KR100744680B1 - Overlay vernier and method of making the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 이온주입마스크 형성시, 감광막패턴의 비대칭 프로파일로 인한 오버레이 리딩의 에러를 감소시키기 위한 오버레이 버니어 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명의 오버레이 버니어는 사각형 고리모양의 차광층; 상기 차광층의 내부에 상기 투광층과 180°만큼 위상반전되는 깊이를 갖고 형성된 사각박스형의 트렌치; 및 상기 차광층과 트렌치 사이에 소정간격을 갖고 형성된 투광영역을 포함하여 구성된다.The present invention relates to an overlay vernier for reducing an error of overlay reading due to an asymmetric profile of a photoresist pattern during formation of an ion implantation mask, and a method for manufacturing the overlay vernier, wherein the overlay vernier of the present invention comprises a rectangular annular light- A square box-shaped trench formed in the light-shielding layer to have a depth that is phase-inverted by 180 degrees with the light-transmitting layer; And a light-transmitting region formed at a predetermined distance between the light-shielding layer and the trench.

오버레이, 버니어, 쉬프터, 위상반전마스크, PSM, 크롬Overlay, Vernier, Shifter, Phase Inversion Mask, PSM, Chrome

Description

오버레이 버니어 및 그 제조 방법{OVERLAY VERNIER AND METHOD OF MAKING THE SAME} BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to overlay veneers,             

도 1은 종래기술에 따른 마스크의 제조 방법을 간략히 도시한 도면,BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a schematic view showing a conventional method of manufacturing a mask,

도 2는 종래기술에 따른 오버레이 버니어를 도시한 도면,2 is a view showing an overlay vernier according to the prior art,

도 3a는 본 발명의 실시예에 따른 오버레이 버니어의 평면도,3A is a plan view of an overlay vernier according to an embodiment of the present invention,

도 3b는 본 발명의 실시예에 따른 오버레이 버니어의 단면도,3B is a cross-sectional view of an overlay vernier according to an embodiment of the present invention,

도 4는 노광필드와 현상에너지의 관계를 나타낸 그래프,4 is a graph showing the relationship between the exposure field and development energy,

도 5a 내지 도 5d는 본 발명의 실시예에 따른 오버레이 버니어의 제조 방법을 도시한 도면.
5A to 5D illustrate a method of manufacturing an overlay vernier according to an embodiment of the present invention.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명DESCRIPTION OF THE REFERENCE NUMERALS

21 : 석영기판 22a : 차광층21: quartz substrate 22a: shielding layer

24 : 투광영역 27 : 쉬프터층24: light-transmitting region 27: shifter layer

본 발명은 마스크 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 위상반전마스크 (Phase Shift Mask; PSM)를 이용하여 감광막 프로파일(Resist profile)을 최적화하도록 한 오버레이 버니어(Overlay vernier) 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a mask and a manufacturing method thereof, and more particularly, to an overlay vernier in which a photoresist profile is optimized using a phase shift mask (PSM) and a method of manufacturing the same.

일반적으로 반도체 제조공정은 웨이퍼상에 절연층과 도전층으로 된 다층막으로 특정 회로를 구현하는 것으로서, 가장 기초가 되는 것이 웨이퍼상에 특정의 패턴을 형성하는 것이다. 특히 광원과, 마스크(Mask)나 레티클(Reticle) 등의 패턴 전사기구를 이용한 포토공정은 전공정(Pre step)에서 형성된 패턴과 후공정(Post step)에서 형성된 패턴간의 정렬이 정확히 이루어져야 신뢰성 있는 반도체회로를 구현할 수 있다.Generally, a semiconductor manufacturing process is a multilayer film comprising an insulating layer and a conductive layer on a wafer to implement a specific circuit, and the most basic thing is to form a specific pattern on the wafer. Particularly, in a photolithography process using a light source and a pattern transfer mechanism such as a mask or a reticle, alignment between a pattern formed in a pre-process and a pattern formed in a post-process must be accurately performed, Circuit can be implemented.

통상적으로 포토공정에서 전,후공정 패턴간의 정렬정도를 확인하기 위하여 버니어(Vernier)를 사용하고 있다. 버니어는 반도체 웨이퍼의 칩 주변에 형성되며, 웨이퍼공정 완료후 절단되어 폐기되는 스크라이브라인(Scribe line)내에 형성된다.Typically, Vernier is used to check the degree of alignment between pre- and post-process patterns in photolithography. The vernier is formed in the vicinity of the chip of the semiconductor wafer and is formed in a scribe line which is cut off after completion of the wafer process.

반도체 제조공정은 다단계의 패턴 형성과정을 거치기 때문에 매 단계마다 특정한 패턴이 형성된 레티클을 사용하게 되며, 각 단계에서 이용되는 레티클에는 버니어가 형성되고, 전공정에서 형성된 버니어가 기준키가 되고 후공정에서 형성된 버니어가 측정키가 되어 전공정의 버니어에 대한 후공정의 버니어의 상대적인 위치관계를 검사하여 패턴간의 오버레이 정도를 판단하게 된다.Since the semiconductor manufacturing process involves a multi-step pattern formation process, a reticle having a specific pattern formed at each step is used. Vernier is formed in the reticle used in each step, vernier formed in the previous step is used as a reference key, The formed vernier becomes a measurement key, and the relative positional relation of the vernier in the post-process with respect to the vernier definition vernier is inspected to determine the degree of overlay between the patterns.

이러한 오버레이를 판단하는 버니어(Overlay vernier)는 박스-인-박스형 버니어(Box in box type), 바형 버니어(Bar in bar type), 수정 바형 버니어(Modified bar in bar type) 등이 있다. An overlay verifier for determining the overlay includes a box in box type, a bar in bar type, and a modified bar in bar type.

한편, 반도체 집적회로의 각종패턴들은 사진식각 기술에 의해 형성되는데, 집적회로의 집적도가 증가하면서 서로 인접하는 패턴들간의 근접효과(proximity effect)에 의해 패턴의 해상도가 저하되는 결함이 발생하게 되었다. On the other hand, various patterns of a semiconductor integrated circuit are formed by a photolithography technique. As the degree of integration of integrated circuits increases, a defect in which the resolution of a pattern is lowered due to a proximity effect between adjacent patterns has occurred.

이러한 문제를 해결하기 위해, 위상 쉬프터(Phase Shifter)가 포함된 마스크패턴이 형성되어 있는 위상반전마스크(Phase Shift Mask; PSM)가 고안된 바 있으며, 이는 통상적인 마스크와는 달리, 광선의 투과율과 위상을 조절하여 위상반전을 일으키는 원리를 이용한다. In order to solve this problem, a phase shift mask (PSM) in which a mask pattern including a phase shifter is formed has been devised, which unlike a conventional mask, To cause phase inversion.

상기와 같은 위상 반전 마스크를 이용한 패턴 형성방법은, 빛의 간섭 또는 부분 간섭을 이용하여 원하는 크기의 패턴을 노광하므로써, 해상도와 촛점심도를 증가시킨다. 즉, 라인/스페이스(Line-Space)와 같은 반복패턴에 있어서, 이웃한 투광부로부터 조사되는 빛의 위상(Phase)을 180°반전시켜주면, 투광부 사이에 위치하는 차광부분의 광강도가 '0'이 되어 이웃한 투광부가 분리된다는 원리를 이용한 것이다.The pattern forming method using the phase inversion mask as described above exposes a pattern of a desired size using light interference or partial interference, thereby increasing the resolution and the depth of focus. That is, in a repetitive pattern such as a line-space, if the phase of light radiated from the neighboring light-projecting portion is inverted by 180 °, the light intensity of the light-blocking portion positioned between the light- 0 'and the adjacent light transmitting portion is separated.

따라서, 위상반전마스크에서는 빛을 완전히 투과시키는 마스크기판의 투광부와 빛의 일부만을 투과시키는 위상쉬프터 영역이 분명히 구분되어야 한다.Therefore, in the phase reversal mask, the transparent portion of the mask substrate that completely transmits light and the phase shifter region that transmits only a part of the light must be clearly distinguished from each other.

도 1은 종래기술에 따른 소스/드레인을 형성하기 위한 이온주입 마스크를 도시한 도면으로서, 석영기판(10)상에 크롬층(11)을 형성한 후, 크롬층(11)상에 감광막을 도포하고 계속해서 기설정 패턴 형태에 따라 노광 및 현상하여 감광막패턴(12a,12b,12c)을 형성한다. 여기서, 상기 감광막패턴(12a, 12b, 12c) 중 폭이 넓은 감광막패턴(12a)은 주패턴을 형성하기 위함이고, 나머지 감광막패턴 (12b, 12c)은 크롬층을 식각하여 차광층을 형성하기 위함이다.FIG. 1 is a view showing an ion implantation mask for forming a source / drain in accordance with the prior art. After a chromium layer 11 is formed on a quartz substrate 10, a photoresist film is coated on the chromium layer 11 And then exposed and developed in accordance with the preset pattern form to form the photoresist pattern 12a, 12b, 12c. The photoresist pattern 12a and the remaining photoresist patterns 12b and 12c are formed by etching a chromium layer to form a light shielding layer. to be.

이 때, 이온주입을 위한 마스크를 형성하는 경우에는 2.5㎛ 이상의 감광막을 이용하기 때문에 감광막패턴(12a, 12b, 12c) 형성시 비대칭 크롬 식각 및 주변의 조밀한 주패턴에 의해 감광막 패터닝후 감광막패턴(12a)의 측면부위에 슬로프(Slope)(13)가 형성된다. 즉, 패턴들의 밀도, 주변 레이아웃에 따라 빛의 산란(Scattering)이 발생하여 감광막의 프로파일에 영향을 주어 오버레이를 측정할 수 있는 패턴 및 실제 주패턴에서 비대칭 프로파일이 형성된다.In this case, when a mask for ion implantation is used, a photosensitive film having a thickness of 2.5 m or more is used. Therefore, when the photosensitive film patterns 12a, 12b, and 12c are formed, asymmetric chromium etching and a dense main pattern around the photosensitive film pattern A slope 13 is formed on a side surface portion of the base 12a. That is, scattering of light occurs depending on the density of the patterns and the surrounding layout, thereby affecting the profile of the photoresist film, thereby forming an asymmetric profile in the pattern capable of measuring the overlay and in the actual main pattern.

도 2는 종래기술에 따른 오버레이 버니어를 도시한 도면으로서, 하부층을 형성하기 위해 정사각박스 모양의 모버니어(14)를 삽입하고, 이온주입을 위해 박스-인-박스 모양의 자버니어(15)를 모버니어 수만큼 삽입한다.Fig. 2 is a view showing an overlay vernier according to the prior art. In Fig. 2, a square vernier 14 is inserted to form a lower layer, and a box-in-box vernier 15 for ion implantation Insert as many times as possible.

이러한 오버레이 버니어는 모버니어와 자버니어 사이의 거리(d1,d2)를 이용하여 오버레이 리딩을 진행하는데, 오버레이 리딩(Overlay reading)은

Figure 112000022966627-pat00001
를 측정하므로써 이루어진다.The overlay vernier uses the distance (d 1 , d 2 ) between the vernier and the vernier to carry out the overlay reading, and the overlay reading
Figure 112000022966627-pat00001
.

그러나, 이러한 오버레이 버니어를 이용한 오버레이 리딩시, 도 1에 도시된 것처럼, 감광막의 두께가 두꺼운 이온주입마스크를 형성할시 비대칭 크롬식각 및 주패턴으로 인해 감광막패턴의 프로파일이 비대칭으로 형성되고, 이에 따라 오버레이 리딩시 오차가 발생하는 문제점이 있다.
However, at the time of overlay reading using the overlay vernier, as shown in FIG. 1, when the ion implantation mask having a thick photoresist layer is formed, the profile of the photoresist pattern is asymmetrically formed due to the asymmetric chromium etching and the main pattern, There is a problem that an error occurs when the overlay is read.

본 발명은 상기 종래기술의 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 오버레이 버니어의 모서리부분에 위상반전마스크를 적용하여 오버레이 리딩의 오차를 감소시킬 수 있는 오버레이 버니어 및 그 제조 방법을 제공하는데 목적이 있다.It is an object of the present invention to provide an overlay vernier capable of reducing an error in overlay reading by applying a phase inversion mask to an edge portion of an overlay vernier, and a method of manufacturing the overlay vernier.

상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 오버레이 버니어는 사각형 고리모양의 차광층; 상기 차광층의 내부에 상기 투광층과 180°만큼 위상반전되는 깊이를 갖고 형성된 사각박스형의 트렌치; 및 상기 차광층과 트렌치 사이에 소정간격을 갖고 형성된 투광영역을 포함하여 구성됨을 특징으로 하고, 본 발명의 오버레이 버니어의 제조 방법은 석영기판상에 크롬층을 형성하는 단계; 상기 크롬층을 선택적으로 패터닝하여 사각 고리형태의 차광층을 형성하는 단계; 상기 차광층 사이의 상기 석영기판을 소정 폭과 깊이로 식각하여 사각박스형태의 트렌치를 형성하는 단계; 및 상기 트렌치에 매립되어 상기 차광층과 트렌치 사이에 투광영역을 형성하는 쉬프터층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided an overlay vernier comprising: a rectangular annular light-shielding layer; A square box-shaped trench formed in the light-shielding layer to have a depth that is phase-inverted by 180 degrees with the light-transmitting layer; And a light-transmitting region formed between the light-shielding layer and the trench at a predetermined interval. The method of manufacturing an overlay vernier according to the present invention includes the steps of: forming a chromium layer on a quartz substrate; Selectively patterning the chromium layer to form a quadrangle-shaped light-shielding layer; Forming a rectangular box-shaped trench by etching the quartz substrate between the light-shielding layers to a predetermined width and depth; And forming a shifter layer buried in the trench to form a light-transmitting region between the light-shielding layer and the trench.

이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참조하여 설명하기로 한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings in order to facilitate a person skilled in the art to easily carry out the technical idea of the present invention. .

도 3a는 본 발명의 실시예에 따른 오버레이 버니어의 평면도이고, 도 3b는 본 발명의 실시예에 따른 오버레이 버니어의 단면도이다.FIG. 3A is a plan view of an overlay vernier according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3B is a sectional view of an overlay vernier according to an embodiment of the present invention.

도 3a에 도시된 바와 같이, 오버레이 버니어(20)는 사각형 고리모양의 차광층(22a), 상기 차광층(22a)의 내부에 사각박스형의 쉬프터층(27)이 형성되며, 상기 차광층(22a)과 쉬프터층(27) 사이에 투광영역(24)이 형성된다.3A, the overlay veneer 20 includes a quadrangular annular light-shielding layer 22a, a rectangular box-shaped shifter layer 27 formed inside the light-shielding layer 22a, and the light-shielding layer 22a ) And the shifter layer 27 are formed.

그리고, 도 3b에 도시된 바와 같이, 오버레이 버니어는 석영기판(21)상에 크롬층으로 이루어진 차광층(22a)이 형성되며, 차광층(22a)을 제외한 석영기판(21)을 소정깊이만큼 식각하여 형성된 트렌치에 쉬프터층(27)이 부착되고, 상기 차광층(22a)과 쉬프터층(27) 사이의 석영기판(21)은 빛이 완전히 투과되는 투광영역(24)이 된다. 여기서, 차광층(22a)과 쉬프터층(27) 사이의 간격(d3)은 노광필드(E-field)의 제곱에 미치지 못할 정도의 거리를 갖는다.3B, the overlay vernier includes a light-shielding layer 22a formed of a chromium layer on the quartz substrate 21, and a quartz substrate 21 excluding the light-shielding layer 22a is etched by a predetermined depth And a quartz substrate 21 between the light-shielding layer 22a and the shifter layer 27 becomes a light-transmitting region 24 through which light is completely transmitted. Here, the distance d 3 between the light-shielding layer 22a and the shifter layer 27 has a distance which is less than the square of the exposure field (E-field).

이러한 오버레이 버니어는 이웃한 투광영역(24)으로부터 조사되는 빛의 위상을 쉬프터층(27)에서 180°반전시켜주면, 투광영역(24) 사이에 위치하는 차광층(22a)의 광강도가 '0'이 되어 이웃한 투광층이 분리된다(도 4 참조). When the phase of the light emitted from the neighboring light transmitting region 24 is inverted by 180 degrees in the shifter layer 27, the light intensity of the light shielding layer 22a located between the light transmitting regions 24 is 0 And the adjacent light-transmitting layer is separated (see FIG. 4).

도 4를 참조하여 설명하면, 오버레이 리딩시, 오버레이 버니어의 쉬프터층 (27)에서 조사되는 빛의 위상이 180°반전되고, 투광영역(24)에 조사되는 에너지(Eth)가 증가한다.Referring to FIG. 4, when the overlay is read, the phase of light irradiated by the shifter layer 27 of the overlay vernier is inverted by 180 degrees, and the energy ( Et ) irradiated onto the light transmitting region 24 is increased.

도 5a 내지 도 5d는 본 발명의 실시예에 따른 오버레이 버니의 제조 방법을 도시한 도면이다.5A to 5D are views showing a method of manufacturing an overlay burnishing method according to an embodiment of the present invention.

도 5a에 도시된 바와 같이, 석영기판(21)상에 크롬층(22)을 형성한 후, 크롬층(22)상에 제 1 감광막(23)을 도포한다. 계속해서, 제 1 감광막(23)을 선택적으로 패터닝하여 차광영역을 노출시키는 제 1 감광막패턴(23)을 형성한다. 5A, after the chromium layer 22 is formed on the quartz substrate 21, the first photoresist layer 23 is coated on the chromium layer 22. Subsequently, the first photosensitive film 23 is selectively patterned to form the first photosensitive film pattern 23 exposing the light shielding region.                     

도 5b에 도시된 바와 같이, 제 1 감광막패턴(23)을 이용하여 하부의 크롬층(22)을 식각하여 사각 고리모양의 차광층(22a)을 형성한다. 이 때, 석영기판(21)의 투광영역(24)이 완전히 노출된다.5B, the lower light-shielding layer 22a is formed by etching the lower chromium layer 22 using the first photoresist pattern 23, as shown in FIG. 5B. At this time, the light transmitting region 24 of the quartz substrate 21 is completely exposed.

도 5c에 도시된 바와 같이, 차광층(22a)을 포함한 전면에 제 2 감광막을 도포하고 노광 및 현상하여 후속 위상반전영역(26)이 형성될 부분을 노출시키는 제 2 감광막패턴(25)을 형성한다. 이 때, 제 2 감광막패턴(25)은 석영기판(21)의 투광영역(24)을 소정 부분 노출시키는 폭으로 형성된다.5C, a second photoresist pattern 25 is formed by exposing and developing the second photoresist layer on the entire surface including the light-shielding layer 22a to expose a portion where the next phase inversion area 26 is to be formed, do. At this time, the second photoresist pattern 25 is formed with a width that exposes the light-transmitting region 24 of the quartz substrate 21 to a predetermined portion.

도 5d에 도시된 바와 같이, 제 2 감광막패턴(25)을 이용하여 노출된 석영기판(21)의 투광영역(24)을 소정깊이만큼 식각하여 트렌치를 형성한다. 이어서, 트렌치에 위상을 바꿀수 있는 굴절율을 갖는 물질을 매립시켜 쉬프터층(27)을 형성한다.5D, the light transmitting region 24 of the exposed quartz substrate 21 is etched by a predetermined depth using the second photoresist pattern 25 to form a trench. Subsequently, a material having a refractive index capable of changing the phase to the trench is buried to form a shifter layer 27.

여기서, 위상을 반전시키는 다른 방법으로 상기 석영기판(21)에 형성된 트렌치를 입사하는 광의 위상이 정확히 180°로 반전되는 깊이를 갖도록 형성시켜 트렌치는 위상반전영역이 되고 트렌치가 형성되지 않은 석영기판(21)의 투광영역(24)은 이를 지나는 광이 그 위상 변화없이 통과하므로 위상비반전영역이 되도록 한다.In this case, the trench formed on the quartz substrate 21 is formed so that the phase of the light incident thereon is inverted to 180 degrees, so that the trench becomes a phase inversion region and the quartz substrate The light transmitting region 24 of the light emitting diodes 21 passes through the light passing through the light transmitting region 24 without changing its phase,

도면에 도시되지 않았지만, 본 발명의 실시예에 따른 오버레이 버니어는 하프톤위상반전마스크를 적용할 수 있고, 모든 형태의 오버레이 버니어에 위상반전마스크를 적용할 수 있으며, 또한, 정렬키(Alignment key)와 같은 1㎛이상의 패턴에서 슬로프를 향상시키기 위해 위상반전마스크를 적용할 수 있다.Although not shown in the drawings, the overlay vernier according to the embodiment of the present invention can apply a halftone phase inversion mask, apply a phase inversion mask to all types of overlay verniers, A phase reversal mask can be applied to improve the slope in a pattern of 1 mu m or more.

본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으 나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
It is to be noted that the technical spirit of the present invention has been specifically described in accordance with the above preferred embodiments, but it should be noted that the above-mentioned embodiments are intended to be illustrative and not restrictive. In addition, it will be understood by those of ordinary skill in the art that various embodiments are possible within the scope of the technical idea of the present invention.

상술한 바와 같은 본 발명의 오버레이 버니어 및 그 제조 방법은 오버레이 리딩에러에서 발생하는 재작업을 감소시킬 수 있으며, 소자의 집적도가 작아짐에 따른 고농도 이온주입에서의 오버레이 부담이 작아져 오버레이를 제어할 수 있는 효과가 있다.


As described above, the overlay veneer of the present invention and its manufacturing method can reduce rework caused by an overlay reading error, reduce the overlay burden in high concentration ion implantation as the degree of integration of the device becomes smaller, There is an effect.


Claims (9)

오버레이 버니어에 있어서,In the overlay vernier, 사각형 고리모양의 차광층;A rectangular annular light-shielding layer; 상기 차광층의 내부에 상기 투광층과 180°만큼 위상반전되는 깊이를 갖고 형성된 사각박스형의 트렌치; 및A square box-shaped trench formed in the light-shielding layer to have a depth that is phase-inverted by 180 degrees with the light-transmitting layer; And 상기 차광층과 트렌치 사이에 소정간격을 갖고 형성된 투광영역A light-transmitting region formed between the light-shielding layer and the trench at a predetermined interval, 을 포함하는 오버레이 버니어./ RTI > 제 1 항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 차광층은 크롬층인 것을 특징으로 하는 오버레이 버니어.Wherein the light-shielding layer is a chromium layer. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 오버레이 버니어의 제조 방법에 있어서,In the overlay vernier manufacturing method, 석영기판상에 크롬층을 형성하는 단계;Forming a chromium layer on a quartz substrate; 상기 크롬층을 선택적으로 패터닝하여 사각 고리형태의 차광층을 형성하는 단계;Selectively patterning the chromium layer to form a quadrangle-shaped light-shielding layer; 상기 차광층 사이의 상기 석영기판을 소정 폭과 깊이로 식각하여 사각박스형태의 트렌치를 형성하는 단계; 및Forming a rectangular box-shaped trench by etching the quartz substrate between the light-shielding layers to a predetermined width and depth; And 상기 트렌치에 매립되어 상기 차광층과 트렌치 사이에 투광영역을 형성하는 쉬프터층을 형성하는 단계Forming a shifter layer buried in the trench to form a light-transmitting region between the light-shielding layer and the trench; 를 포함하는 오버레이 버니어의 제조 방법.≪ / RTI > 제 6 항에 있어서,The method according to claim 6, 상기 차광층을 형성하는 단계는,The step of forming the light- 상기 크롬층상에 제1감광막을 도포하고 노광 및 현상하여 제 1 감광막패턴을 형성하는 단계; 및Applying a first photosensitive film on the chromium layer, exposing and developing the first photosensitive film to form a first photosensitive film pattern; And 상기 제 1 감광막패턴을 이용하여 상기 크롬층을 식각하여 상기 석영기판의 투광영역을 노출시키는 상기 차광층을 형성하는 단계Forming a light shielding layer for exposing a light transmitting region of the quartz substrate by etching the chromium layer using the first photoresist pattern; 를 포함하는 오버레이 버니어의 제조 방법.≪ / RTI > 제 6 항에 있어서,The method according to claim 6, 상기 트렌치를 형성하는 단계는,Wherein forming the trench comprises: 상기 차광층상에 제 2 감광막을 도포하고 노광 및 현상하여 제 2 감광막패턴을 형성하는 단계; 및Forming a second photoresist pattern by coating a second photoresist layer on the shading layer, exposing and developing the second photoresist layer; And 상기 제 2 감광막패턴을 이용하여 상기 석영기판을 소정깊이만큼 식각하여 상기 트렌치를 형성하는 단계Forming the trench by etching the quartz substrate to a predetermined depth using the second photoresist pattern; 를 포함하는 오버레이 버니어의 제조 방법.≪ / RTI > 삭제delete
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100889334B1 (en) * 2002-10-31 2009-03-18 주식회사 하이닉스반도체 Method of forming overlay vernier for semiconductor device
KR100650733B1 (en) * 2005-04-04 2006-11-27 주식회사 하이닉스반도체 Measurement mark of semiconductor device
KR102343850B1 (en) 2015-05-06 2021-12-28 삼성전자주식회사 Method of producing mask with using common bias value in optical proximity correction

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR970022514A (en) * 1995-10-06 1997-05-28 김광호 Structure of PSM
KR19980015072A (en) * 1996-08-19 1998-05-25 김광호 Phase Inversion Mask and Manufacturing Method Thereof
KR19980054333A (en) * 1996-12-27 1998-09-25 문정환 Manufacturing method of phase inversion mask
JPH10319569A (en) * 1997-05-19 1998-12-04 Toshiba Corp Mask for exposure
KR19990086182A (en) * 1998-05-26 1999-12-15 윤종용 Rim type phase reversal mask for manufacturing semiconductor device and method of manufacturing same

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR970022514A (en) * 1995-10-06 1997-05-28 김광호 Structure of PSM
KR19980015072A (en) * 1996-08-19 1998-05-25 김광호 Phase Inversion Mask and Manufacturing Method Thereof
KR19980054333A (en) * 1996-12-27 1998-09-25 문정환 Manufacturing method of phase inversion mask
JPH10319569A (en) * 1997-05-19 1998-12-04 Toshiba Corp Mask for exposure
KR19990086182A (en) * 1998-05-26 1999-12-15 윤종용 Rim type phase reversal mask for manufacturing semiconductor device and method of manufacturing same

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