KR100754842B1 - Chiller apparatus for semiconductor equipment and method controlling the same - Google Patents

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KR100754842B1
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refrigerant
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김대열
한민진
황세연
지옥규
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(주)피티씨
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Abstract

A chiller apparatus for semiconductor process equipment and a controlling method thereof are provided to improve refrigeration ability and to minimize variation of a refrigerant amount by using refrigerant liquid supply control valve. A hot gas supply line includes a hot gas electronic valve(216) installed between an output of a compressor(210) and an input of an evaporator(250). The hot gas supply line connects the output of the compressor to the input of the evaporator to control a supply of a high temperature and high pressure refrigerant gas supplied from the compressor to the evaporator. A hot gas supply control line includes a hot gas supply control valve(215) installed between the output of the compressor and an input thereof. The hot gas supply control line connects the output of the compressor to the input thereof to control a supply of the refrigerant gas from the compressor to the input thereof. A high pressure refrigerant liquid supply control line includes a refrigerant supply control valve installed between an output of a liquid receiver and the input of the compressor. The high pressure refrigerant liquid supply control line connects the output to the input of the compressor to control a supply of a high pressure refrigerant liquid from the liquid receiver to the input of the compressor.

Description

반도체 공정설비를 위한 칠러 장치 및 그것의 제어방법{Chiller apparatus for semiconductor equipment and Method controlling the same}Chiller apparatus for semiconductor equipment and method controlling the same

도 1은 종래의 반도체 공정설비를 위한 칠러 장치의 한 예를 나타내는 계통도이다.1 is a system diagram showing an example of a chiller apparatus for a conventional semiconductor processing equipment.

도 2는 종래의 반도체 공정설비를 위한 칠러 장치의 다른 예를 나타내는 계통도이다.2 is a system diagram showing another example of a chiller device for a conventional semiconductor processing equipment.

도 3은 본 발명의 반도체 공정설비를 위한 칠러 장치의 바람직한 실시예예를 나타내는 계통도이다. Figure 3 is a schematic diagram showing a preferred embodiment of the chiller apparatus for a semiconductor processing equipment of the present invention.

본 발명은 반도체 공정설비를 위한 칠러 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a chiller apparatus for semiconductor processing equipment.

칠러는 반도체 소자의 제조공정에서 안정적인 공정제어를 위한 온도조절장치이다. 특히 칠러는 여러 공정 중 식각 및 노광 공정에서 주로 사용하는데 공정 중 과도한 열이 발생하는 전극판 및 챔버(chamber)의 온도를 일정하게 유지시켜 줌으로써 고온으로 인한 웨이퍼의 파손 및 생산성의 저하를 막아준다.The chiller is a temperature controller for stable process control in the manufacturing process of semiconductor devices. In particular, the chiller is mainly used in the etching and exposure processes of the various processes to keep the temperature of the electrode plate and the chamber (chamber) that generates excessive heat during the process to prevent the breakage of the wafer due to the high temperature and the decrease in productivity.

이러한 기능을 수행하는 칠러의 냉동사이클은 냉매 경로와 브라인 경로가 일부분에서 중첩되어 열 교환이 이루어진다. 여기서, 브라인(brine)은 낮은 동결점을 가진 용액 또는 액체로, 보통 에틸렌 글리콜 혼합물이 사용된다. In the chiller cycle of the chiller that performs this function, the refrigerant path and the brine path overlap each other to perform heat exchange. Here, brine is a solution or liquid with a low freezing point, usually an ethylene glycol mixture is used.

도 1은 종래의 반도체 공정설비를 위한 칠러 장치의 한 예를 나타내는 계통도이다. 이 예는 브라인 히터의 SSR 출력을 이용하여 브라인의 설정온도를 제어하는 방식으로, 브라인의 온도 상승을 위해 장시간 히터를 온 시켜 브라인을 가열한다.1 is a system diagram showing an example of a chiller apparatus for a conventional semiconductor processing equipment. This example is to control the set temperature of the brine by using the SSR output of the brine heater, to heat the brine by turning on the heater for a long time to increase the temperature of the brine.

먼저 냉동사이클로 형성되는 냉매(예를 들어, 프레온 가스)의 순환경로를 보면 다음과 같다.First, the circulation path of the refrigerant (for example, freon gas) formed by the refrigeration cycle is as follows.

(1) 압축기(10)에서 토출한 고온고압의 냉매는 응축기(20)에서 응축되어 고압의 냉매액으로 상변화한 후,(1) After the high temperature and high pressure refrigerant discharged from the compressor 10 is condensed in the condenser 20 and phase-changed into a high pressure refrigerant liquid,

(2) 응축된 냉매액은 고압 탱크인 수액기(30)에 저장되고,(2) the condensed refrigerant liquid is stored in the receiver 30 which is a high pressure tank,

(3) 수액기(30)를 나온 냉매액은 온도식 팽창밸브(40, TEV)에서 팽창하여 저온저압의 포화냉매 상태로 변하며,(3) The refrigerant liquid exiting the receiver 30 is expanded by a thermostatic expansion valve 40 (TEV) to change into a low temperature low pressure saturated refrigerant state,

(4) 저온저압의 포화냉매는 증발기(50)에서 브라인과 열 교환하여 증발하여 다시 압축기(10)로 유입되는 과정을 반복하게 된다.(4) The saturated refrigerant of low temperature and low pressure is evaporated by heat exchange with brine in the evaporator 50 to repeat the flow into the compressor 10 again.

또한, 브라인의 순환경로를 보면 다음과 같다.In addition, the brine circulation path is as follows.

(1) 반도체 공정용 설비(80)를 빠져나온 브라인은 증발기(50)에서 냉매와의 열교환을 수행한 후,(1) After brine exiting the semiconductor processing facility 80 performs heat exchange with the refrigerant in the evaporator 50,

(2) 브라인 펌프(60)를 통하여 브라인 히터(70)에서 가열되고,(2) heated in the brine heater 70 via the brine pump 60,

(3) 다시 반도체 공정용 설비(80)로 유입되는 경로를 형성한다.(3) A path flowing into the semiconductor processing facility 80 is again formed.

그러나, 이러한 구성에 의하면, 브라인의 설정온도는 브라인 히터(70)를 이용하여 제어하기 때문에, 전력소비가 크고, 브라인 히터의 사용으로 전기적 위험성을 내포하고 있다. 또한, 고전력 소비에 따른 관련시설의 설치에 따른 시설투자비, 운영비 등이 증가하여 효율대비로 경제적이지 못하다.However, according to this configuration, since the set temperature of the brine is controlled by using the brine heater 70, the power consumption is large, and the use of the brine heater poses an electrical risk. In addition, facility investment costs and operating costs increase due to the installation of related facilities due to high power consumption.

도 2는 종래의 반도체 공정설비를 위한 칠러 장치의 다른 예를 나타내는 계통도이다. 이 예는 전자식 팽창밸브를 제어하여 브라인의 온도를 제어하는 방식이다. 2 is a system diagram showing another example of a chiller device for a conventional semiconductor processing equipment. This example controls the temperature of the brine by controlling the electronic expansion valve.

먼저, 냉동사이클로 형성되는 냉매의 순환경로를 보면 다음과 같다.First, look at the circulation path of the refrigerant formed by the refrigeration cycle as follows.

(1) 압축기(110)에서 토출한 고온고압의 냉매는 응축기(120)에서 응축되어 고압의 냉매액으로 상변화한 후,(1) The high temperature and high pressure refrigerant discharged from the compressor 110 is condensed in the condenser 120 and phase-changed into a high pressure refrigerant liquid,

(2) 응축된 냉매액은 고압 탱크인 수액기(130)에 저장되고,(2) the condensed refrigerant liquid is stored in the receiver 130 which is a high pressure tank,

(3) 수액기(130)를 나온 냉매액은 온도 컨트롤러의 출력을 받은 전자식 팽창밸브(140)에 의해 제어되는데, 전자식 팽창밸브(140)는 브라인의 온도 제어를 위하여 증발기(150)로 유입되는 냉매의 양을 제어한다.(3) The refrigerant liquid exiting the receiver 130 is controlled by the electronic expansion valve 140 received from the temperature controller, the electronic expansion valve 140 is introduced into the evaporator 150 for temperature control of the brine. Control the amount of refrigerant.

(4) 저온저압의 포화냉매는 증발기(150)에서 브라인과 열 교환하여 증발하여 다시 압축기(110)로 유입되는 과정을 반복하게 된다.(4) The low temperature and low pressure saturated refrigerant is repeatedly evaporated by heat exchange with brine in the evaporator 150 and flowed back into the compressor 110.

또한, 브라인의 순환경로를 보면 다음과 같다.In addition, the brine circulation path is as follows.

(1) 반도체 공정용 설비(180)를 빠져나온 브라인은 증발기(150)에서 냉매와의 열교환을 수행한 후,(1) After brine exiting the semiconductor processing facility 180 performs heat exchange with the refrigerant in the evaporator 150,

(2) 브라인 펌프(160)를 통하여 브라인 히터(170)에서 가열되고,(2) heated in the brine heater 170 via the brine pump 160,

(3) 다시 반도체 공정용 설비(180)로 유입되는 경로를 형성한다.(3) A path flowing into the semiconductor processing facility 180 is formed again.

다시 말해, 도 2의 칠러 장치는 브라인 냉각부하의 정도에 따라 전자식 팽창밸브(140)의 개도가 변하여 흐르는 냉매량을 제어하는 방식이다. In other words, the chiller apparatus of FIG. 2 is a method of controlling the amount of refrigerant flowing by changing the opening degree of the electronic expansion valve 140 according to the degree of brine cooling load.

이 방식에 따르면, 냉동부하가 제로일 경우, 전자식 팽창밸브(140)의 개도가 닫히게 되면 냉동사이클의 저압부는 진공운전을 하게 된다. 이 경우 압축기(110) 내부의 오일이 토출단으로 넘어가서 오일부족으로 인해 압축기(110)의 파손이 우려된다. 또한, 진공운전시, 과도한 압축비로 인해 압축기(110)에 무리를 주게 된다. According to this method, when the refrigeration load is zero, when the opening degree of the electronic expansion valve 140 is closed, the low pressure portion of the refrigeration cycle is subjected to vacuum operation. In this case, the oil inside the compressor 110 may be transferred to the discharge end, and the compressor 110 may be damaged due to the oil shortage. In addition, during the vacuum operation, due to the excessive compression ratio to give a compression to the compressor (110).

따라서, 도 2의 종래 예에서는 이러한 단점을 보완하고자 진공운전이나 0.5kg/cm2 이하의 낮은 압력으로 운전시 핫가스 공급제어 밸브(215)를 통하여 핫 가스를 바이패스해서 냉동사이클의 저압을 보상해주는 방식을 사용하고 있다. 하지만, 이 경우 증발기(150) 입구측으로 유입되는 냉매의 공급조건(압력, 온도, 유량)이 과도하게 변경되어 브라인의 정밀온도제어(±0.1℃)는 기대하기 어렵다. 또한, 핫 가스의 바이패스로 인해 냉동능력이 저하되는 문제점을 야기시킨다.Therefore, in the conventional example of FIG. 2, to compensate for this disadvantage, the low pressure of the refrigeration cycle is compensated by bypassing the hot gas through the hot gas supply control valve 215 during the vacuum operation or the low pressure of 0.5 kg / cm 2 or less. I'm using the way. However, in this case, the supply conditions (pressure, temperature, flow rate) of the refrigerant flowing into the inlet of the evaporator 150 are excessively changed, so that precision temperature control of the brine (± 0.1 ° C.) is difficult to expect. In addition, the bypass of the hot gas causes a problem that the freezing capacity is lowered.

따라서, 본 발명은 이러한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 제안되는 것으로, 본 발명의 목적은 폭넓은 제어온도 영역에 대한 정밀 온도제어가 가능하고 냉동사이클의 안정성을 확보할 수 있는 칠러 장치를 제공하는 것이다.Therefore, the present invention is proposed to solve the problems of the prior art, an object of the present invention is to provide a chiller device capable of precise temperature control over a wide range of control temperature range and to ensure the stability of the refrigeration cycle will be.

본 발명의 다른 목적과 특징 및 이점은 이하에 기술되는 실시예를 통하여 명 확하게 이해될 것이다.Other objects, features and advantages of the present invention will be apparent from the examples described below.

상기한 목적은 압축기, 응축기, 수액기, 메인 전자식 팽창밸브, 증발기, 및 상기 압축기를 순환하는 냉매 경로를 포함하며, 상기 증발기에서 반도체 공정설비에 제공되는 브라인과 열 교환이 이루어지는 반도체 공정설비를 위한 칠러 장치에 의해 달성된다. 본 발명의 칠러 장치는, 상기 압축기 출력단과 상기 증발기의 입력단을 연결하고 그 사이에 핫가스 전자밸브를 설치하여 상기 압축기로부터 상기 증발기로 공급되는 고온 고압의 냉매가스의 공급을 제어하는 핫가스 공급라인; 상기 압축기 출력단과 상기 압축기의 입력단을 연결하고 그 사이에 핫가스 공급제어 밸브를 설치하여 상기 압축기로부터의 고온 고압의 냉매가스를 상기 압축기의 입력단으로 공급하는 것을 제어하는 핫가스 공급제어라인; 및 상기 수액기의 출력단과 상기 압축기 입력단을 연결하고 그 사이에 냉매액 공급제어 밸브를 설치하여 상기 수액기로부터 상기 압축기 입력단으로 고압 냉매액의 공급을 제어하는 고압 냉매액 공급제어라인을 포함한다.The above object includes a compressor, a condenser, a receiver, a main electronic expansion valve, an evaporator, and a refrigerant path for circulating the compressor, wherein the evaporator provides heat exchange with brine provided to the semiconductor processing equipment. Achieved by the chiller device. The chiller apparatus of the present invention connects the compressor output terminal and the input terminal of the evaporator, and installs a hot gas solenoid valve therebetween to control the supply of the high temperature and high pressure refrigerant gas supplied from the compressor to the evaporator. ; A hot gas supply control line connecting the compressor output terminal and the input terminal of the compressor and controlling a supply of a high temperature and high pressure refrigerant gas from the compressor to an input terminal of the compressor by installing a hot gas supply control valve therebetween; And a high pressure refrigerant liquid supply control line connecting the output terminal of the receiver and the compressor input terminal to install a refrigerant liquid supply control valve therebetween to control the supply of the high pressure refrigerant liquid from the receiver to the compressor input terminal.

상기한 구조에 의하면, 냉동능력이 향상됨과 동시에 냉매량의 변화를 최소화함으로써 브라인 온도를 정밀하게 제어할 수 있다. 또한, 브라인 히터를 적용하지 않음으로써, 종래 칠러에 비해 50%정도 소비전력이 절감되고, 이에 따른 전기적인 부대설비 비용이 절약된다.According to the above structure, the brine temperature can be precisely controlled by improving the refrigerating capacity and minimizing the change in the amount of refrigerant. In addition, by not applying the brine heater, the power consumption is reduced by about 50% compared to the conventional chiller, thereby reducing the electrical auxiliary equipment costs.

바람직하게, 상기 밸브수단은 보조 전자식 팽창밸브이고, 상기 보조 전자식 팽창밸브는 상기 압축기 입력단으로부터 검출된 온도에 기초하여 온도 컨트롤러에 의해 정밀 제어될 수 있다.Preferably, the valve means is an auxiliary electronic expansion valve, the auxiliary electronic expansion valve may be precisely controlled by a temperature controller based on the temperature detected from the compressor input.

바람직하게, 상기 보조 전자식 팽창밸브의 제어는 상기 메인 전자식 팽창밸 브로 흐르는 냉매량의 50%를 넘지 않는 범위에서 이루어지고 서서히 유량을 증가시켜 제어할 수 있다.Preferably, the control of the auxiliary electronic expansion valve is made in the range not more than 50% of the amount of the refrigerant flowing into the main electronic expansion valve can be controlled by gradually increasing the flow rate.

상기한 목적은, 압축기, 응축기, 수액기, 메인 전자식 팽창밸브, 증발기, 및 상기 압축기를 순환하는 냉매 경로를 포함하며, 상기 증발기에서 반도체 공정설비에 제공되는 브라인과 열 교환이 이루어지는 반도체 공정설비를 위한 칠러 장치에 적용되며, 상기 브라인의 온도 상승시 상기 압축기로부터의 고온 고압의 냉매가스를 상기 증발기에 공급하고, 상기 반도체 공정설비의 무부하 운전시 상기 메인 전자식 팽창밸브의 개도를 완전히 닫고, 상기 압축기로부터의 고온 고압의 냉매가스를 상기 압축기 입력단으로 바이패스 시키며, 상기 두 경우에 상기 압축기 입력단의 온도를 검출하고 상기 검출된 온도에 기초하여 상기 수액기로부터 바이패스 되는 냉매액의 양을 제어하여 상기 압축기의 입력단에 공급하는 반도체 공정설비를 위한 칠러 장치의 제어방법에 의해 달성된다.The above object includes a compressor, a condenser, a receiver, a main electronic expansion valve, an evaporator, and a refrigerant path for circulating the compressor, wherein the evaporator has a semiconductor process facility in which heat exchange is performed with brine provided to a semiconductor process facility. Applied to a chiller device for supplying, the high temperature and high pressure refrigerant gas from the compressor to the evaporator when the temperature of the brine rises, the opening degree of the main electronic expansion valve is completely closed during the no-load operation of the semiconductor processing equipment, Bypasses the high temperature and high pressure refrigerant gas from the compressor input stage, detects the temperature of the compressor input stage, and controls the amount of refrigerant liquid bypassed from the receiver based on the detected temperature. Of chiller apparatus for semiconductor processing equipment to be supplied to input of compressor It is achieved by the method.

바람직하게, 40℃ 이상의 고온으로 상기 브라인을 제어하는 경우에도, 상기 압축기 입력단의 온도를 검출하고 상기 검출된 온도에 기초하여 상기 수액기로부터의 냉매액의 양을 제어하여 상기 압축기의 입력단에 공급할 수 있다.Preferably, even when the brine is controlled at a high temperature of 40 ° C. or higher, the temperature of the compressor input stage may be detected and the amount of refrigerant liquid from the receiver may be controlled and supplied to the input stage of the compressor based on the detected temperature. have.

또한, 상기 브라인을 -30℃ 이하의 저온으로 제어하거나 냉동능력 제로(0)로 장시간 운전하는 경우, 상기 압축기로부터의 고온 고압의 냉매가스를 상기 증발기에 주기적으로 공급할 수 있다.In addition, when the brine is controlled at a low temperature of −30 ° C. or lower, or operated for a long time with zero freezing capacity, it is possible to periodically supply the high temperature and high pressure refrigerant gas from the compressor to the evaporator.

바람직하게, 상기 수액기로부터 바이패스 되는 냉매액의 양의 제어는 상기 메인 전자식 팽창밸브로 흐르는 냉매량의 50%를 넘지 않는 범위에서 이루어지고 서 서히 유량을 증가시켜 제어할 수 있다.Preferably, the control of the amount of the refrigerant liquid bypassed from the receiver is made in the range not more than 50% of the amount of the refrigerant flowing into the main electronic expansion valve can be controlled by increasing the flow rate.

이하, 본 발명의 칠러 장치를 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the chiller apparatus of this invention is demonstrated in detail with reference to drawings.

도 3은 본 발명의 반도체 공정설비를 위한 칠러 장치의 바람직한 실시예예를 나타내는 계통도이다. Figure 3 is a schematic diagram showing a preferred embodiment of the chiller apparatus for a semiconductor processing equipment of the present invention.

본 발명에 따르면, 냉매액과 냉매가스의 바이패스 제어를 통하여 브라인의 온도를 정밀하게 제어함과 동시에 냉매사이클의 안정성을 확보할 수 있다.According to the present invention, it is possible to precisely control the temperature of the brine through bypass control of the refrigerant liquid and the refrigerant gas and at the same time ensure the stability of the refrigerant cycle.

먼저, 냉동사이클로 형성되는 냉매의 순환경로를 보면 다음과 같다.First, look at the circulation path of the refrigerant formed by the refrigeration cycle as follows.

압축기(210)에서 토출한 고온고압의 냉매는 응축기(220)에서 응축되어 고압의 냉매액으로 상변화한 후, 응축된 냉매액은 고압 탱크인 수액기(230)에 저장되고, 수액기(230)를 나온 냉매액은 온도 컨트롤러의 출력을 받은 메인 전자식 팽창밸브(240)에 의해 제어되는데, 메인 전자식 팽창밸브(240)는 브라인의 온도 제어를 위하여 증발기(250)로 유입되는 냉매의 양을 제어한다. 저온저압의 포화냉매는 증발기(250)에서 브라인과 열 교환하여 증발하여 다시 압축기(210)로 유입되는 과정을 반복하게 된다.After the high temperature and high pressure refrigerant discharged from the compressor 210 is condensed in the condenser 220 and phase-changed into a high pressure refrigerant liquid, the condensed refrigerant liquid is stored in the receiver 230, which is a high pressure tank, and the receiver 230. Refrigerant liquid out of the) is controlled by the main electronic expansion valve 240 received the output of the temperature controller, the main electronic expansion valve 240 controls the amount of refrigerant flowing into the evaporator 250 for temperature control of the brine. do. The low temperature and low pressure saturated refrigerant is repeatedly evaporated by heat exchange with brine in the evaporator 250 and flowed back into the compressor 210.

또한, 브라인의 순환경로를 보면, 반도체 공정용 설비(280)를 빠져나온 브라인은 증발기(250)에서 냉매와의 열교환을 수행한 후, 브라인 펌프(260)를 통하여 다시 반도체 공정용 설비(280)로 유입된다.In addition, in the circulation path of the brine, the brine exiting the semiconductor processing equipment 280 after the heat exchange with the refrigerant in the evaporator 250, the semiconductor processing equipment 280 again through the brine pump 260 Flows into.

이러한 냉매사이클을 갖는 본 발명에 있어서, 냉매 바이패스 제어를 위하여, 압력설정 핫가스 공급제어 밸브(215)를 설치하는데 그 입력단이 압축기(210)의 출력단에 연결되고 출력단이 압축기(210)의 입력단에 연결되도록 설치한다. 또한, 수액기(230)의 입력단에 그 입력단이 연결되고 핫가스 공급제어 밸브(215)의 출력단에 그 출력단이 연결되는 보조 전자식 팽창밸브(217)를 설치하며, 보조 전자식 팽창밸브(217)는 압축기(210)의 입력단에 설치되는 온도센서(211)에 의해 검출되는 온도에 기초한 온도 컨트롤러(212)의 제어에 의해 동작한다.In the present invention having such a refrigerant cycle, for the refrigerant bypass control, a pressure setting hot gas supply control valve 215 is provided, the input of which is connected to the output of the compressor 210 and the output of which is an input of the compressor 210. Install to connect In addition, the input terminal of the receiver 230 is connected to the input and the output terminal of the hot gas supply control valve 215 is provided with an auxiliary electronic expansion valve 217, the auxiliary electronic expansion valve 217 is provided It operates by the control of the temperature controller 212 based on the temperature detected by the temperature sensor 211 provided at the input of the compressor 210.

이때, 보조 전자식 팽창밸브(217)는 온도 컨트롤러(212)의 제어에 의한 스텝 모터의 구동으로 동작하는데, 메인 전자식 팽창밸브(240)의 냉매량 변화를 최소화하도록 제어된다. 다시 말해, 보조 전자식 팽창밸브(217)의 개도를 제어하기 위한 온도 컨트롤러(212)의 제어는, 메인 전자식 팽창밸브(240)에서 출력되는 냉매량의 변화가 브라인 온도에 실질적으로 영향을 주지 않는 정도의 변화가 되도록 정밀하게 이루어져야 한다. At this time, the auxiliary electronic expansion valve 217 operates by driving the step motor under the control of the temperature controller 212, and is controlled to minimize the amount of refrigerant in the main electronic expansion valve 240. In other words, the control of the temperature controller 212 for controlling the opening degree of the auxiliary electronic expansion valve 217 is such that the change in the amount of refrigerant output from the main electronic expansion valve 240 does not substantially affect the brine temperature. It must be done precisely to make a change.

본 발명에 따른 냉매 바이패스 제어는 다음의 경우에 적용할 수 있으며, 이에 대해 구체적으로 설명한다.The refrigerant bypass control according to the present invention can be applied to the following cases, which will be described in detail.

온도 상승시When temperature rises

브라인의 온도를 상승시키는 상승모드에서는, 핫가스용 전자밸브(216)를 제어하여 압축기(210) 출력단의 고온 고압의 냉매가스를 증발기(250) 입력단으로 바이패스시켜 증발기(250) 내부에서 브라인과 열 교환이 이루어져 브라인의 온도를 상승시킨다.In the rising mode for raising the temperature of the brine, the hot gas solenoid valve 216 is controlled to bypass the high temperature and high pressure refrigerant gas at the output of the compressor 210 to the input of the evaporator 250 so as to bypass the brine in the evaporator 250. Heat exchange takes place to increase the temperature of the brine.

이때, 압축기(210)의 입력단의 온도를 일정하게 유지하기 위하여 냉매 바이패스 제어를 수행하는데, 압축기(210)의 입력단에 설치된 온도센서(211)가 검출한 온도에 기초하여 온도 컨트롤러(212)는 보조 전자식 팽창밸브(217)를 정밀하게 제어하여 수액기(230) 출력단의 고압의 냉매액을 핫가스 공급제어 밸브(215)의 출력단에 공급하여 압축기(210) 입력단의 온도를 일정하게 제어할 수 있다.At this time, the refrigerant bypass control is performed to maintain a constant temperature of the input terminal of the compressor 210. The temperature controller 212 is based on the temperature detected by the temperature sensor 211 installed at the input of the compressor 210. By precisely controlling the auxiliary electronic expansion valve 217, the high pressure refrigerant at the output of the receiver 230 may be supplied to the output of the hot gas supply control valve 215 to control the temperature of the input of the compressor 210 constantly. have.

무부하No load 운전시 When driving

반도체 챔버(280)에 부하가 없는 무부하 상태로 운전하는 경우, 브라인의 온도 제어를 위해 냉동 능력은 제로(0)가 되어야 한다. 이를 위해, 메인 전자식 팽창밸브(240)의 개도를 완전히 닫고, 핫가스 공급제어 밸브(215)를 열어 압축기(210) 출력단의 고온 고압의 냉매가스를 압축기(210) 입력단으로 바이패스 시킨다. 이때, 핫가스 공급제어 밸브(215)는 일정한 압력으로 설정되어 있으며, 무부하 운전에 따라 냉동부 저압부가 설정된 압력 이하로 내려가면 자동으로 열린다. When operating under no load with no load in the semiconductor chamber 280, the refrigeration capacity should be zero for the temperature control of the brine. To this end, the opening degree of the main electronic expansion valve 240 is completely closed, and the hot gas supply control valve 215 is opened to bypass the high temperature and high pressure refrigerant gas at the output of the compressor 210 to the compressor 210. At this time, the hot gas supply control valve 215 is set to a constant pressure, and automatically opens when the freezing section low pressure is lower than the set pressure in accordance with the no-load operation.

이 경우, 압축기(210) 입력단의 냉매가스의 온도가 상승하여 압축기(210)에 손상을 줄 수 있다. 따라서, 이를 방지하기 위해, 압축기(210) 입력단에 설치된 온도센서(211)가 검출한 온도에 기초하여 온도 컨트롤러(212)는 보조 전자식 팽창밸브(217)를 열어 수액기(230) 출력단의 고압의 냉매액을 핫가스 공급제어 밸브(215) 출력단에 공급한다. In this case, the temperature of the refrigerant gas at the input of the compressor 210 increases, which may damage the compressor 210. Therefore, in order to prevent this, the temperature controller 212 opens the auxiliary electronic expansion valve 217 on the basis of the temperature detected by the temperature sensor 211 installed at the input of the compressor 210 to the high pressure of the output of the receiver 230. The refrigerant liquid is supplied to the output terminal of the hot gas supply control valve 215.

이러한 구성에 의하면, 반도체 챔버(280)에 부하가 없는 무부하 상태로 운전하는 경우에도, 핫가스 공급제어 밸브(215)를 이용하여 압축기(210)로부터의 고온 고압의 냉매가스를 압축기(210) 입력단으로 바이패스 하여 수액기(230) 출력단의 고압의 냉매액을 공급함으로써 압축기(210) 입력단의 온도를 기설정된 온도, 가령 20℃ 이상이 되지 않도록 제어할 수 있다.According to this configuration, even when the semiconductor chamber 280 is operated under no load without load, the high temperature and high pressure refrigerant gas from the compressor 210 is input using the hot gas supply control valve 215. By bypassing the supply of the high-pressure refrigerant liquid at the output of the receiver 230, the temperature of the input of the compressor 210 can be controlled so as not to be a predetermined temperature, for example, 20 ℃ or more.

보조 전자식 팽창밸브(217)는 압축기(210) 입력단에 설치된 온도센서(211)가 검출한 온도에 기초한 온도 컨트롤러(212)의 제어에 의하여 메인 전자식 팽창밸브(240)의 냉매량 변화를 최소화함으로써, 브라인 온도를 정밀하게 제어할 수 있다.The auxiliary electronic expansion valve 217 minimizes the refrigerant amount change of the main electronic expansion valve 240 by controlling the temperature controller 212 based on the temperature detected by the temperature sensor 211 installed at the input of the compressor 210. The temperature can be precisely controlled.

정상운전에서 온도 정밀제어Precise temperature control in normal operation

반도체 공정의 온도제어 범위, 즉 -30℃ 내지 60℃에서 브라인 온도의 정밀제어를 위해 냉매 바이패스 제어를 이용한다.Refrigerant bypass control is used for precise control of the brine temperature in the temperature control range of the semiconductor process, ie, -30 ° C to 60 ° C.

이때, 브라인 온도를 정밀제어하기 위하여 메인 전자식 팽창밸브(240)는 요구되는 냉동능력에 대응하는 정적량의 냉매를 제어한다. 요구되는 냉동능력이 적어서 메인 전자식 팽창밸브(240)에서 제어하는 냉매량이 적을 경우, 압축기(210) 입력단의 냉동부 저압부는 낮은 압력으로 운전된다. 이때, 설정된 압력보다 낮게 압축기(210) 입력단의 냉동부 저압부의 압력이 내려가면 핫가스 공급제어 밸브(215)가 열려 압축기(210)로부터의 고온 고압의 냉매가스를 압축기(210) 입력단으로 바이패스 시킨다. 이때, 압축기(210) 입력단에 설치된 온도센서(211)가 검출한 온도에 기초하여 온도 컨트롤러(212)는 보조 전자식 팽창밸브(217)를 정밀하게 제어하여 수액기(230) 출력단의 고압의 냉매액을 핫가스 공급제어 밸브(215) 출력단에 공급하여 압축기(210) 입력단의 온도를 일정하게 유지함과 동시에 온도 컨트롤러(212)에 의해 보조 전자식 팽창밸브(217)를 정밀하게 제어함으로써 메인 전자식 팽창밸브(240)의 냉매량 변화를 최소화하여 브라인 온도를 정밀하게 제어할 수 있다.At this time, in order to precisely control the brine temperature, the main electronic expansion valve 240 controls a static amount of refrigerant corresponding to the required refrigeration capacity. When the amount of refrigerant required to control the main electronic expansion valve 240 is small because the required refrigeration capacity is small, the low pressure portion of the freezing section of the compressor 210 input stage is operated at a low pressure. At this time, when the pressure of the low pressure portion of the freezing section of the compressor 210 is lower than the set pressure, the hot gas supply control valve 215 opens to bypass the high temperature and high pressure refrigerant gas from the compressor 210 to the compressor 210 input terminal. Let's do it. At this time, based on the temperature detected by the temperature sensor 211 installed at the input of the compressor 210, the temperature controller 212 precisely controls the auxiliary electronic expansion valve 217 to control the high-pressure refrigerant liquid at the output of the receiver 230 Is supplied to the output end of the hot gas supply control valve 215 to maintain a constant temperature at the input end of the compressor 210, and at the same time, the auxiliary electronic expansion valve 217 is precisely controlled by the temperature controller 212, thereby maintaining the main electronic expansion valve ( The brine temperature may be precisely controlled by minimizing a change in the amount of refrigerant of the 240.

고온 영역, 가령 40℃ 이상으로 반도체용 브라인의 온도를 제어할 경우, 증발기(250)로부터 토출되는 냉매가스의 온도는 40℃ 이상이 된다. 따라서, 압축기(210) 입력단에 설치된 온도센서(211)가 검출한 온도에 기초하여 온도 컨트롤러(212)는 보조 전자식 팽창밸브(217)를 열어 수액기(230) 출력단의 고압의 냉매액을 핫가스 공급제어 밸브(215) 출력단에 공급하여 압축기(210) 입력단의 온도를 일정하게 제어할 수 있다.When the temperature of the semiconductor brine is controlled in a high temperature region, for example, 40 ° C or more, the temperature of the refrigerant gas discharged from the evaporator 250 becomes 40 ° C or more. Therefore, based on the temperature detected by the temperature sensor 211 installed at the input of the compressor 210, the temperature controller 212 opens the auxiliary electronic expansion valve 217 to hot gas refrigerant at the output of the receiver 230. The temperature at the input end of the compressor 210 may be constantly controlled by supplying to the output end of the supply control valve 215.

오일회수시Oil recovery

저온 영역, 가령 -30℃ 이하로 운전하거나 냉동능력 제로(0)로 장시간 운전하는 경우, 증발기(250)에서의 오일 회수가 필수적이다. 반도체용 칠러는 그 특성상 연중 무휴로 계속하여 운전되기 때문에, 증발기(250)로부터 오일이 회수되지 않는다면 증발기(250)에서의 열교환 능력이 저하하여 브라인의 온도가 상승할 뿐 아니라 압축기(210)의 고장을 수반할 수 있다.When operating in a low temperature region, such as below −30 ° C. or for a long time at zero freezing capacity, oil recovery from the evaporator 250 is essential. Since the chiller for semiconductors is continuously operated 24/7 due to its characteristics, if oil is not recovered from the evaporator 250, the heat exchange capacity of the evaporator 250 is lowered, thereby increasing the temperature of the brine and failure of the compressor 210. May be accompanied.

따라서, 증발기(250)의 오일 회수를 위하여 핫가스 전자밸브(216)를 통한 고온 고압의 냉매가스를 브라인의 정밀온도제어에 영향을 주지 않는 범위에서 증발기(250) 입력단으로의 공급을 제어할 필요가 있다.Therefore, in order to recover the oil of the evaporator 250, it is necessary to control the supply of the high temperature and high pressure refrigerant gas through the hot gas solenoid valve 216 to the input of the evaporator 250 within a range that does not affect the precise temperature control of the brine. There is.

이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 중심으로 설명하였지만, 당업자의 수준에서 다양한 변경을 가할 수 있다.Although the above has been described with reference to the preferred embodiment of the present invention, various changes can be made at the level of those skilled in the art.

따라서, 이러한 변형이나 변경이 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는다면, 본 발명에 속하는 것으로 해석되어야 한다.Accordingly, unless such modifications or changes are made without departing from the scope of the present invention, they should be construed as belonging to the present invention.

본 발명에 따르면, 종래의 전자식 팽창밸브 제어방식에 비해 냉동능력이 향상됨과 동시에 냉매량의 변화를 최소화함으로써 브라인 온도를 정밀하게 제어할 수 있다.According to the present invention, it is possible to precisely control the brine temperature by minimizing the change in the amount of refrigerant while improving the refrigerating capacity as compared to the conventional electronic expansion valve control method.

또한, 브라인 히터를 적용하지 않음으로써, 종래 칠러에 비해 50%정도 소비전력이 절감되고, 이에 따른 전기적인 부대설비 비용이 절약된다.In addition, by not applying the brine heater, the power consumption is reduced by about 50% compared to the conventional chiller, thereby reducing the electrical auxiliary equipment costs.

전체적으로, 냉매액과 냉매가스 제어에 의한 냉동사이클의 안정성이 향상된다.Overall, the stability of the refrigeration cycle by the refrigerant liquid and the refrigerant gas control is improved.

Claims (7)

압축기, 응축기, 수액기, 메인 전자식 팽창밸브, 증발기, 및 상기 압축기를 순환하는 냉매 경로를 포함하며, 상기 증발기에서 반도체 공정설비에 제공되는 브라인과 열 교환이 이루어지는 반도체 공정설비를 위한 칠러 장치로서,A chiller device for a semiconductor process facility comprising a compressor, a condenser, a receiver, a main electronic expansion valve, an evaporator, and a refrigerant path circulating through the compressor, the heat exchange with brine provided to the semiconductor process facility in the evaporator, 상기 압축기 출력단과 상기 증발기의 입력단을 연결하고 그 사이에 핫가스 전자밸브를 설치하여 상기 압축기로부터 상기 증발기로 공급되는 고온 고압의 냉매가스의 공급을 제어하는 핫가스 공급라인; A hot gas supply line connecting the compressor output terminal and the input terminal of the evaporator and controlling a supply of a high temperature and high pressure refrigerant gas supplied from the compressor to the evaporator by installing a hot gas solenoid valve therebetween; 상기 압축기 출력단과 상기 압축기의 입력단을 연결하고 그 사이에 핫가스 공급제어 밸브를 설치하여 상기 압축기로부터의 고온 고압의 냉매가스를 상기 압축기의 입력단으로 공급하는 것을 제어하는 핫가스 공급제어라인; 및A hot gas supply control line connecting the compressor output terminal and the input terminal of the compressor and controlling a supply of a high temperature and high pressure refrigerant gas from the compressor to an input terminal of the compressor by installing a hot gas supply control valve therebetween; And 상기 수액기의 출력단과 상기 압축기 입력단을 연결하고 그 사이에 냉매액 공급제어 밸브를 설치하여 상기 수액기로부터 상기 압축기 입력단으로 고압 냉매액의 공급을 제어하는 고압 냉매액 공급제어라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정설비를 위한 칠러 장치.And a high pressure refrigerant liquid supply control line connecting the output terminal of the receiver and the compressor input terminal, and installing a refrigerant liquid supply control valve therebetween to control the supply of the high pressure refrigerant liquid from the receiver to the compressor input terminal. Chiller apparatus for semiconductor processing equipment. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 냉매액 공급제어 밸브는 보조 전자식 팽창밸브이고,The refrigerant liquid supply control valve is an auxiliary electronic expansion valve, 상기 보조 전자식 팽창밸브는 상기 압축기 입력단으로부터 검출된 온도에 기초하여 온도 컨트롤러에 의해 정밀 제어되는 것을 특징으로 하는 반도체 공정설비를 위한 칠러 장치.And the auxiliary electronic expansion valve is precisely controlled by a temperature controller based on the temperature detected from the compressor input stage. 청구항 2에 있어서,The method according to claim 2, 상기 보조 전자식 팽창밸브의 제어는 상기 메인 전자식 팽창밸브로 흐르는 냉매량의 50%를 넘지 않는 범위에서 이루어지고 서서히 유량을 증가시켜 제어하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정설비를 위한 칠러 장치.The control of the auxiliary electronic expansion valve is made in the range of not more than 50% of the amount of the refrigerant flowing into the main electronic expansion valve chiller device for a semiconductor processing equipment, characterized in that to control by gradually increasing the flow rate. 압축기, 응축기, 수액기, 메인 전자식 팽창밸브, 증발기, 및 상기 압축기를 순환하는 냉매 경로를 포함하며, 상기 증발기에서 반도체 공정설비에 제공되는 브라인과 열 교환이 이루어지는 반도체 공정설비를 위한 칠러 장치에 적용되며,The compressor includes a compressor, a condenser, a receiver, a main electronic expansion valve, an evaporator, and a refrigerant path circulating through the compressor, and is applied to a chiller device for semiconductor processing equipment in which heat exchange is performed with brine provided to the semiconductor processing equipment. , 상기 브라인의 온도 상승시 상기 압축기로부터의 고온 고압의 냉매가스를 상기 증발기에 공급하고,When the temperature of the brine rises, a high temperature and high pressure refrigerant gas from the compressor is supplied to the evaporator, 상기 반도체 공정설비의 무부하 운전시 상기 메인 전자식 팽창밸브의 개도를 완전히 닫고, 상기 압축기로부터의 고온 고압의 냉매가스를 상기 압축기 입력단으로 바이패스 시키며,During the no-load operation of the semiconductor processing equipment, the opening degree of the main electronic expansion valve is completely closed, and the high temperature and high pressure refrigerant gas from the compressor is bypassed to the compressor input stage. 상기 두 경우에 상기 압축기 입력단의 온도를 검출하고 상기 검출된 온도에 기초하여 상기 수액기로부터 바이패스 되는 냉매액의 양을 제어하여 상기 압축기의 입력단에 공급하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정설비를 위한 칠러 장치의 제어방법.In both cases, the chiller for detecting the temperature of the compressor input stage and controlling the amount of refrigerant liquid bypassed from the receiver based on the detected temperature is supplied to the input stage of the compressor. Control method of the device. 청구항 4에 있어서,The method according to claim 4, 40℃ 이상의 고온으로 상기 브라인을 제어하는 경우에도, 상기 압축기 입력단의 온도를 검출하고 상기 검출된 온도에 기초하여 상기 수액기로부터의 냉매액의 양을 제어하여 상기 압축기의 입력단에 공급하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정설비를 위한 칠러 장치의 제어방법. Even when the brine is controlled at a high temperature of 40 ° C. or higher, the temperature of the compressor input stage is detected, and the amount of refrigerant liquid from the receiver is controlled and supplied to the input stage of the compressor based on the detected temperature. A method of controlling a chiller device for a semiconductor processing equipment. 청구항 4에 있어서,The method according to claim 4, 상기 브라인을 -30℃ 이하의 저온으로 제어하거나 냉동능력 제로(0)로 장시간 운전하는 경우, 상기 압축기로부터의 고온 고압의 냉매가스를 상기 증발기에 주기적으로 공급하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정설비를 위한 칠러 장치의 제어방법. When the brine is controlled at a low temperature of -30 ° C. or lower, or operated for a long time with zero refrigerating capacity (0), the high temperature and high pressure refrigerant gas from the compressor is periodically supplied to the evaporator. Control method of chiller device. 청구항 4에 있어서,The method according to claim 4, 상기 수액기로부터 바이패스 되는 냉매액의 양의 제어는 상기 메인 전자식 팽창밸브로 흐르는 냉매량의 50%를 넘지 않는 범위에서 이루어지고 서서히 유량을 증가시켜 제어하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정설비를 위한 칠러 장치의 제어방법.The chiller device for the semiconductor processing equipment, characterized in that the control of the amount of the refrigerant liquid bypassed from the receiver is made in a range not exceeding 50% of the amount of the refrigerant flowing into the main electronic expansion valve and is gradually controlled by increasing the flow rate. Control method.
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