KR100764637B1 - 산 가교가 가능한 패턴 미세화 조성물 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조방법 - Google Patents

산 가교가 가능한 패턴 미세화 조성물 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 리소그래피 공정에서 음각부분의 면적을 축소할 수 있는 패턴 미세화 조성물 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 조성물은 가열로 포토레지스트로부터 확산되어 나온 산 존재 하에서 그리고 어느 정도 고온에서 가교가 진행되어 알칼리 수용액 등에 불용성인 상태로 변할 수 있는 패턴 미세화 조성물로서 우수한 플라즈마 내에치성을 보유한다.
패턴화된 포토레지스트 위에 본 발명의 조성물을 코팅하여 박막을 형성시키고 고온으로 가열하면 포토레지스트 성분이 분해되면서 산이 확산되고 이로 인해 불용성 막을 형성하며, 현상액하에서 가교되지 않은 부분이 녹아 나오고 결과적으로 음각부분의 면적이 축소된 패턴을 얻을 수 있다.
리소그래피, 패턴 미세화, 내에치성

Description

산 가교가 가능한 패턴 미세화 조성물 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조방법{CROSSLINKABLE COMPOSITION FOR MICRONIZING PATTERNS IN THE PRESENCE OF ACID CATALYSTS AND METHOD FOR PREPARING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THEREOF}
도 1은 본 발명의 패턴 미세화 조성물을 사용하여 수행하는 리소그래피 공정을 개략적으로 나타낸 공정도이다.
도 2는 본 발명에 있어서 포토레지스트와 인접한 면에서 이루어지는 패턴 미세화 조성물의 가교 메카니즘을 개략적으로 도시한 단면도이다.
본 발명은 반도체 리소그래피 공정에서 음각부분의 면적을 축소할 수 있는 산 가교가 가능한 패턴 미세화 조성물 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조방법에 관한 것이다.
마이크로일렉트로닉스 산업에서 뿐만 아니라 마이크로스코픽 구조물(예를 들어, 마이크로머신, 마그네토 레지스트 헤드 등)의 제작을 비롯한 다른 산업에서, 구조적 형상의 크기를 감소시키고자 하는 지속적인 요구가 존재한다. 마이크로일렉트로닉스 산업에서 마이크로일렉트로닉 디바이스의 크기를 감소시켜, 주어진 칩 크기에 보다 많은 양의 회로를 제공하고자 하는 요구가 존재한다.
효과적인 리소그래피 기법은 형상 크기의 감소를 달성시키는데 필수적이다. 리소그래피 기법은 소정의 기판상에 패턴을 직접적으로 이미지화시킨다는 측면에서 뿐만 아니라 그러한 이미지화에 전형적으로 사용된 마스크를 제조한다는 측면에서 마이크로스코픽 구조물의 제조에 영향을 미친다.
전형적인 리소그래피 공정은 이미지화 방사선에 방사선-민감성 레지스트를 패턴 방식으로 노출시킴으로써 패턴화된 레지스트 층을 형성시키는 과정을 수반한다. 이어서, 이미지는 노출된 레지스트 층을 임의의 물질(전형적으로 수성 알칼리 현상액)과 접촉시킴으로써 현상시킨다. 이어서, 패턴은 패턴화된 레지스트 층의 개구부 내에 있는 그 물질을 에칭시킴으로써 이면 재료에 전사시킨다. 전사가 완료된 후, 잔류하는 레지스트 층은 제거한다.
상기 리소그래피 기술에서는 노광 광의 단파장화와, 그 광의 특성에 따른 고해상도를 갖는 레지스트 재료의 개발 양쪽 모두가 필요하다. 그러나, 상기 노광 광의 단파장화를 위해서는 노광 장치의 개량이 필요하게 되어, 막대한 비용을 필요로 한다. 한편, 단 파장의 노광 광에 대응하는 레지스트 재료의 개발도 용이하지 않다. 이 때문에 종래 기술에서는 많은 패턴 미세화 재료가 존재하긴 하지만, 개선된 패턴 미세화 조성물에 대한 요구가 지속되고 있는 실정이었다.
본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 반도체 리소그래피 공정에서 음각부분의 면적을 축소할 수 있는 새로운 패턴 미세화 조성물 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
본 발명은 a) 하기 화학식 1 내지 3으로 나타내어 지는 호모폴리머, 공중합체 및 이들의 블랜드로 이루어지는 군에서 선택되는 화합물 60 내지 95 중량부; (b) 가교제 5 내지 40중량부; 및 (c) 용매 100내지 9,900중량부를 포함하는 것을 특징으로 하는 산가교가 가능한 패턴 미세화 조성물을 제공한다.
[화학식 1]
Figure 112006032901612-pat00001
(여기서 n은 1~3,000)
[화학식 2]
Figure 112006032901612-pat00002
(여기서 n은 1~2,000)
[화학식 3]
Figure 112006032901612-pat00003
(여기서 n은 1~2,000)
본 발명의 산가교가 가능한 패턴 미세화 조성물의 일실시예로서 상기 가교제(b)는 하기 화학식 4 내지 5로 나타내어 지는 화합물 중에서 선택되는 1종 이상일 수 있다.
[화학식 4]
Figure 112006032901612-pat00004
[화학식 5]
Figure 112006032901612-pat00005
본 발명의 산가교가 가능한 패턴 미세화 조성물의 일실시예로서 상기 용매는 알콜류 단독 또는 알콜류를 제외한 유기용제와 알콜류의 혼합용매일 수 있다.
또한, 본 발명의 산가교가 가능한 패턴 미세화 조성물은 추가로 계면활성제를 더 포함할 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 산가교가 가능한 패턴 미세화 조성물로부터 형성된 가교막을 제공한다.
또한, 본 발명은 반도체 기재상에 산을 공급할 수 있는 제1 레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 제1레지스트 패턴의 상부에 본 발명의 산가교가 가능한 패턴 미세화 조성물을 코팅하여 코팅막을 형성하는 단계; 상기 제1레지스트 패턴으로부터의 산의 공급에 의해 상기 제1레지스트 패턴과 접하는 상기 코팅막 부분에 가교막을 형성시키는 단계; 상기 코팅막 중 비가교부분을 현상액으로 박리시켜 제2 레지스트 패턴을 완성하는 단계; 및 상기 제2 레지스트 패턴을 마스크로 사용하여 상기 반도체 기재를 에칭하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 반도체 장치의 제조방법의 일실시예로서 제1 레지스트 패턴으로부터의 산의 공급은 가열에 의하는 것일 수 있다.
또한, 본 발명의 반도체 장치의 제조방법의 다른 일실시예로서 코팅막 중 비가교부분을 알칼리 수용액으로 박리시켜 제2 레지스트 패턴을 완성하는 것일 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 반도체 장치의 제조방법에 의해 제조되어진 것을 특징으로 하는 반도체 장치를 제공한다.
이하 본 발명을 보다 상세히 설명하기로 한다.
본 발명은 반도체 리소그래피 공정에서 음각부분의 면적을 축소할 수 있는 패턴 미세화 조성물 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 산가교가 가능한 패턴 미세화 조성물은 (a) 하기 화학식 1 내지 3으로 나타내어 지는 호모폴리머, 공중합체 및 이들의 블랜드로 이루어지는 군에서 선택되는 화합물, (b) 가교제 및 (c) 용매를 포함한다.
[화학식 1]
Figure 112006032901612-pat00006
(여기서 n은 1~2,000)
[화학식 2]
Figure 112006032901612-pat00007
(여기서 n은 1~3,000)
[화학식 3]
Figure 112006032901612-pat00008
(여기서 n은 1~3,000)
상기 화학식 1 내지 3의 호모폴리머, 공중합체 및 이들의 블랜드는 히드록시기를 가지고 있어서 현상액(TMAH 수용액 등 알칼리수용액)에 잘 녹을 수 있다는 특징과 히드록시기가 가교제와 반응을 하여 불용성 재료로 변할 수 있는 구조를 가지고 있다.
특히 플라즈마 에칭에 내성이 강한 구조를 가져야 하므로 폴리머 성분 중에서 상대적으로 60% 이상의 탄소원자의 농도를 가진 구조가 바람직하며, 상기 화학식 1 내지 3의 호모폴리머, 공중합체 및 이들의 블랜드는 이 조건을 만족시킨다.
상기 화학식 1 내지 3의 호모폴리머, 공중합체 및 이들의 블랜드는 60 내지 95중량부 포함되는데, 60중량부 미만인 경우 박막형성시 표면이 거칠어지는 문제가 있으며, 95중량부를 초과하여 사용하는 경우에는 가교효과가 떨어지는 문제가 발생한다.
상기 화학식 1 내지 3의 폴리머에서 반복단위의 수(n)가 각각 2,000, 3,000 및 3,000을 초과할 경우 스핀코팅시 점도가 너무 높아서 형성된 막 두께를 콘트롤하기 곤란해진다.
상기 가교제(b)로는 하기 화학식 4 내지 5로 나타내어 지는 화합물 중에서 선택되는 1종 이상을 사용할 수 있다.
[화학식 4]
Figure 112006032901612-pat00009
[화학식 5]
Figure 112006032901612-pat00010
상기 가교제는 산 촉매 하에서 상기 화학식 1 내지 3의 폴리머들의 히드록시기와 반응하여 메탄올을 발생시키고 가교결합을 형성할 수 있다.
상기 가교제는 5 내지 40중량부 포함되는데, 40중량부를 초과할 경우 박막형성시 표면이 거칠어지는 문제가 있으며, 5중량부 미만으로 사용하는 경우에는 가교효과가 떨어지는 문제가 발생한다.
상기 용매는 상기 화학식 1 내지 3으로 나타내어 지는 호모폴리머, 공중합체 및 이들의 블랜드로 이루어지는 군에서 선택되는 화합물 및 가교제를 모두 잘 녹일 수 있는 반면에 포토레지스트 층은 녹이지 않는 성질을 가져야 한다. 이런 측면에서 보면 알콜류 단독으로 사용하거나 또는 알콜류와 그 밖의 유기용제와의 혼합용매를 사용하는 것이 좋다. 알콜류의 용매로는 이소프로필알콜, 1-부탄올, 에탄올, 메탄올 등이 바람직하며, 알콜류와 그 밖의 유기용제와의 혼합용매를 사용할 경우 그 비율은 중량%비로 1:99 내지 99:1이 바람직하다.
상기 용매는 100 내지 9,900중량부 포함되는데, 이 범위를 벗어나서 사용하는 경우 통상적으로 스핀코팅시 점도가 너무 높거나 낮아서 형성된 막 두께를 콘트롤하기 곤란해진다.
본 발명에서 산가교가 가능한 패턴 미세화 조성물은 추가로 계면활성제를 더 포함할 수 있는데, 이 경우 상기 화학식 1 내지 3으로 나타내어 지는 호모폴리머, 공중합체 및 이들의 블랜드로 이루어지는 군에서 선택되는 화합물, 가교제 및 용매의 중량합을 100으로 할 경우 0.01 내지 0.5중량부로 사용할 수 있다.
본 발명에 의해 산가교가 가능한 패턴 미세화 조성물로부터 형성된 가교막을 얻을 수 있다.
본 발명의 반도체 장치의 제조방법은 반도체 기재상에 산을 공급할 수 있는 제1 레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 제1레지스트 패턴의 상부에 본 발명의 산가교가 가능한 패턴 미세화 조성물을 코팅하여 코팅막을 형성하는 단계; 상기 제1레지스트 패턴으로부터의 산의 공급에 의해 상기 제1레지스트 패턴과 접하는 상기 코팅막 부분에 가교막을 형성시키는 단계; 상기 코팅막 중 비가교부분을 현상액으로 박리시켜 제2 레지스트 패턴을 완성하는 단계; 및 상기 제2 레지스트 패턴을 마스크로 사용하여 상기 반도체 기재를 에칭하는 단계를 포함한다.
제1 레지스트 패턴으로부터의 산의 공급은 가열에 의해 이루어질 수 있다.
코팅막 중 비가교부분은 TMAH수용액 등을 예로 들 수 있는 알칼리수용액 0.1 내지 4.0 중량%로 박리시켜 제2 레지스트 패턴을 완성할 수 있다.
코팅막 형성에 사용되는 코팅용액은 화학식 1 내지 3으로 나타내어 지는 호모폴리머, 공중합체 및 이들의 블랜드로 이루어지는 군에서 선택되는 화합물 60 내지 95 중량부 및 가교제 5 내지 40 중량부를 용매 100 내지 9,900 중량부에 녹여 제조할 수 있다.
포토 레지스트와 인접한 본 발명의 막질 중 일부분이 가교가 되는 메카니즘은 도 2에 나타내었다. 즉, 포토 레지스트 성분 중 PAG(photoacid generater)가 열 분해되어 산을 방출할 수 있는 온도로 가열할 때 발생된 산이 확산되어 본 발명의 패턴 미세화 조성물의 화학식 1 내지 3으로 나타내어 지는 호모폴리머, 공중합체 및 이들의 블랜드로 이루어지는 군에서 선택되는 화합물과 가교제가 가교결합반응을 일으키는데 촉매작용을 하게 된다. 따라서 특정 파장의 흡수도를 가져야 될 필요는 없다.
본 발명의 패턴 미세화 조성물로 리소그래피 공정을 다음과 같이 행할 수 있다. 실리콘 웨이퍼 위에 유기ARC를 코팅하고 그 위에 KrF 포토 레지스트를 코팅하여 ASML(XT:1400, NA 0.93)사 노광 장비로 노광하고 현상한 다음 얻어진 L/S(Line and Space) 패턴 또는 홀패턴 등이 있는 기판에 본 발명의 패턴 미세화 조성물의 용액을 코팅하고 가열한 후 TMAH수용액 등을 예로 들 수 있는 알칼리수용액 0.1 내지 4.0 중량%에 담그어 현상을 한다. 상기 가열 온도 및 가열 시간은 사용하는 레지스트 재료의 종류 및 필요로 하는 반응층의 두께에 의해 최적인 조건을 설정하게 된다.
이하에서 실시 예를 통하여 본 발명을 보다 상세하게 설명하고자 하나, 하기의 실시 예는 단지 설명의 목적을 위한 것일 뿐, 본 발명의 권리범위를 제한하기 위한 것은 아니다.
[합성예 1]
1,5-나프톨-포름알데히드 수지(1,5-naphthol-formaldehyde resin)의 합성
Figure 112006032901612-pat00011
500 ㎖ 3구플라스크에 1.2 mol의 1,5-디(하이드록시)페놀 192.2 g, 2-메톡시에탄올 74.22 g, 95% 0.96 mol의 파라포름알데히드 30.31 g 및 디에틸설페이트 0.5 g을 가했다. 상기 혼합물을 교반하고 30분간 가열 환류시켰다. 추가로 1g의 디에틸설페이트를 가하고, 수시간 동안 가열 환류시켰다. 이후 증류수 400 ml를 추가하고 혼합물을 잘 교반하였다. 1,5-나프톨-포름알데히드 수지(1,5-naphthol-formaldehyde resin)는 30분정도 후에 정착되었고, 상층부의 증류수/2-메톡시에탄올 혼합물은 분리하였다. 세척공정은 메탄올을 이용하여 두 번 이상 행해졌다. 진공증류기 장치를 이용하여 용기를 135℃로 가열하여 남아있는 여분의 증류수와 용매를 50∼100 mmHg의 압력으로 증류하고, 상기 화학식 1로 나타내어지는 1,5-나프톨-포름알데히드 수지(1,5-naphthol-formaldehyde resin)를 얻었다.
[실시예 1]
합성예 1에서 합성된 폴리머(1,5-naphthol-formaldehyde resin) 8g과 가교제 (Cytec사의 Powder Linker 1174; 화합물 4) 2g을 이소프로필알코올(IPA)과 프로필렌글리콜모노에틸아세테이트(Propyleneglycolmonoethylacetate,PGMEA)의 4:1 혼합용매 90g을 사용하여 용해시켜 코팅 용액을 제조하였다. 코팅 용액 제조에 사용된 구체적인 함량은 표 1에 나타낸 바와 같다.
[실시예 2]
Figure 112006032901612-pat00012
(여기서 n은 1~3,000) ------ [화학식 2]
폴리머로서 합성예 1에서 합성된 폴리머 대신에 상기 화학식 2로 나타내어 지는 폴리히드록시스티렌(상품명: P10E, Du Pont사 제)를 8g 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 코팅 용액을 제조하였다. 코팅 용액 제조에 사용된 구체적인 함량은 표 1에 나타낸 바와 같다.
[실시예 3]
Figure 112006032901612-pat00013
(여기서 n은 1~3,000) ----- [화학식 3]
폴리머로서 합성예 1에서 합성된 폴리머 대신에 상기 화학식 3으로 나타내어 지는 노볼락 수지(상품명: MER-B-F, Meiwa사 제)를 8g 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 코팅 용액을 제조하였다. 코팅 용액 제조에 사용된 구체적인 함량은 표1에 나타낸 바와 같다.
Figure 112006032901612-pat00014
[실시예 4~6]
실시 예 1 내지 3에서 만들어진 코팅 용액을 각각 사용하여 리소그라피 실험을 각각 진행하였다.(이하 각각을 실시예 4~6이라 한다) 도 1을 참조하여 설명하자면 다음과 같다.
먼저 실리콘 웨이퍼 위에 유기 반사방지층(ARC)를 코팅하고 그 위에 KrF 포토 레지스트를 코팅하여 ASML(XT:1400, NA 0.93)사 노광 장비로 노광하고 현상하여 각각 179nm, 181nm 및 183nm(CD0)의 L/S 패턴이 있는 기판을 얻는다.
그 다음에 실시예 1 내지 3에서 만들어진 용액을 각각 코팅하고 가열하였다. 이 경우 포토 레지스트와 인접한 면에서 패턴 미세화 조성물의 가교가 이루어진다. 그 가교 메카니즘을 도 2에 개략적으로 도시하였다. 도 2를 참조하여 설명하자면, 반도체 기판에 형성된 레지스트 패턴 위에 실시예 1 내지 3에서 만들어진 용액을 각각 코팅하고 이 때 형성된 본 발명의 막질층을 85 ~ 150℃로 가열 처리한다. 가열로 레지스트 패턴에서 산의 확산이 촉진되어 본 발명의 막질층으로 산이 공급되고 확산되어 공급된 산의 촉매작용으로 막질층과 레지스트 패턴의 계면에 있어서 가교반응이 일어난다.
상기 가열 온도 및 가열 시간은 사용하는 레지스트 재료의 종류 및 필요로 하는 반응층의 두께에 의해 최적인 조건을 설정하면 되는데, 본 실시예에서는 160℃로 1분간 가열하였다.
그 후 2.38중량%의 테트라메틸 암모늄 하이드록시드(tetra-methyl ammonium hydroxide,TMAH)수용액에 1분간 담구어 현상을 한 다음 FE-SEM을 사용하여 CD(critical dimension)을 각각 측정하여 CDA로 나타내었다. 그 측정 결과를 표 2에 나타내었다.
샘플 CD0(단위:nm) CDA(단위:nm)
실시예 4 179 205
실시예 5 181 210
실시예 6 183 201
상기 결과에서 알 수 있듯이 본 발명의 패턴 미세화 조성물을 사용한 결과 음각부분의 폭을 현저히 축소시킬 수 있는 패턴을 얻을 수 있음을 알 수 있다. 상기 실시예에서는 L/S패턴을 가지고 설명하였으나, 이에 한정되지 않으며 홀패턴 등 다양한 패턴에 본 발명이 적용될 수 있다.
상기 실시예에서는 화학식 1 내지 3으로 나타내어 지는 화합물 중 어느 하나를 사용하는 경우를 예로 들었으나 이에 한정되지 아니하며, 이들의 혼합물 또는 이들 각각의 단량체들의 공중합체를 사용할 수도 있다.
이상, 상세히 설명한 바와 같이 본 발명에 따르면 L/S 패턴 혹은 홀 패턴 등의 미세화에 있어서 기존의 노광 광원의 파장 한계를 넘는 패턴 형성을 가능하게 하는 가교막 재료를 얻을 수 있다.
이에 따라 L/S 패턴 혹은 홀 패턴 등의 직경을 기본의 방법보다 축소할 수 있고 이렇게 하여 형성된 미세한 패턴을 마스크로 하여 반도체 공정을 행할 경우, 반도체 기판에 기존의 노광 광원으로 얻어진 패턴보다 더욱 미세화된 패턴을 얻을 수 있다.
또한, 이러한 제조방법에 따라 더욱 미세화된 L/S 패턴 혹은 홀 패턴 등을 가진 반도체 장치를 얻을 수 있다.

Claims (9)

  1. (a) 하기 화학식 1 내지 3으로 나타내어 지는 호모폴리머, 공중합체 및 이들의 블랜드로 이루어지는 군에서 선택되는 화합물 60 내지 95 중량부; (b) 가교제 5 내지 40 중량부; 및 (c) 용매 100 내지 9,900 중량부를 포함하는 것을 특징으로 하는 산가교가 가능한 패턴 미세화 조성물.
    [화학식 1]
    Figure 112007039362239-pat00015
    (여기서 n은 1~2,000)
    [화학식 2]
    Figure 112007039362239-pat00016
    (여기서 n은 1~3,000)
    [화학식 3]
    Figure 112007039362239-pat00017
    (여기서 n은 1~3,000)
  2. 제 1항에 있어서, 상기 가교제(b)는 하기 화학식 4 내지 5로 나타내어 지는 화합물 중에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 산가교가 가능한 패턴 미세화 조성물.
    [화학식 4]
    Figure 112007039362239-pat00018
    [화학식 5]
    Figure 112007039362239-pat00019
  3. 제 1항에 있어서, 상기 용매(c)는 알콜류 단독 또는 알콜류를 제외한 유기용제와 알콜류의 혼합용매인 것을 특징으로 하는 산가교가 가능한 패턴 미세화 조성물.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 패턴 미세화 조성물은 추가로 계면활성제를 포함하는 것을 특징으로 하는 산가교가 가능한 패턴 미세화 조성물.
  5. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항 기재의 산가교가 가능한 패턴 미세화 조성물로부터 형성된 가교막.
  6. 반도체 기재상에 산을 공급할 수 있는 제1 레지스트 패턴을 형성하는 단계;
    상기 제1레지스트 패턴의 상부에 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항 기재의 산가교가 가능한 패턴 미세화 조성물을 코팅하여 코팅막을 형성하는 단계;
    상기 제1레지스트 패턴으로부터의 산의 공급에 의해 상기 제1레지스트 패턴과 접하는 상기 코팅막 부분에 가교막을 형성시키는 단계;
    상기 코팅막 중 비가교부분을 현상액으로 박리시켜 제2 레지스트 패턴을 완성하는 단계; 및
    상기 제2 레지스트 패턴을 마스크로 사용하여 상기 반도체 기재를 에칭하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  7. 제 6항에 있어서, 제1 레지스트 패턴으로부터의 산의 공급은 가열에 의하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  8. 제 6항에 있어서, 코팅막 중 비가교부분을 알칼리 수용액으로 박리시켜 제2 레지스트 패턴을 완성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  9. 삭제
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KR20040077688A (ko) * 2001-12-27 2004-09-06 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 패턴 미세화용 피복 형성제 및 이를 사용한 미세 패턴의형성방법
KR20050119074A (ko) * 2004-06-15 2005-12-20 후지쯔 가부시끼가이샤 레지스트 패턴 후육화 재료, 레지스트 패턴의 형성 방법,반도체 장치 및 그 제조 방법

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