KR100752149B1 - Photo-sensitivity polymer layer, dry film, method for forming circuit lines, and printed circuit board formed thereby - Google Patents
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Abstract
Description
도 1은 일반적인 방법에 따른 에칭단계를 나타내는 흐름도;1 is a flow chart showing an etching step according to a general method;
도 2는 일반적인 방법에 따른 에칭 범위를 나타내는 모식도;2 is a schematic diagram showing an etching range according to a general method;
도 3은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 에칭단계를 나타내는 흐름도;3 is a flowchart showing an etching step according to a preferred embodiment of the present invention;
도 4는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 에칭 범위를 나타내는 모식도;4 is a schematic diagram showing an etching range according to a preferred embodiment of the present invention;
도 5는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 드라이 필름의 단면도;5 is a cross-sectional view of a dry film according to an embodiment of the present invention;
도 6는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 반광중합층을 나타내는 단면도; 및6 is a cross-sectional view showing a semi-light-curing layer according to an embodiment of the present invention; And
도 7은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 회로 배선의 형성방법을 나타내는 흐름도이다.7 is a flowchart illustrating a method of forming a circuit wiring according to an exemplary embodiment of the present invention.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for main parts of the drawings>
30 : 감광성 고분자층 31 : 광중합층30
32 : 반광중합층 33 : 보호층 32: semi-light polymerization layer 33: protective layer
34 : 지지체층 321 : 광중합부34
323 : 비광중합부 40 : 도전층323: non-light-curing portion 40: conductive layer
50 : 마스크50: mask
본 발명은 포토레지스트로 사용될 수 있는 감광성 고분자층, 이 감광성 고분자층을 포함하는 드라이 필름, 이 드라이 필름을 이용한 회로 배선의 형성방법, 및 이에 의하여 형성되는 회로 배선을 포함하는 기판에 관한 것이다. 특히 서브트랙티브(substractive) 공법에 의하여 회로 배선을 형성하는데 사용될 수 있는 감광성 고분자층, 드라이 필름에 관한 것이다.The present invention relates to a photosensitive polymer layer that can be used as a photoresist, a dry film comprising the photosensitive polymer layer, a method of forming a circuit wiring using the dry film, and a substrate including the circuit wiring formed thereby. In particular, it relates to a photosensitive polymer layer, a dry film that can be used to form circuit wiring by a substractive method.
종래 다층 인쇄회로기판은 동박적층판(CCL) 등의 도전층을 포함하는 코어기판의 표면에 애디티브(additive) 공법 또는 서브트랙티브(subtractive) 공법 등을 적용하여 내층회로를 형성하고, 절연층 및 금속층을 순차적으로 적층(build-up)하면서 내층회로와 같은 방법으로 외층회로를 형성함으로써 제조된다.In the conventional multilayer printed circuit board, an inner layer circuit is formed by applying an additive method or a subtractive method to the surface of a core substrate including a conductive layer such as a copper clad laminate (CCL), and an insulating layer and It is manufactured by forming an outer layer circuit in the same manner as an inner layer circuit while sequentially building up a metal layer.
이 중 서브트랙티브 공법에 의하여 내층회로를 형성하는 방법은 이미징 공정과 같은 전처리 공정을 거친 도전층 상에 포토레지스트를 적층하고, 이 포토레지스트 상에 배선 패턴이 인쇄된 워크 필름을 밀착시킨다. 노광 및 현상공정을 통하여 회로 패턴에 해당하는 부분을 제외한 부분을 에칭하여 제거하여, 기판을 에칭하여 내층 회로를 형성한다. 포토레지스트를 제거하고 회로 배선을 완성하면 최종적으로 오픈이나 슬릿 등의 품질관련 회로검사 공정을 거친다. In the method of forming an inner layer circuit by the subtractive method, a photoresist is laminated on a conductive layer that has undergone a pretreatment step such as an imaging process, and the work film on which the wiring pattern is printed is brought into close contact with the photoresist. Through the exposure and development processes, portions other than those corresponding to the circuit pattern are etched and removed, and the substrate is etched to form an inner layer circuit. When the photoresist is removed and the circuit wiring is completed, quality-related circuit inspection processes such as open or slits are finally performed.
종래와 같은 방법에 의하여 배선을 형성하면 수용성 에칭액이 전방향으로 에칭되기 때문에 사이드 에칭이 발생되어 회로의 회로 배선의 폭이 감소하여 배선간의 간격은 증가하는 문제점이 있다. 이에 따라 회로형성 폭의 한계가 존재하고 현실적으로 30㎛이하의 폭을 가지는 회로 배선은 형성할 수 없는 한계가 있다. 따라서 고기능, 고밀도, 소량화가 요구되는 전자제품을 제조하기 위하여 미세한 회로 배선을 형성하기 위한 다른 장비나 고가의 설비가 요구되어야 하는 문제가 있다. 또한 형성된 회로 배선의 단면을 살펴보면 상부폭은 좁고 하부폭은 넓은 사다리꼴 형태의 회로 배선이 형성되는데, 이러한 형태의 회로 배선은 회로 단면적을 감소시켜 회로 배선이 주파수 특성 및 시그널 전달 효율을 악화시키는 원인이 되어 바람직하지 않다.When the wiring is formed by the conventional method, since the water-soluble etching solution is etched in all directions, side etching occurs, thereby reducing the width of the circuit wiring of the circuit and increasing the spacing between the wirings. Accordingly, there is a limit in the width of the circuit formation, and there is a limit in that circuit wiring having a width of 30 μm or less cannot be formed. Therefore, there is a problem that other equipment or expensive equipment for forming fine circuit wiring is required in order to manufacture electronic products requiring high function, high density, and small amount. In addition, when looking at the cross section of the formed circuit wiring, a trapezoidal circuit wiring having a narrow upper width and a wider lower width is formed. This type of circuit wiring reduces the circuit cross-sectional area, causing the circuit wiring to deteriorate frequency characteristics and signal transmission efficiency. Not preferred.
본 발명은 위와 같은 문제를 해결하기 위하여 비광중합부를 포함하여 노광 및 현상공정에서 제거되는 부분에 있어서도 비광합부가 잔존할 수 있도록 하는 감광성 고분자층 및 드라이 필름을 제공한다. The present invention provides a photosensitive polymer layer and a dry film, such that the non-photosynthesis may remain in the portion removed in the exposure and development process, including the non-photopolymerization to solve the above problems.
또한, 본 발명은 잔존하는 비광합부로 인하여 에칭의 수직방향성을 향상시켜 미세하면서도 상부 폭과 하부 폭의 차이가 적은 회로 배선을 형성하는 방법 및 이에 의하여 형성된 미세 회로 배선을 포함하는 인쇄회로기판을 제공한다.The present invention also provides a printed circuit board including a fine circuit wiring formed thereby and a method of forming a circuit wiring having a fine but small difference between an upper width and a lower width by improving the vertical direction of etching due to the remaining non-photosynthetic portion. do.
또한, 본 발명은 종래의 서브트랙티브 공법에 의해서는 형성하기 곤란하였던 30㎛이하의 회로 배선 간의 간격을 가져, 회로 배선의 폭/회로 배선 간의 간격이 30/30이하의 미세 회로 배선을 형성하는 방법 및 이러한 미세 회로 배선을 포함하는 인쇄회로기판을 제공한다.In addition, the present invention has a spacing between circuit wirings of 30 µm or less, which is difficult to form by a conventional subtractive method, and forms a fine circuit wiring of 30/30 or less in the width of the circuit wiring / the spacing between the circuit wirings. A method and a printed circuit board including such fine circuit wiring are provided.
또한, 본 발명은 미세 회로 배선을 형성할 수 있어 회로 배선의 주파수 특성이 증가하여 시그널 전달 효율을 향상시킬 수 있고, 추가 설비가 불필요하고, 기존 라인과 기존 공법을 사용할 수 있는 회로 배선을 형성하는 방법 및 이러한 회로 배선을 포함하는 인쇄회로기판을 제공한다.In addition, the present invention can form a fine circuit wiring to increase the frequency characteristics of the circuit wiring to improve the signal transmission efficiency, to eliminate the need for additional equipment, to form a circuit wiring that can use the existing line and the existing method A method and a printed circuit board including such circuit wiring are provided.
본 발명의 일 측면에 따르면, 상기 감광성 고분자층은 광중합층과 반광중합층을 포함하되, 상기 광중합층은 고분자 결합제; 광이 조사되면 상기 고분자 결합제의 광 흡수율이 저조한 파장 대에서 화학적 활성을 부여하는 광개시제; 및 상기 광이 조사되면 상기 고분자 결합제들을 결합시키는 광중합성 단량체를 포함하는 층이고, 상기 반광중합층은 광중합부와 비광중합부를 포함하고, 상기 광중합부는 상기 고분자 결합제; 상기 광개시제; 및 상기 광중합성 단량체를 포함하고, 상기 비광중합부는 상기 고분자 결합제; 및 상기 광중합단량체를 포함하는 감광성 고분자층을 제시할 수 있다.According to one aspect of the invention, the photosensitive polymer layer comprises a photopolymerization layer and a semi-photopolymerization layer, the photopolymerization layer is a polymer binder; A photoinitiator which, when irradiated with light, imparts chemical activity in a wavelength band where the light absorption of the polymer binder is low; And a photopolymerizable monomer that bonds the polymer binders when the light is irradiated, wherein the semi-photopolymerization layer includes a photopolymerization unit and a non-photopolymerization unit, and the photopolymerization unit comprises: the polymer binder; The photoinitiator; And the photopolymerizable monomer, wherein the non-photopolymerizable portion is the polymer binder; And it can present a photosensitive polymer layer comprising the photopolymerization monomer.
여기서, 상기 광중합부와 상기 비광중합부는 교호(交互)적으로 배치될 수 있다. Here, the photopolymerization unit and the non-photopolymerization unit may be alternately arranged.
또한, 여기서 상기 반광중합층의 두께는 상기 광중합층의 두께의 0.1 내지 10배일 수 있고, 감광성 고분자층의 두께가 5 내지 100㎛일 수 있고, 반광중합층의 두께가 0.45 내지 91㎛일 수 있다. In addition, the thickness of the semi-light polymerization layer may be 0.1 to 10 times the thickness of the photopolymerization layer, the thickness of the photosensitive polymer layer may be 5 to 100㎛, the thickness of the semi-light polymerization layer may be 0.45 to 91㎛. .
본 발명의 다른 측면에 따르면, 상술한 감광성 고분자층, 지지체층 및 보호층을 포함하는 드라이 필름을 제시할 수 있다.According to another aspect of the present invention, it is possible to provide a dry film including the photosensitive polymer layer, the support layer and the protective layer described above.
여기서, 상기 광중합부와 상기 비광중합부는 교호(交互)적으로 배치될 수 있다. Here, the photopolymerization unit and the non-photopolymerization unit may be alternately arranged.
또한, 여기서 상기 반광중합층의 두께는 상기 광중합층의 두께의 0.1 내지 10배일 수 있고, 감광성 고분자층의 두께가 5 내지 100㎛일 수 있고, 반광중합층의 두께가 0.45 내지 91㎛일 수 있다. In addition, the thickness of the semi-light polymerization layer may be 0.1 to 10 times the thickness of the photopolymerization layer, the thickness of the photosensitive polymer layer may be 5 to 100㎛, the thickness of the semi-light polymerization layer may be 0.45 to 91㎛. .
본 발명의 또 다른 측면에 따르면, (a) 상기 드라이 필름을 도전층을 포함하는 기판 상에 적층하는 단계; (b) 노광 및 현상에 의하여 배선 패턴에 상응하도록 상기 드라이 필름의 일부를 제거하는 단계; 및 (c) 상기 드라이 필름의 일부가 제거되어 노출된 도전층을 에칭하여 제거하는 단계를 포함하는 회로 배선의 형성방법을 제시할 수 있다.According to another aspect of the invention, (a) laminating the dry film on a substrate including a conductive layer; (b) removing a portion of the dry film to correspond to the wiring pattern by exposure and development; And (c) etching and removing the exposed conductive layer by removing a portion of the dry film.
여기서, 상기 단계 (b)에 있어서, 상기 제거된 드라이 필름의 일부에 포함되는 상기 비광중합부는 제거되지 않고 상기 도전층 상에 잔존할 수 있고, 30㎛이하의 상기 회로 배선 간의 간격을 가지는 미세 회로 배선을 형성할 수 있다. Here, in the step (b), the non-photopolymerization part included in the part of the removed dry film may remain on the conductive layer without being removed, and have a fine circuit having a spacing between the circuit wirings of 30 μm or less. Wiring can be formed.
본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 상술한 회로 배선의 형성방법에 의하여 형성된 미세 회로 배선을 포함하는 인쇄회로기판을 제시할 수 있다. 여기서 10 내 지 30㎛의 상기 미세 회로 배선 간의 간격을 가질 수 있다.According to another aspect of the present invention, it is possible to provide a printed circuit board including the fine circuit wiring formed by the above-described method of forming the circuit wiring. Here, the spacing between the fine circuit wirings may be 10 to 30 μm.
이하, 본 발명에 따른 감광성 고분자층, 이 감광성 고분자층을 포함하는 드라이 필름, 이 드라이 필름을 이용한 회로 배선의 형성방법, 및 이에 의하여 형성되는 회로 배선을 포함하는 인쇄회로기판의 바람직한 실시예들을 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다. 또한, 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기에 앞서 도전층의 에칭 시 에칭액의 거동에 대해서 먼저 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of a photosensitive polymer layer according to the present invention, a dry film including the photosensitive polymer layer, a method of forming circuit wiring using the dry film, and a circuit wiring formed thereby are provided. It will be described in detail with reference to the drawings. In addition, before describing preferred embodiments of the present invention in detail, the behavior of the etchant during the etching of the conductive layer will be described first.
도 1은 일반적인 방법에 따른 에칭단계를 나타내는 흐름도이다. 도 1을 참조하면, 도전층(10) 상에 배선패턴에 따라 포토레지스트(13)를 형성 한 후 에칭액으로 도전층(10)을 처리하는 단계를 나타낸다. 일반적으로 습식 에칭 공정에서 수용성 에칭액의 특성상 전(全)방향으로 에칭이 이루어진다. 따라서 도 1의 (b)와 같이 에칭액은 목표로 하는 수직방향의 에칭과 함께 좌우로도 에칭을 일으키게 되고, 포토레지스트(13)의 저면에서도 과에칭이 일어나게 된다. 또한 도 1의 (c)와 같이 도전층의 상부 폭과 하부 폭 간의 차이가 에칭 정도에 따라 커지면서 형성되는 회로 배선의 단면이 사다리꼴 모양이 된다. 이러한 바람직하지 않은 회로 배선의 단면모양으로 인하여 회로의 주파수 특성 및 시그널 전달효율은 감소하고, 회로형성과 관련된 인자의 조절이 힘들어 예상치 않은 과에칭이나 미에칭의 문제를 일으키게 된다. 1 is a flowchart illustrating an etching step according to a general method. Referring to FIG. 1, after the
도 2는 일반적인 방법에 따른 에칭 범위를 나타내는 모식도이다. 도 2를 참 조하면, 에칭이 시작되면 반경 r1인 원모양으로 에칭이 시작된다. 여기서 r1은 현상 후 에칭 전의 포토레지스트 간의 간격을 말한다. 에칭이 진행되면 에칭액이 전방향으로 이동하여 최대 반경 r2인 원모양으로 에칭이 계속된다. 여기서 r2는 에칭이 진행됨에 따라 실제 사이드 에칭되는 반경을 나타낸 것으로 설비 조업시 에칭의 표준이 되고, 컨베이어 속도별로 레그(Leg)를 진행하면 쉽게 찾을 수 있는 값이다. L1은 에칭 전의 예상되는 회로 배선의 상부 면의 폭이고, L2는 에칭 후의 회로 배선의 이론상 최소 상부면 폭이며, Z는 에칭 전과 후의 회로 배선의 상부 면의 변화량, 즉 L1-L2의 값과 같고, 이는 r2-r1의 값과도 이론상 일치한다. 2 is a schematic diagram showing an etching range according to a general method. Referring to FIG. 2, when etching starts, etching starts in a circle having a radius r 1 . Here, r 1 refers to the interval between photoresists after development and before etching. As the etching proceeds, the etching liquid moves in all directions and the etching continues in a circle having a maximum radius r 2 . Here, r 2 represents the radius of actual side etching as the etching progresses, which is a standard for etching during equipment operation, and is a value easily found by performing legs by conveyor speed. L 1 is the expected width of the upper surface of the circuit wiring before etching, L 2 is the theoretical minimum upper surface width of the circuit wiring after etching, and Z is the amount of change of the upper surface of the circuit wiring before and after etching, that is, L 1 -L 2 Equivalent to, which theoretically agrees with the value of r 2 -r 1 .
그러나 본 발명에 있어서는 비광중합부가 노광 및 현상 후에도 잔존하여 에칭 의 수직방향성을 향상시켜 미세 회로 배선이 형성될 수 있다. 도 3은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 에칭단계를 나타내는 흐름도이다. 도 3의 (a)와 같이 도전층(40) 상에 포토레지스트로 본 발명의 감광성 고분자층(30)을 노광 및 현상을 통하여 소망하는 배선패턴에 상응하도록 일부를 제거한다. 본 발명의 감광성 고분자층(30)은 광중합층(31)과 반광중합층(32)으로 나뉘고, 반광중합층(32)은 다시 광중합부)와 비광중합부로 나뉘어 있다. 노광 및 현상에 의하여 제거된 부분은 도전층(40)의 상면이 노출되고, 여기에 비광중합부는 제거되지 않고 잔존하게 된다. 따라서 에칭 시 도전층이 노출된 부분에서 먼저 선택적으로 에칭이 일어나고 비광중합부가 잔존하는 부분은 나중에 에칭된다. 도 3의 (b) 및 (c)와 같이 에칭이 진행 되면 에칭액의 수직방향성이 향상되어, 좌우로 적게 퍼지면서 에칭이 된다. 도 3의 (d)와 같이 최종적으로 형성되는 회로 배선은 상부 폭과 하부 폭의 차가 적고 직사각형에 가까운 단면을 가지게 된다. 이에 따라 회로 배선 간의 폭을 줄일 수 있어 미세 회로 배선을 형성할 수 있으며, 바람직한 회로 배선의 단면모양으로 인하여 회로의 주파수 특성 및 시그널 전달효율은 증가하고, 회로형성 관련된 인자의 예측 및 조절이 용이하여 과에칭이나 미에칭의 문제가 적다.However, in the present invention, the non-photopolymerization part remains after exposure and development, thereby improving the vertical direction of etching, and thus, fine circuit wiring can be formed. 3 is a flowchart illustrating an etching step according to an exemplary embodiment of the present invention. As shown in FIG. 3A, a portion of the
도 4는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 에칭 범위를 나타내는 모식도이다. 도 4를 참조하면 에칭이 시작되면 반경 R1인 원모양으로 에칭이 시작된다. 여기서 R1은 현상 후 에칭 전의 비광중합부 간의 간격 또는 비광중합부와 노광되지 않은 부분과의 간격을 말한다. 에칭이 진행되면 에칭액이 전방향으로 이동하여 최대 반경 R2인 원모양으로 에칭이 계속된다. 여기서 R2는 에칭이 진행됨에 따라 실제 사이드 에칭이 되는 반경을 나타내는 것으로 설비 조업 시 에칭의 표준이 되고, 컨베이어 속도별로 레그(Leg)를 진행하면 쉽게 찾을 수 있는 값이다. M1은 에칭 전의 예상되는 회로 배선의 상부 면의 폭이고, M2는 에칭 후의 회로 배선의 이론상 최소 상부면 폭이며, Y는 에칭 전과 후의 회로 배선의 상부 면의 변화량, 즉 M1-M2의 값과 같고, 이는 R2-R1의 값과도 이론상 일치한다. 4 is a schematic diagram showing an etching range according to a preferred embodiment of the present invention. Referring to FIG. 4, when etching starts, etching starts in a circle having a radius R 1 . Here, R 1 refers to the interval between the non-light-cured portion or the non-light-cured portion and the unexposed portion after the development. As the etching proceeds, the etching liquid moves in all directions to continue etching in a circular shape having a maximum radius R 2 . Here, R 2 represents the radius of actual side etching as the etching progresses, which is a standard for etching during equipment operation, and is easily found by performing legs by conveyor speed. M 1 is the expected width of the upper surface of the circuit wiring before etching, M 2 is the theoretical minimum upper surface width of the circuit wiring after etching, and Y is the amount of change of the upper surface of the circuit wiring before and after etching, that is, M 1 -M 2 Is the same as, and theoretically agrees with the value of R 2 -R 1 .
이상에서 에칭액의 거동을 일반적으로 도시한 도면을 참조하여 설명하였으 며, 이하에서는 본 발명에 따른 감광성 고분자층, 드라이 필름, 회로 배선의 형성방법 및 이에 의하여 형성되는 인쇄회로기판에 대하여 설명하기로 한다.The behavior of the etchant has been described with reference to the drawings, which are generally illustrated. Hereinafter, a method of forming a photosensitive polymer layer, a dry film, a circuit wiring according to the present invention, and a printed circuit board formed thereby will be described. .
도 5는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 드라이 필름의 단면도이고, 도 6는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 반광중합층을 나타내는 단면도이다. 도 5를 참조하면, 드라이 필름은 감광성 고분자층(30), 폴리에스테르 등과 같은 재질로 이루어진 보호층(33), 폴리에틸렌 등과 같은 재질로 이루어진 지지체층(34)을 포함한다. 감광성 고분자층은 광중합층(31)과 반광중합층(32)를 포함한다. 도 6을 참조하면, 반광중합층(32)은 다시 광중합부(321)와 비광중합부(323)로 나뉘고, 이들은 교호(交互)적으로 배치되어 있다. 여기서 광중합층(31)과 광중합부(321)은 서로 같거나 다른 통상적인, 예를 들면 고분자 결합제, 광개시제, 광중합 단량제 등을 포함하는 감광성 고분자 재로 이루어져 있다. 그러나 비광중합부(323)은 감광성을 나타내지 않도록 광개시제를 포함하지 않아, 외부의 일정한 파장을 가지는 빛에 의하여 중합하지 않는다. 따라서, 이 비광중합(323)는 추후에 노광 및 현상에 의하여 노광된 부분이 제거되더라도 도전층의 상부에 잔존하여 미세 인쇄배선을 형성하는데 기여하게 된다. 5 is a cross-sectional view of a dry film according to a preferred embodiment of the present invention, Figure 6 is a cross-sectional view showing a semi-light polymerization layer according to a preferred embodiment of the present invention. Referring to FIG. 5, the dry film includes a
드라이 필름에서 보호층(protect film 또는 cover film)(33)은 투과율과 정전기 등 중요 특성을 가지고 감광성 고분자층(30)을 보호하며, 지지체층(base film)(34)도 감광성 고분자층(30)을 보호하는 역할을 하며, 보호층은 포토레지스트를 형성하기 위하여 드라이 필름이 적층될 때 제거된다. In the dry film, a protective layer (protect film or cover film) 33 has important characteristics such as transmittance and static electricity to protect the
이러한 드라이 필름을 이용하여 도전층에 배선패턴에 따라 인쇄배선을 형성 하는 방법은 도 7의 (a)와 같이 도전층(40)에 포토 레지스트로 드라이 필름, 특히 감광성 고분자층(30)을 적층하고, 도 7의 (b)와 같이 감광성 고분자층(30)의 상부에 워크필름과 같은 소망하는 배선 패턴에 상응하는 패턴을 가지는 마스크(50)를 위치시킨다. 도 7의 (c)와 같이 자외선, X-선 또는 전자빔(EB) 등의 소정의 광으로 노광시킨 후, 마스크(50)를 제거하고, 통상적인 현상액, 예를 들면 알칼리 수용액으로 형상시키면 감광성 고분자층(30)의 일부가 제거된다. 여기서 노광된 부분이 현상에 의하여 용해시키는 경우를 포지티브 레지스트라하고, 반대로 노광된 부분이 잔존하고, 노광되지 않은 부분이 현상에 의하여 용해시키는 경우를 네거티브 레지스트라 한다. 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면 감광성 고분자층의 일부를 노광시켜 노광된 부분을 제거하면, 이 노광된 부분 중에 협지되어 있는 광중합을 일으키지 않는 부분(비광중합부, 323)을 잔존시킬 수 있으므로, 포지티브 레지스트로 실시하는 것이 바람직하다. In the method of forming printed wirings on the conductive layer by using the dry film according to the wiring pattern, a dry film, especially the
도 8의 (a)와 같이 통상적인 에칭액으로 도전층(40)을 선택적으로 에칭하기 시작하고, 도 8의 (b) 및 (c)와 같이 수직방향으로 도전층(40)의 에칭이 진행된다. 도 8의 (d)와 같이 단면이 정사각형에 가까운 회로 배선이 형성된다. As shown in (a) of FIG. 8, the
본 발명의 인쇄배선을 형성하는 방법에 따르면, 인쇄배선 간의 간격이 30㎛이하인 미세 회로 배선을 형성할 수 있고, 이를 포함하는 인쇄회로기판을 제공할 수 있다. According to the method of forming the printed wiring of the present invention, it is possible to form a fine circuit wiring with a spacing between the printed wiring is 30㎛ or less, it is possible to provide a printed circuit board comprising the same.
이상에서 일반적으로 도시한 도면을 참조하여 설명하였으며, 이하에서는 본 발명에 따른 감광성 고분자층과 드라이 필름에 대하여 구체적인 실시예를 기준으로 설명하기로 한다.The general description has been given above with reference to the accompanying drawings. Hereinafter, the photosensitive polymer layer and the dry film according to the present invention will be described with reference to specific examples.
1) 감광성 고분자층1) Photosensitive polymer layer
본 발명의 바람직한 실시예에 따른 감광성 고분자층은 광중합층과 반광중합층을 포함한다. 여기서 광중합층은 통상적인 포토레지스트와 같이 빛에 의하여 중합할 수 있는 물질로 구성되면 된다. 예를 들면, 고분자 결합제(polymer binder), 자외선, X선이나 전자빔 등의 소정의 광에 노광되면 고분자 결합제의 광 흡수율이 저조한 파장 대에서 화학적 활성을 부여하는 광개시제(initiator), 및 광이 조사되면 상기 고분자 결합제들을 결합시키는 광중합성 단량체(monomer)를 포함할 수 있다. 그러나 이에 제한되지 않고 당해 기술분야의 통상적인 범위 내에서 구성될 수 있음은 물론이다.The photosensitive polymer layer according to the preferred embodiment of the present invention includes a photopolymerization layer and a semi-photopolymerization layer. In this case, the photopolymerization layer may be made of a material which can be polymerized by light like a conventional photoresist. For example, when exposed to a predetermined light such as a polymer binder, ultraviolet rays, X-rays or electron beams, photoinitiators that impart chemical activity in a wavelength band where the light absorption of the polymer binder is low, and light are irradiated It may include a photopolymerizable monomer (monomer) for bonding the polymer binders. However, the present invention is not limited thereto and may be configured within the conventional scope of the art.
여기서 반광중합층은 다시 비광중합부와 광중합부로 나뉘며, 비광중합부의 주위를 광중합부가 채우는 것이 바람직하고, 이들이 서로 교호적으로 배치되는 것이 더 바람직하다. 광중합부는 통상적인 포토레지스트와 같이 빛에 의하여 중합할 수 있는 물질로 구성되면 된다. 예를 들면, 고분자 결합제(polymer binder), 광개시제(initiator), 및 광중합성 단량체(monomer)를 포함할 수 있다. 그러나 광중합부도 이에 제한되지 않고 당해 기술분야의 통상적인 범위 내에서 구성될 수 있음은 물론이다.Here, the semi-light-curing layer is further divided into a non-light-curing portion and a light-curing portion, and it is preferable that the photo-polymerizing portion fills the periphery of the non-light-polymerizing portion, and it is more preferable that they are alternately arranged. The photopolymerization part may be made of a material which can be polymerized by light, such as a conventional photoresist. For example, it may include a polymer binder, a photoinitiator, and a photopolymerizable monomer. However, the photopolymerization unit is not limited thereto and may be configured within a conventional range in the art.
비광중합부는 통상적인 포토레지스트의 구성에서 광개시제를 제외하고는 다 른 구성요소들은 제한 없이 사용될 수 있으며, 예를 들면 고분자 결합제 및 광중합단량체를 포함할 수 있다. 그러나 반드시 이에 제한되지 않는다. The non-photopolymerization part may be used without limitation other components except photoinitiators in the conventional photoresist composition, and may include, for example, a polymer binder and a photopolymerization monomer. However, it is not necessarily limited thereto.
또한, 비광중합부는 형성하고자 하는 회로 배선의 폭이 좁아질수록 반광중합층 내에서 차지하는 비율이 증가하고, 형성하고자 하는 회로 배선의 폭이 넓어질수록 반광중합층 내에서 차지하는 비율을 감소한다. 그러나 비광중합부는 회로 배선 간의 간격보다 넓은 폭을 가질 수 없다. 또한 형성하고자 하는 회로 배선의 폭이나 회로 배선 간의 간격 이외에도 전체 포토레지스트 또는 드라이 필름의 두께, 광중합층과 반광중합층이 차지하는 비율, 사용되는 에칭액의 성질, 예를 들면 에칭액의 산화도 등에 따라 반광중합층 내에서 비광중합부가 차지하는 비율이 결정될 수 있다. 이에 한정되는 것은 아니나 비광중합부는 광중합부에 대하여 0.001 내지 100의 폭의 비율로 포함될 수 있고, 광중합부에 대하여 0.00001 내지 10000의 부피비로 포함될 수 있다.In addition, as the width of the non-light-curing portion to be formed narrows, the proportion of the non-light-curing portion in the semi-light-curing layer increases. As the width of the non-light-curing portion is formed, the portion of the non-light-curing portion decreases. However, the non-light-curing portion cannot have a width wider than the distance between the circuit wirings. In addition to the width of the circuit wiring to be formed or the distance between the circuit wirings, the semi-photopolymerization depends on the thickness of the entire photoresist or dry film, the ratio of the photopolymerization layer and the semi-photopolymerization layer, the nature of the etching solution used, for example, the oxidation degree of the etching solution, and the like. The proportion of the non-light-curing portion in the layer can be determined. Although not limited thereto, the non-photopolymerization part may be included at a ratio of 0.001 to 100 with respect to the photopolymerization part, and may be included at a volume ratio of 0.00001 to 10000 with respect to the photopolymerization part.
여기서 광중합층과 광중합부는 동일한 구성을 할 수도 있고, 서로 다른 구성을 할 수도 있으며, 균일한 광화학적 반응을 위하여 서도 동일한 구성을 하는 것이 바람직하다. 또한, 광중합층 및 광중합부와 비광중합부가 광개시제를 제외한 다른 구성요소들이 동일할 수도 있고, 서로 다른 구성을 할 수도 있음은 물론이다.Here, the photopolymerization layer and the photopolymerization portion may have the same configuration, may have different configurations, and the same configuration is preferable for uniform photochemical reaction. In addition, the photopolymerization layer, the photopolymerization portion and the non-photopolymerization portion may be the same as other components except for the photoinitiator, it may be of course different configuration.
(1) 고분자 결합제(1) polymer binders
감광성 고분자 조성물의 기계적 강도의 텐딩성 및 접착성을 부여하기 위하여 사 용된다. 일반적으로 포지티브 레지스트에 사용되는 고분자 결합제의 예로는 메틸메타크릴레이트, 에킬메타크릴레이트, 프로필메타크릴레이트, 부틸메타크릴레이 트, 헥실메타크릴레이트, 2-에틸헥실메타크릴레이트, 사이클로헥실크릴레이트, 부틸아크릴크릴레이트, 이소부틸메타크릴레이트, 아틸아크릴레이트, 사이클로헥실아크릴레이트, 2-에틸헥실아크릴레이트, 하이드록시에틸메타크릴레이트, 하이드록시프로필메타크릴레이트, 글리시딜메타크릴레이트, 아크릴산, 메타크릴산, 모노아크릴산, 말레인산, 푸마르산, 스트렌, 하이드록시 스티렌, 아크릴로 니트릴, 비닐아세테이트 등이 포함되지만 본 발명의 범위가 이에 한정되지는 않는다. It is used to impart the tendency and adhesion of the mechanical strength of the photosensitive polymer composition. Examples of the polymer binders generally used in positive resists include methyl methacrylate, ethyl methacrylate, propyl methacrylate, butyl methacrylate, hexyl methacrylate, 2-ethylhexyl methacrylate, and cyclohexyl acrylate. , Butyl acrylate, isobutyl methacrylate, atyl acrylate, cyclohexyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate, hydroxyethyl methacrylate, hydroxypropyl methacrylate, glycidyl methacrylate, Acrylic acid, methacrylic acid, monoacrylic acid, maleic acid, fumaric acid, styrene, hydroxy styrene, acrylonitrile, vinyl acetate, and the like are included, but the scope of the present invention is not limited thereto.
(2) 광개시제(2) photoinitiator
또한 본 발명에서 사용하는 광개시제는 파장의 범위가 200 내지 450nm인 영역에서 단시간 내에 분자구조의 화학적(자유라디칼), 물리적 변화가 일어나 어떠한 용제에 대한 용해도 변화(예를 들면 가용성화 또는 불용성화), 착색, 경화 등의 물성변화가 생기는 고분자 조성물계를 말한다. 광에 의하여 고분자 결합제는 단량체가 고분자로 되는 광중합이 일어나고, 삼차원 가교고분자로 변하는 광가교반응이 일어난다. In addition, the photoinitiator used in the present invention is a chemical (free radical), physical change of the molecular structure within a short time in the region of the wavelength range of 200 to 450nm, solubility change (for example, solubilization or insolubilization) to any solvent, It refers to a polymer composition system in which physical property changes such as coloring and curing occur. By light, the polymer binder undergoes photopolymerization in which the monomer becomes a polymer and a photocrosslinking reaction occurs in which the monomer is changed into a three-dimensional crosslinked polymer.
이러한 광개시제의 예로는 벤조인, 벤조인 메틸에테르, 벤조인 이소프로필 에테르, 벤조인 이소부틸 에테르 등의 벤조인 알킬에테르류; 아세토 페논, 2,2-디메톡시-2-아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐 아세토 페논, 1,1-디클로로 아세토페논, 4-메톡시-2,2-디클로로 아세토페논 등의 아세토 페논류; 2-메틸안트라퀴논, 2-털트-부틸안트라퀴논, 1-클로로안트라퀴논 및 2-아밀안트라퀴논 등의 안트라퀴논류;2,4-디메틸티오르산톤, 2,4-디에틸티오르산톤, 1-클로로티오르산톤, 2,4-디이소프로필티오르산톤, 2-이소프로필티오르산톤, 1-클로로-4-프로펙시티오르산톤 등의 티오르산톤류; 아세토페논디메틸케탈, 벤질디메틸케탈 및 2,2-디에톡시-1,2-디페닐에타논 등의 케탈류; 벤조페논, 4-클로로 벤조페논, 4,4'-비스(디메닐아미노) 벤조페논, 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논, 4-(4'-디메틸페닐티오)벤조페논 등의 벤조페놀류; 2,4,6-트리메틸벤조인디페닐 포스핀옥사이드, 2,4,6-트리메틸벤조인디페닐 포스피닉 에시드 에스테르, 비스(2,4,6-트리메틸벤조인)-폐닐 포스핀옥사이드 및 아크릴 포스핀 옥사이드류, 비스[2-(2-클로로페닐)-4,5-디페닐]-이미다졸, 2,2'-비스(2-클로로페닐)-4,4',5,5'테트라 페닐-1,2'비이미다졸, 2-에틸 안트리퀴논, 2-(O-클로로페닐)-4,5-디페닐 이미다졸 다이머, 2-(O-클로로페닐)-4,5-디(m-메톡시)페닐 이미다졸 다이머, 2-(O-플루오르페닐)-4,5-디페닐 이미다졸 다이머, 2,4-디(P-메톡시페닐)-5-디페닐 이미다졸 다이머, 2-(2,4-디메톡시페닐)-4,5-디페닐 이미다졸 다이머, 2-(P-메틸 캅토페닐)-4,5-디페닐 이미다졸 다이머 및 2,4,5-트리아닐 이미다졸 다이머 등의 미셀레니우스(Misellaneous)류; 4,4'-비스(디메틸아미노)벤조페논, 4,4-비스(디에틸아미노)벤조페논, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-몰포리노페닐)-부타논-1,2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-몰포리노프로판-메틸-4-(디메틸 아미노) 벤조에이트, 2-에틸헥실-4-(디메틸아미노)벤조에이트, 1-하이드록시-사이클로헥실-페닐케톤, 2-하이드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-α-하이드록시 및 아미노 알킬페논류를 포함하나 본 발명은 이에 한정되지 않는다. Examples of such photoinitiators include benzoin alkyl ethers such as benzoin, benzoin methyl ether, benzoin isopropyl ether and benzoin isobutyl ether; Acetophenone, 2,2-dimethoxy-2-acetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenyl acetophenone, 1,1-dichloro acetophenone, 4-methoxy-2,2-dichloro acetophenone, and the like Acetophenones; Anthraquinones such as 2-methylanthraquinone, 2-talt-butylanthraquinone, 1-chloroanthraquinone, and 2-amylanthraquinone; 2,4-dimethylthiorsanthone, 2,4-diethylthiorsanthone, Thiosanthones such as 1-chlorothiorsanthone, 2,4-diisopropyl thiosanthone, 2-isopropyl thiosanthone, and 1-chloro-4-propoxy thioxanthone; Ketals such as acetophenone dimethyl ketal, benzyl dimethyl ketal and 2,2-diethoxy-1,2-diphenylethanone; Benzophenone, 4-chloro benzophenone, 4,4'-bis (dimenylamino) benzophenone, 4,4'-bis (diethylamino) benzophenone, 4- (4'-dimethylphenylthio) benzophenone, etc. Benzophenols; 2,4,6-trimethylbenzoindiphenyl phosphine oxide, 2,4,6-trimethylbenzoindiphenyl phosphinic acid ester, bis (2,4,6-trimethylbenzoin) -pentyl phosphine oxide and acrylic phosphine Oxides, bis [2- (2-chlorophenyl) -4,5-diphenyl] -imidazole, 2,2'-bis (2-chlorophenyl) -4,4 ', 5,5' tetraphenyl- 1,2'biimidazole, 2-ethyl antriquinone, 2- (O-chlorophenyl) -4,5-diphenyl imidazole dimer, 2- (O-chlorophenyl) -4,5-di (m -Methoxy) phenyl imidazole dimer, 2- (O-fluorophenyl) -4,5-diphenyl imidazole dimer, 2,4-di (P-methoxyphenyl) -5-diphenyl imidazole dimer, 2 -(2,4-dimethoxyphenyl) -4,5-diphenyl imidazole dimer, 2- (P-methyl captophenyl) -4,5-diphenyl imidazole dimer and 2,4,5-trianyl imide Misellaneous, such as a disol dimer; 4,4'-bis (dimethylamino) benzophenone, 4,4-bis (diethylamino) benzophenone, 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butanone-1, 2-methyl-1- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholinopropane-methyl-4- (dimethyl amino) benzoate, 2-ethylhexyl-4- (dimethylamino) benzoate, 1-hydro Hydroxy-cyclohexyl-phenylketone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropane-1-α-hydroxy and amino alkylphenones, although the invention is not so limited.
(3) 광중합 단량제(3) photopolymerization monomer
또한 일반적으로 사용하는 광중합성 단량체로 에틸렌 불포화 화합물을 들 수 있으며, 이 에틸렌 불포화 화합물은 다 또는 단광능기를 포함하고 가교결합성이 있 는 것으로 이중결합을 갖는 모노머는 가교결합하여 매우 큰 분자량을 가진 중합된 3차원 망상구조를 형성하여 바람직하게 사용될 수 있다. 예를 들면, 트리비닐벤젠, 디비닐톨루엔, 디비닐피리딘, 디비닐나프탈렌 및 디비닐크실렌, 에틸렌글리콜 디아크릴레이트, 트리메타롤프로판 트리아크릴레이트, 디에틸렌글리콜 디비닐에테르, 트리비닐사이크로헥산, 알릴 메타크릴레이트, 에틸렌글리콜 디메타크릴레이트, 디에틸렌글리콜 디메타크릴레이트, 프로필렌 글리콜 디메타크릴레이트, 프로필렌글리콜 디아크릴레이트, 트리메티롤프로판 트리메타크릴레이트, 다비닐벤젠, 글리시딜 메타크릴레이트, 2,2-디메틸프로판, 1,3-디아크릴레이트, 1,3-부틸렌 글리콜 디아크릴레이트, 1,3-부틸렌 글리콜 디메타크릴레이트, 1,4-부탄디올 디아크릴레이트, 디에틸렌글리콜 디아크릴레이트, 디에틸렌 글리콜 디메타크릴레이트, 1,6-헥산디올 디아크릴레이트, 1,6-헥산디올 디메타크릴레이트, 트리프로필렌 글리콜 디아크릴레이트, 트리에틸렌 글리콜 디메타크릴레이트, 테트라 에틸렌 글리콜 디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜 200 디아크릴레이트, 테트라에틸렌 글리콜 디메타크릴레이트, 폴리에틸렌 글리콜 디메타크릴레이트, 에톡시화 비스페놀에이 디아크릴레이트, 에톡시화 비스페놀에이 디메타크릴레이트, 폴리에틸렌 글리콜 600 디메타크릴레이트, 폴리(부탄디올) 디아크릴레이트, 펜타에리트리톨 트리아크릴레이트, 트리메타롤프로판 트리에톡시 트리아크릴레이트, 글리세릴프로폭시 트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨 테트라아크릴레이트, 펜타에리트리톨 테트라메타크릴레이트, 디펜타에리트리톨 모노하이드로시펜타아크릴레이트, 디비닐 실란, 트리비닐 실란, 디메틸 디비닐 실란, 디비닐 메틸 실란, 메틸 트리비닐 실란, 디페닐 디비닐 실란, 디비닐 페닐 실란, 트리비닐 페닐 실란, 디비닐 메틸 페닐 실란, 테트라비닐 실란, 디메틸 비닐 디실록산, 폴리(메틸 비닐 실록산), 폴리(비닐 하이드로 실록산), 폴리(페닐 비닐 실록산) 및 이들의 혼합물이 포함될 수 있으나, 본 발명의 범위가 이들에 한정되지 않는다. In addition, generally used photopolymerizable monomers include ethylenically unsaturated compounds, which include poly or monofunctional groups and are crosslinkable. Monomers having a double bond crosslink and have a very large molecular weight. It can be preferably used to form a polymerized three-dimensional network. For example, trivinylbenzene, divinyl toluene, divinyl pyridine, divinyl naphthalene and divinyl xylene, ethylene glycol diacrylate, trimetholpropane triacrylate, diethylene glycol divinyl ether, trivinyl cyclohexane , Allyl methacrylate, ethylene glycol dimethacrylate, diethylene glycol dimethacrylate, propylene glycol dimethacrylate, propylene glycol diacrylate, trimetholpropane trimethacrylate, polyvinylbenzene, glycidyl Methacrylate, 2,2-dimethylpropane, 1,3-diacrylate, 1,3-butylene glycol diacrylate, 1,3-butylene glycol dimethacrylate, 1,4-butanediol diacrylate , Diethylene glycol diacrylate, diethylene glycol dimethacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, 1,6-hexanediol dimethacrylate, tripropylene article Cold Diacrylate, Triethylene Glycol Dimethacrylate, Tetraethylene Glycol Diacrylate, Polyethylene Glycol 200 Diacrylate, Tetraethylene Glycol Dimethacrylate, Polyethylene Glycol Dimethacrylate, Ethoxylated Bisphenol A Diacrylate, Ethoxylated Bisphenol A Dimethacrylate, Polyethylene Glycol 600 Dimethacrylate, Poly (butanediol) Diacrylate, Pentaerythritol Triacrylate, Trimetholpropane Triethoxy Triacrylate, Glycerylpropoxy Triacrylate , Pentaerythritol tetraacrylate, pentaerythritol tetramethacrylate, dipentaerythritol monohydrocipentaacrylate, divinyl silane, trivinyl silane, dimethyl divinyl silane, divinyl methyl silane, methyl trivinyl silane, Diphenyl divinyl silane, di Vinyl phenyl silane, trivinyl phenyl silane, divinyl methyl phenyl silane, tetravinyl silane, dimethyl vinyl disiloxane, poly (methyl vinyl siloxane), poly (vinyl hydrosiloxane), poly (phenyl vinyl siloxane) and mixtures thereof However, the scope of the present invention is not limited thereto.
(4) 첨가제(4) additive
기타 첨가제로서 본 발명에 사용되는 용제로는 아세톤, 메틸에틸케톤, 사이클로헥사논, 메틸이소아밀케톤 및 2-헵타논 등의 케톤류; 에틸렌 글리콜, 디에틸렌글리콜 모노 아세테이트, 디에틸렌글리콜, 디에틸렌 글리콜 모노아세테이트, 프로필렌 글리콜, 프로필렌 글리콜 모노 메틸에테르 아세트산, 디프로필렌글리콜 모노 아세테이트 등의 폴리하이드릭 알코올류; 모노메틸, 모노에틸, 모노프로필, 모노부틸 등의 사이클릭에테르 용매류, 메틸아세테이트, 에틸아세테이트, 부틸아세테에트 등의 에스테르 용매류; 메틸셀로솔부 및 에틸셀로솔부 등의 셀로솔부류, 이크릴로 니트릴 등의 니트릴류 등이 있다. Examples of the solvent used in the present invention as other additives include ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, methyl isoamyl ketone, and 2-heptanone; Polyhydric alcohols such as ethylene glycol, diethylene glycol mono acetate, diethylene glycol, diethylene glycol monoacetate, propylene glycol, propylene glycol mono methyl ether acetic acid and dipropylene glycol mono acetate; Ester solvents such as cyclic ether solvents such as monomethyl, monoethyl, monopropyl, monobutyl, methyl acetate, ethyl acetate, and butyl acetate; Cellosol classes, such as a methyl cellosol part and an ethyl cellosol part, nitriles, such as an acrylonitrile, etc. are mentioned.
또 다른 첨가제로 염료 안정제, 접착촉진제, 열중합 방지제이 더 포함될 수 있다. 여기서 블루염료(Dyestuffs)를 사용하는데 이는 코팅 검사 시 핀홀, 피시아이, 크레이터 등 코팅성 유무를 판별하는데 이용되며, 노광 후 칼라 변화를 위하여 보조 안료를 배합하며, 광산화제 또는 광이미지 형성제로는 노광 후 경화된 부분이 착색되어 작업성이 용이하게 하고, 색상, 이미지 형성에 작용할 수 있다. 이러한 화합물로는 산 발생에 의하여 발색되는 로이코 계통의 크리스탈 바이올렛, 메틸바이올렛, 에틸바이올렛, 페닐트리브로모 메틸설폰, p-니트로 페닐트리브로모 메틸설 폰 등의 염료를 사용할 수 있다. 여기서 접착촉진제로는 벤조 이미다졸, 벤즈티아졸, 벤즈티옥사졸, 벤조트리아졸, 2-머캡토 벤즈티아졸, 20 머캡토 벤조이미다졸 등을 들 수 있다. 또한 감광성 고분자층의 저장 안정성 및 코팅액 건조 시 또는 적층시의 열중합을 방지하기 위하여 하이드로퀴논, p-페톡시페놀, 2-하이드폭시 벤조페논 등의 열중합 방지제를 사용할 수 있다.As another additive, a dye stabilizer, an adhesion promoter, and a thermal polymerization inhibitor may be further included. Here, blue dyes (Dyestuffs) are used, which is used to determine the presence of coating properties such as pinholes, fisheye, craters, etc. during coating inspection, admixes auxiliary pigments for color change after exposure, and exposure with a photoacid or photoimage forming agent. The post-cured portion may be colored to facilitate workability and to act on color, image formation. As such a compound, dyes such as leuco-based crystal violet, methyl violet, ethyl violet, phenyl tribromo methyl sulfone, p-nitro phenyl tribromo methyl sulfone, and the like developed by acid generation may be used. Examples of the adhesion promoter include benzo imidazole, benzthiazole, benzthioxazole, benzotriazole, 2-mercapto benzthiazole, and 20 mercapto benzoimidazole. In addition, thermal polymerization inhibitors such as hydroquinone, p-phenoxyphenol, 2-hydroxyoxy benzophenone, and the like may be used to prevent storage polymerization of the photosensitive polymer layer and to prevent thermal polymerization during drying or lamination of the coating solution.
이와 같은 구성요소들을 통상적인 범위 내에서 조합하여 사용할 수 있으며, 반광중합층에 광개시제가 포함되지 않는 다는 것을 제외하고는 특별히 제한되지 않는다. Such components may be used in combination within a conventional range, and are not particularly limited except that the photoinitiator is not included in the semi-light-curing layer.
<실시예><Example>
광중합층 및 광중합부Photopolymerization layer and photopolymerization part
고분자 결합제 : (메타)아크릴산과 (메타)아크릴레이트의 공중합체 50중량%Polymer binder: 50% by weight copolymer of (meth) acrylic acid and (meth) acrylate
광개시제 : 벤조페논 2중량%Photoinitiator: Benzophenone 2% by weight
4,4'-(비스디에틸아미노)벤조페논 1중량% 4,4 '-(bisdiethylamino) benzophenone 1% by weight
루코 크리스탈 바이올렛 1중량%Luco Crystal Violet 1% by weight
톨루엔술폰산 1수화물 0.5중량%0.5% by weight of toluenesulfonic acid monohydrate
다이아몬드 그린 GH 0.5중량%0.5% of diamond green GH
광중합성 단량체 : 폴리에틸렌 글리콜 디메타아크릴레이트 10중량%Photopolymerizable monomer: 10% by weight polyethylene glycol dimethacrylate
폴리 프로필렌 글리콜 400 디아크릴레이트 10중량%10% by weight polypropylene glycol 400 diacrylate
다음 식으로 표시되는 화합물 10중량% 10% by weight of the compound represented by the following formula
여기서 R은 H 또는 CH3이고, m은 5 내지 10의 정수Where R is H or CH 3 and m is an integer from 5 to 10
가소제 : 트리페니포스페이트 1중량%Plasticizer: Trifenic phosphate 1% by weight
용매 : 메틸에틸케톤 14중량%Solvent: 14% by weight of methyl ethyl ketone
비광중합부Non-light polymerization part
고분자 결합제 : (메타)아크릴산과 (메타)아크릴레이트의 공중합체 55중량%Polymer binder: 55% by weight copolymer of (meth) acrylic acid and (meth) acrylate
광중합성 단량체 : 폴리에틸렌 글리콜 디메타아크릴레이트 10중량%Photopolymerizable monomer: 10% by weight polyethylene glycol dimethacrylate
폴리 프로필렌 글리콜 400 디아크릴레이트 10중량%10% by weight polypropylene glycol 400 diacrylate
다음 식으로 표시되는 화합물 10중량% 10% by weight of the compound represented by the following formula
여기서 R은 H 또는 CH3이고, m은 5 내지 10의 정수Where R is H or CH 3 and m is an integer from 5 to 10
가소제 : 트리페니포스페이트 1중량%Plasticizer: Trifenic phosphate 1% by weight
용매 : 메틸에틸케톤 14중량%Solvent: 14% by weight of methyl ethyl ketone
감광성 고분자층Photosensitive polymer layer
상술한 구성을 가지는 두께가 5 내지 95㎛인 광중합층을 형성하고, 상술한 구성을 가지는 비광중합부가 형성하고자 하는 인쇄 배선 간의 간격보다 적은 폭으로 포함되도록 하고, 이 비광중합부와 상술한 구성을 가지는 광중합부를 교호적으로 배치하여 두께가 5 내지 95㎛인 반광중합층을 형성하였다. 이들 반광중합층과 광중합층을 각각을 열압착하여 최종 두께가 100㎛인 감광성 고분자층을 형성하거나, 반광중합층을 형성하고 그 상부에 광중합층을 토출하고 적층하여 최종 두께가 100㎛인 감광성 고분자층을 형성한다.A photopolymer layer having a thickness of 5 to 95 µm having the above-described configuration is formed, and the non-light-polymerizing section having the above-described configuration is included in a width smaller than the interval between printed wirings to be formed, and the non-polymerizing portion and the above-described configuration The branch was alternately arranged to form a semi-light polymerization layer having a thickness of 5 to 95 µm. These semi-polymerizable layers and the photopolymerized layers are respectively thermally compressed to form a photosensitive polymer layer having a final thickness of 100 µm, or a semi-photopolymerizable layer is formed, and the photopolymer layer is discharged and laminated thereon to obtain a final photosensitive polymer having a final thickness of 100 µm. Form a layer.
2) 드라이 필름2) dry film
드라이 필름은 5 내지 100㎛의 감광성 고분자층에 보호층(protect film 또는 cover film)은 투과율과 정전기 등 중요 특성을 가지는 수지를 사용하고, 지지체층(base film)도 감광성 고분자층을 보호하는 역할을 할 수 있도록 적층한다.The dry film is a 5 to 100㎛ photosensitive polymer layer, the protective layer (protect film or cover film) uses a resin having important characteristics such as transmittance and static electricity, and the base film (base film) also serves to protect the photosensitive polymer layer Lay up so that you can.
지지체층으로는 두께 15 내지 30㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름과 같은 폴리에스테르계 필름이나 폴리에틸렌계 필름이 널리 사용되고 있으며, 보호층으로는 폴리에스테르계의 투명한 필름이 주로 사용되고 있다. As the support layer, a polyester film such as a polyethylene terephthalate film having a thickness of 15 to 30 µm or a polyethylene film is widely used, and a polyester transparent film is mainly used as a protective layer.
3) 회로 배선의 형성3) formation of circuit wiring
본 발명에서 포토레지스트의 예로는 본 발명과 같은 드라이 필름(DFR) 이외에도 액상 포토레지스트(LPR), 전착레지스트(ED) 등을 들 수 있다. 또한 본 발명의 도전층을 포함하는 기판으로는 동박적층기판(CCL)이 바람직하게 사용될 수 있다. Examples of the photoresist in the present invention include liquid photoresist (LPR), electrodeposition resist (ED), etc. in addition to the dry film (DFR) as in the present invention. In addition, a copper clad laminated substrate (CCL) may be preferably used as the substrate including the conductive layer of the present invention.
동박적층기판에 상술한 드라이 필름에서 지지체층을 제거하고 적층한다. 이 드라이 필름의 상부에 워크 필름을 위치시키고 노광시킨다. 이때 회로 배선을 형성하지 않는 부분을 노광시키고, 탄산나트륨 수용액과 같은 알칼리성 용액으로 노광된 부분을 현상하여 제거한다. The support layer is removed from the dry film and laminated on the copper-clad laminate substrate. The work film is placed on top of the dry film and exposed. At this time, the part which does not form a circuit wiring is exposed, and the part exposed by alkaline solution, such as aqueous sodium carbonate solution, is developed and removed.
드라이 필름이 적층된 부분 이외의 부분에 노출된 동박을 염화구리나 염화철과 같은 산성용액으로 처리하여 에칭시킨다. 이때 금속인 구리를 에칭액 속에 있는 Cu2+이온이 공경하여 Cu+이온이 되는 에칭반응과 산화제를 공급하여 불안정한 Cu+이온을 Cu를 공격할 수 있는 Cu2이온으로 만드는 재생반응이 일어난다.The copper foil exposed to the portions other than the portion where the dry film is laminated is etched by treating with an acid solution such as copper chloride or iron chloride. At this time, Cu 2+ ions in the etching solution, which is copper, are used to etch the Cu + ions and supply an oxidizing agent, thereby regenerating the unstable Cu + ions into Cu 2 ions capable of attacking Cu.
본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 많은 변형이 본 발명의 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 가능함은 물론이다.The present invention is not limited to the above embodiments, and many variations are possible by those skilled in the art within the spirit of the present invention.
상술한 바와 같이 본 발명은 비광중합부를 포함하여 노광 및 현상공정에서 제거되는 부분에 있어서도 비광합부가 잔존할 수 있도록 하는 감광성 고분자층 및 드라이 필름을 제공한다. 또한, 본 발명은 잔존하는 비광합부로 인하여 도전성 에칭 시 수직방향성을 향상시켜 미세하면서도 상부 폭과 하부 폭의 차이가 적은 회로 배선을 형성하는 방법 및 이에 의하여 형성된 미세 회로 배선을 포함하는 인쇄회로 기판을 제공한다. 또한, 본 발명은 종래의 서브트랙티브 공법에 의해서는 형성하기 곤란하였던 30㎛이하의 회로 배선 간의 간격을 가져, 회로 배선의 폭/회로 배선 간의 간격이 30/30이하의 미세 회로 배선을 형성하는 방법 및 이러한 미세 회로 배선을 포함하는 인쇄회로기판을 제공한다. 또한, 본 발명은 미세 회로 배선을 형성할 수 있어 회로 배선의 주파수 특성이 증가하여 시그널 전달 효율을 향상시킬 수 있고, 추가 설비가 불필요하고, 기존 라인과 기존 공법을 사용할 수 있는 회로 배선을 형성하는 방법 및 이러한 회로 배선을 포함하는 인쇄회로기판을 제공한다.As described above, the present invention provides a photosensitive polymer layer and a dry film which allow the non-photosynthetic portion to remain even in a portion removed in the exposure and development process including the non-photopolymerization portion. In addition, the present invention provides a printed circuit board including a fine circuit wiring formed therefrom and a method for forming a fine circuit wiring having a small difference between an upper width and a lower width by improving vertical orientation during conductive etching due to the remaining non-photosynthetic portion. to provide. In addition, the present invention has a spacing between circuit wirings of 30 µm or less, which is difficult to form by a conventional subtractive method, and forms a fine circuit wiring of 30/30 or less in the width of the circuit wiring / the spacing between the circuit wirings. A method and a printed circuit board including such fine circuit wiring are provided. In addition, the present invention can form a fine circuit wiring to increase the frequency characteristics of the circuit wiring to improve the signal transmission efficiency, to eliminate the need for additional equipment, to form a circuit wiring that can use the existing line and the existing method A method and a printed circuit board including such circuit wiring are provided.
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KR101074824B1 (en) * | 2009-09-24 | 2011-10-19 | 주식회사 엘아이테크 | Print Circuit Board Having Excellent Heat Dissipating and Heat Spread and Light Emitting Diode Module Using Thereof |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09283018A (en) * | 1996-02-16 | 1997-10-31 | Dainippon Printing Co Ltd | Manufacture of plasma display panel and plasma display panel |
JP2001006536A (en) | 1999-06-21 | 2001-01-12 | Pioneer Electronic Corp | Manufacture of plasma display panel |
KR20040068346A (en) * | 2001-12-27 | 2004-07-30 | 도쿄 오카 고교 가부시키가이샤 | Composition for dielectric material for use in plasma display panel, laminate for dielectric material, method for forming dielectric material |
JP2006030938A (en) | 2004-06-16 | 2006-02-02 | Fuji Photo Film Co Ltd | Pattern forming material, pattern forming apparatus and pattern forming method |
-
2006
- 2006-04-05 KR KR1020060031152A patent/KR100752149B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09283018A (en) * | 1996-02-16 | 1997-10-31 | Dainippon Printing Co Ltd | Manufacture of plasma display panel and plasma display panel |
JP2001006536A (en) | 1999-06-21 | 2001-01-12 | Pioneer Electronic Corp | Manufacture of plasma display panel |
KR20040068346A (en) * | 2001-12-27 | 2004-07-30 | 도쿄 오카 고교 가부시키가이샤 | Composition for dielectric material for use in plasma display panel, laminate for dielectric material, method for forming dielectric material |
JP2006030938A (en) | 2004-06-16 | 2006-02-02 | Fuji Photo Film Co Ltd | Pattern forming material, pattern forming apparatus and pattern forming method |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101074824B1 (en) * | 2009-09-24 | 2011-10-19 | 주식회사 엘아이테크 | Print Circuit Board Having Excellent Heat Dissipating and Heat Spread and Light Emitting Diode Module Using Thereof |
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