KR100752242B1 - Slit of arc chamber generating semiconductor plasma - Google Patents

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KR100752242B1 KR1020070011454A KR20070011454A KR100752242B1 KR 100752242 B1 KR100752242 B1 KR 100752242B1 KR 1020070011454 A KR1020070011454 A KR 1020070011454A KR 20070011454 A KR20070011454 A KR 20070011454A KR 100752242 B1 KR100752242 B1 KR 100752242B1
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이태승
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에이스하이텍 주식회사
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Abstract

A slit structure of a semiconductor plasma generating arc chamber is provided to maintain and repair conveniently by replacing members of the specific part only when a specific part is dug or corroded by plasma and enable the projections to fix side members more firmly by forming projections on a lower surface of a slit. A slit structure of a semiconductor plasma generating arc chamber comprises: a bottom member(10) having a groove(14) formed on an upper face thereof, an ion gas inflow hole(13) formed in one side of the groove, and guide vanes formed on an outer peripheral surface of the groove; a separation type lower base(20) which has a clamping part formed on a lower face thereof, and in which a hole(22) corresponding to the ion gas inflow hole is formed; a pair of side members(30,30') which are oppositely formed on an upper face of the lower base, and which have projecting guides formed on lower ends thereof, and a pair of guide vanes formed at both sides of inner faces thereof; a cathode inserting part(40) having projecting guide members(41) formed on both side faces and a lower face thereof and clamped to the guide vanes and the guide vane(12), and a hole formed therein and coupled to a cathode; a reflector inserting part(50) which is formed oppositely to the cathode inserting part, has a projecting guide member(51) formed thereon, and is coupled to the guide vanes and the guide vane correspondingly; and a slit which is coupled to upper faces of the side members, and has an ion gas outlet longitudinally formed in the center thereof, and a plurality of projections formed on a lower face thereof to fix the side members.

Description

반도체 플라즈마발생 아크챔버의 슬릿 구조{slit of arc chamber generating semiconductor plasma}Slit structure of semiconductor plasma generating arc chamber

도 1은 본 발명의 제 1실시예에 따른 반도체 플라즈마발생 아크챔버의 슬릿 구조를 나타낸 분해도.1 is an exploded view showing a slit structure of a semiconductor plasma generating arc chamber according to a first embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 제 1실시예에 따른 슬릿의 배면도.2 is a rear view of the slit according to the first embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 제 1실시예에 따른 슬릿의 측면도.3 is a side view of the slit according to the first embodiment of the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

10: 바닥부재 11,11': 1가이드 베인10: Bottom member 11,11 ': 1 guide vane

12,12': 2가이드 베인 13: 이온가스 유입홀12,12 ': 2-guide vane 13: Ion gas inlet hole

14: 홈 15: 스프링로드결합홀14: groove 15: spring loaded coupling hole

20: 하부베이스 21: 결합부 20: lower base 21: coupling portion

22: 홀 30,30': 측면부재 22: hole 30,30 ': side member

31,31': 3가이드베인 32,32': 4가이드베인 31,31 ': 3-guide vane 32,32': 4-guide vane

33,33': 고정핀결합홈 34,34': 돌출가이드대33,33 ': Fixing pin coupling groove 34,34': Protruding guide stand

35,35': 지지부 40: 캐소드삽입부 35,35 ': support portion 40: cathode insert

41: 돌출 가이드대 50: 리플렉터삽입부 41: protrusion guide 50: reflector insert

51: 돌출가이드대 60: 슬릿51: protrusion guide 60: slit

61: 돌출부 62: 스프링로드결합홀61: projection 62: spring rod coupling hole

63,63': 고정핀결합홀 64: 이온가스 유출구 63,63 ': fixed pin coupling hole 64: ion gas outlet

반도체 플라즈마발생 아크챔버의 슬릿 구조에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 아크챔버의 바닥부재, 측면부재, 캐소드삽입부, 리플렉터삽입부, 하부베이스 등을 분리형으로 제작하여 각각의 부재에 형성된 가이드베인과 가이드대에 의해 결합이 이루어지며, 특정부위가 플라즈마로 인해 파이거나 부식되므로 특정부위의 부재만을 교체 가능하며, 결합된 아크챔버의 상부면에 슬릿을 결합하여 슬릿의 하부면에 형성된 돌출부에 의해 측면부재를 보다 견고하게 고정하는 반도체 플라즈마발생 아크챔버의 슬릿 구조를 제공하는 것이다.A slit structure of a semiconductor plasma generating arc chamber, and more specifically, a guide vane and a guide formed in each member by separately manufacturing a bottom member, a side member, a cathode insert, a reflector insert, and a lower base of the arc chamber. Combination is made by the base, and since the specific part is pied or corroded by the plasma, only the member of the specific part can be replaced, and the side member is formed by the protrusion formed on the lower surface of the slit by combining the slit to the upper surface of the combined arc chamber It is to provide a slit structure of the semiconductor plasma generating arc chamber to fix more firmly.

일반적으로 반도체 장치는 반도체 기판의 구조물을 게이트의 소오스/ 드레인, 웰과 관련된 트랜지스터 엔지니어링과 외부에서 입력된 데이타 저장과 관련되는 커패시터 엔지니어링과, 데이터의 입/ 출력과 관련되는 배선 엔지니어링 등으로 형성해 나간다.In general, a semiconductor device forms a structure of a semiconductor substrate through source / drain of a gate, transistor engineering related to a well, capacitor engineering related to externally stored data storage, and wiring engineering related to data input / output.

상기 소오스 및 드레인, 웰은 이온주입 장치의 이온 주입으로 형성하고, 캐패시터와 반도체 기판을 접촉시키기 위한 전기적 노드는 이미 반도체 기판에 형성된 이온 영역과 접촉되며 또한, 배선은 반도체 기판을 통과하는 데이터의 저항에 의한 전기적 손실을 없애려고 반도체 기판에 형성된 이온 영역과 접촉한다.The source, drain, and well are formed by ion implantation of an ion implantation device, and an electrical node for contacting the capacitor and the semiconductor substrate is in contact with an ion region already formed on the semiconductor substrate, and wiring is a resistance of data passing through the semiconductor substrate. In order to eliminate the electrical loss caused by the contact with the ion region formed on the semiconductor substrate.

상기 각각의 구조물은 트랜지스터의 전기적 특성에 대한 개선과 데이타의 손실을 방지하려고 이온주입 장치를 이용하여 반도체 기판에 이온영역을 형성한다.Each of these structures forms an ion region in the semiconductor substrate using an ion implantation device to prevent the loss of data and the improvement of the electrical characteristics of the transistor.

또한, 상기 이온영역은 이온주입 장치의 소오스헤드의 아크 챔버안에 주입되는 이온가스와 아크챔버 안의 필라멘트에서 방사되는 열전자의 충돌로 생긴 이온화된 가스를 반도체 기판에 주입하여 형성한다.In addition, the ion region is formed by injecting an ionized gas generated by the collision of ionic gas injected into the arc chamber of the source head of the ion implantation device and hot electrons emitted from the filament in the arc chamber to the semiconductor substrate.

그러나, 아크챔버의 이온화된 가스는 형성과정에서 아크챔버 하부의 이온가스유입구 주변과 상기 리펠러와 캐소드가 부착되는 펜스 이외의 펜스를 부식 또는 식각을 시켜서 아크챔버에 손상을 준다.However, the ionized gas of the arc chamber damages the arc chamber by corroding or etching a fence other than the ion gas inlet at the lower part of the arc chamber and a fence to which the repeller and the cathode are attached.

상기 이온화된 가스에 의한 손상은 아크챔버의 교체 주기를 비 정규적으로 생기게하며, 아크챔버의 교체시에는 아크챔버의 본체가 일체형으로 형성되어서 아크챔버 본체를 모두 바꾸어야 하기 때문에 이온주입장비의 유지비용이 많이 든다.Damage caused by the ionized gas causes an irregular replacement cycle of the arc chamber, and when the arc chamber is replaced, the main body of the arc chamber is integrally formed so that all the arc chamber bodies need to be replaced. It costs a lot

또한, 아크챔버의 주변에 연결구와의 조립과 조립 후의 아크챔버에 재 진공으로 소요되는 시간이 크다는 문제점이 있다. In addition, there is a problem that the time required for re-vacuum to the arc chamber after assembly and assembly with the connector around the arc chamber is large.

본 발명은 상기 문제점을 해소하고자 창출한 것으로서, 본 발명의 목적은 아크챔버의 바닥부재, 측면부재, 캐소드삽입부, 리플렉터삽입부, 하부베이스 등을 분리형으로 제작하여 각각의 부재에 형성된 가이드베인과 가이드대에 의해 결합이 이루어지며, 특정부위가 플라즈마로 인해 파이거나 부식되므로 특정부위의 부재만을 교체할 수 있기 때문에 유지 및 보수가 편리하며, 슬릿의 하부면에 형성된 돌출부가 측면부재를 보다 견고하게 고정해줄 수 있는 반도체 플라즈마발생 아크챔버의 슬릿 구조를 제공하는데 목적이 있다. The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a guide vane formed on each member by separately manufacturing a bottom member, a side member, a cathode insertion portion, a reflector insertion portion, a lower base, etc. of an arc chamber. The coupling is made by the guide bar, and the specific part is dug or corroded by the plasma, so that only the member of the specific part can be replaced, which is convenient for maintenance and repair, and the protrusion formed on the lower surface of the slit makes the side member more firmly. An object of the present invention is to provide a slit structure of a semiconductor plasma generating arc chamber that can be fixed.

상기와 같은 과제를 해결하기 위한 본 발명은 플라즈마 발생 아크챔버에 있어서, 플라즈마가 발생되는 상부면에 홈이 형성되고, 홈의 일측에 이온가스가 유입되는 이온가스 유입홀이 형성되며, 상기 홈의 외주면에 가이드베인이 형성되어 이루어진 바닥부재와; 상기 바닥부재의 홈에 안치될 수 있도록 하부면에 결합부가 형성되되, 상기 이온가스가 유입되는 이온가스 유입홀에 대응되는 홀이 형성된 분리형 하부베이스와; 상기 하부베이스의 상부면에 대향되어 한쌍으로 형성되며, 상기 바닥부재의 상부면 가이드베인의 길이방향으로 대응되도록 하단부에 돌출가이드대가 형성되며, 상기 대향되는 각각의 내측면 양측에 한쌍의 가이드베인이 형성된 한쌍의 측면부재와; 상기 한쌍의 측면부재의 가이드베인과 바닥부재의 가이드베인에 결합될 수 있도록 돌출가이드대가 양측면과 하부면에 형성되고, 캐소드가 결합될 수 있도록 홀이 형성된 캐소드 삽입부와; 상기 캐소드삽입부와 대향되도록 형성되어 상기 캐소드삽입부와 동일한 형태의 돌출가이드대가 형성되며, 상기 한쌍의 측면부재의 가이드베인과 바닥부재의 가이드베인에 대응되어 결합되는 리플렉터 삽입부와; 상기 한쌍의 측면부재의 상부면에 결합되며, 중앙에 길이방향으로 이온가스 유출구가 형성되고, 하부면에 상기 측면부재를 고정시키는 복수개의 돌출부가 형성 된 슬릿;을 포함하여 구성되고, 상기 바닥부재에 형성된 홈의 외주면에 가이드베인의 외측으로 슬릿의 고정을 위해 스프링로드가 삽입되는 복수개의 스프링로드결합홀이 형성되며, 상기 슬릿은 바닥부재에 형성된 복수개의 스프링로드결합홀과 대응되는 홀이 관통되어 형성되고, 상기 측면부재의 상부면에 슬릿을 임시고정하기 위한 고정핀이 삽입되는 홈이 형성되며, 상기 측면부재의 상부면에 형성된 홈과 대응되어 고정핀으로 슬릿과 측면부재를 임시고정하기 위한 고정핀결합홀이 형성되는 것을 특징으로 한다.In the present invention for solving the above problems, in the plasma generating arc chamber, a groove is formed in the upper surface where the plasma is generated, an ion gas inlet hole is formed in one side of the groove, the ion gas is introduced, A bottom member having a guide vane formed on an outer circumferential surface thereof; A detachable lower base having a coupling portion formed at a lower surface thereof so as to be placed in a groove of the bottom member, and having a hole corresponding to an ion gas inflow hole into which the ion gas is introduced; Opposed to the upper surface of the lower base is formed in a pair, and a guide guide is formed in the lower end to correspond in the longitudinal direction of the upper guide vane of the bottom member, a pair of guide vanes on both sides of the opposite inner surface A pair of side members formed; A cathode insertion part formed on both side and bottom surfaces thereof so as to be coupled to the guide vanes of the pair of side members and the guide vanes of the bottom member, and having holes formed therein so that the cathodes can be coupled; A reflector inserting portion which is formed to face the cathode inserting portion and is formed with a protrusion guide having the same shape as the cathode inserting portion, and is coupled to correspond to the guide vane of the pair of side members and the guide vane of the bottom member; And a slit coupled to an upper surface of the pair of side members, a slit having an ion gas outlet formed in a longitudinal direction at the center thereof, and a plurality of protrusions formed at the lower surface to fix the side member. A plurality of spring rod coupling holes are formed on the outer circumferential surface of the groove formed in the spring vane for fixing the slit to the outside of the guide vane, and the slit penetrates a hole corresponding to the plurality of spring rod coupling holes formed in the bottom member. And a groove into which a fixing pin for temporarily fixing the slit is inserted is formed on the upper surface of the side member, and correspondingly to the groove formed on the upper surface of the side member to temporarily fix the slit and the side member with the fixing pin. It is characterized in that the fixing pin coupling hole for.

이와 같은 특징을 갖는 본 발명은 그에 따른 바람직한 실시예를 통해 보다 명확히 설명될 수 있을 것이다. 이하에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면에 의거하여 상세히 설명하도록 한다.The present invention having such a feature will be more clearly described through the preferred embodiment accordingly. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 제 1실시예에 따른 반도체 플라즈마발생 아크챔버의 슬릿 구조를 나타낸 분해도이고, 도 2는 본 발명의 제 1실시예에 따른 슬릿의 배면도이며, 도 3은 본 발명의 제 1실시예에 따른 슬릿의 측면도이다.1 is an exploded view illustrating a slit structure of a semiconductor plasma generating arc chamber according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a rear view of the slit according to the first embodiment of the present invention, and FIG. A side view of a slit according to an embodiment.

바닥부재(10)와, 하부베이스(20)와, 한쌍의 측면부재(30,30')와, 캐소드삽입부(40)와, 리플렉터삽입부(50)와, 슬릿(60)을 포함하여 구성된 반도체 플라즈마발생 아크챔버의 슬릿 구조 있어서, 상기 바닥부재(10)는 직사각형 형태의 모든 모서리가 라운딩 처리되며, 상부면에 직사각형을 이루는 가이드베인(11,11',12,12')이 형성되고, 상기 가이드베인(11,11',12,12')의 내측으로 일정간격 이격되어 상기 하부베이스(20)가 결합될 수 있도록 홈(14)이 형성된다. A bottom member 10, a lower base 20, a pair of side members 30 and 30 ', a cathode insert 40, a reflector insert 50 and a slit 60 In the slit structure of the semiconductor plasma generating arc chamber, the bottom member 10 is rounded at all corners of a rectangular shape, and guide vanes 11, 11 ', 12, and 12' are formed on the upper surface thereof. The grooves 14 are formed to be spaced apart by a predetermined interval into the guide vanes 11, 11 ′, 12, and 12 ′ so that the lower base 20 may be coupled thereto.

여기서, 상기 홈(14)의 일측면에는 외부로부터 이온가스가 유입될 수 있도록 이온가스 유입홀(13)이 형성되며, 상기 가이드베인(11,11',12,12')은 1가이드베인(11,11')과 2가이드베인(12,12')으로 나뉘게 되는데 상기 1가이드베인(11,11')은 내측에 홈(14)의 외측으로 한쌍이 바닥부재(10)의 길이방향으로 양끝단부까지 형성된다.Here, an ion gas inlet hole 13 is formed in one side of the groove 14 so that ion gas can be introduced from the outside, and the guide vanes 11, 11 ′, 12, and 12 ′ are single guide vanes ( 11, 11 ') and two guide vanes (12, 12'), the first guide vanes (11, 11 ') is a pair of both ends in the longitudinal direction of the bottom member 10 to the outside of the groove 14 on the inside. It is formed to the end.

또한, 상기 2가이드베인(12,12')은 홈(14)의 외측으로 한쌍이 형성되며, 상기 하부베이스(20)가 안치될 수 있도록 상기 1가이드베인(11.11')과 2가드베인(12,12')이 교차되면서 내측으로 공간이 형성되고, 상기 1가이드베인(11,11')과 교차되는 방향으로 1가이드베인(11,11')의 사이에 형성되며, 상기 1가이드베인(11,11')과 2가이드베인(12,12')은 교차되어 내측이 직사각형을 이루게 된다.In addition, the two guide vanes 12 and 12 'are formed in a pair to the outside of the groove 14, the first guide vanes (11.11') and the two guard vanes (12) so that the lower base 20 can be placed A space is formed inward as the 12 'crosses, and is formed between the first guide vanes 11 and 11' in a direction crossing the first guide vanes 11 and 11 ', and the first guide vane 11 11 ') and the two guide vanes 12 and 12' are crossed to form a rectangle inside.

상기 하부베이스(20)는 플라즈마 발생에 의해 부식이 발생되는 바닥면에 안치되는 것으로서, 상기 바닥부재(10)의 상부면에 형성된 홈(14)과 대응되는 하부면에 돌출된 결합부(21)가 형성되며, 상기 돌출된 결합부(21)가 홈(14)에 결합되어 충격에 의한 흔들림을 방지할 수 있으며, 일측면에 상기 바닥부재(10)의 이온가스 유입홀(13)에 대응되는 홀(22)이 형성된다.The lower base 20 is placed on the bottom surface where corrosion is generated by the plasma generation, the coupling portion 21 protruding from the lower surface corresponding to the groove 14 formed on the upper surface of the bottom member 10. Is formed, the protruding coupling portion 21 is coupled to the groove 14 can be prevented from shaking due to the impact, corresponding to the ion gas inlet hole 13 of the bottom member 10 on one side The hole 22 is formed.

상기 한쌍의 측면부재(30,30')는 바닥부재(10)의 상부면에 형성된 1가이드베인(11,11')에 대응되도록 돌출가이드대(34,34')가 1가이드베인(11,11')의 길이방향으로 하부면에 형성되며, 상기 측면부재(30,30')가 1가이드베인(11,11')에 결합됨으로 충격에 의한 흔들림을 방지할 수 있고, 한쌍의 측면부재(30,30')의 내측면이 상호대향되어 각각의 1가이드베인(11,11')에 결합되며, 상기 대향되는 내측면에 후 술될 캐소드삽입부(41)의 돌출가이드대(41)가 결합될 수 있도록 결합시 상기 바닥부재(10)의 상부면에 형성된 2가이드베인(12,12')과 연결되는 3가이드베인(31,31')이 형성된다.The pair of side members 30 and 30 'has one guide vane 11, 11 and 11' so as to correspond to the one guide vanes 11 and 11 'formed on the upper surface of the bottom member 10. 11 ') is formed on the lower surface in the longitudinal direction, and the side members 30 and 30' are coupled to the one guide vanes 11 and 11 'to prevent shaking due to impact, and a pair of side members ( 30, 30 ') are opposed to each other and coupled to each of the one guide vanes 11 and 11', and the protrusion guide base 41 of the cathode insert 41 to be described later is coupled to the opposite inner surface. When combined, the three guide vanes 31 and 31 'are formed to be connected to the two guide vanes 12 and 12' formed on the upper surface of the bottom member 10.

또한, 상기 측면부재(30,30')의 3가이드베인(31,31')과 동일한 면에 형성되는 4가이드베인(32,32')은 후술될 리플렉터삽입부(50)가 결합되며, 상기 3가이드베인(31,31')과 일정간격을 두고 형성되어 결합시 2가이드베인(12,12')과 연결된다.In addition, the four guide vanes 32 and 32 'formed on the same surface as the three guide vanes 31 and 31' of the side members 30 and 30 'are combined with the reflector inserting portion 50 to be described later. It is formed at regular intervals with the three guide vanes (31,31 ') is connected to the two guide vanes (12,12') when combined.

상기 한쌍의 측면부재(30,30') 중 한쪽의 측면부재(30)의 상부면에 슬릿의 임시고정을 위해 고정핀으로 고정시킬 수 있도록 고정핀 결합홈(33,33')이 형성된다.Fixing pin coupling grooves 33 and 33 'are formed on the upper surface of one side member 30 of the pair of side members 30 and 30' so as to be fixed by a fixing pin for temporarily fixing the slit.

상기 캐소드삽입부(40)는 중앙에 캐소드가 삽입될 수 있도록 중앙에 홀이 형성되며, 외주면에 상기 2가이드베인(12,12')과 3가이드베인(31,31')에 결합될 수 있도록 돌출가이드대(41)가 형성되며, 상기 한쌍의 측면부재(30,30')가 대향되는 사이에 끼워지고, 상기 캐소드삽입부(40)의 양측면부에 상기 3가이드베인(31,31')에 결합되는 돌출가이드대(41)가 형성되며, 상기 3가이드베인(31,31')에 결합될 수 있도록 캐소드삽입부(40)의 하부면에도 상기 돌출가이드대(41)가 이어진다. The cathode insert 40 is formed with a hole in the center so that the cathode can be inserted in the center, and can be coupled to the two guide vanes 12 and 12 'and the three guide vanes 31 and 31' on the outer circumferential surface thereof. Protruding guide stand 41 is formed, the pair of side members (30, 30 ') is sandwiched between the opposite, and the three guide vanes (31, 31') on both side surfaces of the cathode insertion portion (40) Protruding guide stand 41 is formed to be coupled to, and the protruding guide stand 41 is also connected to the lower surface of the cathode insert 40 to be coupled to the three guide vanes (31, 31 ').

상기 리플렉터삽입부(50)는 중앙에 리플렉트가 삽입되는 홀이 형성되며, 상기 캐소드삽입부(40)에 비해 두께가 얇고, 상기 측면부재(30,30')의 일측에 형성된 4가이드베인(32,32')에 결합될 수 있도록 양측면에 돌출가이드대(51)가 형성되고, 보다 견고한 고정을 위해 하부면에도 상기 돌출가이드대(51)가 이어져 2가이드대(12,12')에 결합된다.The reflector inserting portion 50 has a hole in which a reflector is inserted in the center, and is thinner than the cathode inserting portion 40 and has four guide vanes formed on one side of the side members 30 and 30 '. 32, 32 ') protruding guides 51 are formed on both sides so as to be coupled to the 32, 32'), and the protruding guides 51 are also connected to the lower surface of the lower surface for more firm fixing. do.

임시고정을 위해 고정핀이 결합될 수 있도록 고정핀 결합홀이 형성된다.  A fixing pin coupling hole is formed so that the fixing pin can be coupled for temporary fixing.

이렇게, 결합된 플라즈마발생 아크챔버의 슬릿 구조를 살펴보면 결합된 상부면은 수평을 이루며, 바닥부재(10)의 상부면 1가이드베인(11,11') 외측으로 슬릿()을 고정하기 위한 스프링로드가 결합될 수 있도록 스프링로드결합홀(15)이 1가이드베인(11,11')의 각각의 양끝단부에 형성되며, 상기 바닥부재(10)에 결합되는 측면부재(30,30')가 결합되는 외측으로 상대물에 고정을 위한 다수개의 홀이 형성된다.Thus, when looking at the slit structure of the plasma generating arc chamber coupled the top surface is horizontal, the spring rod for fixing the slit () to the outside of the top guide vane (11, 11 ') of the bottom member 10 Spring-loaded coupling holes 15 are formed at both ends of the one guide vanes 11 and 11 'so that the coupling members can be coupled to each other, and the side members 30 and 30' coupled to the bottom member 10 are coupled to each other. Outward to be formed a plurality of holes for fixing to the counterpart.

또한, 상기 바닥부재(10)의 가이드베인(11,11',12,12')에 결합되는 측면부재(30,30')나, 캐소드삽입부(40), 리플렉트삽입부(50)의 경우 각각의 가이드베인(11,11,12,12',31,31',32,32')에 결합될 수 있도록 돌출가이드대(41,51,34,34')가 형성되어 플라즈마에 의해 발생되는 열이 외부로 방출되는 것을 방지하며, 각각의 부재가 서로 맞물려 고정되기 때문에 보다 견고한 고정이 이루어진다.In addition, the side members 30 and 30 'coupled to the guide vanes 11, 11', 12 and 12 'of the bottom member 10, the cathode insert 40 and the reflect insert 50, In this case, protrusion guides 41, 51, 34, and 34 'are formed to be coupled to the respective guide vanes 11, 11, 12, 12', 31, 31 ', 32, and 32'. The heat is prevented from being released to the outside, and since each member is engaged with each other and fixed, more firm fixing is achieved.

상기 측면부재(30,30')의 의 대향되는 면의 타측면은 외측으로 돌출되어 바닥부재(10)의 외주면에 밀착됨으로 측면부재(30,30')의 견고한 고정이 이루어진다. 이러한, 모든 부재는 텅스텐이나 몰리브로 제작된다.The other side of the opposite surface of the side members (30, 30 ') is protruded to the outside is in close contact with the outer circumferential surface of the bottom member 10 is made of a rigid fixing of the side members (30, 30'). All these members are made of tungsten or molybdenum.

상기 슬릿(60)은 바닥부재(10)와, 측면부재(30,30'), 캐소드삽입부(40), 리플렉터삽입부(50)의 결합시 상부면에 안치되는 것으로서, 직사각형 형태의 상부면에 길이방향으로 양끝단까지 홈이 형성되고, 상기 홈의 내측으로 내부에서 발생되는 이온가스를 배출하기 위한 이온가스 배출홀(13)이 길이방향으로 형성되며, 상기 슬릿(60)의 바닥면에 측면부재(30,30')를 고정할 수 있도록 측면부재(30,30')의 외측면 상부에 접촉되는 돌출부(61)가 형성된다.The slit 60 is to be placed on the upper surface when the bottom member 10, the side members 30 and 30 ', the cathode insert 40, the reflector insert 50 is combined, the upper surface of the rectangular shape Grooves are formed at both ends in the longitudinal direction, and an ion gas discharge hole 13 for discharging the ion gas generated inside the groove is formed in the longitudinal direction, and is formed at the bottom surface of the slit 60. Protrusions 61 are formed in contact with upper portions of the outer surfaces of the side members 30 and 30 'to fix the side members 30 and 30'.

여기서, 상기 슬릿(60)의 바닥면에 형성된 돌출부(61)는 충격에 의해 측면부재(30,30')가 이탈하는 것을 방지하기 위한 것이며, 상기 측면부재(30,30')를 고정시켜 줌으로써 각각의 부재를 보다 견고하게 고정할 수 있게된다.Here, the protrusion 61 formed on the bottom surface of the slit 60 is for preventing the side members 30 and 30 'from being separated by the impact, and by fixing the side members 30 and 30'. It is possible to fix each member more firmly.

또한, 상기 슬릿(60) 고정은 막대형태의 스프링로드(70)에 의해 바닥부재(10)에 고정될 수 있도록 상기 바닥부재(10)에 형성된 스프링로드결합홀(15)과 대응되는 스프링로드결합홀(62)이 외주면에 복수개 형성되며, 상기 스프링로드(70)에 의한 고정 전에 슬릿(60)의 임시고정을 위한 고정핀결합홀(63,63')이 형성되어 측면부재(30,30')의 상부면에 형성된 고정핀결합홈(33,33')에 고정핀으로 고정이 이루어진다.In addition, the slit 60 is fixed to the spring rod coupling corresponding to the spring rod coupling hole 15 formed in the bottom member 10 to be fixed to the bottom member 10 by the rod-shaped spring rod 70. A plurality of holes 62 are formed on the outer circumferential surface, and fixing pin coupling holes 63 and 63 'for temporarily fixing the slit 60 before the spring rod 70 is fixed to the side members 30 and 30'. The fixing pin is formed in the fixing pin coupling groove (33, 33 ') formed on the upper surface of the).

이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명은 각각의 부재를 분리형으로 제작하여 내측에서 발생되는 플라즈마 반응에 의해 부식되는 부재만을 교체할 수 있고, 일체형으로 제작하는 것에 비해 불량발생이 적기 때문에 고가의 텅스텐 재질로 형성된 일체형의 챔버에 비해 유지보수비가 절감되며, 각각의 결합된 부재의 상부면에 슬릿을 안착함으로써 슬릿의 하부면에 형성된 돌출부에 의해 각각의 부재를 보다 견고하게 고정할 수 있는 효과를 갖는다. As described above, in the present invention, each member may be manufactured in a separable type, so that only the members that are corroded by the plasma reaction generated from the inside may be replaced, and inferior defects are generated compared to the one-piece manufacturing, thereby making it expensive tungsten material. Maintenance costs are reduced compared to the integral chamber formed, and by mounting the slit on the upper surface of each coupled member has an effect that can be firmly fixed to each member by the protrusion formed on the lower surface of the slit.

Claims (5)

플라즈마 발생 아크챔버에 있어서,In the plasma generating arc chamber, 플라즈마가 발생되는 상부면에 홈(14)이 형성되고, 홈(14)의 일측에 이온가스가 유입되는 이온가스 유입홀(13)이 형성되며, 상기 홈(14)의 외주면에 가이드베인(11,11',12,12')이 형성되어 이루어진 바닥부재(10)와;The groove 14 is formed on the upper surface where the plasma is generated, and the ion gas inlet hole 13 through which the ion gas flows is formed on one side of the groove 14, and the guide vane 11 is formed on the outer circumferential surface of the groove 14. , 11 ', 12, and 12' are formed on the bottom member 10; 상기 바닥부재(10)의 홈(14)에 안치될 수 있도록 하부면에 결합부(21)가 형성되되, 상기 이온가스가 유입되는 이온가스 유입홀(13)에 대응되는 홀(22)이 형성된 분리형 하부베이스(20)와;Coupling portion 21 is formed on the lower surface to be placed in the groove 14 of the bottom member 10, the hole 22 corresponding to the ion gas inlet hole 13 through which the ion gas is formed A detachable lower base 20; 상기 하부베이스(20)의 상부면에 대향되어 한쌍으로 형성되며, 상기 바닥부재(10)의 상부면 가이드베인(11,11')의 길이방향으로 대응되도록 하단부에 돌출가이드대(34,34')가 형성되며, 상기 대향되는 각각의 내측면 양측에 한쌍의 가이드베인(31,31',32,32')이 형성된 한쌍의 측면부재(30,30')와;Opposed to the upper surface of the lower base 20 is formed in a pair, protruding guide (34, 34 ') at the lower end to correspond in the longitudinal direction of the upper surface guide vanes (11, 11') of the bottom member (10) A pair of side members (30,30 ') having a pair of guide vanes (31, 31', 32, 32 ') formed on opposite sides of the respective inner surfaces thereof; 상기 한쌍의 측면부재(30,30')의 가이드베인(32,32')과 바닥부재(10)의 가이드베인(12)에 결합될 수 있도록 돌출가이드대(41)가 양측면과 하부면에 형성되고, 캐소드가 결합될 수 있도록 홀이 형성된 캐소드 삽입부(40)와;Protruding guides 41 are formed on both side and bottom surfaces of the pair of side vanes 30 and 30 'to guide vanes 32 and 32' and the bottom vane 10 of guide vanes 12, respectively. A cathode insertion portion 40 in which holes are formed so that the cathodes can be coupled; 상기 캐소드삽입부(40)와 대향되도록 형성되어 상기 캐소드삽입부(40)와 동일한 형태의 돌출가이드대(51)가 형성되며, 상기 한쌍의 측면부재(30,30')의 가이드베인(31,31')과 바닥부재(10)의 가이드베인(12')에 대응되어 결합되는 리플렉터 삽입부(50)와;It is formed so as to face the cathode insertion portion 40 is formed with a guide guide 51 of the same shape as the cathode insertion portion 40, the guide vanes 31 of the pair of side members (30, 30 '), 31 ') and a reflector insert 50 coupled to the guide vane 12' of the bottom member 10; 상기 한쌍의 측면부재(30,30')의 상부면에 결합되며, 중앙에 길이방향으로 이온가스 유출구(64)가 형성되고, 하부면에 상기 측면부재(30,30')를 고정시키는 복수개의 돌출부(61)가 형성된 슬릿(60);을 포함하여 구성되되,Is coupled to the upper surface of the pair of side members (30, 30 '), the ion gas outlet 64 is formed in the longitudinal direction in the center, a plurality of fixing the side members (30, 30') on the lower surface Consists of including; slit (60) formed with a projection (61), 상기 바닥부재(10)에 형성된 홈(14)의 외주면에 가이드베인(11,11',12,12') 외측으로 슬릿(60)의 고정을 위해 스프링로드(70)가 삽입되는 복수개의 스프링로드결합홀(15)을 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 플라즈마발생 아크챔버의 슬릿 구조.A plurality of spring rods are inserted into the spring rod 70 for fixing the slit 60 out of the guide vanes (11, 11 ', 12, 12') on the outer circumferential surface of the groove 14 formed in the bottom member 10 A slit structure of the semiconductor plasma generating arc chamber, characterized in that the coupling hole 15 is formed. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 슬릿(60)은 바닥부재(10)에 형성된 복수개의 스프링로드결합홀(15)과 대응되는 스프링로드결합홀(62)이 관통되어 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 플라즈마발생 아크챔버의 슬릿 구조.The slit 60 is a slit structure of the semiconductor plasma generating arc chamber, characterized in that formed through the spring rod coupling holes 62 corresponding to the plurality of spring rod coupling holes 15 formed in the bottom member 10. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 측면부재(30.30')의 상부면에 슬릿(60)을 임시고정하기 위한 고정핀이 삽입되는 고정핀결합홈(33,33')이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 플라즈마발생 아크챔버의 슬릿 구조.Slit structure of the semiconductor plasma generating arc chamber, characterized in that the fixing pin coupling groove (33, 33 ') is formed in the upper surface of the side member (30.30') is fixed pin is inserted for temporarily fixing the slit (60). 제 1항 또는 3항에 있어서,The method of claim 1 or 3, 측면부재(30,30')의 상부면에 형성된 고정핀결합홈(33,33')과 대응되어 고정핀으로 슬릿(60)과 측면부재(30,30')를 임시고정하기 위한 고정핀결합홀(63,63')이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 플라즈마발생 아크챔버의 슬릿 구조.Fixing pin coupling for temporarily fixing the slit 60 and the side members 30 and 30 'with fixing pins corresponding to the fixing pin coupling grooves 33 and 33' formed on the upper surfaces of the side members 30 and 30 '. A slit structure of a semiconductor plasma generating arc chamber, wherein holes 63 and 63 'are formed. 삭제delete
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH02122824A (en) * 1988-10-31 1990-05-10 Seiko Epson Corp Seal structure of assembling type vacuum chamber
KR20050086265A (en) * 2004-02-25 2005-08-30 주식회사 에이디피엔지니어링 Vacuum chamber for manufacturing fpd
KR20050122090A (en) * 2004-06-23 2005-12-28 주식회사 에이디피엔지니어링 Vacuum chamber

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