KR100772610B1 - Apparatus and method for coating a protect matter - Google Patents

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Abstract

실리콘을 도포하는데 걸리는 시간을 단축하며, 전체 장치의 점유면적(footprint)을 줄일 수 있는 도포장치 및 도포방법을 개시하고 있다. 도포장치는 상기 박막 트랜지스터 기판이 안착되는 기판 스테이지, 상기 박막 트랜지스터 기판의 제1 변에 상응하는 길이를 가지며 실리콘이 토출되는 제1 토출구가 형성되는 제1 도포노즐, 상기 박막 트랜지스터 기판의 제2 변에 상응하는 길이를 가지며 실리콘이 토출되는 제2 토출구가 형성되는 제2 도포노즐을 포함하며, 상기 제1 및 제2 토출구는 슬릿 형상인 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 도포장치는 상기 박막 트랜지스터 기판의 제3 변에 상응하는 길이를 가지며 실리콘이 토출되는 슬릿 형상의 제3 토출구가 형성되는 제3 도포노즐을 더 포함할 수 있다.Disclosed are a coating apparatus and a coating method which can shorten the time taken to apply silicone and reduce the footprint of the entire apparatus. The coating apparatus includes a substrate stage on which the thin film transistor substrate is seated, a first coating nozzle having a length corresponding to a first side of the thin film transistor substrate, and a first discharge port through which silicon is discharged, and a second side of the thin film transistor substrate. And a second coating nozzle having a length corresponding to and having a second discharge hole through which silicon is discharged, wherein the first and second discharge holes have a slit shape. The coating device may further include a third coating nozzle having a length corresponding to the third side of the thin film transistor substrate and having a slit-shaped third discharge port through which silicon is discharged.

도포노즐, 버퍼영역, 토출구, 격벽 Coating nozzle, buffer area, discharge port, partition wall

Description

보호물질 도포장치 및 도포방법{APPARATUS AND METHOD FOR COATING A PROTECT MATTER}Protective material applying device and coating method {APPARATUS AND METHOD FOR COATING A PROTECT MATTER}

도 1은 박막 트랜지스터 기판과 인쇄회로기판을 연결부재를 통하여 전기적으로 연결하는 모습을 나타내는 사시도이다.1 is a perspective view illustrating a state in which a thin film transistor substrate and a printed circuit board are electrically connected through a connection member.

도 2는 본 발명에 따른 실리콘 도포장치를 나타내는 사시도이다.2 is a perspective view showing a silicon coating device according to the present invention.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 도포부를 나타내는 사시도이다.3 is a perspective view showing an applicator according to an embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 도포노즐을 나타내는 사시도이다.4 is a perspective view showing a first coating nozzle according to an embodiment of the present invention.

도 5a 내지 도 5c는 본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘의 도포단계를 나타내는 사시도이다.5A to 5C are perspective views illustrating an application step of silicon according to an embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘의 도포방법을 나타내는 흐름도이다.6 is a flowchart illustrating a method of applying silicon according to an embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 제1 도포노즐을 나타내는 사시도이다.7 is a perspective view showing a first coating nozzle according to another embodiment of the present invention.

도 8은 도 7의 정면도이다.8 is a front view of FIG. 7.

도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 제2 도포노즐을 나타내는 사시도이다.9 is a perspective view illustrating a second coating nozzle according to another embodiment of the present invention.

도 10a 내지 도 10d는 본 발명의 다른 실시예에 따른 실리콘의 도포단계를 나타내는 평면도이다.10A to 10D are plan views illustrating a step of applying silicon according to another exemplary embodiment of the present invention.

도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 실리콘의 도포방법을 나타내는 흐름 도이다.11 is a flow chart showing a method of applying silicon according to another embodiment of the present invention.

도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따른 도포부를 나타내는 사시도이다.12 is a perspective view illustrating an applicator according to another exemplary embodiment of the present invention.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>

100 : 로딩부 200 : 도포부100: loading part 200: coating part

220 : 스테이지 240 ; 도포노즐220: stage 240; Spray Nozzle

242 : 버퍼영역 244 : 토출영역242: buffer area 244: discharge area

246 : 토출구 260 : 공급유닛246: discharge port 260: supply unit

280 : 구동유닛 300 : 언로딩부280: drive unit 300: unloading unit

500 : 도포 제어부 600 : 이송 제어부500: coating control unit 600: transfer control unit

1000 : 도포장치1000: coating device

본 발명은 실리콘을 도포하는 장치 및 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 박막 트랜지스터 기판과 연결부재와의 연결부위 상에 실리콘을 도포하는 도포 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and method for applying silicon, and more particularly, to an application apparatus and method for applying silicon on the connection portion between the thin film transistor substrate and the connection member.

도 1은 박막 트랜지스터 기판(10b)과 인쇄회로기판(26, 36)을 연결부재(2, 32)를 통하여 전기적으로 연결하는 모습을 나타내는 사시도이다.1 is a perspective view illustrating a state in which the thin film transistor substrate 10b and the printed circuit boards 26 and 36 are electrically connected through the connecting members 2 and 32.

액정표시패널(10)은 복수개의 컬러필터들이 구비된 컬러필터 기판(10a), 컬러필터 기판(10a)과 대향하는 박막 트랜지스터 기판(10b), 양자 사이에 봉입된 액 정(도시안됨)으로 이루어진다.The liquid crystal display panel 10 includes a color filter substrate 10a having a plurality of color filters, a thin film transistor substrate 10b facing the color filter substrate 10a, and a liquid crystal (not shown) enclosed therebetween. .

박막 트랜지스터 기판(10b)에는 복수개의 게이트 라인들 및 복수개의 데이터 라인들이 매트릭스 형태로 형성되어 있으며 그 교점에 박막 트랜지스터가 형성된다. 박막 트랜지스터 기판(10b)의 제1 변(12)에는 데이터용 연결부재(22)의 일측이 전기적으로 연결되며, 박막 트랜지스터 기판(10b)의 제2 변(14)에는 게이트용 연결부재(32)의 일측이 전기적으로 연결된다. 데이터용 연결부재(22) 및 게이트용 연결부재(32)는 연성회로기판의 일종이며, 각각에는 데이터용 구동 집적회로(24) 및 게이트용 구동 집적회로(34)가 실장된다.In the thin film transistor substrate 10b, a plurality of gate lines and a plurality of data lines are formed in a matrix form, and thin film transistors are formed at intersections thereof. One side of the data connecting member 22 is electrically connected to the first side 12 of the thin film transistor substrate 10b, and the gate connecting member 32 is connected to the second side 14 of the thin film transistor substrate 10b. One side of is electrically connected. The data connecting member 22 and the gate connecting member 32 are a type of flexible circuit board, and each of the data driving integrated circuit 24 and the gate driving integrated circuit 34 is mounted.

데이터용 연결부재(22)의 타측에는 데이터용 인쇄회로기판(26)이 전기적으로 연결되며, 게이트용 연결부재(32)의 타측에는 게이트용 인쇄회로기판(36)이 전기적으로 연결된다. 데이터용 인쇄회로기판(26) 및 게이트용 인쇄회로기판(36)은 액정의 배열각 및 액정이 배열되는 시기를 제어하기 위하여 박막 트랜지스터의 게이트 라인과 데이터 라인에 구동 신호 및 타이밍 신호를 인가하는 역할을 한다.The data printed circuit board 26 is electrically connected to the other side of the data connection member 22, and the gate printed circuit board 36 is electrically connected to the other side of the gate connection member 32. The data printed circuit board 26 and the gate printed circuit board 36 apply driving signals and timing signals to the gate lines and the data lines of the thin film transistors in order to control the arrangement angles of the liquid crystals and when the liquid crystals are arranged. Do it.

박막 트랜지스터 기판(10b)의 제1 변(12)과 데이터용 연결부재(22)와의 연결부위 상에는 보호막을 제공하기 위해 실리콘(40)이 도포된다. 보호막은 습기에 의한 부식이나 충격에 의하여 연결부위가 단선되는 것을 방지하기 위한 것이다. 박막 트랜지스터 기판(10b)의 제2 변(14)과 게이트용 연결부재(32)와의 연결부위 상에도 보호막을 제공하기 위해 실리콘(40)이 도포된다.Silicon 40 is coated on the connection portion between the first side 12 of the thin film transistor substrate 10b and the data connection member 22. The protective film is for preventing the connection part from being disconnected by corrosion or impact caused by moisture. Silicon 40 is also coated on the connection portion between the second side 14 of the thin film transistor substrate 10b and the gate connection member 32.

일반적으로 사용되는 장치에서는 도포노즐을 제1 변(12)의 일측으로부터 타측에 이르기까지 이동하면서 실리콘(40)을 도포하였으며, 제1 스테이지(도시안됨) 상에서 제1 변(12)에 대하여 실리콘(40)의 도포가 완료되면 박막 트랜지스터 기판(10b)을 제2 스테이지(도시안됨)로 이송한 후 제2 변(14)에 대하여 실리콘(40)을 도포하였다. 따라서, 실리콘을 도포하는데 많은 시간(tact time)이 소요되었으며, 제1 및 제2 스테이지가 각각 설치되어야 하므로 전체 장치의 크기(footprint)가 증가할 수 밖에 없었다.In a commonly used apparatus, the coating nozzle was applied to the silicon 40 while moving from one side of the first side 12 to the other side, and the silicon (not shown) was applied to the first side 12 on the first stage (not shown). When the application of 40 is completed, the thin film transistor substrate 10b is transferred to the second stage (not shown), and then silicon 40 is applied to the second side 14. Therefore, it took a lot of time (tact time) to apply the silicon, and since the first and second stages must be installed respectively, the footprint of the entire apparatus was inevitably increased.

본 발명의 목적은 박막 트랜지스터 기판 상에 실리콘을 도포하는데 소요되는 시간(tact time)을 줄일 수 있는 실리콘 도포장치 및 도포방법을 제공하는 데 있다.An object of the present invention is to provide a silicon coating apparatus and a coating method that can reduce the time (tact time) required to apply silicon on a thin film transistor substrate.

본 발명의 다른 목적은 전체 장치가 차지하는 면적(footprint)을 줄일 수 있는 실리콘 도포장치 및 도포방법을 제공하는 데 있다.Another object of the present invention is to provide a silicon coating apparatus and a coating method which can reduce the footprint of the entire apparatus.

본 발명의 또 다른 목적은 다양한 크기의 기판에 대하여 실리콘을 도포할 수 있는 도포장치 및 도포방법을 제공하는 데 있다.It is still another object of the present invention to provide a coating apparatus and a coating method capable of applying silicon to substrates of various sizes.

본 발명의 일 실시예에 의하면 실리콘을 도포하는 장치는 상기 박막 트랜지스터 기판이 안착되는 기판 스테이지, 상기 실리콘을 도포하고자 하는 상기 박막 트랜지스터 기판의 제1 변에 상응하는 길이를 가지며 상기 실리콘이 토출되는 제1 토출구가 형성되는 제1 도포노즐, 상기 제1 도포노즐에 상기 실리콘을 공급하는 제1 공급유닛을 포함한다.According to an embodiment of the present invention, a device for applying silicon may include a substrate stage on which the thin film transistor substrate is seated, a length corresponding to a first side of the thin film transistor substrate to which the silicon is to be applied, and the silicon discharged material. And a first supply unit supplying the silicon to the first application nozzle.

상기 제1 도포노즐의 내부에는 상기 제1 공급유닛으로부터 제공된 상기 실리 콘이 일시적으로 머무르는 제1 버퍼영역, 일측은 상기 제1 버퍼영역에 연결되며 타측은 상기 제1 토출구와 연결되는 제1 토출영역이 형성될 수 있다.A first buffer region in which the silicon provided from the first supply unit temporarily stays inside the first coating nozzle, one side of which is connected to the first buffer region and the other side of which is connected to the first discharge port. This can be formed.

상기 제1 토출구는 상기 일변과 나란한 슬릿 형상일 수 있다.The first discharge port may have a slit shape parallel to the one side.

상기 장치는 상기 제1 도포노즐의 내부에 설치되어 상기 실리콘이 토출되는 범위를 조절하는 제1 조절부재를 더 포함할 수 있다.The apparatus may further include a first adjusting member installed inside the first coating nozzle to adjust a range in which the silicon is discharged.

상기 제1 조절부재는 상기 제1 도포노즐의 내부에 형성된 제1 버퍼영역을 구획하는 제1 격벽을 포함할 수 있다.The first adjusting member may include a first partition wall that partitions a first buffer area formed in the first coating nozzle.

상기 제1 조절부재는 상기 제1 격벽을 상기 제1 버퍼영역을 따라 이동시키는 제1 이동유닛을 더 포함할 수 있다.The first adjusting member may further include a first moving unit to move the first partition wall along the first buffer area.

상기 장치는 상기 실리콘을 도포하고자 하는 상기 박막 트랜지스터 기판의 제2 변에 상응하는 길이를 가지며 상기 실리콘이 토출되는 슬릿 형상의 제2 토출구가 형성되는 제2 도포노즐, 상기 제2 도포노즐에 상기 실리콘을 공급하는 제2 공급유닛을 더 포함할 수 있다.The apparatus may include a second coating nozzle having a length corresponding to a second side of the thin film transistor substrate to which the silicon is to be coated, and having a slit-shaped second discharge port through which the silicon is discharged, and the silicon in the second coating nozzle. It may further include a second supply unit for supplying.

본 발명의 다른 실시예에 의하면, 실리콘을 도포하는 장치는 상기 박막 트랜지스터 기판이 로딩되는 로딩부, 로딩된 상기 박막 트랜지스터 기판의 제1 변 및 제2 변에 보호막을 도포하는 도포부, 도포된 상기 박막 트랜지스터 기판이 언로딩되는 언로딩부, 상기 박막 트랜지스터 기판을 상기 로딩부, 상기 도포부, 상기 언로딩부로 이송하는 이송부를 포함하되, 상기 도포부는 상기 박막 트랜지스터 기판이 안착되는 기판 스테이지, 상기 실리콘을 도포하고자 하는 상기 박막 트랜지스터 기판의 제1 변에 상응하는 길이를 가지며 상기 실리콘이 토출되는 제1 토출구가 형 성되는 제1 도포노즐, 상기 실리콘을 도포하고자 하는 상기 박막 트랜지스터 기판의 제2 변에 상응하는 길이를 가지며, 상기 실리콘이 토출되는 제2 토출구가 형성되는 제2 도포노즐, 상기 제1 및 제2 도포노즐에 상기 실리콘을 공급하는 공급유닛을 포함한다.According to another embodiment of the present invention, the apparatus for applying silicon may include a loading unit in which the thin film transistor substrate is loaded, an application unit applying a protective film to the first and second sides of the loaded thin film transistor substrate, and the coated An unloading part to unload the thin film transistor substrate, and a transfer part to transfer the thin film transistor substrate to the loading part, the applicator, and the unloading part, wherein the applicator is a substrate stage on which the thin film transistor substrate is seated, the silicon A first coating nozzle having a length corresponding to a first side of the thin film transistor substrate to which the thin film transistor is to be coated, and having a first discharge port through which the silicon is discharged, and a second side of the thin film transistor substrate to which the silicon is to be coated. A second coating nozzle having a corresponding length and having a second discharge port through which the silicon is discharged; And a supply unit for supplying the silicon to the first and second coating nozzles.

상기 이송부는 상기 로딩부와 상기 도포부 사이에서 상기 박막 트랜지스터 기판을 이송하는 제1 이송부, 상기 도포부와 상기 언로딩부 사이에서 상기 박막 트랜지스터 기판을 이송하는 제2 이송부를 포함할 수 있다.The transfer part may include a first transfer part to transfer the thin film transistor substrate between the loading part and the applicator, and a second transfer part to transfer the thin film transistor substrate between the applicator and the unloading part.

상기 장치는 상기 박막 트랜지스터 기판을 상기 로딩부, 상기 기판 스테이지, 상기 언로딩부로 순차적으로 이송하도록 상기 이송부를 제어하는 제어부를 더 포함할 수 있다.The apparatus may further include a controller configured to control the transfer unit to sequentially transfer the thin film transistor substrate to the loading unit, the substrate stage, and the unloading unit.

상기 장치는 상기 보호물질을 도포하고자 하는 상기 박막 트랜지스터 기판의 제3 변에 상응하는 길이를 가지며 상기 보호물질이 토출되는 슬릿 형상의 제3 토출구가 형성되는 제3 도포노즐, 상기 제3 도포노즐에 상기 보호물질을 공급하는 제3 공급유닛을 더 포함할 수 있다.The apparatus has a length corresponding to a third side of the thin film transistor substrate to which the protective material is to be applied, and a third coating nozzle having a slit-shaped third discharge port through which the protective material is discharged, and the third coating nozzle. It may further include a third supply unit for supplying the protective material.

본 발명에 의하면, 실리콘을 도포하는 방법은 상기 박막 트랜지스터 기판의 제1 변에 상응하는 길이를 가지는 슬릿 형상의 토출구가 형성된 제1 도포노즐을 상기 박막 트랜지스터 기판의 상부로 이동시키는 단계, 상기 제1 도포노즐을 이용하여 상기 제1 변의 연결부위에 실리콘을 동시에 도포하는 단계를 포함한다.According to the present invention, a method of applying silicon may include moving a first coating nozzle having a slit-shaped discharge port having a length corresponding to a first side of the thin film transistor substrate to an upper portion of the thin film transistor substrate. And simultaneously applying silicon to the connection portion of the first side by using a coating nozzle.

상기 방법은 상기 박막 트랜지스터 기판의 제2 변에 상응하는 길이를 가지는 슬릿 형상의 토출구가 형성된 제2 도포노즐을 상기 박막 트랜지스터 기판의 상부로 이동시키는 단계, 상기 제2 도포노즐을 이용하여 상기 제2 변의 연결부위에 실리콘을 동시에 도포하는 단계를 더 포함할 수 있다.The method may include moving a second coating nozzle having a slit-shaped discharge hole having a length corresponding to a second side of the thin film transistor substrate to an upper portion of the thin film transistor substrate, and using the second coating nozzle. It may further comprise the step of simultaneously applying the silicon to the connection portion of the side.

상기 방법은 상기 박막 트랜지스터 기판의 제3 변에 상응하는 길이를 가지는 슬릿 형상의 토출구가 형성된 제3 도포노즐을 상기 박막 트랜지스터 기판의 상부로 이동시키는 단계, 상기 제3 도포노즐을 이용하여 상기 제3 변의 연결부위에 보호물질을 동시에 도포하는 단계를 더 포함할 수 있다.The method may include moving a third coating nozzle having a slit-shaped discharge port having a length corresponding to a third side of the thin film transistor substrate to an upper portion of the thin film transistor substrate, and using the third coating nozzle. It may further comprise the step of simultaneously applying a protective material to the connection portion of the side.

상기 방법은 실리콘을 도포하고자 하는 영역의 크기에 따라 상기 제1 도포노즐로부터 실리콘이 토출되는 범위를 조절하는 단계를 더 포함할 수 있다.The method may further include adjusting a range in which silicon is discharged from the first coating nozzle according to the size of the region to be coated with silicon.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도 2 내지 도 11을 참조하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 설명하는 실시예에 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 상세하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에 나타난 각 요소의 형상은 보다 분명한 설명을 강조하기 위하여 과장될 수 있다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to FIGS. 2 to 11. Embodiment of the present invention may be modified in various forms, the scope of the present invention should not be construed as limited to the embodiments described below. This embodiment is provided to explain in detail the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the shape of each element shown in the drawings may be exaggerated to emphasize a more clear description.

또한, 이하에서 박막 트랜지스터 기판과 연결부재와의 연결부위를 보호하기 위한 보호물질로 실리콘이 사용되는 것으로 설명하고 있으나, 이와 동일한 역할을 수행할 수 있는 대체 물질이 사용될 수 있다.Further, hereinafter, although silicon is used as a protective material for protecting the connection portion between the thin film transistor substrate and the connection member, an alternative material capable of performing the same role may be used.

또한, 이하에서는 박막 트랜지스터 기판의 제1 내지 제3 변에 실리콘이 도포되는 것으로 설명하고 있으나, 이와 달리 제1 변 내지 제3 변 중 어느 하나에만 실리콘이 도포될 수 있으며, 박막 트랜지스터 기판의 제1 내지 제3 변 중 어느 하나 와 인접하는 다른 변에도 실리콘이 도포될 수 있다.In addition, hereinafter, it is described that silicon is coated on the first to third sides of the thin film transistor substrate. Alternatively, silicon may be applied to only one of the first to third sides of the thin film transistor substrate. Silicon may be applied to the other side adjacent to any one of the third to third sides.

도 2는 본 발명에 따른 실리콘 도포장치(1000)를 나타내는 사시도이다.2 is a perspective view showing a silicon coating apparatus 1000 according to the present invention.

실리콘 도포장치(1000)는 박막 트랜지스터 기판(10b)이 로딩되는 로딩부(100), 박막 트랜지스터 기판(10b)의 제1 및 제2 변(12, 14)에 각각 실리콘(40)을 도포하는 도포부(200), 박막 트랜지스터 기판(10b)이 언로딩되는 언로딩부(300), 박막 트랜지스터 기판(10b)을 이송하는 이송부(400), 도포부(200)를 제어하는 도포 제어부(500), 그리고 이송부(400)를 제어하는 이송 제어부(600)를 포함한다.The silicon applicator 1000 is a coating unit for applying the silicon 40 to the loading unit 100 on which the thin film transistor substrate 10b is loaded and the first and second sides 12 and 14 of the thin film transistor substrate 10b, respectively. The unit 200, the unloading unit 300 to which the thin film transistor substrate 10b is unloaded, the transfer unit 400 to transfer the thin film transistor substrate 10b, the coating control unit 500 to control the coating unit 200, And a transfer control unit 600 for controlling the transfer unit 400.

데이터용 연결부재(22)가 연결되는 제1 변(12)과 게이트용 연결부재(32)가 연결되는 제2 변(14)을 구비하는 박막 트랜지스터 기판(10b)은 외부의 이송장치(도시안됨)에 의하여 로딩부(100)에 로딩되며, 실리콘(40)이 도포된 박막 트랜지스터 기판(10b)은 외부의 이송장치(도시안됨)에 의하여 언로딩부(300)로부터 언로딩된다.The thin film transistor substrate 10b having a first side 12 to which the data connecting member 22 is connected and a second side 14 to which the gate connecting member 32 is connected is an external transfer device (not shown). The thin film transistor substrate 10b, which is loaded on the loading unit 100 and coated with silicon 40, is unloaded from the unloading unit 300 by an external transfer device (not shown).

도포부(200)는 박막 트랜지스터 기판(10b)의 제1 및 제2 변(12, 14)에 각각 실리콘(40)을 도포하는 역할을 한다. 상술한 바와 같이, 실리콘(40)은 습기에 의한 부식이나 충격에 의하여 연결부위가 단선되는 것을 방지하기 위한 것이다. 도포부(200)에 대해서는 후술하기로 한다.The coating part 200 serves to apply the silicon 40 to the first and second sides 12 and 14 of the thin film transistor substrate 10b, respectively. As described above, the silicon 40 is for preventing the connection portion from being disconnected due to corrosion or impact caused by moisture. The applicator 200 will be described later.

이송부(400)는 로딩부(100)와 도포부(200) 사이에서 박막 트랜지스터 기판(10b)을 이송하는 제1 이송부(420), 로딩부(100)에 로딩된 박막 트랜지스터 기판(10b)을 제1 이송부(420)에 전달하는 제1 이송로봇(440), 도포부(200)와 언로딩 부(300) 사이에서 박막 트랜지스터 기판(10b)을 이송하는 제2 이송부(460), 그리고 제2 이송부(460)의 박막 트랜지스터 기판(10b)을 언로딩부(300)로 전달하는 제2 이송로봇(480)을 포함한다. 이외에 제1 및 제2 이송부(420, 460)가 결합되며, 제1 및 제2 이송부(420, 460)의 이동 방향을 안내하는 반송레일(410)을 더 포함한다. 다만, 이와 달리 제1 이송부(420)와 제2 이송부(460)가 각각 결합되며 제1 이송부(420)와 제2 이송부(420, 460)의 이동 방향을 각각 안내하는 복수의 반송레일(410)을 포함할 수 있다.The transfer part 400 removes the first transfer part 420 transferring the thin film transistor substrate 10b between the loading part 100 and the coating part 200, and the thin film transistor substrate 10b loaded on the loading part 100. The first transfer robot 440 transferred to the first transfer unit 420, the second transfer unit 460 transferring the thin film transistor substrate 10b between the applicator 200 and the unloading unit 300, and the second transfer unit And a second transfer robot 480 that transfers the thin film transistor substrate 10b of 460 to the unloading unit 300. In addition, the first and second transfer parts 420 and 460 are coupled to each other, and further include a transport rail 410 for guiding the moving direction of the first and second transfer parts 420 and 460. However, unlike the plurality of conveying rails 410, the first conveying part 420 and the second conveying part 460 are coupled to each other and guide the moving directions of the first conveying part 420 and the second conveying parts 420 and 460, respectively. It may include.

제1 이송부(420)는 박막 트랜지스터 기판(10b)을 지지하는 제1 지지척(422)과 제1 지지척(422)을 반송하는 제1 반송부(424)를 포함한다. 제1 지지척(422)에는 진공을 이용하여 박막 트랜지스터 기판(10b)을 흡착하는 진공척이 사용될 수 있으며, 이외에도 클램프 방식의 기계식 척이 사용될 수 있다.The first transfer part 420 includes a first support chuck 422 for supporting the thin film transistor substrate 10b and a first carrier 424 for transferring the first support chuck 422. A vacuum chuck that adsorbs the thin film transistor substrate 10b using a vacuum may be used for the first support chuck 422, and a mechanical chuck of a clamp method may be used.

제1 이송부(420)는 직선형전동기(linear motor)를 사용하여 기판을 이송할 수 있다. 직선형전동기(linear motor)는 1차코일을 고정시키고 2차코일을 회전시키는 일반전동기와 구조적으로 다르지만, 직선형전동기는 회전형전동기의 회전자측과 고정자측을 각각 반지름 방향으로 잘라서 평판(平板) 모양으로 전개한 것이라고 생각하면, 그것은 반지름이 무한대인 회전형전동기의 원주방향의 일부분을 잘라 낸 것이라고 생각할 수 있다. 직선형전동기 방식은 1차코일을 고정시키고 2차코일을 회전시키는 일반전동기 방식에 비하여 정확한 위치제어가 가능하므로 일반적인 이송장비에 많이 사용된다.The first transfer unit 420 may transfer the substrate using a linear motor. The linear motor is structurally different from the general motor that fixes the primary coil and rotates the secondary coil. However, the linear motor cuts the rotor side and stator side of the rotary motor in radial directions to form a flat plate. If it is considered to be developed in the form of, it is conceivable that it cuts out a part of the circumferential direction of the rotary motor whose radius is infinite. The linear motor type is widely used in general conveying equipment because it enables precise position control compared to the general motor type in which the primary coil is fixed and the secondary coil is rotated.

제1 이송부(420)에 직선형전동기를 사용하면, 반송레일(410)은 고정자의 역 할을 하며, 제1 반송부(424)는 회전자의 역할을 하게 된다. 따라서, 제1 반송부(424)는 반송레일(410)을 따라 이동한다.When the linear motor is used for the first conveying part 420, the conveying rail 410 serves as a stator, and the first conveying part 424 serves as a rotor. Thus, the first conveying unit 424 moves along the conveying rail 410.

제2 이송부(460)도 제1 이송부(420)와 마찬가지로 박막 트랜지스터 기판(10b)을 지지하는 제2 지지척(462)과 제2 지지척(462)을 반송하는 제2 반송부(464)를 포함하며, 직선형전동기 방식이 사용된다. 제1 이송부(420)와 마찬가지로 제2 이송부(460)는 회전자의 역할을 하며, 반송레일(410)이 고정자의 역할을 하게 된다. 따라서, 제2 반송부(464)는 반송레일(410)을 따라 이동한다. 그러나, 본 실시예와 달리 제2 이송부(460)는 별도의 반송레일을 구비할 수 있다.Similar to the first transfer unit 420, the second transfer unit 460 also includes a second support chuck 462 for supporting the thin film transistor substrate 10b and a second transfer unit 464 for transferring the second support chuck 462. Including a straight type motor. Like the first transfer unit 420, the second transfer unit 460 serves as a rotor, and the transfer rail 410 serves as a stator. Therefore, the second conveyance part 464 moves along the conveyance rail 410. However, unlike the present embodiment, the second transfer unit 460 may be provided with a separate transport rail.

제1 이송로봇(440)은 박막 트랜지스터 기판(10b)을 진공으로 흡착하는 제1 진공척(442), 제1 진공척(442)을 고정하는 제1 이송암(444), 제1 이송암(444)의 이동 방향을 안내하는 제1 이송레일(446)을 포함한다. 제1 이송로봇(440)도 제1 이송부(420)와 마찬가지로 직선형전동기를 사용할 수 있으며, 제1 이송암(444)은 제1 이송레일(446)을 따라 이동한다. The first transfer robot 440 may include a first vacuum chuck 442 that sucks the thin film transistor substrate 10b into a vacuum, a first transfer arm 444 that fixes the first vacuum chuck 442, and a first transfer arm ( And a first conveying rail 446 for guiding the moving direction of the 444. Like the first transfer unit 420, the first transfer robot 440 may use a linear motor, and the first transfer arm 444 moves along the first transfer rail 446.

제2 이송로봇(480)도 제2 진공척(482), 제2 이송암(484), 제2 이송레일(486)을 포함하며, 제2 이송암(484)은 제2 이송레일(486)을 따라 이동한다.The second transfer robot 480 also includes a second vacuum chuck 482, a second transfer arm 484, and a second transfer rail 486, and the second transfer arm 484 includes the second transfer rail 486. Move along.

이송 제어부(600)는 상술한 제1 및 제2 이송부(420, 460)와 제1 및 제2 이송로봇(440, 480)를 후술하는 바와 같이 제어한다.The transfer control unit 600 controls the first and second transfer units 420 and 460 and the first and second transfer robots 440 and 480 as described below.

로딩부(100)에 로딩된 박막 트랜지스터 기판(10b)은 제1 이송로봇(440)의 제1 진공척(442)에 흡착되며, 제1 진공척(442)은 박막 트랜지스터 기판(10b)을 파지한 상태로 제1 이송레일(446)을 따라 제1 이송부(420)를 향하여 이동한다.The thin film transistor substrate 10b loaded on the loading unit 100 is adsorbed on the first vacuum chuck 442 of the first transfer robot 440, and the first vacuum chuck 442 grips the thin film transistor substrate 10b. In one state, it moves toward the first transfer part 420 along the first transfer rail 446.

제1 이송로봇(440)은 박막 트랜지스터 기판(10b)을 제1 이송부(420)의 제1 지지척(422)에 전달하며, 박막 트랜지스터 기판(10b)이 제1 지지척(422)의 상부에 안착되면 제1 반송부(424)는 반송레일(410)을 따라 도포부(200)로 이동한다.The first transfer robot 440 transfers the thin film transistor substrate 10b to the first support chuck 422 of the first transfer unit 420, and the thin film transistor substrate 10b is disposed on the first support chuck 422. When seated, the first conveying part 424 moves to the applicator 200 along the conveying rail 410.

도포부(200)에서 박막 트랜지스터 기판(10b)에 대한 도포가 완료되면, 제2 반송부(464)는 반송레일(410)을 따라 도포부(200)로 이동한다. 도포가 완료된 박막 트랜지스터 기판(10b)이 제2 지지척(462)에 안착되면 제2 반송부(464)는 반송레일(410)을 따라 언로딩부(300)로 이동한다.When the application of the thin film transistor substrate 10b is completed in the applicator 200, the second conveyer 464 moves along the conveyance rail 410 to the applicator 200. When the coated thin film transistor substrate 10b is seated on the second support chuck 462, the second carrier part 464 moves to the unloading part 300 along the carrier rail 410.

제2 반송부(464)가 언로딩부(300)에 도달하면, 제2 이송로봇(480)의 제2 이송암(484)은 제2 이송레일(486)을 따라 제2 지지척(462)의 상부로 이동하며, 제2 진공척(482)을 이용하여 박막 트랜지스터 기판(10b)을 흡착한다. 제2 진공척(482)은 박막 트랜지스터 기판(10b)을 흡착한 상태로 제2 이송레일(486)을 따라 언로딩부(300)를 향하여 이동하며 언로딩부(300)에 박막 트랜지스터 기판(10b)을 전달한다.When the second conveying part 464 reaches the unloading part 300, the second conveying arm 484 of the second conveying robot 480 is along the second conveying rail 486 with the second supporting chuck 462. The thin film transistor substrate 10b is moved by using the second vacuum chuck 482. The second vacuum chuck 482 moves toward the unloading unit 300 along the second transfer rail 486 while absorbing the thin film transistor substrate 10b and moves to the unloading unit 300. ).

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 도포부(200)를 나타내는 사시도이며, 도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따른 도포부(200)를 나타내는 사시도이다.3 is a perspective view illustrating an applicator 200 according to an embodiment of the present invention, and FIG. 12 is a perspective view illustrating an applicator 200 according to another embodiment of the present invention.

도포부(200)는 박막 트랜지스터 기판(10b)이 안착되는 스테이지(220), 박막 트랜지스터 기판(10b)의 제1 및 제2 변(12, 14)에 실리콘(40)을 도포하는 도포노즐(240), 도포노즐(240)에 대하여 실리콘(40)을 공급하는 공급유닛(260), 도포노즐(240)을 박막 트랜지스터 기판(10b)의 상부로 이동시키는 구동유닛(280)을 포함하며, 도포노즐(240) 및 공급유닛(260)과 구동유닛(280)은 도포 제어부(500)에 의 하여 제어된다.The coating part 200 includes a stage 220 on which the thin film transistor substrate 10b is seated, and a coating nozzle 240 for applying the silicon 40 to the first and second sides 12 and 14 of the thin film transistor substrate 10b. ), A supply unit 260 for supplying the silicon 40 to the coating nozzle 240, and a driving unit 280 for moving the coating nozzle 240 to the upper portion of the thin film transistor substrate 10b. The 240 and the supply unit 260 and the drive unit 280 are controlled by the coating control unit 500.

스테이지(220)는 박막 트랜지스터 기판(10b)의 일측변을 지지하는 제1 스테이지(220a)와 박막 트랜지스터 기판(10b)의 타측변을 지지하는 제2 스테이지(220b)를 포함한다. 제1 스테이지(220a)와 제2 스테이지(220b)는 박막 트랜지스터 기판(10b)의 제1 변(12)과 나란하게 위치한다.The stage 220 includes a first stage 220a supporting one side of the thin film transistor substrate 10b and a second stage 220b supporting the other side of the thin film transistor substrate 10b. The first stage 220a and the second stage 220b are parallel to the first side 12 of the thin film transistor substrate 10b.

제1 스테이지(220a)와 제2 스테이지(220b)는 일정 거리 이격되어 위치한다. 이는 제1 및 제2 지지척(422)이 제1 스테이지(220a)와 제2 스테이지(220b) 사이에 제공된 공간을 통해 스테이지(220)의 상하로 이동할 수 있도록 하기 위함이다.The first stage 220a and the second stage 220b are spaced apart from each other by a predetermined distance. This is to allow the first and second support chucks 422 to move up and down the stage 220 through the space provided between the first stage 220a and the second stage 220b.

제1 이송로봇(440)으로부터 전달받은 박막 트랜지스터 기판(10b)이 제1 지지척(422) 상에 안착되면, 제1 지지척(422)은 박막 트랜지스터 기판(10b)을 스테이지(220)의 높이보다 높게 든 상태에서 스테이지(220)의 상부로 이동한다. 스테이지(220)에 도달한 제1 지지척(422)은 제1 스테이지(220a)와 제2 스테이지(220b)의 사이에 제공된 공간을 통해 스테이지(220)보다 낮은 위치로 하강하며, 제1 지지척(422)에 놓여진 박막 트랜지스터 기판(10b)은 제1 지지척(422)과 함께 하강하며, 스테이지(220)에 안착된다. 박막 트랜지스터 기판(10b)의 일측변은 제1 스테이지(220a)에 의하여 지지되며, 박막 트랜지스터 기판(10b)의 타측변은 제2 스테이지(220b)에 의하여 지지된다. 이후, 제1 지지척(422)은 다시 로딩부(100)를 향하여 후퇴한다.When the thin film transistor substrate 10b received from the first transfer robot 440 is seated on the first support chuck 422, the first support chuck 422 moves the thin film transistor substrate 10b to the height of the stage 220. In a higher state, it moves to the top of the stage 220. The first support chuck 422 reaching the stage 220 descends to a lower position than the stage 220 through the space provided between the first stage 220a and the second stage 220b, and the first support chuck 422. The thin film transistor substrate 10b disposed at 422 descends together with the first support chuck 422 and is seated on the stage 220. One side of the thin film transistor substrate 10b is supported by the first stage 220a, and the other side of the thin film transistor substrate 10b is supported by the second stage 220b. Thereafter, the first support chuck 422 retreats toward the loading unit 100 again.

도포가 완료되면 제2 이송부(460)의 제2 지지척(462)은 스테이지(220)에 안착된 박막 트랜지스터 기판(10b)의 높이보다 낮은 상태로 스테이지(220)의 하부로 이동한다. 제2 지지척(462)은 제1 스테이지(220a)와 제2 스테이지(220b)의 사이로 상승하면서 스테이지(220)에 안착된 박막 트랜지스터 기판(10b)을 스테이지(220)로부터 들어 올린다. 박막 트랜지스터 기판(10b)은 제2 지지척(462)에 안착되며, 제2 지지척(462)은 제2 반송부(464)와 함께 반송레일(410)을 따라 언로딩부(300)를 향하여 이동한다.When the coating is completed, the second support chuck 462 of the second transfer part 460 moves below the stage 220 in a state lower than the height of the thin film transistor substrate 10b seated on the stage 220. The second support chuck 462 lifts between the first stage 220a and the second stage 220b and lifts the thin film transistor substrate 10b mounted on the stage 220 from the stage 220. The thin film transistor substrate 10b is seated on the second support chuck 462, and the second support chuck 462 moves toward the unloading part 300 along the transport rail 410 along with the second transport part 464. Move.

제1 스테이지(220a) 및 제2 스테이지(220b)에는 박막 트랜지스터 기판(10b)을 안정적으로 지지하기 위한 복수의 돌기들이 제공될 수 있다. 이때, 박막 트랜지스터 기판(10b)은 복수의 돌기들의 상부에 안착된다.A plurality of protrusions may be provided in the first stage 220a and the second stage 220b to stably support the thin film transistor substrate 10b. In this case, the thin film transistor substrate 10b is mounted on the plurality of protrusions.

도 3에 도시한 바와 같이, 도포노즐(240)은 제1 도포노즐(240a)과 제2 도포노즐(240b)을 포함한다. 제1 도포노즐(240a)은 스테이지(220)에 안착된 박막 트랜지스터 기판(10b)의 제1 변(12)과 나란하게 배치되며, 제1 변(12)에 대하여 실리콘(40)을 도포한다. 제2 도포노즐(240b)은 스테이지(220)에 안착된 박막 트랜지스터 기판(10b)의 제2 변(14)과 나란하게 배치되며, 제2 변(14)에 대하여 실리콘(40)을 도포한다.As shown in FIG. 3, the coating nozzle 240 includes a first coating nozzle 240a and a second coating nozzle 240b. The first coating nozzle 240a is disposed in parallel with the first side 12 of the thin film transistor substrate 10b seated on the stage 220, and the silicon 40 is coated on the first side 12. The second coating nozzle 240b is disposed in parallel with the second side 14 of the thin film transistor substrate 10b mounted on the stage 220, and the silicon 40 is coated on the second side 14.

도 12에 도시한 바와 같이, 도포노즐(240)은 제3 도포노즐(240c)을 더 포함할 수 있다. 제3 도포노즐(240c)은 스테이지(220)에 안착된 박막 트랜지스터 기판(10b)의 제3 변(16)과 나란하게 배치되며, 제3 변(16)에 대하여 실리콘(40)을 도포한다.As shown in FIG. 12, the coating nozzle 240 may further include a third coating nozzle 240c. The third coating nozzle 240c is disposed in parallel with the third side 16 of the thin film transistor substrate 10b mounted on the stage 220, and the silicon 40 is coated on the third side 16.

도 1에는 박막 트랜지스터 기판(10b)의 제1 및 제2 변(12, 14)에 데이터용 연결부재(22) 및 게이트용 연결부재(32)가 각각 연결되는 것으로 도시하였으나, 최 근 박막 트랜지스터 기판(10b)이 대형화되면서 게이트용 연결부재(32)는 제2 변(14)과 나란한 제3 변(16)에도 연결된다. 따라서, 박막 트랜지스터 기판(10b)의 제3 변(16)에도 실리콘(40)을 도포할 필요가 있으며, 제3 도포노즐(240c)은 제3 변(16)에 대하여 실리콘(40)을 도포하는 역할을 한다.In FIG. 1, although the data connecting member 22 and the gate connecting member 32 are connected to the first and second sides 12 and 14 of the thin film transistor substrate 10b, the recent thin film transistor substrate is shown. As the 10b becomes larger, the gate connecting member 32 is also connected to the third side 16 parallel to the second side 14. Therefore, it is necessary to apply the silicon 40 to the third side 16 of the thin film transistor substrate 10b, and the third coating nozzle 240c applies the silicon 40 to the third side 16. Play a role.

도포노즐(240)의 상세한 구조에 대해서는 후술하기로 한다.The detailed structure of the coating nozzle 240 will be described later.

공급유닛(260)은 제1 도포노즐(240a)에 실리콘(40)을 공급하는 제1 공급유닛(260a)과 제2 도포노즐(240b)에 실리콘(40)을 공급하는 제2 공급유닛(260b)을 포함한다.The supply unit 260 is a second supply unit 260b for supplying the silicon 40 to the first supply unit 260a for supplying the silicon 40 to the first dispensing nozzle 240a and the second dispensing nozzle 240b. ).

제1 공급유닛(260a)은 실리콘(40)이 흐르는 제1 공급라인(262a)과 실리콘(40)을 저장하는 제1 탱크(264a)를 포함한다. 제1 공급라인(262a)의 일단은 제1 도포노즐(240a)의 상단에 연결되며, 제1 공급라인(262a)의 타단은 제1 탱크(264a)에 연결된다. 따라서, 제1 탱크(264a)에 저장된 실리콘(40)은 제1 공급라인(262a)을 따라 제1 도포노즐(240a)로 공급된다.The first supply unit 260a includes a first supply line 262a through which the silicon 40 flows and a first tank 264a for storing the silicon 40. One end of the first supply line 262a is connected to the upper end of the first coating nozzle 240a, and the other end of the first supply line 262a is connected to the first tank 264a. Therefore, the silicon 40 stored in the first tank 264a is supplied to the first coating nozzle 240a along the first supply line 262a.

제1 공급유닛(260a)과 마찬가지로 제2 공급유닛(260b)은 실리콘(40)이 흐르는 제2 공급라인(262b)과 실리콘(40)을 저장하는 제2 탱크(264b)를 포함하며, 제2 탱크(264b)에 저장된 실리콘(40)은 제2 공급라인(262b)을 따라 제2 도포노즐(240b)로 공급된다. 본 실시예에서는 제1 탱크(264a)와 제2 탱크(264b)가 각각 제공되나, 이와 달리 하나의 탱크가 제공될 수 있으며, 하나의 탱크에 저장된 실리콘(40)은 제1 및 제2 공급라인(262a, 262b)을 따라 제1 및 제2 도포노즐(240a, 240b)에 각각 공급될 수 있다.Like the first supply unit 260a, the second supply unit 260b includes a second supply line 262b through which the silicon 40 flows and a second tank 264b for storing the silicon 40. The silicon 40 stored in the tank 264b is supplied to the second coating nozzle 240b along the second supply line 262b. In this embodiment, the first tank 264a and the second tank 264b are provided, respectively, but alternatively, one tank may be provided, and the silicon 40 stored in one tank may be provided in the first and second supply lines. The first and second coating nozzles 240a and 240b may be respectively supplied along 262a and 262b.

도 12에 도시한 바와 같이, 공급유닛(260)은 제3 도포노즐(240c)에 실리콘(40)을 공급하는 제3 공급유닛(260c)을 더 포함할 수 있다. 제3 공급유닛(260c)은 제1 및 제2 공급유닛(260a, 260b)과 동일한 구조와 기능을 가지므로 이에 대한 설명은 생략하기로 한다.As shown in FIG. 12, the supply unit 260 may further include a third supply unit 260c for supplying the silicon 40 to the third coating nozzle 240c. Since the third supply unit 260c has the same structure and function as the first and second supply units 260a and 260b, a description thereof will be omitted.

구동유닛(280)은 제1 도포노즐(240a)을 이송하는 제1 구동유닛(280a), 제2 도포노즐(240b)을 이송하는 제2 구동유닛(280b)을 포함한다.The driving unit 280 includes a first driving unit 280a for transferring the first coating nozzle 240a and a second driving unit 280b for transferring the second coating nozzle 240b.

제1 구동유닛(280a)은 제1 도포노즐(240a)에 체결된 제1 노즐암(282a)과 제1 노즐암(282a)을 안내하는 제1 구동레일(284a)을 포함한다. 제1 구동유닛(280a)은 직선형전동기 방식을 사용하며, 제1 노즐암(282a)은 제1 구동레일(284a)을 따라 이동한다. 제1 구동유닛(280a)은 본 실시예와 같이 제1 도포노즐(240a)의 양측에 각각 제공될 수 있으나, 이와 달리 제1 도포노즐(240a)의 중앙에 하나의 제1 구동유닛(280a)이 제공될 수도 있다.The first drive unit 280a includes a first nozzle arm 282a fastened to the first coating nozzle 240a and a first drive rail 284a for guiding the first nozzle arm 282a. The first driving unit 280a uses a linear motor type, and the first nozzle arm 282a moves along the first driving rail 284a. The first driving unit 280a may be provided at both sides of the first coating nozzle 240a as in the present embodiment, but in contrast, one first driving unit 280a is disposed at the center of the first coating nozzle 240a. This may be provided.

제1 구동유닛(280a)과 마찬가지로 제2 구동유닛(280b)은 제2 도포노즐(240b)에 체결된 제2 노즐암(282b)과 제2 노즐암(282b)을 안내하는 제2 구동레일(284b)을 포함하며, 제2 노즐암(282b)은 제2 구동레일(284b)을 따라 이동한다.Like the first driving unit 280a, the second driving unit 280b includes a second driving rail guiding the second nozzle arm 282b and the second nozzle arm 282b fastened to the second coating nozzle 240b ( 284b, and the second nozzle arm 282b moves along the second driving rail 284b.

도 12에 도시한 바와 같이, 구동유닛(280)은 제3 도포노즐(240c)을 이송하는 제3 공급유닛(280c)을 더 포함할 수 있다.As shown in FIG. 12, the driving unit 280 may further include a third supply unit 280c for transferring the third coating nozzle 240c.

도포 제어부(500)는 도포노즐(240) 및 공급유닛(260)과 구동유닛(280)을 제어한다. 도포 제어부(500)는 실리콘(28, 38)의 토출여부에 따라 도포노즐(240)의 개폐를 결정하며, 공급유닛(260)을 통하여 도포노즐(240)에 실리콘(28, 38)을 공급 할 것인지를 결정한다. 또한, 구동유닛(280)을 제어하여 도포노즐(240)을 원하는 위치로 이송하기도 한다.The coating controller 500 controls the coating nozzle 240, the supply unit 260, and the driving unit 280. The coating control unit 500 determines the opening and closing of the coating nozzle 240 according to whether the silicon 28, 38 is discharged, and supplies the silicone 28, 38 to the coating nozzle 240 through the supply unit 260. Decide if In addition, the driving unit 280 may be controlled to transfer the coating nozzle 240 to a desired position.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 도포노즐(240a)을 나타내는 사시도이다. 제2 및 제3 도포노즐(240b, 240c)은 제1 도포노즐(240a)과 동일한 구조와 기능을 가지므로 이에 대한 설명은 생략하기로 한다.4 is a perspective view illustrating a first coating nozzle 240a according to an embodiment of the present invention. Since the second and third coating nozzles 240b and 240c have the same structure and function as the first coating nozzle 240a, a description thereof will be omitted.

제1 도포노즐(240a)은 박막 트랜지스터 기판(10b)의 제1 변(12)과 나란하게 배치된다. 제1 도포노즐(240a)의 상부는 직육면체 형상을 가지며, 하부는 아래로 갈수록 단면적이 작아지는 형상을 가진다. 제1 도포노즐(240a)의 내부에는 제1 버퍼영역(242a), 제1 토출영역(244a), 제1 토출구(246a)가 형성된다.The first coating nozzle 240a is disposed in parallel with the first side 12 of the thin film transistor substrate 10b. An upper portion of the first coating nozzle 240a has a rectangular parallelepiped shape, and a lower portion thereof has a cross-sectional area that decreases downward. A first buffer area 242a, a first discharge area 244a, and a first discharge port 246a are formed in the first coating nozzle 240a.

제1 버퍼영역(242a)은 제1 도포노즐(240a)의 상부에 형성되며, 제1 버퍼영역(242a)에는 제1 공급라인(262a)이 연결된다. 실리콘(40)은 제1 탱크(264a)로부터 제1 공급라인(262a)을 통하여 제1 버퍼영역(242a)에 제공되며, 제공된 실리콘(40)은 후술하는 제1 토출구(246a)를 통하여 토출되기 전 제1 버퍼영역(242a)에 머무른다.The first buffer region 242a is formed on the first coating nozzle 240a, and the first supply line 262a is connected to the first buffer region 242a. The silicon 40 is provided to the first buffer region 242a from the first tank 264a through the first supply line 262a, and the provided silicon 40 is discharged through the first discharge hole 246a described later. It stays in the first buffer area 242a.

제1 도포노즐(240a)의 하단에는 실리콘(40)이 토출되는 제1 토출구(246a)가 형성된다. 제1 토출구(246a)는 실리콘(40)을 도포하고자 하는 박막 트랜지스터 기판(10b)의 제1 변(12)에 나란한 슬릿 형상을 가진다. 제1 토출구(246a)는 제1 변(12)의 길이에 상응하는 길이를 갖도록 형성된다.A first discharge hole 246a through which the silicon 40 is discharged is formed at a lower end of the first coating nozzle 240a. The first discharge hole 246a has a slit shape parallel to the first side 12 of the thin film transistor substrate 10b to which the silicon 40 is to be coated. The first discharge port 246a is formed to have a length corresponding to the length of the first side 12.

제1 토출영역(244a)은 제1 버퍼영역(242a)과 제1 토출구(246a)의 사이에 형성되며, 제1 버퍼영역(242a)과 제1 토출구(246a)를 연통하는 역할을 한다. 따라서, 제1 버퍼영역(242a)에 머무르는 실리콘(40)은 제1 토출영역(244a)으로 흐르고, 제1 토출구(246a)를 통하여 제1 변(12)을 향해 토출된다.The first discharge area 244a is formed between the first buffer area 242a and the first discharge port 246a and serves to communicate the first buffer area 242a and the first discharge port 246a. Therefore, the silicon 40 staying in the first buffer region 242a flows to the first discharge region 244a and is discharged toward the first side 12 through the first discharge port 246a.

도 5a 내지 도 5c는 본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘의 도포단계를 나타내는 사시도이며, 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘의 도포방법을 나타내는 흐름도이다. 이하, 도 5a 내지 도 6을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘을 도포하는 방법을 살펴보기로 한다.5A to 5C are perspective views illustrating a coating step of silicon according to an embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a flowchart illustrating a coating method of silicon according to an embodiment of the present invention. Hereinafter, a method of applying silicon according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 5A to 6.

먼저, 도 5a에 도시한 바와 같이, 박막 트랜지스터 기판(10b)이 기판 스테이지(220) 상에 안착된다(S10). 로딩부(100)에 로딩된 박막 트랜지스터 기판(10b)은 제1 이송로봇(440) 및 제1 이송부(420)에 의하여 기판 스테이지(220)로 이송된다. 제1 이송로봇(440) 및 제1 이송부(420)는 이송 제어부(600)에 의하여 제어된다. 이송된 박막 트랜지스터 기판(10b)의 일측변은 제1 스테이지(220a)에 의하여 지지되며, 제1 변(12)과 나란한 타측변은 제2 스테이지(220b)에 의하여 지지된다.First, as shown in FIG. 5A, the thin film transistor substrate 10b is seated on the substrate stage 220 (S10). The thin film transistor substrate 10b loaded in the loading unit 100 is transferred to the substrate stage 220 by the first transfer robot 440 and the first transfer unit 420. The first transfer robot 440 and the first transfer unit 420 are controlled by the transfer control unit 600. One side of the transferred thin film transistor substrate 10b is supported by the first stage 220a, and the other side, which is parallel to the first side 12, is supported by the second stage 220b.

다음으로, 도 5b에 도시한 바와 같이, 제1 도포노즐(240a)이 제1 변(12)의 상부로 이동된다(S20). 도포 제어부(500)는 제1 노즐암(282a)이 제1 구동레일(284a)을 따라 이동하도록 제1 구동유닛(280a)을 제어하며, 제1 도포노즐(240a)은 제1 노즐암(282a)과 함께 제1 변(12)에 수직한 방향으로 이동한다.Next, as shown in FIG. 5B, the first coating nozzle 240a is moved to an upper portion of the first side 12 (S20). The coating control unit 500 controls the first driving unit 280a to move the first nozzle arm 282a along the first driving rail 284a, and the first coating nozzle 240a includes the first nozzle arm 282a. ) And in the direction perpendicular to the first side 12.

다음으로, 제1 도포노즐(240a)을 통하여 박막 트랜지스터 기판(10b)의 제1 변(12)에 실리콘(40)을 도포한다(S30). 실리콘(40)은 제1 탱크(264a)로부터 제1 공급라인(262a)을 통하여 제1 도포노즐(240a)로 공급된다. 제1 도포노즐(240a)로 공급된 실리콘(40)은 제1 도포노즐(240a) 내의 제1 버퍼영역(242a)에 1차적으로 머무 르며, 제1 토출구(246a)를 통하여 제1 변(12)으로 토출된다. 이때, 제1 토출구(246a)는 제1 변(12)에 나란한 슬릿 형상을 가지므로, 도 5b에 도시한 바와 같이 실리콘(40)은 동시에 도포될 수 있다. 제1 도포노즐(240a)은 제1 변(12)에 실리콘(40)을 도포한 이후에 원래의 위치로 복귀한다.Next, the silicon 40 is coated on the first side 12 of the thin film transistor substrate 10b through the first coating nozzle 240a (S30). The silicon 40 is supplied from the first tank 264a to the first coating nozzle 240a through the first supply line 262a. The silicon 40 supplied to the first coating nozzle 240a primarily stays in the first buffer region 242a in the first coating nozzle 240a and passes through the first discharge hole 246a. To be discharged. In this case, since the first discharge port 246a has a slit shape parallel to the first side 12, the silicon 40 may be simultaneously applied as shown in FIG. 5B. The first coating nozzle 240a returns to its original position after applying the silicon 40 to the first side 12.

다음으로, 도 5c에 도시한 바와 같이, 제2 도포노즐(240b)을 실리콘(40)을 도포하고자 하는 제2 변(14)의 상부로 이동시킨다(S40). 도포 제어부(500)는 제2 노즐암(282b)이 제2 구동레일(284b)을 따라 이동하도록 제2 구동유닛(280b)을 제어하며, 제2 도포노즐(240b)은 제2 노즐암(282b)과 함께 제2 변(14)에 수직한 방향으로 이동한다.Next, as shown in FIG. 5C, the second coating nozzle 240b is moved to an upper portion of the second side 14 to which the silicon 40 is to be applied (S40). The coating control unit 500 controls the second driving unit 280b to move the second nozzle arm 282b along the second driving rail 284b, and the second coating nozzle 240b includes the second nozzle arm 282b. ) And in the direction perpendicular to the second side 14.

다음으로, 제2 도포노즐(240b)을 통하여 박막 트랜지스터 기판(10b)의 제2 변(14)에 실리콘(40)을 도포한다(S50). 실리콘(40)은 제2 탱크(264b)로부터 제2 공급라인(262b)을 통하여 제2 도포노즐(240b)로 공급된다. 제2 도포노즐(240b)로 공급된 실리콘(40)은 제2 도포노즐(240b) 내의 제2 버퍼영역(242b)에 1차적으로 머무르며, 제2 토출구(246b)를 통하여 제2 변(14)으로 토출된다. 이때, 제2 토출구(246b)는 제2 변(14)에 나란한 슬릿 형상을 가지므로, 도 5c에 도시한 바와 같이 실리콘(40)은 동시에 도포될 수 있다.Next, the silicon 40 is coated on the second side 14 of the thin film transistor substrate 10b through the second coating nozzle 240b (S50). The silicon 40 is supplied from the second tank 264b to the second coating nozzle 240b through the second supply line 262b. The silicon 40 supplied to the second coating nozzle 240b stays primarily in the second buffer region 242b in the second coating nozzle 240b, and the second side 14 through the second discharge port 246b. Is discharged. At this time, since the second discharge port 246b has a slit shape parallel to the second side 14, the silicon 40 may be simultaneously applied as shown in FIG. 5C.

상술한 바에 의하면, 제1 및 제2 변(12, 14)에 슬릿 형상의 제1 및 제2 토출구(246a, 246b)를 이용하여 실리콘(40)을 도포하므로, 실리콘(40)을 동시에 도포할 수 있다. 따라서, 박막 트랜지스터 기판(10b)에 실리콘(40)을 도포하는데 소요되는 시간을 대폭 단축할 수 있다.As described above, since the silicon 40 is applied to the first and second sides 12 and 14 by using the slit-shaped first and second discharge ports 246a and 246b, the silicon 40 may be simultaneously applied. Can be. Therefore, the time required to apply the silicon 40 to the thin film transistor substrate 10b can be greatly shortened.

또한, 박막 트랜지스터 기판(10b)을 기판 스테이지(220)에 안착시킨 상태에서, 박막 트랜지스터 기판(10b)의 제1 및 제2 변(12, 14)에 실리콘(40)을 도포할 수 있다. 따라서, 실리콘 도포장치(1000)가 차지하는 면적을 줄일 수 있으며, 박막 트랜지스터 기판(10b)에 실리콘(40)을 도포하는데 소요되는 시간을 대폭 단축할 수 있다.In addition, the silicon 40 may be coated on the first and second sides 12 and 14 of the thin film transistor substrate 10b while the thin film transistor substrate 10b is seated on the substrate stage 220. Therefore, the area occupied by the silicon coating apparatus 1000 can be reduced, and the time required to apply the silicon 40 to the thin film transistor substrate 10b can be greatly shortened.

본 실시예에서는 제1 도포노즐(240a)을 이용하여 제1 변(12)에 실리콘(40)을 도포한 이후에 제2 도포노즐(240b)을 이용하여 제2 변(14)에 실리콘(40)을 도포하는 것으로 설명하고 있으나, 이와 달리 제1 및 제2 도포노즐(240a, 240b)을 이용하여 제1 및 제2 변(12, 14)에 동시에 실리콘(40)을 도포할 수도 있다.In the present exemplary embodiment, after the silicon 40 is applied to the first side 12 using the first application nozzle 240a, the silicon 40 is applied to the second side 14 using the second application nozzle 240b. However, as described above, the silicon 40 may be simultaneously applied to the first and second sides 12 and 14 by using the first and second application nozzles 240a and 240b.

또한, 본 실시예에서는 제1 및 제2 도포노즐(240a, 240b)을 이용하여 제1 및 제2 변(12, 14)에 실리콘(40)을 도포하는 것으로 설명하였으나, 도 12에서 도시하고 있는 제3 도포노즐(240c)을 이용하여 제3 변(16)에도 실리콘(40)을 도포할 수 있다. 제3 변(16)에 실리콘(40)을 도포하는 방법은 제2 도포노즐(240b)을 이용하여 제2 변(14)에 실리콘(40)을 도포하는 방법과 동일하므로 이에 대한 설명은 생략하기로 한다. 도시하지는 않았지만, 제1 변(12)과 나란한 제4 변(도시안됨)을 생각할 수 있으며, 제3 변과 마찬가지로 제4 변에 실리콘(40)을 도포할 필요가 있는 경우에도 제1 내지 제3 변(12, 14, 16)에 실리콘(40)을 도포하는 방법이 동일하게 적용될 수 있다. In addition, in the present exemplary embodiment, the silicon 40 is applied to the first and second sides 12 and 14 by using the first and second coating nozzles 240a and 240b. The silicon 40 may also be applied to the third side 16 using the third coating nozzle 240c. Since the method of applying the silicon 40 to the third side 16 is the same as the method of applying the silicon 40 to the second side 14 using the second coating nozzle 240b, a description thereof will be omitted. Shall be. Although not shown, a fourth side (not shown) parallel to the first side 12 may be considered, and similarly to the third side, even when it is necessary to apply the silicon 40 to the fourth side, the first to third sides may be considered. The method of applying the silicon 40 to the sides 12, 14, and 16 may be applied in the same manner.

도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 제1 도포노즐(240a)을 나타내는 사시도이며, 도 8은 도 7의 정면도이다. 이하에서, 도 4에 도시한 제1 도포노즐(240a) 과 동일한 사항에 대한 설명은 생략하기로 한다.7 is a perspective view illustrating a first coating nozzle 240a according to another embodiment of the present invention, and FIG. 8 is a front view of FIG. 7. Hereinafter, a description of the same matters as the first coating nozzle 240a shown in FIG. 4 will be omitted.

제1 도포노즐(240a)의 내부에는 제1 조절부재(720a, 720b)가 설치된다. 제1 조절부재(720a, 720b)는 제1 도포노즐(240a)의 내부에서 제1 도포노즐(240a)의 길이 방향으로 실리콘(40)이 토출되는 폭을 조절한다.First adjusting members 720a and 720b are installed inside the first coating nozzle 240a. The first adjusting members 720a and 720b adjust the width in which the silicon 40 is discharged in the longitudinal direction of the first coating nozzle 240a inside the first coating nozzle 240a.

제1 조절부재(720a, 720b)는 제1 도포노즐(240a)의 일측에 설치되는 제1 조절기(720a)와 제1 도포노즐(240a)의 타측에 설치되는 제2 조절기(720b)를 포함한다. 제2 조절기(720b)는 제1 조절기(720a)와 대칭구조를 가지며, 동일한 기능을 수행하므로 이에 대한 설명은 생략하기로 한다.The first adjusting members 720a and 720b include a first regulator 720a installed at one side of the first coating nozzle 240a and a second regulator 720b installed at the other side of the first coating nozzle 240a. . Since the second regulator 720b has a symmetrical structure with the first regulator 720a and performs the same function, description thereof will be omitted.

제1 조절기(720a)는 제1 격벽(722a)과 제1 이동유닛을 포함하며, 제1 이동유닛은 제1 로드(724a), 제1 구동부(726a)를 포함한다.The first regulator 720a includes a first partition 722a and a first moving unit, and the first moving unit includes a first rod 724a and a first driver 726a.

제1 격벽(722a)은 후술하는 제2 격벽(722b)과 함께 제1 도포노즐(240a)의 내부에 형성된 제1 버퍼영역(242a)을 실리콘(40)이 제공되는 내측영역과 실리콘(40)이 제공되지 않는 외측영역으로 구획한다. 제1 공급라인(262a)을 통하여 공급된 실리콘(40)은 제1 격벽(722a)과 제2 격벽(722b) 사이에 위치하는 내측영역에만 제공되며, 제1 격벽(722a) 및 제2 격벽(722b)의 외측에 위치한 외측영역에는 제공되지 않는다.The first partition 722a is formed of the first buffer region 242a formed inside the first coating nozzle 240a together with the second partition 722b which will be described later. It is partitioned into an outer region not provided. The silicon 40 supplied through the first supply line 262a is provided only in an inner region located between the first partition wall 722a and the second partition wall 722b, and the first partition wall 722a and the second partition wall ( It is not provided in the outer region located outside of 722b.

제1 로드(724a)의 일단은 제1 격벽(722a)에 결합되며, 제1 로드(724a)의 타단은 제1 구동부(726a)에 결합된다. 제1 구동부(726a)는 제1 격벽(722a)이 제1 버퍼영역(242a)을 따라 이동하도록 제1 격벽(722a)에 결합된 제1 로드(724a)를 구동하는 역할을 한다. 제1 구동부(726a)는 직선형 전동기를 포함하여 다양하게 구성될 수 있으며, 이는 당업자를 기준으로 용이하게 생각해 낼 수 있는 사항이므로 이에 대한 설명은 생략하기로 한다.One end of the first rod 724a is coupled to the first partition 722a, and the other end of the first rod 724a is coupled to the first driver 726a. The first driver 726a drives the first rod 724a coupled to the first partition 722a so that the first partition 722a moves along the first buffer area 242a. The first driving unit 726a may be configured in various ways, including a linear motor, and since the first driving unit 726a may be easily conceived by those skilled in the art, a description thereof will be omitted.

마찬가지로, 제2 조절기(720b)는 제2 격벽(722b)과 제2 이동유닛을 포함하며, 제2 이동유닛은 제2 로드(724b), 제2 구동부(726b)를 포함한다.Similarly, the second regulator 720b includes a second partition 722b and a second moving unit, and the second moving unit includes a second rod 724b and a second driving unit 726b.

도 8에 도시한 바와 같이, 제1 토출구(246a)로부터 실리콘(40)이 토출되는 범위는 제1 격벽(722a)과 제2 격벽(722b) 사이에 위치하는 내측영역의 폭(d1)에 의하여 결정된다.As shown in FIG. 8, the range in which the silicon 40 is discharged from the first discharge port 246a is equal to the width d 1 of the inner region located between the first partition wall 722a and the second partition wall 722b. Is determined by.

실리콘(40)을 도포하고자 하는 제1 변(12)의 크기가 제1 도포노즐(240a)의 크기보다 작은 경우, 제1 변(12)의 크기에 따라 제1 구동부(726a)를 구동하여 제1 격벽(722a)을 제1 버퍼영역(242a)의 중앙을 향하여 이동시키며 제2 구동부(726b)를 구동하여 제2 격벽(722b)을 제1 버퍼영역(242a)의 중앙을 향하여 이동시킨다. 이때, 제1 격벽(722a)과 제2 격벽(722b) 사이의 간격(d1)이 실리콘(40)을 도포하고자 하는 제1 변(12)의 크기와 일치하도록 제1 격벽(722a)과 제2 격벽(722b)을 이동시킨다.When the size of the first side 12 to which the silicon 40 is to be applied is smaller than the size of the first application nozzle 240a, the first driving unit 726a may be driven according to the size of the first side 12. The first partition 722a is moved toward the center of the first buffer area 242a and the second driving unit 726b is driven to move the second partition 722b toward the center of the first buffer area 242a. In this case, the first barrier rib 722a and the first barrier rib 722a and the second barrier rib 722b may have a distance d 1 corresponding to the size of the first side 12 to which the silicon 40 is to be applied. 2 The partition 722b is moved.

한편, 제1 구동부(726a) 및 제2 구동부(726b)는 상술한 도포 제어부(500)에 의하여 제어될 수 있다. 도포 제어부(500)는 입력된 제1 변(12)의 크기와 제1 격벽(722a)과 제2 격벽(722b) 사이의 간격(d1)이 일치하도록 제1 구동부(726a) 및 제2 구동부(726b)를 제어할 수 있다.Meanwhile, the first driver 726a and the second driver 726b may be controlled by the coating controller 500 described above. The coating controller 500 includes the first driver 726a and the second driver so that the size of the input first side 12 and the distance d 1 between the first partition wall 722a and the second partition wall 722b coincide with each other. 726b may be controlled.

도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 제2 도포노즐(240b)을 나타내는 사시 도이다.9 is a perspective view showing a second coating nozzle 240b according to another embodiment of the present invention.

제2 도포노즐(240b)의 내부에도 제2 조절부재(740a, 740b)가 설치된다. 제2 조절부재(740a, 740b)는 제2 도포노즐(240b)의 내부에서 실리콘(40)이 토출되는 제2 토출구(246b)의 범위를 조절하며, 제2 변(14)의 원하는 범위에 실리콘(40)이 토출될 수 있도록 한다.Second adjustment members 740a and 740b are also installed inside the second coating nozzle 240b. The second adjusting members 740a and 740b adjust the range of the second discharge holes 246b through which the silicon 40 is discharged in the second coating nozzle 240b, and in the desired range of the second sides 14. 40 can be discharged.

제2 조절부재(740a, 740b)는 제2 도포노즐(240b)의 일측에 설치되는 제1 조절기(740a)와 제2 도포노즐(240b)의 타측에 설치되는 제2 조절기(740b)를 포함한다. 제1 조절기(740a)는 제1 격벽(742a)과 제1 이동유닛을 포함하며, 제1 이동유닛은 제1 로드(744a), 제1 구동부(746a)를 포함한다. 제2 조절기(740b)는 제2 격벽(742b)과 제2 이동유닛을 포함하며, 제2 이동유닛은 제2 로드(744b), 제2 구동부(746b)를 포함한다. 제2 조절부재(740a, 740b)는 제1 조절부재(720a, 720b)와 동일한 구조와 기능을 가지므로 이에 대한 설명은 생략하기로 한다.The second adjusting members 740a and 740b include a first regulator 740a installed at one side of the second coating nozzle 240b and a second regulator 740b installed at the other side of the second coating nozzle 240b. . The first regulator 740a includes a first partition 742a and a first moving unit, and the first moving unit includes a first rod 744a and a first driving unit 746a. The second regulator 740b includes a second partition 742b and a second moving unit, and the second moving unit includes a second rod 744b and a second driving unit 746b. Since the second adjusting members 740a and 740b have the same structure and function as the first adjusting members 720a and 720b, description thereof will be omitted.

도 9에 도시한 바와 같이, 제2 토출구(246b)로부터 실리콘(40)이 토출되는 범위는 제1 격벽(742a)과 제2 격벽(742b) 사이에 위치하는 내측영역의 폭(d2)에 의하여 결정된다.As shown in FIG. 9, the range in which the silicon 40 is discharged from the second discharge port 246b is equal to the width d 2 of the inner region located between the first partition wall 742a and the second partition wall 742b. Is determined by.

실리콘(40)을 도포하고자 하는 제2 변(14)의 크기가 제2 도포노즐(240b)의 크기보다 작은 경우, 제2 변(14)의 크기에 따라 제1 구동부(746a)를 구동하여 제1 격벽(742a)을 제2 버퍼영역(242b)의 중앙을 향하여 이동시키며 제2 구동부(746b)를 구동하여 제2 격벽(742b)을 제2 버퍼영역(242b)의 중앙을 향하여 이동시킨다. 이 때, 제1 격벽(742a)과 제2 격벽(742b) 사이의 간격(d2)이 실리콘(40)을 도포하고자 하는 제2 변(14)의 크기와 일치하도록 제1 격벽(742a)과 제2 격벽(742b)을 이동시킨다.When the size of the second side 14 to which the silicon 40 is to be applied is smaller than the size of the second coating nozzle 240b, the first driving unit 746a may be driven according to the size of the second side 14. The first partition 742a is moved toward the center of the second buffer area 242b and the second driving unit 746b is driven to move the second partition 742b toward the center of the second buffer area 242b. At this time, the gap d 2 between the first partition wall 742a and the second partition wall 742b matches the size of the second side 14 to which the silicon 40 is to be applied. The second partition 742b is moved.

한편, 제1 구동부(746a) 및 제2 구동부(746b)는 상술한 도포 제어부(500)에 의하여 제어될 수 있다. 도포 제어부(500)는 입력된 제2 변(14)의 크기와 제1 격벽(742a)과 제2 격벽(742b) 사이의 간격(d2)이 일치하도록 제1 구동부(746a) 및 제2 구동부(746b)를 제어할 수 있다.Meanwhile, the first driver 746a and the second driver 746b may be controlled by the coating controller 500 described above. The coating controller 500 includes the first driving unit 746a and the second driving unit so that the size of the input second side 14 and the distance d 2 between the first partition wall 742a and the second partition wall 742b coincide with each other. 746b may be controlled.

도 10a 내지 도 10d는 본 발명의 다른 실시예에 따른 실리콘의 도포단계를 나타내는 사시도이며, 도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 실리콘의 도포방법을 나타내는 흐름도이다. 이하, 도 10a 내지 도 11을 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 실리콘을 도포하는 방법을 살펴보기로 한다. 다만, 본 발명의 제1 실시예와 중복되는 사항에 대한 설명은 생략하기로 한다.10A to 10D are perspective views illustrating a step of applying silicon according to another embodiment of the present invention, and FIG. 11 is a flowchart illustrating a method of applying silicon according to another embodiment of the present invention. Hereinafter, a method of applying silicon according to another exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 10A to 11. However, description of matters overlapping with the first embodiment of the present invention will be omitted.

먼저, 도 10a에 도시한 바와 같이, 박막 트랜지스터 기판(10b)을 기판 스테이지(220) 상에 안착시킨다(S110).First, as shown in FIG. 10A, the thin film transistor substrate 10b is mounted on the substrate stage 220 (S110).

다음으로, 제1 도포노즐(240a)의 토출범위를 조절한다(S120). 실리콘(40)을 도포하고자 하는 제1 변(12)의 크기가 제1 도포노즐(240a)의 크기보다 작은 경우, 제1 변(12)의 크기에 따라 제1 구동부(726a)를 구동하여 제1 격벽(722a)을 제1 버퍼영역(242a)의 중앙을 향하여 이동시키며 제2 구동부(726b)를 구동하여 제2 격벽(722b)을 제1 버퍼영역(242a)의 중앙을 향하여 이동시킨다. 이때, 제1 격 벽(722a)과 제2 격벽(722b) 사이에 위치하는 내측영역의 폭(d1)이 실리콘(40)을 도포하고자 하는 제1 변(12)의 크기와 일치하도록 제1 격벽(722a)과 제2 격벽(722b)을 이동시킨다.Next, the discharge range of the first coating nozzle (240a) is adjusted (S120). When the size of the first side 12 to which the silicon 40 is to be applied is smaller than the size of the first application nozzle 240a, the first driving unit 726a may be driven according to the size of the first side 12. The first partition 722a is moved toward the center of the first buffer area 242a and the second driving unit 726b is driven to move the second partition 722b toward the center of the first buffer area 242a. At this time, the width d 1 of the inner region located between the first partition wall 722a and the second partition wall 722b matches the size of the first side 12 to which the silicon 40 is to be applied. The partition 722a and the second partition 722b are moved.

다음으로, 제2 도포노즐(240b)의 토출범위를 조절한다(S130). 실리콘(40)을 도포하고자 하는 제2 변(14)의 크기가 제2 도포노즐(240b)의 크기보다 작은 경우, 제2 변(14)의 크기에 따라 제1 구동부(746a)를 구동하여 제1 격벽(742a)을 제2 버퍼영역(242b)의 중앙을 향하여 이동시키며 제2 구동부(746b)를 구동하여 제2 격벽(742b)을 제2 버퍼영역(242b)의 중앙을 향하여 이동시킨다. 이때, 제1 격벽(742a)과 제2 격벽(742b) 사이에 위치하는 내측영역의 폭(d2)이 실리콘(40)을 도포하고자 하는 제2 변(14)의 크기와 일치하도록 제1 격벽(742a)과 제2 격벽(742b)을 이동시킨다.Next, the discharge range of the second coating nozzle (240b) is adjusted (S130). When the size of the second side 14 to which the silicon 40 is to be applied is smaller than the size of the second coating nozzle 240b, the first driving unit 746a may be driven according to the size of the second side 14. The first partition 742a is moved toward the center of the second buffer area 242b and the second driving unit 746b is driven to move the second partition 742b toward the center of the second buffer area 242b. At this time, the first partition wall so that the width d 2 of the inner region located between the first partition wall 742a and the second partition wall 742b matches the size of the second side 14 to which the silicon 40 is to be applied. 742a and the second partition 742b are moved.

다음으로, 도 10b에 도시한 바와 같이, 제1 도포노즐(240a)을 실리콘(40)을 도포하고자 하는 제1 변(12)의 상부로 이동시키며(S140), 제1 도포노즐(240a)을 통하여 박막 트랜지스터 기판(10b)의 제1 변(12)에 실리콘(40)을 도포한다(S150). Next, as shown in FIG. 10B, the first coating nozzle 240a is moved to an upper portion of the first side 12 to which the silicon 40 is to be applied (S140), and the first coating nozzle 240a is moved. The silicon 40 is coated on the first side 12 of the thin film transistor substrate 10b (S150).

다음으로, 도 10c에 도시한 바와 같이, 제2 도포노즐(240b)을 실리콘(40)을 도포하고자 하는 제2 변(14)의 상부로 이동시키며(S160), 제2 도포노즐(240b)을 통하여 박막 트랜지스터 기판(10b)의 제2 변(14)에 실리콘(40)을 도포한다(S170).Next, as shown in FIG. 10C, the second coating nozzle 240b is moved to an upper portion of the second side 14 to which the silicon 40 is to be coated (S160), and the second coating nozzle 240b is moved. The silicon 40 is coated on the second side 14 of the thin film transistor substrate 10b (S170).

도 10d는 상술한 방법에 의하여 실리콘(40)의 도포가 완료된 모습이다.10D shows the application of the silicon 40 by the above-described method.

한편, 본 실시예에서는 제1 및 제2 도포노즐(240a, 240b)의 토출범위를 조절 한 이후에 제1 및 제2 변(12, 14)에 실리콘(40)을 도포하는 것으로 설명하였으나, 제1 도포노즐(240a)의 토출범위를 조절한 이후에 제1 변(12)에 실리콘(40)을 도포하고, 제2 도포노즐(240b)의 토출범위를 조절한 이후에 제2 변(14)에 실리콘(40)을 도포할 수 있으며, 이와 다르게 구성될 수도 있다.Meanwhile, in the present exemplary embodiment, the silicon 40 is applied to the first and second sides 12 and 14 after the discharge ranges of the first and second coating nozzles 240a and 240b are adjusted. After the discharge range of the first coating nozzle 240a is adjusted, the silicon 40 is coated on the first side 12, and the second side 14 is adjusted after the discharge range of the second coating nozzle 240b is adjusted. The silicon 40 may be applied to, or may be configured differently.

또한, 본 실시예에서는 제1 도포노즐(240a)을 이용하여 제1 변(12)에 실리콘(40)을 도포한 이후에 제2 도포노즐(240b)을 이용하여 제2 변(14)에 실리콘(40)을 도포하는 것으로 설명하고 있으나, 이와 달리 제1 및 제2 도포노즐(240a, 240b)을 이용하여 제1 및 제2 변(12, 14)에 동시에 실리콘(40)을 도포할 수도 있다.In the present embodiment, after the silicon 40 is applied to the first side 12 using the first coating nozzle 240a, the silicon is applied to the second side 14 using the second coating nozzle 240b. Although 40 is described as being applied, the silicon 40 may be applied to the first and second sides 12 and 14 simultaneously using the first and second application nozzles 240a and 240b. .

상술한 바에 의하면, 박막 트랜지스터 기판(10b)의 크기가 제1 및 제2 도포노즐(240a, 240b)의 크기보다 작은 경우, 제1 및 제2 조절부재를 이용하여 실리콘(40)이 토출되는 제1 및 제2 토출구(246a, 246b)의 범위를 조절할 수 있으므로, 제1 및 제2 변(12, 14)의 원하는 범위에 실리콘(40)을 도포할 수 있다.As described above, when the size of the thin film transistor substrate 10b is smaller than the size of the first and second coating nozzles 240a and 240b, the silicon 40 is discharged using the first and second adjusting members. Since the ranges of the first and second discharge ports 246a and 246b can be adjusted, the silicon 40 can be applied to the desired ranges of the first and second sides 12 and 14.

본 발명에 의하면, 전체 장치가 차지하는 면적(footprint)을 줄일 수 있다. 또한, 본 발명에 의하면 박막 트랜지스터 기판에 실리콘을 도포하는데 소요되는 시간(tact time)을 대폭 단축할 수 있다. 또한, 다양한 크기의 기판에 대하여 실리콘을 도포할 수 있다.According to the present invention, the footprint of the entire apparatus can be reduced. In addition, according to the present invention, it is possible to significantly shorten the time required to apply silicon to the thin film transistor substrate. It is also possible to apply silicon to substrates of various sizes.

Claims (19)

액정표시패널의 박막 트랜지스터 기판, 상기 박막 트랜지스터 기판에 신호를 인가하는 인쇄회로기판, 상기 박막 트랜지스터 기판과 상기 인쇄회로기판을 전기적으로 연결하는 연결부재를 포함하는 액정표시장치에서 상기 박막 트랜지스터 기판과 상기 연결부재와의 연결부위 상에 보호물질을 도포하는 도포 장치에 있어서,And a thin film transistor substrate of a liquid crystal display panel, a printed circuit board applying a signal to the thin film transistor substrate, and a connecting member electrically connecting the thin film transistor substrate and the printed circuit board. In the coating device for applying a protective material on the connection portion with the connecting member, 상기 박막 트랜지스터 기판이 안착되는 기판 스테이지;A substrate stage on which the thin film transistor substrate is mounted; 상기 보호물질을 도포하고자 하는 상기 박막 트랜지스터 기판의 제1 변에 상응하는 길이를 가지며, 상기 기판 스테이지에 안착된 상기 박막 트랜지스터 기판 상에 상기 보호물질을 토출하는 제1 토출구가 형성되는 제1 도포노즐; 및A first coating nozzle having a length corresponding to a first side of the thin film transistor substrate to which the protective material is to be applied, and having a first discharge hole for discharging the protective material on the thin film transistor substrate seated on the substrate stage; ; And 상기 제1 도포노즐에 상기 보호물질을 공급하는 제1 공급유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 보호물질 도포장치.And a first supply unit supplying the protective material to the first coating nozzle. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1 도포노즐의 내부에는,Inside the first coating nozzle, 상기 제1 공급유닛으로부터 제공된 상기 보호물질이 일시적으로 머무르는 제1 버퍼영역; 및A first buffer region in which the protective material provided from the first supply unit temporarily stays; And 일측은 상기 제1 버퍼영역에 연결되며, 타측은 상기 제1 토출구와 연결되는 제1 토출영역이 형성되는 것을 특징으로 하는 보호물질 도포장치.One side is connected to the first buffer region, the other side is a protective material applying apparatus, characterized in that the first discharge region is connected to the first discharge port is formed. 제1항 또는 제2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 제1 토출구는 상기 제1 변과 나란한 슬릿 형상인 것을 특징으로 하는 보호물질 도포장치.The first discharge port is a protective material applying apparatus, characterized in that the slit shape parallel to the first side. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 장치는 상기 제1 도포노즐의 내부에 설치되어 상기 보호물질이 토출되는 범위를 조절하는 제1 조절부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 보호물질 도포장치.The apparatus further includes a first adjusting member installed inside the first coating nozzle to adjust a range in which the protective material is discharged. 제4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 제1 조절부재는 상기 제1 도포노즐의 내부에 형성된 제1 버퍼영역을 구획하는 제1 격벽을 포함하는 것을 특징으로 하는 보호물질 도포장치.The first control member is a protective material applying apparatus, characterized in that it comprises a first partition wall for partitioning the first buffer region formed inside the first coating nozzle. 제5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 제1 조절부재는 상기 제1 격벽을 상기 제1 버퍼영역을 따라 이동시키는 제1 이동유닛을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 보호물질 도포장치.The first control member further comprises a first moving unit for moving the first partition wall along the first buffer region. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 장치는 상기 보호물질을 도포하고자 하는 상기 박막 트랜지스터 기판의 제2 변에 상응하는 길이를 가지며, 상기 기판 스테이지에 안착된 상기 박막 트랜지 스터 기판 상에 상기 보호물질을 토출하는 슬릿 형상의 제2 토출구가 형성되는 제2 도포노즐; 및The device has a length corresponding to a second side of the thin film transistor substrate to which the protective material is to be applied, and has a slit-shaped second to discharge the protective material on the thin film transistor substrate seated on the substrate stage. A second coating nozzle in which a discharge port is formed; And 상기 제2 도포노즐에 상기 보호물질을 공급하는 제2 공급유닛을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 보호물질 도포장치.And a second supply unit for supplying the protective material to the second coating nozzle. 액정표시패널의 박막 트랜지스터 기판, 상기 박막 트랜지스터 기판에 신호를 인가하는 인쇄회로기판, 상기 박막 트랜지스터 기판과 상기 인쇄회로기판을 전기적으로 연결하는 연결부재를 포함하는 액정표시장치에서 상기 박막 트랜지스터 기판과 상기 연결부재와의 연결부위 상에 보호물질을 도포하는 도포 장치에 있어서,And a thin film transistor substrate of a liquid crystal display panel, a printed circuit board applying a signal to the thin film transistor substrate, and a connecting member electrically connecting the thin film transistor substrate and the printed circuit board. In the coating device for applying a protective material on the connection portion with the connecting member, 상기 박막 트랜지스터 기판이 로딩되는 로딩부;A loading unit in which the thin film transistor substrate is loaded; 로딩된 상기 박막 트랜지스터 기판의 제1 변 및 제2 변에 보호막을 도포하는 도포부;An application part for applying a protective film to first and second sides of the loaded thin film transistor substrate; 도포된 상기 박막 트랜지스터 기판이 언로딩되는 언로딩부; 및An unloading unit to unload the coated thin film transistor substrate; And 상기 박막 트랜지스터 기판을 상기 로딩부, 상기 도포부, 상기 언로딩부로 이송하는 이송부를 포함하되,It includes a transfer unit for transferring the thin film transistor substrate to the loading portion, the coating portion, the unloading portion, 상기 도포부는,The applicator, 상기 박막 트랜지스터 기판이 안착되는 기판 스테이지;A substrate stage on which the thin film transistor substrate is mounted; 상기 보호물질을 도포하고자 하는 상기 박막 트랜지스터 기판의 제1 변에 상응하는 길이를 가지며, 상기 기판 스테이지에 안착된 상기 박막 트랜지스터 기판 상에 상기 보호물질을 토출하는 제1 토출구가 형성되는 제1 도포노즐;A first coating nozzle having a length corresponding to a first side of the thin film transistor substrate to which the protective material is to be applied, and having a first discharge hole for discharging the protective material on the thin film transistor substrate seated on the substrate stage; ; 상기 보호물질을 도포하고자 하는 상기 박막 트랜지스터 기판의 제2 변에 상응하는 길이를 가지며, 상기 기판 스테이지에 안착된 상기 박막 트랜지스터 기판 상에 상기 보호물질을 토출하는 제2 토출구가 형성되는 제2 도포노즐; 및A second coating nozzle having a length corresponding to a second side of the thin film transistor substrate to which the protective material is to be applied, and a second discharge hole for discharging the protective material is formed on the thin film transistor substrate seated on the substrate stage; ; And 상기 제1 및 제2 도포노즐에 상기 보호물질을 공급하는 공급유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 보호물질 도포장치.And a supply unit for supplying the protective material to the first and second coating nozzles. 제8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 이송부는,The transfer unit, 상기 로딩부와 상기 도포부 사이에서 상기 박막 트랜지스터 기판을 이송하는 제1 이송부;A first transfer part transferring the thin film transistor substrate between the loading part and the coating part; 상기 도포부와 상기 언로딩부 사이에서 상기 박막 트랜지스터 기판을 이송하는 제2 이송부를 포함하는 것을 특징으로 하는 보호물질 도포장치.And a second transfer part configured to transfer the thin film transistor substrate between the coating part and the unloading part. 제8항 또는 제9항에 있어서,The method according to claim 8 or 9, 상기 장치는 상기 박막 트랜지스터 기판을 상기 로딩부, 상기 기판 스테이지, 상기 언로딩부로 순차적으로 이송하도록 상기 이송부를 제어하는 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 보호물질 도포장치.The apparatus may further include a control unit controlling the transfer unit to sequentially transfer the thin film transistor substrate to the loading unit, the substrate stage, and the unloading unit. 액정표시패널의 박막 트랜지스터 기판, 상기 박막 트랜지스터 기판에 신호를 인가하는 인쇄회로기판, 상기 박막 트랜지스터 기판과 상기 인쇄회로기판을 전기적 으로 연결하는 연결부재를 포함하는 액정표시장치에서 상기 박막 트랜지스터 기판과 상기 연결부재와의 연결부위 상에 보호물질을 도포하는 방법에 있어서,And a thin film transistor substrate of a liquid crystal display panel, a printed circuit board applying a signal to the thin film transistor substrate, and a connecting member electrically connecting the thin film transistor substrate and the printed circuit board. In the method for applying a protective material on the connection with the connecting member, 상기 박막 트랜지스터 기판을 기판 스테이지 상에 안착시키는 단계;Mounting the thin film transistor substrate on a substrate stage; 상기 박막 트랜지스터 기판의 제1 변에 상응하는 길이를 가지는 슬릿 형상의 토출구가 형성된 제1 도포노즐을 상기 기판 스테이지 상에 안착된 상기 박막 트랜지스터 기판의 상부로 이동시키는 단계;Moving a first coating nozzle having a slit-shaped discharge hole having a length corresponding to a first side of the thin film transistor substrate to an upper portion of the thin film transistor substrate seated on the substrate stage; 상기 제1 도포노즐을 이용하여 상기 제1 변의 연결부위에 보호물질을 동시에 도포하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 보호물질을 도포하는 방법.And simultaneously applying a protective material to the connection portion of the first side by using the first coating nozzle. 제11항에 있어서,The method of claim 11, 상기 방법은,The method, 상기 박막 트랜지스터 기판의 제2 변에 상응하는 길이를 가지는 슬릿 형상의 토출구가 형성된 제2 도포노즐을 상기 기판 스테이지 상에 안착된 상기 박막 트랜지스터 기판의 상부로 이동시키는 단계;Moving a second coating nozzle having a slit-shaped discharge hole having a length corresponding to a second side of the thin film transistor substrate to an upper portion of the thin film transistor substrate mounted on the substrate stage; 상기 제2 도포노즐을 이용하여 상기 제2 변의 연결부위에 보호물질을 동시에 도포하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 보호물질을 도포하는 방법.And applying the protective material simultaneously to the connection portion of the second side by using the second coating nozzle. 제11항 또는 제 12항에 있어서,The method according to claim 11 or 12, wherein 상기 보호물질을 도포하고자 하는 영역의 크기에 따라 상기 제1 도포노즐로부터 보호물질이 토출되는 범위를 조절하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하 는 보호물질을 도포하는 방법.And adjusting a range in which the protective material is discharged from the first coating nozzle according to the size of the area to which the protective material is to be applied. 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 제1 및 제2 도포노즐은 동일한 위치에 안착된 상기 박막 트랜지스터 기판 상에 상기 보호물질을 토출하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 보호물질 도포장치.And the first and second coating nozzles are disposed to discharge the protective material on the thin film transistor substrate seated at the same position. 제7항 또는 제8항에 있어서,The method according to claim 7 or 8, 상기 장치는 상기 보호물질을 도포하고자 하는 상기 박막 트랜지스터 기판의 제3 변에 상응하는 길이를 가지며, 상기 기판 스테이지에 안착된 상기 박막 트랜지스터 기판 상에 상기 보호물질을 토출하는 슬릿 형상의 제3 토출구가 형성되는 제3 도포노즐; 및The device may have a length corresponding to a third side of the thin film transistor substrate to which the protective material is to be applied, and a third discharge port having a slit shape for discharging the protective material on the thin film transistor substrate seated on the substrate stage may include A third coating nozzle formed; And 상기 제3 도포노즐에 상기 보호물질을 공급하는 제3 공급유닛을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 보호물질 도포장치.And a third supply unit supplying the protective material to the third coating nozzle. 제15항에 있어서,The method of claim 15, 상기 제1 내지 제3 도포노즐은 동일한 위치에 안착된 상기 박막 트랜지스터 기판 상에 상기 보호물질을 토출하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 보호물질 도포장치.And the first to third coating nozzles are disposed to discharge the protective material on the thin film transistor substrate seated at the same position. 제12항에 있어서,The method of claim 12, 상기 방법은,The method, 상기 제1 및 제2 변의 연결부위에 보호물질을 도포하는 단계는 동일한 위치에 안착된 상기 박막 트랜지스터 기판에 대하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 보호물질을 도포하는 방법.And applying a protective material to the connection portions of the first and second sides is performed on the thin film transistor substrate seated at the same position. 제12항에 있어서,The method of claim 12, 상기 박막 트랜지스터 기판의 제3 변에 상응하는 길이를 가지는 슬릿 형상의 토출구가 형성된 제3 도포노즐을 상기 기판 스테이지 상에 안착된 상기 박막 트랜지스터 기판의 상부로 이동시키는 단계;Moving a third coating nozzle having a slit-shaped discharge hole having a length corresponding to a third side of the thin film transistor substrate to an upper portion of the thin film transistor substrate seated on the substrate stage; 상기 제3 도포노즐을 이용하여 상기 제3 변의 연결부위에 보호물질을 동시에 도포하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 보호물질을 도포하는 방법.And applying the protective material simultaneously to the connection portion of the third side by using the third coating nozzle. 제18항에 있어서,The method of claim 18, 상기 제1 내지 제3 변의 연결부위에 보호물질을 도포하는 단계는 동일한 위치에 안착된 상기 박막 트랜지스터 기판에 대하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 보호물질을 도포하는 방법.The method of applying a protective material, characterized in that the step of applying a protective material on the connection portion of the first to third sides with respect to the thin film transistor substrate seated at the same position.
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