KR100764637B1 - 산 가교가 가능한 패턴 미세화 조성물 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
Description
샘플 | CD0(단위:nm) | CDA(단위:nm) |
실시예 4 | 179 | 205 |
실시예 5 | 181 | 210 |
실시예 6 | 183 | 201 |
Claims (9)
- 제 1항에 있어서, 상기 용매(c)는 알콜류 단독 또는 알콜류를 제외한 유기용제와 알콜류의 혼합용매인 것을 특징으로 하는 산가교가 가능한 패턴 미세화 조성물.
- 제 1항에 있어서, 상기 패턴 미세화 조성물은 추가로 계면활성제를 포함하는 것을 특징으로 하는 산가교가 가능한 패턴 미세화 조성물.
- 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항 기재의 산가교가 가능한 패턴 미세화 조성물로부터 형성된 가교막.
- 반도체 기재상에 산을 공급할 수 있는 제1 레지스트 패턴을 형성하는 단계;상기 제1레지스트 패턴의 상부에 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항 기재의 산가교가 가능한 패턴 미세화 조성물을 코팅하여 코팅막을 형성하는 단계;상기 제1레지스트 패턴으로부터의 산의 공급에 의해 상기 제1레지스트 패턴과 접하는 상기 코팅막 부분에 가교막을 형성시키는 단계;상기 코팅막 중 비가교부분을 현상액으로 박리시켜 제2 레지스트 패턴을 완성하는 단계; 및상기 제2 레지스트 패턴을 마스크로 사용하여 상기 반도체 기재를 에칭하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
- 제 6항에 있어서, 제1 레지스트 패턴으로부터의 산의 공급은 가열에 의하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
- 제 6항에 있어서, 코팅막 중 비가교부분을 알칼리 수용액으로 박리시켜 제2 레지스트 패턴을 완성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
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KR20040077688A (ko) * | 2001-12-27 | 2004-09-06 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 패턴 미세화용 피복 형성제 및 이를 사용한 미세 패턴의형성방법 |
KR20050119074A (ko) * | 2004-06-15 | 2005-12-20 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 레지스트 패턴 후육화 재료, 레지스트 패턴의 형성 방법,반도체 장치 및 그 제조 방법 |
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2006
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KR20050119074A (ko) * | 2004-06-15 | 2005-12-20 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 레지스트 패턴 후육화 재료, 레지스트 패턴의 형성 방법,반도체 장치 및 그 제조 방법 |
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