KR100735937B1 - Substrate supporting member and substrate processing apparatus - Google Patents

Substrate supporting member and substrate processing apparatus Download PDF

Info

Publication number
KR100735937B1
KR100735937B1 KR1020060024138A KR20060024138A KR100735937B1 KR 100735937 B1 KR100735937 B1 KR 100735937B1 KR 1020060024138 A KR1020060024138 A KR 1020060024138A KR 20060024138 A KR20060024138 A KR 20060024138A KR 100735937 B1 KR100735937 B1 KR 100735937B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
board
substrate holding
holding surface
region
Prior art date
Application number
KR1020060024138A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20060101302A (en
Inventor
가오루 오오하시
도시히로 하야미
Original Assignee
동경 엘렉트론 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 동경 엘렉트론 주식회사 filed Critical 동경 엘렉트론 주식회사
Publication of KR20060101302A publication Critical patent/KR20060101302A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100735937B1 publication Critical patent/KR100735937B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H01J37/32724—Temperature

Abstract

기판의 면 내부 온도를 균일하게 할 수 있는 서셉터를 제공한다. 서셉터(13)는, 기판(W)보다 작은 기판 유지면(20)을 가지고 있다. 기판 유지면(20)은, 외주 링(21)과 복수의 볼록부(22)를 구비하고 있다. 기판 유지면(20)의 중심 영역(R1)에는, 볼록부(22)를 균등하게 배치한다. 기판 유지면(20)의 중간 영역(R2)에는, 볼록부(22)를 중심 영역(R1)보다도 단위 면적당의 개수가 적어지도록 배치한다. 기판 유지면(20)의 외주 영역(R3)에는, 볼록부(22)와 외주 링(21)을 배치한다. 이에 의해, 기판 유지면(20)의 중간 영역(R2)에 있어서의 열 전달율을, 중심 영역(R1)보다도 낮게 하고, 외주 영역(R3)에 있어서의 열 전달율을 중심 영역(R1)보다도 높게 한다.Provided is a susceptor capable of making the temperature inside the surface of a substrate uniform. The susceptor 13 has a substrate holding surface 20 smaller than the substrate W. As shown in FIG. The board | substrate holding surface 20 is equipped with the outer peripheral ring 21 and the some convex part 22. As shown in FIG. The convex part 22 is arrange | positioned evenly in the center area | region R1 of the board | substrate holding surface 20. FIG. The convex part 22 is arrange | positioned so that the number per unit area may become smaller than the center area | region R1 in the intermediate area | region R2 of the board | substrate holding surface 20. FIG. In the outer circumferential region R3 of the substrate holding surface 20, the convex portion 22 and the outer circumferential ring 21 are disposed. Thereby, the heat transfer rate in the intermediate region R2 of the substrate holding surface 20 is made lower than the center region R1, and the heat transfer rate in the outer circumferential region R3 is made higher than the center region R1. .

Description

기판 유지 부재 및 기판 처리 장치{SUBSTRATE SUPPORTING MEMBER AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}Substrate holding member and substrate processing apparatus {SUBSTRATE SUPPORTING MEMBER AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}

도 1은 플라즈마 처리 장치의 구성의 개략을 나타내는 종단면도이다.1 is a longitudinal sectional view showing an outline of a configuration of a plasma processing apparatus.

도 2는 기판 유지면의 평면도이다. 2 is a plan view of the substrate holding surface.

도 3은 서셉터의 정전척의 종단면도이다. 3 is a longitudinal cross-sectional view of the electrostatic chuck of the susceptor.

도 4는 기판 유지면의 영역을 설명하기 위한 기판 유지면의 모식도이다. 4 is a schematic view of the substrate holding surface for explaining a region of the substrate holding surface.

도 5는 기판 유지면의 열 전달율 분포와 기판의 면 내 온도 분포를 나타내는 그래프이다.5 is a graph showing the heat transfer rate distribution of the substrate holding surface and the in-plane temperature distribution of the substrate.

도 6은 기판 유지면이 평면의 경우의 정전척의 종단면도이다.6 is a longitudinal cross-sectional view of the electrostatic chuck in the case where the substrate holding surface is a plane.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

1 플라즈마 처리 장치1 plasma processing apparatus

13 서셉터13 susceptors

20 기판유지면20 substrate

21 외주 링21 outer ring

22 볼록부22 convex

R1 중심 영역R1 center area

R2 중간 영역R2 middle zone

R3 외주 영역R3 outer area

W 기판W board

본 발명은, 기판을 탑재하여 유지하는 기판 유지 부재와, 그 기판 유지 부재를 구비한 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate holding member for mounting and holding a substrate and a substrate processing apparatus including the substrate holding member.

예컨대 반도체 디바이스의 제조 프로세스에서는, 예컨대 플라즈마를 이용한 에칭 처리나 성막 처리가 실행되고 있다. For example, in the manufacturing process of a semiconductor device, an etching process and a film-forming process using plasma are performed, for example.

이들 플라즈마를 이용한 플라즈마 처리는, 통상 플라즈마 처리 장치에 의해 실행되고 있다. 이 플라즈마 처리 장치는, 예컨대 처리 용기 내에, 플라즈마 생성용의 고주파 전력이 인가되는 상부 전극이나, 기판을 유지하는 서셉터 등을 구비하고 있다. 그리고, 처리 용기 내를 소정의 압력으로 감압하고, 처리 용기 내에 처리 가스를 공급하여, 상부 전극에 플라즈마 생성용 고주파 전력을 인가하는 것에 의해, 처리 용기 내에 플라즈마를 생성하여, 해당 플라즈마에 의해서 기판상의 막을 에칭하고 있다.Plasma processing using these plasmas is normally performed by the plasma processing apparatus. This plasma processing apparatus includes, for example, an upper electrode to which high frequency power for plasma generation is applied, a susceptor for holding a substrate, and the like, in a processing container. By depressurizing the inside of the processing container to a predetermined pressure, supplying the processing gas into the processing container, and applying high frequency power for plasma generation to the upper electrode, plasma is generated in the processing container, and the plasma is generated on the substrate. The film is etched.

상기 플라즈마 처리는, 플라즈마를 생성하기 위해서 고온의 조건하에서 실행되나, 기판의 처리 상태를 일정하게 유지하기 위해서, 예컨대 기판의 온도를 일정 하게 유지해야할 필요가 있다. 이를 위해, 기판을 유지하는 서셉터는, 예컨대 냉매의 순환 공급에 의해 온도 조정되어, 기판의 온도를 제어하고 있었다. The plasma processing is performed under high temperature conditions to generate plasma, but it is necessary to keep the temperature of the substrate constant, for example, in order to keep the processing state of the substrate constant. For this, the susceptor holding a board | substrate was temperature-controlled, for example by circulation supply of a refrigerant | coolant, and was controlling the temperature of a board | substrate.

그런데, 서셉터에는, 기판을 유지하는 상면이 기판보다도 작게 형성되어 있는 것이 있으며, 이 경우, 기판의 외주부가 서셉터의 상면으로부터 비어져 나온 상태로 되어 있다 (예컨대, 특허문헌 1 참조). 이것은, 에칭 처리시에, 서셉터의 상면이 상부 전극 측에 노출하여 플라즈마 등에 의해 깎이는 것을 방지하기 위한 것이다.By the way, the susceptor has the upper surface holding a board | substrate smaller than a board | substrate, In this case, the outer peripheral part of a board | substrate is in the state which protruded from the upper surface of a susceptor (for example, refer patent document 1). This is to prevent the upper surface of the susceptor from being cut by the plasma or the like by exposing the upper surface of the susceptor at the time of etching.

그러나, 상술한 바와 같이 기판의 외주부가 서셉터로부터 비어져 나와 있으면, 처리 중에, 기판의 외주부에 대한 입열이 많고, 또한 기판의 외주부에 대한 서셉터에 의한 냉각도 충분히 실행되지 않는다. 이 때문에, 서셉터 상의 기판은, 외주부에 가까워짐에 따라 온도가 높아져, 기판면 내부 온도가 균일하게 유지되지 않았다. 기판면의 온도가 균일하지 않으면, 예컨대 기판면 내부에 있어서의 에칭 특성이 고르지 않아, 예컨대 기판의 중심부와 외주부에 있어서 선폭 치수가 크게 달라져 버린다. However, if the outer peripheral portion of the substrate is protruded from the susceptor as described above, during the processing, heat input to the outer peripheral portion of the substrate is large, and cooling by the susceptor to the outer peripheral portion of the substrate is also not sufficiently performed. For this reason, the temperature of the board | substrate on a susceptor became high as it approached the outer peripheral part, and the internal temperature inside the board | substrate was not maintained uniform. If the temperature of the substrate surface is not uniform, for example, the etching characteristics of the inside of the substrate surface are uneven, and the line width dimension greatly varies, for example, in the central portion and the outer peripheral portion of the substrate.

[특허문헌 1] 일본 특허 공개 평성 11-121600호 공보[Patent Document 1] Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-121600

본 발명은, 이러한 점에 비추어 봐 이루어진 것으로, 기판을 유지하면서 기판의 온도 제어를 하는 서셉터 등의 기판 유지 부재에 있어서, 기판의 면 내부 온도를 균일하게 유지하는 것을 그 목적으로 한다.This invention is made | formed in view of such a point, Comprising: It aims at maintaining the internal surface temperature of a board | substrate uniformly in board | substrate holding members, such as a susceptor which controls temperature of a board | substrate, holding a board | substrate.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 기판을 탑재하여 유지하고, 기판과 기판 유지면과의 열 전달에 의해 기판을 온도 제어하는 기판 유지 부재에 있어서, 기판보다도 작은 기판 유지면을 가지고, 상기 기판과 기판 유지면과의 열 전달율은, 기판 유지면의 중심 영역과 외주 영역 사이의 중간 영역이 상기 중심 영역과 상기 외주 영역에 대하여 낮게 되어 있고, 상기 외주 영역이 상기 중심 영역에 대하여 높게 되어 있는 것을 특징으로 한다.The present invention for achieving the above object is a substrate holding member for mounting and holding a substrate, and temperature control of the substrate by heat transfer between the substrate and the substrate holding surface, the substrate holding surface smaller than the substrate, the substrate The heat transfer rate between the substrate holding surface and the substrate holding surface is such that an intermediate region between the center region and the outer peripheral region of the substrate holding surface is lower with respect to the center region and the outer peripheral region, and the outer peripheral region is higher with respect to the center region. It features.

본 발명에 의하면, 기판 유지면에 유지된 기판의 면 내부 온도를 균일하게 유지할 수 있다. According to the present invention, the in-plane temperature of the substrate held on the substrate holding surface can be maintained uniformly.

상기 기판 유지면의 중간 영역은, 유지한 기판의 중심으로부터 보아 기판의 반경의 80～90%의 범위에 위치하고 있어도 좋다. The intermediate region of the substrate holding surface may be located in the range of 80 to 90% of the radius of the substrate as viewed from the center of the held substrate.

상기 기판과 기판 유지면과의 열 전달율은, 기판과 기판 유지면과의 접촉면적을 바꾸는 것에 의해 설정하여도 좋다. The heat transfer rate between the substrate and the substrate holding surface may be set by changing the contact area between the substrate and the substrate holding surface.

상기 기판 유지면에는, 기판을 지지하는 복수의 볼록부가 형성되어 있고, 상기 기판과 기판 유지면과의 열 전달율은, 상기 볼록부의 단위 면적당의 수, 또는 각 볼록부의 기판과의 접촉 면적을 바꾸는 것에 의해 설정되어 있어도 좋다. The said board | substrate holding surface is provided with the some convex part which supports a board | substrate, The heat transfer rate of the said board | substrate and a board | substrate holding surface is a thing which changes the number per unit area of the said convex part, or the contact area with the board | substrate of each convex part. May be set.

상기 기판과 기판 유지면과의 열 전달율은, 기판 유지면의 재질을 바꾸는 것에 의해 설정되어 있어도 좋다. The heat transfer rate between the substrate and the substrate holding surface may be set by changing the material of the substrate holding surface.

상기 기판과 기판 유지면과의 열 전달율은, 기판 유지면의 표면 거칠기를 바꾸는 것에 의해 설정되어 있어도 좋다.The heat transfer rate between the substrate and the substrate holding surface may be set by changing the surface roughness of the substrate holding surface.

또, 본 발명에 의하면, 기판을 탑재하고 유지하여, 기판과 기판 유지면과의 열 전달에 의해 기판을 온도 제어하는 기판 유지 부재를 구비한 기판 처리 장치에 있어서, 상기 기판 유지 부재는, 기판보다도 작은 기판 유지면을 가지고, 상기 기판과 기판 유지면과의 열 전달율은, 기판 유지면의 중심 영역과 외주 영역 사이의 중간 영역이 상기 중심 영역과 상기 외주 영역에 대하여 낮게 되어 있고, 상기 외주 영역이 상기 중심 영역에 대하여 높게 되어 있는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치가 제공된다.Moreover, according to this invention, the board | substrate holding apparatus provided with the board | substrate holding member which mounts and holds a board | substrate, and controls a temperature by heat transfer of a board | substrate and a board | substrate holding surface, The said board | substrate holding member is a board | substrate rather than a board | substrate. It has a small board | substrate holding surface, The heat transfer rate of the said board | substrate and a board | substrate holding surface has the intermediate area | region between the center area | region and outer peripheral area of a board | substrate holding surface being low with respect to the said center area | region and the said outer peripheral area, and the said outer peripheral area is It is provided with respect to the said center area | region, The substrate processing apparatus characterized by the above-mentioned.

이 기판 처리 장치에 있어서, 상기 기판 유지면의 중간 영역은, 유지한 기판의 중심으로부터 보아 기판의 반경의 80～90%의 범위에 위치하고 있어도 좋다.In this substrate processing apparatus, the intermediate region of the substrate holding surface may be located in the range of 80 to 90% of the radius of the substrate as viewed from the center of the held substrate.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명한다. 도 1은, 본 발명에 관한 기판 유지 부재를 구비한 평행 평판형의 플라즈마 처리 장치(1)의 구성의 개략을 나타내는 종단면도이다.  Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described. FIG. 1: is a longitudinal cross-sectional view which shows the outline of the structure of the parallel plate type plasma processing apparatus 1 provided with the board | substrate holding member which concerns on this invention.

플라즈마 처리 장치(1)는, 예컨대 대략 원통 형상의 처리 용기(10)를 가지고 있다. 처리 용기(10)의 내부에는, 처리실(S)가 형성되어 있다. 처리 용기(10)는, 예컨대 알루미늄 합금에 의해 형성되고, 내벽면이 알루미나막 또는 이트륨 산화막에 의해 피복되어 있다. 처리 용기(10)는, 접지되어 있다. The plasma processing apparatus 1 has a substantially cylindrical processing container 10, for example. The processing chamber S is formed in the processing container 10. The processing container 10 is formed of, for example, an aluminum alloy, and the inner wall surface thereof is covered with an alumina film or a yttrium oxide film. The processing container 10 is grounded.

처리 용기(10)내의 중앙의 바닥부에는, 절연판(11)을 개재하여 원주 형상의 서셉터 지지대(12)가 마련되어 있다. 서셉터 지지대(12) 상에는, 기판(W)을 탑재하여 유지하는 기판 유지 부재로서의 서셉터(13)가 지지되어 있다. 서셉터(13)는, 하부 전극을 구성하고 있다. The columnar susceptor support 12 is provided in the center bottom part in the processing container 10 via the insulating plate 11. On the susceptor support 12, a susceptor 13 as a substrate holding member for mounting and holding the substrate W is supported. The susceptor 13 constitutes a lower electrode.

서셉터 지지대(12)의 내부에는, 링 형상의 냉매실(14)이 형성되어 있다. 냉매실(14)은, 배관(14a, 14b)을 통하여, 처리 용기(10)의 외부에 설치된 칠러 유닛(도시하지 않음)에 연이어 통하고 있다. 냉매실(14)에는, 배관(14a, 14b)을 통하여 냉매가 순환 공급되어, 이 순환 공급에 의해 서셉터(13)의 온도가 조정된다. 이에 의해, 서셉터(13)에 탑재되는 기판 (W)의 온도가 제어된다. In the susceptor support 12, a ring-shaped refrigerant chamber 14 is formed. The coolant chamber 14 communicates with a chiller unit (not shown) provided outside the processing container 10 via the pipes 14a and 14b. The coolant is circulated and supplied to the coolant chamber 14 through the pipes 14a and 14b, and the temperature of the susceptor 13 is adjusted by this circulating supply. As a result, the temperature of the substrate W mounted on the susceptor 13 is controlled.

서셉터(13)는, 예컨대 알루미늄 합금, 예컨대 알루미나(A12O3)에 의해 형성되어 있다. 서셉터(13)는, 예컨대 중앙부가 윗쪽으로 돌출한 대략 원반 형상으로 형성되어 있다. 그 서셉터(13)의 중앙부의 돌출부는, 정전척(15)으로 되어 있다. 정전척(15)의 내부에는, 직류 전원(16)에 접속된 전극층(17)이 마련되어 있고, 직류 전원(16)으로부터 전극층(17)으로 직류 전압을 인가하여 쿨론력을 발생시키는 것에 의해, 기판(W)을 흡착할 수 있다.The susceptor 13 is formed of, for example, an aluminum alloy such as alumina (A1 2 O 3 ). The susceptor 13 is formed in a substantially disk shape, for example, in which the central portion protrudes upward. The protruding portion of the center portion of the susceptor 13 serves as an electrostatic chuck 15. The electrode layer 17 connected to the DC power supply 16 is provided in the inside of the electrostatic chuck 15, and a coolon force is generated by applying a DC voltage from the DC power supply 16 to the electrode layer 17. (W) can be adsorbed.

서셉터(13)의 정전척(15)의 상면에는, 기판(W)이 탑재되는 기판 유지면(20)이 형성되어 있다. 기판 유지면(20)은, 예컨대 탑재되는 기판(W)보다도 작은 직경을 가지는 원형으로 형성되어 있다. 이에 의해, 기판 유지면(20)에 기판(W)이 탑재되면, 기판(W)의 외주 부가 기판 유지면(20)의 단부로부터 외측으로 돌출한다. 기판 유지면(20)은, 예컨대 도 2 및 도 3에 도시하는 바와 같이 최외주를 링 형상으로 둘러싸는 외주 링(21)과, 원주 형상의 복수의 볼록부(22)를 구비하고 있다. 외주 링(21)과 볼록부(22)는, 상면이 같은 높이이고 또한 평탄하게 형성되어 있고, 기판(W)을 탑재했을 때 기판(W)에 접촉한다. 따라서, 기판(W)는, 기판 유지면(20)의 외주 링(21)과 볼록부(22)에 의해 지지된다. The substrate holding surface 20 on which the substrate W is mounted is formed on the upper surface of the electrostatic chuck 15 of the susceptor 13. The board | substrate holding surface 20 is formed in circular shape which has a diameter smaller than the board | substrate W mounted, for example. Thereby, when the board | substrate W is mounted in the board | substrate holding surface 20, the outer periphery of the board | substrate W protrudes outward from the edge part of the board | substrate holding surface 20. The board | substrate holding surface 20 is equipped with the outer periphery ring 21 which encloses an outermost periphery in ring shape as shown to FIG. 2 and FIG. 3, and the some convex part 22 of the columnar shape. The outer circumference ring 21 and the convex portion 22 are formed at the same height and flat, and contact the substrate W when the substrate W is mounted. Therefore, the substrate W is supported by the outer circumferential ring 21 and the convex portion 22 of the substrate holding surface 20.

기판 유지면(20)은, 중심부로부터 외주부로 향하여, 기판(W)과의 열 전달율이 처음에 일정하고 그 다음에 저하하고 그 다음에 상승하도록 형성되어 있다. 예컨대 기판 유지면(20)은, 도 4에 도시하는 바와 같이 탑재되는 기판(W)의 중심으로부터 기판(W)의 반경(K)의 80%까지의 중심 영역(R1)과, 기판(W)의 중심으로부터 보아 기판(W)의 반경(K)의 80～90%의 범위에 위치하는 중간 영역(R2)과, 기판(W)의 중심으로부터 보아 기판(W)의 반경(K)의 90%～98%의 범위에 위치하는 외주 영역(R3)으로 구획되어 있다. 기판(W)과 기판 유지면(20)과의 열 전달율은, 이들 각 영역(R1～R3) 마다 설정되어 있다. 또한, 여기서 말하는 열 전달율은, 각 영역(R1～R3)에 있어서의 평균 열 전달율이다. The board | substrate holding surface 20 is formed so that the heat transfer rate with the board | substrate W may become constant at first, then falls, and then rises from the center part to the outer peripheral part. For example, the board | substrate holding surface 20 is center area | region R1 from the center of the board | substrate W mounted as shown in FIG. 4 to 80% of the radius K of the board | substrate W, and the board | substrate W. FIG. Intermediate region R2 located in the range of 80 to 90% of the radius K of the substrate W as viewed from the center of the substrate, and 90% of the radius K of the substrate W as viewed from the center of the substrate W; It is partitioned into the outer periphery area | region R3 located in the range of -98%. The heat transfer rate between the substrate W and the substrate holding surface 20 is set for each of these regions R1 to R3. In addition, the heat transfer rate here is an average heat transfer rate in each area | region R1-R3.

중심 영역(R1)에는, 도 2 및 도 3에 도시하는 바와 같이 복수의 볼록부(22)가 균등하게 배치되고, 중심 영역(R1)의 면 내부에 있어서는, 열 전달율이 일정하게 되어 있다. 중간 영역(R2)에는, 복수의 볼록부(22)의 단위 면적당의 개수가 중심 영역(R1)보다도 적어지도록 볼록부(22)가 배치되어 있다. 이에 의해, 중간 영역(R2)에 있어서의 볼록부(22)와 기판 (W)과의 접촉율(「접촉하고 있는 면적」/「 영역내의 전면적」)이 중심 영역(R1)보다도 감소하기 때문에, 중간 영역(R2)은, 중심 영역(R1)보다도, 기판(W)과의 열 전달율이 낮아지게 된다. 또한, 중간 영역(R2)에 있어서의 기판(W)과의 열 전달율은, 중심 영역(R1)의 90% 정도가 되도록 설정되어 있다.As shown to FIG. 2 and FIG. 3, the some convex part 22 is arrange | positioned uniformly in the center area | region R1, and the heat transfer rate is constant in the inside of the center area | region R1. The convex part 22 is arrange | positioned in the intermediate | middle area | region R2 so that the number per unit area of the some convex part 22 may become smaller than the center area | region R1. As a result, the contact ratio ("area in contact" / "area in the region") between the convex portion 22 and the substrate W in the intermediate region R2 is reduced than the center region R1. The intermediate region R2 has a lower heat transfer rate with the substrate W than the central region R1. In addition, the heat transfer rate with the board | substrate W in the intermediate | middle area | region R2 is set so that it may become about 90% of the center area | region R1.

외주 영역(R3)에는, 중심 영역(Rl)과 중간 영역(R2)보다도 기판(W)과의 접촉율이 상승하도록, 복수의 볼록부(22)와 외주 링(21)이 배치되어 있다. 예컨대, 볼록부(22)의 단위면적 당의 개수를 늘리거나, 외주 링(21)의 두께를 늘리는 것에 의해, 접촉율이 상승된다. 이에 의해, 외주 영역(R3)은, 중심 영역(R1)과 중간 영역(R2)보다도, 기판(W)과의 열 전달율이 높아지고 있다. In the outer circumferential region R3, the plurality of convex portions 22 and the outer circumferential ring 21 are arranged so that the contact ratio between the center region Rl and the intermediate region R2 is increased. For example, the contact ratio is increased by increasing the number per unit area of the convex portion 22 or by increasing the thickness of the outer circumferential ring 21. As a result, the heat transfer rate between the substrate W is higher in the outer circumferential region R3 than in the central region R1 and the intermediate region R2.

기판 유지면(20)에는, 도 1에 도시하는 바와 같이 서셉터(13) 및 서셉터 지지대(12) 내를 지나는 가스 공급 라인(30)이 통해 있다. 이에 의해, 기판(W)이 기판 유지면(20)에 탑재되었을 때에 형성되는, 기판(W)과 정전척(15) 사이의 공간에, He가스 등의 열전도 가스를 공급할 수 있다. As shown in FIG. 1, the substrate holding surface 20 has a gas supply line 30 passing through the susceptor 13 and the susceptor support 12. Thereby, heat conduction gas, such as He gas, can be supplied to the space between the board | substrate W and the electrostatic chuck 15 formed when the board | substrate W is mounted in the board | substrate holding surface 20. FIG.

서셉터(13)의 정전척(15)의 외주에는, 링 형상의 포커스 링(31)이 설치되어 있다. 포커스 링(31)은, 서셉터(13) 상에 탑재된 기판(W)을 둘러싸도록 형성되어 있다. 포커스 링(31)은, 예컨대 도전성 재료에 의해 형성되어 있다.A ring-shaped focus ring 31 is provided on the outer circumference of the electrostatic chuck 15 of the susceptor 13. The focus ring 31 is formed to surround the substrate W mounted on the susceptor 13. The focus ring 31 is formed of, for example, a conductive material.

서셉터(13)에는, 정합기(40)을 거쳐서 제 1 고주파 전원(41)이 전기적으로 접속되어 있다. 제 1 고주파 전원(41)은, 예컨대 2～20 MHz의 범위, 예컨대 2 MHz의 주파수의 고주파 전력을 출력하여 서셉터(13)에 인가할 수 있다. 제 1 고주파 전원(41)에 의해, 플라즈마 중의 이온을 기판(W) 측으로 끌어넣기 위한 자기 바이어스 전위를 생성할 수 있다. The first high frequency power supply 41 is electrically connected to the susceptor 13 via a matcher 40. The first high frequency power supply 41 can output high frequency power in a range of 2 to 20 MHz, for example, 2 MHz, and apply it to the susceptor 13. The first high frequency power supply 41 can generate a self bias potential for attracting ions in the plasma to the substrate W side.

서셉터(13)에는, 후술하는 상부 전극(50) 측의 제 2 고주파 전원(71)으로부터의 고주파를 그라운드에 통과시키기 위한 하이패스 필터(42)가 전기적으로 접속되어 있다.The susceptor 13 is electrically connected to a high pass filter 42 for passing high frequency from the second high frequency power supply 71 on the side of the upper electrode 50 described later to the ground.

서셉터(13)의 윗쪽에는, 서셉터(13)와 평행하게 대향하는 상부 전극(50)이 마련되어 있다. 서셉터(13)와 상부 전극(50) 사이에는, 플라즈마 생성 공간이 형성된다. On the upper side of the susceptor 13, the upper electrode 50 which opposes in parallel with the susceptor 13 is provided. A plasma generation space is formed between the susceptor 13 and the upper electrode 50.

상부 전극(50)은, 서셉터(13)에 탑재된 기판(W) 상에 처리 가스를 분출하는 샤워 헤드를 구성하고 있다. 상부 전극(50)은, 예컨대 서셉터(13)에 대향하는 전극판(51)과, 해당 전극판(51)을 지지하는 전극 지지체(52)에 의해 구성되어 있다. 전극 지지체(52)는, 예컨대 중공의 대략 원통 형상으로 형성되어, 그 하면에 전극판(51)이 설치되어 있다. 전극판(51)에는, 다수의 가스 분출 구멍(51a)이 형성되어 있고, 전극 지지체(52) 내에 도입된 처리 가스를 가스 분출 구멍(51a)으로부터 분출할 수 있다. The upper electrode 50 constitutes a shower head which ejects a processing gas onto the substrate W mounted on the susceptor 13. The upper electrode 50 is comprised by the electrode plate 51 which opposes the susceptor 13, for example, and the electrode support body 52 which supports the said electrode plate 51. As shown in FIG. The electrode support body 52 is formed in a hollow substantially cylindrical shape, for example, and the electrode plate 51 is provided in the lower surface. A large number of gas blowing holes 51a are formed in the electrode plate 51, and the processing gas introduced into the electrode support 52 can be blown out from the gas blowing holes 51a.

상부 전극(50)의 전극 지지체(52)의 상면의 중앙부에는, 상부 전극(50)에 처리 가스를 도입하기 위한 가스 공급관(60)이 접속되어 있다. 가스 공급관(60)은, 처리 용기(10)의 상면을 관통하여 가스 공급원(61)에 접속되어 있다. 가스 공급관(60)과 처리 용기(10)와의 접촉부에는, 절연재(62)가 개재되어 있다. A gas supply pipe 60 for introducing a processing gas into the upper electrode 50 is connected to the central portion of the upper surface of the electrode support 52 of the upper electrode 50. The gas supply pipe 60 penetrates through the upper surface of the processing container 10 and is connected to the gas supply source 61. An insulating material 62 is interposed between the gas supply pipe 60 and the processing container 10.

상부 전극(50)에는, 정합기(70)를 거쳐서 제 2 고주파 전원(71)이 전기적으로 접속되어 있다. 제 2 고주파 전원(71)은, 예컨대 40MHz 이상, 예컨대 60MHz의 주파수의 고주파 전력을 출력하여 상부 전극(50)에 인가할 수 있다. 이 제 2 고주파 전원(71)에 의해, 처리 용기(10) 내에 처리 가스의 플라즈마를 생성할 수 있다.The second high frequency power source 71 is electrically connected to the upper electrode 50 via a matcher 70. The second high frequency power source 71 may output high frequency power with a frequency of 40 MHz or more, for example 60 MHz, and apply the same to the upper electrode 50. By this second high frequency power source 71, plasma of the processing gas can be generated in the processing container 10.

상부 전극(50)에는, 서셉터(13)측의 제 1 고주파 전원(41)으로부터의 고주파를 그라운드에 통과시키기 위한 로우패스 필터(72)가 전기적으로 접속되어 있다. The upper electrode 50 is electrically connected to a low pass filter 72 for passing high frequency from the first high frequency power supply 41 on the susceptor 13 side to ground.

처리 용기(10)의 바닥부에는, 배기구(80)가 형성되어 있다. 배기구(80)는, 배기관(81)을 통하여, 진공 펌프 등을 구비한 배기 장치(82)에 접속되어 있다. 배기 장치(82)에 의해, 처리 용기(10) 내의 소망하는 압력으로 감압할 수 있다. The exhaust port 80 is formed in the bottom part of the processing container 10. The exhaust port 80 is connected to the exhaust device 82 provided with a vacuum pump or the like through the exhaust pipe 81. By the exhaust device 82, the pressure can be reduced to a desired pressure in the processing container 10.

처리 용기(10)의 측벽에는, 기판(W)의 반송구(90)가 형성되어, 그 반송구(90)에는, 게이트 밸브(91)가 마련되어 있다. 게이트 밸브(91)를 개방하는 것에 의해, 처리 용기(10) 내에 기판(W)을 반출입할 수 있다. The conveyance port 90 of the board | substrate W is formed in the side wall of the processing container 10, and the gate valve 91 is provided in the conveyance port 90. As shown in FIG. By opening the gate valve 91, the substrate W can be carried in and out of the processing container 10.

이상과 같이 구성된 플라즈마 처리 장치(1)로 실행되는 에칭 처리에서는, 우선 기판(W)이 처리 용기(10) 내에 반입되어, 서셉터(13)의 기판 유지면(20)에 탑재되어 흡착된다. 이 때, 서셉터(13)는, 서셉터 지지대(12)의 순환 냉매에 의해 미리 소정 온도로 조절되어 있다. 이 서셉터(13)로부터의 열 전달에 의해, 기판 유지면(20) 상의 기판(W)도 소정 온도로 조정된다. 다음에, 예컨대 배기관(81)으로부터의 배기에 의해, 처리실(S) 내가 소정의 압력으로 감압된다. 상부 전극(50)으로부터 처리실(S) 내로 처리 가스가 공급된다. 제 2 고주파 전원(71)에 의해, 상부 전극(50)에 고주파 전력이 인가되어, 처리실(S) 내의 처리 가스가 플라즈마화된다. 또한, 제 1 고주파 전원(41)에 의해, 서셉터(13)에 고주파 전력이 인가되어, 플라즈마 중의 하전 입자가 기판(W)측에 유도된다. 이들 플라즈마의 작용에 의해, 기판(W) 상의 막이 에칭된다. In the etching process performed by the plasma processing apparatus 1 comprised as mentioned above, the board | substrate W is first carried in the process container 10, is mounted on the board | substrate holding surface 20 of the susceptor 13, and is attracted. At this time, the susceptor 13 is previously adjusted to a predetermined temperature by the circulating refrigerant of the susceptor support 12. By heat transfer from this susceptor 13, the board | substrate W on the board | substrate holding surface 20 is also adjusted to predetermined temperature. Next, the inside of the processing chamber S is decompressed to a predetermined pressure, for example, by the exhaust from the exhaust pipe 81. The processing gas is supplied from the upper electrode 50 into the processing chamber S. The high frequency power is applied to the upper electrode 50 by the second high frequency power source 71, and the processing gas in the processing chamber S is converted into plasma. Moreover, high frequency electric power is applied to the susceptor 13 by the 1st high frequency power supply 41, and the charged particle in a plasma is guide | induced to the board | substrate W side. By the action of these plasmas, the film on the substrate W is etched.

다음에, 본 실시예에 있어서의 서셉터(13)를 채용한 경우의 기판의 면 내부 온도의 균일성에 대하여 검증한다. 도 5는, 기판(W)과 기판 유지면(20)과의 면 내 열전달율 분포와, 기판 유지면(20) 상에서 온도 조정된 기판(W)의 면 내 온도 분포 를 나타내는 그래프이다.Next, the uniformity of the in-plane temperature of the substrate when the susceptor 13 in the present embodiment is adopted is verified. 5 is a graph showing the in-plane heat transfer rate distribution between the substrate W and the substrate holding surface 20 and the in-plane temperature distribution of the substrate W temperature-adjusted on the substrate holding surface 20.

도 5의 곡선 A는, 서셉터(13)의 기판(W)과 기판 유지면과의 열 전달율을 만약 전 영역에서 균일하게 한 경우의 기판(W)의 면 내 온도 분포를 나타낸다. 이러한 경우, 기판(W)의 외주부의 온도가 현저하게 상승하는 것을 확인할 수 있다. 곡선(B)은, 기판(W)과 기판 유지면과의 열 전달율을, 가령 기판 유지면의 중심부으로부터 외주부로 향하여 점차 증대시킨 경우의 열 전달율 분포를 나타내고, 곡선(C)은, 곡선(B)의 열 전달율 분포의 경우의 기판(W)의 면 내 온도 분포를 나타낸다. 곡선 C의 경우, 곡선 A의 경우와 비교하여 기판(W)의 외주부의 온도 상승이 억제되고 있으나, 반대로 기판(W)의 중간부로부터 외주부에 걸쳐서 큰 온도저하를 볼 수 있다. Curve A of FIG. 5 shows in-plane temperature distribution of the substrate W when the heat transfer rate between the substrate W of the susceptor 13 and the substrate holding surface is uniform in all regions. In this case, it can be confirmed that the temperature of the outer peripheral portion of the substrate W is increased significantly. Curve B shows a heat transfer rate distribution when the heat transfer rate between the substrate W and the substrate holding surface is gradually increased from the center of the substrate holding surface toward the outer peripheral portion, and the curve C shows the curve B. In-plane temperature distribution of the board | substrate W in the case of heat transfer rate distribution of ()) is shown. In the case of curve C, although the temperature rise of the outer peripheral part of the board | substrate W is suppressed compared with the case of the curve A, a large temperature fall can be seen from the middle part of the board | substrate W to the outer peripheral part.

곡선(D)은, 본 실시예에 있어서의 서셉터(13)의 기판 유지면(20)과 같이, 기판(W)과의 열 전달율을 중간 영역(R2)<중심 영역(R1)<외주 영역(R3)의 순으로 크게 한 경우의 열 전달율 분포를 나타내고, 곡선(E)은, 본 실시예에 있어서의 기판 유지면(20) 상의 기판(W)의 면 내 온도 분포를 나타낸다. 곡선(E)의 경우, 곡선 C의 경우의 기판(W)의 중간부로부터 외주부로 걸친 온도 저하가 개선되고, 또한 기판면 내부의 최대 온도차도 ±1℃정도의 범위로 억제되고 있는 것을 확인할 수 있다. The curve D shows a heat transfer rate with the substrate W, like the substrate holding surface 20 of the susceptor 13 in the present embodiment, in the intermediate region R2 <center region R1 <outer periphery region. The heat transfer rate distribution in the case of increasing in order of (R3) is shown, and the curve E shows the in-plane temperature distribution of the substrate W on the substrate holding surface 20 in the present embodiment. In the case of the curve E, it is confirmed that the temperature drop from the middle portion of the substrate W to the outer circumference portion in the case of the curve C is improved, and the maximum temperature difference inside the substrate surface is also suppressed in the range of ± 1 ° C. have.

본 실시예에 의하면, 서셉터(13)의 기판 유지면(20)의 볼록부(22)의 단위 면적당의 개수를 바꾸는 것에 의해, 기판(W)과 기판 유지면(20)과의 열 전달율을, 중간 영역(R2)<중심 영역(R1)<외주 영역(R3)이 되도록 설정했기 때문에, 플라즈마 처리 장치(1)에서의 에칭 처리 중에 기판(W)의 면 내부 온도가 균일하게 유지되고, 에칭 처리를 기판면 내부에서 균일하게 실행할 수 있다. According to the present embodiment, the heat transfer rate between the substrate W and the substrate holding surface 20 is changed by changing the number per unit area of the convex portion 22 of the substrate holding surface 20 of the susceptor 13. Since the intermediate region R2 is set so as to be the center region R1 and the outer peripheral region R3, the internal surface temperature of the substrate W is kept uniform during the etching process in the plasma processing apparatus 1, and the etching is performed. The process can be performed uniformly inside the substrate surface.

이상의 실시예에 의하면, 각 영역(R1～R3)에 있어서의 기판 유지면(20)과 기판(W)과의 열 전달율을, 볼록부(22)의 단위 면적당의 개수에 의해서 설정하고 있었으나, 기판 유지면(20)에 복수의 볼록부(22)를 균등하게 배치하여, 각 볼록부(22)와 기판(W)과의 접촉 면적, 즉 각 볼록부(22)의 상면의 면적을 바꾸는 것에 의해, 각 영역(R1～R3)에 있어서의 기판 (W)과 기판 유지면(20)과의 열 전달율을 설정하여도 좋다. According to the above Example, although the heat transfer rate between the board | substrate holding surface 20 and the board | substrate W in each area | region R1-R3 was set by the number per unit area of the convex part 22, By arrange | positioning the several convex part 22 on the holding surface 20 uniformly, and changing the contact area of each convex part 22 and the board | substrate W, ie, the area of the upper surface of each convex part 22, The heat transfer rate between the substrate W and the substrate holding surface 20 in each of the regions R1 to R3 may be set.

또한, 기판 유지면(20)의 각 영역(R1～R3)의 재질을 바꾸는 것에 의해, 각 영역(R 1～R3)의 기판(W)과 기판 유지면(20)과의 열 전달율을 설정하여도 좋다. 예컨대 기판 유지면(20)이 알루미나를 주성분으로 하는 재질로 형성되어 있는 경우에, 해당 기판 유지면(20)의 각 영역(R1～R3)의 재료의 성분에, 다른 양의 질화 알루미늄(AlN)을 첨가하는 것에 의해, 각 영역(R1～R3)의 열 전달율을 설정하여도 좋다. 이러한 경우, 중간 영역(R2), 중심 영역(Rl), 외주 영역(R3)의 순으로, 보다 많은 질화 알루미늄이 첨가되어, 열 전달율이 중간 영역(R2), 중심 영역(Rl), 외주 영역(R3)의 순으로 높아지도록 설정된다. 또한, 이 경우, 기판 유지면(20)은, 도 6에 도시하는 바와 같이 요철이 없는 평면이어도 좋다. The heat transfer rate between the substrate W and the substrate holding surface 20 of each of the regions R 1 to R3 is set by changing the material of each of the regions R1 to R3 of the substrate holding surface 20. Also good. For example, when the substrate holding surface 20 is formed of a material mainly containing alumina, the amount of aluminum nitride (AlN) different from that of the material of each of the regions R1 to R3 of the substrate holding surface 20 is different. By adding, the heat transfer rate of each of the regions R1 to R3 may be set. In this case, more aluminum nitride is added in the order of the intermediate region R2, the central region Rl, and the outer circumferential region R3, so that the heat transfer rate is higher than the intermediate region R2, the central region Rl, and the outer circumferential region ( R3) is set to increase in the order. In addition, in this case, the board | substrate holding surface 20 may be a plane without unevenness | corrugation, as shown in FIG.

또한, 기판 유지면(20)의 각 영역(R1～R3)의 표면 거칠기를 바꾸는 것에 의해, 각 영역(R1～R3)의 열 전달율을 설정하여도 좋다. 이러한 경우, 기판 유지면(20)은, 표면 거칠기가 중간 영역(R2), 중심 영역(Rl), 외주 영역(R3)의 순으로 작아지도록 형성되어, 열 전달율이 중간 영역(R2), 중심 영역(Rl), 외주 영역(R3) 의 순으로 높아지도록 설정된다. 또한, 이 경우도, 기판 유지면(20)이 요철이 없는 평면이어도 좋다. Moreover, you may set the heat transfer rate of each area | region R1-R3 by changing the surface roughness of each area | region R1-R3 of the board | substrate holding surface 20. FIG. In this case, the substrate holding surface 20 is formed such that the surface roughness decreases in the order of the intermediate region R2, the central region Rl, and the outer circumferential region R3, so that the heat transfer rate is the intermediate region R2, the central region. (Rl) and set so as to become high in order of outer periphery area | region R3. Moreover, also in this case, the board | substrate holding surface 20 may be a plane without unevenness | corrugation.

이상, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였으나, 본 발명은 이러한 예에 한정되지 않는다. 당업자라면, 특허 청구의 범위에 기재된 사상의 범주 내에 있어서, 각종 변경 예 또는 수정 예를 생각해 낼 수 있는 것은 분명하고, 그것들에 관해서도 당연히 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것으로 이해된다. 본 발명은 이 예에 한하지 않고 여러 가지 양태를 채용할 수 있다. 예컨대 본 실시예에서는, 기판 유지면(20)의 볼록부(22)는, 원통 형상이었으나, 사각 기둥 등의 다른 형상이어도 좋다. 또한, 기판 유지면(20)에는, 외주 링(21)의 내측에 내주의 링이 형성되어 있어도 좋다. 하부 전극이 되는 서셉터(13)에는, 자기 바이어스 전위를 생성시키기 위한 고주파 전원과 플라즈마를 생성시키기 위한 고주파 전원의 양쪽이 접속되어 있어도 좋다. 이상의 실시예에서는, 기판 유지면(20)을 가지는 서셉터(13)가, 에칭을 하는 플라즈마 처리 장치(1)에 구비되고 있었으나, 본 발명의 기판 유지 부재는, 성막 처리를 하는 플라즈마 처리 장치나, 플라즈마를 이용하지 않는 다른 기판 처리 장치에도 적용할 수 있다.As mentioned above, although preferred embodiment of this invention was described referring an accompanying drawing, this invention is not limited to this example. Those skilled in the art can clearly think of various modifications or modifications within the scope of the spirit described in the claims, and they are naturally understood to belong to the technical scope of the present invention. The present invention is not limited to this example, and various aspects can be adopted. For example, in this embodiment, although the convex part 22 of the board | substrate holding surface 20 was cylindrical shape, other shapes, such as a square pillar, may be sufficient. Moreover, the inner peripheral ring may be formed in the board | substrate holding surface 20 inside the outer peripheral ring 21. Both the high frequency power supply for generating the self bias potential and the high frequency power supply for generating the plasma may be connected to the susceptor 13 serving as the lower electrode. In the above embodiment, the susceptor 13 having the substrate holding surface 20 was provided in the plasma processing apparatus 1 for etching, but the substrate holding member of the present invention is a plasma processing apparatus for performing a film forming process. The present invention can also be applied to other substrate processing apparatuses that do not use plasma.

본 발명에 의하면, 기판 유지 부재 상의 기판의 면 내부 온도가 균일하게 유지되기 때문에, 기판의 처리가 면 내부에서 균일하게 실행되어, 양품률이 향상한다.According to this invention, since the in-plane temperature of the board | substrate on a board | substrate holding member is hold | maintained uniformly, the process of a board | substrate is performed uniformly in surface inside, and the yield is improved.

Claims (8)

기판을 탑재하고 유지하여, 기판과 기판 유지면과의 열 전달에 의해 기판을 온도 제어하는 기판 유지 부재에 있어서, In the substrate holding member which mounts and holds a board | substrate, and controls temperature of a board | substrate by heat transfer of a board | substrate and a board | substrate holding surface, 기판보다도 작은 기판 유지면을 가지고, Has a substrate holding surface smaller than the substrate, 상기 기판과 기판 유지면과의 열 전달율은, 기판 유지면의 중심 영역과 외주 영역 사이의 중간 영역이 상기 중심 영역과 상기 외주 영역에 대하여 낮게 되어 있고, 상기 외주 영역이 상기 중심 영역에 대하여 높게 되어 있는 것을 특징으로 하는, 기판 유지 부재.The heat transfer rate between the substrate and the substrate holding surface is such that an intermediate region between the center region and the outer peripheral region of the substrate holding surface is lower with respect to the center region and the outer peripheral region, and the outer peripheral region is higher with respect to the center region. The board | substrate holding member characterized by the above-mentioned. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 기판 유지면의 중간 영역은, 유지한 기판의 중심으로부터 보아 기판의 반경의 80～90%의 범위에 위치하고 있는 것을 특징으로 하는 기판 유지 부재.The intermediate | middle area | region of the said board | substrate holding surface is located in 80 to 90% of range of the radius of a board | substrate seen from the center of the board | substrate which hold | maintained, The board | substrate holding member characterized by the above-mentioned. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 기판과 기판 유지면과의 열 전달율은, 기판과 기판 유지면과의 접촉 면적을 바꾸는 것에 의해 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 유지 부재.The heat transfer rate of the said board | substrate and a board | substrate holding surface is set by changing the contact area of a board | substrate and a board | substrate holding surface, The board | substrate holding member characterized by the above-mentioned. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 기판 유지면에는, 기판을 지지하는 복수의 볼록부가 형성되어 있고, The said board | substrate holding surface is provided with the some convex part which supports a board | substrate, 상기 기판과 기판 유지면과의 열 전달율은, 상기 볼록부의 단위 면적당의 수, 또는 각 볼록부의 기판과의 접촉 면적을 바꾸는 것에 의해 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 유지 부재.The heat transfer rate of the said board | substrate and a board | substrate holding surface is set by changing the number per unit area of the said convex part, or the contact area with the board | substrate of each convex part. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 기판과 기판 유지면과의 열 전달율은, 기판 유지면의 재질을 바꾸는 것에 의해 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 유지 부재.The heat transfer rate of the said board | substrate and a board | substrate holding surface is set by changing the material of a board | substrate holding surface, The board | substrate holding member characterized by the above-mentioned. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 기판과 기판 유지면과의 열 전달율은, 기판 유지면의 표면 거칠기를 바꾸는 것에 의해 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 유지 부재.The heat transfer rate between the substrate and the substrate holding surface is set by changing the surface roughness of the substrate holding surface. 기판을 탑재하고 유지하여, 기판과 기판 유지면과의 열 전달에 의해 기판을 온도 제어하는 기판 유지 부재를 구비한 기판 처리 장치에 있어서,In the substrate processing apparatus provided with the board | substrate holding member which mounts and holds a board | substrate, and temperature-controls a board | substrate by heat transfer of a board | substrate and a board | substrate holding surface, 상기 기판 유지 부재는,The substrate holding member, 기판보다도 작은 기판 유지면을 가지고, Has a substrate holding surface smaller than the substrate, 상기 기판과 기판 유지면과의 열 전달율은, 기판 유지면의 중심 영역과 외주 영역 사이의 중간 영역이 상기 중심 영역과 상기 외주 영역에 대하여 낮게 되어 있고, 상기 외주 영역이 상기 중심 영역에 대하여 높게 되어 있는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.The heat transfer rate between the substrate and the substrate holding surface is such that an intermediate region between the center region and the outer peripheral region of the substrate holding surface is lower with respect to the center region and the outer peripheral region, and the outer peripheral region is higher with respect to the center region. The substrate processing apparatus characterized by the above-mentioned. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 기판 유지면의 중간 영역은, 유지한 기판의 중심으로부터 보아 기판의 반경의 80～90%의 범위에 위치하고 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The intermediate | middle area | region of the said board | substrate holding surface is located in 80 to 90% of range of the radius of a board | substrate seen from the center of the hold | maintained substrate, The substrate processing apparatus characterized by the above-mentioned.
KR1020060024138A 2005-03-17 2006-03-16 Substrate supporting member and substrate processing apparatus KR100735937B1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2005-00076555 2005-03-17
JP2005076555A JP4869610B2 (en) 2005-03-17 2005-03-17 Substrate holding member and substrate processing apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060101302A KR20060101302A (en) 2006-09-22
KR100735937B1 true KR100735937B1 (en) 2007-07-06

Family

ID=37002890

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060024138A KR100735937B1 (en) 2005-03-17 2006-03-16 Substrate supporting member and substrate processing apparatus

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP4869610B2 (en)
KR (1) KR100735937B1 (en)
CN (1) CN100390957C (en)
TW (1) TWI392043B (en)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7649729B2 (en) * 2007-10-12 2010-01-19 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck assembly
JP4533925B2 (en) 2007-12-17 2010-09-01 財団法人高知県産業振興センター Film forming apparatus and film forming method
JP4533926B2 (en) * 2007-12-26 2010-09-01 財団法人高知県産業振興センター Film forming apparatus and film forming method
KR100943427B1 (en) * 2008-02-04 2010-02-19 주식회사 유진테크 Substrate supporting unit and substrate processing apparatus, manufacturing method of the substrate supporting unit
JP2009212344A (en) * 2008-03-05 2009-09-17 Nsk Ltd Work chuck, aligner, and process for producing flat panel
JP2009212345A (en) * 2008-03-05 2009-09-17 Nsk Ltd Work chuck, aligner, and process for producing flat panel
JP5243465B2 (en) * 2010-01-28 2013-07-24 パナソニック株式会社 Plasma processing equipment
JP5670235B2 (en) * 2011-03-24 2015-02-18 コバレントマテリアル株式会社 Electrostatic chuck
KR101310109B1 (en) * 2011-06-13 2013-09-23 주식회사 엠와이에스 Electrostatic Chuck formed pad in edge of ceramic body
JP6173936B2 (en) * 2013-02-28 2017-08-02 東京エレクトロン株式会社 Mounting table and plasma processing apparatus
US20160225652A1 (en) * 2015-02-03 2016-08-04 Applied Materials, Inc. Low temperature chuck for plasma processing systems
CN104950581A (en) * 2015-07-02 2015-09-30 武汉华星光电技术有限公司 Stoving device and photoresist layer hardening method
KR101958636B1 (en) * 2016-10-31 2019-03-18 세메스 주식회사 Apparatus for supporting substrate, System for treating substrate, and Method for treating substrate
JP6818351B2 (en) * 2017-04-14 2021-01-20 サムコ株式会社 Wafer processing equipment
TWI658489B (en) * 2017-09-14 2019-05-01 南韓商吉佳藍科技股份有限公司 Plasma substrate processing device including a rotatable electrostatic chuck and substrate processing method using the same
CN115513028A (en) 2021-06-22 2022-12-23 东京毅力科创株式会社 Substrate processing apparatus and electrostatic chuck
WO2023022041A1 (en) * 2021-08-20 2023-02-23 東京エレクトロン株式会社 Electrostatic chuck, substrate support device, and substrate processing device

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980063620A (en) * 1996-12-04 1998-10-07 조셉제이.스위니 Method and apparatus for mechanically and electrostatically clamping wafers to pedestals in semiconductor wafer processing systems
KR20030033068A (en) * 2000-09-27 2003-04-26 엠코어 코포레이션 Apparatus and method for controlling temperature uniformity of substrates

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4990169A (en) * 1988-11-14 1991-02-05 Broad Research Ice making method and/or apparatus
US5738165A (en) * 1993-05-07 1998-04-14 Nikon Corporation Substrate holding apparatus
JPH0718438A (en) * 1993-06-17 1995-01-20 Anelva Corp Electrostatic chuck device
US5841624A (en) * 1997-06-09 1998-11-24 Applied Materials, Inc. Cover layer for a substrate support chuck and method of fabricating same
US6215642B1 (en) * 1999-03-11 2001-04-10 Nikon Corporation Of Japan Vacuum compatible, deformable electrostatic chuck with high thermal conductivity
US6815646B2 (en) * 2000-07-25 2004-11-09 Ibiden Co., Ltd. Ceramic substrate for semiconductor manufacture/inspection apparatus, ceramic heater, electrostatic clampless holder, and substrate for wafer prober
JP2002270681A (en) * 2001-03-07 2002-09-20 Anelva Corp Electrostatic attraction mechanism for processing substrate
US6563686B2 (en) * 2001-03-19 2003-05-13 Applied Materials, Inc. Pedestal assembly with enhanced thermal conductivity
US7544251B2 (en) * 2004-10-07 2009-06-09 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling temperature of a substrate

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980063620A (en) * 1996-12-04 1998-10-07 조셉제이.스위니 Method and apparatus for mechanically and electrostatically clamping wafers to pedestals in semiconductor wafer processing systems
KR20030033068A (en) * 2000-09-27 2003-04-26 엠코어 코포레이션 Apparatus and method for controlling temperature uniformity of substrates

Also Published As

Publication number Publication date
KR20060101302A (en) 2006-09-22
CN100390957C (en) 2008-05-28
JP4869610B2 (en) 2012-02-08
JP2006257495A (en) 2006-09-28
TW200723430A (en) 2007-06-16
CN1835203A (en) 2006-09-20
TWI392043B (en) 2013-04-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100735937B1 (en) Substrate supporting member and substrate processing apparatus
US7718007B2 (en) Substrate supporting member and substrate processing apparatus
JP5496568B2 (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
US5888907A (en) Plasma processing method
KR101139125B1 (en) Plasma processing apparatus
JP5893516B2 (en) Processing apparatus for processing object and mounting table for processing object
KR102569911B1 (en) Focus ring and substrate processing apparatus
US20140138030A1 (en) Capacitively coupled plasma equipment with uniform plasma density
JP2016522539A (en) Capacitively coupled plasma device with uniform plasma density
KR101898079B1 (en) Plasma processing apparatus
JP2017126727A (en) Structure of mounting table and semiconductor processing device
CN113169111A (en) Electrostatic chuck with improved thermal coupling for thermally sensitive processing
US10923333B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing control method
KR102650167B1 (en) electrostatic chuck and plasma processing apparatus including the same
KR20200051505A (en) Placing table and substrate processing apparatus
TW202209479A (en) Method of cleaning plasma processing apparatus and plasma processing apparatus
KR101430745B1 (en) Electrostatic chuck and substrate treating apparatus
KR20210008725A (en) Unit for supporting substrate and system for treating substrate with the unit
KR102421346B1 (en) Plasma apparatus
US20230187253A1 (en) Electrostatic chuck including upper plate and substrate processing apparatus including the same
US20210183629A1 (en) Ring assembly, substrate support assembly and substrate processing apparatus
KR102200709B1 (en) Wall liner unit and system for treating substrate with the wall liner unit
US11244837B2 (en) Process gas supply apparatus and wafer treatment system including the same
WO2023058480A1 (en) Upper electrode structure, and plasma processing device
WO2023148861A1 (en) Cleaning method for plasma processing apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130531

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140603

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150601

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160527

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170530

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180618

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190618

Year of fee payment: 13