KR100743460B1 - Structure of arc chamber generating semiconductor plasma - Google Patents
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Abstract
Description
도 1은 본 발명의 제 1실시예에 따른 반도체 플라즈마발생 아크챔버의 구조를 나타낸 분해도.1 is an exploded view showing the structure of a semiconductor plasma generating arc chamber according to a first embodiment of the present invention;
도 2는 본 발명의 제 1실시예에 따른 바닥부재의 정면도.Figure 2 is a front view of the bottom member according to the first embodiment of the present invention.
도 3은 본 발명의 제 1실시예에 따른 하부베이스의 저면도.Figure 3 is a bottom view of the lower base according to the first embodiment of the present invention.
도 4는 A-A의 단면도.4 is a cross-sectional view of A-A.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>
10: 바닥부재 11,11': 1가이드 베인10:
12,12': 2가이드 베인 13: 이온가스 유입홀12,12 ': 2-guide vane 13: Ion gas inlet hole
14: 홈 15: 스프링로드결합홀14: groove 15: spring loaded coupling hole
20: 하부베이스 21: 결합부 20: lower base 21: coupling portion
22: 홀 30,30': 측면부재 22:
31,31': 3가이드베인 32,32': 4가이드베인 31,31 ': 3-guide vane 32,32': 4-guide vane
33,33': 고정핀결합홈 34,34': 돌출가이드대33,33 ': Fixing
35,35': 지지부 40: 캐소드삽입부 35,35 ': support portion 40: cathode insert
41: 돌출 가이드대 50: 리플렉터삽입부 41: protrusion guide 50: reflector insert
51: 돌출가이드대51: protrusion guide stand
반도체 플라즈마발생 아크챔버의 구조에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 아크챔버의 바닥부재, 측면부재, 캐소드삽입부, 리플렉터삽입부, 하부베이스 등을 분리형으로 제작하여 각각의 부재에 형성된 가이드베인과 가이드대에 의해 결합이 이루어지며, 특정부위가 플라즈마로 인해 파이거나 부식되므로 특정부위의 부재만을 교체 가능한 반도체 플라즈마발생 아크챔버의 구조를 제공하는 것이다.The structure of the semiconductor plasma generating arc chamber, and more specifically, the guide vane and guide stand formed on each member by separately manufacturing the bottom member, the side member, the cathode insertion portion, the reflector insertion portion, and the lower base of the arc chamber. The coupling is made by, and because the specific portion is pied or corroded by the plasma to provide a structure of the semiconductor plasma generating arc chamber that can replace only the member of the specific portion.
일반적으로 반도체 장치는 반도체 기판의 구조물을 게이트의 소오스/ 드레인, 웰과 관련된 트랜지스터 엔지니어링과 외부에서 입력된 데이타 저장과 관련되는 커패시터 엔지니어링과, 데이터의 입/ 출력과 관련되는 배선 엔지니어링 등으로 형성해 나간다.In general, a semiconductor device forms a structure of a semiconductor substrate through source / drain of a gate, transistor engineering related to a well, capacitor engineering related to externally stored data storage, and wiring engineering related to data input / output.
상기 소오스 및 드레인, 웰은 이온주입 장치의 이온 주입으로 형성하고, 캐패시터와 반도체 기판을 접촉시키기 위한 전기적 노드는 이미 반도체 기판에 형성된 이온 영역과 접촉되며 또한, 배선은 반도체 기판을 통과하는 데이타의 저항에 의한 전기적 손실을 없애려고 반도체 기판에 형성된 이온 영역과 접촉한다.The source, drain, and well are formed by ion implantation of an ion implantation device, and an electrical node for contacting the capacitor and the semiconductor substrate is in contact with an ion region already formed on the semiconductor substrate, and the wiring is a resistance of data passing through the semiconductor substrate. In order to eliminate the electrical loss caused by the contact with the ion region formed on the semiconductor substrate.
상기 각각의 구조물은 트랜지스터의 전기적 특성에 대한 개선과 데이타의 손실을 방지하려고 이온주입 장치를 이용하여 반도체 기판에 이온영역을 형성한다.Each of these structures forms an ion region in the semiconductor substrate using an ion implantation device to prevent the loss of data and the improvement of the electrical characteristics of the transistor.
또한, 상기 이온영역은 이온주입 장치의 소오스헤드의 아크 챔버안에 주입되는 이온가스와 아크챔버 안의 필라멘트에서 방사되는 열전자의 충돌로 생긴 이온화된 가스를 반도체 기판에 주입하여 형성한다.In addition, the ion region is formed by injecting an ionized gas generated by the collision of ionic gas injected into the arc chamber of the source head of the ion implantation device and hot electrons emitted from the filament in the arc chamber to the semiconductor substrate.
그러나, 아크챔버의 이온화된 가스는 형성과정에서 아크챔버 하부의 이온가스유입구 주변과 상기 리펠러와 캐소드가 부착되는 펜스 이외의 펜스를 부식또는 식각을 시켜서 아크챔버에 손상을 준다.However, the ionized gas of the arc chamber damages the arc chamber by corroding or etching a fence other than the ion gas inlet around the lower part of the arc chamber and the fence to which the repeller and the cathode are attached.
상기 이온화된 가스에 의한 손상은 아크챔버의 교체 주기를 비 정규적으로 생기게하며, 아크챔버의 교체시에는 아크챔버의 본체가 일체형으로 형성되어서 아크챔버 본체를 모두 바꾸어야 하기 때문에 이온주입장비의 유지비용이 많이 든다.Damage caused by the ionized gas causes an irregular replacement cycle of the arc chamber, and when the arc chamber is replaced, the main body of the arc chamber is integrally formed so that all the arc chamber bodies need to be replaced. It costs a lot
또한, 아크챔버의 주변에 연결구와의 조립과 조립 후의 아크챔버에 재 진공으로 소요되는 시간이 크다는 문제점이 있다.In addition, there is a problem that the time required for re-vacuum to the arc chamber after assembly and assembly with the connector around the arc chamber is large.
본 발명은 상기 문제점을 해소하고자 창출한 것으로서, 본 발명의 목적은 아크챔버의 바닥부재, 측면부재, 캐소드삽입부, 리플렉터삽입부, 하부베이스 등을 분리형으로 제작하여 각각의 부재에 형성된 가이드베인과 가이드대에 의해 결합이 이루어지며, 특정부위가 플라즈마로 인해 파이거나 부식되므로 특정부위의 부재만을 교체할 수 있는 반도체 플라즈마발생 아크챔버의 구조를 제공하는데 목적이 있다. The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a guide vane formed on each member by separately manufacturing a bottom member, a side member, a cathode insertion portion, a reflector insertion portion, a lower base, etc. of an arc chamber. It is an object of the present invention to provide a structure of a semiconductor plasma generating arc chamber in which the coupling is made by the guide, and the specific part is replaced by the plasma or corroded by the plasma so that only the member of the specific part can be replaced.
상기와 같은 과제를 해결하기 위한 본 발명은 플라즈마 발생 아크챔버에 있어서, 플라즈마가 발생되는 상부면에 홈이 형성되고, 홈의 일측에 이온가스가 유입되는 홀이 형성되며, 상기 홈의 외주면에 가이드베인이 형성되어 이루어진 바닥부재와; 상기 바닥부재의 홈에 안치될 수 있도록 하부면에 돌출결합부가 형성되되, 상기 이온가스가 유입되는 홀에 대응되는 홀이 형성된 분리형 하부베이스와; 상기 하부베이스의 상부면에 대향되어 한쌍으로 형성되며, 상기 하부베이스의 상부면 가이드베인의 길이방향으로 대응되도록 하단부에 돌출가이드대가 형성되며, 상기 대향되는 각각의 내측면 양측에 한쌍의 측면 가이드베인이 형성된 한쌍의 측면부재와; 상기 한쌍의 측면부재의 가이드베인에 결합될 수 있도록 하측에 돌출가이드대가 형성되고, 상기 캐소드가 결합될 수 있도록 홀이 형성된 캐소드 삽입부와; 상기 캐소드 삽입부와 대향되도록 형성되어 상기 캐소드 삽입부와 동일한 돌출가이드대가 형성되며, 상기 한쌍의 측면부재의 가이드베인과 바닥부재의 가이드베인에 대응되어 결합되는 리플렉터 삽입부;를 포함하여 구성되며, 상기 바닥부재의 홈의 외주면에 형성된 가이드베인의 외측으로 상부커버의 스프링에 의한 고정을 위해 스프링로드가 삽입되는 복수개의 홀이 형성되고, 측면부재의 상부면에 상부커버의 임시고정을 위한 고정핀이 삽입되는 홈이 형성되는 것을 특징으로 한다.In the present invention for solving the above problems, in the plasma generating arc chamber, a groove is formed in the upper surface where the plasma is generated, a hole in which ion gas is introduced into one side of the groove is formed, the guide on the outer peripheral surface of the groove A bottom member formed with vanes; A detachable lower base having a protruding coupling portion formed at a lower surface thereof so as to be placed in a groove of the bottom member, and having a hole corresponding to a hole into which the ion gas is introduced; A pair of side guide vanes is formed to face the upper surface of the lower base, and a pair of protrusion guides is formed at the lower end so as to correspond in the longitudinal direction of the upper surface guide vane of the lower base. A pair of side members formed; A cathode insertion portion formed at a lower side thereof so as to be coupled to the guide vanes of the pair of side members, and having a hole formed therein so that the cathode can be coupled; It is formed so as to face the cathode insertion portion is formed with the same guide guide protrusion and the cathode insertion portion, the reflector insertion portion coupled to correspond to the guide vane of the pair of side members and the guide vane of the bottom member; A plurality of holes in which the spring rod is inserted for fixing by the spring of the upper cover is formed to the outside of the guide vane formed on the outer circumferential surface of the groove of the bottom member, the fixing pin for temporary fixing of the upper cover on the upper surface of the side member The groove is inserted is formed.
이와 같은 특징을 갖는 본 발명은 그에 따른 바람직한 실시예를 통해 보다 명확히 설명될 수 있을 것이다. 이하에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면에 의거하여 상세히 설명하도록 한다.The present invention having such a feature will be more clearly described through the preferred embodiment accordingly. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 제 1실시예에 따른 반도체 플라즈마발생 아크챔버의 구조를 나타낸 분해도이며, 도 2는 본 발명의 제 1실시예에 따른 바닥부재의 정면도이고, 도 3은 본 발명의 제 1실시예에 따른 하부베이스의 저면도이며, 도 4는 A-A의 단면도이다.1 is an exploded view showing a structure of a semiconductor plasma generating arc chamber according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a front view of a bottom member according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a first view of the present invention. Bottom view of a lower base according to an embodiment, and FIG. 4 is a cross-sectional view of AA.
바닥부재(10)와, 하부베이스(20)와, 한쌍의 측면부재(30,30')와, 캐소드삽입부(40)와, 리플렉터삽입부(50)를 포함하여 구성된 반도체 플라즈마발생 아크챔버의 구조에 있어서, 상기 바닥부재(10)는 직사각형 형태의 모든 모서리가 라운딩 처리되며, 상부면에 직사각형을 이루는 가이드베인(11,11',12,12')이 형성되고, 상기 가이드베인(11,11',12,12')의 내측으로 일정간격 이격되어 상기 하부베이스(20)가 결합될 수 있도록 홈(14)이 형성된다. A semiconductor plasma generating arc chamber comprising a
여기서, 상기 홈(14)의 일측면에는 외부로부터 이온가스가 유입될 수 있도록 이온가스 유입홀(13)이 형성되며, 상기 가이드베인(11,11',12,12')은 1가이드베인(11,11')과 2가이드베인(12,12')으로 나뉘게 되는데 상기 1가이드베인(11,11')은 내측에 홈(14)의 외측으로 한쌍이 바닥부재(10)의 길이방향으로 양끝단부까지 형성된다.Here, an ion
또한, 상기 2가이드베인(12,12')은 홈(14)의 외측으로 한쌍이 형성되며, 상기 하부베이스(20)가 안치될 수 있도록 상기 1가이드베인(11.11')과 2가드베인(12,12')이 교차되면서 내측으로 공간이 형성되고, 상기 1가이드베인(11,11')과 교차되는 방향으로 1가이드베인(11,11')의 사이에 형성되며, 상기 1가이드베인(11,11')과 2가이드베인(12,12')은 교차되어 내측이 직사각형을 이루게 된다.In addition, the two
상기 하부베이스(20)는 플라즈마 발생에 의해 부식이 많은 바닥면에 안치되는 것으로서, 상기 바닥부재(10)의 상부면에 형성된 홈(14)과 대응되는 하부면에 돌출된 결합부(21)가 형성되며, 상기 돌출된 결합부(21)가 홈(14)에 결합되어 충격에 의한 흔들림을 방지할 수 있으며, 일측면에 상기 바닥부재(10)의 이온가스 유입홀(13)에 대응되는 홀(22)이 형성된다.The
상기 한쌍의 측면부재(30,30')는 바닥부재(10)의 상부면에 형성된 1가이드베인(11,11')에 대응되도록 돌출가이드대(34,34')가 1가이드베인(11,11')의 길이방향으로 하부면에 형성되며, 상기 측면부재(30,30')가 1가이드베인(11,11')에 결합됨으로 충격에 의한 흔들림을 방지할 수 있고, 한쌍의 측면부재(30,30')의 내측면이 상호대향되어 각각의 1가이드베인(11,11')에 결합되며, 상기 대향되는 내측면에 후술될 캐소드삽입부(41)의 돌출가이드대(41)가 결합될 수 있도록 결합시 상기 바닥부재(10)의 상부면에 형성된 2가이드베인(12,12')과 연결되는 3가이드베인(31,31')이 형성된다.The pair of
또한, 상기 측면부재(30,30')의 3가이드베인(31,31')과 동일한 면에 형성되는 4가이드베인(32,32')은 후술될 리플렉터삽입부(50)가 결합되며, 상기 3가이드베인(31,31')과 일정간격을 두고 형성되어 결합시 2가이드베인(12,12')과 연결된다.In addition, the four
상기 한쌍의 측면부재(30,30') 중 한쪽의 측면부재(30)의 상부면에 커버의 임시고정을 위해 고정핀으로 고정시킬 수 있도록 고정핀 결합홈(33,33')이 형성되며, 상기 측면부재(30,30')의 외측면에 돌출된 지지부(35,35')가 형성되어 바닥부재(10)에 결합시 지지부(35,35')의 하부면이 바닥부재(10)의 상부면에 안착되어 상기 측면부재(30,30')가 바닥부재(10)에 보다 견고하게 고정이 이루어진다.Fixing
상기 캐소드삽입부(40)는 중앙에 캐소드가 삽입될 수 있도록 중앙에 홀이 형 성되며, 외주면에 상기 2가이드베인(12,12')과 3가이드베인(31,31')에 결합될 수 있도록 돌출가이드대(41)가 형성되며, 상기 한쌍의 측면부재(30,30')가 대향되는 사이에 끼워지고, 상기 캐소드삽입부(40)의 양측면부에 상기 3가이드베인(31,31')에 결합되는 돌출가이드대(41)가 형성되며, 상기 3가이드베인(31,31')에 결합될 수 있도록 캐소드삽입부(40)의 하부면에도 상기 돌출가이드대(41)가 이어진다. The
상기 리플렉터삽입부(50)는 중앙에 리플렉트가 삽입되는 홀이 형성되며, 상기 캐소드삽입부(40)에 비해 두께가 얇고, 상기 측면부재(30,30')의 일측에 형성된 4가이드베인(32,32')에 결합될 수 있도록 양측면에 돌출가이드대(51)가 형성되고, 보다 견고한 고정을 위해 하부면에도 상기 돌출가이드대(51)가 이어져 2가이드대(12,12')에 결합된다.The
이렇게, 결합된 플라즈마발생 아크챔버의 구조를 살펴보면 결합된 상부면은 수평을 이루며, 바닥부재(10)의 상부면 1가이드베인(11,11') 외측으로 커버를 고정하기 위한 스프링로드가 결합될 수 있도록 스프링로드결합홀(15)이 1가이드베인(11,11')의 각각의 양끝단부에 형성되며, 상기 바닥부재(10)에 결합되는 측면부재(30,30')가 결합되는 외측으로 상대물에 고정을 위한 다수개의 홀이 형성된다.Thus, looking at the structure of the combined plasma generating arc chamber is coupled to the top surface is horizontal, the spring rod for fixing the cover to the outside of the top guide vane (11, 11 ') of the top surface of the
또한, 상기 바닥부재(10)의 가이드베인(11,11',12,12')에 의해 결합되는 측면부재(30,30')나, 캐소드삽입부(40), 리플렉트삽입부(50)의 경우 각각의 가이드베인(11,11,12,12',31,31',32,32')에 결합될 수 있도록 돌출가이드대(41,51,34,34')가 형성되어 플라즈마에 의해 발생되는 열이 외부로 방출되는 것을 방지하며, 각각의 부재가 서로 맞물려 고정되기 때문에 보다 견고한 고정이 이루어질 수 있다.In addition, the
상기 측면부재(30,30')의 의 대향되는 면의 타측면은 외측으로 돌출되어 바닥부재(10)의 외주면에 밀착됨으로 측면부재(30,30')의 견고한 고정이 이루어진다. The other side of the opposite surface of the side members (30, 30 ') is protruded to the outside is in close contact with the outer circumferential surface of the
이러한, 모든부재는 텅스텐이나 몰리브로 제작되어 제작단가와 비중이 매우 크다.All of these members are made of tungsten or molybdenum and the manufacturing cost and specific gravity are very high.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명은 각각의 부재를 분리형으로 제작하여 내측에서 발생되는 플라즈마 반응에 의해 부식되는 부재만을 분리하여 교체할 수 있고, 일체형으로 제작하는 것에 비해 불량발생이 적기 때문에 고가의 텅스텐 재질로 형성된 일체형의 아크챔버에 비해 유지보수비가 절감되는 효과를 갖는다. As described above, in the present invention, each member is manufactured in a separate type, and only the member that is corroded by the plasma reaction generated inside can be separated and replaced, and expensive tungsten is produced because the defect is less than that of the integral type. Compared with the integrated arc chamber formed of the material, the maintenance cost is reduced.
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Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20020084445A (en) * | 2001-05-02 | 2002-11-09 | 삼성전자 주식회사 | Analyzer chamber of ion implanting apparatus |
KR20040045187A (en) * | 2002-11-22 | 2004-06-01 | 삼성전자주식회사 | A arc chamber with a couple of body in a source head at an ion implantation machine |
KR20060032252A (en) * | 2004-10-11 | 2006-04-17 | 이우호 | Ion formation chamber |
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2007
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20020084445A (en) * | 2001-05-02 | 2002-11-09 | 삼성전자 주식회사 | Analyzer chamber of ion implanting apparatus |
KR20040045187A (en) * | 2002-11-22 | 2004-06-01 | 삼성전자주식회사 | A arc chamber with a couple of body in a source head at an ion implantation machine |
KR20060032252A (en) * | 2004-10-11 | 2006-04-17 | 이우호 | Ion formation chamber |
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