KR100746331B1 - 액정 광배향막 및 이의 제조방법 - Google Patents
액정 광배향막 및 이의 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100746331B1 KR100746331B1 KR1020050036848A KR20050036848A KR100746331B1 KR 100746331 B1 KR100746331 B1 KR 100746331B1 KR 1020050036848 A KR1020050036848 A KR 1020050036848A KR 20050036848 A KR20050036848 A KR 20050036848A KR 100746331 B1 KR100746331 B1 KR 100746331B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- poly
- cinnamate
- bis
- liquid crystal
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
- F21K9/20—Light sources comprising attachment means
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
- F21K9/60—Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction
- F21K9/66—Details of globes or covers forming part of the light source
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
- F21K9/60—Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction
- F21K9/69—Details of refractors forming part of the light source
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21V23/00—Arrangement of electric circuit elements in or on lighting devices
- F21V23/003—Arrangement of electric circuit elements in or on lighting devices the elements being electronics drivers or controllers for operating the light source, e.g. for a LED array
- F21V23/004—Arrangement of electric circuit elements in or on lighting devices the elements being electronics drivers or controllers for operating the light source, e.g. for a LED array arranged on a substrate, e.g. a printed circuit board
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21V23/00—Arrangement of electric circuit elements in or on lighting devices
- F21V23/04—Arrangement of electric circuit elements in or on lighting devices the elements being switches
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21V3/00—Globes; Bowls; Cover glasses
- F21V3/04—Globes; Bowls; Cover glasses characterised by materials, surface treatments or coatings
- F21V3/049—Patterns or structured surfaces for diffusing light, e.g. frosted surfaces
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
- F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
- F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
Description
Claims (10)
- 액정 광배향막의 제조에 있어서,하기 (A) 또는 (B)의 광반응성 고분자와 가소제로서 에틸 시나메이트를 광반응성 고분자 중량 대비 50∼500%으로 유기용매에 용해시키는 단계,유기용매에 용해된 광반응성 고분자와 가소제의 혼합물을 유리판 위에 코팅하는 단계,기판을 열처리하여 막을 얻는 단계, 및수득한 막에 자외선을 조사하는 단계를 포함하는 액정 광배향막의 제조방법.(A) : 시나몰 클로라니드, 폴리비닐시나메이트, 폴리알콕시시나메이트(알콕시기는 탄소수 1∼20개), 폴리비닐불소화시나메이트, 폴리비닐알콕시불소화시나메이트(알콕시기는 탄소수 1∼20개), 7-하이드록시쿠마린, 7-(2-하이드록시에톡시)쿠마린, 7-(6-하이드록시헥실옥시)쿠마린 중에서 선택된 어느 하나 이상의 광반응성 고분자.(B) : 시나몰 클로라니드, 폴리비닐시나메이트, 폴리알콕시시나메이트(알콕시기는 탄소수 1∼20개), 폴리비닐불소화시나메이트, 폴리비닐알콕시불소화시나메이트(알콕시기는 탄소수 1∼20개) 중에서 선택된 어느 하나 이상의 시나메이트계 고분자 10∼90중량%와 폴리(4,4'-(헥사플루오로아이소프로필리덴)다이프탈릭안하이드라이드-3,5-다이아미노벤조산), 폴리(피로멜리틱디안하이드라이드-3,5-다이아미노벤조산), 폴리(1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복실산-3,5-다이아미노벤조산), 폴리(2,2-비스(3,4-디카르복실페닐)헥사플루오로프로판디안하이드라이드-3,5-다이아미노벤조산), 폴리(피로멜리틱디안하이드라이드-4,4'-옥시디아민, 폴리(피로멜리틱디안하이드라이드-2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]-헥사플루오로프로판), 폴리(피로멜리틱디안하이드라이드-2,2-비스(4-아미노페녹시페닐)프로판), 폴리(1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복실산-4,4'-옥시디아민), 폴리(1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복실산-2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]-헥사플루오로프로판), 폴리(1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복실산-2,2-비스(4-아미노페녹시페닐)프로판), 폴리(2,2-비스(3,4-디카르복실페닐)헥사플루오로프로판디안하이드라이드-4,4'-옥시디아민), 폴리(2,2-비스(3,4-디카르복실페닐)헥사플루오로프로판디안하이드라이드-2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]-헥사플루오로프로판), 폴리(2,2-비스(3,4-디카르복실페닐)헥사플루오로프로판-디안하이드라이드-2,2-비스(4-아미노페녹시페닐)프로판) 중에서 선택된 어느 하나 이상의 폴리이미드계 고분자 10∼90중량%로 블렌드된 광반응성 고분자.
- 액정 광배향막의 제조에 있어서,하기 (A) 또는 (B)의 광반응성 고분자와 가소제로서 에틸 시나메이트를 광반응성 고분자 중량 대비 50∼500%으로 유기용매에 용해시키는 단계,유기용매에 용해된 광반응성 고분자와 가소제의 혼합물을 유리판 위에 코팅하는 단계,수득한 막에 자외선을 조사하는 단계, 및자외선 조사한 후 막을 열처리 하는 단계를 포함하는 액정 광배향막의 제조방법.(A) : 시나몰 클로라니드, 폴리비닐시나메이트, 폴리알콕시시나메이트(알콕시기는 탄소수 1∼20개), 폴리비닐불소화시나메이트, 폴리비닐알콕시불소화시나메이트(알콕시기는 탄소수 1∼20개), 7-하이드록시쿠마린, 7-(2-하이드록시에톡시)쿠마린, 7-(6-하이드록시헥실옥시)쿠마린 중에서 선택된 어느 하나 이상의 광반응성 고분자.(B) : 시나몰 클로라니드, 폴리비닐시나메이트, 폴리알콕시시나메이트(알콕시기는 탄소수 1∼20개), 폴리비닐불소화시나메이트, 폴리비닐알콕시불소화시나메이트(알콕시기는 탄소수 1∼20개) 중에서 선택된 어느 하나 이상의 시나메이트계 고분자 10∼90중량%와 폴리(4,4'-(헥사플루오로아이소프로필리덴)다이프탈릭안하이드라이드-3,5-다이아미노벤조산), 폴리(피로멜리틱디안하이드라이드-3,5-다이아미노벤조산), 폴리(1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복실산-3,5-다이아미노벤조산), 폴리(2,2-비스(3,4-디카르복실페닐)헥사플루오로프로판디안하이드라이드-3,5-다이아미노벤조산), 폴리(피로멜리틱디안하이드라이드-4,4'-옥시디아민, 폴리(피로멜리틱디안하이드라이드-2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]-헥사플루오로프로판), 폴리(피로멜리틱디안하이드라이드-2,2-비스(4-아미노페녹시페닐)프로판), 폴리(1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복실산-4,4'-옥시디아민), 폴리(1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복실산-2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]-헥사플루오로프로판), 폴리(1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복실산-2,2-비스(4-아미노페녹시페닐)프로판), 폴리(2,2-비스(3,4-디카르복실페닐)헥사플루오로프로판디안하이드라이드-4,4'-옥시디아민), 폴리(2,2-비스(3,4-디카르복실페닐)헥사플루오로프로판디안하이드라이드-2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]-헥사플루오로프로판), 폴리(2,2-비스(3,4-디카르복실페닐)헥사플루오로프로판-디안하이드라이드-2,2-비스(4-아미노페녹시페닐)프로판) 중에서 선택된 어느 하나 이상의 폴리이미드계 고분자 10∼90중량%로 블렌드된 광반응성 고분자.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 유기용매는 1-메틸-2-피롤리돈, 디메틸설폭사이드, 디메틸 아세테이트, 메타크레졸, n-부틸아세테이트, 디에틸에테르 중에서 선택된 어느 하나 이상 임을 특징으로 하는 액정 광배향막의 제조방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 코팅은 1000∼3000rpm에서 10초∼10분간 스핀코팅하는 것을 특징으로 하는 액정 광배향막의 제조방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 열처리는 100∼300℃에서 10∼30분 동안 실시하는 것을 특징으로 하는 액정 광배향막의 제조방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 편광된 자외선을 막의 법선 방향에 대해 0-89°의 각도로 조사하거나, 비편광의 자외선을 막의 법선 방향에 대해 0-89°의 각도로 조사하거나, 또는 두 가지 방법을 모두 사용하여 자외선을 조사하는 것을 특징으로 하는 액정 광배향막의 제조방법.
- 삭제
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020050036848A KR100746331B1 (ko) | 2005-05-02 | 2005-05-02 | 액정 광배향막 및 이의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020050036848A KR100746331B1 (ko) | 2005-05-02 | 2005-05-02 | 액정 광배향막 및 이의 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20060114580A KR20060114580A (ko) | 2006-11-07 |
| KR100746331B1 true KR100746331B1 (ko) | 2007-08-03 |
Family
ID=37652253
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020050036848A Expired - Fee Related KR100746331B1 (ko) | 2005-05-02 | 2005-05-02 | 액정 광배향막 및 이의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100746331B1 (ko) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101267528B1 (ko) | 2007-03-21 | 2013-05-23 | 엘지디스플레이 주식회사 | 배향막 형성방법 |
| KR101555504B1 (ko) | 2009-02-03 | 2015-09-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 광배향재 및 이를 이용한 표시기판의 제조 방법 |
| CN109239983A (zh) * | 2018-11-27 | 2019-01-18 | 南方科技大学 | 一种配向膜取向方法、配向膜基板及显示面板 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020018589A (ko) * | 2000-08-31 | 2002-03-08 | 무네유키 가코우 | 광경화성 조성물 및 액정표시소자 |
| KR20030081459A (ko) * | 2001-02-23 | 2003-10-17 | 니폰 가야꾸 가부시끼가이샤 | 배향막용 자외선경화형 수지조성물 및 액정성 화합물을갖는 고분자 필름을 포함하는 위상차 필름 |
| KR20050030153A (ko) * | 2003-09-24 | 2005-03-29 | 후지 샤신 필름 가부시기가이샤 | 배향막, 위상차판, 및 그의 제조 방법 |
-
2005
- 2005-05-02 KR KR1020050036848A patent/KR100746331B1/ko not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020018589A (ko) * | 2000-08-31 | 2002-03-08 | 무네유키 가코우 | 광경화성 조성물 및 액정표시소자 |
| KR20030081459A (ko) * | 2001-02-23 | 2003-10-17 | 니폰 가야꾸 가부시끼가이샤 | 배향막용 자외선경화형 수지조성물 및 액정성 화합물을갖는 고분자 필름을 포함하는 위상차 필름 |
| KR20050030153A (ko) * | 2003-09-24 | 2005-03-29 | 후지 샤신 필름 가부시기가이샤 | 배향막, 위상차판, 및 그의 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20060114580A (ko) | 2006-11-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102056779B1 (ko) | 화소전극 표시판, 액정표시판 조립체 및 이들을 제조하는 방법들 | |
| KR101158382B1 (ko) | 광 배향용 액정 배향제 및 그것을 사용한 액정 표시 소자 | |
| KR100939628B1 (ko) | 신규한 폴리이미드 공중합체, 이를 포함하는 액정 배향막,및 이를 포함하는 액정 디스플레이 | |
| KR20120125141A (ko) | 액정표시장치, 배향막 및 이들을 제조하는 방법들 | |
| JP3733072B2 (ja) | 液晶配向膜製造用高分子ブレンド | |
| KR20060067877A (ko) | 액정 배향제, 배향막 및 표시 소자 및 광학 부재 | |
| CN102031122A (zh) | 液晶取向剂、液晶显示元件、聚酰胺酸、聚酰亚胺和化合物 | |
| KR20080059073A (ko) | 액정 배향제, 액정 배향막, 액정 표시 소자 및 광학 부재 | |
| JP2003073471A (ja) | 垂直配向型液晶配向剤およびそれを用いた液晶表示素子 | |
| JP4788896B2 (ja) | 垂直配向型液晶配向剤および垂直配向型液晶表示素子 | |
| JP4779974B2 (ja) | 液晶配向剤及びそれを用いた液晶表示素子 | |
| KR101150633B1 (ko) | 액정 배향제 및 액정 표시 소자 | |
| KR101999240B1 (ko) | 액정 배향제, 액정 배향막, 액정 표시 소자 및 액정 배향막의 제조 방법 | |
| JP2009229652A (ja) | 液晶配向剤および液晶表示素子 | |
| CN100367097C (zh) | 液晶定向剂 | |
| CN1718675B (zh) | 液晶定向剂和液晶显示元件 | |
| CN101359130B (zh) | 液晶取向剂、液晶取向膜和液晶显示元件 | |
| KR20060114580A (ko) | 액정 광배향막 및 이의 제조방법 | |
| KR100822499B1 (ko) | 신규한 폴리이미드 및 이의 제조방법 | |
| JP4539836B2 (ja) | 液晶配向剤および横電界方式液晶表示素子 | |
| CN101636686A (zh) | 液晶取向剂和液晶显示元件 | |
| CN105482830A (zh) | 液晶配向剂、液晶配向膜以及液晶显示元件 | |
| KR100420786B1 (ko) | 액정배향막 제조용 고분자 | |
| CN106010583A (zh) | 液晶配向剂、液晶配向膜以及液晶显示组件 | |
| JP3985259B2 (ja) | 反射型液晶表示素子用液晶配向剤 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| PA0109 | Patent application |
St.27 status event code: A-0-1-A10-A12-nap-PA0109 |
|
| PA0201 | Request for examination |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201 |
|
| D13-X000 | Search requested |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D13-srh-X000 |
|
| D14-X000 | Search report completed |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D14-srh-X000 |
|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902 |
|
| PG1501 | Laying open of application |
St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501 |
|
| T11-X000 | Administrative time limit extension requested |
St.27 status event code: U-3-3-T10-T11-oth-X000 |
|
| T11-X000 | Administrative time limit extension requested |
St.27 status event code: U-3-3-T10-T11-oth-X000 |
|
| E13-X000 | Pre-grant limitation requested |
St.27 status event code: A-2-3-E10-E13-lim-X000 |
|
| P11-X000 | Amendment of application requested |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000 |
|
| P13-X000 | Application amended |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000 |
|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| PE0701 | Decision of registration |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D22-exm-PE0701 |
|
| GRNT | Written decision to grant | ||
| PR0701 | Registration of establishment |
St.27 status event code: A-2-4-F10-F11-exm-PR0701 |
|
| PR1002 | Payment of registration fee |
St.27 status event code: A-2-2-U10-U11-oth-PR1002 Fee payment year number: 1 |
|
| PG1601 | Publication of registration |
St.27 status event code: A-4-4-Q10-Q13-nap-PG1601 |
|
| G170 | Re-publication after modification of scope of protection [patent] | ||
| PG1701 | Publication of correction |
St.27 status event code: A-5-5-P10-P19-oth-PG1701 Patent document republication publication date: 20080418 Republication note text: Request for Correction Notice (Document Request) Gazette number: 1007463310000 Gazette reference publication date: 20070803 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20110711 Year of fee payment: 5 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 5 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee | ||
| PC1903 | Unpaid annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U13-oth-PC1903 Not in force date: 20120731 Payment event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE |
|
| R18-X000 | Changes to party contact information recorded |
St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000 |
|
| PC1903 | Unpaid annual fee |
St.27 status event code: N-4-6-H10-H13-oth-PC1903 Ip right cessation event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE Not in force date: 20120731 |
|
| PN2301 | Change of applicant |
St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301 St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301 |
|
| R18-X000 | Changes to party contact information recorded |
St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000 |
|
| P22-X000 | Classification modified |
St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000 |
|
| R18-X000 | Changes to party contact information recorded |
St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000 |
|
| PN2301 | Change of applicant |
St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301 St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301 |
|
| R18-X000 | Changes to party contact information recorded |
St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000 |
|
| R18-X000 | Changes to party contact information recorded |
St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000 |
|
| R18-X000 | Changes to party contact information recorded |
St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000 |