 도 17을 이용하여 설명한다. 도 17은, 본 발명으로 이루어지는 소형의 멀티모드 안테나의 구조와 그 적층 기판 제조법과의 관계를 도시하는 도면으로, 상면의 최상층(21), 좌측면(22), 우측면(23), 정면(24), 층간의 제1 중간층(25a), 층간의 제2 중간층(25b), 저면의 최하층(26), 및 배면(30)으로 구성되어 있다.

이들 구조를 형성하기 위해, 적층 기판 프로세스에 의해, 최상층(21)의 최상층 패턴, 최상층(21)을 상면에 갖는 상부 유전체 기판(28), 상부 유전체 기판(28)의 하면에서의 제1 중간층(25a)의 제1 중간층 패턴, 제1 중간층(25a)에 접하는 중간부 유전체 기판(29), 중간부 유전체 기판(29)의 하면에서의 제2 중간층(25b)의 제2 중간층 패턴, 제2 중간층(25b)에 접하는 하부 유전체 기판(27), 및 하부 유전체 기판(27)의 저면에서의 최하층(26)의 최하층 패턴이 형성된다. 또한, 제1 중간층(25a)은 중간부 유전체 기판(29)의 상면에, 제2 중간층(25b)은 하부 유전체 기판(27)의 상면에 형성되도록 해도 된다.

최상층(21)의 최상층 패턴인 방사 도체 상층 패턴(31)이 상부 유전체 기판(28)의 상면에 후막 프로세스 혹은 박막 프로세스에 의해 인쇄되고, 좌측면(22)의 상부 유전체 기판(28) 및 중간부 유전체 기판(29) 부분에 방사 도체 좌측면 패턴(32)이 후막 프로세스 혹은 박막 프로세스에 의해 인쇄되며, 우측면(23)의 상부 유전체 기판(28) 및 중간부 유전체 기판(29)의 부분에 방사 도체 우측면 패턴(33)이 후막 프로세스 혹은 박막 프로세스에 의해 인쇄되고, 상부 유전체 기판(28)의 하면(혹은 중간부 유전체 기판(29)의 상면)에서의 제1 중간층(25a)에 제1 중간층 패턴인 차폐 도체 상면 패턴(53)이 박막 프로세스에 의해 인쇄되며, 중간부 유전체 기판(29)의 하면(혹은 하부 유전체 기판(27)의 상면)에서의 제2 중간층(25b)에 제2 중간층 패턴인 제1 스파이럴 형상 도체 패턴(41) 및 제2 스파이럴 형상 도체 패턴(42)이 박막 프로세스에 의해 인쇄되고, 좌측면(22)의 하부 유전체 기판(27)에 급전 도체 패턴(34)이 후막 프로세스 혹은 박막 프로세스에 의해 인쇄되며, 하부 유전체 기판(27)의 저면에서의 최하층(26)에 최하층 패턴인 차폐 도체 저면 패턴(56)이 후막 프로세스 혹은 박막 프로세스에 의해 인쇄되고, 정면(24)의 중간부 유전체 기판(29) 및 하부 유전체 기판(27)의 부분에 차폐 도체 정면 패턴(54)이 후막 프로세스 혹은 박막 프로세스에 의해 인쇄되며, 배면(30)의 중간부 유전체 기판(29), 및 하부 유전체 기판(27)의 부분에 차폐 도체 배면 패턴(55)이 후막 프로세스 혹은 박막 프로세스에 의해 인쇄된다.

상기한 바와 같이 각 패턴이 인쇄되고 나서, 상부 유전체 기판(28)의 하면과 중간부 유전체 기판(29)의 상면, 및 중간부 유전체 기판(29)의 하면과 하부 유전체 기판(27)의 상면이 접착되어, 적층 구조가 완성된다. 접착 시에는, 예를 들면, 기판(28)의 하면 또는 기판(29)의 상면, 및 기판(29)의 하면 또는 기판(27)의 상면에 접착용의 층을 형성해 놓고, 양 기판을 중첩하고 나서 열 및 압력을 가하여 접착하는 방법이 채용된다.

적층 구조에서는, 다음과 같은 전기적 접합이 형성된다. 방사 도체 상층 패턴(31)과 방사 도체 좌측면 패턴(32)과 방사 도체 우측면 패턴(33)이 전기적으로 접합되며, 방사 도체 좌측면 패턴(32)과 제1 스파이럴 형상 도체 패턴(41)이 전기적으로 접합되고, 방사 도체 우측면 패턴(33)과 제2 스파이럴 형상 도체 패턴(42)이 전기적으로 접합되며, 급전 도체 패턴(34)과 방사 도체 좌측면 패턴(32)이 전기적으로 접합되고, 제1 스파이럴 형상 도체 패턴(41)과 차폐 도체 저면 패턴(56)이 하부 유전체 기판(27)의 내부에 형성되는 제1 관통 홀(43)을 통해 전기적으로 접합되며, 제2 스파이럴 형상 도체 패턴(42)과 차폐 도체 저면 패턴(56)이 하부 유전체 기판(27)의 내부에 형성되는 제2 관통 홀(44)을 통해 전기적으로 접합되고, 차폐 도체 정면 패턴(54)이 차폐 도체 상면 패턴(53) 및 차폐 도체 저면 패턴(56)과 전기적으로 접합되며, 차폐 도체 배면 패턴(55)이 차폐 도체 상면 패턴(53) 및 차폐 도체 저면 패턴(56)과 전기적으로 접합된다.

본 실시예의 구조에서도, 상부 유전체 기판(28), 하부 유전체 기판(27) 및 중간부 유전체 기판(29)의 각각의 유전율은 상호 동일해도, 혹은 달라도 상관없다. 단, 다른 경우에는, 유전율은, 상방에 있는 유전체 기판일수록 낮게 하는 것이 바람직하다.

또한, 본 실시예에서는, 상부 유전체 기판(28), 하부 유전체 기판(27) 및 중간부 유전체 기판(29)을 각각 자성체로 이루어지는 상부 자성체 기판, 하부 자성체 기판 및 중간부 자성체 기판으로 대체하는 것이 가능하다. 그 경우, 각 자성체 기판의 투자율은 상호 동일해도, 혹은 달라도 상관없다. 단, 다른 경우에는, 투자율은, 상방에 있는 자성체 기판일수록 낮게 하는 것이 바람직하다.

본 실시예의 구조에서는 도 16의 실시예와 마찬가지로, 도 1의 실시예의 구성을 구현화할 수 있어, 적층 기판 제조법(적층 기판 프로세스)을 이용하여 본 발명으로 이루어지는 멀티모드 안테나를 제조할 수 있으므로, 그 멀티모드 안테나의 소형화 및 양산 효과에 의한 저비용화를 달성할 수 있다. 또한, 본 실시예에서는, 도 16의 실시예와 비교하여, 방사 도체 공진 회로의 전자 결합이 현저하게 억제되므로, 동일 공진 회로의 설계가 용이해지는 효과가 발생한다.

본 발명의 다른 실시예를 도 18을 이용하여 설명한다. 도 18은 본 발명으로 이루어지는 소형의 멀티모드 안테나의 구조와 그 적층 기판 제조법과의 관계를 도시하는 도면으로, 도 16의 실시예와 마찬가지로, 상면의 최상층(21), 좌측면(22), 우측면(23), 정면(24), 층간의 중간층(25), 및 저면의 최하층(26)으로 구성되어 있다.

도 16의 실시예와 다른 점은, 스파이럴 형상 도체(41, 42)를 미앤더 형상 도체(45, 46)로 치환한 것이다. 미앤더 형상 도체의 도입에 의해 본 발명으로 이루어지는 안테나를 ㎓ 이상의 초고주파 영역에 적용하는 경우, 미앤더 형상 도체의 폭을 스파이럴 형상 도체의 폭과 비교하여 넓게 할 수 있기 때문에, 이 부분에서의 도체의 저항 손실을 저감할 수 있어, 안테나의 효율을 향상시키는 효과가 발생한다.

본 발명의 다른 실시예를 도 19를 이용하여 설명한다. 도 19는 본 발명으로 이루어지는 소형의 멀티모드 안테나의 구조와 그 적층 기판 제조법과의 관계를 도시하는 도면으로, 도 17의 실시예와 마찬가지로, 상면의 최상층(21), 좌측면(22), 우측면(23), 정면(24), 층간의 제1 중간층(25a), 층간의 제2 중간층(25b), 저면의 최하층(26), 및 배면(30)으로 구성되어 있다.

도 17의 실시예와 다른 점은, 스파이럴 형상 도체(41, 42)를 미앤더 형상 도체(45, 46)로 치환한 것이다. 도 16의 실시예에 대한 도 18의 실시예의 효과와 마찬가지로, 도 17의 실시예와 비교하여 본 발명으로 이루어지는 안테나를 ㎓대 이상의 초고주파 영역에 적용하는 경우, 안테나의 효율을 향상시키는 효과가 발생한다.

본 발명의 다른 실시예를 도 20을 이용하여 설명한다. 도 20은, 본 발명으로 이루어지는 소형의 멀티모드 안테나의 구조와 그 적층 기판 제조법과의 관계를 도시하는 도면으로, 도 16의 실시예와 마찬가지로, 상면의 최상층(21), 좌측면(22), 우측면(23), 정면(24), 층간의 중간층(25), 및 저면의 최하층(26)으로 구성되어 있다.

도 16의 실시예와 다른 점은, 급전 도체(34)가 방사 도체 좌측면 패턴(32)과 전기적으로 접합되지 않고, 또한 제1 띠 형상 접지 도체(51)를 띠 형상 도체(53)로 하며, 급전 도체(34)가 제1 띠 형상 도체(53)와 전기적으로 접합되어 있는 것이다. 본 실시예의 구조에서, 급전 도체(34)의 일부를 급전점으로 하여 제2 띠 형상 접지 도체(52)를 고주파 회로부터의 접지 전위와 결합함으로써, 도 4의 실시예의 구성을 구현화할 수 있다. 따라서, 본 실시예에 의해, 적층 기판 프로세스를 이용하여 본 발명으로 이루어지는 멀티모드 안테나를 제조할 수 있기 때문에, 그 멀티모드 안테나의 소형화 및 양산 효과에 의한 저비용화를 달성할 수 있다.

본 발명의 다른 실시예를 도 21을 이용하여 설명한다. 도 21은 본 발명으로 이루어지는 소형의 멀티모드 안테나의 구조와 그 적층 기판 제조법과의 관계를 도시하는 도면으로, 도 20의 실시예와 마찬가지로, 상면의 최상층(21), 좌측면(22), 우측면(23), 정면(24), 층간의 중간층(25), 및 저면의 최하층(26)으로 구성되어 있다.

도 20의 실시예와 다른 점은, 스파이럴 형상 도체(41, 42)를 미앤더 형상 도체(45, 46)로 치환한 것이다. 도 16의 실시예에 대한 도 18의 실시예의 효과와 마찬가지로, 도 20의 실시예와 비교하여 본 발명으로 이루어지는 안테나를 ㎓대 이상의 초고주파 영역에 적용하는 경우, 안테나의 효율을 향상시키는 효과가 발생한다.

본 발명의 다른 일 실시예를 도 22A, 도 22B를 이용하여 설명한다. 도 22A, 도 22B는 본 발명으로 이루어지는 멀티모드 안테나를 탑재한 고주파 모듈의 일 구조를 도시하는 도면으로, 각각, 상면도와 저면도를 도시하고 있다.

단층 혹은 다층으로 이루어지는 고주파 기판(101)의 표면에 본 발명으로 이루어지는 소형의 멀티모드 안테나(102)와 고주파 다접점 스위치(103)가 동일면 상에 배치된다.

송신 신호 입력 단자(123a(b, c))로부터 순서대로 송신 회로(Tx)(113a(b, c)) 및 전력 증폭기(PA)(112a(b, c))가 접속되며, 수신 신호 출력 단자(125a(b, c))로부터 순서대로 수신 회로(Rx)(115a(b, c)) 및 저잡음 증폭기(LNA)(114a(b, c))가 접속되고, 전력 증폭기(112a(b, c))의 제1 분기 출력 및 저잡음 증폭기(LNA)(114a(b, c))에의 제2 분기 출력이 분파기(DUP)(111a(b, c))에 결합된다.

고주파 기판(101)의 표면에 면 형상 도체 패턴으로 형성되는 제1 접지 도체(104)가 형성되며, 고주파 기판(101)의 이면에 면 형상 도체 패턴으로 형성되는 제2 접지 도체(105)가 형성된다.

고주파 기판(101)의 주위에 제1 접지 단자(107), 제2 접지 단자(120), 전력 증폭기용 전원 단자(121), 송신 회로용 전원 단자(122), 송신 신호 입력 단자(123), 수신기용 전원 단자(124), 수신 회로 출력 단자(125), 고주파 다접점 스위치용 전원 단자(106), 고주파 다접점 스위치 제어 단자(108)가 배치된다.

멀티모드 안테나(102)는, 그 접지 단자가 전기적으로 제1 접지 도체(104)에 접속됨과 함께, 그 주위가 제1 접지 도체(104)에 둘러싸인다. 또한, 멀티모드 안테나(102)의 급전점은, 고주파 다접점 스위치(103)의 공통 접점에 접속되며, 그 고주파 다접점 스위치(103)의 개별 접점이 분파기(111a(b, c))의 공통 브랜치 입력에 접속된다.

고주파 다접점 스위치(103)의 접지 단자가 관통 홀(131)을 통해 제2 접지 도체(105)에 전기적으로 접속되며, 전력 증폭기(112a(b, c)), 송신 회로(113a(b, c)), 저잡음 증폭기(114a(b, c)) 및 수신 회로(115a(b, c))의 접지 단자가 관통 홀(132)을 통해 제2 접지 도체(105)에 전기적으로 접속된다.

제1 접지 단자(107)는 제1 접지 도체(104) 및 제2 접지 도체(105)에 접속하고, 제2 접지 단자(120)는 제2 접지 도체(105)에 접속하고 있다.

전력 증폭기용 전원 단자(121)는 적당한 배선 도체 패턴에 의해 전력 증폭기(112a(b, c))의 전원부에 접속하고, 송신 회로용 전원 단자(122a(b, c))는 적당한 배선 도체 패턴에 의해 송신 회로(113a(b, c))의 전원부에 접속하며, 수신기용 전원 단자(124a(b, c))는 적당한 배선 도체 패턴에 의해 수신 회로(115a(b, c)) 및 저잡음 증폭기(114a(b, c))의 전원부에 접속하고, 고주파 다접점 스위치용 전원 단자(106) 및 고주파 다접점 스위치 제어 단자(108)는 적당한 배선 도체 패턴에 의해 그 고주파 다접점 스위치(103)의 전원부 및 제어 신호 입력부에 각각 접속하고 있다.

여기서, 분파기(111), 전력 증폭기(112), 송신 회로(113), 저잡음 증폭기(114), 수신 회로(115)의 각 유닛, 전력 증폭기용 전원 단자(121), 송신 회로용 전원 단자(122), 송신 신호 입력 단자(123), 수신기용 전원 단자(124), 수신 회로 출력 단자(125)의 각 단자는, 본 실시예의 멀티모드 안테나를 탑재한 고주파 모듈이 취급해야 할 정보 전송 서비스를 제공하는 무선 시스템이 이용하는 반송파의 주파수의 개수만큼 고주파 기판(101)에 복수 탑재된다. 본 실시예에서는, 무선 시스템은 3개의 반송파 주파수를 이용하고 있으며, 각 유닛 및 각 단자가 3조(a, b, c) 탑재되어 있다.

본 구성은 정보 전달을 무선 통신에 의해 제공하는 시스템이 FDD(주파수 분할 다원 접속) 방식을 채용하고 있는 경우에 적용하는 모듈의 양식이다. 일반적으로 무선에 의한 정보 전송 서비스의 유저에의 제공을 가능하게 하는 무선 단말기에서는, 맨 머신 인터페이스를 담당하는 저주파 회로로부터, 전자파를 생성·방사하는 고주파 회로까지 넓은 대역의 주파수를 갖는 신호를 취급할 필요가 있다.

특히, 고주파 회로는, 재질 상수에 관계되는 손실, 부유 성분에 의한 회로 성능의 열화 등으로부터, 고가이며 저손실의 물질로 제조되는 고가의 기판을 이용하여 배선 길이를 매우 짧게 하고, 동일 기판 상의 배선 패턴의 전자 간섭을 삭감하기 위한 차폐층을 다용하는 등, 저주파 회로, 중간 주파 회로와는 다른 형상으로의 구현화가 요구된다. 이 때문에, 고주파 회로부는 모듈화하여, 다른 저주파 회로, 중간 주파 회로로 분리하여 구성하고, 동 저주파 회로, 중간 주파 회로가 탑재되는 회로 기판에 그 모듈을 탑재하는 양식이 일반적이다.

종래 기술에서는, 단일 급전점에서 멀티모드 동작을 가능하게 하는 안테나가 채용되어 있지 않기 때문에, 고가의 고주파 모듈을 저주파 회로, 중간 주파 회로가 탑재되는 회로 기판에 복수 탑재할 필요가 있어, 동 모듈을 탑재하는 무선 단말기의 고비용의 주요인으로 되었다. 또한, 복수의 고주파 모듈을 그 회로 기판 상에 점재시키기 위해, 필연적으로 고주파 신호선, 전력 증폭기용 전원선의 배선 길이가 길어져, 이들이 발하는 전자파의 불필요 복사에 의해, 다른 회로의 성능이 열화된다고 하는 문제가 있었다.

본 실시예에 따르면, 복수의 반송파를 이용하는 고주파 회로를 단일의 고주파 모듈로 집적 가능해지므로, 멀티미디어 무선 단말기의 제조 비용 저감, 동 단말기 감도 향상의 효과가 얻어진다.

본 발명의 다른 실시예를 도 23A, 도 23B를 이용하여 설명한다. 도 23A, 도 23B는, 본 발명으로 이루어지는 소형의 멀티모드 안테나를 탑재한 고주파 모듈의 다른 구조를 도시하는 도면으로, 각각 상면도와 저면도를 도시하고 있다.

도 22A, 도 22B의 실시예와 다른 점은, 분파기(111) 대신에 고주파 2접점 스위치(116)가 이용되고 있는 것과, 고주파 2접점 스위치(116)를 동작시키기 위한 전원을 공급하기 위해 고주파 기판(101)의 주위에 새롭게 고주파 2접점 스위치용 전원 단자(126)가 배치되며, 고주파 2접점 스위치용 전원 단자(126)로부터 적당한 배선 도체 패턴과 관통 홀(133)에 의해 그 고주파 2접점 스위치에 전원이 공급되는 것이다.

본 구성은, 정보 전달을 무선 통신에 의해 제공하는 시스템이 TDD(시분할 다원 접속)를 채용하고 있는 경우에 적용하는 모듈의 양식이다. 그리고, 본 실시예의 효과는, 도 22A, 도 22B의 실시예와 마찬가지이다.

일반적으로 FDD 방식을 가능하게 하는 분파기보다 TDD 방식을 가능하게 하는 고주파 2접점 스위치쪽이 이들 회로 기능에 이용되는 필터의 사양을 완화할 수 있기 때문에, 후자쪽이 소치수로 구현화 가능하다. 이 때문에, 본 발명으로 이루어지는 멀티모드 안테나를 탑재한 고주파 모듈의 소형화, 나아가서는 동 모듈을 적용하는 무선 단말기를 소형화하는 효과도 발생한다.

무선 단말기가 대응해야 할 복수의 정보 서비스 시스템 중, 어떤 것은 FDD 방식이고, 다른 것이 TDD 방식인 경우에는, 도 22A, 도 22B의 실시예와의 관계로부터, 전자에 대응하는 회로 블록에는 분파기를 이용하고, 후자에 대응하는 회로 블록에는 그 고주파 2접점 스위치를 이용하면 되는 것은 자명하다.

본 발명의 다른 일 실시예를 도 24A, 도 24B를 이용하여 설명한다. 도 22A, 도 22B는, 본 발명으로 이루어지는 소형의 멀티모드 안테나를 탑재한 고주파 모듈의 다른 구조를 도시하는 도면으로, 각각 상면도와 저면도를 도시하고 있다.

도 22A, 도 22B의 실시예와 다른 점은, 제2 접지 도체(105)의 멀티모드 안테나(102)의 고주파 기판(101) 상의 설치 위치에 대향하는 부분이 삭제되어 있는 점이다.

본 실시예의 효과는 도 22A, 도 22B의 실시예와 마찬가지이지만, 멀티모드 안테나(102)가 편측 지향성을 갖지 않는 경우, 그 멀티모드 안테나의 고주파 기판(101)의 이면 방향으로의 전자파의 방사를 가능하게 할 수 있기 때문에, 멀티모드 안테나의 이득을 향상시키는 효과가 발생하고, 결과적으로 본 실시예의 멀티모드 안테나를 탑재한 고주파 모듈을 적용한 무선 단말기의 감도가 향상되는 효과가 얻어진다.

본 발명에 따르면, 단일의 급전부에서 고주파 회로부와 자유 공간의 양호한 임피던스 정합이 복수의 주파수에 대하여 실현되므로, 복수의 주파수의 반송파를 이용하여 복수의 정보 전송 서비스를 제공하는 정보 시스템의 멀티미디어 무선 단말기에 적합한 멀티모드 안테나를 실현할 수 있다. 또한, 복수의 반송파를 이용하는 고주파 회로를 단일의 고주파 모듈로 집적 가능하게 되기 때문에, 멀티미디어 무선 단말기의 제조 비용 저감 및 동 단말기의 감도 향상의 효과가 얻어진다.

이상과 같이, 본 발명은, 복수의 주파수의 반송파를 이용하여 복수의 정보 전송 서비스를 제공하는 정보 시스템의 멀티미디어 무선 단말기, 예를 들면, 멀티모드의 휴대 전화나 PHS(Personal Handy Phone) 등의 휴대 무선 단말기, 무선 LAN 단말기, 혹은 이들을 복합한 단말기 등에 적용하기에 적합하다.

Claims (20)

1. 복수의 주파수의 전자파를 방사하는 방사 도체와, 그 방사 도체의 일단에 접속한 제1 1포트 공진 회로와, 그 방사 도체의 타단에 접속한 제2 1포트 공진 회로와, 그 제1 1포트 공진 회로에 접속한 상기 복수의 주파수에서 공통인 단일의 급전점을 갖고,

   상기 제1 및 제2 1포트 공진 회로가 용량 성분과 인덕턴스 성분을 포함하여 이루어지고,

   상기 제1 및 제2 1포트 공진 회로를 접속하는 것에 의해 획득되는 상기 급전점에서의 어드미턴스가, 상기 급전점에서 임피던스 정합이 되도록 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 멀티모드 안테나.
2. 제1항에 있어서,

   상기 제1 1포트 공진 회로가 상기 방사 도체의 일단과 접지 전위점 사이에 접속되며, 상기 제2 1포트 공진 회로가 상기 방사 도체의 타단과 접지 전위점 사이에 접속되고, 상기 급전점이 그 제1 1포트 공진 회로와 그 방사 도체의 일단과의 접속점인 것을 특징으로 하는 멀티모드 안테나.
3. 제1항에 있어서,

   상기 제1 1포트 공진 회로가 상기 방사 도체의 일단과 상기 급전점 사이에 접속되며, 상기 제2 1포트 공진 회로가 상기 방사 도체의 타단과 접지 전위점 사이에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 멀티모드 안테나.
4. 제1항에 있어서,

   상기 방사 도체의 일단과 접지 전위점 사이에 접속한 제3 1포트 공진 회로를 더 갖고, 상기 제1 1포트 공진 회로가 상기 방사 도체의 일단과 상기 급전점 사이에 접속되며, 상기 제2 1포트 공진 회로가 상기 방사 도체의 타단과 접지 전위점 사이에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 멀티모드 안테나.
5. 제1항에 있어서,

   상기 복수의 주파수에서, 상기 방사 도체의 상기 일단으로부터 그 방사 도체측을 보았을 경우의 어드미턴스 또는 임피던스의 허부(虛部)의 부호가 주파수가 커짐에 따라 교대로 플러스·마이너스의 부호를 반복하는 것을 특징으로 하는 멀티모드 안테나.
6. 제1항에 있어서,

   상기 방사 도체가 접지 전위를 포함하는 단일의 연속체인 것을 특징으로 하는 멀티모드 안테나.
7. 제1항에 있어서,

   상기 방사 도체가 공간적으로 분할되며, 분할된 부분의 각각이 1포트 공진 회로에 의해 전기적으로 결합되어 있는 것을 특징으로 하는 멀티모드 안테나.
8. 제1항에 있어서,

   상기 방사 도체의 상기 일단에 접속되어 있는 제1 1포트 공진 회로를 등가 회로 표현하였을 때의 극과 영점의 수의 총합이, 상기 복수의 주파수의 수와 동일한 것을 특징으로 하는 멀티모드 안테나.
9. 제4항에 있어서,

   상기 방사 도체의 상기 일단에 접속되어 있는 상기 제1 1포트 공진 회로 및 상기 제3 1포트 공진 회로를 등가 회로 표현하였을 때의 극과 영점의 수의 총합이, 상기 복수의 주파수의 수와 동일한 것을 특징으로 하는 멀티모드 안테나.
10. 복수의 주파수의 전자파를 방사하는 방사 도체와, 그 방사 도체의 일단에 접속한 제1 1포트 공진 회로와, 그 방사 도체의 타단에 접속한 제2 1포트 공진 회로와, 그 제1 1포트 공진 회로에 접속한 상기 복수의 주파수에서 공통인 단일의 급전점을 갖고 있는 멀티모드 안테나로서,

    최상층, 중간층 및 최하층을 포함한, 복수의 기판을 적층하여 이루어지는 다층 구조를 갖고, 상기 방사 도체의 일부가 상기 최상층에 형성되며, 상기 제1 1포트 공진 회로 및 상기 제2 1포트 공진 회로가 상기 중간층에 형성되고, 상기 급전점이 상기 다층 구조의 측면에 형성되며, 접지 전위를 갖는 접지 도체가 상기 최하층에 형성되고,

    상기 제1 및 제2 1포트 공진 회로가 용량 성분과 인덕턴스 성분을 포함하여 이루어지고,

    상기 제1 및 제2 1포트 공진 회로를 접속하는 것에 의해 획득되는 상기 급전점에서의 어드미턴스가, 상기 급전점에서 임피던스 정합이 되도록 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 멀티모드 안테나.
11. 제10항에 있어서,

    상기 최상층과 상기 중간층 사이에 별도의 중간층이 형성되며, 상기 방사 도체와 상기 제1 1포트 공진 회로 및 상기 제2 1포트 공진 회로 사이의 전자 결합을 억제하는 차폐 도체가 상기 별도의 중간층에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 멀티모드 안테나.
12. 제11항에 있어서,

    상기 차폐 도체가 접지 전위와 전기적으로 결합되어 있는 것을 특징으로 하는 멀티모드 안테나.
13. 제10항에 있어서,

    상기 제1 1포트 공진 회로 및 상기 제2 1포트 공진 회로가 스파이럴 형상의 도체에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 멀티모드 안테나.
14. 제10항에 있어서,

    상기 제1 1포트 공진 회로 및 상기 제2 1포트 공진 회로가 미앤더 형상의 도체에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 멀티모드 안테나.
15. 제10항에 있어서,

    상기 복수의 기판이 유전체 및 자성체로 이루어지는 군으로부터 선택한 고주파 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 멀티모드 안테나.
16. 제15항에 있어서,

    상기 복수의 절연 기판이 유전체로 이루어지는 경우, 그 복수의 기판의 각각의 유전율이 서로 다르며, 보다 상층의 기판의 유전율이 보다 하층의 기판의 유전율보다 낮은 것을 특징으로 하는 멀티모드 안테나.
17. 제15항에 있어서,

    상기 복수의 절연 기판이 자성체로 이루어지는 경우, 그 복수의 기판의 각각의 투자율이 서로 다르며, 보다 상층의 기판의 투자율이 보다 하층의 기판의 투자율보다 낮은 것을 특징으로 하는 멀티모드 안테나.
18. 복수의 주파수의 전자파를 방사하는 방사 도체와, 그 방사 도체의 일단에 접속한 제1 1포트 공진 회로와, 그 방사 도체의 타단에 접속한 제2 1포트 공진 회로와, 그 제1 1포트 공진 회로에 접속한 상기 복수의 주파수에서 공통인 단일의 급전점을 갖고 있는 멀티모드 안테나의 제조 방법으로서,

    상부 기판의 상면의 최상층에 상기 방사 도체의 일부를 막 형성 프로세스에 의해 형성하는 공정과, 그 상부 기판의 하면의 중간층에 상기 제1 1포트 공진 회로 및 상기 제2 1포트 공진 회로를 막 형성 프로세스에 의해 형성하는 공정과, 하부 기판의 하면의 최하층에 접지 전위를 갖는 접지 도체를 막 형성 프로세스에 의해 형성하는 공정과, 그 하부 기판의 측면에 상기 급전점을 포함하는 도체를 막 형성 프로세스에 의해 형성하는 공정과, 그 상부 기판의 하면과 그 하부 기판의 상면을 접착하여 다층 구조를 형성하는 공정을 갖고,

    상기 제1 및 제2 1포트 공진 회로가 용량 성분과 인덕턴스 성분을 포함하여 이루어지고,

    상기 제1 및 제2 1포트 공진 회로를 접속하는 것에 의해 획득되는 상기 급전점에서의 어드미턴스가, 상기 급전점에서 임피던스 정합이 되도록 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 멀티모드 안테나의 제조 방법.
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