KR100756792B1 - Ｅｌ조광식 스위치 - Google Patents

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KR100756792B1
KR100756792B1 KR1020060029381A KR20060029381A KR100756792B1 KR 100756792 B1 KR100756792 B1 KR 100756792B1 KR 1020060029381 A KR1020060029381 A KR 1020060029381A KR 20060029381 A KR20060029381 A KR 20060029381A KR 100756792 B1 KR100756792 B1 KR 100756792B1
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나오야 다케하라
케이지 미네
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호시덴 가부시기가이샤
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Abstract

본 발명은, 조광의 불균일을 야기하는 일없이 EL소자의 외압에 의한 열악화를 억제하는 것을 가능하게 하는 것을 과제로 한 것이며, 그 구성에 있어서, EL시트(10), 고무시트(20), 돔 스위치(40) 및 기판(30)을 가지고 있다. EL시트(10)에는, 키탑(50)의 바로 아래 위치에 발광부(15)가 형성되어 있다. 발광부(15)의 크기가 키탑(50)에 비해서 작게 설정되어 있다. 발광부(15)의 표면쪽에 투명전극(15)이, 이면쪽에 배면전극(16)이 형성되어 있다. 투명전극(15)의 크기는 발광부(15)보다 크게 설정되어 있다. 배면전극(16) 중 발광부(15)에 이면에 접촉하는 전극주요부(161)가 아래쪽 시트로부터 들떠 있는 것을 특징으로 한 것이다.

Description

ＥＬ조광식 스위치{EL LIGHT EMITTING SWITCH}
도 1은 본 발명의 실시의 형태를 설명하기 위한 도면으로서, EL조광식 스위치의 개략적 단면도;
도 2는 동일 EL조광식 스위치를 구성하는 EL시트의 단면도;
도 3은 동일 EL조광식 스위치의 변형예를 설명하기 위한 도면으로서, EL시트의 개략적 단면도;
도 4는 동일 EL시트의 뱅크레지스트층에 형성된 발광부의 위치관계를 나타내는 평면도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
1O: EL시트 11: 위쪽 시트층
12: 뱅크 레지스트층 13: 아래쪽 시트층
14: 투명전극 15, 15': 발광부
16, 16': 배면전극 20: 고무시트
21: 보스 30: 기판
40: 돔 스위치 41: 아래쪽 고정전극
42: 위쪽 중공전극 50: 키탑
161: 전극주요부 162: 전극프레임부
본 발명은 이동국 무선통신장치, PDA(Personal Digital Assistants) 그 외의 휴대정보단말장치 등의 입력조작부분에 이용되는 EL조광식 스위치에 관한 것이다.
종래의 EL조광식 스위치의 대표예로서, 키탑의 바로 아래 위치에 투명한 합성수지시트를 돔형상으로 한 클릭부가 형성되고, 해당 합성수지시트의 하부면에 EL(Electro Luminescence)시트가 형성된 구조의 것이 있다(예를 들면, 특허문헌 1 등).
[특허문헌 1]
일본국 특개평11-39983호 공보
그러나, 상기 종래예에 의한 경우, 키탑의 압압력이 합성수지시트를 통해서 EL시트에 직접으로 작용하는 구성으로 되어 있으므로, EL시트에 포함되는 EL소자가 외압에 의해 열악화하기 쉽다고 하는 문제가 있다. 그렇다고 해서, 키탑의 압압력이 EL시트에 직접으로 작용하지 않도록 EL시트의 배치를 설계 변경하면, EL소자의 열악화의 문제에 대해서는 해소되지만, 키탑 전체면을 균일하게 조광하는 것이 곤란하게 되며, EL소자를 이용해서 키탑을 조광하는 의의가 손상되는 결과로 된다.
본 발명은 상기 사정에 감안해서 창안된 것이며, 그 목적은, 조광의 불균일을 야기하는 일없이 EL소자의 외압에 의한 열악화를 억제하는 것이 가능한 EL조광 식 스위치를 제공하는 데에 있다.
본 발명의 EL조광식 스위치는, 기판과, 기판 위에 배설되고 또한 레지스트층을 포함한 가요성을 지니는 박막으로서 레지스트층에는 키탑의 바로 아래 위치에 하나 또는 복수의 구멍이 형성되어 있으며 해당 구멍에 발광부가 형성된 EL시트와, 기판 위에 배설되고 또한 해당 키탑의 압압에 의해 접점이 절환되는 스위치 접점부를 구비하고, 발광부의 크기가 키탑에 비해서 작게 설정되어 있다.
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스위치 접점부에 대해서는, 예로서 돔 스위치가 있으며, 기판 위에 형성된 아래쪽 고정전극과, 상기 기판의 면 위에 아래쪽 고정전극의 위를 덮도록 형성된 돔형상의 위쪽 중공전극을 가진 구조의 돔 스위치를 이용하면 된다.
EL시트에 대해서는, 키탑에 대응해서 1개의 발광부가 형성되어 있는 경우, 발광부의 상부면에 투명한 투명전극을 형성하고, 투명전극의 크기를 발광부에 비해 서 크게 설정하도록 하는 것이 바람직하다. 키탑에 대응해서 복수의 발광부가 형성되어 있는 경우, 상기 복수의 발광부의 상부면에 투명전극을 그 전체를 덮도록 형성하는 것이 바람직하다. 투명전극은, 레지스트층 위에 형성된 위쪽 시트층의 하부면에 형성하면 된다. 또, EL시트에 대해서, 레지스트층 아래에 아래쪽 시트층이 형성되고, 레지스트층의 이면 위에 배면전극이 형성되어 있는 경우, 배면전극은, 발광부의 이면에 접촉하는 부분이며 또한 아래쪽 시트층의 상부면으로부터 들떠서 접촉하고 있지 않은 전극주요부와, 상기 레지스트층 중 적어도 발광부의 둘레가장자리부분에 접촉하는 부분이며 또한 아래쪽 시트층의 상부면에 접촉하고 있는 전극프레임부를 가진 구성의 것을 이용하는 것이 바람직하다.
<발명의 실시의 형태>
이하, 본 발명의 제 1의 실시의 형태를 도 1 및 도 2를 참조하면서 설명한다. 도 1은 동일 EL조광식 스위치의 개략적 단면도, 도 2는 동일 EL조광식 스위치를 구성하는 EL시트의 단면도이다.
여기에 게시하는 EL조광식 스위치는, 이동국 무선통신장치, PDA(Personal Digital Assistants) 그 외의 휴대정보단말장치에 구비되어 있는 것이며, 도 1에 표시하는 바와 같이 EL시트(10), 고무시트(20), 돔 스위치(40) 및 기판(30)을 가지고 있다. 동일 장치의 케이스(60)의 면 위에 격자형상으로 복수 배열된 키탑(50)의 이면쪽에 장착되고, 키탑(50)을 통한 조작 입력을 접점신호로 변환하는 스위치 기능과 키탑(50)에 광을 조사하는 조명기능을 발휘하게 되어 있다. 이하, 각 부를 상세히 설명한다.
또한, 키탑(50)에 대해서는, 여기에서는 바닥면 평탄한 사각형의 수지성형품의 것을 이용하고 있다. 즉, 정면에서 바라보았을 때 정사각형의 본체부(51)와 이면에서 바라보았을 때 정사각형의 플랜지부(52)를 가지며, 케이스(60)의 면 위에 형성된 구멍(61)에 뒤쪽으로부터 끼워 넣어지고, 플랜지부(52)의 하부면이 EL조광식 스위치의 EL시트(10)에 접촉해서 상하이동 자재로 지지되어 있다.
EL시트(10)에 대해서는, 도 2에 표시하는 바와 같이 위쪽 시트층(11), 뱅크 레지스트층(12) 및 아래쪽 시트층(13)을 포함한 가요성을 지니는 박막이며, 뱅크 레지스트층(12)의 키탑(50)의 바로 아래 위치에는 발광부(15)가 형성되어 있다. 발광부(15)는 유기재료층으로 구성된 EL소자로서, 그 상부면에는 투명전극(14)이 발광부(15)를 통전시키기 위해서 필요한 양극으로서 형성되어 있는 한편, 그 하부면에는 배면전극(16)이 발광부(15)를 통전시키기 위해서 필요한 음극으로서 형성되어 있다.
위쪽 시트층(11)은, 표면안정화막보호용 레지스트층(111), 표면안정화막(112) 및 투명필름기판(113)을 가진 구성이며, 발광부(14)의 광을 투과시키기 위해서 투명하게 되어 있다. 한편, 아래쪽 시트층(13)은, 투명필름기판(131), 표면안정화막(132) 및 표면안정화막보호용 레지스트층(133)을 가진 구성으로 되어 있다.
투명필름기판(113)에는 양극용 전원라인(도시하지 않음)이 형성되어 있으며, EL시트(10)의 상부면에 형성된 투명전극(14)이 양극용 전원라인에 접촉하고 있다. 한편, 투명필름기판(131)에는 음극용 전원라인(도시하지 않음)이 형성되어 있으며, EL시트(10)의 하부면에 형성된 배면전극(16)이 음극용 전원라인에 접촉하고 있다.
즉, 상기 전원라인에 전원전압이 입력되면, 투명전극(14) 및 배면전극(16)을 통해서 발광부(15)가 통전된다. 이것에 수반해서 발광부(15)가 동작해서 발광하고, 그 출력광이 투명전극(14) 및 위쪽 시트층(11)을 통해서 키탑(50)으로 유도되고, 키탑(50)에 광이 조사되게 되어 있다.
여기서 투명전극(14), 발광부(15) 및 배면전극(16)을 상세히 설명한다.
뱅크 레지스트층(12) 위의 키탑(50)의 바로 아래 위치에는 구멍(121)이 포토리소그래피에 의해 각각 형성되어 있다. 구멍(121)은, 사각형의 구멍(1211)과, 사각형 형상의 구멍(1212)과, 아래를 향해 펼쳐지는 방향으로 만곡한 경사면이 붙여진 사각형 형상의 구멍(1213)을 가진 연통구멍으로 되어 있다.
구멍(1212) 내에는 발광부(15)가 작성되어 있다. 구멍(1211) 내에는 투명전극(14)이 작성되어 있는 한편, 구멍(1213) 내에는 배면전극(16)이 작성되어 있다. 투명전극(14)은 위쪽 시트(11)의 이면에 형성되어 있으며, 배면전극(16)은 뱅크 레지스트층(12)의 이면에 형성되어 있다.
투명전극(14)의 하부면은 발광부(15)의 상부면에 면접촉하고 있는 한편, 투명전극(14)의 상부면은 뱅크 레지스트층(12)과 평평하게 되어 있다. 투명전극(14)의 형상에 대해서는 키탑(50)과 동일하며, 여기에서는 정사각형으로 되어 있다. 투명전극(14)의 한 변의 길이(이것을 도 2 중 B로 해서 나타내고 있음.)에 대해서는 키탑(50)의 플랜지부(52)의 한 변의 길이(이것을 도 2 중 D로 해서 나타내고 있음.)와 동일 또는 그것에 비교해서 크게 설정되어 있다.
발광부(15)의 형상에 대해서는 키탑(50)과 동일하며, 여기에서는 정사각형으 로 되어 있다(도 4 참조). 발광부(15)의 한 변의 길이(이것을 도 2 중 C로 해서 나타내고 있음.)에 대해서는, 키탑(50)의 본체부(51)의 한 변의 길이(이것을 도 2 중 A로 해서 나타내고 있음.)와 동일 또는 그것에 비교해서 크며 또한 키탑(50)의 플랜지부(52)의 한 변의 길이(D)에 비해서 작게 설정되어 있다.
배면전극(16)에 대해서는, 발광부(15)의 이면에 접촉하는 부분이며 또한 아래쪽 시트층(13)의 상부면으로부터 들떠서 접촉하고 있지 않은 전극주요부(161)와, 뱅크 레지스트층(12) 중 발광부(15)의 둘레가장자리부분(122)에 접촉하는 부분이며 또한 아래쪽 시트층(13)의 상부면에 접촉하고 있는 전극프레임부(162)를 가진 구성으로 되어 있다.
배면전극(16)의 형상에 대해서는 키탑(50)과 동일하며, 여기에서는 정사각형으로 되어 있다. 배면전극(16)의 한 변의 길이에 대해서는 투명전극(14)과 동일하게 설정되어 있다.
요컨대, 투명전극(14), 발광부(15) 및 배면전극(16)은 뱅크 레지스트층(12) 위의 키탑(50)의 바로 아래에 오는 위치에 형성되고, 이들 형상에 대해서는 키탑(50)과 동일하게 되며, 이들 한 변의 길이에 대해서는 키탑(50)과의 사이에서 B≥D>C≥A의 관계가 만족하도록 각각 설정되어 있다.
상기한 EL시트(10) 아래에는 도 1에 표시하는 바와 같이 고무시트(20)가 붙여져 있다. 고무시트(20)의 하부면에는, 투명전극(14), 발광부(15) 및 배면전극(16)의 바로 아래 위치에 보스(21)가 형성되어 있다. 즉, 보스(21)는 돔 스위치(40)에 접촉 가능한 위치에 배설되어 있다.
기판(30)에 대해서는, 그 면 위에는 투명전극(14), 발광부(15), 배면전극(16) 및 보스(21)의 바로 아래 위치에 키탑(50)의 압압에 의해 접점이 절환되는 돔 스위치(40)가 배설되어 있다. 기판(30)의 면 위에는 EL시트(10) 및 고무시트(20)가 돔 스위치(40)를 덮는 형태로 붙여져 있다.
돔 스위치(40)는, 기판(30) 위에 형성된 판형상의 아래쪽 고정전극(41)과, 기판(30)의 면 위에 아래쪽 고정전극(41) 위를 덮도록 형성된 돔형상의 위쪽 중공전극(42)을 가진 구조로 되어 있다. 기판(30)의 면 위에는, 아래쪽 고정전극(41), 위쪽 중공전극(42)에 각각 전기 접속된 배선패턴(도시하지 않음)이 형성되어 있다.
키탑(50)에 압압력이 작용하면, 그 플랜지부(52)의 접촉에 의해 EL시트(10) 및 고무시트(20)가 변형해서 아래로 움푹 패이고, 이것에 수반해서 보스(21)가 위쪽 중공전극(42)의 정점부분에 접촉한다. 이것에 의해 위쪽 중공전극(42)이 변형해서 그 중앙부분이 아래로 움푹 패이고, 아래쪽 고정전극(41)에 접촉한다. 그 후, 키탑(50)에 압압력의 작용이 없어지면, EL시트(10) 및 고무시트(20)의 변형이 본래의 상태로 되돌아간다. 이것에 수반해서 위쪽 중공전극(42)의 변형도 본래의 상태로 되돌아가, 위쪽 중공전극(42)이 아래쪽 고정전극(41)으로부터 떨어진다. 즉, 키탑(50)의 조작입력에 따른 접점신호가 상기 배선패턴을 통해서 출력되게 되어 있다.
상기와 같이 구성된 EL조광식 스위치에 의한 경우, EL시트(10) 위에 형성된 발광부(15)가 키탑(50)의 바로 아래에 위치하고 있음에도 불구하고, 발광부(15)에 작용하는 압압력이 종래에 비해서 매우 작다. 그 이유는 이하와 같다.
우선 첫 번째로는, EL시트(10)의 바로 아래에 고무시트(20)가 형성되어 있기 때문에, 키탑(50)의 압압력이 고무시트(20)에서 흡수된다. 두 번째로는, 발광부(15)의 크기가 키탑(50)에 비해서 작게 설정되어 있기 때문에, 키탑(50)의 압압력이 발광부(15)와 뱅크 레지스트층(12)의 발광부(15)의 둘레가장자리부분(122)으로 분산된다. 세 번째로는, 투명전극(14)의 크기가 발광부(15)보다 크게 설정되어 있기 때문에, 키탑(50)의 압압력이 투명전극(14)을 개재해서 발광부(15)와 뱅크 레지스트층(12)의 둘레가장자리부분(122)으로 분산된다. 네 번째로는, 배면전극(16) 중 전극주요부(161)가 아래쪽 시트층(13)으로부터 들떠 있기 때문에, 발광부(15)에 그 이면쪽으로부터 작용하는 힘이 매우 작아진다.
즉, 키탑(50)의 압압력이 EL시트(10)에 작용하고, 이것에 의해 EL시트(10)의 해당 키탑(50)의 바로 아랫부분이 변형되지만, 상기한 결과, 발광부(15)에 작용하는 압압력이 경감되어 매우 작아지며, 발광부(15)의 외압에 의한 열악화를 확실히 억제하는 것이 가능하게 된다. 또, 키탑(50)의 본체부(51)와 발광부(15)와는 위치관계, 형상 및 크기가 동일하기 때문에, 키탑(50)의 전체면이 발광부(15)에 의해 균일하게 조사되는 것은 당연하다. 요컨대, 조광의 불균일을 야기하는 일없이 발광부(15)의 외압에 의한 열악화를 억제하는 것이 가능하게 되며, 그러므로, EL조광식 스위치, 나아가서는 휴대정보단말장치의 고성능화 및 내구성의 향상을 도모하는 데에 있어서 큰 의의가 있다.
다음에, EL조광식 스위치의 변형예를 도 3 및 도 4를 참조해서 설명한다. 도 3은 동일 EL조광식 스위치를 구성하는 EL시트의 개략적 단면도, 도 4는 동일 EL시 트의 뱅크 레지스트층에 형성된 발광부의 위치관계를 표시하는 평면도이다. 또한, 상기한 EL조광식 스위치와 동일한 구성부분에 대해서는 동일한 부품번호를 붙이고 그 설명은 생략한다.
상기 EL조광식 스위치와 크게 다른 것은 발광부(15')가 키탑(50)에 대응해서 복수 형성되어 있는 점이다. 이것에 관계해서 배면전극(16')의 형상도 상기 EL조광식 스위치와 다르다. 여기에서는 발광부(15')에 대해서는 격자형상으로 배치되어 있으며, 투명전극(14)은 복수의 발광부(15')의 상부면을 모두 덮도록 형성되어 있다. 배면전극(16')에 대해서도 복수의 발광부(15')의 이면을 모두 덮도록 형성되어 있다.
이와 같은 변형예에 의한 경우이더라도, 키탑(50)의 바로 아래 위치에 복수의 발광부(50)가 격자형상으로 형성되고, 복수의 발광부(50)의 상부면에 투명전극(14)이 그 전체를 덮도록 형성된 구성으로 되어 있으므로, 상기 EL조광식 스위치와 동일한 효과를 나타낸다. 특히 키탑(50)의 압압력의 대부분이 격자형상의 뱅크 레지스트층(12)에서 받아들여지고, 발광부(50)에 작용하는 압압력이 상기 EL조광식 스위치의 그것에 비교해서 작아 매우 효과적이다. 또, 뱅크 레지스트층(12)의 격자폭을 미세하게 하면, 상기 EL조광식 스위치와 완전히 동일하게 키탑(50)이 균일하게 조광되게 된다.
또한, 본 발명에 관련되는 EL조광식 스위치는 상기 실시형태에 한정되지 않고, 예를 들면, 키탑(50)에 대해서는, 복수 개의 키탑의 인접끼리가 플랜지부에서 서로 연결되어 있는 것이어도 적용 가능하다. 또, 키탑(50), 투명전극, 뱅크 레지 스트층(12)에 형성한 구멍(121), 투명전극(14) 및 배면전극(16) 등의 형상에 대해서는, 이들이 상기와 동일한 기능을 지니는 한, 정사각형 이외의 어떤 형상이어도 적응 가능하다. 고무시트(20)에 대해서는, EL시트(10)의 바로 아래에 배치되어 있는 한, 보스(21)의 유무도 포함해서, 그 고정방법 등이 거론될 것은 없다. 돔 스위치(40)에 대해서는, 기판(30) 위의 발광부(15)의 아래쪽 위치에 배설되고 또한 키탑(50)의 압압에 의해 접점이 절환되는 스위치 접점부인 한, 그 종류 및 고정방법 등이 거론될 것은 없다. 뱅크 레지스트층(12)에 대해서는, 키탑(50)의 바로 아래 위치에 발광부(15)가 형성되고, 발광부(15)가 통전 가능한 한, 투명전극(14) 및 배면전극(16)의 위치나 크기 등도 포함해서, 어떻게 설계 변경해도 상관없다.
이상, 본 발명의 청구항 1, 2, 4 또는 5에 관련되는 EL조광식 스위치에 의한 경우, EL시트에 발광부가 키탑의 바로 아래 위치에 배설되어 있음에도 불구하고, EL시트의 바로 아래에 고무시트가 형성된 구성으로 되어 있으므로, 키탑의 압압력이 고무시트에서 흡수되고, 발광부에 작용하는 압압력이 경감되며, 발광부의 외압에 의한 열악화를 확실히 억제하는 것이 가능하게 된다. 조광의 불균일을 야기하는 일없이 발광부의 외압에 의한 열악화를 억제하는 것이 가능하게 되며, 고성능화 및 내구성의 향상을 도모하는 데에 있어서 큰 의의가 있다.
본 발명에 관련되는 청구항 3, 4 또는 5에 관련되는 EL조광식 스위치에 의한 경우, EL시트에 포함되는 레지스트층에 형성된 발광부가 키탑의 바로 아래에 위치하고 있음에도 불구하고, 발광부의 크기가 키탑에 비해서 작게 설정된 구성으로 되 어 있으므로, 키탑의 압압력이 발광부와 레지스트층의 발광부의 둘레가장자리부분으로 분산되고, 발광부에 작용하는 압압력이 경감된다. 따라서, 조광의 불균일을 야기하는 일없이 발광부의 외압에 의한 열악화를 억제하는 것이 가능하게 되며, 고성능화 및 내구성의 향상을 도모하는 데에 있어서 큰 의의가 있다.
본 발명의 청구항 6 또는 7에 관련되는 EL조광식 스위치에 의한 경우, EL시트 아래에 고무시트가 형성된 구성으로 되어 있으므로, 키탑의 압압력이 고무시트에서 흡수되고, 발광부에 작용하는 압압력이 한층더 경감되며, 발광부의 외압에 의한 열악화를 확실히 억제하는 것이 가능하게 된다.
본 발명의 청구항 8 또는 10에 관련되는 EL조광식 스위치에 의한 경우, 키탑의 바로 아래에 위치하고 있으며 또한 발광부를 통전시키기 위한 투명전극의 크기가 발광부보다 크게 설정된 구성으로 되어 있으므로, 키탑의 압압력이 투명전극을 개재해서 발광부와 레지스트층의 발광부의 둘레가장자리부분으로 분산되고, 발광부에 그 표면쪽으로부터 작용하는 압압력이 투명전극에 의해 한층더 경감되기 때문에, 발광부의 외압에 의한 열악화를 확실히 억제하는 것이 가능하게 된다.
본 발명의 청구항 9 또는 10에 관련되는 EL조광식 스위치에 의한 경우, 키탑에 대응해서 복수의 발광부가 형성되고, 복수의 발광부의 상부면에 투명전극이 그 전체를 덮도록 형성된 구성으로 되어 있으므로, 키탑의 압압력이 투명전극을 개재해서 복수의 발광부와 레지스트층의 복수의 발광부의 둘레가장자리부분으로 분산되고, 발광부에 그 표면쪽으로부터 작용하는 압압력이 투명전극에 의해 한층더 경감되기 때문에, 발광부의 외압에 의한 열악화를 확실히 억제하는 것이 가능하게 된 다.
본 발명의 청구항 11에 관련되는 EL조광식 스위치에 의한 경우, 키탑의 바로 아래에 위치하고 있으며 또한 발광부를 통전시키기 위한 배면전극 중 발광부에 이면에 접촉하는 전극주요부가 아래쪽 시트로부터 들뜬 구성으로 되어 있으므로, 발광부에 그 이면쪽으로부터 작용하는 압압력이 매우 작아지며, 발광부의 외압에 의한 열악화를 확실히 억제하는 것이 가능하게 된다.

Claims (11)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 키탑의 이면쪽에 배설되며 또한 해당 키탑에 광을 조사하는 EL조광식 스위치에 있어서, 기판과, 기판 위에 배설되고 또한 레지스트층을 포함한 가요성(可撓性)을 지니는 박막으로서 레지스트층에는 키탑의 바로 아래 위치에 하나 또는 복수의 구멍이 형성되어 있으며 해당 구멍에 발광부가 형성된 EL시트와, 기판 위에 배설되고 또한 해당 키탑의 압압에 의해 접점이 절환되는 스위치 접점부를 구비하고, 발광부의 크기가 키탑에 비해서 작게 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 EL조광식 스위치.
  4. 제 3항에 있어서,
    스위치 접점부는 돔 스위치인 것을 특징으로 하는 EL조광식 스위치.
  5. 제 4항에 있어서,
    스위치 접점부는, 기판 위에 형성된 아래쪽 고정전극과, 기판의 면 위에 아래쪽 고정전극의 위를 덮도록 형성된 돔형상의 위쪽 중공(中空)전극을 가진 구조의 돔 스위치인 것을 특징으로 하는 EL조광식 스위치.
  6. 제 3항에 있어서,
    EL시트의 아래에 형성된 고무시트를 구비한 것을 특징으로 하는 EL조광식 스위치.
  7. 제 6항에 있어서,
    고무시트는, 스위치 접점부에 접촉 가능한 위치에 보스가 배설되어 있는 것을 특징으로 하는 EL조광식 스위치.
  8. 키탑에 대응해서 1개의 발광부가 형성되어 있는 경우의 제 3항에 기재된 EL조광식 스위치에 있어서, EL시트는, 발광부의 상부면에 투명전극이 형성되고, 투명전극의 크기가 발광부에 비해서 크게 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 EL조광식 스위치.
  9. 키탑에 대응해서 복수의 발광부가 형성되어 있는 경우의 제 3항에 기재된 EL조광식 스위치에 있어서, EL시트는, 상기 복수의 발광부의 상부면에 투명전극이 그 전체를 덮도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 EL조광식 스위치.
  10. EL시트가 레지스트층 위에 위쪽 시트층을 가진 구조인 경우의 제 8항 또는 제 9항에 기재된 EL조광식 스위치에 있어서, 투명전극이 위쪽 시트층의 하부면에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 EL조광식 스위치.
  11. EL시트가 레지스트층의 아래에 아래쪽 시트층을 가지며, 레지스트층의 이면 위에 발광부의 배면전극이 형성된 구조인 경우의 제 3항에 기재된 EL조광식 스위치에 있어서, 배면전극은, 발광부의 이면에 접촉하는 부분이며 또한 아래쪽 시트층의 상부면으로부터 들떠서 접촉하고 있지 않은 전극주요부와, 상기 레지스트층 중 적어도 발광부의 둘레가장자리부분에 접촉하는 부분이며 또한 아래쪽 시트층의 상부면에 접촉하고 있는 전극프레임부를 가진 구성으로 되어 있는 것을 특징으로 하는 EL조광식 스위치.
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