KR100760197B1 - Method of forming a masking pattern on a surface - Google Patents

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Abstract

침착 물질의 액체 방울을 침착하기 위해 액체 방울 분사의 기술을 사용하여 표면상에 마스킹 패턴을 형성하는 방법으로서, 이 방법은 다중 이산 또는 유착 연장된 부분을 포함하는 패턴을 형성하기 위해 이 표면상에 다수의 액체 방울을 침착하는 단계를 포함한다.A method of forming a masking pattern on a surface using the technique of liquid droplet injection to deposit a liquid drop of deposition material, the method comprising forming a pattern comprising multiple discrete or coalescing elongated portions on the surface. Depositing a plurality of liquid droplets.

마스크 패턴, 에칭, 프린트헤드Mask Patterns, Etching, Printheads

Description

표면상에 마스킹 패턴을 형성하는 방법{METHOD OF FORMING A MASKING PATTERN ON A SURFACE}Method of forming a masking pattern on the surface {METHOD OF FORMING A MASKING PATTERN ON A SURFACE}

본 발명은 표면상에 마스크 패턴을 형성하는 방법에 관한 것이다. 하나의 바람직한 실시예에서, 본 발명은 컴퓨터로 발생되는 이미지 파일(즉, 거버(Gerber) 입력을 비트맵 출력으로)을 사용하여 표면상에 양각 패턴을 드롭-온-디멘드(drop-on-demand) 프린팅하는 방법을 제공한다.The present invention relates to a method of forming a mask pattern on a surface. In one preferred embodiment, the present invention uses a computer-generated image file (ie, Gerber inputs as bitmap outputs) to drop-on-demand the embossed pattern on a surface. ) Provides a method of printing.

다양한 무기 또는 유기 기반 마이크로전자, 광전자 장치 및 회로 제조 응용에 있어서, 제조되는 장치 또는 회로를 포함하는 하나 또는 그 이상의 물질을 패터닝할 필요가 있다. 여러가지 이유중 하나를 위해 형성되는 패턴은 다음과 같은 것일 수 있다.In various inorganic or organic based microelectronics, optoelectronic devices and circuit manufacturing applications, there is a need to pattern one or more materials, including the devices or circuits to be manufactured. The pattern formed for one of several reasons may be as follows.

* (습식, 건식, 전기화학 등에 대한) 에칭 마스크* Etching masks (for wet, dry, electrochemical, etc.)

* 선택 영역 증착 마스크(리프트-오프, 에어-브리지[2 레벨 프로세스], 전기 도금, 전기 이동 등)Selective Area Deposition Masks (Lift-Off, Air-Bridge [2-Level Process], Electroplating, Electrophoresis, etc.)

* (인광 물질, 액정, 발광 폴리머 등에 대한) 컨테인먼트 웰* Containment wells (for phosphors, liquid crystals, light emitting polymers, etc.)

* 유전체 마이크로-비아 조성 다레벨 금속 상호 연결* Dielectric micro-via composition multilevel metal interconnect

* 금속 도체 크로스-오버 저항-캐패시터 노드의 네트워크 Network of metal conductor cross-over resistor-capacitor nodes                 

* (정적 또는 제거 가능한) 2차원 및 3차원 멤브레인* Two-dimensional and three-dimensional membranes (static or removable)

* (부분 부품 사이의 제어된 갭 치수를 제공하는) 부분 부품 레벨간 스페이서* Spacer between part levels (provides controlled gap dimensions between parts)

* 부분 부품에 대한 리플로우 열경화성 접착제(부분 부품을 본딩하는 국한된 접착제)* Reflow thermosetting adhesives for partial parts (limited glue bonding partial parts)

위와 같이 패터닝된 모양들은 요구되는 기능을 제공한 후 제거되거나 제 위치에 남아있을 수 있다.The patterned shapes as above can be removed or left in place after providing the required functionality.

표면 양각 구조를 제공하는 가장 대중화된 방법은 포토리소그래피(photolit hography)이다. 이것은 전체 코팅(스핀-캐스팅 또는 딥핑) 또는 전체 영역 시트(박층)으로서 표면에 적용되는 감광성 물질의 사용을 요구한다. 코팅된 웨이퍼 앞에, 요구되는 패턴 마스크를 도입하기에 앞서 감광성 물질이 미리 노광되지 않도록, 물질은 빛이 제어되는 연구실에서 적용된다. 패턴 마스크는 접촉 마스크, 근접 마스크, 또는 투영 마스크중 하나일 수 있다. 모든 경우에 있어서, 마스크는 높은 정밀도를 위해 이산 장치로서 제조되어야 하며, 손상 또는 먼지/분진에 대해 세심하게 보호되어야 한다. 마스크가 정해진 자리에 놓여지면, 감광성 물질에 사용되는 광개시제와 맞는 복사 램프는 마스크에 의해 보호되지 않는 영역에 코팅한 기판을 감광시킬 수 있다. 사용된 감광성 물질의 유형에 따라, 패턴 전이는 마스크에 관해서 포지티브 또는 네거티브적일 수 있다. 감광 후, 감광성 물질은 워터 기반 딥 베스 또는 컨베이어 샤워기/스프레이로 세정되어야할 처리되지 않은 물질을 허용하도록 코팅의 화학적 성질을 수정하는 현상용 화학 약품에 노광되어야 한다. The most popular method for providing surface relief structures is photolit hography. This requires the use of a photosensitive material applied to the surface as a whole coating (spin-casting or dipping) or as a whole area sheet (thin layer). In front of the coated wafer, the material is applied in a light controlled laboratory so that the photosensitive material is not previously exposed prior to introducing the required pattern mask. The pattern mask can be one of a contact mask, a proximity mask, or a projection mask. In all cases, the mask must be manufactured as a discrete device for high precision and carefully protected against damage or dust / dust. When the mask is placed in position, a radiation lamp that is compatible with the photoinitiator used for the photosensitive material can expose the coated substrate to areas that are not protected by the mask. Depending on the type of photosensitive material used, the pattern transition can be positive or negative with respect to the mask. After photosensitivity, the photosensitive material should be exposed to developing chemicals that modify the chemical properties of the coating to allow the untreated material to be cleaned with a water based deep bath or conveyor shower / spray.                 

표면 양각 패턴을 만드는 스핀 캐스트, 딥, 또는 시트 박층 포토리소그래피가 성공적이더라도, 우리는 소위 다음과 같은 문제점들을 갖는다.Although spin cast, dip, or sheet thin layer photolithography that produces a surface relief pattern is successful, we have the following problems.

* 재료 낭비(전체 영역 기술때문에)* Material waste (because of the whole area technology)

* 선택 영역 3D 패턴은 매우 어렵고 시간 소모적이다.* Selected area 3D pattern is very difficult and time consuming.

* 감광성 물질에 사용된 화학적 성질은 매우 유독성이다.* The chemical properties used for photosensitive materials are very toxic.

* 유독성 및 현상용 화학 약품의 넓은 볼륨의 재사용성* Wide volume reusability of toxic and developing chemicals

* 간단한 패턴도 다음의 다단계 프로세스를 갖는다Simple patterns also have the following multi-step process:

포토레지스트 코팅;           Photoresist coating;

마스크 정렬;           Mask alignment;

복사 노광;           Radiation exposure;

마스크 제거;           Mask removal;

패턴 현상;           Pattern phenomenon;

과잉 물질을 세정 제거; 및            Washing away excess material; And

기판 건조.           Substrate drying.

스텐실(스크린 프린팅), 마이크로도트 변환(스탬핑), (침식 스크리빙 및 직접 기록 포토리소그래피 등가 이미징을 포함하는)레이저 기록 에칭을 포함하는, 표면상에 패턴된 양각 구조를 제공할 수 있는 다른 프로세스로써, 위와 같은 문제들중 하나 또는 그 이상을 해결할 수 있다. 각각의 기술은 의도된 애플리케이션의 항목, 소위 다음에 의해 유도된 장점 및 한계를 갖지만,As another process capable of providing a patterned relief structure on a surface, including stencils (screen printing), microdot conversion (stamping), laser write etching (including erosion scrubbing and direct write photolithography equivalent imaging). We can solve one or more of these problems. Each technique has the advantages and limitations induced by the item of intended application, the so-called

* 패턴 발생의 속도 * Rate of pattern generation                 

* 양각 패턴 두께* Embossed pattern thickness

* 제어되는 에칭 능력* Controlled etching ability

* 프로세스의 비용The cost of the process

* 프로세스 사용의 용이함* Ease of process use

상술한 모든 문제가 어느 하나의 프로세스에 의해 해결될 수는 없다.Not all of the above problems can be solved by any one process.

본 발명의 바람직한 실시예는 상기 및 그 밖의 문제를 해결하는 것을 추구한다.Preferred embodiments of the present invention seek to solve these and other problems.

하나의 측면에 있어서, 본 발명은 표면상에 마스킹 패턴을 형성하는 방법을 제공한다. 상기 방법은 방울 침착 장치를 사용하여 마스킹 패턴을 형성하기 위해 표면상에 다수의 방울을 침착하는 단계; 및 표면상에 마스킹 패턴의 형성을 제어하기 위해 작용 지역의 국부적 환경을 제어하는 단계를 포함하며, 상기 방울은 침착 장치 및 표면사이의 작용 지역을 통해 지난다.In one aspect, the present invention provides a method of forming a masking pattern on a surface. The method includes depositing a plurality of droplets on a surface to form a masking pattern using a droplet deposition apparatus; And controlling the local environment of the working area to control the formation of a masking pattern on the surface, wherein the droplet passes through the working area between the deposition apparatus and the surface.

하기에 보다 상세히 설명된 것과 같이, 작용 지역만의 국부 환경의 제어는 표면상의 마스킹 패턴의 형성에 중요한 영향을 갖는다는 것을 발견했다. 바람직하게, 마스킹 패턴의 형성이 제어되어 미리 결정된 구조적 특성을 갖는다.As described in more detail below, it has been found that the control of the local environment only in the working area has an important effect on the formation of a masking pattern on the surface. Preferably, the formation of the masking pattern is controlled to have a predetermined structural characteristic.

바람직한 기술은 개개의 방울, 또는 연속적인 방울 흐름이 마스킹 패턴을 형성하도록 표면상에 침착되게 하는 드롭-온-디멘드 프린팅이다. 드롭-온-디멘드 프린팅 방법의 예는 프린트헤드로부터 방울을 내뿜는 압전, 압저항, 릴렉서 및 버블 젯 유도 압력 발생에 기초한 잉크 젯 방법을 포함한다. A preferred technique is drop-on-demand printing, which allows individual droplets, or continuous droplet flow, to be deposited on the surface to form a masking pattern. Examples of drop-on-demand printing methods include ink jet methods based on piezoelectric, piezoresistive, relaxer and bubble jet induced pressure generation that eject droplets from the printhead.                 

마스킹 패턴의 목적에 따라, 마스킹 패턴은 다양한 물질로 형성될 수 있다. 예를 들면, 패턴은 알키드 수지, 아크릴 수지, 페놀 수지, 염화고무, 에폭시, 폴리에스테르, 폴리우레탄, 폴리비닐, 실리콘, 플로로카본, 폴리이미드, 폴리아미드 및 폴리스티렌중에서 적어도 하나로 형성될 수 있다. 패턴은 금속, 유전체, 자기, 발광, 흡광, 투광, 전도, 절연, 반도체 또는 초전도체 물질중 하나로 형성될 수 있다. 침착 물질은 100% 고체 폴리머일 것이다.Depending on the purpose of the masking pattern, the masking pattern may be formed of various materials. For example, the pattern may be formed of at least one of alkyd resin, acrylic resin, phenol resin, rubber chloride, epoxy, polyester, polyurethane, polyvinyl, silicone, fluorocarbon, polyimide, polyamide, and polystyrene. The pattern may be formed of one of metal, dielectric, magnetic, light emitting, absorbing, light transmitting, conductive, insulating, semiconductor or superconducting material. The deposition material will be a 100% solid polymer.

침착 물질은 유기적으로 변화된 세라믹일 수 있다.The deposition material may be an organically changed ceramic.

침착 물질은 용액 또는 용액 겔화 형태일 수 있다. 용매는 물, 저 알콜, 에틸렌글리콜, 아세톤, 헥산, 벤젠, 클로로벤젠, 톨루엔, 파라크실렌 및 메틸렌 염화물중 하나 일 수 있다.The deposition material may be in solution or in solution gelled form. The solvent may be one of water, low alcohol, ethylene glycol, acetone, hexane, benzene, chlorobenzene, toluene, paraxylene and methylene chloride.

바람직하게, 작용 지역은 침착 장치에서 표면까지 확장한다. 그러나, 작용 지역은 부분적으로 침착 장치 및 표면 사이에만 확장할 수 있다.Preferably, the action zone extends from the deposition apparatus to the surface. However, the working area can only partially extend between the deposition apparatus and the surface.

바람직한 실시예에 있어서, 침착 장치 및 표면 사이에서 상대적인 움직임이 발생되어 마스킹 패턴의 형성 동안 상기 작용 지역이 표면을 지나 움직인다.In a preferred embodiment, relative movement occurs between the deposition apparatus and the surface such that the action zone moves across the surface during the formation of a masking pattern.

바람직하게, 작용 지역의 국부 환경은 적어도 다음의 이유중 하나 또는 그 이상을 위해 제어된다.Preferably, the local environment of the working area is controlled for at least one or more of the following reasons.

(ⅰ) 표면상의 방울의 유착을 제어;(Iii) controlling the adhesion of droplets on the surface;

(ⅱ) 표면상의 방울의 확산을 제어;(Ii) controlling the diffusion of droplets on the surface;

(ⅲ) 표면상의 방울의 배치를 제어; 및(Iii) control the placement of droplets on the surface; And

(ⅳ) 방울의 속박을 회피; (Iii) avoid the confinement of the drops;                 

바람직하게, 작용 지역의 국부 온도가 제어되어 표면상의 방울의 응고율을 제어한다.Preferably, the local temperature of the working zone is controlled to control the rate of solidification of the droplets on the surface.

바람직하게, 작용 지역의 국부 공기가 제어된다. 그러한 국부화된 공기 제어는 프린트되는 전체 영역과 관련된 공기 제어에 대립되어, 요구되는 침착 특성을 제어하는 저렴한 수단을 제공할 수 있다. 하나의 실시예에서 이 지역은 프린트헤드를, 예를 들면, 공기의 정압 또는 특정 불황성 또는 반응성 가스 주입을 제공하는 벨로우즈형 구조와 같은 속박 표면으로 둘러쌈으로써 얻어질 수 있다(가스는 가열되거나 냉각된다). 약진공은 건식 진공 펌핑 배열을 사용하는 벨로우즈에서 지지될 수 있다.Preferably, local air in the action zone is controlled. Such localized air control can be opposed to air control associated with the entire area to be printed, thereby providing an inexpensive means of controlling the required deposition properties. In one embodiment, this area can be obtained by enclosing the printhead with a confinement surface, such as, for example, a bellows-like structure that provides a constant pressure of air or a specific inert or reactive gas injection (gas may be heated or Is cooled). The weak vacuum can be supported in the bellows using a dry vacuum pumping arrangement.

따라서, 하나의 바람직한 구성에 있어서, 적어도 부분적인 진공이 작용 지역에서 발생되어 침착 장치에서 표면으로 통과하는 동안 방울의 오염을 실질적으로 피한다. 침착 장치와 표면사이에서 연장하는 기압차는 작용 지역에서 발생될 수 있다. 대안적으로, 또는 부가적으로, 불활성 또는 반응성 가스는 방울 침착동안 작용 지역에 삽입될 수 있다.Thus, in one preferred configuration, at least a partial vacuum is generated in the working area to substantially avoid contamination of the droplets while passing from the deposition apparatus to the surface. An air pressure difference extending between the deposition apparatus and the surface may occur in the working area. Alternatively, or in addition, an inert or reactive gas can be inserted into the action zone during droplet deposition.

바람직한 실시예에서, 작용 지역이 전자기 복사에 국부적으로 노광되어 표면상의 방울의 유착을 제어함으로써, 마스킹 패턴의 응고를 제어한다. 전자기 복사에 작용 지역의 국부 노광의 지속 시간이 제어될 수 있어 표면상의 방울의 확산을 제어함으로써, 마스킹 패턴의 결과적 형태를 제어할 수 있다. 대안적으로, 또는 부가적으로, 전자기 복사의 강도가 제어되어 표면상의 방울의 확산을 제어함으로써, 마스킹 패턴의 결론적 모양을 제어한다. In a preferred embodiment, the working area is locally exposed to electromagnetic radiation to control the coalescence of droplets on the surface, thereby controlling the solidification of the masking pattern. The duration of local exposure of the area acting on electromagnetic radiation can be controlled to control the diffusion of droplets on the surface, thereby controlling the resulting shape of the masking pattern. Alternatively, or additionally, the intensity of electromagnetic radiation is controlled to control the diffusion of droplets on the surface, thereby controlling the conclusive shape of the masking pattern.                 

침착 물질의 방울은 표면상의 침착 이전 및/또는 이후에 복사 경화될 수 있다. 하나의 실시예에서, 복사 경화는 1 mJ.cm-2보다 크거나 같은 드레스홀드 에너지를 갖는다.Drops of deposition material may be radiation cured before and / or after deposition on the surface. In one embodiment, the radiation cure has a dresshold energy greater than or equal to 1 mJ.cm -2 .

예를 들면, 마스킹 패턴의 선너비 및 프로파일 제어는 침착된 물질이 복사 경화에 노광되는 임팩트후에 시간을 제어함으로써 성취될 수 있다. 시간 주기는 바람직하게 1 내지 2000 ㎳, 보다 바람직하게 50 내지 300 ㎳이다.For example, the line width and profile control of the masking pattern can be achieved by controlling the time after impact that the deposited material is exposed to radiation curing. The time period is preferably 1 to 2000 ms, more preferably 50 to 300 ms.

임계 복사의 노광은 액체 물질 유동학에서의 변경을 촉진함으로써, 표면상의 방울의 확산율 및 부근 방울과의 유착의 정도율에 영향을 준다. 방울 유착 및 경화의 그러한 제어는 방울 침착후 0 내지 100 ㎳의 시간영역에서 형성되어야 할 곧은 에지, 평형 측면을 갖는 마스킹 패턴을 가능케 할 수 있다. 계산 유체 동적(CFD) 모델링은 유착까지/동안 시간 영역에서 방울의 임팩트 다이나믹 및 표면 습식 반응에 대한 흔적을 제공해 왔다. 방울 분사 시간과 결합된, 방울 체적, 지름 및 임팩트 에너지(임팩트 간격)는 유착 반응에 직접적으로 기여하는 것으로 발견되었다.Exposure of critical radiation promotes a change in liquid mass rheology, thereby affecting the rate of diffusion of droplets on the surface and the degree of adhesion to adjacent droplets. Such control of droplet adhesion and curing can enable a masking pattern with straight edges, equilibrium sides to be formed in the time domain of 0 to 100 ms after droplet deposition. Computational fluid dynamics (CFD) modeling has provided traces of impact dynamics and surface wet reactions of droplets in the time domain up to and during coalescence. Drop volume, diameter and impact energy (impact interval), combined with droplet injection time, have been found to contribute directly to the coalescence reaction.

마스킹 패턴 사용의 특성은 방울 분사율 및 방울의 센터-투-센터 간격을 이끄는 표면 이송율을 나타낸다. 오퍼레이팅 파라미터의 조절은 드롭-투-드롭 시간 영역의 직접 제어를 허용할 수 있다.The nature of the use of the masking pattern is indicative of the drop spray rate and the surface transfer rate leading to the center-to-center spacing of the drops. Adjustment of the operating parameter may allow direct control of the drop-to-drop time domain.

선너비의 다이나믹 레인지를 성취하기 위해, 표면 습식 및 표면상의 방울의 응고율은 바람직하게 제어된다. 이것은 표면의 표면 에너지 및 침착 프로세스에서 사용되는 물질의 특성을 제어함으로써 성취될 수 있다. 표면 에너지 제어는 침식, 연마, 오존 처리, 플라즈마 노광 및 비습식 물질의 코팅을 포함하는 많은 방법으로써 영향받을 수 있다. 유체 응고 제어는 유체의 화학적 디자인 및 복사 경화의 유형, 정도 및 타이밍으로써 이루어질 수 있다.In order to achieve the linear dynamic range, the wetness of the surface and the solidification rate of the droplets on the surface are preferably controlled. This can be accomplished by controlling the surface energy of the surface and the properties of the material used in the deposition process. Surface energy control can be affected in many ways, including erosion, polishing, ozone treatment, plasma exposure, and coating of non-wetting materials. Fluid coagulation control can be achieved by the chemical design of the fluid and the type, extent and timing of radiation curing.

복사 경화는 모든 적절한 수단에 의해 제공될 수 있다.Radiation curing can be provided by any suitable means.

복사가 침착된 지형과 상호 작용될 경우에 방울 임팩트 지역과 관련있는 시간 및 위치를 선택하는 능력을 제공하기 위해, 복사 소스로부터의 광출력은 광섬유 광유도관 구성을 사용하여 프린트헤드로 전달될 수 있다. 라인 출력 변환을 제공하는 장치와 함께 속하거나 결합되는 다중 광섬유 광 유도관이 사용될 수 있다.In order to provide the ability to select a time and location relative to the droplet impact area when radiation interacts with the deposited terrain, the light output from the radiation source can be delivered to the printhead using a fiber optic light guide configuration. . Multiple fiber optic light guide tubes may be used that belong to or are coupled with the device providing the line output conversion.

전자기 복사는 자외선, 가시광선, 적외선, 마이크로파 및 α입자 중 하나일 수 있다. 고속 경화를 이루기 위해, 침착 물질의 광개시제 및 제어되는 물질을 경화하는 복사 소스의 조사가 복사의 노광 시간과 함께 제어되는 것이 바람직하다. 복사 경화는 침착된 방울에 순차적으로 또는 평행하게 입사하는 복사의 다중 파장으로 제공될 수 있다.Electromagnetic radiation may be one of ultraviolet light, visible light, infrared light, microwaves and alpha particles. In order to achieve high speed curing, it is desirable that the irradiation of the photoinitiator of the deposited material and the radiation source to cure the controlled material be controlled with the exposure time of the radiation. Radiation curing may be provided with multiple wavelengths of radiation incident sequentially or parallel to the deposited droplets.

복사 소스는 적어도 하나의 발광 다이오드(LED)를 포함할 수 있다. 그 또는 각 LED는 무기 또는 유기적 일 수 있으며, SiC, InGaN 또는 PPV 유도체를 기초로 할 수 있다. 복사 소스는 일련의 분리된 LED를 포함할 수 있다. 그러한 소스는 LED의 독립적으로 어드레스 가능한 선형 또는 면적 어레이를 형성하기 위해 함께 버트되는 다수의 분리된 LED를 포함할 수 있다. 플라스틱 캡슐화 패키징은 침착 프린트헤드에 근접한 집적을 수월하게 하기 위해 어레이의 부피를 줄이도록 제거될 수 있다. The radiation source may comprise at least one light emitting diode (LED). The or each LED may be inorganic or organic and may be based on SiC, InGaN or PPV derivatives. The radiation source may include a series of discrete LEDs. Such sources may include a number of discrete LEDs that are butted together to form an independently addressable linear or area array of LEDs. Plastic encapsulation packaging can be removed to reduce the volume of the array to facilitate integration close to the deposition printhead.                 

대안적으로, 복사 소스는 적어도 하나의 반도체 양자 우물 고체 레이저를 포함할 수 있다. 그 또는 각 레이저는 무기물 또는 유기물일 수 있으며, SiC, InGaN 또는 PPV 유도체를 기초로 할 수 있다. 복사 소스는 일련의 분리된 레이저를 포함할 수 있다. 그러한 소스는 독립적으로 어드레스할 수 있는 반도체 양자 우물 스택 고체 레이저의 어레이를 포함할 수 있다. 레이저는 단일 수정 웨이퍼상에서 제조될 수 있다. 웨이퍼는 표면을 지나 비행중, 임팩트중 및 확산중 경화를 수월하게 하도록 프린트헤드 또는 각이진 회전 가능한 하우징에 직접적으로 결합될 수 있는 레이저의 라인을 발생하도록 다이싱될 수 있다. 대안적으로, 레이저는 유동적인 플라스틱 시트에서 제조될 수 있다.Alternatively, the radiation source may comprise at least one semiconductor quantum well solid state laser. That or each laser may be inorganic or organic and may be based on SiC, InGaN or PPV derivatives. The radiation source may comprise a series of separate lasers. Such a source may comprise an array of independently addressable semiconductor quantum well stack solid state lasers. The laser can be fabricated on a single quartz wafer. The wafer can be diced to generate a line of laser that can be directly coupled to the printhead or the angular rotatable housing to facilitate curing in flight, impact, and diffusion past the surface. Alternatively, the laser can be made from a flexible plastic sheet.

복사 소스는 스트립라이트 또는 전체 영역 조명 장치에 사용될 수 있는, 적어도 하나의 발광 폴리머(LEP)를 포함할 수 있다. LEP는 박막 장치일 수 있다. 복사 경화는 박막 무기 또는 유기 발광 물질을 사용함으로써 전체 영역 프로세스로서 성취될 수 있다. 박막 장치 디자인은 장치에 의해 방출될 파장대를 한정한다. 방출은 특정 파장 또는 파장들을 적합하게 하도록 조절될 수 있다. 파장의 이산 무늬 또는 밴드는 장치 제조에서 성취될 수 있다. 무늬 또는 밴드 포커싱 또는 디포커싱은 볼록 렌즈 구성으로 이루어 질 수 있다. 볼록 렌즈는 드롭-온-디멘드 기술을 사용하여 침착될 수 있다. 하나의 바람직한 실시예에 있어서, LEP는 침착된 마스킹 패턴의 경화 또는 조명을 위한 파장을 선택하기 위해 필터링된 백색광을 방출한다.The radiation source may comprise at least one light emitting polymer (LEP), which may be used in striplights or full area lighting devices. The LEP may be a thin film device. Radiation curing can be accomplished as a full area process by using thin film inorganic or organic luminescent materials. Thin film device designs define the wavelength band to be emitted by the device. The emission can be adjusted to suit a particular wavelength or wavelengths. Discrete patterns or bands of wavelengths can be achieved in device manufacturing. Pattern or band focusing or defocusing can be made in a convex lens configuration. Convex lenses can be deposited using drop-on-demand technology. In one preferred embodiment, the LEP emits filtered white light to select wavelengths for curing or illumination of the deposited masking pattern.

본 발명은 릴-투-릴 및/또는 로보트 기판 이송 방법을 사용함으로써 고효율 에칭 마스크 프린팅 시스템을 제공할 수 있다. 예를 들면, 프린트헤드의 다중 세트 가 사용될 수 있어 2개의 인장된 "공급" 및 "수용"드럼 사이에서 유지된 플라스틱 시트의 오픈 렝스를 따라 동작되어야 할 분리된 워크 스테이션의 다중성을 허용한다.The present invention can provide a highly efficient etch mask printing system by using a reel-to-reel and / or robot substrate transfer method. For example, multiple sets of printheads can be used to allow the multiplicity of separate workstations to be operated along the open length of the plastic sheet held between two tensioned "feed" and "receive" drums.

바람직하게, 표준 정렬 마크가 발생된다. 일련의 코딩은 (예를 들면, 습식 에칭에 대한 프린트된 회로 보드를 위해) 개개의 기판에 침착될 수 있다. 이것은 칼러 또는 투명한 잉크를 사용하는 드롭-온-디멘드 프린팅 방법을 사용함으로써 성취될 수 있다.Preferably, a standard alignment mark is generated. A series of codings can be deposited on individual substrates (eg for printed circuit boards for wet etching). This can be accomplished by using a drop-on-demand printing method using color or transparent ink.

본 발명은 침착된 마스킹 패턴의 동적인 이미징을 활용할 수 있다. 그러한 이미징은 프린트헤드에 직접적으로 통합된 선형 이미징 장치로써 제공될 수 있다. 실시간 이미징은 프린트헤드 어셈블리의 양 측상의 전하 결합 장치(CCD)와 같은 이미징 어레이를 통합함으로써 성취될 수 있어, 그로 인해 양방향 프린트 이미징을 허용한다. 실시간 이미징은 CCD 또는 실리콘 x-y 어드레스 가능한 포토다이오드 어레이와 같은 무기적 이미징 장치를 사용하거나 박막 유기 광전도 픽셀 어레이의 (포토다이오드)로써 성취될 수 있다.The present invention can utilize dynamic imaging of deposited masking patterns. Such imaging can be provided as a linear imaging device integrated directly into the printhead. Real-time imaging can be accomplished by integrating an imaging array such as a charge coupled device (CCD) on both sides of the printhead assembly, thereby allowing bidirectional print imaging. Real-time imaging can be accomplished using inorganic imaging devices such as CCDs or silicon x-y addressable photodiode arrays or as (photodiodes) of thin film organic photoconductive pixel arrays.

처리 양품률을 증가시키기 위해, 패턴 인식 및 오버레이 비교 기반 소프트웨어가, 예를 들면, 넓은 영역 유기 광전도 어레이를 사용하여 사용될 수 있다. 이것은 고가의 렌즈 구성의 도움없이 한 번에 이미징되어야 할 완성 기판을 가능케 할 수 있다. 유기 포토다이오드 영역 어레이는 바람직하게 이미징되어야 할 최상의 모양과 양립할 수 있는 픽셀 분해능을 갖는다. 이미지는 바람직하게 소프트웨어 기반 패턴 인식을 보다 쉽고 빠르게 하는 1:1 대응이다. In order to increase processing yield, software for pattern recognition and overlay comparison based can be used, for example, using a wide area organic photoconductive array. This may enable finished substrates to be imaged at one time without the aid of expensive lens construction. The organic photodiode region array preferably has pixel resolution that is compatible with the best shape to be imaged. The image is preferably a 1: 1 correspondence that makes software based pattern recognition easier and faster.                 

본 발명은 바람직하게 프린트헤드의 노즐 구멍을 선택적으로 덮는 바이모르프 또는 다른 전기적 구동 전자기 복사 셔터를 사용한다. 셔터 어셈블리는 마이크로머신된 구조이다. 셔터는 노즐 표면을 세정하는 수단을 포함한다. 따라서, 다른 측면에 있어서, 본 발명은 침착 챔버, 침착 챔버와 유체적으로 연결된 노즐 및 노즐 홈을 선택적으로 덮고, 노즐의 표면을 세정하는 수단을 포함하는 노즐 셔터를 포함하는 방울 침착 장치를 제공한다.The present invention preferably uses a bimorph or other electrically driven electromagnetic radiation shutter that selectively covers the nozzle holes of the printhead. The shutter assembly is a micromachined structure. The shutter includes means for cleaning the nozzle surface. Accordingly, in another aspect, the present invention provides a droplet deposition apparatus comprising a nozzle shutter comprising means for selectively covering a deposition chamber, a nozzle fluidly connected to the deposition chamber and a nozzle groove, and for cleaning the surface of the nozzle. .

하나의 바람직한 실시예에 있어서, 세정 수단은 노즐 표면을 세정하는 일련의 박막/후막 와이퍼 블레이드를 포함한다. 장치는 셔터 어셈블리의 양 단부에 위치된 와이퍼 블레이드에서 저수용기의 잔여 잉크의 흐름을 돕는 일련의 유체 덕트를 포함할 수 있다. 진공 흡입 튜브는 저장된 유체/잉크를 주기적으로 비우기 위해 저장용기에 위치된다.In one preferred embodiment, the cleaning means comprises a series of thin film / thick film wiper blades for cleaning the nozzle surface. The apparatus may include a series of fluid ducts that assist in the flow of residual ink in the reservoir, at the wiper blades located at both ends of the shutter assembly. A vacuum suction tube is placed in the reservoir to periodically empty the stored fluid / ink.

원위치의 환경 및 복사 셔텨 어셈블리는 방울 착지 지역과 근접한 표면 전처리를 제공하는 실시간 펄스 플라즈마 전극 및/또는 프린트헤드 진공 기폭 장치로서 작용할 수도 있다.The in situ environment and radiation shutter assembly may act as a real time pulsed plasma electrode and / or printhead vacuum detonator providing surface pretreatment in close proximity to the drop landing area.

와이퍼 블레이드의 표면은 향상된 세정 작용 및 저항을 제공하기 위해 국부적으로 경화될 수 있다. 블레이드는 바람직하게 셔터의 표면을 고에너지 이온(이온 주입 또는 플라즈마 주입)의 빔에 노광시킴으로써 경화된다. The surface of the wiper blades can be locally hardened to provide improved cleaning action and resistance. The blade is preferably cured by exposing the surface of the shutter to a beam of high energy ions (ion implantation or plasma implantation).

방법은 가변 속도 복사 경화 프린팅을 제공하는, 다수의 방울 분사 파장 및 시퀀스를 이용할 수 있다. 특정 드라이브 파형 시퀀스는 마스킹 패턴의 유형에 따라 사용될 수 있다. The method may utilize multiple droplet spraying wavelengths and sequences, providing variable speed radiation cured printing. Specific drive waveform sequences may be used depending on the type of masking pattern.                 

표면 전처리는 예를 들면, 마스킹 패턴의 침착에서 및/또는 이전에 수행될 수 있다. 표면 전처리는 국부적 오존, 복사 노광, 스프레이 헤드 또는 잉크 젯 프린트헤드, 또는 스프레이 헤드로부터 분사되는 산 또는 알카리, 또는 잉크 젯 프린트헤드로부터의 용매에 의해 수행될 수 있다.Surface pretreatment can be performed, for example, and / or prior to the deposition of the masking pattern. Surface pretreatment may be carried out by local ozone, radiation exposure, spray head or ink jet printhead, or acid or alkali sprayed from the spray head, or solvent from the ink jet printhead.

잉크 젯 프린트헤드의 실시간 높이 조절은 마스킹 층의 침착동안 수행될 수있다. 이 위치 설정은 프린트헤드를 z 축으로 이동하게 하는 바이모르프 또는 캔틸레버형 또는 서보 드라이브 위치조정 변환기를 사용하여 수행될 수 있다. 높이 조절은 바람직하게 50 내지 2000 ㎛, 보다 바람직하게 0.75 내지 1.25 ㎜에서이다. 위치조정 변환기는 프린트헤드가 평형으로 배치되도록 프린트헤드의 양 단부에 위치될 수 있다. 그러한 실시간 위치조정은 전기 광학(레이저[레인지 파인더 원리] 또는 포토트랜지스터 또는 광전지쌍과 결합된 LED) 또는 용량성, 또는 유도성 센싱 소자의 결과일 수 있다. 그러한 높이 제어는 다이렉트 유체 접촉 전달을 수월하게 할 수 있다.Real time height adjustment of the ink jet printhead can be performed during deposition of the masking layer. This positioning can be done using a bimorph or cantilevered or servo drive positioning transducer that causes the printhead to move on the z axis. The height adjustment is preferably at 50 to 2000 μm, more preferably at 0.75 to 1.25 mm. Positioning transducers may be located at both ends of the printhead such that the printhead is disposed in equilibrium. Such real-time positioning may be the result of electro-optical (laser [range finder principle] or LED combined with phototransistor or photovoltaic pair) or capacitive or inductive sensing element. Such height control can facilitate direct fluid contact transfer.

본 발명은 다중 프린트헤드를 수용할 수 있는 프린트헤드 엔클로저를 활용함으로써 와이드 포맷 프린팅을 가능케할 수 있다. 예를 들면, 일련의 프린트헤드는 공통 노즐 포맷과 함께 버트될 수 있다. 이것은 노즐의 수가 증가되더라도 결론적인 평형 측면을 가진 패턴이 영향받지 않게 할 수 있다. 버팅 에러는 그러한 프린트를 절충하므로, 공통 노즐 판을 통합할 필요가 있다. 정렬이 완료되면 제거될 수 있는 He-Ne 사이팅 레이저 어셈블리의 압전 위치조정을 활용함으로써 버팅된 프린트헤드가 x-y-z 축으로 정렬될 수 있다. The present invention can enable wide format printing by utilizing a printhead enclosure that can accommodate multiple printheads. For example, a series of printheads can be butted with a common nozzle format. This can keep the pattern with the conclusive equilateral aspect unaffected even if the number of nozzles is increased. Butting errors compromise such prints, and therefore need to incorporate a common nozzle plate. By utilizing the piezoelectric positioning of the He-Ne sighting laser assembly, which can be removed once the alignment is complete, the butted printhead can be aligned on the x-y-z axis.                 

마스크 패턴 선너비를 최적화하기 위해, 침착 물질의 형성이 제어될 수 있다. 유리 전이 온도 Tg와 같은 침착 물질의 특성은 침착 물질의 경도 및 온도 안정성에 영향을 줄 수 있다. 부피-투-표면 광개시제 비율의 변화는 경화율에 영향을 줄 수 있다. 최적의 동작은 1 내지 4:1(표면:부피)에서 발생한다.In order to optimize the mask pattern line width, the formation of the deposition material can be controlled. The properties of the deposited material, such as the glass transition temperature T g , can affect the hardness and temperature stability of the deposited material. Changes in the volume-to-surface photoinitiator ratio can affect the cure rate. Optimal behavior occurs at 1 to 4: 1 (surface: volume).

근접 결합, 저온도, 마이크로파 개시 가스 방출 복사 소스는 넓은 영역 폴리머 교차 결합을 촉진할 수 있다. 낮은 표면은 기판 표면에서 커플 아웃하도록 방출 유도된 포토종을 허용하는 표면 양각 패턴이 그 내에 제조됨으로써 마스크 재료를 조사시킨다. 원하는 파장(가스 특성)의 플라즈마 방전 포톤을 적출하기 위해 필요한 표면 양각은 산광기, 도트 매트릭스, 또는 모스-아이드 렌즈 매트릭스와 같은 확산 구조일 수 있다. 바람직한 실시예는 볼록 렌즈 타입 어레이를 사용하며, 여기에서 거의 사각형 단면(90o보다 작거나 같은) 투영 너비, 높이 및 벽 경사는 지정된 빛의 파장에 대한 결합의 효율에 영향을 준다.Proximity bonding, low temperature, microwave initiating gas emission radiation sources can promote wide area polymer cross linking. The low surface irradiates the mask material by making a surface relief pattern therein that allows emission induced photo species to couple out at the substrate surface. The surface relief needed to extract the plasma discharge photons of the desired wavelength (gas characteristics) can be a diffused structure, such as a diffuser, dot matrix, or MOS-Eye lens matrix. Preferred embodiments use convex lens type arrays, where a substantially rectangular cross section (less than or equal to 90 ° ) projection width, height and wall slope affect the efficiency of the coupling for a given wavelength of light.

지정된 노즐 판 기하학은 노즐 어레이로부터 분사된 방울의 배치 제어에 영향을 줄 수 있다. 시어링 작용(즉, Xaar XJ 시리즈 프린트헤드)이 사용되면, 노즐 스태거는 바람직하게 곧은 문자 프린팅을 하도록 노즐 판에서 한정된다. 웰 한정된 라인을 만드는 방울의 유착을 얻기 위해 표준 파라미터 범위의 프린트헤드 외부를 동작함으로써 방울 간격을 다양화할 필요가 있다.The designated nozzle plate geometry can affect the placement control of droplets ejected from the nozzle array. If a shearing action (ie, Xaar XJ series printhead) is used, the nozzle stagger is preferably defined at the nozzle plate for straight character printing. It is necessary to vary the drop spacing by operating outside of the printhead in the standard parameter range to obtain droplet adhesion that creates well defined lines.

마스킹 패턴은 전극 표면 땜납 리플로우 저항 마스크 패턴일 수 있다. 이 예에서, 땝납 마스크를 형성하는 방법은 상술한 에칭 마스크를 형성하는 방법과 유사 하며, 잉크 형성의 선택이 땝납 딥 코팅 및 열적 파 땝납 리플로우 프로세스에 적용된 높은 온도를 반영해야 하는 것이다. 땝납 마스크로서 사용될 수 있는 가용성 물질은 실리콘, 폴리이미드, PTFE 및 에폭시를 포함한다.The masking pattern may be an electrode surface solder reflow resistance mask pattern. In this example, the method of forming the solder mask is similar to the method of forming the etch mask described above, and the choice of ink formation should reflect the high temperatures applied in the solder dip coating and thermal wave solder reflow processes. Soluble materials that can be used as the solder mask include silicone, polyimide, PTFE and epoxy.

마스킹 패턴은 3D 에칭 마스크일 수 있다. 다수의 장치 제조 응용은 가변 빌드 높이 또는 에칭 깊이 모양의 생산을 요구한다. 특정 영역에서 응고된 다중 방울 또는 침착되는 패턴이 다른 시간인 패턴의 다중 통로중 하나를 사용하여 그러한 모양을 한정하기 위해 방울 침착 프로세스를 사용할 수 있다.The masking pattern may be a 3D etch mask. Many device fabrication applications require the production of variable build heights or etch depth shapes. A droplet deposition process can be used to define such shapes using one of multiple passages of a pattern where the multiple drops solidified or deposited patterns in a particular area are different at different times.

하나의 바람직한 실시예에서, 마스킹 패턴은 건식 에칭 저항, 무기 에칭 마스크이다. 에칭 마스크는 무기 또는 혼합된 유기-무기 유체 시스템을 근거로 형성될 수 있다. 그러한 경우에, 유체의 특성 및 프린트헤드 물질과 노즐 비습식 코팅에 대하여 화학적 안정성이 적용된다. 유기-무기 유체(오머서-유기적으로 수정된 세라믹, 졸-겔, 금속-유기 등)는 UV와 같은 복사 경화를 사용할 수 있다. 마스킹 패턴은 비전해 또는 전해 도금 베스 저항, 에칭 마스크 패턴일 수 있다. 프린팅 방법은 프린트된 배선 보드 에칭 마스크 패턴을 위한 것과 동일하다. 차이는 사용되는 물질의 선택과, 자연에서 3차원인 마스크 패턴을 구성하는 필요성에서이다. 전형적인 물질은 에폭시, 폴리카보나이트, 실리콘, PTFE, 폴리클로로트리플로로에틸렌, 폴리이미드, 폴리이소프렌 및 폴리프로필렌폴리스티렌 등을 포함한다.In one preferred embodiment, the masking pattern is a dry etch resistance, inorganic etch mask. Etch masks may be formed based on inorganic or mixed organic-inorganic fluid systems. In such cases, chemical stability is applied to the properties of the fluid and to the printhead material and the nozzle non-wet coating. Organic-inorganic fluids (Omercer-organically modified ceramics, sol-gels, metal-organic, etc.) can use radiation curing such as UV. The masking pattern may be an electroless or electroplating bath resistor, an etching mask pattern. The printing method is the same as for the printed wiring board etch mask pattern. The difference lies in the choice of materials used and the need to construct a mask pattern that is three-dimensional in nature. Typical materials include epoxy, polycarbonite, silicone, PTFE, polychlorotrifluoroethylene, polyimide, polyisoprene, polypropylenepolystyrene, and the like.

마스킹 패턴은 부가적인 도금 에칭 마스크일 수 있다.The masking pattern may be an additional plating etch mask.

마스킹 패턴은 고분해능 에칭 마스크일 수 있다. 고 분해능은 제공되는 응용에 따라 상이한 측정을 갖는다. 이 개시의 목적을 위해, 고 분해능은 10㎛보다 작 은 모양 사이즈를 의미한다.The masking pattern may be a high resolution etch mask. High resolution has different measurements depending on the application provided. For the purposes of this disclosure, high resolution means shape size smaller than 10 μm.

마스킹 패턴은 전기적 도전 마스킹 층일 수 있다. 그러한 마스킹 층은 전극 패턴의 비전해/전해 코팅을 위해 시드 층에서와 같이 사용후 원위치에 남겨질 수 있다. 마스킹 층은 선택 금속으로 코팅하기 전에 특정 전도성 및 화학적 계면 반응을 초래하기 위해, 카본 기반 또는 금속 아세테이트 기반(즉, 팔라듐)일 수 있다.The masking pattern may be an electrically conductive masking layer. Such masking layer may be left in place after use, such as in the seed layer, for the electroless / electrolytic coating of the electrode pattern. The masking layer can be carbon based or metal acetate based (ie, palladium) to effect certain conductive and chemical interfacial reactions prior to coating with the selective metal.

마스킹 패턴은 데코러티브 표면 에칭 마스크일 수 있다. 데코러티브 표면은 표면 양각 패턴을 형성하는데 사용되는 잉크의 특성을 기반으로 할 수 있다. 그러한 시스템은 안전 신호로서 이미지 및 기록될 수 있는 고체에서 미립자 분산의 유일한 특성에 기인하여 안전 장치로서 사용될 수 있다.The masking pattern may be a decorative surface etch mask. The decorative surface may be based on the properties of the ink used to form the surface relief pattern. Such a system can be used as a safety device due to the unique nature of particulate dispersion in solids that can be imaged and recorded as safety signals.

본 발명은 에칭 마스크 패턴의 침착의 UV (또는 다른 에너지/복사) 라인 소스를 사용할 수 있다. 그러한 라인 소스는 선택된 프린트헤드의 너비를 지나 복사 (UV-가시광선-IR-전자) 노광의 균일한 영역을 제공할 수 있다. 하나의 바람직한 실시예에서의 라인 소스 구조는 0.25 내지 1 ㎜의 개개의 지름의 섬유의 단일 라인을 제공하기 위해 부채꼴로 펴진 광섬유 다발을 사용한다. 섬유 라인은 직접적으로 접촉되며, 약간의 경성과 취급의 용이를 제공하는 폴리이미드 시트 지지 물질에 고착된다.The present invention can use a UV (or other energy / radiation) line source of deposition of an etch mask pattern. Such a line source can provide a uniform area of radiation (UV-visible-IR-electron) exposure beyond the width of the selected printhead. The line source structure in one preferred embodiment uses fanned fiber bundles to provide a single line of fibers of individual diameters of 0.25 to 1 mm. The fiber lines are in direct contact and adhere to the polyimide sheet support material, which provides some stiffness and ease of handling.

본 발명은 침착 물질의 방울을 침착하기 위해 방울 분사 기술을 사용하여 회로 보드상에 회로 패턴을 형성하는 방법도 제공하며, 상기 방법은 회로 보드에 형성된 비아 홀을 적어도 부분적으로 채우기 위해 상기 회로 보드상에 다수의 방울을 침착하는 것을 포함한다. 그러한 방법은 2가지 상이한 방법, 즉 코팅된 비아 홀 인-필 또는 표면 장력 유도 코팅으로 실행될 수 있다.The present invention also provides a method of forming a circuit pattern on a circuit board using droplet injection techniques to deposit droplets of deposition material, the method on the circuit board to at least partially fill via holes formed in the circuit board. Depositing a plurality of droplets on the substrate. Such a method can be carried out in two different ways: coated via hole in-fill or surface tension inducing coating.

인-필 프로세스는 모세관 현상하에서 홀을 채우기 위해 방울을 발생시키는 방울의 다중성을 사용한다. UV 경화는 솔리드 플러그를 형성하기 위해 침착된 방울을 응고시킨다.The in-fill process uses the multiplicity of droplets to generate droplets to fill holes under capillary action. UV curing solidifies the droplets deposited to form a solid plug.

표면 장력 유도 코팅 프로세스는 채워져야 할 홀 사이즈보다 큰 방울 사이즈를 요구한다.Surface tension induction coating processes require a drop size larger than the hole size to be filled.

바람직하게, 이 방법은 마스킹 패턴을 뒤이어 적어도 부분적으로 제거하는 단계를 포함한다. 제거 프로세스는 건식 또는 습식일 수 있다. 건식 프로세스는 아르곤, 산소, 아르곤-산소 혼합물, CF4-산소 혼합물, 아르곤-물 증기 등(불활성 가스 희토 산화물 시리즈; 반응성 가스는 수소, 산소, 염소, 플루오르 등으로 처리된다)을 포함하는 다양한 가스 화학 물질을 기초로 한 플라즈마를 사용한다. 습식 프로세스는 수성 및 비수성 용매 시스템 둘 다를 사용한다. 수성 기반 화학적 부식액은 주로 가성 기반이다[전형적인 프로세스는 30℃에서 H2O 의 5% NaOH 의 롤러 피드를 지나 주입된다]. 아크릴산의 마스크를 제거하는 비수성 용매는:Preferably, the method comprises the step of at least partially removing the masking pattern. The removal process can be dry or wet. The dry process involves a variety of gases including argon, oxygen, argon-oxygen mixtures, CF 4 -oxygen mixtures, argon-water vapors, etc. (inert gas rare earth oxide series; reactive gases are treated with hydrogen, oxygen, chlorine, fluorine, etc.). Use plasma based chemicals. Wet processes use both aqueous and non-aqueous solvent systems. The aqueous based chemical caustic is mainly caustic based (a typical process is injected past a roller feed of 5% NaOH of H 2 O at 30 ° C.). The non-aqueous solvent to remove the mask of acrylic acid is:

* 클로로포름(용해 작용)* Chloroform (Solubility)

* 디클로로메탄(팽창 및 용해 작용- 빨리 제거)* Dichloromethane (expansion and dissolution-remove quickly)

* 테트라클로로메탄(용해 작용)Tetrachloromethane (dissolution)

* 클로로벤젠(팽창 작용)* Chlorobenzene (expansion)

* 1,1,2-트리클로로메탄(용해 작용) * 1,1,2-trichloromethane (soluble)                 

* N-메틸필로로디논[NMP](팽창 작용- 느린 프로세스)N-methylphylolodinone [NMP] (expansion-slow process)

을 포함한다.It includes.

방법은 공통 통합된 복사 경화 소스로 이중 프린트헤드 구성을 활용할 수 있다. 이 구성은 이중 백-투-백 프린트헤드 구성의 외부 에지 및 중앙에 위치된 복사 소스를 가질 수 있다. 이것으로 전방 또는 후방 프린트와 관계없이 복사 노광과 동일한 정도를 제공하는, 이중-방향 모드로 프린트헤드가 프린트하도록 한다.The method may utilize a dual printhead configuration as a common integrated copy curing source. This configuration may have a copy source located at the outer edge and center of the dual back-to-back printhead configuration. This allows the printhead to print in a bi-directional mode, which provides the same degree of radiation exposure regardless of the front or back print.

마스킹 패턴은 화학적 부착 전달을 기초로 하여 형성될 수 있다. 화학적 부착은 촉매 작용된 표면상에서 키랄성을 통하거나 친수성 반응을 통할 수 있다.Masking patterns can be formed based on chemical attachment transfer. Chemical attachment can be via chiral or hydrophilic reactions on the catalyzed surface.

본 발명은 단일 패널 프린트된 배선 보드(PWB) 백-투-프린트 자동 레지스트레이션 에칭 마스크 프린팅 프로세스를 형성하도록 활용될 수 있다. 이 프로세스는 예를 들면 He-Ne 레이저 빔과 실리콘 다이오드 포토디텍터를 사용하여 서로 관련하여 정렬된, 2개의 직면하는 프린트헤드 또는 프린트헤드의 버트된 선형 어레이를 사용할 수 있다.The present invention can be utilized to form a single panel printed wiring board (PWB) back-to-print auto registration etch mask printing process. This process may use, for example, two facing printheads or a butted linear array of printheads, aligned in relation to each other using a He-Ne laser beam and a silicon diode photodetector.

마스킹 패턴은 근접 수직 벽으로 된 마스크 패턴일 수 있다. 고체 표면과 상호 작용하여 잉크 젯 프린트헤드 분사될 방울의 계산 유체 동적 모델링(FlowScien ce사의 Flow 3D 모델링 소프트웨어 기반)은 수직에 매우 근접된 측벽 모양으로 단일 도트를 만들수 있는 것을 제안했다. 방울의 임팩트 속도 및 잉크 점성과 결합된, 이전 방울의 방울 간격과 응고 상태는 라인을 형성하기 위해 유착율에 영향을 준다. 라인이 수직 측벽 프로파일을 갖기 위해, 유착 프로세스가 방울 물질이 응고된 방울의 너비로 확산되는데 걸리는 시간(즉, 10 ㎲보다 작거나 같은 시간)안에 발생되는 것이 필수적이다. The masking pattern may be a mask pattern with a near vertical wall. Calculation of droplets to be ejected by ink jet printheads by interacting with solid surfaces Fluid dynamic modeling (based on FlowScien ce's Flow 3D modeling software) proposed the ability to create single dots with sidewalls very close to vertical. The drop spacing and solidification state of the previous drop, combined with the drop's impact rate and ink viscosity, affect the adhesion rate to form a line. In order for the line to have a vertical sidewall profile, it is necessary for the coalescence process to occur within the time it takes for the droplet material to diffuse to the width of the solidified droplet (ie, less than or equal to 10 ms).

마스킹 패턴은 이온 주입 마스크일 수 있다. 그러한 마스킹 물질의 목적은 고에너지 이온 빔으로부터의 마스크하에서 표면을 보호하는 것이다. 에너지 범위는 10 eV 내지 50 MeV 이다. 마스킹 층의 두께는 조사빔의 에너지에 따를 것이다. 높은 에너지에 대해, 예상되는 마스크 두께는 10 ㎛보다 작거나 같을 것이다.The masking pattern may be an ion implantation mask. The purpose of such masking material is to protect the surface under a mask from a high energy ion beam. The energy range is 10 eV to 50 MeV. The thickness of the masking layer will depend on the energy of the irradiation beam. For high energy, the expected mask thickness will be less than or equal to 10 μm.

마스킹 패턴은 단일 또는 다 칼러 발광 폴리머 디스플레이의 제조에 사용되는 것과 같은, 컨파인먼트 웰 마스크일 수 있다(도 26 참조). 그러한 컨파인먼트 웰을 사용하는 그 밖의 디스플레이 장치는 무기 란탄족 원소 염료 또는 유기 소분자 염료 구조를 포함한다.The masking pattern may be a confinement well mask, such as used in the manufacture of single or multicolor light emitting polymer displays (see FIG. 26). Other display devices using such confinement wells include inorganic lanthanide element dyes or organic small molecule dye structures.

본 발명은 표면상에 스페이서 패턴을 형성하는 방법도 제공하며, 상기 방법은:The present invention also provides a method of forming a spacer pattern on a surface, the method comprising:

방울 침착 장치를 사용하여 스페이서 패턴을 형성하기 위해 표면상에 다수의 방울을 침착하는 단계; 및Depositing a plurality of droplets on a surface to form a spacer pattern using a droplet deposition apparatus; And

방울 침착동안, 표면상의 스페이서 패턴의 형성을 제어하기 위해 작용 지역의 국부 환경을 제어하는 단계를 포함하며, 상기 방울은 침착 장치 및 표면 사이에 위치된 작용 지역을 통해 지난다.During droplet deposition, controlling the local environment of the working area to control the formation of a spacer pattern on the surface, the droplets passing through the working area located between the deposition apparatus and the surface.

스탠드-오프 스페이서는 전형적으로 평면 디스플레이 장치의 2부분을 분리하는데 사용된다. 일 예는 진공 기반 필드 방출 디스플레이에 사용되는, 알려진 전도성 및 보조 전자 방출성의 스페이서 물질의 사용이다. 다른 예는 액정 디스플레이에 사용되는 분리 웰 구조이다. 웰 구조는 웰을 채우기 위해 잉크 젯 프린트되거나 진공 주입될 수 있는 액정을 포함한다.Stand-off spacers are typically used to separate two parts of a flat panel display device. One example is the use of known conductive and secondary electron emissive spacer materials used in vacuum based field emission displays. Another example is a separate well structure used in liquid crystal displays. Well structures include liquid crystals that can be ink jet printed or vacuum injected to fill the wells.

본 발명은 모두 건식, 대전된 토너, 광 전이 프로세스를 사용하여 마스킹 패턴을 형성하는 방법으로도 확장한다. 따라서, 본 발명은 표면상의 양각 패턴을 형성하는 방법도 제공하며, 상기 방법은:The present invention also extends to methods of forming masking patterns using all dry, charged toner, and light transfer processes. Accordingly, the present invention also provides a method of forming an embossed pattern on a surface, the method comprising:

롤러의 부분에서 전하를 선택적으로 제거하기 위해 대전된 롤러를 선택적으로 조사하는 단계;Selectively irradiating a charged roller to selectively remove electric charge at a portion of the roller;

방울 침착 장치를 사용하여 롤러의 대전된 부분상에, 침착 장치 및 롤러사이에 위치된 작용 지역을 통해 지나는 다수의 방울을 침착하는 단계; Depositing a plurality of droplets passing through an action zone located between the deposition apparatus and the roller on the charged portion of the roller using the droplet deposition apparatus;

방울 침착동안, 롤러상에 형성된 패턴의 구조를 제어하기 위해 작용 지역의 국부 환경을 제어하는 단계; 및During droplet deposition, controlling the local environment of the working area to control the structure of the pattern formed on the roller; And

상기 표면상에 양각 패턴을 형성하기 위해 롤러에서 표면상으로 침착된 물질을 이송하는 단계를 포함한다.Conveying the deposited material onto the surface in the roller to form an embossed pattern on the surface.

이것은 토너는, 토너상의 전하 축적에 대한 필요한 지름 및 물질 특성 및 패턴될 광전도체와 기판에 입자 전이를 제공하는 나노 또는 마이크로캡슐/미립자로 이루어진/방울 시스템인 사진 복사의 적용이다. 다른 프로세스는 물질이 유착하도록 마이크로 캡슐/입자/방울을 리플로우하기 위해 원위치 고속 열적/적외선(펄스 또는 연속 조사) 처리 수단을 사용하여 처리될 수 있는 토너를 사용한다. 예로 들면, 토너 마이크로캡슐/입자는 실제로 저온도(<200℃) 열가소성의 고체 방울인 것으로 고려한다. 온도로서 녹여지는 대전진 입자가 도입된다. 녹는 정도는 과도한 표면 습식(리플로우)없이 유착을 허용하기에 충분하다. 열의 제거는 다시 굳도록 열가소성을 허용해서, 요구되는 에칭 마스크 패턴을 형성한다. 중공의 캡슐이 특정 물질(즉, 폴리머, 무기 등)을 포함하는데 사용되는 것이 예상된다.This toner is the application of photocopying, which is a nano / microcapsule / particulates / drop system which provides the necessary diameter and material properties for charge accumulation on the toner and particle transitions to the photoconductor and substrate to be patterned. Another process uses toners that can be processed using in situ high speed thermal / infrared (pulse or continuous irradiation) processing means to reflow microcapsules / particles / droplets to coalesce materials. For example, the toner microcapsules / particles are considered to be actually solid drops of low temperature (<200 ° C.) thermoplastics. Charged particles that dissolve as temperature are introduced. The degree of melting is sufficient to allow coalescence without excessive surface wet (reflow). The removal of heat allows the thermoplastic to solidify again, forming the required etch mask pattern. It is contemplated that hollow capsules will be used to contain certain materials (ie, polymers, inorganics, etc.).

본 발명의 바람직한 특징이 첨부된 도면을 참조하여, 예시로서만 설명될 것이다.Preferred features of the present invention will be described by way of example only with reference to the accompanying drawings.

도 1은 표면 에너지가 전형적인 프린트된 배선 보드 물질에서 관찰되는 것과 동일한 표면상에서 전형적인 마스킹 잉크의 확산 반응의 계산 유체 동적 모델로부터 얻어진 애니메이션 시퀀스로부터의 캡쳐된 이미지. 드레스홀드 복사 에너지에의 노광전의 방울 간격, 표면 에너지 상호 작용, 및 시간이 성취된 라인 너비 및 에지 질을 나타낸다.1 is a captured image from an animation sequence obtained from a computational fluid dynamic model of the diffusion reaction of a typical masking ink on the same surface where the surface energy is observed in a typical printed wiring board material. Drop spacing before exposure to the dress radiation radiation, surface energy interactions, and line width and edge quality at which time was achieved.

도 2[a-b]는 임팩트 아웃에서 1 ㎳까지의 시간 간격을 커버하는, 2D 수직 플레인에서의 2개의 잉크 젯 방울의 상호작용의 계산 유체 동적 모델로부터 얻어진 애니메이션 시퀀스로부터 캡쳐된 이미지.FIG. 2 [a-b] is an image captured from an animation sequence obtained from a computational fluid dynamic model of the interaction of two ink jet droplets in a 2D vertical plane covering a time interval from impact out to 1 ms.

도 3은 임팩트 아웃부터 1 ㎳까지의 시간 간격을 커버하는, 2D 수평 플레인 의 2 개의 잉크 젯 방울의 상호 작용의 계산 유체 동적 모델로부터 얻어진 애니메이션 시퀀스로부터의 캡쳐된 이미지.3 is a captured image from an animation sequence obtained from a computational fluid dynamic model of the interaction of two ink jet droplets of a 2D horizontal plane covering a time interval from impact out to 1 ms.

도 4는 프린트헤드와 관련있는 기판 이송을 나타낸 바람직한 프린팅 시스템의 레이아웃.4 is a layout of a preferred printing system showing substrate transfer with respect to the printhead.

도 5[a-b]는 복사 라인 소스와 프린트헤드의 관계를 나타낸 도면.Fig. 5A-B shows the relationship between the radiation line source and the printhead.

도 6은 임팩트 아웃에서 250 ㎳까지의 시간 간격을 커버하는, 3D의 2개의 잉 크 젯 방울의 상호 작용의 계산 유체 동적인 모델로부터 얻어진 애니메이션 시퀀스로부터의 캡쳐된 이미지.6 is a captured image from an animation sequence obtained from a computational fluid dynamic model of the interaction of two ink jet droplets of 3D covering a time interval of up to 250 ms at impact out.

도 7은 반도체 레이저 또는 발광 다이오드(LED) 어레이, 어드레스 가능한 복사 소스와 프린트헤드의 관계를 나타낸 도면.7 illustrates the relationship between a semiconductor laser or light emitting diode (LED) array, an addressable radiation source, and a printhead.

도 8은 프린트헤드상에 통합된 반도체 레이저 어레이를 나타낸 도면.8 illustrates a semiconductor laser array integrated on a printhead.

도 9는 릴-투-릴 유연한 기판 이송을 기초로 한 고효율 생산 시스템을 나타낸 도면.9 illustrates a high efficiency production system based on reel-to-reel flexible substrate transfer.

도 10은 프린트헤드에 근접한 잉크 경화를 나타내는 발광 폴리머 복사 소스를 나타낸 도면.10 illustrates a light emitting polymer radiation source exhibiting ink cure close to the printhead.

도 11은 프린트 헤드상에 직접적으로 통합된 선형 어드레스 가능한 어레이 이미징 장치(유기적 광전도체 어레이 등)를 나타낸 도면.11 illustrates a linear addressable array imaging device (organic photoconductor array, etc.) integrated directly on a print head.

도 12는 유기 광전도 어레이를 기초로 한 전체 영역 이미징 시스템을 나타낸 도면.12 illustrates a full area imaging system based on an organic photoconductive array.

도 13은 프린트헤드상에 직접적으로 통합된 복사 셔터 및 노즐 판 세정 장치를 나타낸 도면. 실시간으로 노즐 판을 세정하는 3 작용 와이퍼 블레이드를 나타낸다.13 shows a radiation shutter and nozzle plate cleaning device integrated directly on a printhead. Represents a three action wiper blade to clean the nozzle plate in real time.

도 14는 향상된 팁 경직성 및 수명을 위해 3중 작용 와이퍼 블레이드의 이온 주입 표면을 나타낸 도면.14 shows the ion implantation surface of the triple action wiper blade for improved tip stiffness and longevity.

도 15는 실시간 프린트헤드 높이 조절을 제공하기 위해 디자인된 바이모르프 변환기를 나타낸 도면. 15 illustrates a bimorph transducer designed to provide real time printhead height adjustment.                 

도 16은 프린트헤드에만 국부 영역에 관련있는 국부화된 환경 제어 벨로우즈 구조를 나타낸 도면.FIG. 16 illustrates a localized environmental control bellows structure related to local areas only in the printhead. FIG.

도 17은 파장 특성에서의 단일 플레인에서 프린트되는 잉크에 사용된 광개시제로 복사를 방출하는 전체 영역 마이크로파 유도된 가스 방출을 나타낸 도면.FIG. 17 shows full area microwave induced gas emission emitting radiation to photoinitiators used in inks printed on a single plane in wavelength characteristics.

도 18 내지 20은 프린트헤드상에 통합되며, 방울 임팩트 영역 및 100 ㎳ 의 임팩트 후에 시간과 동등한 거리와 관련있는 영역에 복사의 전송을 제공하는 복사 라인 소스의 생산과 관련있는 도면.18-20 relate to the production of a radiation line source integrated on a printhead, providing transfer of radiation to a drop impact area and an area associated with a distance equal to time after an impact of 100 microseconds.

도 21은 프린트된 배선 보드 홀 텐팅 방법을 나타낸 도면.Fig. 21 is a view showing a printed wiring board hole tenting method.

도 22는 이중 프린트헤드 구성에 통합된 공통 복사 경화 시스템을 나타낸 도면.FIG. 22 illustrates a common radiation curing system integrated into a dual printhead configuration.

도 23은 잉크 젯 프린트헤드를 사용하는 화학적 부착 프린팅을 나타낸 도면.FIG. 23 illustrates chemically adhered printing using ink jet printheads. FIG.

도 24는 높은 패턴-투-패턴 정렬과 평행하여 백-투-프론트 프린팅을 허용하는 이중 프린트헤드 구성을 나타낸 도면.FIG. 24 illustrates a dual printhead configuration allowing back-to-front printing in parallel with high pattern-to-pattern alignment.

도 25는 드롭-온-디멘드 프린트된 이온 주입 패터닝 마스크를 나타낸 도면.25 shows a drop-on-demand printed ion implantation patterning mask.

도 26은 마이크로비아 홀 및 컨테인먼트 웰 패턴 마스크를 나타낸 도면.FIG. 26 illustrates a microvia hole and containment well pattern mask. FIG.

도 27은 드롭-온-디멘드 프린트된 스탠드-오프 스페이서를 나타낸 도면.27 shows a drop-on-demand printed stand-off spacer.

본 발명의 바람직한 실시예는 XaarJetTMXJ500 프린트헤드를 사용하지만, 그것에 제한되지는 않는다. 이 프린트 헤드는 180 dpi의 분해능과 4 ㎑의 분사 주파수 를 갖는다. 대략 51 ㎛의 지름 및 70 pL의 체적의 방울을 83 ㎲의 분사 주기 지연으로 분사하는 각 노즐은 50 ㎛의 지름을 갖는다. 500개의 노즐, 노즐 판과 관련된 노즐의 기하학적 배열은 23.5 ㎛의 행의 비틀림을 갖는다(주문형 노즐 판 장치).Preferred embodiments of the present invention use, but are not limited to, the XaarJet XJ500 printhead. This print head has a resolution of 180 dpi and an injection frequency of 4 kHz. Each nozzle that sprays a drop of approximately 51 μm in diameter and a volume of 70 pL with a 83 kPa injection cycle delay has a diameter of 50 μm. The geometry of the nozzles associated with the 500 nozzles, nozzle plate, has a twist of 23.5 μm in a row (on-demand nozzle plate device).

이 프린트헤드는 텍스트/이미지 데이터의 한번의 분량을 프린트하기 위해 y 축 움직임(소프트웨어로 모터 제어)이 가능하도록 프린팅 시스템에 장착된다. 프린트헤드는 0.1 내지 10 mm의 높이 조절을 하도록 z 축(소프트웨어로 모터 제어)으로도 움직일 수 있다. 기판은 70 내지 504 ㎜/s, 바람직하게 280 ㎜/s의 속도로 +ve 또는 -ve x 축으로 움직이며 프린트된다. 기판 움직임과 관련된 드라이브 샤프트 인코더는 14의 관련 프린트 엔진 인코더 분할 요소로 5 ㎛의 분해능을 갖는다. 대안적으로, 1 ㎛ 또는 그 이하의 분해능을 갖는 선형 인코더가 향상된 어드레스를 하는데 사용될 수 있다. 프린트헤드와 수직의 축의 결과적 방울 간격은 이미지 분해능을 매치하기 위해 40 내지 90 ㎛, 바람직하게 70 ㎛이다.The printhead is mounted on the printing system to allow y-axis movement (motor controlled by software) to print a single piece of text / image data. The printhead can also be moved on the z axis (motor controlled by software) for height adjustment of 0.1 to 10 mm. The substrate is printed moving in the + ve or -ve x axis at a speed of 70 to 504 mm / s, preferably 280 mm / s. The drive shaft encoder associated with the substrate movement has a resolution of 5 μm with 14 associated print engine encoder splitting elements. Alternatively, a linear encoder with a resolution of 1 μm or less can be used to make an improved address. The resulting drop spacing on the axis perpendicular to the printhead is 40 to 90 μm, preferably 70 μm, to match the image resolution.

70㎛ 스텝을 포함하는(또는 2개의 프린트헤드의 사용에 기인하거나 Xaar XJ1000 프린트헤드, 또는 유사한 장치를 사용하는) 현재의 프로세스는 노즐 분해능을 2배로 하기 위해 분량당 2 경로를 사용한다.Current processes involving 70 μm steps (or due to the use of two printheads or using Xaar XJ1000 printheads, or similar devices) use two paths per quantity to double nozzle resolution.

이미지 분해능이 고급(dpi)일 수 있으며 기판상의 적합한 어드레스능력도 고급일 수 있기 때문에, 동등한 인코더 신호의 사용이 요구된다.Since the image resolution can be high (dpi) and the appropriate addressability on the substrate can also be high, the use of equivalent encoder signals is required.

Xaar 프리트 헤드에 사용되는 잉크는 UV 경화이며, (어떠한 칼라 또는 밝은 잉크가 지정될 수 있더라도) 청록색은 1에 근접한 농도, 9 내지 30 mPa.s의 점성 및 22 내지 32 mN/m의 표면 장력을 갖는다. 이 잉크는 완전 경화 상태에 도달하기 위해 1 내지 2 J/㎝2의 조사 에너지 밀도를 요구한다. 방울은 압전 세라믹의 전기장으로 개시된 절단의 결과로서 압력 펄스를 사용하여 노즐로부터 분사된다. 방울은 대략 6m/s의 임팩트 속도를 갖는다.The ink used in the Xaar frit head is UV cured, and cyan (no matter what color or bright ink can be specified) has a concentration close to 1, viscosity of 9 to 30 mPa · s and surface tension of 22 to 32 mN / m. Have This ink requires an irradiation energy density of 1 to 2 J / cm 2 to reach a fully cured state. Droplets are ejected from the nozzle using pressure pulses as a result of the cutting initiated by the electric field of the piezoelectric ceramic. The droplet has an impact speed of approximately 6 m / s.

UV 경화 잉크의 방울은 표면에 충돌하고 화학적 교차 결합을 발생시키는 잉크에 노광되는 UV 파장 빛의 작용에 의해 응고되기 전에 관성 댐핑과 표면 확산을 받는다. UV 경화는 첫 번째는 프린트헤드에서 국부적으로, 두 번째는 전체 영역 하드 코어 프로세스인 2 부분에서 이루어진다. 국부 경화(도 1참조)는 프린트되는 곳의 사이즈를 제한하기 위해 확산 거리를 제어하는데 충분한 화학적 교차 결합 또는 경화의 제어되는 정도를 얻기 위해 사용된다. 그러한 노광이 발생할 경우 UV 노광의 정도 및 시간과 지속은 어떠한 배열로도 연속적인 라인을 만들기 위해 필요한 방울 유착을 허용하도록 제어된다. 하나의 실시예에 있어서, 400 WHg 램프(UV 밴드 A)를 사용하는 UVP 스팟큐어 소스(SCL1-6)가 사용된다. UV 소스는 6개의 액체로 채워진 섬유 다발의 단부에 광학적으로 이미징되는 6개의 출력을 갖는다. 각각의 유리 광통로는 F.S.I. 스팟-투-라인 변환기에 접속된다. 변환기는 특정 배열 및 폴리싱된 단부로 확장하는 랜덤화된 광섬유 다발을 기초로 한다. 섬유 부분이 직접적인 일치 맵핑이기 때문에, 랜덤화는 빛 출력의 전반적인 균일성(일정한 조사)을 허용한다. 전체 프린트헤드 너비를 지나는 일치 경화를 허용하는 라인 변환기는 75 ㎜ ×4.6 ㎜의 조사 출력 영역을 갖는다.Drops of UV curable ink are subjected to inertia damping and surface diffusion before they solidify by the action of UV wavelength light that is exposed to the ink impinging on the surface and causing chemical crosslinking. UV curing takes place in two parts, the first locally at the printhead and the second at full area hardcore process. Local curing (see FIG. 1) is used to obtain a controlled degree of chemical crosslinking or curing sufficient to control the diffusion distance to limit the size of the place to be printed. If such exposure occurs, the degree, time and duration of the UV exposure is controlled to allow the droplet adhesion required to make a continuous line in any arrangement. In one embodiment, a UVP spotcure source (SCL1-6) using a 400 WHg lamp (UV band A) is used. The UV source has six outputs that are optically imaged at the ends of the fiber bundles filled with six liquids. Each glass light path is F.S.I. Connected to a spot-to-line converter. The transducer is based on a randomized bundle of fiber that extends to a specific arrangement and polished end. Since the fiber portion is a direct match mapping, randomization allows for an overall uniformity of light output (constant illumination). The line converters that allow coin hardening across the entire printhead width have an irradiation output area of 75 mm x 4.6 mm.

방울 임팩트와 국부화된 UV 조사로의 첫 번째 노광 사이의 시간 지연은 1000 ㎳까지 이른다. 이 라인 변환기 광섬유 시스템은 UV 조사의 개시를 15 내지 20 ㎳의 지연 시간으로 만들기 위해 높이(기판 표면에 대해 z 축)가 변할 수 있다(도 2 참조). 이 요소는 최상의 전체 라인 에지의 곧음, 단면 프로파일 및 견고성을 얻기 위해 모든 방향(수직 축, 커브, 45o 굽음)으로 개개의 방울의 최적의 유착을 허용하도록 조절된다.The time delay between droplet impact and the first exposure to localized UV radiation reaches up to 1000 ms. This line converter fiber optic system can vary in height (z axis relative to the substrate surface) to make the onset of UV irradiation a delay time of 15 to 20 microseconds (see FIG. 2). This element is adjusted to allow for optimal coalescence of individual drops in all directions (vertical axis, curve, 45 ° bend) to achieve the best overall line edge straightness, cross-sectional profile and robustness.

최종적인 전체 영역 경화는 퓨전 UV F300S 경화 시스템을 사용하여 성취된다. 이 시스템은 최적의 프린트 속도로 잉크의 완전 경화를 제공하기 위해 선형 인치당 300W(총 출력 1800W) D-벌브 스펙트럼 방출(도 3 참조)을 사용한다.Final full area curing is achieved using a Fusion UV F300S curing system. This system uses 300W per linear inch (total output 1800W) D-bulb spectral emission (see FIG. 3) to provide full cure of the ink at the optimal print speed.

바람직한 실시예에서 사용된 구리로 프린트된 배선 보드는 IPA로 기름쳐진, IPA 세정에 뒤이은 스카치 브라이트 패드를 사용하여 전처리된다. 이 전처리는 잉크 젯 프린트된, 에칭 마스크 패턴의 부착을 증가시키기 위해 표면을 거칠게하는 정도를 도입할 뿐만 아니라, 구리 산화물 억제, 크롬산염 코팅 제거를 수월하게 한다. 부착 촉진막/제가 놓여질 수 있는 곳에 세정 표면을 제공하는, 비전해 세정(퍼슐페이트 마이크로에칭에 이어 질산 크롬산염 제거) 또는 안티-타니시 처리를 포함하는 그 밖의 전처리도 가능하다. 그러한 프로세스는 당업계 방법의 범위와 양립할 수 있다. 결과적 잉크 젯 프린트된 에칭 마스크 패턴은 스테인레스강, 알루미늄, 플라스틱, 세라믹상의 니켈 전극, 세라믹, 사면체 카본, 다이아몬드 유사 카본, 및 유리를 포함하는, 폭 넓은 구리 마감 및 그 밖의 표면에 부착된다. 응고된 잉크는 구리 함유 염화물, 암모니아 및 알칼리 조성비를 기초로 한 것을 포함하는 광범위 한 구리 부식액에 대하여 기판에 화학적으로 저항하고, 물리적으로 부착되어야 한다.The copper printed wiring boards used in the preferred embodiment were pretreated using Scotch Bright pads followed by IPA cleaning, oiled with IPA. This pretreatment not only introduces a roughness to the surface to increase the adhesion of the ink jet printed, etch mask pattern, but also facilitates copper oxide suppression, chromate coating removal. Other pretreatments are also possible, including electroless cleaning (persulfate microetching followed by nitrate chromate removal) or anti-Taninish treatment, which provides a cleaning surface where the adhesion promoter film / agent may be placed. Such a process is compatible with the scope of the art methods. The resulting ink jet printed etch mask pattern is attached to a wide copper finish and other surfaces, including stainless steel, aluminum, plastic, nickel electrodes on ceramic, ceramics, tetrahedral carbon, diamond-like carbon, and glass. The solidified ink must be chemically resistant and physically attached to the substrate against a wide range of copper corrosion solutions, including those based on copper containing chloride, ammonia and alkali composition ratios.

에칭한 후, 마스크 패턴은 제거되어야 한다. 이것은 습식(가성 용액, 디클로로메탄, NMP 등을 포함하는] 용매) 및 건식(반응성 이온 및 불활성 플라즈마) 프로세스를 포함하는 다양한 방법으로 성취될 수 있다.After etching, the mask pattern must be removed. This can be accomplished in a variety of ways, including wet (solvent containing caustic solution, dichloromethane, NMP, etc.) and dry (reactive ion and inert plasma) processes.

차세대 마스크 프린팅은 지름 36.2 ㎛의 21 pL의 방울 사이즈가 사용될, XaarJetTMXJ100(360dpi) 또는 그레이스케일 만큼, 방울 사이즈가 작아질 것이다. 관련 방울 간격은 25 내지 40 ㎛일 것이며, 노즐 행의 비틀림 및 프린트헤드 분사 주기 지연은 프린트헤드 분사 주파수를 적합하게 하기 위해 최적화될 것이다. 결론적 에칭 마스크 패턴은 그레이스케일 동작과 관련된 작은 방울로 채워진 에지(커브 스텝 등)의 결과로서 부드럽게 나타날 것이다. 이 배치를 사용하여, 대상 라인 너비는 50 내지 100 ㎛이다. 다른 시스템 업그레이드는 보다 정밀한 도트 배치(즉, 1 ㎛의 정밀도 및 반복성보다 작거나 같은 선형적으로 코딩된 x-y 움직임)를 요구하는 고 분해능 프린팅을 제공할 것이다.Next-generation mask printing will be as small as XaarJet XJ100 (360 dpi) or grayscale, with a 21 pL droplet size of 36.2 μm in diameter. The relevant drop interval will be 25 to 40 μm and the torsion of the nozzle row and the printhead firing cycle delay will be optimized to suit the printhead firing frequency. The resulting etch mask pattern will appear smooth as a result of small droplet filled edges (curve steps, etc.) associated with grayscale operation. Using this arrangement, the target line width is 50 to 100 μm. Other system upgrades will provide high resolution printing that requires more precise dot placement (ie linearly coded xy movements less than or equal to 1 μm precision and repeatability).

도 1을 참조하면, 이미지는 잉크 한 방울의 확산을 도표로 나타낸다. 중요한 모양은 모든 곳에서 (모델의 요소만큼) 등방성인 표면상의 확산의 대칭과 (상온에서의) 확산율이다.Referring to Figure 1, the image graphically shows the diffusion of a drop of ink. Important shapes are the symmetry of diffusion on the surface that is isotropic everywhere (as elements of the model) and the diffusion rate (at room temperature).

이 시뮬레이션에서 사용되는 잉크는 10 내지 30 mPa.s의 점성 및 24 내지 30 mPa/m의 표면 장력을 갖는 100% 고체 폴리머였다. 기판 표면은 잉크와 22o의 적심각 을 갖는 것으로서 한정된다.The ink used in this simulation was a 100% solid polymer with a viscosity of 10 to 30 mPa · s and a surface tension of 24 to 30 mPa / m. The substrate surface is defined as having a wetting angle of 22 o with the ink.

확산율에 대한 연속적인 방울의 배치 위치가 연속적인 패턴을 만드는데 필요한 방울 유착에 영향을 줄 것이라는 것이 그러한 이미지로부터 명백해져야 한다. 더욱이, 잉크 방울이 표면 보상율 및 확장에 대하여 제어되지 못하면, 비평형 에지 라인이 될 것이다.It should be evident from such images that the location of the continuous droplet placement relative to the diffusion rate will affect the droplet adhesion required to create the continuous pattern. Moreover, if the ink droplets are not controlled for surface compensation and expansion, there will be an unbalanced edge line.

발명가는 그러한 제어가 연습되어야 하고 방법이 그것을 성취하기 위해 사용되는 어떤 시간 범위의 한정의 중요성을 깨달았다. 계산 유체 동적(CFD) 모델링은 방울 반응의 고속 이미징으로써 지지되는, 유체 반응을 학습하기 사작했다. 중요한 처리 요건은 곧은 에지, 평형측면을 갖는 라인을 제공하기 위해 방울 유착 및 경화를 제공하는 것이다. The inventor has realized the importance of defining a certain time range in which such control must be practiced and the method used to achieve it. Computational fluid dynamics (CFD) modeling began to learn fluid responses, supported by high-speed imaging of droplet responses. An important treatment requirement is to provide droplet coalescence and hardening to provide a line with straight edges, equilibrium sides.

중요성의 특징은 (분사된 액체 방울의 사이즈에 좌우되고 기판 표면을 실제적으로 충돌하는) 도트 분해능과 같은 나란한 방울 배치를 선택하기 위해 프린트 헤드의 측방 움직임을 제어하는 능력이다. 프린트되어야 할 곳의 특성은 방울 지름과 관련된 특정 프린트헤드로 성취될 수 있는 에지 한정을 나타낸다. 개개의 방울이 소프트웨어로 억세스/제어될 수 있는, 마이크로도토 그레이 스케일 레벨을 사용하여 성취되어야 할 모양을 양질의 모양으로 할 수 있다. 이 모양의 중요성은 마스크 패턴으로써 한정되는 전기적 회로의 반응에 있다. 회로의 접속 도체 소자는 에지의 거칠음이 없게 이상적으로 처리하는, 평형, 부드러운 에지, 곧은 또는 휘어진 모양일 것으로 예상된다. 에지 거칠음은 불필요한 스캐터링에 기인한 신호 저하를 제공할 수 있다. 프린팅 모드의 기능으로서 방울 배치 정확도 및 프린트 속도, 액 체 방울 임팩트 및 기판 표면과의 상호 작용, 및 마스킹 물질 건조/경화의 다중성의 상세한 이해는 매우 중요하다.A feature of importance is the ability to control the lateral movement of the print head to select side-by-side droplet placement, such as dot resolution (depending on the size of the sprayed liquid droplets and actually impacting the substrate surface). The properties of where to be printed represent the edge limitations that can be achieved with a particular printhead in relation to the drop diameter. The shape to be achieved can be made to be of good quality using the micropotato grayscale level, in which individual drops can be accessed / controlled in software. The importance of this shape is in the response of the electrical circuit defined by the mask pattern. The connecting conductor elements of the circuit are expected to have a balanced, smooth edge, straight or curved shape, ideally processing without the roughness of the edges. Edge roughness can provide signal degradation due to unnecessary scattering. As a function of the printing mode, a detailed understanding of droplet placement accuracy and print speed, liquid droplet impact and interaction with the substrate surface, and the multiplicity of masking material drying / curing are very important.

본 발명에 대한 특별한 중요성은 아래에 사용되는 프린트 엔진 또는 프린트 동작 모드와 관계없이, 액체 방울에 대한 오퍼레이팅 파라미터 공간의 한정이다.Of particular importance to the present invention is the limitation of the operating parameter space for liquid droplets, regardless of the print engine or print mode of operation used below.

* 100% 고체 물질에 대한 잉크 점성(5 내지 50 mPa.s)Ink viscosity for 100% solids (5 to 50 mPa.s)

* 표면 장력 ≤40 mN/m * Surface tension ≤40 mN / m

* 방울 임팩트 속도 ≤10 m/sDrop impact speed ≤10 m / s

* 방울 지름 ≤50 ㎛* Droplet diameter ≤50㎛

도 2[a-b] 및 3은 (방울의 70 ㎛ 센터-투-센터 간격과 동일한) 250 ㎲ 동안의 임팩트 시간 동안 지연되는 2 방울의 관성 역학 및 뒤이은 확산 반응을 나타낸다. 특정 환경(습기, 온도, 분진 농도 등)에서 프린트된 주어진 표면(표면 거칠음, 표면 에너지, 잉크와의 화학적 안정성 등)에서 특정 잉크(점성, 표면 장력, 임팩트 속도, 방울 체적 등)에 대한 가장 작은 사이즈를 성취하기 위해, 잉크의 유동학은 움직임(표면 확산)이 970㎲의 시간 범위에 속박되는 점이 강조되어야한다. 응고되기 전에 확산이 지속되면, 프린트된 라인은 확산 작용이 표면 모세관력 및 잉크 표면 장력 사이의 균형으로써 속박될 때까지 선너비를 증가시킬 것이다.2 [a-b] and 3 show two drops of inertial dynamics and subsequent diffusion reactions delayed for an impact time of 250 μs (equivalent to 70 μm center-to-center spacing of droplets). The smallest for a particular ink (viscosity, surface tension, impact velocity, droplet volume, etc.) on a given surface (surface roughness, surface energy, chemical stability with ink, etc.) printed in a specific environment (humidity, temperature, dust concentration, etc.) In order to achieve the size, the rheology of the ink should be emphasized that the movement (surface diffusion) is bound in the time range of 970 ms. If diffusion continues before solidification, the printed line will increase line width until the diffusion action is constrained by a balance between surface capillary force and ink surface tension.

잉크, 프린트헤드, 기판 물질, 프린팅 환경의 변화는 관심있는 이미지를 프린트하는데 요구되는 연속적인 방울의 올바른 유착인 시간 주기에 영향을 줄 것이다. 고체 잉크 도트와 유착되는 (여기에서 고려되어야 할 비습식 반응으로 습기찬) 습한 방울은 상술한 습한 방울과 유착되는 습한 방울에 대해 설명된 것보다 곧은 에지 평형 측면을 갖는 형태를 위해 다른 시간 주기를 가질 것이다. 그러한 모양의 변화는 본 발명의 범위를 벗어나지 않는다. 그러한 제어를 성취하기 위해, 프린트 헤드와 통합되지 않은 응고 프로세스를 사용하는 것은 가능하지 않다.Changes in ink, printhead, substrate material, and printing environment will affect the time period, which is the correct adhesion of successive droplets required to print the image of interest. Wet droplets adhering to the solid ink dot (wet with a non-wet reaction to be considered here) may have different time periods for shapes with straighter edge equilibrium sides than those described above for the wet droplets adhering to the wet droplets described above. Will have Such changes in shape do not depart from the scope of the present invention. In order to achieve such control, it is not possible to use a solidification process that is not integrated with the print head.

빛 조사가 프린트된 곳의 액체 잉크와 상호작용될 경우 본 발명은 방울 임팩트 지역과 관련있는 시간 및 위치를 선택하는 능력을 제공한다.The present invention provides the ability to select a time and location relative to the drop impact area when light irradiation interacts with the liquid ink where it is printed.

드롭-온-디멘드 잉크 젯 프린트 헤드는 방울 확산으로 표면 모멘트 및 표면 모세관 현상으로 임팩트시 또는 그 후에 정확한 시간에 응고되는 특정 잉크 형성의 단일 방울(또는 일련의 방울)을 분사한다.Drop-on-demand ink jet print heads eject a single drop (or series of drops) of a particular ink formation that solidifies at impact or at the correct time thereafter, with droplet diffusion and surface moment and surface capillary phenomena.

0 내지 15 ㎲ - 표면과 130°보다 큰 접촉각에서 90°보다 작게 변화.0 to 15 Hz-Change less than 90 ° at the contact angle with the surface greater than 130 °.

이것은 개개의 도트의 단면 프로파일을 제어하는 영역이다.This is an area for controlling the cross-sectional profile of individual dots.

15 내지 250 ㎲ - 완전하게 제동된 관성의 임팩트15 to 250 kPa-impact of fully braked inertia

250 내지 1000 ㎲ - 방울의 유착이 곧은 라인의 프린팅을 발생하는 평형 특면을 갖게한다.250 to 1000 mW-the coalescence of the droplets has an equilibrium surface that causes printing of straight lines.

1000 ㎲ 이상 - 표면 에너지 및 잉크 표면 장력의 차에 결합된 잉크 유동학은 잉크가 교차 결합 UV 경화 폴리머에 조사될 때까지 연속적인 확산을 촉진하도록 에너지를 제공한다.1000 kPa or more-Ink rheology coupled to the difference in surface energy and ink surface tension provides energy to promote continuous diffusion until the ink is irradiated to the crosslinked UV cured polymer.

본 발명의 바람직한 실시예에 있어서, 잉크 형성은 전자기 복사에 노광될 경우 고속으로 경화된다. 바람직하게, 전자기 복사는 (딥 UV 및 UVA, UVB, UVC를 포함하는)자외선, 가시광선, 및 (멀리 떨어진 적외선을 포함하는)적외선, 마이크로파 및 α-입자(알파)에 할당된 파장 밴드를 포함한다. In a preferred embodiment of the present invention, ink formation cures at high speed when exposed to electromagnetic radiation. Preferably, the electromagnetic radiation comprises wavelength bands assigned to ultraviolet light (including deep UV and UVA, UVB, UVC), visible light, and infrared (including far-away infrared light), microwaves and α-particles (alpha). do.                 

도 4는 잉크 젯 프린팅 마스킹 시스템의 하나의 실시예의 기하학적 배치를 나타낸 도면이다. 특히, 도면은 사용되는 프린트헤드의 분사 빈도 및 방울 사이즈에 따른 비율로 x 축(프린트 방향-포지티브 또는 네거티브 즉, 프린트헤드 양측의 광원과 통합된 양방향 프린팅)의 기판 진로를 나타낸다. y축 프린팅은 관심있는 y축 지름(보드 길이 등)을 지나 노즐로 보상을 제공하기 위해 스탭-엔-리핏 분량 또는 다중 프린트헤드의 선형 결합으로써 될 수 있다.4 shows the geometric arrangement of one embodiment of an ink jet printing masking system. In particular, the figure shows the substrate path on the x-axis (print direction-positive or negative, ie bidirectional printing integrated with light sources on both sides of the printhead) at a rate depending on the jet frequency and drop size of the printhead used. y-axis printing can be by a step-and-refit amount or linear combination of multiple printheads to provide compensation to the nozzle beyond the y-axis diameter of interest (board length, etc.).

도 5는 조사된 영역의 위치 및 너비에 특정 강조를 나타내는, 프린트헤드 및 통합된 광원 사이의 기하학적 관계를 나타낸다. 조사된 강도를 넘어 제어할 수 있는 z 축 높이 조절도 나타나 있다. 예를 들면, UV 경화 폴리머 잉크를 분사하는 Xa ar XJ500TM 프린트헤드의 사용을 기초로 한 전형적인 프린팅 운동을 고려하는 것이 가능하다. 전형적인 프로세스(상술한 배경 정보 참조)는 280㎜/s의 기판 x 축 이동율과 4㎑의 비율로 분사된 70 pL(70 ×10-12ℓ) 체적과 51㎛ 지름의 방울 및 1 내지 200 mJ/㎝2의 국부화된 잉크 도트 스티칭 복사 에너지를 사용한다. 이것은 0.1 내지 2 ㎜(가장 바람직하게는 0.5 mm)의 기판보다 높은 프린트헤드 높이에 대해 70 ㎛의 방울 임팩트 센터-투-센터 간격(도 6 참조)을 제공한다. 결과적 도트 패턴은 통합된 UV 라인 소스(y 축 70 mm, x 축 4.5 mm의 면적)에 노광되기 전에 80 내지 100 ㎳ 사이 동안 표면상에 확산되도록 허용된다. 결과적 마스킹 물질 라인은 140 ㎛의 너비를 갖는다. 방울 분사 각도, 방울 속도, 기판 속도, 분사 타이밍과 관련있는 에러에 기인한 보상은 상기 예에서 무시되었다. 5 shows the geometric relationship between the printhead and the integrated light source, showing particular emphasis on the position and width of the irradiated area. Also shown are the z-axis height adjustments that can be controlled beyond the intensity investigated. For example, it is possible to consider a typical printing movement based on the use of a Xa ar XJ500 printhead that sprays a UV cured polymer ink. A typical process (see the above-described background information) 280㎜ / s x-axis of the substrate 70 pL (70 × 10 -12 ℓ ) injected at a rate of yidongyul and 4㎑ 51㎛ volume and size of the drops and about 1 to 200 mJ / Localized ink dot stitching radiant energy of cm 2 is used. This provides a drop impact center-to-center spacing of 70 μm (see FIG. 6) for printhead heights higher than substrates of 0.1 to 2 mm (most preferably 0.5 mm). The resulting dot pattern is allowed to diffuse on the surface for between 80 and 100 microseconds before being exposed to the integrated UV line source (area of y axis 70 mm, x axis 4.5 mm). The resulting masking material line has a width of 140 μm. Compensation due to errors related to drop firing angle, drop velocity, substrate speed, and spray timing were ignored in this example.

드롭-온-디멘드 임팩팅 방울을 조사하는 방법은 램프 또는 광섬유 광 유도관 기반 시스템에 단독으로 기인되지 않아야 한다. 도 7 및 8은 바람직한 실시예를 나타내며, 전자기 복사 수단은 독립적으로 어드레스할 수 있는 반도체 고체 상태 레이저 또는 발광 다이오드(LED-유기물 또는 무기물)의 어레이다. 그러한 실시예에 있어서, 고체 상태 반도체 레이저는 날아가는 유체 방울을 조사하여 방울이 기판 표면에 충돌하고 존재/확산함으로써, 표면 습기(및, 특히 100% 고체 폴리머에 대해 견고한 도트/라인 단면) 및 계면 임팩트 효과를 제한하기 위해 비행중 및 표면상의 유체 특성에 영향을 준다. 이 개념이 기술적으로 실행 가능한지를 테스트하기 위해, 몇가지 기본 특징을 고려하는 것이 필요하다. 예상되는 방울 속도는 1 내지 3 m/s일 것이다. 예시의 목적을 위해, 3 m/s의 도면이 사용될 것이다. 프린트헤드- 투-기판 거리를 2 ㎜로 가정한다. 또한, 방울 지름은 50 ㎛이고 프린트 속도(프린트헤드와 관련있는 기판 움직임)는 1 ㎑의 방울 분사율로 0.5 m/s로 가정한다. 방울 비행 경로의 각도 유도를 허용하는 계산된 이동 시간은 1.37 ㎳이다.The method of irradiating a drop-on-demand impact drop should not be solely due to a lamp or fiber optic light guide tube based system. 7 and 8 show a preferred embodiment, wherein the electromagnetic radiation means is an array of independently addressable semiconductor solid state lasers or light emitting diodes (LED-organic or inorganic). In such an embodiment, the solid state semiconductor laser irradiates flying fluid droplets so that the droplets impinge on the substrate surface and are present / diffusing, thereby providing surface moisture (and robust dot / line cross section, especially for 100% solid polymers) and interfacial impact effects. Influence fluid characteristics on the surface and in flight to limit To test whether this concept is technically feasible, it is necessary to consider some basic features. The expected drop velocity will be 1 to 3 m / s. For purposes of illustration, a drawing of 3 m / s will be used. Assume the printhead-to-board distance is 2 mm. In addition, it is assumed that the drop diameter is 50 μm and the print speed (substrate movement relative to the printhead) is 0.5 m / s at a drop ejection rate of 1 kPa. The calculated travel time allowing angular derivation of the drop flight path is 1.37 ms.

레이저 광 빔이 분사된 방울을 억세스할 수 없는 곳에서 노즐 셔터 어셈블리의 바로 앞에서 기계적 블라인드 스팟이 있을 것이다. 0.6㎜의 블라인드 스팟 깊이 때문에, 방울 비행의 나머지로부터 얻어진, 사용 가능한 조사 시간은 1.16 ㎳일 것이다. 100 ㎽/㎠ 레이저 빔 강도 및 간단한 선형 흡수를 가정하면, 노광의 레벨은 116μJ/㎠일 것이다.There will be a mechanical blind spot right in front of the nozzle shutter assembly where the laser light beam cannot access the sprayed droplets. Because of the blind spot depth of 0.6 mm, the available irradiation time, obtained from the rest of the drop flight, will be 1.16 ms. Assuming 100 mW / cm 2 laser beam intensity and simple linear absorption, the level of exposure would be 116 μJ / cm 2.

방울의 조사는 비행 시간을 통해 균일되지 않을 것이다. 이것은 유체 방울의 흡수 퍼포먼스(빛 노광 광개시제 손실 프로파일)에 부분적으로 기인하며 표면과 유 체 방울의 부피에 자리잡는 교차 결합의 균질성(광개시제의 농도 및 분포)에 부분적으로 기인한다. 이 점에 있어서, 조사 강도(㎽/㎠) 및 노광량(mJ/㎠)을 이해하기 위해 하나가 필요하다.Irradiation of the drops will not be uniform throughout the flight time. This is due in part to the absorption performance (light exposure photoinitiator loss profile) of the fluid drop and partly due to the homogeneity of the crosslinks (concentration and distribution of the photoinitiator) in the volume of the surface and the fluid drop. In this regard, one is necessary to understand the irradiation intensity (mm / cm 2) and the exposure amount (mJ / cm 2).

광화학 작용의 비율은 선택된 광개시제의 분자에 의해 흡수되는 입사 포톤의 확률에 첫 번째로 의존하며, 사용된 광개시제의 농도에 두 번째로 의존한다. 초기 비행중 및 표면 노광의 목적은 임팩트중인 방울의 확산 작용을 제한 또는 속박하기 위해 충분한 교차 결합을 촉진하는 것이다. 이것은 기판 표면상에 경화된 방울의 알맞은 부착에 영향을 주는동안 방울 운동 에너지를 흡수할 필요가 있다. 레이저 빔 프로파일이 "최고의" 디자인이 되어야 할 것으로 구성되고 광도가 임계 드레스홀드보다 크면, 방울의 전체 억세스 가능한 비행 경로를 커버하는 정적 조사 프로세스를 고려할 가능성도 있다. "최고의" 빔 프로파일을 나타내는, 제 2의 레이저 소스는 방울이 닿는 바로 앞에서 기판 표면을 연속적으로 조사한다. 구조적인 간섭을 갖는 평형 빔 조사의 레이저 소스는 방울 임팩트 포인트에서 발생한다. 실제적인 간섭 영역은 방울 지름보다 25% 큰 최소 축(65 ㎛)의 타원이다. 제 2의 레이저에 대한 노광 시간은 (1 mm 빔선 너비에 대해) 사용된 기판 이동 속도 및 "최고의" 배열로써 나타낸다. 전체 노광 시간은 2 ㎳이다. "최고의" 빔이 100 ㎽/㎠의 강도를 가지면, 노광의 레벨은 단지 200μJ/㎠ 일 것이다. 분명한 이슈는 노광의 강도 및 레벨이 표면 확산을 막기에 충분한 레벨로 광 경화하기 위해 50 ㎛ 지름 방울이 요구되는 것이다(보다 정확한 데이터에서 20% 교차 결합을 가정한다). 노광 레벨로 점성 변화 및 견고한 표면상의 점성 방울의 임팩트 특성의 결과적 영향을 판단할 필요도 있다. UV 경화된 폴리머 잉크 시스템은 칼러 텍스트 및 그래픽의 데스크탑 퍼블리싱 및 와이드 포맷 프린팅에 현재 사용된다. 표준 프로세스는 다공성 종이 또는 처리된 종이 또는 종래/처리된 유연한 플라스틱상에 폴리머를 프린트하며, 적합한 빛의 파장으로 조사하기 전에 잉크 방울이 확산 평형에 도달하도록 하는 것이다. 이 애플리케이션은 잉크 젯 프린트할 수 있는 잉크 또는 유체, 특히 프린트 분해능을 증가시키는 관점에서 UV 경화 잉크의 복사 처리에 응용될 수 있는 처리 및 시스템 특성을 개시한다.The rate of photochemical action depends firstly on the probability of incident photons absorbed by the molecules of the selected photoinitiator and secondly on the concentration of photoinitiator used. The purpose of initial in-flight and surface exposure is to promote sufficient crosslinking to limit or confine the diffusion action of the impacting droplet. This needs to absorb the droplet kinetic energy while influencing proper adhesion of the cured droplets on the substrate surface. If the laser beam profile is configured to be a "best" design and the luminosity is greater than the critical dresshold, there is a possibility to consider a static irradiation process that covers the entire accessible flight path of the droplet. A second laser source, exhibiting a "best" beam profile, continuously irradiates the substrate surface just before the drop hits. The laser source of balanced beam irradiation with structural interference occurs at the drop impact point. The actual interference area is the ellipse of the smallest axis (65 μm) 25% larger than the droplet diameter. The exposure time for the second laser is shown as the "best" arrangement and substrate transfer speed used (for 1 mm beamline width). The total exposure time is 2 ms. If the "best" beam had an intensity of 100 mW / cm 2, the level of exposure would be only 200 μJ / cm 2. An obvious issue is that 50 μm diameter droplets are required to light cure to a level sufficient to prevent surface diffusion and the intensity and level of exposure (assuming 20% cross linking in more accurate data). It is also necessary to determine the resulting influence of the change in viscosity at the exposure level and the impact properties of the viscous droplets on solid surfaces. UV cured polymer ink systems are currently used for desktop publishing and wide format printing of color text and graphics. The standard process is to print polymers on porous paper or treated paper or conventional / treated flexible plastics and allow ink droplets to reach diffusion equilibrium prior to irradiation with a suitable wavelength of light. This application discloses processing and system properties that can be applied to copy treatment of ink jet printable inks or fluids, particularly UV curable inks, in terms of increasing print resolution.

발명가는 오픈릴식 및 로보트 기판 이동 방법 둘 다를 기초로 한 고효율 에칭 마스크 프린팅 시스템을 위한 디자인을 정의했다. 이것은 2개의 인장된 "공급" 및 "수용" 드럼 사이에서 유지된 플라스틱 시트의 오픈 렝스를 따라 동작되어야 할 워크 스테이션(도 9 참조)의 다중성을 허용하기 위해 프린트헤드의 다중 세트를 사용함으로써 성취된다.The inventor defined a design for a high efficiency etch mask printing system based on both open reel and robot substrate transfer methods. This is accomplished by using multiple sets of printheads to allow multiplicity of workstations (see FIG. 9) to be operated along the open length of the plastic sheet held between two tensioned "feed" and "receive" drums. .

스트립라이트 또는 전체 영역 조명 장치에 사용되는 발광 폴리머(LEP)를 기초로 한 복사 경화 소스가 활용될 수 있다(도 10 참조). 복사 경화는 박막 무기 또는 유기 발광 물질을 사용함으로써 넓은 영역 프로세스로서 성취된다. 박막 장치 디자인은 장치에 의해 방출될 파장 밴드를 한정한다. 방출은 특정 파장 또는 파장들에 적합하도록 조절될 수 있다. 파장의 이산 띠 또는 밴드는 장치 제조로 성취될 수 있다. 띠 또는 밴드 포커싱 또는 디포커싱은 렌즈 구성으로 성취될 수 있다. 볼록 렌즈는 드롭-온-디멘드 기술을 사용하여 침착될 수 있다.Radiation curing sources based on light emitting polymers (LEPs) used in striplights or full area lighting devices may be utilized (see FIG. 10). Radiation curing is accomplished as a wide area process by using thin film inorganic or organic luminescent materials. Thin film device designs define the wavelength band to be emitted by the device. The emission can be adjusted to suit the particular wavelength or wavelengths. Discrete bands or bands of wavelengths can be achieved in device manufacturing. Band or band focusing or defocusing can be accomplished with the lens configuration. Convex lenses can be deposited using drop-on-demand technology.

도 11은 잉크 젯 프린트 헤드에 직접적으로 통합된 선형 이미징 장치를 사용 하는 동적 프린트 이미징의 수단을 나타낸다. 차후의 시스템은 배치 정밀도와 처리량(기판 재처리)과 관련있는 프린트헤드 반응을 실시간으로 모니터하는 동시 발생 노즐-투-픽셀 배열을 사용하여 고정된 너비 전하 전송 소자(CCD)[또는 x-y 어드레스 가능한] 이미지 어레이를 사용하여 원 위치에 방울 임팩트 이미징을 사용할 것이다. 결점이 있는 노즐의 식별(도트/노도트 식별)은 결점있는 노즐을 보상하기 위해 프린팅 이미지의 재정의를 허용할 것이다. 이미징 어레이는 국부화된 개개의 노즐 방울 도트 반응을 얻기 위해 프린트헤드 노즐에 근접하여 배치된다. 본 발명의 다른 바람직한 실시예는 CCD 또는 x-y 어드레스할 수 있는 금속 산화 반도체 실리콘 포토다이오드 이미징 어레이의 위치에 통합된 유기 렌즈 어레이로 간단한 유기 광전도 픽셀 어레이를 사용한다.11 shows a means of dynamic print imaging using a linear imaging device integrated directly into an ink jet print head. Subsequent systems use a fixed width charge transfer element (CCD) [or xy addressable] using a co-occurring nozzle-to-pixel array that monitors printhead response in real time related to batch precision and throughput (substrate reprocessing). We will use droplet impact imaging in situ using an image array. Identification of defective nozzles (dot / nodot identification) will allow redefinition of the printing image to compensate for defective nozzles. The imaging array is placed in close proximity to the printhead nozzles to obtain localized individual nozzle droplet dot responses. Another preferred embodiment of the present invention uses a simple organic photoconductive pixel array with an organic lens array integrated at the location of a CCD or x-y addressable metal oxide semiconductor silicon photodiode imaging array.

도 12는 넓은 영역 유기 광전도(포토 다이오드) 어레이를 사용하여 에칭 마스크 패턴 인식 및 소프트웨어 기반 프린트된 패턴 오버레이 비교를 결합함으로써 처리량을 향상시키는 수단을 나타낸다. 넓은 영역이 직접 1:1 이미지 맵핑과 호환될 수 있어서 보드 표면위에 카메라를 스캔할 필요 없이 완전하게 프린트된 회로 보드가 이미지될 수 있다. 이 후, 소프트웨어는 마스크 패턴 CAD 이미지와 넓은 영역 유기 광전도체 어레이로부터 캡쳐된 이미지를 비교한다. 발견된 결점은 벡터 배열됨으로써 식별되며, 결점이 마스크의 손실된 부분이면, 잉크 젯 프린트헤드는 트랙을 보수하기 위해 올바른 위치로 이동될 수 있다.12 illustrates a means for improving throughput by combining etch mask pattern recognition and software based printed pattern overlay comparison using a wide area organic photoconductive (photodiode) array. Large areas can be directly compatible with 1: 1 image mapping, allowing a fully printed circuit board to be imaged without the need to scan the camera on the board surface. The software then compares the mask pattern CAD image with the image captured from the wide area organic photoconductor array. Found defects are identified by vector arrangement, and if the defects are missing portions of the mask, the ink jet printhead can be moved to the correct position to repair the track.

도 13은 바이모르프 전자기 복사 셔터를 나타낸다. 셔터 어셈블리는 실제 방울 지름과 특대로 비교되는, 필요한 노즐 구멍을 제공하는 실리콘 마이크로머신된 구조(MMS)를 사용한다. 셔터 어셈블리의 내부 표면(실리콘 MMS)은 잉크에 비습식이며, 간단한 진공 흡입 노즐을 사용하여 주기적으로 비워지는, 프린트헤드의 에지에서 저장용기를 캐치하기 위해 이동되어야 할 노즐 판에서 제거된 과도한 잉크를 허용하도록 용이하게 흐르는 유체 덕트를 포함하는, 일련의 노즐 판 세정 와이퍼 블레이드형 구조가 그 위에 제조된다. 동작에 있어서, 셔터 어셈블리는 노즐 사이드의 하나에 3중 블레이드 실링을 사용하는, 노즐 어레이를 덮기위해 정상 작용을 한다. 와이퍼 블레이드 타입 실링 띠는 동봉된 캡핑 구성을 형성하도록 양 단부에서 봉합된다. 분사 시퀀스는 다음과 같을 것이다.13 shows a bimorph electromagnetic radiation shutter. The shutter assembly uses a silicon micromachined structure (MMS) that provides the required nozzle aperture, which is specifically compared to the actual drop diameter. The inner surface of the shutter assembly (silicone MMS) is non-wetting with ink and removes excess ink from the nozzle plate that must be moved to catch the reservoir at the edge of the printhead, which is periodically emptied using a simple vacuum suction nozzle. A series of nozzle plate cleaning wiper blade-like structures are fabricated thereon, including a fluid duct that easily flows to allow. In operation, the shutter assembly functions normally to cover the nozzle array, using triple blade sealing on one of the nozzle sides. The wiper blade type sealing strip is sealed at both ends to form the enclosed capping configuration. The injection sequence will be as follows.

1. 셔터 어셈블리가 노즐 어레이를 덮기위해 배치되는 대기 모드.1. Standby mode where the shutter assembly is placed to cover the nozzle array.

2. 바이모르프 셔터를 전후로 진동함으로써 노즐 판을 세정.2. The nozzle plate is cleaned by vibrating the bimorph shutter back and forth.

3. 어레이의 모든 노즐에 대해 50 펄스(50 방울) 버스트로 프린트헤드 분사 테스트. 과도한 유체는 뒤이은 진공 흡입 제거동안 캐치 저장용기를 향해 배출된다.3. Printhead spray test with 50 pulse (50 drops) bursts for all nozzles in the array. Excess fluid is discharged toward the catch reservoir during subsequent vacuum suction removal.

4. 캐치 저장용기에서 과도한 유체를 제거.4. Remove excess fluid from the catch reservoir.

5. 프린트되어야 할 CAD 이미지를 다운로드.5. Download the CAD image to be printed.

6. 셔터를 분사 위치로 이동시키기 위해 바이모르프 셔터 파형을 일으키기 위해 드라이브 파형의 앞서는 에지를 사용.6. Use the leading edge of the drive waveform to generate a bimorph shutter waveform to move the shutter to the firing position.

7. 셔터가 분사 위치에 도달하면, 방울은 노즐 출구에서 형성되기 시작한다.7. When the shutter reaches the injection position, droplets begin to form at the nozzle exit.

8. 방울이 분사되고, 셔터 어셈블리를 세정하면, 셔터가 즉시 닫혀짐으로써, 각각의 분사된 방울사이의 노즐을 세정한다. 8. When the droplets are ejected and the shutter assembly is cleaned, the shutter closes immediately, cleaning the nozzles between each sprayed droplet.                 

차후의 프린트헤드는 방울 분사에 대한 순서의 타이밍 시퀀스, 바이모르프 노즐 셔터 마이크로포지션닝, 및 "스마트" 유체 분사 모듈 동작을 위한 고체 상태 반도체 레이저 펄스 활성화를 실제적으로 제어하는 드라이브 파형을 사용할 것이다. 다음을 가능케 하는 노즐 드라이브 펄스는 적합하게 제조된 프린트헤드에서 모니터될 수 있다.Subsequent printheads will use drive waveforms that actually control solid-state semiconductor laser pulse activation for sequenced timing sequences for droplet injection, bimorph nozzle shutter micropositioning, and “smart” fluid injection module operation. Nozzle drive pulses can be monitored in a suitably manufactured printhead that enables the following:

* 배치 정밀도를 임팩트하기 위해 분사 지연의 수정* Modification of injection delay to impact batch precision

* 주어진 일련의 방울의 특성을 유지하기 위해 분사 파라미터를 점진적으로 변경.Gradually change the spray parameters to maintain the properties of a given series of drops.

* 배치 정밀도 대 특정 노즐 드라이브 특성의 소프트웨어 취급을 가능케 하는 테스트 패턴 프린팅 및 이미지 그래빙 및 해석의 발생.* Generation of test pattern printing and image grabbing and interpretation to enable software handling of batch precision versus specific nozzle drive characteristics.

원 위치에서의 환경적 및 복사 셔텨 어셈블리도 다음으로서 작용한다.In situ environmental and radiation shutter assemblies also serve as:

* 방울 착지 지역에 근접한 표면 전처리를 제공하는 실시간 펄스 플라즈마 전극.Real-time pulsed plasma electrode providing surface pretreatment close to the drop landing area.

* 프린트헤드 진공 기폭 장치.* Printhead Vacuum Detonator.

와이퍼 블레이드 노즐 판 세정 물질은 기판에 유순하고, 터프하고, 부착되어야 하며, 분사되는 유체/잉크 시스템과 접촉하여 화학적으로 안정되어야 한다. 전형적인 물질은 실리콘, 폴리이미드, PTFE, 고무, 네오프렌, 폴리비닐 및 바이톤을 포함한다. 와이퍼 블레이드의 표면은 높은 에너지 이온(이온 주입 또는 플라즈마 담금 주입)의 빔에 표면을 노광시킴으로써 보다 나은 세정 작용과 저항을 제공하기 위해 국부적으로 경화(도 14 참조)될 수 있다. 전형적인 프로세스는 총 231㎚의 이 온을 발생시키기 위해, 70keV의 에너지로 상기 테플론 코팅으로 주입된 니트로겐의 1015이온/㎠이 사용될 수 있다.The wiper blade nozzle plate cleaning material must be compliant, tough, adhered to the substrate, and chemically stable in contact with the fluid / ink system being injected. Typical materials include silicone, polyimide, PTFE, rubber, neoprene, polyvinyl and viton. The surface of the wiper blade can be locally hardened (see FIG. 14) to provide better cleaning action and resistance by exposing the surface to a beam of high energy ions (ion implantation or plasma immersion implantation). A typical process may use 10 15 ions / cm 2 of nitrogen injected into the Teflon coating at an energy of 70 keV to generate ions of total 231 nm.

고속을 포함하는, 가변 속도 복사 경화 프린팅을 제공하는 다수의 방울 분사 파형 및 시퀀스는 이 기술을 사용하는 폭넓은 애플리케이션을 지지하기 위해 요구될 수 있다. 고속도는 압전 또는 릴렉서 타입 잉크 젯 프린트헤드가 공진 모드(대략 1 MHz)에서 동작되는 경우도 포함한다.Multiple droplet ejection waveforms and sequences that provide variable speed radiation cured printing, including high speed, may be required to support a wide range of applications using this technique. High speeds also include when piezoelectric or relaxr type ink jet printheads are operated in a resonant mode (approximately 1 MHz).

에칭 마스크 또는 표면 양각 패턴을 프린트하기 전에 표면 전처리가 부착을 알맞게 하고 표면 습식을 제한하기 위해 요구될 수 있다. 건식 수단을 포함하는 표면 세정을 제공하는 수단은 오존의 국부화된 발생, UV 노광, 스프레이 헤드 또는 잉크 젯 프린트헤드로부터의 산 또는 알칼리 분사, 또는 스프레이 헤드 또는 잉크 젯 프린트헤드로부터 분배되는 용매를 기초로 한다. 다수의 제조업자는 프린트된 배선 보드 기판 물질을 제조한다. 대부분의 경우에 있어서, 금속은 구리이며 선택 (FR4, PTFE, 플라즈마 등)의 기판상에 박층으로된 진공 또는 접착체중 하나이다. 반드시, 이것은 서로의 표면질이 미세한 스케일에서의 상태 또는 거시적인 스케일상의 (보강 섬유, 포일 롤릴 스트레스 라인 등) 평면성중 하나가 다르다는 것을 의미한다.Prior to printing an etch mask or surface relief pattern, surface pretreatment may be required to moderate adhesion and limit surface wetness. Means for providing surface cleaning, including dry means, are based on localized generation of ozone, UV exposure, acid or alkali spraying from a spray head or ink jet printhead, or solvent dispensed from a spray head or ink jet printhead. Shall be. Many manufacturers manufacture printed wiring board substrate materials. In most cases the metal is copper and is one of a thin layer of vacuum or adhesive on a substrate of choice (FR4, PTFE, plasma, etc.). This necessarily means that the surface quality of each other differs either in the state of fine scale or in planarity (reinforcement fiber, foil rollyl stress line, etc.) on the macro scale.

* 오존 플라즈마* Ozone plasma

* 특정의 플라즈마* Specific plasma

* 국부화된 UV 조사 * Localized UV Probe                 

상기 모든 기판 전처리는 습식 및 건식 에칭 방법 모두의 호환성이 고려되어야 한다. 이것은 에칭 마스크 프린팅 프로세스가 고 분해능 습식 에칭 프로세스와 반드시 호환되지 않는, 구리 이외의 표면에 적용될 수 있기 때문이다. 마스킹층으로 성취되어야 할 이미지의 네거티브 이미지의 프린팅을 고려하는 바람직한 실시예이다. 이 네거티브 이미지는 마스킹 물질의 제한된 확산이 가능한 비습식 코팅이다. 이 기술을 위해, 프린팅 파라미터 및 마스킹 잉크는 방울 임팩트에서 스플래싱 및 과도한 관성 효과를 막기 위해 선택되는 것이 중요하다. 이것이 발생하면, 네거티브 비습식 제어 프린트를 넘어 잉크 확산이, 리시딩 각이 높을 경우 "오버 워시"가 발생할 수 있다.All substrate pretreatments should be considered for compatibility with both wet and dry etching methods. This is because the etching mask printing process can be applied to a surface other than copper, which is not necessarily compatible with the high resolution wet etching process. It is a preferred embodiment to consider printing the negative image of the image to be achieved with the masking layer. This negative image is a non-wet coating that allows limited diffusion of masking material. For this technique, it is important that printing parameters and masking inks be selected to prevent splashing and excessive inertia effects in droplet impact. If this occurs, ink diffusion beyond the negative non-wet control print may result in "over wash" if the receiving angle is high.

본 발명의 바람직한 실시예는 z 축으로 프린트헤드를 움직이게 하는 바이모르프 포지션닝 변환기를 사용하여 잉크 젯 프린트헤드의 실시간 높이 위치 설정을 제공할 수 있다(도 15 참조). 높이 조절은 바람직하게 50 내지 200㎛에서이다. 바이모르프 캔틸레버의 팁 편향 거리는 x(L,V):=2.3/2.d31.L2/t2.V로써 그것의 길이와 비례한다(t=바이모르프 두께; L=바이모르프 길이; d31= 전하 상수[즉, 모건 메트록 PCK5에 대해 -306×10-12CN-1]; V=드라이브 전압). 드라이브 전압 100V 및 바이모르프 길이 15 ㎜에 대해, 예상되는 팁 편향은 1200㎐의 자유 공진 주파수에서 대략 100 ㎛일 것이다. 프린트헤드의 바이모르프 높이 제어는 바이모르프 피드백으로 반도체 레이저 높이 범위 파인더를 사용한다. 바이모르프는 프린트헤드의 양 끝에 위 치된다. 수월하게 하기 위한 실시간 높이 조절은 250 ㎛보다 작거나 같은 근접 프린팅에 매우 가깝다. 실시간 위치는 전기광학(레이저[레인지 파인더 원리] 또는 포토트랜지스터 또는 광전지 쌍과 연계한 LED) 또는 용량성 센싱 소자로부터의 피드백 신호의 직접적인 결과이다. 한계에 있어서, 높이 제어는 최단 이동 접촉을 이끌것이며, 잉크는 방울로서 분사되지 않지만 깨기 위해 방울 "네킹"이 유도된 압력을 가하는 특질적인 습식 작용을 지나 기판 표면상으로 이동된다. 헤드 높이 제어는 금속 기판에 반응하는 유도적 센서에 기인할 수 있다.A preferred embodiment of the present invention can provide a real time height positioning of the ink jet printhead using a bimorph positioning transducer that moves the printhead in the z axis (see FIG. 15). The height adjustment is preferably at 50 to 200 μm. The tip deflection distance of the bimorph cantilever is proportional to its length as x (L, V): = 2.3 / 2.d 31 .L 2 / t 2 .V (t = bimorph thickness; L = bimorph Length: d 31 = charge constant [ie, -306 × 10 −12 CN −1 for Morgan Metlock PCK5]; V = drive voltage. For a drive voltage of 100V and a bimorph length of 15 mm, the expected tip deflection would be approximately 100 μm at a free resonant frequency of 1200 Hz. The bimorph height control of the printhead uses a semiconductor laser height range finder with bimorph feedback. The bimorph is positioned at both ends of the printhead. Real-time height adjustment for ease of use is very close to proximity printing smaller than or equal to 250 μm. Real-time position is a direct result of feedback signals from electro-optical (laser [range finder principle] or LEDs associated with phototransistor or photovoltaic pairs) or capacitive sensing elements. To the limit, the height control will lead to the shortest moving contact, and the ink is not ejected as droplets but is moved onto the substrate surface through a characteristic wet action where the droplet “necking” exerts an induced pressure to break. Head height control may be due to inductive sensors that react to the metal substrate.

프린트헤드에 인접한 작용 지역의 온도 및 공기 제어가 요구될 것이 예상된다. 그러한 국부화된 공기 제어(도 16 참조)는 프린트된 전체 영역과 관련된 공기 제어에 기인하여 요구되는 침착을 제어하는 저렴한 수단을 제공한다. 제어 지역은 +ve z 축의 프린트헤드 노즐 판 및 -ve z 축의 기판 표면으로써 제한된 면적, 및 에지 효과를 허용하는 요소를 포함하는 노즐판의 길이 및 너비로서 한정된다. 하나의 실시예에서, 이 지역은 포지티브 공기 압 또는 지정된 불활성 또는 반응성 가스 주입(가스는 가열 또는 냉각된다)을 제공하는 벨로우즈 타입 구조의 프린트헤드 및 통합된 도트 이미징 및 복사 경화 소스를 둘러쌈으로써 성취될 수 있다. 약 진공은 건식 진공 펌핑 구성을 사용하는, 벨로우즈에서 지지될 수 있다. 벨로우즈 구조는 표면 세정 및 표면 전기 전하 분해 둘 다를 지지하는 소프트, 유동 가능한, 낮은 가스 삼출량, 전기적으로 전도 물질로 만들어 질 수 있다. 에칭 마스크 물질 프린팅 및 경화는 이 엔벨로프내에서 자리잡을 것이다. 기판 간격을 향하는 근접 프린트헤드는 다음의 고려를 요구한다. It is anticipated that temperature and air control of the working area adjacent to the printhead will be required. Such localized air control (see FIG. 16) provides an inexpensive means of controlling the deposition required due to air control associated with the entire printed area. The control zone is defined as the printhead nozzle plate on the + ve z axis and the length and width of the nozzle plate including the element allowing the edge effect, and a limited area as the substrate surface on the -ve z axis. In one embodiment, this area is achieved by enclosing the bellows type printhead and integrated dot imaging and radiation hardening source that provide positive air pressure or a designated inert or reactive gas injection (gas is heated or cooled). Can be. Weak vacuum may be supported in the bellows, using a dry vacuum pumping configuration. The bellows structure can be made of a soft, flowable, low gas effluent, electrically conductive material that supports both surface cleaning and surface electrocharge decomposition. Etch mask material printing and curing will settle within this envelope. Proximity printheads facing the substrate spacing require the following considerations.                 

* 처리 벨로우즈에 속박되는 것과 같이 프린트헤드-투-기판 갭을 지나는 전위.* Potential across the printhead-to-substrate gap, such as bound to the processing bellows.

* 처리 벨로우즈에서 압력 차에 유도된 진공 흡입 및 공기 흐름.Vacuum suction and air flow induced in the pressure differential in the treatment bellows.

* 처리 벨로우즈에 사용되는 공기 또는 가스의 여과로써 프린트헤드-투-기판 사이의 분진을 최소화하기 위한 공기 흐름 필터링. 진공이 사용되면, 흡입구 분진은 벨로우즈의 존재로써 최소화될 것이다. * Airflow filtering to minimize dust between printhead-to-substrate by filtration of air or gas used in treatment bellows. If vacuum is used, inlet dust will be minimized by the presence of bellows.

고효율 프린팅을 위해, 다중 프린트헤드를 수용할 수 있는 프린트헤드 엔클로저를 제조함으로써 폭넓은 포맷 프린팅 능력을 사용하는 것이 바람직하다. 이것은 일련의 프린트헤드와 공통 노즐 포맷을 함께 버트함으로써 성취된다. 이것은 노즐의 수가 증가되더라도 평형 측면을 갖는 패턴이 영향받지 않아야 하는 것이 요구된다. 버팅 에러는 그러한 프린트를 절충해서, 공통 노즐 판을 통합할 필요가 있다. 근접 결합된(버트된) 프린트헤드는 정렬이 완료되고 배치가 위치에서 고정되면 제거될 수 있는 He-Ne 레이저 어셈블리의 압전 포지션닝을 활용함으로써 x-y-z 축에서 정렬된다. 그러한 위치 정밀도는 에칭 마스크 패턴의 기하학적 한계가 코팅되어야 할 기판 표면을 지나 유지되어야하면 필수적이다. 다른 바람직한 실시예는 요구되는 피드백 제어의 특질 및 정도를 한정하기 위해 테스트 패턴상에 이미지 및 오버레이되는 일련의 테스트 패턴상의 분사된 방울의 원 위치의 이미징으로써 유도된 피드백 루프를 사용하는 압전 위치자를 사용하여 다중 프린트헤드 정렬을 사용하는 것이다. For high efficiency printing, it is desirable to use a wide range of format printing capabilities by making printhead enclosures that can accommodate multiple printheads. This is accomplished by butting together a series of printheads and a common nozzle format. This requires that the pattern with the equilibrium side not be affected even if the number of nozzles is increased. Butting errors need to compromise such prints, integrating a common nozzle plate. The closely coupled (butted) printhead is aligned in the x-y-z axis by utilizing the piezoelectric positioning of the He-Ne laser assembly, which can be removed once the alignment is complete and the placement is locked in position. Such positional accuracy is essential if the geometric limits of the etch mask pattern must be kept past the substrate surface to be coated. Another preferred embodiment uses a piezoelectric locator that uses a feedback loop derived by imaging the original location of the sprayed droplet on a series of test patterns that are imaged and overlaid on the test pattern to define the nature and extent of feedback control required. Is to use multiple printhead alignments.

마스크 패턴 선너비 제어의 최적화를 위한 잉크 형성이 학습되었다. 유리 전 이 온도 Tg가 잉크의 점성 및 표면 장력에 불리한 영향을 주지 않고, 흐르는 아크릴 함유 잉크의 경도 및 온도 안정성에 영향을 주는 것을 나타내었다. 부피-투-표면 광개시제율의 변화도 경화율에 영향을 주는 것을 실험적으로 나타내었다. 1:1 내지 4:1(표면:부피)의 광개시제율의 변화가 빠른 경화를 촉진하는 것을 나타내었다. 너무 높은 표면 개시제 내용물은 방울이 실제적으로 분사되기 전에 노즐내 블로킹을 촉진한다. 유체 특성의 범위는 방울 표면 확산의 최소를 제공하기 위해, 잉크 방율이 공기 건식, 또는 복사, 경화 방법에 의해 응고되는 것에 관계없이, 마스크 패턴의 선 너비와 단면 프로파일이 최적화되어야 한다. 그러한 모양은 다음을 포함한다.Ink formation for optimization of mask pattern line width control has been learned. It has been shown that the glass transition temperature T g affects the hardness and temperature stability of the flowing acrylic containing ink without adversely affecting the viscosity and surface tension of the ink. It has been experimentally shown that the change in volume-to-surface photoinitiator rate also affects the cure rate. A change in photoinitiator ratio of 1: 1 to 4: 1 (surface: volume) was shown to promote rapid curing. Too high surface initiator content promotes blocking in the nozzle before the droplet is actually sprayed. The range of fluid properties should be optimized for the line width and cross-sectional profile of the mask pattern, regardless of whether the ink rate is solidified by air dry, or by radiation or curing methods, to provide a minimum of droplet surface diffusion. Such shapes include:

방울 속도 = 0.1 내지 10 [m/s]Droplet velocity = 0.1 to 10 [m / s]

동적 점성 = 1 내지 100 [mPa.s]Dynamic viscosity = 1 to 100 [mPa.s]

증발화의 열 = 낮음 [J/mol]Heat of Evaporation = Low [J / mol]

(유체에 종속)(Subject to fluid)

유체 농도 = 0.5 내지 1.8 [㎏/㎥]Fluid concentration = 0.5 to 1.8 [kg / m 3]

(유체에 종속)(Subject to fluid)

물질 고체 컨텐츠 = 0.0001 내지 100 [%]Material Solid Content = 0.0001 to 100 [%]

기판과의 정적 접촉각 = 0 내지 120 [o]Static contact angle with substrate = 0 to 120 [ o ]

기판 온도 = 230 내지 370 [K]Substrate temperature = 230 to 370 [K]

표면 장력 = 35 내지 76 [mN/m] Surface tension = 35 to 76 [mN / m]                 

부피 대 표면 광개시제의 비율은 응고율에 영향을 준다. 이것은 마스크에 사용되는 폴리머의 표면 장력 및 유리 전이 온도 Tg 에 대한 경우이다. 바람직한 실시예에 있어서, 잉크 형성은 유체가 투과성 실리콘 에칭된(혼돈된) 필터 구조를 통해 흐르는 곳에서, 램프 웨이브 유체 이동 원리를 기초로 하는, 통합 유체 나노스케일 필터의 동작과 양립할 수 있다. 램프 웨이브 전극은 필터를 통한 유체 이동 및 노즐에 공급된 유체를 제공하는 설계이다. 노즐 보어에서 유체의 정밀 계측 및 도착 타이밍을 제공한다.The ratio of volume to surface photoinitiator affects the coagulation rate. This is the case for the surface tension and glass transition temperature T g of the polymer used in the mask. In a preferred embodiment, the ink formation is compatible with the operation of the integrated fluid nanoscale filter, based on the ramp wave fluid movement principle, where the fluid flows through the permeable silicon etched (chaos) filter structure. The ramp wave electrode is a design that provides fluid flow through the filter and fluid supplied to the nozzle. Provides precise metering and arrival timing of fluid in the nozzle bore.

본 발명은 (프린트헤드 어셈블리[x 및 y축] 및 기판 표면[z 축]에) 근접, (어떠한 보조 냉각도 필요없는) 저온도, 마이크로파 개시된 가스 방출 복사 소스를 사용함으로써 (연장된 시간 또는 강하게 경화된 에칭 마스크 물질 응고를 위해) 넓은 영역 폴리머 교차 결합의 수단을 제공한다(도 17 참조). 가스 방출 복사 소스는 어셈블리의 상부 표면이 방출체(광 통로) 뒤로 빛을 반사하는 박막이 코팅되기 때문에 기판 표면상에 조명을 제공함으로써, 커플링 아웃 효율을 증가시키며, 하부 표면은 기판 표면에 커플 아웃하도록 방출 광을 허용하는 표면 양각 패턴이 그 내에 제조됨으로써 마스크 물질을 조사한다. 원하는 파장(가스 특성)의 플라즈마 방출 포톤을 추출하기 위해 요구되는 표면 양각은 확산기, 도트 매트릭스, 또는 모스-아이드 렌즈 매트릭스와 같은 분산 구조일 수 있다.The present invention utilizes a low temperature (no need for any auxiliary cooling), proximity to the printhead assembly [x and y axis] and substrate surface [z axis], microwave-initiated gas emission radiation sources (extended time or strongly Provide a means of wide area polymer crosslinking (for solidified etch mask material solidification) (see FIG. 17). Gas emission radiation sources provide illumination on the substrate surface because the top surface of the assembly is coated with a thin film that reflects light behind the emitter (light path), thereby increasing coupling out efficiency, while the bottom surface is coupled to the substrate surface. A surface relief pattern is fabricated therein that allows the emitted light to out to irradiate the mask material. The surface relief required to extract the plasma emitting photons of the desired wavelength (gas characteristics) can be a dispersion structure such as a diffuser, dot matrix, or moss-eye lens matrix.

바람직한 실시예는 (90°보다 작거나 같은 각의 벽 배열) 거의 사각 단면 투영 너비, 높이, 및 벽의 경사가 지정된 빛의 파장을 위해 결합의 효율에 영향을 주 는, 볼록 렌즈형 어레이를 사용한다. 광 통로 및 가스 방출(플라즈마) 컨파인먼트 구조는 수정 또는 유사한 UV 전이 물질로 이루어진다. 근접 어셈블리는 경로 길이에 따른 중요한 손실없이 포토 에너지(μJ 또는 mJ/cm2)의 전송을 돕는다(역제곱 법칙 효과). 바람직한 실시예에 있어서, 전체 영역 마이크로파 개시 가스 방출 지지된 UV 조사는 넓은 영역 패널의 최종 경화 노광에 사용될 것이다. 상술한 격자 구조는 사용된 가스 성질에 의해 나타나는, 빛의 파장을 매칭시키도록 디자인된다. 그러한 가스는 Ar,He,Cl,Xe,O2,N2 등과 그것의 혼합물을 포함한다.Preferred embodiments use convex lenticular arrays, where wall angles of angles less than or equal to 90 °, nearly square cross-sectional projection widths, heights, and wall slopes affect the efficiency of the coupling for a specified wavelength of light. do. The light path and gas emission (plasma) confinement structures consist of quartz or similar UV transition materials. Proximity assemblies aid in the transfer of photo energy (μJ or mJ / cm 2 ) without significant loss along path length (inverse square law effect). In a preferred embodiment, full region microwave initiation gas supported supported UV irradiation will be used for the final cure exposure of the large area panel. The grating structure described above is designed to match the wavelength of light, represented by the gas properties used. Such gases include Ar, He, Cl, Xe, O 2 , N 2 , and mixtures thereof.

격자 구조의 다른 바람직한 실시예는 굴곡을 형성하는 "성의 탑" 형태의 배열을 모사한 일련의 사각형이다. 마스크-공간 비율과 마스크 사각(높이, 너비 및 벽 기울기)의 배열은 윈도우 표면에서 결합되어야 할 빛의 파장에 의존한다.Another preferred embodiment of the lattice structure is a series of squares that mimic an arrangement of "castle towers" that form a bend. The arrangement of the mask-space ratio and the mask rectangle (height, width and wall slope) depends on the wavelength of light to be combined at the window surface.

바람직한 실시예에 있어서, 반사 표면(박막 알루미늄, 금 등)은 노광 장치 출력의 효율을 증가시키기 위해 노광 상부(지붕)의 외부에서 포함될 수 있다. 이 UV 경화 장치는 시끄럽고 부피가 큰 공기 냉각을 요구하지 않는 파워 레벨에서 동작된다. 가스 냉각의 재순환은 높은 파워 애플리케이션이 요구되면 도입될 수 있다.In a preferred embodiment, reflective surfaces (thin aluminum, gold, etc.) may be included outside of the exposure top (roof) to increase the efficiency of the exposure apparatus output. This UV curing device operates at power levels that do not require noisy, bulky air cooling. Recirculation of gas cooling can be introduced if high power applications are required.

지정된 노즐 판 배열은 노즐 배열로부터 분사된 방울의 배치 제어에 영향을 줄 수 있다. 모든 프린트헤드가 동시에 인접 노즐로부터 잉크 방울을 분사하지는 않는다. 이것은 동작 모드가 벤딩, 푸싱, 또는 시어링 작용에 기인할 수 있는 압전 기반 잉크 젯 프린트헤드이기 때문이다. 시어링 작용(즉, Xaar XJ 시리즈 프린트헤 드)이 사용되면, 노즐 스태거는 곧은 텍스트 프린팅을 위해 노즐 판에 한정되어야 한다. 잘 한정된 라인을 만들게 하는 방울의 유착을 얻기 위해, 표준 파라미터 범위 밖에서 프린트헤드를 동작시킴으로써 방울 간격을 다양하게 하는 것이 필요하다. Xaar 프린트헤드에 대해, 분사 지연은 스태거상에 프리트되는 일련의 방울을 이끄는 기판 움직임을 강요한다. 곧은 라인 프로세스를 성취하기 위해, 다수의 잠재적인 해결책은 소위 다음을 할 수 있다.The designated nozzle plate arrangement can affect the placement control of droplets ejected from the nozzle arrangement. Not all printheads eject ink drops from adjacent nozzles at the same time. This is because the mode of operation is a piezoelectric based ink jet printhead which may be due to bending, pushing, or shearing action. If shearing action (ie Xaar XJ series printhead) is used, the nozzle stagger must be confined to the nozzle plate for straight text printing. In order to achieve droplet adhesion that results in a well defined line, it is necessary to vary the droplet spacing by operating the printhead outside the standard parameter range. For the Xaar printhead, the ejection delay forces the substrate motion leading to a series of drops that are printed on the stagger. In order to achieve a straight line process, a number of potential solutions can do the following.

1. 사이클 시간 지연을 다른 고정된 값으로 재프로그램.1. Reprogram the cycle time delay to another fixed value.

2. 노즐 판을 다른 노즐 스태거로 제조.2. The nozzle plate is made of another nozzle stagger.

3. 분해능을 증가시키기 위해 이미지 처리를 변경.3. Change image processing to increase resolution.

4. 칩을 단일 사이클 파형으로 재프로그램 즉, 모든 채널은 동시에 시작하고 이것은 실제적(프린트 스피드 포함)이지 않다는 사실을 제공하기 위해 이미지 처리르 사용한다.4. Reprogram the chip into a single cycle waveform, ie all channels start at the same time and use image processing to provide the fact that this is not real (including print speed).

본 발명의 바람직한 실시예는 x-y 면에서 모든 방향으로 평행 라인을 갖는 마스크 패턴의 잉크 젯 프린팅을 제공하도록 지정된 일련의 노즐 판을 제공한다.A preferred embodiment of the present invention provides a series of nozzle plates designated to provide ink jet printing of a mask pattern with parallel lines in all directions in the x-y plane.

본 발명은 전극 표면 땝납 마스크 패턴을 잉크 젯 프린트하는 방법을 제공할 수 있다. 이 예에서, 땝납 마스크를 형성하는 방법은 잉크 형성의 선택이 땝납 딥 코팅 및 열적파 땝납 재흐름 프로세스에 적용된 높은 온도 제한을 반영해야만 하는 차이를 제외하고, 상술한 에칭 마스크를 형성하는 방법과 유사하다. 땝납 마스크는 In,Sn Pb-Sn 합금 등과 같은 땝납 금속으로 코팅될 수 있는 적당하게 처리된 표면의 영역을 제한하는 수단을 제공하기 위해 디자인된다. 땝납 마스크로서 사용될 수 있는 가용성 물질은 실리콘, 폴리이미드, PTFE 및 에폭시를 포함한다.The present invention can provide a method of ink jet printing an electrode surface solder mask pattern. In this example, the method of forming the solder mask is similar to the method of forming the etch mask described above, except that the choice of ink formation must reflect the high temperature limitations applied to the solder dip coating and thermal wave solder reflow processes. Do. The solder mask is designed to provide a means of limiting the area of a suitably treated surface that can be coated with a solder metal such as an In, Sn Pb-Sn alloy or the like. Soluble materials that can be used as the solder mask include silicone, polyimide, PTFE and epoxy.

본 발명은 잉크 젯 프린팅 방법을 사용하여 3D 에칭 마스트를 성취하는 방법을 제공할 수 있다. 다수의 장치 제조 애플리케이션은 가변 빌드 높이 또는 에칭 깊이 형태의 제품을 요구한다. 프린트되는 패턴이 매번 다를 수 있는 패턴의 특정 영역 또는 다중 경로에서 응고된 방울들을 사용하는 그러한 형태를 한정하기 위해 잉크 젯 프린팅 프로세스를 사용할 수 있다. 두 경우에 있어서, 발생되는 마스크는 높이 프로파일에서 국부적 변화를 갖는다. 마스크는 표면상에 3D 양각 구조를 형성하는 고체 구조로서 남겨지거나 에칭 프로세스에 사용됨으로써 마스크 물질이 부식액에 의해 초과 시간으로 점차로 에칭될 수 있다. 점진적인 에칭은 특히 반응성 이온 빔 또는 플라즈마 건식 에칭 프로세스에 대해, 에칭 깊이에 있어서 국부적 변화를 촉진시킨다. 마스크 물질은 점진적인 에칭율이 일정하고 에칭 깊이 변화가 두께의 변동에 기인하므로 제어된 에칭을 겪는 표면을 노광하도록 마스크 소모율을 갖는 단일 타입으로 구성될 수 있다. 마스크는 사용된 부식액과 에칭율(에칭 저항)이 다른 다수의 물질로 구성될 수 있다. 이 경우에, 마스크 빌드의 특정 위치에서 완전하게 강화된 에칭 마스크를 한정함으로써, x, y, z(깊이)축으로 에칭을 제어할 수 있다.The present invention can provide a method of achieving a 3D etch mask using an ink jet printing method. Many device fabrication applications require products in the form of variable build heights or etch depths. An ink jet printing process may be used to define such shapes using solidified droplets in specific areas or multiple paths of the pattern where the pattern to be printed may differ each time. In both cases, the resulting mask has a local change in height profile. The mask can be left as a solid structure to form a 3D relief structure on the surface or used in an etching process so that the mask material can be gradually etched in excess time by the corrosive. Progressive etching promotes local variations in etch depth, particularly for reactive ion beam or plasma dry etching processes. The mask material may be constructed in a single type with a mask consumption rate to expose a surface undergoing a controlled etch since the gradual etch rate is constant and the etch depth change is due to variations in thickness. The mask may be composed of a number of materials that differ in etch rate (etch resistance) from the corrosion solution used. In this case, the etching can be controlled on the x, y, z (depth) axis by defining a fully strengthened etching mask at a specific position of the mask build.

UV(또는 다른 에너지/복사) 라인 소스는 에칭 마스크 패턴을 제조하는데 사용될 수 있다. 그러한 라인 소스는 선택된 프린트헤드의 너비를 지나 복사(UV-가시광선-IR-전자) 노광의 균일한 영역과 노광의 특정 영역을 제공하고 노광을 위해 방울 임팩트 지역과 관련있는 특정 위치상에서 발생하는 것이 요구될 수 있다. 라인 소스는 0.25 내지 1㎜의 개개의 지름의 섬유의 단일 라인을 제공하기 위해 부채꼴로 펴진 광섬유 다발을 사용할 수 있다(도 18 내지 22 참조). 섬유 라인은 약간의 강도 및 취급의 용이를 제공하는 폴리이미드 시트 지지 물질에 직접적으로 접착 및 고착된다. 섬유 및 지지 시트의 유동성은 방울 임팩트 지역에서, 또는 부근에서 복사 노광을 위해 올바른 위치 및 각도로 형성되어야 할 섬유 다발을 허용한다. 섬유 다발의 전면은 개개 섬유의 전체 어레이를 지나 높은 광 균질화를 제공하는 볼록 렌즈가 그 위에 부착될 수 있다. 넓은 영역 노광을 형성하기 위해 오버랩되거나 조사 지역을 가로지르는 기판으로서 설정 시간 간격에서/동안 펄스 노광을 제공하기 위해 분리되어 남겨진 일련의 조사 지역을 제공하는 다수의 섬유 다발이 구성될 수 있다.UV (or other energy / radiation) line sources can be used to fabricate an etch mask pattern. Such line sources provide a uniform area of radiation (UV-visible-IR-electronic) exposure and a specific area of exposure beyond the width of the selected printhead and occur on a specific location relative to the drop impact area for exposure. May be required. The line source may use fanned fiber bundles to provide a single line of fibers of individual diameters of 0.25-1 mm (see FIGS. 18-22). The fiber lines adhere and adhere directly to the polyimide sheet support material, which provides some strength and ease of handling. The fluidity of the fiber and support sheet allows the fiber bundle to be formed at the correct position and angle for radiation exposure at or near the drop impact area. The front side of the fiber bundle may be attached to it with a convex lens that provides a high light homogenization across the entire array of individual fibers. Multiple fiber bundles can be constructed that provide a series of irradiated areas that are separated to provide pulsed exposure at / during a set time interval as substrates that overlap or traverse the irradiated area to form a wide area exposure.

대안적으로, 국부적인 경화는 (필터 사용 및/또는 램프 가스의 도핑 및/또는 램프 전원 장치를 변경함으로써) 다양한 듀티 사이클, 오퍼레이팅 주파수 및 스펙트럼을 갖는 크세논 램프를 사용하여 성취될 수 있다.Alternatively, local curing can be achieved using xenon lamps with various duty cycles, operating frequencies and spectra (by changing filter usage and / or doping of lamp gases and / or lamp power supplies).

본 발명은 잉크 젯 프린팅 프로세스를 사용하여 홀을 통해 도금된 프린트된 배선/회로 보드를 덧씌우는(텐팅) 방법을 제공할 수 있다. 전형적인 홀은 지름이 0.1 내지 1 ㎜이다. 텐팅 프로세스는 소위, 도금된 홀 인필(in-fill) 또는 표면 장력 코팅의 2가지 방법으로 접근될 수 있다.The present invention can provide a method of overlaying (tenting) a printed wiring / circuit board plated through a hole using an ink jet printing process. Typical holes are 0.1 to 1 mm in diameter. The tenting process can be approached in two ways: so-called plated hole in-fill or surface tension coating.

인 필 프로세스는 모세관 현상하에서 도금된 홀을 채우기 위해 방울을 일으키는 다수의 방울을 사용한다. UV 경화는 고체 플러그를 형성하기 위해 유체를 응고시킨다. The infill process uses a number of droplets to cause droplets to fill the plated holes under capillary action. UV curing solidifies the fluid to form a solid plug.                 

표면 장력 코팅 프로세스는 방울 사이즈가 덧씌워져야 할 홀의 사이즈보다 커야한다. 더욱이, 유체의 표면 장력은 표면 습식의 정도를 제한하기 위해 제어되어야하므로, 유체 표면 장력 복원력은 원하는 만큼 도금된 홀을 덮는 반구형의 유체를 만들려 할 것이다. 유체는 복사(UV-가시광선-IR-전자)에 노광됨으로써 다시 응고된다.The surface tension coating process should have a droplet size larger than the size of the hole to be overlaid. Moreover, since the surface tension of the fluid must be controlled to limit the degree of surface wetting, the fluid surface tension restoring force will attempt to make the hemispherical fluid covering the plated holes as desired. The fluid solidifies again by exposure to radiation (UV-visible-IR-electrons).

상술한 기술은 잉크 젯 프린트된 UV 경화된 아크릴 함유 에칭 마스크를 제거하는 방법으로 확장될 수 있다. 제거 프로세스는 건식 또는 습식중 하나일 수 있다. 건식 프로세스는 아르곤, 산소, 아르곤-산소 혼합물, CF4-산소 혼합물, 아르곤-물 증기 등(불활성 기체 희토 산화물; 반응성 가스는 수소, 산소, 염소, 플루오로 등으로 처리한다)을 포함하는 다양한 가스 물질을 기초로 한 플라즈마를 사용한다. 아르곤과 같은 불황성 가스는 표면/표면에 가까운 영역("변화층"으로 명명)을 분리하는 관점에서 마스킹 물질에 충격을 주는 이온을 제공한다. 이 분리된 지역은 아크릴 함유 반응의 노광된 카본 백본에 그러한 종의 직접 억세스를 제공할 뿐만 아니라, 마스킹 물질의 부피에 반응성 종의 용이한 이동을 허용한다. 더운(높은 에너지) 이온에 의해 분산된 외부로부터의 에너지와 결합된 대항 종(즉, C-C, C-H, C-O, C-F등)의 음전성은 위치 교환 작용으로 발생하도록 아크릴 함유의 높은 비율 에칭을 허용하도록 필요한 열역학을 제공한다. 분당 1 ㎛를 초과하는 에칭율이 쉽게 성취될 수 있다.The techniques described above can be extended to methods of removing ink jet printed UV cured acrylic containing etch masks. The removal process can be either dry or wet. The dry process involves a variety of gases including argon, oxygen, argon-oxygen mixtures, CF 4 -oxygen mixtures, argon-water vapors, etc. (inert gas rare earth oxides; reactive gases are treated with hydrogen, oxygen, chlorine, fluoro, etc.). Use plasma based materials. Sulfur gases, such as argon, provide ions that bombard the masking material in terms of separating the surface / surface close area (called the "change layer"). This separated zone not only provides direct access of such species to the exposed carbon backbone of the acrylic containing reaction, but also allows for easy migration of reactive species to the volume of masking material. The negative charge of counter species (i.e., CC, CH, CO, CF, etc.) combined with energy from the outside dispersed by hot (high energy) ions is allowed to allow a high rate of etch containing acrylic to occur with a position exchange action. Provide the necessary thermodynamics. Etch rates in excess of 1 μm per minute can be easily achieved.

습식 프로세스는 수성 및 비수성 용매 시스템 둘 다를 사용할 수 있다. 수성 기반 화학 부식액은 주로 가성 기반이다[전형적인 프로세는 30℃에서 H2O에 5% NaOH의 롤러를 지나 확산 주입된다]. 아크릴 함유 마스크를 제거하는 비수성 용매는 다음을 포함한다.Wet processes can use both aqueous and non-aqueous solvent systems. The aqueous based chemical caustic is mainly caustic based (a typical process is diffusion injected through a roller of 5% NaOH in H 2 O at 30 ° C.). Non-aqueous solvents for removing the acrylic containing mask include the following.

* 클로로포름(용해 작용)* Chloroform (Solubility)

* 디클로로메탄(팽창 및 용해 작용- 빠른 제거)Dichloromethane (expansion and solubilization-quick removal)

* 테트라클로로메탄(용해 작용)Tetrachloromethane (dissolution)

* 클로로벤젠(팽창 작용)* Chlorobenzene (expansion)

* 1,1,2-트리클로로에탄(용해 작용)* 1,1,2-trichloroethane (soluble)

* N-메틸 피롤리디논(팽창 작용-낮은 프로세스)N-methyl pyrrolidinone (expansion-low process)

유사하게, 상기 기술은 건식 에칭 저항, 무기 에칭 마스크의 잉크 젯 프린팅 방법에 적용될 수 있다. 상술한 에칭 마스크 프로세스가 아크릴 함유(유기) 물질을 사용하더라도, 잉크 젯 프린팅 방법은 무기 또는 혼합된 유기-무기 유체 시스템을 기초로 한 에칭 마스크를 동등하게 제공한다. 그러한 경우에, 프린트헤드 물질과 노즐 비습식 코팅에 대해 유체 및 화학적 안정성의 특성은 여전히 응용한다.Similarly, the technique can be applied to a dry etching resistance, ink jet printing method of an inorganic etching mask. Although the etch mask process described above uses acrylic containing (organic) materials, the ink jet printing method equally provides etch masks based on inorganic or mixed organic-inorganic fluid systems. In such cases, the properties of fluid and chemical stability still apply to the printhead material and the nozzle non-wetting coating.

방울을 응고시키는 방법은 사용된 유체 시스템에 의해 나타낼 수 있다. 유기-무기 유체(오머서(ormocer)-유기적으로 변환된 세라믹, 졸-겔, 금속-유기 등)는 UV와 같은 복사 경화를 사용할 수 있다. 그러나, 애플리케이션에 따라, 열적 스며듬을 사용하는, 응고의 그 밖의 레벨이 요구될 것이다. 이 경우에, 빠른 열적 방법은 근접 조사 또는 순차적인 이동을 사용하여 처리 지역에 적용될 수 있다. 열적 어닐링 프로세스는 마스크 물질을 스며들게 하고 높은 에칭율 유기물을 몰아낸다. 뒤이은 물질은 건식 에칭 마스킹 애플리케이션에 적합하게 만드는 복사(플라즈마) 경도의 특정 정도를 갖는다.The method of solidifying droplets can be represented by the fluid system used. Organic-inorganic fluids (ormocer-organically converted ceramics, sol-gels, metal-organic, etc.) can use radiation curing such as UV. However, depending on the application, other levels of coagulation will be required, using thermal percolation. In this case, a rapid thermal method can be applied to the treatment area using proximity survey or sequential movement. Thermal annealing processes infiltrate the mask material and drive out high etch rate organics. Subsequent materials have a certain degree of radiation (plasma) hardness that makes them suitable for dry etch masking applications.

본 발명은 공동의 통합된 복사 경화 소스로 이중 프린트헤드 구성을 사용하는 방울 복사 경화 방법으로 확장한다(도 22 참조). 이 구성은 이중 백-투-백 프린트헤드 구성의 외부 에지 및 중앙에 위치된 복사 소스를 갖는다. 이것은 전방 또는 후방 프린트에 관계없이 동일한 복사 노광 정도를 제공하는, 이중 방향 모드로 프린트헤드가 프린트하도록 허용한다.The present invention extends to a drop radiation curing method using a dual printhead configuration as a common integrated radiation curing source (see FIG. 22). This configuration has a copy source located at the outer edge and center of the dual back-to-back printhead configuration. This allows the printhead to print in a bidirectional mode, providing the same degree of copy exposure regardless of the front or back print.

상술한 기술은 비전해 및 전해 도금욕 저항, 에칭 마스크 패턴의 잉크 젯 프린팅 방법에 적용될 수 있다. 프린팅 방법은 프린트된 배선 보드 에칭 마스크 프린팅을 위한 것과 동일하다. 차이는 사용되는 물질의 선택과 특성에서 3 차원인 마스크 패턴을 구성하는 필요성에서이다. 3D 프린팅은 상기에 기술되었다. 마스크 물질의 선택은 비전해 및/또는 전해 도금욕 용액 성질에 의존한다. 전형적인 물질은 에폭시, 폴리카보네이트, 실리콘, PTFE, 폴리클로로트리플루오로에틸렌, 폴리이미드, 폴리이소프렌 및 폴리프로필렌폴리스티렌 등을 포함한다.The above-described technique can be applied to the non-electrolytic and electrolytic plating bath resistance, the ink jet printing method of the etching mask pattern. The printing method is the same as for the printed wiring board etch mask printing. The difference lies in the need to construct a mask pattern that is three-dimensional in the choice and properties of the materials used. 3D printing has been described above. The choice of mask material depends on the nature of the electroless and / or electrolytic bath solution. Typical materials include epoxies, polycarbonates, silicones, PTFEs, polychlorotrifluoroethylenes, polyimides, polyisoprene and polypropylenepolystyrenes, and the like.

부가적인 도금 에칭 마스크는 잉크 젯 프린팅을 사용하여 형성될 수도 있다. 이것은 3D 프린팅하에서 커버되는 것과 같이, 국부화된 높이 빌드의 특정 사용이다.Additional plating etch masks may be formed using ink jet printing. This is a specific use of localized height builds, as covered under 3D printing.

부가적으로, 고분해능 에칭 마스크는 잉크 젯 프린팅을 사용하여 형성될 수 있다. 고 분해능은 서비스되는 애플리케이션에 따라 상이한 의미를 갖는다. 이 개 시의 목적을 위해, 고 분해능은 10 ㎛보다 작은 형태 사이즈를 의미한다.Additionally, high resolution etch masks can be formed using ink jet printing. High resolution has different meanings depending on the application serviced. For the purposes of this disclosure, high resolution means shape sizes smaller than 10 μm.

전기적으로 전도 마스킹층은 상술한 기술을 사용하여 형성될 수 있다. 그러한 마스킹 층은 사용한 후, 전극 패턴의 비전해/전해 도금에 대한 시드층으로서 남겨질 수 있다. 마스킹 층은 선택의 금속으로 도금되기 전에 특정 전도성 및 화학적 계면 작용에 영향을 주기 위해 카본 기반 또는 금속 아세테이트 기반(즉, 팔라듐) 기반일 수 있다. The electrically conductive masking layer can be formed using the technique described above. Such masking layer may be left after use as a seed layer for the electroless / electrolytic plating of the electrode pattern. The masking layer may be carbon based or metal acetate based (ie, palladium) based to affect specific conductivity and chemical interfacial behavior before plating with the metal of choice.

데코러티브 표면 에칭 마스크도 형성될 수 있다. 데코러티브 표면은 표면 양각 패턴을 형성하는데 사용되는 잉크의 특성에 기초될 수 있다. 예를 들면, 노광 파장 및 각도에 따라 상이한 파장으로 응고에 따라 빛을 반사하는 광학 입자가 로딩된 잉크를 사용할 수 있다. 그러한 시스템은 보안 신호로서 이미지 및 기록될 수 있는 고체에 분진 분포의 독특한 특성에 기인하여 보안 장치로서 사용될 수 있다.A decorative surface etch mask can also be formed. The decorative surface can be based on the characteristics of the ink used to form the surface relief pattern. For example, an ink loaded with optical particles reflecting light upon solidification at a wavelength different from the exposure wavelength and angle may be used. Such systems can be used as security devices due to the unique nature of the dust distribution in solids that can be imaged and recorded as security signals.

마스크 패턴은 화학적 부착 전달을 기초하여 형성될 수 있다(도 23 참조). 화학적 부착은 표면상에 키랄성을 통하거나 친수형 작용일 수 있다. 결부된 에너지는 제어된 조건하에서 방울 결속력을 깨게하는, 근접 부분적으로 분사된 방울로부터 유체의 알려진 체적을 전달하는 수단을 제공한다. 계산 유체 동적 모델링은 그러한 유체 전달(유동 과학)이 특정 유체 표면 장력 및 기판 표면 에너지 조건하에서 발생하지 않는 것을 나타낸다.The mask pattern may be formed based on chemical attachment transfer (see FIG. 23). Chemical attachment may be via chiral or hydrophilic action on the surface. The associated energy provides a means to deliver a known volume of fluid from the partially sprayed droplets that breaks the droplet binding force under controlled conditions. Computational fluid dynamic modeling indicates that such fluid transfer (flow science) does not occur under certain fluid surface tension and substrate surface energy conditions.

단일 패널 프린트된 배선 보드(PWB) 백-투-프론트 자동 레지스트된 에칭 마스크가 형성될 수 있다(도 24 참조). 프로세스는 예를 들면 He-Ne 레이저 빔과 실리콘 다이오드 포토디텍터를 사용하여 서로 관련하여 정렬된, 2개의 직면하는 프린 트헤드 또는 프린트헤드의 버트된 선형 어레이를 사용할 수 있다. 정렬은 x-y-z 축의 압전 바이모르프 포지션닝 장치(또는 유사)와 프린트헤드/프린트헤드 어레이의 방위각을 사용하여 영향받는다. 정렬이 영향받으면, 패널은 프린트헤드(또는 어레이) 및 높은 정도에 기록되는 양 표면에서 성취된 이중 프린트 사이의 중간 프레임으로 운반될 수 있다.A single panel printed wiring board (PWB) back-to-front auto resist etch mask can be formed (see FIG. 24). The process may use a butted linear array of two facing printheads or printheads, aligned in relation to one another, for example using a He-Ne laser beam and a silicon diode photodetector. Alignment is affected using the azimuth of the piezoelectric bimorph positioning device (or similar) on the x-y-z axis and the printhead / printhead array. If alignment is affected, the panel can be carried in an intermediate frame between the printhead (or array) and the dual prints achieved on both surfaces to be recorded at a high degree.

거의 수직 벽 마스크 패턴이 형성될 수 있다. 고체 표면과 상호작용하는 방울 분사된 잉크 젯 프린트헤드의 (FlowScience사의 Flow 3D 모델링 소프트웨어의) 계산 유체 동적 모델링은 수직에 매우 근접한 측벽 형태로 단일 도트를 만들 수 있다는 것을 제안했다. 방울의 임팩트 속도 및 잉크 점성과 결합된, 방울 간격 및 이전 방울의 응고 상태는 라인을 형성하기 위해 유착율에 영향을 준다. 라인이 수직 측벽 프로파일을 갖기 위해 방울 물질이, 응고된 방울의 너비로 확산되는데 걸리는 시간안(즉, 10 ㎲보다 작거나 같은 시간안)에 유착 프로세스가 발생되는 것이 필수적이다.An almost vertical wall mask pattern can be formed. Computational fluid dynamic modeling (from FlowScience's Flow 3D modeling software) of drop-jet inkjet printheads interacting with solid surfaces has suggested that single dots can be created in the form of sidewalls very close to vertical. The drop spacing and the solidification state of the previous drop, combined with the impact rate and ink viscosity of the drop, affect the adhesion rate to form a line. In order for the line to have a vertical sidewall profile, it is necessary for the coalescence process to occur within the time it takes for the droplet material to diffuse to the width of the solidified droplet (ie less than or equal to 10 ms).

이온 주입 마스크가 형성될 수 있다(도 25 참조). 마스킹 물질의 목적은 마스크하에서 표면을 높은 에너지 이온 빔으로부터 보호하는 것이다. 에너지 범위는 10 eV 내지 50 eV이다. 마스킹 층의 두께는 조사되는 빔의 에너지에 의존할 것이다. 높은 에너지에 대해, 예상되는 마스크 두께는 10 ㎛보다 작거나 같을 것이다.An ion implantation mask may be formed (see FIG. 25). The purpose of the masking material is to protect the surface from high energy ion beams under a mask. The energy range is 10 eV to 50 eV. The thickness of the masking layer will depend on the energy of the beam to be irradiated. For high energy, the expected mask thickness will be less than or equal to 10 μm.

본 발명은 표면상에 표면 양각 패턴을 발생하는 방법으로 확장될 수 있다. 그러한 양각 패턴은 단일 또는 다중 칼러 발광 폴리머 디스플레이의 제조에 사용된 컨테인먼트 웰 마스크일 수 있다(도 26 참조). 그러한 컨테인먼트 웰을 사용하는 그 밖의 디스플레이 장치는 무기 란탄족원소 염료 또는 유기 미립자 염료 구조를 포함한다.The invention can be extended to a method of generating a surface relief pattern on a surface. Such an embossed pattern can be a containment well mask used in the manufacture of single or multiple color light emitting polymer displays (see FIG. 26). Other display devices using such containment wells include an inorganic lanthanide element dye or an organic particulate dye structure.

본 발명은 떨어져 있는 스페이서 패턴(도 27 참조)을 만드는 방법으로도 확장할 수 있다. 떨어져 있는 스페이서는 평면 디스플레이 장치를 두 부분으로, 알려지거나 정밀한 높이로써 분리하는데 사용된다. 진공 기반 필드 방출 디스플레이에 사용하는, 알려진 전도성 및 보조 전자 방출성의 스페이서 물질의 사용이 그 예이다. 다른 예는 액정 디스플레이에 사용된 분리 웰 구조이다. 웰 구조는 웰의 충전물에 영향을 주기 위해 잉크 젯 프린트되거나 진공 주입된 액정을 포함한다.The present invention can also be extended to a method of making a separate spacer pattern (see FIG. 27). The separated spacer is used to separate the flat panel display device into two parts, known or precise heights. An example is the use of known conductive and secondary electron emitting spacer materials for use in vacuum based field emission displays. Another example is the separation well structure used in liquid crystal displays. The well structure includes an ink jet printed or vacuum injected liquid crystal to affect the filling of the well.

다른 구성에 있어서, 에칭 마스크는 모두 건식, 대전 토너, 포토 트랜스퍼 프로세스를 사용하여 형성될 수 있다. 이것은 토너에 퇴적물을 대전하기 위해 필요한 지름과 물질 특성 및 광전도체와 패턴될 기판으로의 입자 이동을 제공하는 나노 또는 마이크로캡슐/미립자/비즈 시스텝인 토너의 사진 복사 적용이다. 컴퓨터 발생 이미지(CGI)는 정전기 전하를 포함하는 광전도(리셉터) 드럼/판을 특정 파장 또는 주파대에서, 조사하는 발광 폴리머(LEP) 디스플레이에 공급된다. 표준 사진 복사기에서와 같이, 광전도 드럼/판의 정전기 전하(양)는 LED 디스플레이의 빛이 입사되는 곳에서 약해진다. 롤러 시스템은 (음전하를 띠는) 토너를 광전도 드럼/판상의 이미지 영역으로 움직인다. 기판은 근접되고 토너는 광전도 드럼/판에서 기판으로 움직인다. 기판은 광전도 드럼/판으로부터 떨어진 토너에 이미지 패턴을 그리고, 그 자리에 토너를 홀딩하도록 충분한 정전력을 제공하기 위해 충분히 강한 양전하가 주어진다. 이 점에서, 표준 사진 복사기 프로세스는 가열된 롤러 압력을 지나 기판에, 소위 토너 퓨징이 연속될 수 있다. 대안적으로, 토너는 물질 유착에 영향을 주기 위해 마이크로캡슐/입자/비즈를 재흐르도록 원 위치 고속 열적/적외선 복사(펄스 또는 연속 조사) 처리 수단을 사용하여 처리될 수 있다. 예를 들면, 토너 마이크로캡슐/입자는 사실 저온도(<200℃) 열가소성의 고체 비즈인 것을 고려한다. 대전된 입자는 온도가 도입됨으로써 녹는다. 녹는 정도는 과도한 표면 습식(재흐름)없이 유착을 허용하기에 충분하다. 열의 제거는 열가소성 플라스틱이 재응고하도록 해서, 원하는 에칭 마스크 패턴을 형성한다. 중공의 캡슐이 특정 물질(즉, 폴리머, 무기물 등)을 포함하는데 사용되는 것이 예상된다. 조사/처리 공기에 노광함으로써, 마이크로캡슐의 쉘은 물질 내부가 드러나게 분해될 것이다. 제어되는 점성 및 표면 장력(온도 의존)을 갖는, 이 물질은 망가진 속박에서 흐르고 가장 근접하는 캡슐로부터의 물질과 결합해서, 필요한 패턴 이미지를 형성한다. 그러한 이미지는 에칭 마스크 패턴에 제한되지 않지만 유기 전자 또는 광전자 장치의 부분을 형성할 수 있다. CGI 패턴 이동은 이 프로세스에서 마스크가 요구되지 않는 것을 의미한다.In other configurations, the etch masks can all be formed using dry, charged toner, photo transfer processes. This is a photocopy application of the toner, which is a nano or microcapsule / particulate / beads system that provides the diameter and material properties needed to charge the deposit on the toner and the particle transport to the substrate to be patterned with the photoconductor. Computer-generated images (CGIs) are supplied to light emitting polymer (LEP) displays that irradiate photoconductive (receptor) drums / plates containing electrostatic charge at a particular wavelength or frequency band. As in a standard photocopier, the electrostatic charge (amount) of the photoconductive drum / plate is weakened where light from the LED display is incident. The roller system moves toner (negatively charged) to the image area on the photoconductive drum / plate. The substrate is in proximity and the toner moves from the photoconductive drum / plate to the substrate. The substrate is given a positive charge strong enough to draw an image pattern on the toner away from the photoconductive drum / plate and to provide sufficient electrostatic force to hold the toner in place. In this regard, the standard photocopier process may continue the so-called toner fusing onto the substrate past the heated roller pressure. Alternatively, the toner may be processed using in-situ high speed thermal / infrared radiation (pulse or continuous irradiation) processing means to reflow microcapsules / particles / beads to affect material adhesion. For example, it is contemplated that the toner microcapsules / particles are in fact low temperature (<200 ° C.) thermoplastic solid beads. The charged particles melt by introduction of temperature. The degree of melting is sufficient to allow coalescence without excessive surface wetness (reflow). Removal of heat causes the thermoplastic to resolidify, forming a desired etch mask pattern. It is contemplated that hollow capsules will be used to contain certain materials (ie, polymers, inorganics, etc.). By exposure to irradiation / treatment air, the shell of the microcapsules will disintegrate to reveal the interior of the material. With controlled viscosity and surface tension (temperature dependent), this material combines with the material from the closest capsule flowing in the broken bondage to form the required pattern image. Such an image is not limited to the etching mask pattern but may form part of an organic electronic or optoelectronic device. CGI pattern migration means that no mask is required for this process.

본 발명을 실시하는 몇 가지 예가 설명될 것이다.Some examples of practicing the invention will be described.

일반적 측면General aspects

1. 이미지의 비월 주사 및 프린트헤드 어드레스 능력1. Interlaced and printhead addressing capabilities of images

회로 이미지는 CAD/CAM 시스템상에서 생성되고, RS-274X 게르버와 같은 표준 벡터 포맷으로 마스크 프린트 시스템에 전달된다. 회로 이미지를 포함하는 파일은 프린트헤드 동작에 대한 올바른 파일 형태를 만들기 위하여 래스터 포맷으로 전환 된다. The circuit image is generated on a CAD / CAM system and transferred to the mask print system in a standard vector format such as RS-274X Gerber. The file containing the circuit image is converted to raster format to produce the correct file format for the printhead operation.

또한, 래스터 이미지는 동일 면적 또는 프린트하려는 레이저 폭으로 분할된다. 이미지는 보다 큰 이미지 분해능을 생성하기 위하여 각 면적내의 다수의 추가 비월 경로로 더 분할된다.In addition, raster images are divided into equal areas or laser widths to be printed. The image is further subdivided into multiple additional interlacing paths within each area to produce greater image resolution.

채널 스테핑은 표준 형상의 프린트헤드를 사용하여 생산되는 것보다 기판에 방울의 증가된 어드레스 능력을 허용함으로써, 에칭 마스크 프린팅 분야에서 중요한 문제가 된다.Channel stepping is an important issue in the field of etch mask printing by allowing increased addressability of droplets on the substrate than is produced using standard shaped printheads.

프린트헤드는 다음의 값으로 나타내진다.The printhead is represented by the following values.

1/경로 수 × 노즐 간격1 / path number × nozzle spacing

예를 들면, 180 dpi의 노즐 분해능을 가진 프린트헤드의 경우, 360 dpi의 이미지 분해능은 결합된 1/2 채널(70.5 ㎛) 채널 단계를 가진 각 면적내의 2 경로를 사용하여 달성될 수 있다. 이미지는 면적내의 각 경로에 따라 다르게 되고, 2 경로의 경우에 각 경로 이미지는 대체 픽셀 라인을 포함할 것이다.For example, for a printhead with 180 dpi nozzle resolution, image resolution of 360 dpi can be achieved using two paths within each area with combined 1/2 channel (70.5 μm) channel steps. The image will be different for each path in the area, and in the case of two paths each path image will contain alternate pixel lines.

기판에 720 dpi 방울 어드레스 능력에 대하여, 4(즉, 720/180) 경로가 요구되어, 720 dpi 기판 주소 지정에 대하여 프린트헤드 단계 인덱스는 1/4 ×141.1 ㎛ = 35.275 ㎛.For the 720 dpi droplet addressing capability of the substrate, four (ie, 720/180) paths are required, so that for 720 dpi substrate addressing, the printhead step index is 1/4 x 141.1 µm = 35.275 µm.

4 경로 처리의 경우에, 각 연속 이미지는 모두 4th 픽셀 라인을 포함할 것이다.In the case of four-path processing, each successive image will contain all 4 th pixel lines.

차후 프린트헤드 개발은 보다 작은 방울의 16 레벨 그레이스케일과 360 dpi 노즐 농도를 제공하는 것이 도모된다. 기판에 2880 dpi 방울 어드레스 능력의 경우에, 8(즉, 2880/260) 경로가 요구된다. 2880 dpi 기판 어드레스 능력에 대하여, 프린트헤드 단계 인덱스는 1/8 ×70.6 ㎛ = 8.82 ㎛이다.Subsequent printhead developments will aim to provide smaller drops of 16 levels of grayscale and 360 dpi nozzle concentration. In the case of 2880 dpi drop address capability on the substrate, 8 (ie 2880/260) paths are required. For the 2880 dpi substrate address capability, the printhead step index is 1/8 x 70.6 mu m = 8.82 mu m.

더욱이, 이 비월 처리는 면적내의 후속 경로가 노즐의 상이한 설정을 사용하여 실행되게 된다. 예를 들면, 500개의 노즐 프린트헤드를 사용할 때, 이미지는 400과 496 픽셀 라인 사이의 면적/경로로 분할된다. 프린트헤드는 정확하게 이미지를 재편성하기 위하여 소프트웨어로 조정된 이미지 상태로, 채널 사이의 분수 단계뿐만 아니라 전체 수에 의하여 이동될 수 있다. 이 연구법은 생산된 회로에서 핀홀 형성 및 개회로 고장율을 감소하여 노즐 변화 또는 고장의 임팩트를 최소화한다.Moreover, this interlacing process is such that subsequent paths in the area are executed using different settings of the nozzles. For example, when using a 500 nozzle printhead, the image is divided into areas / paths between 400 and 496 pixel lines. The printhead can be moved by the total number as well as the fractional steps between the channels, with software adjusted image states to accurately realign the image. This method minimizes the impact of nozzle changes or failures by reducing pinhole formation and open circuit failure rates in the produced circuit.

예를 들면, 프린트헤드는 이미지를 재편성하기 위하여 5로 증가된 프린트헤드 채널 오프셋 파라미터를 가진 경로 사이의 5 1/4 ×노즐 간격에 의하여 나타내질 수 있다.For example, the printhead may be represented by 5 1/4 × nozzle spacing between paths with the printhead channel offset parameter increased to 5 to reorganize the image.

2. 일반 구리 적층 전처리2. General copper lamination pretreatment

표준 HTE, FR4와 PET 기판에 처리되는 반전, 더블, 크롬산염과 같은 구리 적층의 모든 형태는 특정 전처리 상황에 노출되기 쉽다. 과염소산 마이크로에칭은 산화방지제 층을 제거하는데 사용된다. 대안적으로, 표면을 퍼미싱, 브러싱, 폴리싱하는 것은 만족할 만한 결과를 제공할 수 있다. 표면 거칠음은 통상 0.1 내지 5.0 ㎛, 바람직하게는 0.1 내지 1.0 ㎛이다.All forms of copper lamination such as inverted, double and chromate treated on standard HTE, FR4 and PET substrates are susceptible to certain pretreatment situations. Perchloric acid microetching is used to remove the antioxidant layer. Alternatively, permitting, brushing, and polishing the surface can provide satisfactory results. The surface roughness is usually 0.1 to 5.0 mu m, preferably 0.1 to 1.0 mu m.

점착 촉진제에 따른 독점 타르니스 방지 스프레이가 기판상에 뿌려진다. A proprietary anti-tarnish spray according to the adhesion promoter is sprayed onto the substrate.

전처리된 보드의 표면 에너지는 24 내지 35 dynes/cm, 바람직하게는 26 내지 28 dynes/cm이다. 마지막으로, 테키 롤러 또는 이오나지저(ioniser)는 프린팅 전에 전처리 기판으로부터 모든 먼지 반점을 제거하는데 사용된다.The surface energy of the pretreated board is 24 to 35 dynes / cm, preferably 26 to 28 dynes / cm. Finally, teki rollers or ionisers are used to remove all dust spots from the pretreatment substrate prior to printing.

3. 일반 조건3. General conditions

에칭 마스크 프린팅은 바람직하게 20 내지 70% 사이의 주변 습도에서 10 내지 40℃, 바람직하게는 20 내지 30℃에서의 주변 기온의 먼지 및 진동 자유 환경에서 실행되었다. 모든 예에 대한 프린트헤드 온도는 30 내지 60℃, 바람직하게는 35 내지 45℃였다.Etch mask printing is preferably carried out in a dust and vibration free environment of ambient temperature at 10-40 ° C., preferably 20-30 ° C., at ambient humidity between 20-70%. The printhead temperature for all examples was 30 to 60 ° C, preferably 35 to 45 ° C.

예 1 : 대형 크기Example 1: large size

대형 크기 작업(250 ㎛ 이상)은 Xaarjet XJ500 180 dpi 프린트헤드를 사용하여 실행되고, UV 경화 아크릴산 기반 유체를 프린트하기 위하여 설계되며, 15 및 47 ㎛ 사이의 노즐 스태거로 구성된다. 본 예에 사용되는 스태거는 23.5 ㎛이었다. 이 프린트헤드는 500개 노즐을 가지고, 체적 70 pL의 방울 사이즈로 생산되었다. 프린트헤드는 기판상에 0.5 내지 2.0 mm의 높이에서 사용되고, 바람직하게는 0.75 내지 1.25 mm의 높이가 사용되었다. 프린트헤드 어드레스 능력은 180 내지 540 dpi, 바람직하게는 360 dpi이고, 프린팅은 168 내지 506 mm/s, 바람직하게는 282 mm/s의 프린팅 속도에서 2방향으로 수행되었다. 방울 임팩트/UV 국부 경화 지연은 10 내지 2000 ms, 바람직하게는 50 내지 300 ms이었다.Large size operations (greater than 250 μm) are performed using the Xaarjet XJ500 180 dpi printhead, are designed to print UV cured acrylic acid based fluids and consist of nozzle staggers between 15 and 47 μm. The stagger used for this example was 23.5 micrometers. The printhead had 500 nozzles and was produced in a drop size of 70 pL. The printhead was used at a height of 0.5 to 2.0 mm on the substrate, preferably a height of 0.75 to 1.25 mm. The printhead address capability is 180 to 540 dpi, preferably 360 dpi, and printing was performed in two directions at a printing speed of 168 to 506 mm / s, preferably 282 mm / s. Drop impact / UV local cure delay was 10-2000 ms, preferably 50-300 ms.

예 2 : 중형 크기Example 2: medium size

중형 크기 작업(150 ㎛ 이상)은 Xaarjet XJ500 360 dpi 프린트헤드를 사용하여 실행되고, UV 경화 아크릴산 기반 유체를 프린트하기 위하여 설계되며, 6 및 23.5 ㎛ 사이, 바람직하게는 11.8 ㎛ 의 노즐 스태거를 가진다. 이 헤드는 500 노즐을 가지고, 21 피코 리터 값의 방울 사이즈로 생산된다. 프린트헤드는 기판상에서 0.2 내지 2.0 mm, 바람직하게는 0.75 내지 1.25 mm의 높이에서 사용되었다. 프린트헤드 어드레스 능력은 360 내지 1440 dpi, 바람직하게는 720 dpi이고, 프린팅은 60 내지 506 mm/s, 바람직하게는 60 내지 282 mm/s의 프린팅 속도로 한 방향의 4 경로로 처리되었다. 방울 임팩트/UV 국부 경화 지연은 10 내지 2000 ms, 바람직하게는 50 내지 300 ms였다.Medium size operations (150 μm or larger) are performed using the Xaarjet XJ500 360 dpi printhead and are designed to print UV cured acrylic acid based fluids and have a nozzle stagger between 6 and 23.5 μm, preferably 11.8 μm. . This head has 500 nozzles and is produced in a drop size of 21 picoliters. The printhead was used at a height of 0.2 to 2.0 mm, preferably 0.75 to 1.25 mm on the substrate. The printhead address capability was 360 to 1440 dpi, preferably 720 dpi, and the printing was processed in four directions in one direction at a printing speed of 60 to 506 mm / s, preferably 60 to 282 mm / s. Drop impact / UV local cure delay was 10-2000 ms, preferably 50-300 ms.

예 3 : 소형 크기Example 3: small size

소형 크기 작업(50 ㎛ 이상)은 3 및 11.8 ㎛ 사이, 바람직하게는 6.0 ㎛의 노즐 스태거로 Xaarjet XJ500 그레이스케일(8 레벨) 프린트헤드를 사용하여 실행되고, UV 경화 아크릴산 기반 유체를 프린트하기 위하여 설계되었다. 이 헤드는 500개의 노즐을 가지고, 5 및 6 레벨당 피코 리터 사이의 방울 사이즈를 만든다. 프린트헤드는 기판상에서 0.5 내지 2.0 mm, 바람직하게는 0.25 내지 1.25 mm의 높이에서 사용되었다. 프린트헤드 어드레스 능력은 360 내지 1440 dpi, 바람직하게는 720 내지 1440 dpi였고, 프린팅은 사용된 프린트헤드의 수에 따라, 43 내지 350 mm/s, 바람직하게는 87.5 내지 175 mm/s의 프린팅 속도로 양 방향의 4 내지 8경로로 처리되었다. 방울 임팩트/UV 국부 경화 지연은 10 내지 2000 ms, 바람직하게는 50 내지 300 ms였다.Small size operations (at least 50 μm) are carried out using an Xaarjet XJ500 grayscale (8 level) printhead with a nozzle stagger between 3 and 11.8 μm, preferably 6.0 μm, for printing UV cured acrylic acid based fluids. Designed. This head has 500 nozzles and produces droplet sizes between pico liters per 5 and 6 levels. The printhead was used at a height of 0.5 to 2.0 mm, preferably 0.25 to 1.25 mm on the substrate. The printhead address capability was 360 to 1440 dpi, preferably 720 to 1440 dpi, and printing was performed at a printing speed of 43 to 350 mm / s, preferably 87.5 to 175 mm / s, depending on the number of printheads used. Treatment was in 4 to 8 routes in both directions. Drop impact / UV local cure delay was 10-2000 ms, preferably 50-300 ms.

보다 작은 방울 사이즈와 360 dpi 노즐 농도로 16 레벨 그레이스케일을 제공하는 차후 프린트헤드 개발은 프린트헤드의 점화 주파수로 제한된 프린트 속도로, 어드레스 능력이 2880 dpi로 확장될 것이다. 프린팅은 (사용된 프린트헤드의 수로 분할된) 8 프린트 경로의 순 및 역방향으로 될 것이다. Future printhead developments that offer 16 levels of grayscale at smaller droplet sizes and 360 dpi nozzle concentration will expand the address capability to 2880 dpi, with print speed limited to the printhead's firing frequency. Printing will be in the forward and reverse directions of the eight print paths (divided by the number of printheads used).

4. 일반 UV 잉크 경화 조건4. General UV Ink Curing Condition

잉크 젯 에칭 마스킹 시스템은 (1) 1 내지 300 mW/cm2의 강도를 가진 프린트헤드에 근접한 국부 경화 소스; 및 (2) 0.5 내지 4 J/cm2, 바람직하게는 1 내지 2 J/cm2의 전체 에너지를 가진 100 내지 300 W/선형 인치 사이의 강도의 최종, 풀 보드 경화 소스의 2개의 상이한 UV 경화 소스로 구성된다.The ink jet etch masking system comprises: (1) a local curing source in proximity to the printhead having a strength of 1 to 300 mW / cm 2 ; And (2) two different UV curings of the final, full board curing source of intensity between 100 and 300 W / linear inch with a total energy of 0.5 to 4 J / cm 2 , preferably 1 to 2 J / cm 2 . Consists of the source.

일반적으로, 경화는 공기를 감소시킨 부분 산소하에서 우선적으로 처리되지만, 경화 영역의 질소 또는 다른 불활성 가스의 양압으로 제한되지 않는다. 최종 UV 경화하의 체류 시간은 1 내지 10s이다.Generally, curing is preferentially treated under partial oxygen with reduced air, but is not limited to the positive pressure of nitrogen or other inert gas in the curing zone. The residence time under final UV curing is 1 to 10 s.

대안적으로, 국부 경화는 가변 듀티 사이클, 동작 주파수 및 스펙트럼을 갖는 크세논 램프를 사용해서 달성될 수 있다(필터 사용 및/또는 램프 가스의 도핑 및/또는 램프에 공급되는 전력의 변경).Alternatively, local curing can be achieved using xenon lamps with variable duty cycles, operating frequencies and spectra (filter usage and / or doping of lamp gas and / or changing the power supplied to the lamp).

5. 에칭 및 마스크 패턴 5. Etching and Mask Pattern

완전 마스크 패턴의 구리 적층 기판은 산성 또는 알카리성 에칭 화학중 하나를 사용하여 표준 스프레이 컨베이어 에칭 시스템을 통하여 처리된다. The copper laminate substrate in full mask pattern is processed through a standard spray conveyor etch system using either acidic or alkaline etch chemistry.

에칭 마스크는 20 내지 50℃ 사이의 온도에서 스프레이 침지와 같은 교반으로 알카리성 딥, 바람직하게는 수산화 칼륨 또는 나트륨/2 아미노에타놀 시스템을 사용하여 제거된다. The etch mask is removed using an alkaline dip, preferably potassium hydroxide or sodium / 2 aminoethanol system, with agitation such as spray dipping at a temperature between 20 and 50 ° C.

본 발명은 예시로써 상술되었고, 내용의 변형이 본 발명의 범위내에서 이루어질 수 있음을 이해할 것이다.The invention has been described above by way of illustration, and it will be understood that modifications of the content may be made within the scope of the invention.

각 특징이 명세서에서 설명되었고, 청구범위 및 도면은 독립적으로 또는 어떤 적절한 결합으로 제공될 수 있다.Each feature has been described in the specification, and the claims and drawings may be provided independently or in any suitable combination.

Claims (105)

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The method of claim 77, wherein formation of the masking pattern is controlled such that the masking pattern has a predetermined structural characteristic. 제 77항에 있어서, 상기 작용 구역은 상기 침착장치에서 상기 표면까지 연장되는 것을 특징으로 하는 방법.78. The method of claim 77, wherein said zone of action extends from said deposition apparatus to said surface. 제 77항에 있어서, 상기 마스킹 패턴이 형성되는 동안 상기 작용 구역이 상기 표면을 지나가도록 상기 침착 장치와 상기 표면간의 상대 이동이 행해지는 것을 특징으로 하는 방법.78. The method of claim 77, wherein relative movement between the deposition apparatus and the surface is performed such that the zone of action passes through the surface while the masking pattern is formed. 제 77항에 있어서, 상기 작용구역의 국부 환경은 상기 표면에서의 액체방울의 합체를 제어하거나, 상기 표면에서의 액체방울의 확산을 제어하거나, 상기 표면에서의 액체방울의 합체 및 확산을 제어하기 위하여 제어되는 것을 특징으로 하는 방법.78. The method of claim 77, wherein the local environment of the zone of action controls the coalescence of droplets on the surface, controlling the diffusion of droplets on the surface, or controlling coalescence and diffusion of droplets on the surface. Characterized in that it is controlled. 제 77항에 있어서, 상기 표면상의 액체방울의 응고율을 제어하기 위하여 상기 작용 구역의 국부 온도가 제어되는 것을 특징으로 하는 방법.78. The method of claim 77, wherein the local temperature of the zone of action is controlled to control the rate of solidification of the droplets on the surface. 제 77항에 있어서, 상기 작용 구역의 국부 분위기가 제어되는 것을 특징으로 하는 방법.78. The method of claim 77, wherein the local atmosphere of the action zone is controlled. 제 83항에 있어서, 상기 액체방울이 상기 침착 장치에서 상기 표면으로 이동하는 동안 상기 액체방울의 오염을 피하기 위하여, 적어도 부분적인 진공이 상기 작용 구역에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.84. The method of claim 83, wherein at least a partial vacuum is performed in the zone of action to avoid contamination of the droplets while the droplets migrate from the deposition apparatus to the surface. 제 83항에 있어서, 불활성 또는 반응성 가스가 액체방울 침착동안 상기 작용구역에 유입되는 것을 특징으로 하는 방법.84. The method of claim 83, wherein an inert or reactive gas enters the working zone during droplet deposition. 제 77항에 있어서, 전자기 복사에 대한 상기 작용구역의 국부 노출 지속시간이 상기 표면상의 액체방울의 확산을 조절하도록 제어됨으로써, 상기 마스킹 패턴의 형태를 제어하는 것을 특징으로 하는 방법.78. The method of claim 77, wherein the local exposure duration of the action zone to electromagnetic radiation is controlled to regulate the diffusion of droplets on the surface, thereby controlling the shape of the masking pattern. 제 77항에 있어서, 상기 전자기 복사의 강도가 상기 표면상의 상기 액체방울의 확산을 제어하도록 제어됨으로써, 상기 마스킹 패턴의 형태를 제어하는 것을 특징으로 하는 방법.78. The method of claim 77, wherein the intensity of the electromagnetic radiation is controlled to control the diffusion of the droplets on the surface, thereby controlling the shape of the masking pattern. 제 77항에 있어서, 상기 작용 구역은 상기 표면까지 연장되고, 전자기 복사에 대한 상기 작용구역의 국부 노출은 상기 작용구역을 통한 상기 액체방울의 침착에 이어 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.78. The method of claim 77, wherein the zone of action extends to the surface, and local exposure of the zone of action to electromagnetic radiation is followed by deposition of the droplet through the zone of action. 제 88항에 있어서, 상기 표면상의 상기 액체방울의 확산을 제어하기 위하여 상기 표면상의 액체방울의 침착과 상기 국부 노출사이의 상기 시간이 제어되는 것을 특징으로 하는 방법.89. The method of claim 88, wherein the time between deposition of the droplet on the surface and the local exposure is controlled to control the diffusion of the droplet on the surface. 제 89항에 있어서, 상기 시간은 1 내지 2000 ms인 것을 특징으로 하는 방법.90. The method of claim 89, wherein said time is between 1 and 2000 ms. 제 77항에 있어서, 상기 전자기 복사는 자외선, 가시 광선, 적외선, 마이크로파 및 알파 입자중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.78. The method of claim 77, wherein said electromagnetic radiation comprises at least one of ultraviolet, visible, infrared, microwave, and alpha particles. 제 77항에 있어서, 전자기 복사에 대한 상기 작용구역의 국부 노출에 이어, 상기 침착된 액체방울이 경화되도록 상기 침착된 마스킹 패턴이 전자기 복사에 전체적으로 노출되는 것을 특징으로 하는 방법.78. The method of claim 77, wherein following the local exposure of the zone of action to electromagnetic radiation, the deposited masking pattern is entirely exposed to electromagnetic radiation such that the deposited droplets are cured. 제 77항에 있어서, 액체방울이 상기 침착 장치에서 상기 표면으로 진행하는데 소요되는 시간을 제어하기 위하여 상기 침착 장치와 상기 표면 사이의 거리가 액체방울 침착 동안 제어되는 것을 특징으로 하는 방법.78. The method of claim 77, wherein the distance between the deposition apparatus and the surface is controlled during droplet deposition to control the time it takes for the droplet to progress from the deposition apparatus to the surface. 제 93항에 있어서, 상기 거리는 0.5 내지 2 mm인 것을 특징으로 하는 방법.94. The method of claim 93, wherein the distance is 0.5 to 2 mm. 제 77항에 있어서, 액체방울 침착 이전에 상기 표면의 표면 에너지를 제어하는 단계, 및/또는 상기 표면의 액체방울 침착 이전에 연마, 광내기, 오존 처리, 플라즈마 노출 및 표면 코팅중 적어도 하나가 행해지는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.78. The method of claim 77, wherein controlling surface energy of the surface prior to droplet deposition, and / or at least one of polishing, polishing, ozone treatment, plasma exposure, and surface coating is performed prior to droplet deposition of the surface. The method comprising the step. 제 77항에 있어서, 상기 마스킹 패턴은 3차원 마스킹 패턴이며, 상기 마스킹 패턴은 다수의 침착 물질층을 포함하고, 상기 다수의 침착 물질층은 상기 표면상에 순차적으로 침착되는 것을 특징으로 하는 방법.78. The method of claim 77, wherein the masking pattern is a three-dimensional masking pattern, the masking pattern comprising a plurality of deposition material layers, wherein the plurality of deposition material layers are sequentially deposited on the surface. 제 96항에 있어서, 상기 마스킹 패턴은 상기 표면의 다수의 침착 위치에 침착된 다수의 액체방울에 의해 형성되고, 상기 액체방울은 차례로 상기 위치 각각에 침착되는 것을 특징으로 하는 방법.97. The method of claim 96, wherein the masking pattern is formed by a plurality of droplets deposited at a plurality of deposition locations on the surface, the droplets being deposited in each of the locations in turn. 스페이서 패턴을 형성하기 위하여 액체방울 침착 장치로부터 침착 물질의 다수의 액체방울을 표면상으로 침착하는 드롭-온-디멘드 프린팅 기술을 사용하여 표면에 스페이서 패턴을 형성하는 방법으로서, 상기 방법은:A method of forming a spacer pattern on a surface using a drop-on-demand printing technique that deposits a plurality of droplets of deposition material onto a surface from a droplet deposition apparatus to form a spacer pattern, the method comprising: 상기 스페이서 패턴을 형성하기 위하여 상기 침착 장치와 상기 표면 사이에 위치한 작용 구역을 통하여 다수의 액체 방울을 침착하도록 상기 침착 장치를 작용시키는 단계;Operating the deposition apparatus to deposit a plurality of liquid droplets through a working region located between the deposition apparatus and the surface to form the spacer pattern; 상기 표면상에 침착된 적어도 하나의 상기 액체 방울이 확산하여 상기 표면상에 침착된 적어도 하나의 다른 액체 방울과 합체하게 하는 단계;및At least one droplet of liquid deposited on the surface diffuses to coalesce with at least one other droplet of liquid deposited on the surface; and 상기 액체 방울이 침착된 후 예정된 시간 동안 상기 침착된 액체 방울을 전자기 복사에 국부적으로 노출시키는 단계를 포함하며, 상기 액체 방울의 노출은 상기 침착 물질의 적어도 하나의 액체 속성을 변화시켜 상기 합체를 정지시킴으로써 상기 스페이서 패턴의 응고율을 제어하는 단계를 포함하는 방법.Locally exposing the deposited liquid droplets to electromagnetic radiation for a predetermined time after the liquid droplets are deposited, wherein the exposure of the liquid droplets changes the at least one liquid property of the deposition material to stop the coalescence. Controlling the rate of solidification of the spacer pattern. 회로기판내에 형성된 관통구를 적어도 부분적으로 채우기 위하여 액체방울 침착 장치로부터 침착 물질의 다수의 액체방울을 회로기판상으로 침착하는 드롭-온-디멘드 프린팅 기술을 사용하여 회로기판에 회로 패턴을 형성하는 방법으로서, 상기 방법은:A method of forming a circuit pattern on a circuit board using a drop-on-demand printing technique that deposits a plurality of droplets of deposition material onto the circuit board from the droplet deposition apparatus to at least partially fill through holes formed in the circuit board. As the method, 상기 관통구를 적어도 부분적으로 채우기 위하여 상기 액체방울 침착 장치와 상기 표면 사이에 위치한 작용 구역을 통하여 다수의 액체방울을 침착시키도록 상기 침착 장치를 작용하는 단계;Operating the deposition apparatus to deposit a plurality of droplets through an action zone located between the droplet deposition apparatus and the surface to at least partially fill the through hole; 상기 표면상에 침착된 적어도 하나의 상기 액체방울이 확산하여 상기 표면상에 침착된 적어도 하나의 다른 액체방울과 합체하게 하는 단계;및Diffusing at least one of the droplets deposited on the surface to coalesce with at least one other droplet deposited on the surface; and 상기 액체방울이 침착된 후 예정된 시간 동안 상기 침착된 액체방울을 전자기 복사에 국부적으로 노출시키는 단계를 포함하며, 상기 액체방울의 노출은 상기 침착 물질의 적어도 하나의 액체 속성을 변화시켜 상기 회로기판상의 액체방울의 합체를 정지시킴으로써 상기 관통구의 채움을 제어하는 단계를 포함하는 방법.Locally exposing the deposited droplets to electromagnetic radiation for a predetermined time after the droplets are deposited, the exposure of the droplets altering at least one liquid property of the deposited material to cause liquid on the circuit board to Controlling the filling of the through hole by stopping coalescence of the droplets. 표면에 양각 패턴을 형성하는 방법으로서, 상기 방법은:A method of forming an embossed pattern on a surface, the method comprising: 롤러 부분의 전하를 선택적으로 제거하기 위하여 대전된 롤러를 선택적으로 조사하는 단계;Selectively irradiating a charged roller to selectively remove the charge of the roller portion; 액체방울 침착 장치에서 상기 롤러의 대전된 부분으로, 상기 침착 장치와 상기 롤러 사이에 위치한 작용 구역을 통과하는 다수의 액체방울을 침착하기 위하여 드롭 온 디멘드 프린팅 기술을 사용하는 단계;Using a drop on demand printing technique to deposit a plurality of droplets through the action zone located between the deposition apparatus and the roller to the charged portion of the roller in the droplet deposition apparatus; 상기 롤러상에 침착된 적어도 하나의 상기 액체방울이 확산하여 상기 롤러상에 침착된 적어도 하나의 다른 액체방울과 합체하게 하는 단계;Diffusing at least one droplet deposited on the roller to coalesce with at least one other droplet deposited on the roller; 상기 롤러의 대전된 부분에 액체방울의 상기 유착을 포획하기 위하여 상기 침착된 액체 방울을 전자기 복사에 국부적으로 노출시킴으로써, 상기 롤러에 형성된 상기 패턴의 응고율을 제어하는 단계; 및Controlling the solidification rate of the pattern formed on the roller by locally exposing the deposited droplet of liquid to electromagnetic radiation to capture the coalescence of droplets on the charged portion of the roller; And 상기 표면에 양각 패턴을 형성하기 위하여 상기 롤러에서 표면으로 상기 침착된 물질을 전사하는 단계를 포함하는 방법.Transferring the deposited material from the roller to the surface to form an embossed pattern on the surface. 제 100항에 있어서, 상기 표면에 형성된 상기 양각 패턴은 물질 유착이 되도록 가열되는 것을 특징으로 하는 방법.101. The method of claim 100, wherein the embossed pattern formed on the surface is heated to become material coalescing. 제 100항에 있어서, 상기 표면에 형성된 양각 패턴은 물질의 합체에 영향을 주기 위하여 복사 경화 처리되는 것을 특징으로 하는 방법.101. The method of claim 100, wherein the relief pattern formed on the surface is radiation cured to affect the coalescence of the material. 침착 물질을 수용하는 침착 챔버와, 상기 침착 챔버와 유체적으로 연결된 배출 노즐과, 마스킹 패턴을 형성하기 위하여 상기 배출 노즐을 통하여 상기 침착 챔버에서 상기 표면으로 요구시에 침착 물질의 액체방울을 배출하는 수단과, 상기 배출 노즐과 상기 표면 사이에서 액체방울이 통과되는 작용 구역을 한정하는 수단을 포함하는 액체방울 침착 장치로서, 여기서 상기 장치는 상기 표면상에 침착된 적어도 하나의 상기 액체방울이 확산하여 상기 표면상에 침착된 적어도 하나의 다른 액체방울과 합체 하도록 제어하는 제어수단을 포함하고, 또한 상기 제어수단의 제어하에, 상기 액체방울이 침착된 후 예정된 시간 동안 상기 작용 구역내에서 상기 침착된 액체방울을 전자기 복사에 국부적으로 노출시키며, 상기 침착된 액체방울 상기 합체를 정지하기 위하여 상기 노출은 상기 침착 물질의 적어도 하나의 액체 속성을 변화시킴으로써 상기 마스킹 패턴의 응고율을 제어하는 수단을 더 포함하는 장치.A deposition chamber containing the deposition material, a discharge nozzle fluidly connected to the deposition chamber, and a droplet of deposition material on demand from the deposition chamber to the surface through the discharge nozzle to form a masking pattern Means for defining a working zone through which droplets pass between the discharge nozzle and the surface, wherein the apparatus comprises at least one droplet deposited on the surface to diffuse the surface; Control means for controlling incorporation with at least one other droplet deposited on the substrate, and under the control of the control means, the droplet is deposited within the working zone for a predetermined time after the droplet is deposited. Locally exposed to radiation and stop the coalescence of the deposited droplets Wherein said exposure further comprises means for controlling the rate of solidification of said masking pattern by changing at least one liquid property of said deposition material. 제 90항에 있어서, 상기 시간은 50 내지 300ms인 방법.93. The method of claim 90, wherein the time is 50 to 300 ms. 제 93항에 있어서, 상기 거리는 0.75 내지 1.25mm인 방법.94. The method of claim 93, wherein the distance is 0.75 to 1.25 mm.
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