KR100767201B1 - Plasma display panel device - Google Patents
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Abstract
본 발명은 플라즈마 디스플레이 장치에 관한 것으로서, 공진 전류 경로상의 노드 1과 스캔 IC 사이에 접속되어 상기 패널 커패시터로 스캔 바이어스 신호를 인가하는 스캔 스위치와, 상기 스캔 IC와 직접 연결되어 패널 커패시터로 셋업신호를 인가하는 셋업 스위치를 포함하여 구성됨에 따라, 스캔 스위치 및 제 1 경로차단용 스위치의 양단에 걸리는 전압이 감소되어 소자 내구성이 향상되며, 상보스캔 스위치 및 제 2 경로차단용 스위치의 제거가 가능해 제조비용이 절감된다는 효과가 있다.The present invention relates to a plasma display device, comprising: a scan switch connected between a node 1 on a resonant current path and a scan IC to apply a scan bias signal to the panel capacitor, and directly connected to the scan IC to provide a setup signal to the panel capacitor. By including an applied setup switch, the voltage across the scan switch and the first path blocking switch is reduced, thereby improving device durability, and eliminating the complementary scan switch and the second path blocking switch. This saves the effect.
PDP, 스캔 스위치, 내압, 셋업 스위치, 리셋구간 PDP, Scan Switch, Breakdown Voltage, Setup Switch, Reset Section
Description
도 1은 종래 플라즈마 디스플레이 장치의 구동회로도,1 is a driving circuit diagram of a conventional plasma display device;
도 2는 플라즈마 디스플레이 장치에서의 단위 서브필드 동안의 파형,2 shows waveforms during unit subfields in a plasma display device;
도 3은 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치의 구동회로도, 3 is a driving circuit diagram of a plasma display device of the present invention;
도 4는 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치에서의 단위 서브필드 동안의 파형도, 4 is a waveform diagram during unit subfields in the plasma display device of the present invention;
도 5는 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치에서의 스캔 스위치 전압의 파형도, 5 is a waveform diagram of a scan switch voltage in the plasma display device of the present invention;
도 6은 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치에서의 제 1 경로차단용 스위치의 전압 파형도이다.6 is a voltage waveform diagram of a first path blocking switch in the plasma display device of the present invention.
<도면의 주요 부분에 관한 부호의 설명><Explanation of symbols on main parts of the drawings>
10: 에너지 회수부 20: 서스테인신호 인가부10: energy recovery unit 20: sustain signal applying unit
30su,30su': 셋업신호 인가부 30sd: 셋다운신호 인가부30su, 30su ': setup signal applying unit 30sd: set down signal applying unit
40sb: 스캔바이어스신호 인가부 40sp: 스캔펄스 인가부40sb: scan bias signal applying unit 40sp: scan pulse applying unit
본 발명은 스캔 스위치 또는 셋업 스위치의 회로결선을 전환하여 스캔 바이어스 신호를 인가하는 스캔 스위치의 양단에 걸리는 전압을 감소시키는 한편, 최저 서스테인 신호의 경로를 전환하여 스위치 소자의 개수를 감소시킬 수 있는 플라즈마 디스플레이 장치에 관한 것이다. The present invention reduces the voltage across the scan switch for applying the scan bias signal by switching the circuit connection of the scan switch or the setup switch, while reducing the number of switch elements by switching the path of the lowest sustain signal. It relates to a display device.
최근 개발되는 평면 표시장치에는 액정 표시장치(liquid crystal display; LCD), 전계방출 표시장치(field emission display; FED), 플라즈마 디스플레이 패널(plasma display panel; PDP) 등이 있다. 이 중, PDP는 다른 평면 표시장치에 비하여 휘도 및 발광효율이 높고 시야각이 넓어 대형 표시장치로 각광받고 있다. Recently developed flat panel displays include liquid crystal displays (LCDs), field emission displays (FEDs), plasma display panels (PDPs), and the like. Among them, PDPs are in the spotlight as large display devices because they have higher luminance and luminous efficiency and wider viewing angles than other flat panel display devices.
도 1은 종래 플라즈마 디스플레이 패널의 구동회로를 도시한 것으로서, 에너지 회수부(1), 서스테인신호 인가부(2), 리셋신호 인가부(3), 스캔신호 인가부(4)로 구성된다. 다만, 종래 문제점과 연관된 서스테인신호 인가부(2), 리셋신호 인가부(3) 및 스캔신호 인가부(4)의 회로 구성을 중심으로 살펴보기로 한다. FIG. 1 illustrates a driving circuit of a conventional plasma display panel, and includes an
상기 리셋신호 인가부(3)는 셋업전압원(Vsu)과 제 1 노드(n1) 사이에 접속된 제 3 스위치(Q3)가 도통(on)되어, 셋업전압원까지 상승하는 셋업신호를 제 1 노드에 공급하며, 제 4 스위치(Q4)가 도통(on)되어, 셋다운 전압원(-Vy)까지 하강하는 셋다운 신호를 제 1 노드에 공급한다. The reset
어드레스 구간동안 상기 스캔신호 인가부(4)는 제 5 스위치(Q5)를 도통하여 리셋구간 중에 셋다운 전압(-Vy)까지 하강된 전압레벨로부터 스캔 바이어스 전압원(-Vsus/2)까지 상승시켜 스캔 바이어스 신호를 인가한다.During the address period, the scan
이후, 어드레스 전극으로 데이터 신호가 인가되면, 이와 동기적으로 제 6 스위치(Q6)를 도통시킴으로써 스캔전압원(-Vy)까지 하강하는 스캔펄스를 제 1 노드(n1)로 공급하여, 어드레스 방전을 일으킨다.Subsequently, when a data signal is applied to the address electrode, the sixth switch Q6 is synchronously supplied to thereby supply a scan pulse that falls to the scan voltage source -Vy to the first node n1 to cause an address discharge. .
이때, 스캔 IC는 푸쉬풀 형태로 접속되는 제 7 및 제 8 스위치(Q7,Q8)가 포함되어 구성되며, 각 스위치 사이의 출력단자는 패널 커패시터(Cp)와 접속된다. 상기 제 7 및 제 8 스위치 각각은 제 1 노드상의 신호 또는 스캔펄스를 패널 커패시터로 공급한다. In this case, the scan IC includes seventh and eighth switches Q7 and Q8 connected in a push-pull form, and output terminals between the switches are connected to the panel capacitor Cp. Each of the seventh and eighth switches supplies a signal or scan pulse on the first node to the panel capacitor.
또한, 상기 회로에는 셋다운 신호 및 스캔펄스가 패널 커패시터를 향하여 인가되도록 노드 1상의 다른 경로를 차단하는 제 1 경로차단용 스위치(Q10)와, 셋업신호가 패널 커패시터를 향하여 인가되도록 노드 1상의 다른 방향의 경로를 차단하는 제 2 경로차단용 스위치(Q11)를 포함하여 구성된다.In addition, the circuit includes a first path blocking switch Q10 for blocking another path on
어드레스 구간동안 선택된 방전셀에서 서스테인 방전을 일으키는 서스테인신호 인가부(2)는 서스테인 구간동안 스캔전극 및 서스테인 전극에 방전전압 이상의 전압차가 형성되도록 한다. 이를 위해, 제 1 스위치(Q1)가 도통되어 최고 서스테인 전압(Vsus/2)을 제 1 노드(n1)에 공급하고, 제 2 스위치(Q2)를 도통하여 최저 서스테인 전압(-Vsus/2)을 공급한다. The sustain
이때, 상기 노드 1(n1)의 전압을 어느 레벨로 설정하느냐에 따라 회로상 공 급되는 직류전압원의 레벨이 상이해지는바, 도 1에서는 노드 1을 그라운드로 설정하고, 상기 최고 서스테인 전압을 Vsus/2로 하고, 최저 서스테인 전압을 -Vsus/2로 공급하는 것을 예시한다. At this time, the level of the DC voltage source supplied in the circuit is different depending on the level at which the voltage of the node 1 (n1) is set. In FIG. 1, the
여기서, 상기 스캔신호 인가부(4)는 스캔 바이어스 전압원을 상기 최저 서스테인 전압원(-Vsus/2)을 공용하도록 연결되므로, 어드레스 구간이 개시되면 제 5 스위치(Q5)가 도통되어 -Vsus/2레벨의 스캔 바이어스 전압이 인가된다. Here, the scan
이때, 상기 제 5 스위치(Q5)는 일단이 상기 최저 서스테인 전압원(-Vsus)과 연결되고, 타단이 상기 패널 커패시터(Cp)와 연결되며, 셋업구간 중에는 노드 1의 전압이 셋업전압원(Vsu)까지 상승하므로 상기 제 5 스위치의 양단에는 [Vsu-(-Vsus/2)], 즉 [Vsu+Vsus/2]만큼의 전압이 걸린다. At this time, one end of the fifth switch Q5 is connected to the lowest sustain voltage source (-Vsus), the other end is connected to the panel capacitor Cp, and a voltage of
이는 도 2a의 ② 파형과 같으며, 이로 인해 셋업구간에서 제 5 스위치(스캔 스위치)의 내압을 초과할 우려가 있었다. This is the same as the
뿐만 아니라, 서스테인 구간동안 최고 서스테인 신호는 도 1의 ⓐ와 같은 경로로 인가되고, 최저 서스테인 신호는 도 1의 ⓑ와 같은 경로로 인가되므로, 제 1 경로차단용 스위치의 양단은 [최고 서스테인 신호-최저 서스테인 신호=Vsus]만큼의 전압이 걸린다. In addition, during the sustain period, the highest sustain signal is applied in the same path as ⓐ of FIG. 1, and the lowest sustain signal is applied in the same path as ⓑ of FIG. 1, so that both ends of the first path blocking switch are [highest sustain signal − The minimum sustain signal = Vsus] is applied.
이는 도 2b의 ③파형과 같으며, 이로 인해 서스테인 구간에서 제 1 경로차단용 스위치의 내압을 초과할 우려가 있었다.This is the same as the
본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 그 목적은 회로 결선을 전환함으로써 스캔 바이어스 신호를 인가하는 스캔 스위치의 내압이 초과되는 위험을 방지할 수 있는 플라즈마 디스플레이 장치를 제공한다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems of the prior art, and an object thereof is to provide a plasma display apparatus capable of preventing the risk of exceeding the breakdown voltage of a scan switch applying a scan bias signal by switching a circuit connection. .
또한, 최저 서스테인 신호가 인가되는 경로를 전환함으로써 제 2 경로차단용 스위치의 내압이 초과되는 위험을 방지하고, 스위치 소자의 개수를 감소시킬 수 있는 플라즈마 디스플레이 장치를 제공하는데 있다.In addition, the present invention provides a plasma display apparatus capable of preventing the risk of exceeding the breakdown voltage of the second path blocking switch by switching the path to which the lowest sustain signal is applied, and reducing the number of switch elements.
상기한 과제를 해결하기 위한 본 발명에 의한 플라즈마 디스플레이 장치는 공진 전류 경로상의 노드 1과 스캔 IC 사이에 접속되어 상기 패널 커패시터로 스캔 바이어스 신호를 인가하는 스캔 스위치와, 상기 스캔 IC와 직접 연결되어 패널 커패시터로 셋업신호를 인가하는 셋업 스위치를 포함하여 구성되어, 셋업구간에 상기 스캔 스위치의 양단에 걸리는 전압이 종래에 비해 감소되는 한편, 종래 제 2 경로차단용 스위치는 제거 가능하다.According to an aspect of the present invention, a plasma display device includes a scan switch connected between a
또한, 상기 노드 1에 연결되어 패널 커패시터와 공진 전류를 형성하는 인덕터, 상기 인덕터와 연결되는 에너지 회수 스위치를 포함하는 에너지 회수부가 구성된다. In addition, an energy recovery unit includes an inductor connected to the
그리고, 상기 노드 1에 연결된 제 1 스위치 및 제 2 스위치가 교번적으로 도통되어 패널 커패시터로 최고 서스테인 신호 및 최저 서스테인 신호를 인가하는 서스테인 신호 인가부가 구성된다. The first switch and the second switch connected to the
이때, 상기 패널 커패시터로 셋다운 신호를 인가하는 셋다운 스위치 및 상기 스캔 바이어스 신호로부터 하강하는 스캔펄스를 인가하는 스캔펄스 스위치가 각각 상기 스캔 IC와 연결된다.In this case, a set down switch for applying a set down signal to the panel capacitor and a scan pulse switch for applying a falling scan pulse from the scan bias signal are respectively connected to the scan IC.
셋다운 신호 또는 스캔펄스가 상기 패널 커패시터를 향하여 인가되도록 다른 방향의 경로를 차단하는 제 1 경로차단용 스위치가 상기 노드 1상에 연결된다. A first path blocking switch is connected on the
이로써, 본 발명은 상보스캔 스위치가 제거되고, 최저 서스테인 신호가 상기 노드 1 및 스캔 스위치를 거쳐 패널 커패시터로 향하는 경로가 형성되므로, 서스테인 구간동안 제 1 경로차단용 스위치 양단에 걸리는 전압이 종래에 비해 감소된다.Thus, in the present invention, since the complementary scan switch is removed and the path of the lowest sustain signal is passed through the
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 3 은 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치의 회로도이며, 이를 참고로 하여 본 발명의 구성을 상세히 설명한다. 3 is a circuit diagram of the plasma display device of the present invention, the configuration of the present invention will be described in detail with reference to this.
먼저, 에너지 회수부(10)는 서스테인 구간동안에 패널 커패시터(Cp)를 서스테인 전압까지 충전시키고, 이를 다시 방전시킴에 따라 발생되는 무효전력에 의한 손실을 최소화하기 위한 회로이다. First, the
따라서, 상기 에너지 회수부(10)는 상기 패널 커패시터(Cp)와 함께 LC 공진전류를 형성하는 인덕터, 상기 인덕터와 연결되는 스위치, 상기 패널 충/방전시 손실되는 에너지가 저장되는 소스 커패시터를 포함하여 구성된다. 이러한 공진전류는 노드 1(n1)을 통해 공급 또는 회수된다.Accordingly, the
여기서, 상기 패널 커패시터(Cp)는 스캔 전극(Y)과 서스테인 전극(Z) 사이에 형성되는 정전용량을 등가적으로 나타낸 것이다. Here, the panel capacitor Cp equivalently represents the capacitance formed between the scan electrode Y and the sustain electrode Z. FIG.
상기 서스테인신호 인가부(20)는 최고 서스테인 전압원(Vsus/2)과 제 1 노드(n1) 사이에 접속된 제 1 스위치가 도통(ON)되어 제 1 노드(n1)에 최고 서스테인 신호를 공급한다. In the sustain
또한, 상기 제 1 노드(n1)와 최저 서스테인 전압원(-Vsus/2) 사이에 접속된 제 2 스위치(Q2)가 상기 제 1 스위치와 교번적으로 도통(on)되어 제 1 노드에 최저 서스테인 신호를 공급한다.In addition, a second switch Q2 connected between the first node n1 and the lowest sustain voltage source (-Vsus / 2) is alternately turned on with the first switch to provide the lowest sustain signal to the first node. To supply.
이때, 상기 노드 1전압을 어느 레벨로 설정하느냐에 따라 회로상 공급되는 외부전원의 레벨이 상이해지는바, 본 실시예에서는 노드 1을 그라운드 레벨로 설정하고, 최고 서스테인 전압을 Vsus/2로 하고, 최저 서스테인 전압을 -Vsus/2로 공급하는 것을 예시한다. At this time, the level of the external power supplied in the circuit is different depending on the level at which the
또한, 본 실시예에서 예시된 외부전원의 공용여부, 단독사용 여부는 제한되지 않으며, 전압레벨의 수치 등은 변경 가능하며, 각 스위치는 이와 푸쉬풀(push pull)로 연결되는 스위치가 더 연결될 수 있음을 명시한다.In addition, whether the external power supply used in the present embodiment is not limited to common use or not, the value of the voltage level, etc. can be changed, and each switch may be further connected to a switch connected to this by a push pull. State that
리셋신호 인가부는 리셋구간 중에 셋업 신호를 인가하는 셋업신호 인가부(30su)와, 셋다운 신호를 인가하는 셋다운신호 인가부(30sd)를 포함하여 구성된다. The reset signal applying unit includes a setup signal applying unit 30su for applying the setup signal and a setdown signal applying unit 30sd for applying the setdown signal during the reset period.
먼저, 셋업신호 인가부(30su)는 셋업전압원(Vsu)과 스캔 IC 사이에 접속된 셋업스위치(Q3)가 도통되어, 셋업 전압원까지 상승하는 램프형태의 셋업신호를 패널 커패시터(Cp)로 직접 인가한다. 상기 셋업 스위치의 제어단자에는 상기 램프파 형의 기울기 조정을 위한 가변저항(VR1)이 연결된다.First, in the setup signal applying unit 30su, the setup switch Q3 connected between the setup voltage source Vsu and the scan IC is turned on to directly apply a setup signal in the form of a ramp rising to the setup voltage source directly to the panel capacitor Cp. do. A variable resistor VR1 for adjusting the slope of the ramp waveform is connected to the control terminal of the setup switch.
이와 같이 셋업신호가 노드 1(n1)을 경유하지 않고 직접 패널 커패시터로 인가되므로, 노드 1상의 다른 경로를 차단하는 종래 제 2 경로차단용 스위치(Q11)가 본 발명에서 제거 가능하다. In this way, since the setup signal is directly applied to the panel capacitor without passing through node 1 (n1), the conventional second path blocking switch Q11 for blocking another path on
또한, 상기 셋다운신호 인가부(30sd))는 상기 스캔 IC와 셋다운 전압원(-Vy) 사이에 접속된 셋다운 스위치(Q4)가 도통되어, 셋다운 전압원(-Vy)까지 하강하는 램프형태의 셋다운 신호를 패널 커패시터로 공급한다. 상기 셋다운 스위치의 제어단자에는 상기 램프파형의 기울기 조정을 위한 가변저항(VR2)이 연결된다.In addition, the setdown signal applying unit 30sd is connected to the setdown switch Q4 connected between the scan IC and the setdown voltage source (-Vy) to conduct a ramp-down setdown signal falling down to the setdown voltage source (-Vy). Supply to panel capacitor. A variable resistor VR2 for adjusting the slope of the ramp waveform is connected to the control terminal of the set-down switch.
스캔신호 인가부는 어드레스 구간 중에 스캔 바이어스 신호를 인가하는 스캔바이어스신호 인가부(40sb)와 스캔펄스를 인가하는 스캔펄스 인가부(40sp)를 포함하여 구성된다. The scan signal applying unit includes a scan bias signal applying unit 40sb for applying a scan bias signal and a scan pulse applying unit 40sp for applying a scan pulse during an address period.
먼저, 상기 스캔바이어스신호 인가부(40sb)는 어드레스 구간에서 패널 커패시터(Cp)로 스캔 바이어스 신호를 인가하는 스캔 스위치(Q5)를 포함하여 구성되며, 상기 스캔 스위치는 노드 1을 통해 스캔 바이어스 전압원과 연결된다. First, the scan bias signal applying unit 40sb includes a scan switch Q5 for applying a scan bias signal to the panel capacitor Cp in an address period, and the scan switch is connected to a scan bias voltage source through a
또한, 상기 스캔펄스 인가부(40sp)는 상기 스캔 IC와 스캔전압원(-Vy)과 연결되는 스캔펄스 스위치(Q6)를 포함하여 구성되며, 상기 스캔펄스 스위치가 도통됨에 따라, 상기 스캔 바이어스 전압(-Vsus/2)에서 스캔펄스 전압원(-Vy)까지 하강하는 스캔펄스가 인가되어 어드레스 방전을 일으킨다. In addition, the scan pulse applying unit 40sp includes a scan pulse switch Q6 connected to the scan IC and a scan voltage source (-Vy). As the scan pulse switch is turned on, the scan bias voltage ( A scan pulse that drops from -Vsus / 2) to the scan pulse voltage source (-Vy) is applied to cause an address discharge.
이때, 상기 스캔 바이어스 전압원은 서스테인 구동부(20)의 최저 서스테인 전압원(-Vsus/2)과 공용 가능하며, 스캔펄스 전압원은 셋다운 전압원(-Vy)과 공용 가능하다. In this case, the scan bias voltage source may be shared with the lowest sustain voltage source (-Vsus / 2) of the sustain
또한, 종래 스캔바이어스신호 인가부에서 상기 스캔 스위치(Q5)와 상보적으로 동작되는 상보스캔 스위치(Q9)가 상기 스캔 스위치와 병렬로 연결되어, 서스테인 구간 중에 최저 서스테인 신호가 노드 1 및 상보스캔 스위치를 거쳐 패널 커패시터로 향하던 것(ⓑ)과는 달리, 본 발명의 스캔바이어스신호 인가부(40sb)는 상기 스캔 스위치(Q5)와 병렬로 연결되었던 상보스캔 스위치가 제거되어, 서스테인 구간 중에 최저 서스테인 신호가 노드 1 (n1)및 스캔 스위치(Q5)를 거쳐 패널 커패시터로 공급된다.(ⓑ')In addition, in the conventional scan bias signal applying unit, the complementary scan switch Q9 which is complementary to the scan switch Q5 is connected in parallel with the scan switch, so that the lowest sustain signal is transmitted to the
그리고, 스캔전압원(-Vy)과 제 1 노드(n1) 사이에 푸쉬풀 형태로 접속되는 제 7 스위치(high side, Q7)및 제 8 스위치(low side, Q8)가 스캔 IC를 이룬다. 각 스위치 사이의 출력단자는 패널 커패시터(Cp)와 접속되므로, 상기 스캔 IC를 이루는 스위치의 도통 여부에 따라 셋업신호/노드 1상의 신호가 인가되고, 상기 패널 커패시터의 충전전압이 방전된다.In addition, a seventh switch (high side, Q7) and an eighth switch (low side, Q8) connected between the scan voltage source (-Vy) and the first node n1 in a push-pull form a scan IC. Since the output terminal between each switch is connected to the panel capacitor Cp, the setup signal /
그리고, 상기 셋다운 신호 또는 스캔펄스가 상기 패널 커패시터를 향하여 인가되도록 노드 1상의 다른 방향의 경로를 차단시키는 제 1 경로차단용 스위치(Q10)가 상기 제 1 노드상에 연결된다. In addition, a first path blocking switch Q10 is connected on the first node to block the path in the other direction on the
이와 같이 구성되는 본 발명의 회로에서 도 4를 참조로 하여 단위 서브필드동안의 파형을 살펴보면 다음과 같다. In the circuit of the present invention configured as described above, the waveforms during the unit subfields will be described with reference to FIG. 4 as follows.
먼저, 리셋구간(R)은 이전의 서스테인 방전에 의해 형성된 벽 전하 상태를 소거하고, 각 셀의 상태를 초기화시키는 구간이며, 상승하는 셋업신호가 공급되는 셋업구간(SU)과, 램프다운(ramp down) 파형의 셋다운 신호가 공급되는 셋다운 구간(SD)으로 구분된다. First, the reset section R is a section for erasing the wall charge state formed by the previous sustain discharge and initializing the state of each cell. The reset section R is a setup section SU to which a rising setup signal is supplied, and a ramp down. down) It is divided into a set down period (SD) to which a set down signal of a waveform is supplied.
상기 셋업신호는 셋업 전압원에서 셋업 스위치-스캔 IC(제 7 스위치)를 거쳐 공급되고, 셋다운 신호는 셋다운 전압원에서 셋다운 스위치-스캔 IC(제 8 스위치)를 거쳐 공급된다.The set-up signal is supplied via a set-up switch-scan IC (seventh switch) at the set-up voltage source, and the set-down signal is supplied via a set-down switch-scan IC (eighth switch) at the set-down voltage source.
어드레스 구간(A)은 방전하고자 하는 셀을 선택하는 구간으로서, 스캔 바이어스 신호는 스캔 바이어스 전압원에서 제 2 스위치-노드 1-스캔 스위치-스캔 IC(제 7 스위치)를 거쳐 공급되고, 데이터 펄스와 동기되는 순간에 스캔펄스 전압원에서 스캔펄스 스위치-스캔 IC(제 8 스위치)를 거쳐 공급됨에 따라 어드레스 방전이 발생된다. The address section A is a section for selecting a cell to be discharged, and a scan bias signal is supplied from a scan bias voltage source through a second switch-node 1-scan switch-scan IC (seventh switch) and synchronized with a data pulse. At the moment of being supplied, the address discharge is generated from the scan pulse voltage source via the scan pulse switch-scan IC (the eighth switch).
또한, 서스테인 구간(S)은 스캔전극 및 서스테인 전극에 펄스를 교대로 인가하는 구간으로서, 최고 서스테인 신호는 최고 서스테인 전압원에서 제 1 스위치-노드 1-제 1 경로차단용 스위치-스캔 IC(제 8 스위치)를 거쳐 공급(ⓐ')되고, 최저 서스테인 신호는 최저 서스테인 전압원에서 제 2 스위치-노드 1-스캔 스위치-스캔 IC(제 7 스위치)를 거쳐 공급(ⓑ')되어, 서스테인 방전이 발생된다. In addition, the sustain section S is a section in which pulses are alternately applied to the scan electrode and the sustain electrode, and the highest sustain signal is the first switch-node 1-first path-blocking switch-scan IC (eighth) at the highest sustain voltage source. And the lowest sustain signal is supplied via the second switch-node 1-scan switch-scan IC (seventh switch) from the lowest sustain voltage source to generate sustain discharge. .
특히, 스위치 내압이 문제가 되었던 스캔 스위치 및 제 1 경로차단용 스위치의 양단에 걸린 전압을 도 5 및 도 6을 참조로 하여 살펴보면 다음과 같다. In particular, the voltage applied to both ends of the scan switch and the first path blocking switch in which the switch breakdown voltage is a problem will be described with reference to FIGS. 5 and 6.
먼저, 스캔 스위치의 내압이 상승되었던 셋업구간 중에는 상기 셋업신호가 [ 셋업전압원-셋업스위치-스캔IC]를 통해 패널 커패시터(Cp)로 직접 인가되고, 노드 1의 전압은 셋업구간동안 유지되므로, 결국 스캔 스위치 양단에 걸리는 최대 전압은 [Vsu-Vsus/2]가 된다. First, during the setup period in which the breakdown voltage of the scan switch is increased, the setup signal is directly applied to the panel capacitor Cp through [Setup Voltage Source-Setup Switch-Scan IC], and the voltage at
이를 도 5의 ②'그래프에 도시하였으며, 이는 도 2a의 ②에 도시된 종래 셋업구간 중의 스캔 스위치 양단에 걸린 [Vsu+Vsus/2]에 비해 감소된 값이다.This is shown in the graph '2' of FIG. 5, which is a reduced value compared to [Vsu + Vsus / 2] across the scan switch in the conventional setup section shown in the section 2a of FIG.
또한, 제 1 경로차단용 스위치의 내압이 상승되었던 서스테인 구간 중에 최저 서스테인 신호의 경로가 제 1 노드에서 스캔 스위치를 따라 형성됨에 따라, 제 1 경로차단용 스위치로 흐르던 공진전류 및 방전전류가 종래에 비해 절반으로 감소되어, 결국 제 1 경로차단용 스위치 양단에 걸리는 최대 전압은 [Vsus/2]가 된다. In addition, since the path of the lowest sustain signal is formed along the scan switch at the first node during the sustain period in which the breakdown voltage of the first path blocking switch is increased, the resonance current and the discharge current flowing to the first path blocking switch are conventionally reduced. Compared to half, the maximum voltage across the first path blocking switch becomes [Vsus / 2].
이를 도 6의 ③'그래프에 도시하였으며, 이는 도 2b의 ③에 도시된 종래 서스테인 구간 중의 제 1 경로차단용 스위치 양단에 걸린 [Vsus]에 비해 감소된 값이다. This is shown in the 3 'graph of FIG. 6, which is a reduced value compared to [Vsus] across the first path blocking switch in the conventional sustain section shown in 3 of FIG.
이상과 같이 본 발명에 의한 플라즈마 디스플레이 장치에 관하여 예시된 도면을 참조로 하여 설명하였으나, 본 명세서에 개시된 실시예와 도면에 의해 본 발명은 한정되지 않고, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술사상이 보호되는 범위 이내에서 응용이 가능하다.As described above with reference to the drawings illustrated with respect to the plasma display device according to the present invention, the present invention is not limited by the embodiments and drawings disclosed herein, having a general knowledge in the field to which the present invention belongs Applicability is possible within the scope of the technical idea of the present invention protected by the ruler.
상기와 같이 구성되는 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치는 스캔 바이어스 신호를 인가하는 스캔 스위치의 회로결선 및 셋업신호를 인가하는 셋업 스위치의 회로결선을 전환하여 제 2 경로차단용 스위치 소자를 제거할 수 있는 것은 물론, 셋업구간 중에 스캔 스위치 양단에 걸리는 전압을 감소시킬 수 있어 내압이 적은 스위치 소자 채택이 가능하다. The plasma display device of the present invention configured as described above can remove the second path blocking switch element by switching the circuit connection of the scan switch applying the scan bias signal and the circuit connection of the setup switch applying the setup signal. Of course, it is possible to reduce the voltage across the scan switch during the setup period, it is possible to adopt a switch element with a low breakdown voltage.
또한, 상보스캔 스위치를 제거하고, 최저 서스테인 신호가 공급되는 경로를 전환하여 서스테인 구간 중에 제 1 경로차단용 스위치 양단에 걸리는 전압을 감소시킬 수 있어, 제조비용을 절감할 수 있다는 효과가 있다. In addition, it is possible to reduce the voltage across the first path blocking switch during the sustain period by removing the complementary scan switch and switching the path through which the lowest sustain signal is supplied, thereby reducing the manufacturing cost.
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