KR100767680B1 - Electroluminescent device and the substrate therefor and method of making the same - Google Patents

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박대현
김제석
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엘지전자 주식회사
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Abstract

An electroluminescent device, a substrate thereof, and a method for manufacturing the same are provided to sinter a structure formed on a substrate at a high temperature by constructing the substrate including a metal. An electroluminescent device includes a metal layer(110) and a light emission layer on a substrate(100). A lower electrode(210) and a lower dielectric layer(220) are sequentially formed and an insulating layer(120) is positioned between a metal layer(110) and the light emission layer. An overall color is represented by converting a blue light into a red light and a green light with a color conversion layer(260). An upper dielectric layer(240) and an upper electrode(250) are sequentially formed on a fluorescent layer(230).

Description

전계 발광 소자와 그 기판 및 그 제조방법{Electroluminescent device and the substrate therefor and method of making the same}Electroluminescent device and its substrate and manufacturing method thereof {Electroluminescent device and the substrate therefor and method of making the same}

도 1은 본 발명의 기판 구조를 나타내는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a substrate structure of the present invention.

도 2는 본 발명의 기판의 다른 예를 나타내는 단면도이다.2 is a cross-sectional view showing another example of the substrate of the present invention.

도 3은 본 발명의 소자의 구조를 나타내는 단면도이다.3 is a cross-sectional view showing the structure of the device of the present invention.

도 4 내지 도 7은 본 발명의 제1실시예를 나타내는 도로서,4 to 7 are diagrams showing a first embodiment of the present invention.

도 4는 기판 상에 하부 전극 및 하부 유전층을 형성한 단계를 나타내는 단면도이다.  4 is a cross-sectional view illustrating a step of forming a lower electrode and a lower dielectric layer on a substrate.

도 5는 하부 유전층 상에 형광체층을 형성한 단계를 나타내는 단면도이다.  5 is a cross-sectional view illustrating a step of forming a phosphor layer on a lower dielectric layer.

도 6은 형광체층 상에 상부 유전층과 상부 전극을 형성한 단계를 나타내는 단면도이다.  6 is a cross-sectional view illustrating a step of forming an upper dielectric layer and an upper electrode on a phosphor layer.

도 7은 상부 전극 상에 색보정층과 보호층을 형성한 단계를 나타내는 단면도이다.  7 is a cross-sectional view illustrating a step of forming a color correction layer and a protective layer on an upper electrode.

도 8 내지 도 11은 본 발명의 제2실시예를 나타내는 도로서, 8 to 11 are diagrams showing a second embodiment of the present invention.

도 8은 기판 상에 하부 전극, 하부 유전층, 및 형광체층을 형성한 단계를 나타내는 단면도이다.  8 is a cross-sectional view illustrating a step of forming a lower electrode, a lower dielectric layer, and a phosphor layer on a substrate.

도 9는 형광체층 상에 상부 유전층, 상부 전극, 및 색변환층을 형성한 단 계를 나타내는 단면도이다.  9 is a cross-sectional view illustrating a step of forming an upper dielectric layer, an upper electrode, and a color conversion layer on a phosphor layer.

도 10은 본 발명의 색변환층의 작용을 나타내는 개략도이다.  10 is a schematic view showing the operation of the color conversion layer of the present invention.

도 11은 색변환층 상에 보호층을 형성한 단계를 나타내는 단면도이다.  11 is a cross-sectional view illustrating a step of forming a protective layer on a color conversion layer.

<도면의 주요 부분에 대한 간단한 설명><Brief description of the main parts of the drawing>

100 : 기판 200 : 발광층100 substrate 200 emitting layer

210 : 하부 전극 220 : 하부 유전층210: lower electrode 220: lower dielectric layer

230 : 형광체층 240 : 상부 유전층230: phosphor layer 240: upper dielectric layer

250 : 상부 전극 260 : 색변환층250: upper electrode 260: color conversion layer

300 : 색보정층 400 : 보호층300: color correction layer 400: protective layer

본 발명은 전계 발광 소자와 그 기판 및 그 제조방법에 관한 것으로 특히, 발광 효율을 향상시킬 수 있는 전계 발광 소자와 그 기판 및 그 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electroluminescent element, a substrate thereof, and a method of manufacturing the same, and more particularly, to an electroluminescent element capable of improving luminous efficiency, a substrate thereof, and a manufacturing method thereof.

전계 발광(electroluminscence) 현상은 발광 소자 및 이를 이용한 디스플레이 장치, 특히 평판 디스플레이 장치에 다양하게 이용되고 있다.Electroluminescence is widely used in light emitting devices and display devices using the same, particularly flat panel display devices.

그 중에서 무기 박막을 이용하는 무기 전계 발광 소자(inorganic electro-luminescent device)는 평판 디스플레이 패널에 이용될 수 있으며, 고전계에 의해 가속된 전자가 형광체에 충돌하여 이 형광체를 여기시킴으로써 발광을 유도하는 소 자로서, 고휘도, 장시간의 수명, 고분해능 등의 장점을 가진다.Among them, an inorganic electroluminescent device using an inorganic thin film can be used in a flat panel display panel, and an electron inducing light emission by exciting electrons accelerated by a high electric field impacts the phosphor and excites the phosphor. It has advantages such as high brightness, long life and high resolution.

이러한 무기 전계 발광 소자의 구조는 기판 상에 구성되며, 발광을 하는 형광체층과, 이 형광체층의 양측에 위치하는 유전층 및 전극으로 주로 구성된다. The structure of such an inorganic electroluminescent element is mainly composed of a phosphor layer which emits light, a dielectric layer and electrodes located on both sides of the phosphor layer.

상기 유전층은 절연파괴와 외부 불순물로부터 소자를 보호하는 역할을 하여 소자의 안정성에 기여할 뿐 아니라, 형광체와의 계면 상태에 따라 발광 효율과 휘도의 특성을 결정하는 중요한 역할을 한다.The dielectric layer not only contributes to the stability of the device by protecting the device from breakdown and external impurities, but also plays an important role in determining the characteristics of luminous efficiency and luminance according to the interface state with the phosphor.

또한, 상기 기판은 통상 유리 또는 세라믹 기판이 이용되어, 이러한 유리 또는 세라믹 기판 위에 상술한 절연막, 전극, 및 형광체층이 적층되고 부분적으로 또는 전체적으로 소성되어 소자의 구조를 이루게 된다.In addition, a glass or ceramic substrate is usually used for the substrate, and the insulating film, the electrode, and the phosphor layer described above are stacked on the glass or ceramic substrate and partially or wholly fired to form a device structure.

상기 기판 중 세라믹 기판의 경우에는 고가이고 깨지기가 쉬워서 공정에서 많은 주의가 필요하고 비용이 증가하는 단점이 있다.Among the substrates, the ceramic substrate is expensive and easily broken, which requires a great deal of attention in the process and increases the cost.

또한, 기판의 재료로 유리를 사용하게 되면 소성 온도의 제약이 따르게 된다. 즉, LCD나 PDP에서 사용하는 것과 같은 통상의 유리 기판을 이용할 경우에 소성 온도를 600℃ 이상 올리기 어렵게 되고, 그 외의 고융점 유리를 사용할 경우에는 비용이 크게 증가하게 된다.In addition, the use of glass as the material of the substrate is subject to the constraint of the firing temperature. In other words, when using a conventional glass substrate such as that used in LCD or PDP, it is difficult to raise the firing temperature by 600 ° C or higher, and when other high melting glass is used, the cost is greatly increased.

상술한 전계 발광 소자에서 사용되는 형광체층은 고온에서 소성할 경우에 형광체의 입자 크기가 증가하며, 따라서 형광체의 효율이 증가할 수 있다.The phosphor layer used in the electroluminescent device described above may increase the particle size of the phosphor when fired at a high temperature, thereby increasing the efficiency of the phosphor.

결국, 상술한 종래의 기판은 비용이 상승하거나, 핸들링이 용이하지 않고, 고온에서 소성함으로써 얻을 수 있는 형광체의 효율 증가 효과를 활용하지 못하는 문제점이 있었다.As a result, the above-described conventional substrate has a problem that the cost is not increased, the handling is not easy, and the efficiency increase effect of the phosphor obtained by firing at a high temperature is not utilized.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 고온에서 소성이 가능하고 양산성을 향상시킬 수 있어, 발광 효율을 향상시킬 수 있는 전계 발광 소자와 그 기판 및 그 제조방법을 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in an effort to provide an electroluminescent device, a substrate thereof, and a method of manufacturing the same, which can be baked at a high temperature, can improve mass productivity, and can improve luminous efficiency.

상기 기술적 과제를 이루기 위한 제1관점으로서, 본 발명은, 전계 발광 소자에 있어서, 금속 기판과; 상기 금속 기판 상에 형성되는 발광층을 포함하여 구성되는 것이 바람직하다.As a first aspect for achieving the above technical problem, the present invention provides an electroluminescent device comprising: a metal substrate; It is preferable that the light emitting layer is formed on the metal substrate.

상기 기술적 과제를 이루기 위한 제2관점으로서, 본 발명은, 전계 발광 소자에 있어서, 금속층을 포함하는 기판과; 상기 기판 상에 형성되는 발광층을 포함하여 구성되는 것이 바람직하다.As a second aspect for achieving the above technical problem, the present invention is an electroluminescent device comprising: a substrate comprising a metal layer; It is preferably configured to include a light emitting layer formed on the substrate.

상기 기술적 과제를 이루기 위한 제3관점으로서, 본 발명은, 전계 발광 소자의 기판에 있어서, 금속층과; 상기 금속층 상에 위치하며, 상기 금속층과의 열팽창계수를 정합시키기 위한 첨가제를 포함하는 절연층을 포함하여 구성되는 것이 바람직하다.As a third aspect for achieving the above technical problem, the present invention provides a substrate of an electroluminescent device comprising: a metal layer; It is preferably configured to include an insulating layer on the metal layer, including an additive for matching the coefficient of thermal expansion with the metal layer.

상기 기술적 과제를 이루기 위한 제4관점으로서, 본 발명은, 전계 발광 소자의 제조방법에 있어서, 금속 기판 상에 절연층을 형성하는 단계와; 상기 절연층 상에 발광층을 형성하는 단계와; 상기 금속 기판을 포함하여 소성하는 단계를 포함하여 구성되는 것이 바람직하다.As a fourth aspect for achieving the above technical problem, the present invention provides a method of manufacturing an electroluminescent device, comprising: forming an insulating layer on a metal substrate; Forming a light emitting layer on the insulating layer; It is preferably configured to include the step of firing including the metal substrate.

이하, 첨부된 도면을 참고하여 본 발명에 의한 실시예를 상세히 설명하면 다 음과 같다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명은 여러 가지 수정 및 변형을 허용하면서도, 그 특정 실시예들이 도면들로 예시되어 나타내어지며, 이하에서 상세히 설명될 것이다. 그러나 이는 본 발명을 게시된 특별한 형태로 한정하려는 의도는 아니며, 오히려 본 발명은 청구항들에 의해 정의된 본 발명의 사상과 합치되는 모든 수정, 균등 및 대용을 포함한다. While the invention allows for various modifications and variations, specific embodiments thereof are illustrated by way of example in the drawings and will be described in detail below. However, this is not intended to limit the invention to the particular forms disclosed, but rather the invention includes all modifications, equivalents, and substitutes consistent with the spirit of the invention as defined by the claims.

동일한 참조번호는 도면의 설명을 통하여 동일한 요소를 나타낸다. 도면들에서 층들 및 영역들의 치수는 명료성을 위해 과장될 수 있다. Like reference numerals denote like elements throughout the description of the drawings. In the drawings, the dimensions of layers and regions may be exaggerated for clarity.

층, 영역 또는 기판과 같은 요소가 다른 구성요소 "상(on)"에 존재하는 것으로 언급될 때, 이것은 직접적으로 다른 요소 상에 존재하거나 또는 그 사이에 중간 요소가 존재할 수도 있다는 것을 의미한다. When an element such as a layer, region or substrate is referred to as being on another component "on", this means that there may be an intermediate element directly on another element or in between.

이러한 용어들은 도면들에서 묘사된 방향에 더하여 소자의 다른 방향들을 포함하려는 의도라는 것을 이해할 수 있을 것이다. 마지막으로 '직접(directly)'라는 용어는 중간에 개입되는 어떠한 요소가 없다는 것을 의미한다. 여기에서 사용되는 바와 같이 '및/또는'이라는 용어는 기록된 관련 항목 중의 하나 또는 그 이상의 어느 조합 및 모든 조합을 포함한다.It will be understood that these terms are intended to include other directions of the device in addition to the direction depicted in the figures. Finally, the term 'directly' means that there is no element in between. As used herein, the term 'and / or' includes any and all combinations of one or more of the recorded related items.

비록 제1, 제2 등의 용어가 여러 가지 요소들, 성분들, 영역들, 층들 및/또는 지역들을 설명하기 위해 사용될 수 있지만, 이러한 요소들, 성분들, 영역들, 층들 및/또는 지역들은 이러한 용어에 의해 한정되어서는 안 된다는 것을 이해할것이다. Although the terms first, second, etc. may be used to describe various elements, components, regions, layers, and / or regions, such elements, components, regions, layers, and / or regions It will be understood that it should not be limited by these terms.

이러한 용어들은 단지 다른 영역, 층 또는 지역으로부터 어느 하나의 요소, 성분, 영역, 층 또는 지역들을 구분하기 위해 사용되는 것이다. 따라서 아래에서 논의된 제1 영역, 층 또는 지역은 제2 영역, 층 또는 지역이라는 명칭으로 될 수 있다.These terms are only used to distinguish one element, component, region, layer or region from another region, layer or region. Thus, the first region, layer or region discussed below may be referred to as the second region, layer or region.

<제1실시예>First Embodiment

도 1에서 도시하는 바와 같이, 본 발명의 전계 발광 소자는 금속을 포함하는 기판(100) 상에 형성된다.As shown in FIG. 1, the electroluminescent element of the present invention is formed on a substrate 100 containing a metal.

이러한 금속을 포함하는 기판(100)은, 도 1과 같이, 금속층(110)과, 이 금속층(110) 상에 위치하는 절연층(120)을 포함하여 구성될 수 있다.The substrate 100 including the metal may include a metal layer 110 and an insulating layer 120 positioned on the metal layer 110 as shown in FIG. 1.

상기 기판(100)에 이용될 수 있는 금속층(110)은 타이타늄(Ti), 니켈(Ni), 및 코발트(Co) 중 어느 하나의 금속으로 이루어질 수 있다.The metal layer 110 that may be used for the substrate 100 may be made of any one metal of titanium (Ti), nickel (Ni), and cobalt (Co).

물론, 이러한 타이타늄(Ti), 니켈(Ni), 및 코발트(Co) 중 어느 하나 이상의 금속의 합금으로 이루어질 수도 있으며, 이러한 타이타늄(Ti), 니켈(Ni), 및 코발트(Co) 중 어느 하나 이상을 주 원소로 하여, 다른 금속을 포함하는 합금으로 형성될 수도 있다.Of course, it may be made of an alloy of any one or more of such metals as titanium (Ti), nickel (Ni), and cobalt (Co), and at least one of such titanium (Ti), nickel (Ni), and cobalt (Co). As a main element, it may be formed from an alloy containing another metal.

상기 절연층(120)은, 기판(100) 상에 형성되는 발광층(200: 도 3 참고)과의 절연을 위하여 형성되며, 세라믹, 글래스 등의 유전체를 포함하여 이루어질 수 있다.The insulating layer 120 is formed to insulate the light emitting layer 200 (refer to FIG. 3) formed on the substrate 100, and may include a dielectric such as ceramic and glass.

이러한 절연층(120)은 그린 시트로 제조되어 상기 기판(100)의 금속층(110) 상에 형성될 수 있으며, 이러한 그린 시트에는 유전체 분말, 바인더, 분산제, 용 제, 및 가소제 등이 포함될 수 있다.The insulating layer 120 may be formed of a green sheet and formed on the metal layer 110 of the substrate 100. The green sheet may include a dielectric powder, a binder, a dispersant, a solvent, a plasticizer, and the like. .

이와 같이, 그린 시트법에 의하여 제조되는 경우에는, 상기 기판(100)의 금속층(110) 상에 상기 그린 시트가 라미네이팅되어 절연층(120)이 형성될 수 있다. 이와 같이 라미네이팅된 절연층(120)의 그린 시트는 추후 소성될 수 있다.As such, when manufactured by the green sheet method, the green sheet may be laminated on the metal layer 110 of the substrate 100 to form the insulating layer 120. As such, the green sheet of the laminated insulating layer 120 may be fired later.

한편, 이러한 절연층(120)에는 온도 변화가 발생하였을 경우, 상기 금속층(110)과의 열팽창계수 정합을 위하여 첨가제가 포함될 수 있다. 이는 금속층(110)은 사용되는 물질의 종류에 따라 열팽창계수가 정해져 있으나, 절연층(120)은 열팽창계수를 해당 온도에 맞게 정합시킬 수 있기 때문이다.On the other hand, when the temperature change occurs, the insulating layer 120 may include an additive for matching the thermal expansion coefficient with the metal layer 110. This is because the metal layer 110 has a thermal expansion coefficient determined according to the type of material used, but the insulating layer 120 can match the thermal expansion coefficient according to a corresponding temperature.

예를 들어, 금속층(110)과 절연층(120)을 포함하는 기판(100) 또는 이를 포함하는 소자의 구조가 소성될 경우에는 이러한 소성 온도에 따라 열팽창이 발생할 수 있으며, 이때, 상기 기판(100)과 절연층(120)이 동일한 열팽창 경향을 가질 수 있도록 첨가제가 포함될 수 있는 것이다.For example, when the structure of the substrate 100 including the metal layer 110 and the insulating layer 120 or a device including the same is fired, thermal expansion may occur according to the firing temperature, and the substrate 100 ) And the insulating layer 120 may include additives to have the same thermal expansion tendency.

특히, 이러한 열팽창계수의 정합은 해당 소성 온도에서 최적의 정합이 이루어질 수 있도록 하는 것이 유리하다.In particular, it is advantageous that the matching of the thermal expansion coefficient is such that optimal matching can be achieved at the firing temperature.

예를 들어, 변동하는 온도 범위에 따라, 기판(100)이 일측 또는 타측 방향으로 휘거나 팽창하는 등의 일시적 변형이 발생할 수 있으며, 이때, 상기 절연층(120)도 기판(100)과 동일한 방향으로 변형이 발생되도록 할 수 있는 것이다.For example, the substrate 100 may be temporarily deformed, such as bending or expanding in one direction or the other, depending on the temperature range. In this case, the insulating layer 120 may also be in the same direction as the substrate 100. The deformation can be caused.

이러한 첨가제로서는 산화알루미늄(alumina), 지르코니아(zirconia: ZrO2), 산화티탄(TiO2), 고토감람석(forsterite: Mg2SiO4) 중 적어도 어느 하나 이상이 이 용될 수 있다.As such an additive, at least one of aluminum oxide, azirconia (ZrO 2 ), titanium oxide (TiO 2 ), and forsterite (Mg 2 SiO 4 ) may be used.

또한, 이러한 금속층(110)과 절연층(120)의 열팽창계수의 정합은 절연층(120)에 첨가제를 포함시키는 것과 더불어, 절연층(120)에 포함되는 모상 유전체 분말의 조성을 변화시킴으로써 달성할 수도 있다.In addition, the matching of the thermal expansion coefficient of the metal layer 110 and the insulating layer 120 may be achieved by including an additive in the insulating layer 120 and by changing the composition of the matrix dielectric powder included in the insulating layer 120. have.

이러한 열팽창계수의 정합은 절연층(120)에 첨가제를 사용하지 않고 상술한 절연층(120)에 포함되는 모상 유전체 분말의 조성을 변화시킴으로써 달성할 수도 있음은 물론이다.The matching of the thermal expansion coefficient may be achieved by changing the composition of the matrix dielectric powder included in the insulating layer 120 without using an additive in the insulating layer 120.

한편, 도 2에서 도시하는 바와 같이, 이러한 절연층(120)과 금속층(110)의 결합을 위하여 별도의 결합층(130)이 위치할 수도 있다.Meanwhile, as shown in FIG. 2, a separate bonding layer 130 may be positioned to couple the insulating layer 120 and the metal layer 110.

이와 같은 결합층(130)으로는 저융점의 유리 분말이 이용될 수 있으며, 이러한 유리 분말을 소성시킴으로써 절연층(120)과 금속층(110)이 견고히 결합될 수 있도록 할 수 있다.A low melting glass powder may be used as the bonding layer 130, and by firing the glass powder, the insulating layer 120 and the metal layer 110 may be firmly bonded.

이러한 구조를 갖는 기판(100)은 별도로 소성될 수 있고, 또한 이러한 기판(100) 상에 형성되는 발광층(200)의 일부 또는 전체와 함께 소성될 수도 있다.The substrate 100 having such a structure may be fired separately, or may be fired together with some or all of the light emitting layer 200 formed on the substrate 100.

상술한 바와 같이, 금속층(110)을 포함하는 기판(100)은 고온 소성이 가능하며, 예를 들어, 600℃ 이상의 온도에서 소성이 가능하다. 일반적으로 금속의 융점은 유리에 비하여 매우 높으므로, 소성 온도를 크게 상승시킬 수 있으며, 따라서 소성 온도 상승에 따른 효과를 충분히 누릴 수 있다.As described above, the substrate 100 including the metal layer 110 may be fired at a high temperature, for example, at a temperature of 600 ° C. or higher. In general, since the melting point of the metal is much higher than that of glass, the firing temperature can be greatly increased, and thus, the effect of the firing temperature rise can be sufficiently enjoyed.

또한, 금속은 열전도 특성이 우수하므로 소자에서 발생하는 열이 금속층(110)을 포함하는 기판(100)에 의하여 용이하게 배출될 수 있어, 상술한 기 판(100) 구조는 발열에 유리한 장점을 가질 수 있다.In addition, since the metal has excellent thermal conductivity, heat generated in the device may be easily discharged by the substrate 100 including the metal layer 110, and thus, the above-described substrate 100 structure may have an advantage in generating heat. Can be.

이와 같은 기판(100) 상에는 도 3에서와 같이, 전계에 의하여 발광하는 형광체층을 포함하는 발광층(200)이 형성된다. 이러한 발광층(200)의 형성을 설명하면 다음과 같다. 3, the light emitting layer 200 including the phosphor layer emitting light by an electric field is formed on the substrate 100. The formation of the light emitting layer 200 will be described below.

먼저, 상기 기판(100) 상에는 하부 전극(210)이 형성되며, 이러한 하부 전극(210)은 특정 패턴, 예를 들어, 스트라이프 형상으로 패터닝될 수 있다.First, a lower electrode 210 is formed on the substrate 100, and the lower electrode 210 may be patterned into a specific pattern, for example, a stripe shape.

이러한 하부 전극(210)은 구리(Cu), 크롬(Cr), 금(Au)과 같은 금속이 스퍼터링 방법에 의하여 형성될 수 있으며, 은(Ag) 또는 은(Ag)을 포함한 합금으로 형성될 수도 있다.The lower electrode 210 may be formed of a metal such as copper (Cu), chromium (Cr), or gold (Au) by a sputtering method, or may be formed of an alloy containing silver (Ag) or silver (Ag). have.

이때, 상기 은(Ag) 또는 은(Ag)을 포함하는 합금은 인쇄법 또는 그린 시트법으로 형성이 가능하다. 따라서 이와 같이, 하부 전극(210)을 은(Ag) 또는 은(Ag)을 포함하는 합금으로 형성할 경우에는, 하부 전극(210)을 보다 간단한 공정으로 보다 두껍게 형성할 수 있다.At this time, the alloy containing silver (Ag) or silver (Ag) can be formed by a printing method or a green sheet method. Thus, when the lower electrode 210 is formed of silver (Ag) or an alloy containing silver (Ag), the lower electrode 210 may be formed thicker in a simpler process.

즉, 상술한 인쇄법 또는 그린 시트법은 스퍼터링법과 같은 방법에 비하여 고가의 장비를 필요로 하지 않고, 간단한 공정에 의하여 제작이 가능하며, 스퍼터링법과 같은 방법에 비하여 보다 두껍게 하부 전극(210)을 형성할 수 있다.That is, the printing method or the green sheet method described above does not require expensive equipment than the sputtering method, and can be manufactured by a simple process, and the lower electrode 210 is formed thicker than the sputtering method. can do.

이러한 하부 전극(210) 상에는 하부 유전층(220)이 형성된다. 이러한 하부 유전층(220)은 한차례 또는 수차례에 걸쳐 형성될 수 있으며, 인쇄법, 그린 시트법, 또는 테이블 코팅법 등의 방법에 의하여 형성될 수 있다.The lower dielectric layer 220 is formed on the lower electrode 210. The lower dielectric layer 220 may be formed one or several times, and may be formed by a printing method, a green sheet method, or a table coating method.

이후에는 도 5에서 도시하는 바와 같이, 하부 유전층(220) 상에 형광체 층(230)이 형성된다. 이러한 형광체층(230)은 적색 형광체(231), 녹색 형광체(232), 및 청색 형광체(233)가 차례로 형성되거나 패터닝 되어 발광셀을 이룰 수 있다.Subsequently, as shown in FIG. 5, the phosphor layer 230 is formed on the lower dielectric layer 220. In the phosphor layer 230, a red phosphor 231, a green phosphor 232, and a blue phosphor 233 may be sequentially formed or patterned to form a light emitting cell.

이러한 세 개의 형광체는 하나의 픽셀을 이룰 수 있으며, 적색(231) 형광체, 녹색(232) 형광체, 및 청색 형광체(233)가 각각 서브 픽셀로서 배열되어 형성될 수 있다.These three phosphors may form one pixel, and the red 231 phosphor, the green 232 phosphor, and the blue phosphor 233 may be formed as subpixels, respectively.

이와 같이 형성된 형광체층(230) 상에는, 도 6에서와 같이, 상부 유전층(240)과 상부 전극(250)이 차례로 형성된다.On the phosphor layer 230 formed as described above, as shown in FIG. 6, the upper dielectric layer 240 and the upper electrode 250 are sequentially formed.

상기 상부 유전층(240)은 상술한 하부 유전층(220)과 동일한 방법으로 형성될 수 있다.The upper dielectric layer 240 may be formed in the same manner as the lower dielectric layer 220 described above.

또한, 상부 전극(250)은 상기 하부 전극(210)과 교차하는 패턴으로 형성될 수 있으며, 예를 들어, 상기 하부 전극(210)의 패턴과 직교하는 스트라이프 형상으로 형성될 수 있다.In addition, the upper electrode 250 may be formed in a pattern crossing the lower electrode 210. For example, the upper electrode 250 may be formed in a stripe shape orthogonal to the pattern of the lower electrode 210.

이와 같이, 형성된 발광층(200) 상에는, 도 7에서 도시하는 바와 같이, 상기 형광체층(230)에서 발광한 빛이 컬러 좌표에 맞도록 보정하는 색보정층(300)이 위치할 수 있다.As illustrated in FIG. 7, the color correction layer 300 for correcting the light emitted from the phosphor layer 230 to match the color coordinates may be positioned on the formed light emitting layer 200.

또한, 상기 발광층(200) 또는 색보정층(300) 상에는 보호층(400)이 형성되어, 외부의 충격으로부터 발광층(200)과 기판(100)을 보호할 수 있다.In addition, a protective layer 400 may be formed on the light emitting layer 200 or the color correction layer 300 to protect the light emitting layer 200 and the substrate 100 from external impact.

<제2실시예>Second Embodiment

도 8에서 도시하는 바와 같이, 금속층(110)을 포함하는 기판(100) 상에는 발 광층(200)이 형성된다.As shown in FIG. 8, the light emitting layer 200 is formed on the substrate 100 including the metal layer 110.

또한, 이러한 발광층(200)의 하부 전극(210)과 하부 유전층(220)이 차례로 형성되고, 상기 금속층(110)과 발광층(200) 사이에는 절연층(120)이 위치할 수 있으며, 이는 상기 실시예와 동일하다.In addition, the lower electrode 210 and the lower dielectric layer 220 of the light emitting layer 200 may be sequentially formed, and the insulating layer 120 may be positioned between the metal layer 110 and the light emitting layer 200. Same as the example.

이때, 상기 하부 유전체층(220) 상에는 도 8에서와 같이, 청색 형광체(233)가 전체 층을 이루는 형광체층(230)을 이룰 수 있다.In this case, as shown in FIG. 8, the blue phosphor 233 may form the phosphor layer 230 forming the entire layer on the lower dielectric layer 220.

이와 같이 청색 형광체(233)에 의하여 발광된 청색 광은 추후 설명하는 색변환층(260: 도 9 참고)에 의하여 적색광 및 녹색광으로 변환되어 전체 색상을 표현할 수 있다.As described above, the blue light emitted by the blue phosphor 233 may be converted into red light and green light by the color conversion layer 260 (see FIG. 9), which will be described later, to represent the entire color.

이와 같이 형성된 형광체층(230) 상에는 상부 유전층(240)과 상부 전극(250)이 차례로 형성된다.The upper dielectric layer 240 and the upper electrode 250 are sequentially formed on the phosphor layer 230 formed as described above.

상기 상부 유전층(240)은 상술한 하부 유전층(220)과 동일한 방법으로 형성될 수 있다.The upper dielectric layer 240 may be formed in the same manner as the lower dielectric layer 220 described above.

또한, 상부 전극(250)은 상기 하부 전극(210)과 교차하는 패턴으로 형성될 수 있으며, 예를 들어, 상기 하부 전극(210)의 패턴과 직교하는 스트라이프 형상으로 형성될 수 있다.In addition, the upper electrode 250 may be formed in a pattern crossing the lower electrode 210. For example, the upper electrode 250 may be formed in a stripe shape orthogonal to the pattern of the lower electrode 210.

이러한 상부 전극(250) 상에는 색변환층(260)이 형성된다. 이러한 색변환층(260)은 상술한 바와 같이, 청색 형광체(233)에서 발광된 청색광을 각각 적색(R)광, 녹색(G)광으로 변환시킬 수 있다.The color conversion layer 260 is formed on the upper electrode 250. As described above, the color conversion layer 260 may convert blue light emitted from the blue phosphor 233 into red (R) light and green (G) light, respectively.

도 10에서는 상기 색변환층(260)의 작용을 개략적으로 도시하고 있다. 즉, 색변환층(260)은 적색 변환부(261), 녹색 변환부(262), 및 청색 보정부(263)로 구성되어 있어, 상기 적색 변환부(261)는 청색광을 적색으로, 녹색 변환부(262)는 청색광을 녹색으로 변환시키는 것이다.10 schematically illustrates the operation of the color conversion layer 260. That is, the color conversion layer 260 is composed of a red conversion unit 261, a green conversion unit 262, and a blue correction unit 263, and the red conversion unit 261 converts blue light into red and green conversion. The unit 262 converts blue light into green.

이때, 상기 청색 보정부(263)는 상기 청색광을 보정시킬 수 있고, 경우에 따라서는 그대로 통과시킬 수도 있다.In this case, the blue corrector 263 may correct the blue light, and may pass the light as it is.

이러한 색변환층(260) 상에 별도의 색보정층이 위치할 수도 있으나, 상기 색변환층(260)이 최적의 색좌표로 각 색상을 출력할 수 있다면 별도의 색보정층이 필요하지 않을 수 있다.Although a separate color correction layer may be located on the color conversion layer 260, a separate color correction layer may not be necessary if the color conversion layer 260 can output each color in an optimal color coordinate. .

또한, 상기 색변환층(260) 상에는 보호층(400)이 형성되어, 외부의 충격으로부터 발광층(200)과 기판(100)을 보호할 수 있다.In addition, a protective layer 400 is formed on the color conversion layer 260 to protect the light emitting layer 200 and the substrate 100 from external impact.

상술한 바와 같이, 금속층(110)을 포함하는 기판(100)은 고온 소성이 가능하며, 예를 들어, 600℃ 이상의 온도에서 소성이 가능하다. 일반적으로 금속의 융점은 유리에 비하여 매우 높으므로, 소성 온도를 크게 상승시킬 수 있으며, 따라서 소성 온도 상승에 따른 효과를 충분히 누릴 수 있다.As described above, the substrate 100 including the metal layer 110 may be fired at a high temperature, for example, at a temperature of 600 ° C. or higher. In general, since the melting point of the metal is much higher than that of glass, the firing temperature can be greatly increased, and thus, the effect of the firing temperature rise can be sufficiently enjoyed.

상기 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구체적으로 설명하기 위한 일례로서, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 다양한 형태의 변형이 가능하고, 이러한 기술적 사상의 여러 실시 형태는 모두 본 발명의 보호범위에 속함은 당연하다.The above embodiment is an example for explaining the technical idea of the present invention in detail, and the present invention is not limited to the above embodiment, various modifications are possible, and various embodiments of the technical idea are all protected by the present invention. It belongs to the scope.

이상과 같은 본 발명은 다음과 같은 효과가 있는 것이다.The present invention as described above has the following effects.

첫째, 금속을 포함하는 기판을 구성함으로써, 기판 상에 형성되는 구조를 고온에서 소성하는 것이 가능하다.First, by constructing a substrate including a metal, it is possible to fire the structure formed on the substrate at a high temperature.

둘째, 이와 같이 고온 소성이 가능하여 형광체의 효율을 향상시킬 수 있다.Secondly, high-temperature firing is possible such that the efficiency of the phosphor can be improved.

셋째, 기판 및 기판 상에 형성되는 구조의 핸들링이 용이하여 양산성이 향상되고 비용을 절감할 수 있다.Third, the handling of the substrate and the structure formed on the substrate is easy to improve mass productivity and reduce cost.

Claims (27)

전계 발광 소자에 있어서,In the electroluminescent device, 금속 기판과;A metal substrate; 상기 금속 기판 상에 형성되며, 형광체층과, 상기 형광체층의 양면 상에 위치하는 유전층을 포함하는 발광층을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 전계 발광 소자.And a light emitting layer formed on the metal substrate and including a phosphor layer and a dielectric layer positioned on both surfaces of the phosphor layer. 제 1항에 있어서, 상기 각 유전층 상에 위치하는 전극을 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 전계 발광 소자.The electroluminescent device of claim 1, further comprising an electrode disposed on each of the dielectric layers. 제 1항에 있어서, 상기 형광체층은, 적색(R), 녹색(G), 및 청색(B)을 발광하는 것을 특징으로 하는 전계 발광 소자.The electroluminescent device according to claim 1, wherein the phosphor layer emits red (R), green (G), and blue (B). 제 1항에 있어서, 상기 형광체층은, 청색(B)을 발광하는 것을 특징으로 하는 전계 발광 소자.The electroluminescent device according to claim 1, wherein the phosphor layer emits blue (B). 제 4항에 있어서, 상기 형광체층 상에는, 상기 청색(B) 광을 적색(R) 및 녹 색(G)으로 변환하는 색변환층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 발광 소자.The electroluminescent device according to claim 4, further comprising a color conversion layer for converting the blue (B) light into red (R) and green (G) on the phosphor layer. 제 5항에 있어서, 상기 색변환층은, 상기 전극 상에 위치하는 것을 특징으로 하는 전계 발광 소자.The electroluminescent device according to claim 5, wherein the color conversion layer is located on the electrode. 제 2항에 있어서, 상기 전극은, Ag 또는 Ag를 포함하는 합금으로 형성되는 것을 특징으로 하는 전계 발광 소자.The electroluminescent device according to claim 2, wherein the electrode is made of Ag or an alloy containing Ag. 제 1항에 있어서, 상기 형광체층에서 발광하는 광의 색상을 보정하는 색보정층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 발광 소자.The electroluminescent device according to claim 1, further comprising a color correction layer that corrects the color of light emitted from the phosphor layer. 제 1항에 있어서, 상기 금속 기판은, Ti, Ni, 또는 Co 중 어느 하나를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계 발광 소자.The electroluminescent device according to claim 1, wherein the metal substrate comprises any one of Ti, Ni, and Co. 제 1항에 있어서, 상기 금속 기판은, Ti, Ni, 또는 Co 중 적어도 어느 하나 이상의 합금, 또는 Ti, Ni, 또는 Co를 주원소로 하는 합금 중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계 발광 소자.The electroluminescent device according to claim 1, wherein the metal substrate is made of at least one alloy of Ti, Ni, or Co, or an alloy containing Ti, Ni, or Co as a main element. 제 1항에 있어서, 상기 금속 기판과 발광층 사이에는 절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 발광 소자.The electroluminescent device according to claim 1, further comprising an insulating layer between the metal substrate and the light emitting layer. 제 11항에 있어서, 상기 절연층은, 상기 금속 기판과의 열팽창계수 정합을 위한 첨가제를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 발광 소자.The electroluminescent device according to claim 11, wherein the insulating layer comprises an additive for matching a coefficient of thermal expansion with the metal substrate. 제 12항에 있어서, 상기 금속 기판과의 열팽창계수의 정합은, 상기 열팽창계수가 상기 소자의 소성 온도에서 최적의 정합이 이루어지도록 하는 것을 특징으로 하는 전계 발광 소자.The electroluminescent device according to claim 12, wherein the thermal expansion coefficient is matched with the metal substrate so that the thermal expansion coefficient is optimally matched at the firing temperature of the device. 제 12항에 있어서, 상기 첨가제는, 산화알루미늄(alumina), 지르코니아(zirconia: ZrO2), 산화티탄(TiO2), 고토감람석(forsterite: Mg2SiO4) 중 적어도 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 전계 발광 소자.The method of claim 12, wherein the additive is at least one of aluminum oxide (alumina), zirconia (zirconia: ZrO 2 ), titanium oxide (TiO 2 ), forsterite (Mg 2 SiO 4 ). EL device. 제 11항에 있어서, 상기 금속 기판과 절연층 사이에는, 상기 금속 기판과 절연층의 결합을 위한 결합층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 발광 소자.The electroluminescent device according to claim 11, further comprising a bonding layer between the metal substrate and the insulating layer for bonding the metal substrate and the insulating layer. 제 15항에 있어서, 상기 결합층은 저융점 유리인 것을 특징으로 하는 전계 발광 소자.The electroluminescent device according to claim 15, wherein the bonding layer is low melting glass. 전계 발광 소자에 있어서,In the electroluminescent device, 금속층을 포함하는 기판과;A substrate comprising a metal layer; 상기 기판 상에 형성되며, 형광체층과, 상기 형광체층의 양면 상에 위치하는 유전층을 포함하는 발광층을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 전계 발광 소자.And a light emitting layer formed on the substrate, the light emitting layer including a phosphor layer and a dielectric layer positioned on both surfaces of the phosphor layer. 전계 발광 소자의 기판에 있어서,In the substrate of the electroluminescent element, 금속층과;A metal layer; 상기 금속층 상에 위치하며, 상기 금속층과의 열팽창계수를 정합시키기 위한 첨가제를 포함하는 절연층을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 전계 발광 소자의 기판.And an insulating layer on the metal layer, the insulating layer including an additive for matching a coefficient of thermal expansion with the metal layer. 제 18항에 있어서, 상기 절연층은, 유전체를 포함하는 그린 시트인 것을 특징으로 하는 전계 발광 소자의 기판.The substrate of an electroluminescent device according to claim 18, wherein the insulating layer is a green sheet containing a dielectric. 제 18항에 있어서, 상기 금속층과 절연층 사이에는, 상기 금속층과 절연층의 결합을 위한 결합층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 발광 소자의 기판.19. The substrate of claim 18, further comprising a bonding layer for bonding the metal layer and the insulating layer between the metal layer and the insulating layer. 제 20항에 있어서, 상기 결합층은, 저융점 유리인 것을 특징으로 하는 전계 발광 소자의 기판.The substrate of an electroluminescent device according to claim 20, wherein the bonding layer is low melting glass. 전계 발광 소자의 제조방법에 있어서,In the manufacturing method of the electroluminescent element, 금속 기판 상에 절연층을 형성하는 단계와;Forming an insulating layer on the metal substrate; 상기 절연층 상에 유전층을 포함하는 발광층을 형성하는 단계와;Forming a light emitting layer including a dielectric layer on the insulating layer; 상기 금속 기판을 포함하여 소성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 전계 발광 소자의 제조방법.Method of manufacturing an electroluminescent device comprising the step of firing including the metal substrate. 제 22항에 있어서, 상기 절연층을 도포하는 단계는, 유전체를 포함하는 그린 시트를 라미네이팅하는 것을 특징으로 하는 전계 발광 소자의 제조방법.The method of claim 22, wherein the applying of the insulating layer comprises laminating a green sheet including a dielectric. 제 22항에 있어서, 상기 절연층은, 열팽창계수를 정합시키기 위한 첨가제를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 발광 소자의 제조방법.23. The method of claim 22, wherein the insulating layer includes an additive for matching a thermal expansion coefficient. 제 22항에 있어서, 상기 금속 기판과 절연층 사이에는 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 발광 소자의 제조방법.23. The method of claim 22, further comprising forming an electrode between the metal substrate and the insulating layer. 제 25항에 있어서, 상기 전극은, Ag 또는 Ag의 합금으로 형성되는 것을 특징으로 하는 전계 발광 소자의 제조방법.The method of claim 25, wherein the electrode is formed of Ag or an alloy of Ag. 제 25항에 있어서, 상기 전극은, 인쇄법 또는 그린 시트법을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 전계 발광 소자의 제조방법.The method according to claim 25, wherein the electrode is formed by a printing method or a green sheet method.
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