KR102200709B1 - Wall liner unit and system for treating substrate with the wall liner unit - Google Patents

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Abstract

Provided are a wall liner unit installed to be separated into an upper structure and a lower structure in a substrate processing system, wherein a lower structure is installed to be movable in a vertical direction, and a substrate processing system including the same. The substrate processing system comprises: a housing; a shower head unit installed on an upper side of the inside of the housing and supplying a process gas for etching a substrate into the housing; a support unit installed on a lower side of the inside of the housing and having an electrostatic chuck on which the substrate is seated; a plasma generating unit generating plasma using the process gas to etch the substrate; and a wall liner unit protecting the inner wall of the housing and including a first liner member fixedly installed on the upper inner wall of the housing and a second liner member movably installed on the lower inner wall of the housing. The second liner member moves as the substrate enters and exits the inside of the housing.

Description

월 라이너 유닛 및 이를 구비하는 기판 처리 시스템 {Wall liner unit and system for treating substrate with the wall liner unit}Wall liner unit and substrate processing system having the same {Wall liner unit and system for treating substrate with the wall liner unit}

본 발명은 기판 처리 시스템 및 이에 구비되는 월 라이너 유닛에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 기판 처리 시스템 및 이에 구비되는 월 라이너 유닛에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing system and a wall liner unit provided therein. In more detail, it relates to a substrate processing system for processing a substrate using plasma, and a wall liner unit provided therein.

반도체 소자는 기판 상에 소정의 패턴을 형성함으로써 제조될 수 있다. 기판 상에 소정의 패턴을 형성할 때에는 증착 공정(depositing process), 사진 공정(lithography process), 식각 공정(etching process) 등 다수의 공정이 반도체 제조 공정에 사용되는 설비 내에서 연속적으로 수행될 수 있다.A semiconductor device can be manufactured by forming a predetermined pattern on a substrate. When forming a predetermined pattern on a substrate, a number of processes, such as a depositing process, a lithography process, and an etching process, can be continuously performed in a facility used in a semiconductor manufacturing process. .

한국등록특허 제10-1147908호 (공고일: 2012.05.25.)Korean Patent Registration No. 10-1147908 (Announcement date: 2012.05.25.)

반도체 소자를 제조하는 데에 이용되는 건식 식각 공정(dry etching process)은 플라즈마 반응 챔버(plasma reaction chamber) 내에서 수행될 수 있다. 이러한 플라즈마 반응 챔버는 내벽을 보호하기 위해 그 내부에 월 라이너(wall liner)가 설치될 수 있다.A dry etching process used to manufacture a semiconductor device may be performed in a plasma reaction chamber. A wall liner may be installed therein to protect the inner wall of the plasma reaction chamber.

플라즈마 반응 챔버 및 월 라이너는 플라즈마 반응 챔버의 내측에 설치되는 정전 척(ESC)으로 웨이퍼(wafer)를 공급하기 위해, 일측에 웨이퍼 반송 개구부를 가질 수 있다.The plasma reaction chamber and the wall liner may have a wafer transfer opening at one side to supply a wafer to an electrostatic chuck (ESC) installed inside the plasma reaction chamber.

그러나 이러한 웨이퍼 반송 개구부로 인해, 플라즈마 반응 챔버의 내부는 비대칭 구조로 형성될 수 있으며, 균일 열 전달, 그라운드(ground) 등에서 다른 부분과 단절될 수 있다. 또한 비정상 공정 결과를 유발하며, 패턴 웨이퍼 공정 진행시 비대칭 효과로 표출될 수 있다.However, due to such a wafer transfer opening, the inside of the plasma reaction chamber may be formed in an asymmetric structure, and may be disconnected from other parts in uniform heat transfer, ground, and the like. In addition, it causes abnormal process results, and may be expressed as an asymmetric effect during the pattern wafer process.

본 발명에서 해결하고자 하는 과제는, 월 라이너가 상부 구조물과 하부 구조물로 분리 가능하게 설치되며, 하부 구조물이 상하 방향으로 이동 가능하게 설치되는 기판 처리 시스템을 제공하는 것이다.The problem to be solved in the present invention is to provide a substrate processing system in which a wall liner is installed separably into an upper structure and a lower structure, and the lower structure is installed to be movable in the vertical direction.

또한 본 발명에서 해결하고자 하는 과제는, 기판 처리 시스템 내에 상부 구조물과 하부 구조물로 분리 가능하게 설치되며, 하부 구조물이 상하 방향으로 이동 가능하게 설치되는 월 라이너 유닛을 제공하는 것이다.In addition, the problem to be solved in the present invention is to provide a wall liner unit that is detachably installed into an upper structure and a lower structure in a substrate processing system, and the lower structure is installed so as to be movable in the vertical direction.

본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems of the present invention are not limited to the problems mentioned above, and other problems that are not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기판 처리 시스템의 일 면(aspect)은, 하우징; 상기 하우징의 내부 상측에 설치되며, 기판을 식각하기 위한 공정 가스를 상기 하우징의 내부로 공급하는 샤워 헤드 유닛; 상기 하우징의 내부 하측에 설치되며, 상기 기판이 안착되는 정전 척을 구비하는 지지 유닛; 상기 기판을 식각하기 위해 상기 공정 가스를 이용하여 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 생성 유닛; 및 상기 하우징의 내벽을 보호하며, 상기 하우징의 상부 내벽에 고정되어 설치되는 제1 라이너 부재, 및 상기 하우징의 하부 내벽에 이동 가능하게 설치되는 제2 라이너 부재를 포함하는 월 라이너 유닛을 포함하며, 상기 제2 라이너 부재는 상기 기판이 상기 하우징의 내부로 출입할 때 이동한다.One aspect (aspect) of the substrate processing system of the present invention for achieving the above object, the housing; A shower head unit installed on the upper side of the housing and supplying a process gas for etching a substrate into the housing; A support unit installed below the housing and having an electrostatic chuck on which the substrate is mounted; A plasma generation unit generating plasma by using the process gas to etch the substrate; And a wall liner unit including a first liner member that protects the inner wall of the housing and is fixedly installed on the upper inner wall of the housing, and a second liner member that is movably installed on the lower inner wall of the housing, The second liner member moves when the substrate enters and exits the housing.

상기 월 라이너 유닛은, 상기 제1 라이너 부재 및 상기 제2 라이너 부재를 관통하여 설치되는 샤프트; 및 상기 샤프트의 단부와 결합하며, 상기 샤프트를 이용하여 상기 제2 라이너 부재를 이동시키는 액추에이터를 더 포함할 수 있다.The wall liner unit may include a shaft installed through the first liner member and the second liner member; And an actuator coupled to an end of the shaft and moving the second liner member using the shaft.

상기 샤프트는 발열 부재를 내장할 수 있다.The shaft may contain a heating member.

상기 액추에이터는 상기 하우징의 상부를 밀폐시키며 유전체 창(dielectric window)을 포함하는 윈도우 부재보다 상위 레벨에 설치되거나, 상부 전극으로 기능하는 안테나 부재와 동일 레벨에 설치될 수 있다.The actuator seals an upper portion of the housing and may be installed at a higher level than a window member including a dielectric window, or may be installed at the same level as an antenna member functioning as an upper electrode.

상기 월 라이너 유닛은, 상기 제1 라이너 부재와 상기 제2 라이너 부재 간 접촉면에 제공되는 실드 링을 더 포함할 수 있다.The wall liner unit may further include a shield ring provided on a contact surface between the first liner member and the second liner member.

상기 실드 링은 상기 제1 라이너 부재의 하단부 및 상기 제2 라이너 부재의 상단부 중 적어도 하나에 설치될 수 있다.The shield ring may be installed on at least one of a lower end of the first liner member and an upper end of the second liner member.

상기 실드 링은 나선 형상의 가스켓일 수 있다.The shield ring may be a spiral-shaped gasket.

또한 상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 월 라이너 유닛의 일 면은, 기판을 식각하는 공정이 수행되는 하우징의 내벽을 보호하며, 상기 하우징의 상부 내벽에 고정되어 설치되는 제1 라이너 부재; 및 상기 하우징의 하부 내벽에 이동 가능하게 설치되는 제2 라이너 부재를 포함하고, 상기 제2 라이너 부재는 상기 기판이 상기 하우징의 내부로 출입할 때 이동한다.In addition, one surface of the wall liner unit of the present invention for achieving the above object includes: a first liner member that protects an inner wall of a housing in which a process of etching a substrate is performed, and is fixedly installed on the upper inner wall of the housing; And a second liner member movably installed on a lower inner wall of the housing, wherein the second liner member moves when the substrate enters and exits the interior of the housing.

기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.Details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템의 구조를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 시스템의 구조를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 구성하는 월 라이너 유닛의 개략적인 구조를 보여주는 단면도이다.
도 4는 도 3에 도시된 월 라이너 유닛을 구성하는 제2 라이너 부재의 다양한 실시 형태를 보여주는 제1 예시도이다.
도 5는 도 3에 도시된 월 라이너 유닛을 구성하는 제2 라이너 부재의 다양한 실시 형태를 보여주는 제2 예시도이다.
도 6은 도 3에 도시된 월 라이너 유닛을 구성하는 제2 라이너 부재의 다양한 실시 형태를 보여주는 제3 예시도이다.
도 7은 도 3에 도시된 월 라이너 유닛의 다양한 실시 형태를 보여주는 제1 예시도이다.
도 8은 도 3에 도시된 월 라이너 유닛을 구성하는 실드 링의 다양한 실시 형태를 보여주는 예시도이다.
도 9는 도 3에 도시된 월 라이너 유닛의 다양한 실시 형태를 보여주는 제2 예시도이다.
도 10은 도 3에 도시된 월 라이너 유닛의 다양한 실시 형태를 보여주는 제3 예시도이다.
도 11은 도 3에 도시된 월 라이너 유닛을 구성하는 제2 라이너 부재의 다양한 실시 형태를 보여주는 제4 예시도이다.1 is a schematic cross-sectional view showing the structure of a substrate processing system according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view schematically showing a structure of a substrate processing system according to another embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view showing a schematic structure of a wall liner unit constituting a substrate processing system according to an embodiment of the present invention.
4 is a first exemplary view showing various embodiments of a second liner member constituting the wall liner unit illustrated in FIG. 3.
5 is a second exemplary view showing various embodiments of a second liner member constituting the wall liner unit illustrated in FIG. 3.
6 is a third exemplary view showing various embodiments of a second liner member constituting the wall liner unit shown in FIG. 3.
7 is a first exemplary view showing various embodiments of the wall liner unit illustrated in FIG. 3.
8 is an exemplary view showing various embodiments of a shield ring constituting the wall liner unit shown in FIG. 3.
9 is a second exemplary view showing various embodiments of the wall liner unit shown in FIG. 3.
10 is a third exemplary view showing various embodiments of the wall liner unit illustrated in FIG. 3.
11 is a fourth exemplary view showing various embodiments of a second liner member constituting the wall liner unit illustrated in FIG. 3.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 게시되는 실시 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 게시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Advantages and features of the present invention, and a method of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described below in detail together with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments to be posted below, but may be implemented in a variety of different forms, and only these embodiments make the posting of the present invention complete, and common knowledge in the technical field to which the present invention belongs It is provided to completely inform the scope of the invention to those who have it, and the invention is only defined by the scope of the claims. The same reference numerals refer to the same components throughout the specification.

소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다.When an element or layer is referred to as “on” or “on” of another element or layer, it is possible to interpose another layer or other element in the middle as well as directly above the other element or layer. All inclusive. On the other hand, when a device is referred to as "directly on" or "directly on", it indicates that no other device or layer is interposed therebetween.

공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)" 또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.Spatially relative terms "below", "beneath", "lower", "above", "upper", etc., as shown in the figure It may be used to easily describe the correlation between the device or components and other devices or components. Spatially relative terms should be understood as terms including different directions of the device during use or operation in addition to the directions shown in the drawings. For example, if an element shown in the figure is turned over, an element described as “below” or “beneath” of another element may be placed “above” another element. Accordingly, the exemplary term “below” may include both directions below and above. The device may be oriented in other directions, and thus spatially relative terms may be interpreted according to the orientation.

비록 제1, 제2 등이 다양한 소자, 구성요소 및/또는 섹션들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 소자, 구성요소 및/또는 섹션들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 소자, 구성요소 또는 섹션들을 다른 소자, 구성요소 또는 섹션들과 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 소자, 제1 구성요소 또는 제1 섹션은 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 소자, 제2 구성요소 또는 제2 섹션일 수도 있음은 물론이다.Although the first, second, etc. are used to describe various elements, components and/or sections, of course, these elements, components and/or sections are not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one element, component or section from another element, component or section. Therefore, it goes without saying that the first element, the first element, or the first section mentioned below may be a second element, a second element, or a second section within the technical scope of the present invention.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.The terms used in the present specification are for describing exemplary embodiments and are not intended to limit the present invention. In this specification, the singular form also includes the plural form unless specifically stated in the phrase. As used in the specification, "comprises" and/or "comprising" refers to the presence of one or more other components, steps, actions and/or elements, and/or elements, steps, actions and/or elements mentioned. Or does not exclude additions.

다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.Unless otherwise defined, all terms (including technical and scientific terms) used in the present specification may be used as meanings that can be commonly understood by those of ordinary skill in the art to which the present invention belongs. In addition, terms defined in a commonly used dictionary are not interpreted ideally or excessively unless explicitly defined specifically.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어 도면 부호에 상관없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, and in the description with reference to the accompanying drawings, identical or corresponding components are assigned the same reference numerals and duplicated Description will be omitted.

본 발명은 기판 처리 시스템 내에 상부 구조물과 하부 구조물로 분리 가능하게 설치되며, 하부 구조물이 상하 방향으로 이동 가능하게 설치되는 월 라이너 유닛 및 이를 구비하는 기판 처리 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to a wall liner unit that is detachably installed into an upper structure and a lower structure in a substrate processing system, and the lower structure is installed to be movable in a vertical direction, and to a substrate processing system having the same.

식각(etching) 장비에서 공정 대칭성을 갖기 위해 챔버(chamber) 내부의 대칭성이 중요하다. 본 발명에 따르면, 웨이퍼 반송 개구부 존재로 인한 비대칭 형상을 대칭 무빙 월 라이너(Symmetric Moving Wall Liner)를 통해 구조, 써멀(Thermal), 그라운드(Ground) 등의 비대칭을 개선할 수 있다. 이하에서는 도면 등을 참조하여 본 발명을 자세하게 설명하기로 한다.In order to have process symmetry in etching equipment, symmetry inside the chamber is important. According to the present invention, asymmetry of a structure, thermal, ground, and the like can be improved through a symmetric moving wall liner in the asymmetric shape due to the presence of the wafer transfer opening. Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템의 구조를 개략적으로 도시한 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view showing the structure of a substrate processing system according to an embodiment of the present invention.

도 1에 따르면, 기판 처리 시스템(100)은 하우징(housing; 110), 지지 유닛(120), 플라즈마 생성 유닛(130), 샤워 헤드 유닛(shower head unit; 140), 제1 가스 공급 유닛(150), 제2 가스 공급 유닛(160), 월 라이너(wall liner unit; 170), 배플 유닛(baffle unit; 180) 및 상부 모듈(190)을 포함하여 구성될 수 있다.Referring to FIG. 1, the substrate processing system 100 includes a housing 110, a support unit 120, a plasma generation unit 130, a shower head unit 140, and a first gas supply unit 150. ), a second gas supply unit 160, a wall liner unit 170, a baffle unit 180, and an upper module 190.

기판 처리 시스템(100)은 진공 환경에서 식각 공정(예를 들어, 건식 식각 공정(dry etching process))을 이용하여 기판(W)(예를 들어, 웨이퍼(wafer))을 처리하는 시스템이다. 기판 처리 시스템(100)은 예를 들어, 플라즈마 공정(plasma process)을 이용하여 기판(W)을 처리할 수 있다.The substrate processing system 100 is a system that processes a substrate W (eg, a wafer) using an etching process (eg, a dry etching process) in a vacuum environment. The substrate processing system 100 may process the substrate W using, for example, a plasma process.

하우징(110)은 플라즈마 공정이 수행되는 공간을 제공하는 것이다. 이러한 하우징(110)은 그 하부에 배기 홀(111)을 구비할 수 있다.The housing 110 provides a space in which a plasma process is performed. The housing 110 may have an exhaust hole 111 at its lower portion.

배기 홀(111)은 펌프(112)가 장착된 배기 라인(113)과 연결될 수 있다. 이러한 배기 홀(111)은 배기 라인(113)을 통해 플라즈마 공정 과정에서 발생된 반응 부산물과 하우징(110)의 내부에 잔여하는 가스를 하우징(110)의 외부로 배출할 수 있다. 이 경우, 하우징(110)의 내부 공간은 소정의 압력으로 감압될 수 있다.The exhaust hole 111 may be connected to the exhaust line 113 on which the pump 112 is mounted. The exhaust hole 111 may discharge reaction by-products generated during the plasma process and gas remaining in the housing 110 to the outside of the housing 110 through the exhaust line 113. In this case, the inner space of the housing 110 may be reduced to a predetermined pressure.

하우징(110)은 그 측벽에 개구부(114)가 형성될 수 있다. 개구부(114)는 하우징(110)의 내부로 기판(W)이 출입하는 통로로서 기능할 수 있다. 이러한 개구부(114)는 도어 어셈블리(115)에 의해 개폐되도록 구성될 수 있다.The housing 110 may have an opening 114 formed on its sidewall. The opening 114 may function as a passage through which the substrate W enters and exits the housing 110. The opening 114 may be configured to be opened and closed by the door assembly 115.

도어 어셈블리(115)는 외측 도어(115a) 및 도어 구동기(115b)를 포함하여 구성될 수 있다. 외측 도어(115a)는 하우징(110)의 외벽에 제공되는 것이다. 이러한 외측 도어(115a)는 도어 구동기(115b)를 통해 상하 방향(즉, 제3 방향(30))으로 이동될 수 있다. 도어 구동기(115b)는 모터, 유압 실린더, 공압 실린더 등을 이용하여 작동할 수 있다.The door assembly 115 may include an outer door 115a and a door driver 115b. The outer door 115a is provided on the outer wall of the housing 110. The outer door 115a may be moved in the vertical direction (ie, the third direction 30) through the door driver 115b. The door driver 115b may be operated using a motor, a hydraulic cylinder, a pneumatic cylinder, or the like.

지지 유닛(120)은 하우징(110)의 내부 하측 영역에 설치되는 것이다. 이러한 지지 유닛(120)은 정전기력을 이용하여 기판(W)을 지지할 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 지지 유닛(120)은 기계적 클램핑(mechanical clamping), 진공(vacuum) 등과 같은 다양한 방식으로 기판(W)을 지지하는 것도 가능하다.The support unit 120 is installed in an inner lower region of the housing 110. The support unit 120 may support the substrate W using electrostatic force. However, this embodiment is not limited thereto. The support unit 120 may support the substrate W in various ways such as mechanical clamping, vacuum, or the like.

지지 유닛(120)은 정전기력을 이용하여 기판(W)을 지지하는 경우, 베이스(121) 및 정전 척(ESC; Electro-Static Chuck)(122)을 포함하여 구성될 수 있다.When supporting the substrate W using electrostatic force, the support unit 120 may include a base 121 and an electro-static chuck (ESC) 122.

정전 척(122)은 정전기력을 이용하여 그 상부에 안착되는 기판(W)을 지지하는 것이다. 이러한 정전 척(122)은 세라믹 재질로 제공될 수 있으며, 베이스(121) 상에 고정되도록 베이스(121)와 결합될 수 있다.The electrostatic chuck 122 supports the substrate W mounted thereon by using electrostatic force. The electrostatic chuck 122 may be made of a ceramic material, and may be coupled to the base 121 to be fixed on the base 121.

정전 척(122)은 구동 부재(미도시)를 이용하여 하우징(110)의 내부에서 상하 방향(즉, 제3 방향(30))으로 이동 가능하게 설치될 수도 있다. 정전 척(122)이 이와 같이 상하 방향으로 이동 가능하게 형성되는 경우, 기판(W)을 보다 균일한 플라즈마 분포를 나타내는 영역에 위치시키는 것이 가능해질 수 있다.The electrostatic chuck 122 may be installed to be movable in the vertical direction (ie, the third direction 30) in the housing 110 by using a driving member (not shown). When the electrostatic chuck 122 is formed to be movable in the vertical direction, it may be possible to position the substrate W in a region exhibiting a more uniform plasma distribution.

링 어셈블리(123)는 정전 척(122)의 테두리를 감싸도록 제공되는 것이다. 이러한 링 어셈블리(123)는 링 형상으로 제공되어, 기판(W)의 테두리 영역을 지지하도록 구성될 수 있다. 링 어셈블리(123)는 포커스 링(focus ring; 123a) 및 절연 링(123b)을 포함하여 구성될 수 있다.The ring assembly 123 is provided to surround the edge of the electrostatic chuck 122. The ring assembly 123 may be provided in a ring shape and may be configured to support an edge region of the substrate W. The ring assembly 123 may include a focus ring 123a and an insulating ring 123b.

포커스 링(123a)은 절연 링(123b)의 내측에 형성되며, 정전 척(122)을 감싸도록 제공된다. 이러한 포커스 링(123a)은 실리콘 재질로 제공될 수 있으며, 플라즈마를 기판(W)으로 집중시킬 수 있다.The focus ring 123a is formed inside the insulating ring 123b and is provided to surround the electrostatic chuck 122. The focus ring 123a may be made of a silicon material, and may concentrate plasma onto the substrate W.

절연 링(123b)은 포커스 링(123a)의 외측에 형성되며, 포커스 링(123a)을 감싸도록 제공된다. 이러한 절연 링(123b)은 쿼츠(quartz) 재질로 제공될 수 있다.The insulating ring 123b is formed outside the focus ring 123a, and is provided to surround the focus ring 123a. The insulating ring 123b may be made of a quartz material.

한편, 링 어셈블리(123)는 포커스 링(123a)의 테두리에 밀착 형성되는 에지 링(edge ring)(미도시)을 더 포함할 수 있다. 에지 링은 플라즈마에 의해 정전 척(122)의 측면이 손상되는 것을 방지하기 위해 형성될 수 있다.Meanwhile, the ring assembly 123 may further include an edge ring (not shown) formed in close contact with the edge of the focus ring 123a. The edge ring may be formed to prevent damage to the side of the electrostatic chuck 122 by plasma.

제1 가스 공급 유닛(150)은 링 어셈블리(123)의 상부나 정전 척(122)의 테두리 부분에 잔류하는 이물질을 제거하기 위해 제1 가스를 공급하는 것이다. 이러한 제1 가스 공급 유닛(150)은 제1 가스 공급원(151) 및 제1 가스 공급 라인(152)을 포함하여 구성될 수 있다.The first gas supply unit 150 supplies first gas to remove foreign matter remaining on the upper portion of the ring assembly 123 or on the edge of the electrostatic chuck 122. The first gas supply unit 150 may include a first gas supply source 151 and a first gas supply line 152.

제1 가스 공급원(151)은 제1 가스로 질소 가스(N2 gas)를 공급할 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 가스 공급원(151)은 다른 가스나 세정제 등을 공급하는 것도 가능하다.The first gas supply source 151 may supply nitrogen gas (N2 gas) as the first gas. However, this embodiment is not limited thereto. The first gas supply source 151 may also supply other gases or cleaning agents.

제1 가스 공급 라인(152)은 정전 척(122)과 링 어셈블리(123) 사이에 제공되는 것이다. 제1 가스 공급 라인(152)은 예를 들어, 정전 척(122)과 포커스 링(123a) 사이로 연결되도록 형성될 수 있다.The first gas supply line 152 is provided between the electrostatic chuck 122 and the ring assembly 123. The first gas supply line 152 may be formed to be connected between the electrostatic chuck 122 and the focus ring 123a, for example.

한편, 제1 가스 공급 라인(152)은 포커스 링(123a)의 내부에 제공되어, 정전 척(122)과 포커스 링(123a) 사이로 연결되도록 절곡되도록 형성되는 것도 가능하다.Meanwhile, the first gas supply line 152 may be provided inside the focus ring 123a and formed to be bent so as to be connected between the electrostatic chuck 122 and the focus ring 123a.

가열 부재(124) 및 냉각 부재(125)는 하우징(110)의 내부에서 식각 공정이 진행되고 있을 때에 기판(W)이 공정 온도를 유지할 수 있도록 제공되는 것이다. 가열 부재(124)는 이를 위해 열선으로 제공될 수 있으며, 냉각 부재(125)는 이를 위해 냉매가 흐르는 냉각 라인으로 제공될 수 있다.The heating member 124 and the cooling member 125 are provided so that the substrate W can maintain the process temperature when the etching process is in progress inside the housing 110. The heating member 124 may be provided as a heating wire for this purpose, and the cooling member 125 may be provided as a cooling line through which a refrigerant flows.

가열 부재(124) 및 냉각 부재(125)는 기판(W)이 공정 온도를 유지할 수 있도록 하기 위해 지지 유닛(120)의 내부에 설치될 수 있다. 일례로, 가열 부재(124)는 정전 척(122)의 내부에 설치될 수 있으며, 냉각 부재(125)는 베이스(121)의 내부에 설치될 수 있다.The heating member 124 and the cooling member 125 may be installed inside the support unit 120 to allow the substrate W to maintain a process temperature. For example, the heating member 124 may be installed inside the electrostatic chuck 122, and the cooling member 125 may be installed inside the base 121.

한편, 냉각 부재(125)는 냉각 장치(chiller; 126)를 이용하여 냉매를 공급받을 수 있다. 냉각 장치(126)는 하우징(110)의 외부에 설치될 수 있다.Meanwhile, the cooling member 125 may be supplied with a refrigerant using a chiller 126. The cooling device 126 may be installed outside the housing 110.

플라즈마 생성 유닛(130)은 방전 공간에 잔류하는 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 것이다. 여기서, 방전 공간은 하우징(110)의 내부 공간 중에서 지지 유닛(120)의 상부에 위치하는 공간을 의미한다.The plasma generation unit 130 generates plasma from gas remaining in the discharge space. Here, the discharge space refers to a space located above the support unit 120 among the inner spaces of the housing 110.

플라즈마 생성 유닛(130)은 유도 결합형 플라즈마(ICP; Inductively Coupled Plasma) 소스를 이용하여 하우징(110) 내부의 방전 공간에 플라즈마를 발생시킬 수 있다. 이 경우, 플라즈마 생성 유닛(130)은 상부 모듈(190)에 설치되는 안테나 유닛(antenna unit; 193)을 상부 전극으로 이용하고, 정전 척(122)을 하부 전극으로 이용할 수 있다.The plasma generation unit 130 may generate plasma in a discharge space inside the housing 110 using an Inductively Coupled Plasma (ICP) source. In this case, the plasma generating unit 130 may use an antenna unit 193 installed on the upper module 190 as an upper electrode, and use the electrostatic chuck 122 as a lower electrode.

그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 플라즈마 생성 유닛(130)은 용량 결합형 플라즈마(CCP; Capacitively Coupled Plasma) 소스를 이용하여 하우징(110) 내부의 방전 공간에 플라즈마를 발생시키는 것도 가능하다. 이 경우, 플라즈마 생성 유닛(130)은 도 2에 도시된 바와 같이 샤워 헤드(140)를 상부 전극으로 이용하고, 정전 척(122)을 하부 전극으로 이용할 수 있다. 도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 시스템의 구조를 개략적으로 도시한 단면도이다.However, this embodiment is not limited thereto. The plasma generating unit 130 may generate plasma in the discharge space inside the housing 110 using a capacitively coupled plasma (CCP) source. In this case, the plasma generating unit 130 may use the shower head 140 as an upper electrode and use the electrostatic chuck 122 as a lower electrode, as shown in FIG. 2. 2 is a cross-sectional view schematically showing a structure of a substrate processing system according to another embodiment of the present invention.

다시 도 1을 참조하여 설명한다.It will be described again with reference to FIG. 1.

플라즈마 생성 유닛(130)은 상부 전극, 하부 전극, 상부 전원(131) 및 하부 전원(133)을 포함하여 구성될 수 있다.The plasma generating unit 130 may include an upper electrode, a lower electrode, an upper power supply 131 and a lower power supply 133.

상부 전원(131)은 상부 전극, 즉 안테나 유닛(193)에 전력을 인가하는 것이다. 이러한 상부 전원(131)은 플라즈마의 특성을 제어하도록 제공될 수 있다. 상부 전원(131)은 예를 들어, 이온 충격 에너지(ion bombardment energy)를 조절하도록 제공될 수 있다.The upper power source 131 applies power to the upper electrode, that is, the antenna unit 193. The upper power source 131 may be provided to control the characteristics of plasma. The upper power source 131 may be provided to control ion bombardment energy, for example.

상부 전원(131)은 도 1에 단일 개 도시되어 있지만, 본 실시예에서 복수 개 구비되는 것도 가능하다. 상부 전원(131)이 복수 개 구비되는 경우, 기판 처리 시스템(100)은 복수 개의 상부 전원과 전기적으로 연결되는 제1 매칭 네트워크(미도시)를 더 포함할 수 있다.Although a single upper power supply 131 is shown in FIG. 1, a plurality of upper power sources 131 may be provided in this embodiment. When a plurality of upper power sources 131 are provided, the substrate processing system 100 may further include a first matching network (not shown) electrically connected to the plurality of upper power sources.

제1 매칭 네트워크는 각각의 상부 전원으로부터 입력되는 상이한 크기의 주파수 전력들을 매칭하여 안테나 유닛(193)에 인가할 수 있다.The first matching network may match frequency powers of different sizes input from respective upper power sources and apply them to the antenna unit 193.

한편, 상부 전원(131)과 안테나 유닛(193)을 연결하는 제1 전송 선로(132) 상에는 임피던스 정합을 목적으로 제1 임피던스 정합 회로(미도시)가 마련될 수 있다.Meanwhile, a first impedance matching circuit (not shown) may be provided on the first transmission line 132 connecting the upper power source 131 and the antenna unit 193 for the purpose of impedance matching.

제1 임피던스 정합 회로는 무손실 수동 회로로 작용하여 상부 전원(131)으로부터 안테나 유닛(193)으로 전기 에너지가 효과적으로(즉, 최대로) 전달되도록 할 수 있다.The first impedance matching circuit may act as a lossless passive circuit so that electric energy is effectively (ie, maximum) transmitted from the upper power source 131 to the antenna unit 193.

하부 전원(133)은 하부 전극, 즉 정전 척(122)에 전력을 인가하는 것이다. 이러한 하부 전원(133)은 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스 역할을 하거나, 상부 전원(131)과 더불어 플라즈마의 특성을 제어하는 역할을 할 수 있다.The lower power source 133 applies power to the lower electrode, that is, the electrostatic chuck 122. The lower power source 133 may serve as a plasma source for generating plasma, or may serve to control characteristics of plasma together with the upper power source 131.

하부 전원(133)은 도 1에 단일 개 도시되어 있지만, 상부 전원(131)과 마찬가지로 본 실시예에서 복수 개 구비되는 것도 가능하다. 하부 전원(133)이 복수 개 구비되는 경우, 복수 개의 하부 전원과 전기적으로 연결되는 제2 매칭 네트워크(미도시)를 더 포함할 수 있다.Although a single lower power supply 133 is shown in FIG. 1, a plurality of lower power sources 133 may be provided in this embodiment, similar to the upper power supply 131. When a plurality of lower power sources 133 are provided, a second matching network (not shown) electrically connected to the plurality of lower power sources may be further included.

제2 매칭 네트워크는 각각의 하부 전원으로부터 입력되는 상이한 크기의 주파수 전력들을 매칭하여 정전 척(122)에 인가할 수 있다.The second matching network may match frequency powers of different sizes input from respective lower power sources and apply them to the electrostatic chuck 122.

한편, 하부 전원(133)과 정전 척(122)을 연결하는 제2 전송 선로(134) 상에는 임피던스 정합을 목적으로 제2 임피던스 정합 회로(미도시)가 마련될 수 있다.Meanwhile, a second impedance matching circuit (not shown) may be provided on the second transmission line 134 connecting the lower power source 133 and the electrostatic chuck 122 for the purpose of impedance matching.

제2 임피던스 정합 회로는 제1 임피던스 정합 회로와 마찬가지로 무손실 수동 회로로 작용하여 하부 전원(133)으로부터 정전 척(122)으로 전기 에너지가 효과적으로(즉, 최대로) 전달되도록 할 수 있다.Like the first impedance matching circuit, the second impedance matching circuit may act as a lossless passive circuit so that electric energy is effectively (ie, maximum) transferred from the lower power source 133 to the electrostatic chuck 122.

샤워 헤드 유닛(140)은 정전 척(122)과 하우징(110)의 내부에서 상하로 대향되도록 설치될 수 있다. 이러한 샤워 헤드 유닛(140)은 하우징(110)의 내부로 가스를 분사하기 위해 복수 개의 가스 분사 홀(gas feeding hole; 141)을 구비할 수 있으며, 정전 척(122)보다 더 큰 직경을 가지도록 제공될 수 있다.The shower head unit 140 may be installed so as to face the electrostatic chuck 122 and the housing 110 vertically. The shower head unit 140 may have a plurality of gas feeding holes 141 to inject gas into the housing 110, and have a larger diameter than the electrostatic chuck 122. Can be provided.

한편, 샤워 헤드 유닛(140)은 실리콘 재질로 제공되거나, 금속 재질로 제공될 수 있다.Meanwhile, the shower head unit 140 may be made of a silicon material or a metal material.

제2 가스 공급 유닛(160)은 샤워 헤드 유닛(140)을 통해 하우징(110)의 내부로 공정 가스(제2 가스)를 공급하는 것이다. 이러한 제2 가스 공급 유닛(160)은 제2 가스 공급원(161) 및 제2 가스 공급 라인(162)을 포함할 수 있다.The second gas supply unit 160 supplies process gas (second gas) to the interior of the housing 110 through the shower head unit 140. The second gas supply unit 160 may include a second gas supply source 161 and a second gas supply line 162.

제2 가스 공급원(161)은 기판(W)을 처리하는 데에 이용되는 에칭 가스(etching gas)를 공정 가스로 공급하는 것이다. 이러한 제2 가스 공급원(161)은 에칭 가스로 불소(fluorine) 성분을 포함하는 가스(예를 들어, SF6, CF4 등의 가스)를 공급할 수 있다.The second gas supply source 161 supplies an etching gas used to process the substrate W as a process gas. The second gas supply source 161 may supply a gas containing a fluorine component (eg, a gas such as SF6 or CF4) as an etching gas.

제2 가스 공급원(161)은 단일 개 구비되어 에칭 가스를 샤워 헤드 유닛(140)로 공급할 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 제2 가스 공급원(161)은 복수 개 구비되어 공정 가스를 샤워 헤드 유닛(140)로 공급하는 것도 가능하다.A single second gas supply source 161 may be provided to supply etching gas to the shower head unit 140. However, this embodiment is not limited thereto. A plurality of second gas supply sources 161 may be provided to supply the process gas to the shower head unit 140.

제2 가스 공급 라인(162)은 제2 가스 공급원(161)과 샤워 헤드 유닛(140)을 연결하는 것이다. 제2 가스 공급 라인(162)은 제2 가스 공급원(161)을 통해 공급되는 공정 가스를 샤워 헤드 유닛(140)으로 이송하여, 에칭 가스가 하우징(110)의 내부로 유입될 수 있도록 한다.The second gas supply line 162 connects the second gas supply source 161 and the shower head unit 140. The second gas supply line 162 transfers the process gas supplied through the second gas supply source 161 to the shower head unit 140 to allow the etching gas to flow into the housing 110.

한편, 샤워 헤드 유닛(140)이 센터 영역(center zone), 미들 영역(middle zone), 에지 영역(edge zone) 등으로 분할되는 경우, 제2 가스 공급 유닛(160)은 샤워 헤드 유닛(140)의 각 영역으로 공정 가스를 공급하기 위해 가스 분배기(미도시)와 가스 분배 라인(미도시)을 더 포함할 수 있다.On the other hand, when the shower head unit 140 is divided into a center zone, a middle zone, an edge zone, etc., the second gas supply unit 160 is the shower head unit 140 A gas distributor (not shown) and a gas distribution line (not shown) may be further included to supply the process gas to each region of the.

가스 분배기는 제2 가스 공급원(161)으로부터 공급되는 공정 가스를 샤워 헤드 유닛(140)의 각 영역으로 분배하는 것이다. 이러한 가스 분배기는 제2 가스 공급 라인(161)을 통해 제2 가스 공급원(161)과 연결될 수 있다.The gas distributor distributes the process gas supplied from the second gas supply source 161 to each area of the shower head unit 140. This gas distributor may be connected to the second gas supply source 161 through the second gas supply line 161.

가스 분배 라인은 가스 분배기와 샤워 헤드 유닛(140)의 각 영역을 연결하는 것이다. 가스 분배 라인은 이를 통해 가스 분배기에 의해 분배된 공정 가스를 샤워 헤드 유닛(140)의 각 영역으로 이송할 수 있다.The gas distribution line connects the gas distributor and each area of the shower head unit 140. The gas distribution line may transfer the process gas distributed by the gas distributor to each area of the shower head unit 140 through this.

한편, 제2 가스 공급 유닛(160)은 증착 가스(deposition gas)를 공급하는 제2 가스 공급원(미도시)을 더 포함하는 것도 가능하다.Meanwhile, the second gas supply unit 160 may further include a second gas supply source (not shown) for supplying a deposition gas.

제2 가스 공급원은 기판(W) 패턴의 측면을 보호하여 이방성 에칭이 가능해지도록 샤워 헤드 유닛(140)로 공급하는 것이다. 이러한 제2 가스 공급원은 C4F8, C2F4 등의 가스를 증착 가스로 공급할 수 있다.The second gas supply source is supplied to the shower head unit 140 to enable anisotropic etching by protecting the side surface of the substrate (W) pattern. The second gas supply source may supply a gas such as C4F8 or C2F4 as a deposition gas.

월 라이너 유닛(170)은 공정 가스가 여기되는 과정에서 발생되는 아크 방전, 기판 처리 공정 중에 발생되는 불순물 등으로부터 하우징(110)의 내측면을 보호하기 위한 것이다. 이러한 월 라이너 유닛(170)은 하우징(110)의 내부에 상부와 하부가 각각 개방된 원통 형상으로 제공될 수 있다.The wall liner unit 170 is for protecting the inner surface of the housing 110 from arc discharge generated during a process gas excitation and impurities generated during a substrate processing process. The wall liner unit 170 may be provided in a cylindrical shape in which the upper and lower portions are respectively open inside the housing 110.

월 라이너 유닛(170)은 하우징(110)의 내측벽에 인접하도록 제공될 수 있다. 이러한 월 라이너 유닛(170)은 그 상부에 지지 링(171)을 구비할 수 있다. 지지 링(171)은 월 라이너 유닛(170)의 상부에서 외측 방향(즉, 제1 방향(10))으로 돌출 형성되며, 하우징(110)의 상단에 놓여 월 라이너 유닛(170)을 지지할 수 있다.The wall liner unit 170 may be provided to be adjacent to the inner wall of the housing 110. This wall liner unit 170 may have a support ring 171 thereon. The support ring 171 is formed to protrude from the top of the wall liner unit 170 in an outward direction (that is, the first direction 10), and is placed on the top of the housing 110 to support the wall liner unit 170. have.

월 라이너 유닛(170)은 하우징(110) 내에서 상부에 위치하는 제1 라이너 부재(210)와 하부에 위치하는 제2 라이너 부재(220)로 분리되어 설치될 수 있으며, 이때 제2 라이너 부재(220)는 하우징(110) 내에서 상하 방향으로 이동 가능하게 설치될 수 있다. 월 라이너 유닛(170)에 대한 보다 자세한 설명은 후술하기로 한다.The wall liner unit 170 may be separated and installed into a first liner member 210 positioned at an upper portion and a second liner member 220 positioned at a lower portion of the housing 110, and at this time, the second liner member ( 220) may be installed to be movable in the vertical direction within the housing 110. A more detailed description of the wall liner unit 170 will be described later.

배플 유닛(180)은 플라즈마의 공정 부산물, 미반응 가스 등을 배기하는 역할을 한다. 이러한 배플 유닛(180)은 하우징(110)의 내측벽과 지지 유닛(120) 사이에 설치될 수 있다.The baffle unit 180 serves to exhaust plasma process by-products and unreacted gases. The baffle unit 180 may be installed between the inner wall of the housing 110 and the support unit 120.

배플 유닛(180)은 환형의 링 형상으로 제공될 수 있으며, 상하 방향(즉, 제3 방향(30))으로 관통되는 복수 개의 관통 홀을 구비할 수 있다. 배플 유닛(180)은 관통 홀의 개수 및 형상에 따라 공정 가스의 흐름을 제어할 수 있다.The baffle unit 180 may be provided in an annular ring shape, and may include a plurality of through holes penetrating in the vertical direction (ie, the third direction 30). The baffle unit 180 may control the flow of the process gas according to the number and shape of the through holes.

상부 모듈(190)은 하우징(110)의 개방된 상부를 덮도록 설치되는 것이다. 이러한 상부 모듈(190)은 윈도우 부재(191), 안테나 부재(192) 및 안테나 유닛(193)을 포함할 수 있다.The upper module 190 is installed to cover the open upper part of the housing 110. The upper module 190 may include a window member 191, an antenna member 192 and an antenna unit 193.

윈도우 부재(191)는 하우징(110)의 내부 공간을 밀폐시키기 위해 하우징(110)의 상부를 덮도록 형성되는 것이다. 이러한 윈도우 부재(191)는 판(예를 들어, 원판) 형상으로 제공될 수 있으며, 절연 물질(예를 들어, 알루미나(Al2O3))을 소재로 하여 형성될 수 있다.The window member 191 is formed to cover the upper portion of the housing 110 in order to seal the inner space of the housing 110. The window member 191 may be provided in a plate (eg, disk) shape, and may be formed of an insulating material (eg, alumina (Al2O3)) as a material.

윈도우 부재(191)는 유전체 창(dielectric window)을 포함하여 형성될 수 있다 윈도우 부재(191)는 제2 가스 공급 라인(162)이 삽입되기 위한 통공이 형성될 수 있으며, 하우징(110)의 내부에서 플라즈마 공정이 수행될 때 파티클(particle)의 발생을 억제하기 위해 그 표면에 코팅막이 형성될 수 있다.The window member 191 may be formed including a dielectric window. The window member 191 may have a through hole through which the second gas supply line 162 is inserted, and the inside of the housing 110 In order to suppress the generation of particles when the plasma process is performed, a coating film may be formed on the surface.

안테나 부재(192)는 윈도우 부재(191)의 상부에 설치되는 것으로서, 안테나 유닛(193)이 그 내부에 배치될 수 있도록 소정 크기의 공간이 제공될 수 있다.The antenna member 192 is installed above the window member 191, and a space having a predetermined size may be provided so that the antenna unit 193 may be disposed therein.

안테나 부재(192)는 하부가 개방된 원통 형상으로 형성될 수 있으며, 하우징(110)과 대응되는 직경을 가지도록 제공될 수 있다. 안테나 부재(192)는 윈도우 부재(191)에 탈착 가능하도록 제공될 수 있다.The antenna member 192 may be formed in a cylindrical shape with an open lower portion, and may be provided to have a diameter corresponding to the housing 110. The antenna member 192 may be provided to be detachable from the window member 191.

안테나 유닛(193)은 상부 전극으로 기능하는 것으로서, 폐루프를 형성하도록 제공되는 코일이 장착된 것이다. 이러한 안테나 유닛(193)은 상부 전원(131)으로부터 공급되는 전력을 기초로 하우징(110)의 내부에 자기장 및 전기장을 생성하여, 샤워 헤드 유닛(140)를 통해 하우징(110)의 내부로 유입된 가스를 플라즈마로 여기시키는 기능을 한다.The antenna unit 193 functions as an upper electrode, and is equipped with a coil provided to form a closed loop. The antenna unit 193 generates a magnetic field and an electric field in the housing 110 based on the power supplied from the upper power source 131, and flows into the housing 110 through the shower head unit 140. It functions to excite gas into plasma.

안테나 유닛(193)은 평판 스파이럴(planar spiral) 형태의 코일을 장착할 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 코일의 구조나 크기 등은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양하게 변경될 수 있다.The antenna unit 193 may be equipped with a planar spiral coil. However, this embodiment is not limited thereto. The structure or size of the coil can be variously changed by those of ordinary skill in the art.

앞서 설명한 바와 같이, 월 라이너 유닛(170)은 하우징(110) 내에서 상부에 위치하는 제1 라이너 부재(210)와 하부에 위치하는 제2 라이너 부재(220)로 분리되어 설치될 수 있으며, 이때 제2 라이너 부재(220)는 하우징(110) 내에서 상하 방향으로 이동 가능하게 설치될 수 있다. 이하에서는 이에 대해 설명하기로 한다.As described above, the wall liner unit 170 may be installed by being separated into a first liner member 210 located at an upper portion and a second liner member 220 located at a lower portion of the housing 110, at this time The second liner member 220 may be installed to be movable in the vertical direction within the housing 110. Hereinafter, this will be described.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 구성하는 월 라이너 유닛의 개략적인 구조를 보여주는 단면도이다.3 is a cross-sectional view showing a schematic structure of a wall liner unit constituting a substrate processing system according to an embodiment of the present invention.

도 3에 따르면, 월 라이너 유닛(170)은 제1 라이너 부재(upper wall liner; 210) 및 제2 라이너 부재(lower wall liner; 220)를 포함하여 구성될 수 있다.According to FIG. 3, the wall liner unit 170 may include a first liner member 210 and a second liner member 220.

제1 라이너 부재(210)는 하우징(110)의 내벽 상부에 설치되는 것이다. 이러한 제1 라이너 부재(210)는 하우징(110)의 내벽 상부에 고정되도록 설치될 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 라이너 부재(210)는 하우징(110)의 내벽 상부에서 상하 방향으로 이동 가능하게 설치되는 것도 가능하다.The first liner member 210 is installed on the inner wall of the housing 110. The first liner member 210 may be installed to be fixed on the inner wall of the housing 110. However, this embodiment is not limited thereto. The first liner member 210 may be installed to be movable in the vertical direction above the inner wall of the housing 110.

제2 라이너 부재(220)는 하우징(110)의 내벽 하부에 설치되는 것이다. 이러한 제2 라이너 부재(220)는 하우징(110)의 내벽 하부에서 상하 방향으로 이동 가능하게 설치될 수 있다.The second liner member 220 is installed under the inner wall of the housing 110. The second liner member 220 may be installed to be movable in the vertical direction under the inner wall of the housing 110.

제2 라이너 부재(220)는 하우징(110)의 내벽 하부에서 상하 방향으로 이동 가능하게 설치되는 경우, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이 기판(W)이 출입할 때, 개구부(114)가 개방되도록 아래쪽 방향으로 이동할 수 있다. 도 4는 도 3에 도시된 월 라이너 유닛을 구성하는 제2 라이너 부재의 다양한 실시 형태를 보여주는 제1 예시도이며, 도 5는 도 3에 도시된 월 라이너 유닛을 구성하는 제2 라이너 부재의 다양한 실시 형태를 보여주는 제2 예시도이다.When the second liner member 220 is installed to be movable in the vertical direction under the inner wall of the housing 110, as shown in FIGS. 4 and 5, when the substrate W enters and exits, the opening 114 It can be moved downwards to open. FIG. 4 is a first exemplary view showing various embodiments of a second liner member constituting the wall liner unit shown in FIG. 3, and FIG. 5 is a first exemplary view showing various embodiments of the second liner member constituting the wall liner unit shown in FIG. 3. It is a 2nd exemplary diagram showing an embodiment.

또한, 제2 라이너 부재(220)는 하우징(110)의 내벽 하부에서 상하 방향으로 이동 가능하게 설치되는 경우, 도 6에 도시된 바와 같이 기판(W)이 출입하지 않을 때, 개구부(114)가 폐쇄되도록 위쪽 방향으로 이동할 수 있다. 도 6은 도 3에 도시된 월 라이너 유닛을 구성하는 제2 라이너 부재의 다양한 실시 형태를 보여주는 제3 예시도이다.In addition, when the second liner member 220 is installed so as to be movable in the vertical direction under the inner wall of the housing 110, as shown in FIG. 6, when the substrate W is not in or out, the opening 114 is It can be moved upwards to be closed. 6 is a third exemplary view showing various embodiments of a second liner member constituting the wall liner unit shown in FIG. 3.

제2 라이너 부재(220)는 개구부(114)가 폐쇄되도록 위쪽 방향으로 이동하는 경우, 제1 라이너 부재(210)와 접촉될 때까지 위쪽 방향으로 이동할 수 있다. 이때 제2 라이너 부재(220)는 도 7에 도시된 바와 같이 실드 링(shield ring; 330)을 통해 제1 라이너 부재(210)와 접촉될 수 있다. 제2 라이너 부재(220)가 이와 같은 방식으로 제1 라이너 부재(210)와 접촉되면, 그라운드 패스(ground path)가 단절되지 않도록 할 수 있다. 도 7은 도 3에 도시된 월 라이너 유닛의 다양한 실시 형태를 보여주는 제1 예시도이다.When the second liner member 220 moves upward so that the opening 114 is closed, the second liner member 220 may move upward until it contacts the first liner member 210. At this time, the second liner member 220 may contact the first liner member 210 through a shield ring 330 as shown in FIG. 7. When the second liner member 220 contacts the first liner member 210 in this manner, a ground path may not be disconnected. 7 is a first exemplary view showing various embodiments of the wall liner unit illustrated in FIG. 3.

실드 링(330)은 메탈(metal)을 소재로 하여 형성될 수 있다. 이러한 실드 링(330)은 예를 들어, 나선형 가스켓(spiral gasket)으로 구현될 수 있다.The shield ring 330 may be formed of metal. This shield ring 330 may be implemented as, for example, a spiral gasket.

실드 링(330)은 도 8의 (a)에 도시된 바와 같이 제1 라이너 부재(210)의 하단부에 설치될 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 실드 링(330)은 도 8의 (b)에 도시된 바와 같이 제2 라이너 부재(220)의 상단부에 설치되는 것도 가능하다.The shield ring 330 may be installed at the lower end of the first liner member 210 as shown in (a) of FIG. 8. However, this embodiment is not limited thereto. The shield ring 330 may be installed on the upper end of the second liner member 220 as shown in (b) of FIG. 8.

한편, 실드 링(330)은 도 8의 (c)에 도시된 바와 같이 제1 라이너 부재(210)의 하단부 및 제2 라이너 부재(220)의 상단부에 각각 설치될 수도 있다. 이 경우, 제1 라이너 부재(210)의 하단부에 설치되는 실드 링(331) 및 제2 라이너 부재(220)의 상단부에 설치되는 실드 링(332)은 제1 라이너 부재(210)와 제2 라이너 부재(220)가 접촉할 때에 상호 비접촉되도록 설치될 수 있다. 도 8은 도 3에 도시된 월 라이너 유닛을 구성하는 실드 링의 다양한 실시 형태를 보여주는 예시도이다.Meanwhile, the shield ring 330 may be installed at the lower end of the first liner member 210 and the upper end of the second liner member 220 as shown in FIG. 8C. In this case, the shield ring 331 installed at the lower end of the first liner member 210 and the shield ring 332 installed at the upper end of the second liner member 220 are the first liner member 210 and the second liner. When the members 220 contact each other, it may be installed to be non-contact with each other. 8 is an exemplary view showing various embodiments of a shield ring constituting the wall liner unit shown in FIG. 3.

한편, 제2 라이너 부재(220)는 하우징(110)의 내벽 하부에 고정되도록 설치되는 것도 가능하다. 이 경우, 기판(W)이 출입하는 개구부(114)를 개폐시키기 위해, 제1 라이너 부재(210)가 하우징(110)의 내벽 상부에서 상하 방향으로 이동 가능하게 설치될 수 있다.Meanwhile, the second liner member 220 may be installed to be fixed to the lower portion of the inner wall of the housing 110. In this case, in order to open and close the opening 114 through which the substrate W enters and exits, the first liner member 210 may be installed so as to be movable in the vertical direction from the top of the inner wall of the housing 110.

다시 도 3을 참조하여 설명한다.It will be described again with reference to FIG. 3.

제2 라이너 부재(220)는 하우징(110)의 내벽 하부에서 상하 방향으로 이동 가능하게 설치되는 경우, 액추에이터(actuator; 310) 및 샤프트(shaft; 320)를 이용하여 상하 방향으로 이동 가능하게 설치될 수 있다.When the second liner member 220 is installed to be movable in the vertical direction under the inner wall of the housing 110, the second liner member 220 may be installed so as to be movable in the vertical direction using an actuator 310 and a shaft 320. I can.

액추에이터(310)는 샤프트(320)를 작동시키는 것이다. 액추에이터(310)는 이를 통해 샤프트(320)에 연결되어 있는 제2 라이너 부재(220)를 하우징(110)의 내부에서 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.The actuator 310 operates the shaft 320. Through this, the actuator 310 may move the second liner member 220 connected to the shaft 320 in the vertical direction inside the housing 110.

액추에이터(310)는 제1 라이너 부재(210) 및 제2 라이너 부재(220)를 관통하여 설치되는 샤프트(320)와 연결되기 위해서, 제1 라이너 부재(210)의 상위에 설치될 수 있다. 액추에이터(310)는 예를 들어, 윈도우 부재(191)의 상부에 설치되는 안테나 부재(192)와 동일 레벨에 설치될 수 있다.The actuator 310 may be installed above the first liner member 210 in order to be connected to the shaft 320 installed through the first liner member 210 and the second liner member 220. The actuator 310 may be installed at the same level as the antenna member 192 installed on the window member 191, for example.

그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 액추에이터(310)는 도 9에 도시된 바와 같이 제2 라이너 부재(220)의 하위에 설치되는 것도 가능하다. 이 경우, 샤프트(220)는 제2 라이너 부재(220)만 관통하여 설치될 수 있으나, 도 3의 경우와 마찬가지로 제1 라이너 부재(210) 및 제2 라이너 부재(220)를 관통하여 설치되는 것도 가능하다. 도 9는 도 3에 도시된 월 라이너 유닛의 다양한 실시 형태를 보여주는 제2 예시도이다.However, this embodiment is not limited thereto. The actuator 310 may be installed below the second liner member 220 as shown in FIG. 9. In this case, the shaft 220 may be installed through only the second liner member 220, but as in the case of FIG. 3, the shaft 220 may be installed through the first liner member 210 and the second liner member 220. It is possible. 9 is a second exemplary view showing various embodiments of the wall liner unit shown in FIG. 3.

다시 도 3을 참조하여 설명한다.It will be described again with reference to FIG. 3.

샤프트(320)는 액추에이터(310)의 제어에 따라 제2 라이너 부재(220)를 하우징(110)의 내부에서 상하 방향으로 이동시키는 것이다. 이러한 샤프트(320)는 도 3에 도시된 바와 같이 액추에이터(310)가 제1 라이너 부재(210)의 상위에 설치되는 경우, 제1 라이너 부재(210) 및 제2 라이너 부재(220)를 관통하여 설치될 수 있다. 또한 샤프트(320)는 도 9에 도시된 바와 같이 액추에이터(310)가 제2 라이너 부재(210)의 하위에 설치되는 경우, 제2 라이너 부재(220)만을 관통하여 설치될 수 있다.The shaft 320 moves the second liner member 220 in the vertical direction within the housing 110 under the control of the actuator 310. When the actuator 310 is installed above the first liner member 210 as shown in FIG. 3, the shaft 320 passes through the first liner member 210 and the second liner member 220. Can be installed. In addition, as shown in FIG. 9, when the actuator 310 is installed below the second liner member 210, the shaft 320 may be installed through only the second liner member 220.

한편, 샤프트(320)는 도 10에 도시된 바와 같이 발열 부재(340)를 내장할 수 있다. 이러한 발열 부재(340)는 히팅 케이블(heater power cable)로 구현될 수 있다. 샤프트(320)가 이와 같이 발열 부재(340)를 내장하면, 하우징(110) 내부의 불균일 열 전달 문제(써멀(thermal) 비대칭 문제)도 동시에 개선하는 효과를 얻을 수 있다. 도 10은 도 3에 도시된 월 라이너 유닛의 다양한 실시 형태를 보여주는 제3 예시도이다.Meanwhile, as shown in FIG. 10, the shaft 320 may include a heating member 340. The heating member 340 may be implemented as a heating cable. When the shaft 320 includes the heat generating member 340 in this way, it is possible to obtain an effect of simultaneously improving a non-uniform heat transfer problem (a thermal asymmetry problem) inside the housing 110. 10 is a third exemplary view showing various embodiments of the wall liner unit illustrated in FIG. 3.

한편, 제2 라이너 부재(220)는 샤프트(320)를 통해 하우징(110)의 내부에서 위쪽 방향으로 이동할 경우, 샤프트(320)의 완전 삽입이 가능하도록 도 11에 도시된 바와 같이 그 내부에 홈(350)이 형성될 수 있다. 이때 홈(350)의 깊이(D)는 제2 라이너 부재(220)의 상단부로부터 실드 링(330)까지의 높이(H)와 동일한 값을 가질 수 있다(D = H). 도 11은 도 3에 도시된 월 라이너 유닛을 구성하는 제2 라이너 부재의 다양한 실시 형태를 보여주는 제4 예시도이다.On the other hand, when the second liner member 220 moves upward from the inside of the housing 110 through the shaft 320, a groove therein as shown in FIG. 11 so that the shaft 320 can be completely inserted. 350 can be formed. In this case, the depth D of the groove 350 may have the same value as the height H from the upper end of the second liner member 220 to the shield ring 330 (D = H). 11 is a fourth exemplary view showing various embodiments of a second liner member constituting the wall liner unit illustrated in FIG. 3.

종래에는 비대칭 구조에 따른 문제를 해결하기 위해 기판(W)이 공급되는 개구부(114)의 공간을 최소화하는 것이 최선이었으나, 이 역시 비대칭 구조에 따른 문제를 완전히 해소시키지 못하였다.Conventionally, in order to solve the problem of the asymmetric structure, it was best to minimize the space of the opening 114 through which the substrate W is supplied, but this also did not completely solve the problem due to the asymmetric structure.

본 실시예에서는 기판(W)의 반송시 월 라이너 유닛(170)을 두 개로 분리한 구조로 가져가 셔터(shutter), 도어 어셈블리(115) 등을 구비하지 않아도, 월 라이너 유닛(170) 자체적으로 업 앤 다운 무빙(Up & Down Moving)을 통해 비대칭 구조에 따른 문제를 해결할 수 있다.In the present embodiment, the wall liner unit 170 is self-contained without having a shutter, door assembly 115, etc. by taking the wall liner unit 170 into two separate structures when transporting the substrate W. Problems caused by asymmetric structures can be solved through Up & Down Moving.

본 실시예에 따르면, 기판(W) 반송 구간의 개구부(114) 비대칭을 완벽하게 구조적으로 대칭으로 만들 수 있으며, 추가적으로 그라운드 비대칭 문제, 써멀 비대칭 문제 등도 동시에 개설할 수 있어 플라즈마 반응 챔버의 정상 공정 결과에 기여할 수 있다.According to this embodiment, the asymmetry of the opening 114 of the transfer section of the substrate W can be made completely structurally symmetric, and additionally, a ground asymmetry problem and a thermal asymmetry problem can be opened simultaneously, resulting in a normal process result of the plasma reaction chamber. Can contribute to

이상 도 3 내지 도 11을 참조하여 본 실시예에 따른 월 라이너 유닛(170)에 대하여 설명하였다. 본 실시예에 따른 월 라이너 유닛(170)은 대칭 무빙 월 라이너(Symmetric Moving Wall Liner)로서, 다음과 같은 특징을 가지도록 구현될 수 있다.The wall liner unit 170 according to the present embodiment has been described above with reference to FIGS. 3 to 11. The wall liner unit 170 according to the present embodiment is a symmetric moving wall liner and may be implemented to have the following features.

첫째, 플라즈마 반응 챔버의 내부 벽면을 보호하는 원통형 라이너를 위쪽 원통과 아래쪽 원통 두 개로 구분하여, 아래쪽 원통을 기판 진입부의 개구부 도어로 활용할 수 있으며, 아래쪽 원통을 업 앤 다운 무빙(Up & down Moving)할 수 있도록 액추에이터(310)와 연결할 수 있다.First, the cylindrical liner that protects the inner wall of the plasma reaction chamber is divided into two upper and lower cylinders, and the lower cylinder can be used as an opening door at the entrance to the substrate, and the lower cylinder is up and down moving. It can be connected to the actuator 310 to be able to.

둘째, 두 원통은 중공축의 샤프트가 등각으로 구성되어 라이너를 관통하여 히터 파워를 균일하게 공급할 수 있다.Second, the two cylinders have a hollow shaft formed in a conformal shape, so that the heater power can be uniformly supplied through the liner.

셋째, 동일한 내경과 외경을 가진 두 원통 형상의 라이너이기 때문에 도어를 닫을 시 구조적 대칭 형상을 만들 수 있다. 이는 대칭적인 가스 흐름(Gas Flow)을 유도할 수 있다.Third, since it is a two-cylindrical liner with the same inner diameter and outer diameter, it can create a structurally symmetrical shape when the door is closed. This can lead to a symmetrical gas flow.

넷째, 두 원통의 접촉면은 메탈 가스켓으로 접촉하여 그라운드 패스(Ground Path) 또한 단절되지 않도록 할 수 있다.Fourth, the contact surfaces of the two cylinders are in contact with the metal gasket so that the ground path is also not cut off.

다섯째, 챔버에 홈 가공을 하여 원통의 무빙 스트로크(Moving Stroke)를 확보할 수 있다. 즉, 아래쪽 원통의 스트로크(Stroke)를 확보하기 위해 챔버 내부에 동일한 스트로크만큼의 홈 가공을 하여 삽입될 수 있도록 할 수 있다.Fifth, it is possible to secure a moving stroke of a cylinder by making a groove in the chamber. In other words, in order to secure the stroke of the lower cylinder, it can be inserted into the chamber by making a groove for the same stroke.

여섯째, 아래쪽 원통(Door)과 위쪽 원통(고정부) 사이에는 중공축이 관통하여 히터가 내장될 수 있다.Sixth, between the lower cylinder (Door) and the upper cylinder (fixed portion), a hollow shaft may pass through and a heater may be embedded.

이상과 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.Although the embodiments of the present invention have been described with reference to the above and the accompanying drawings, those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains can implement the present invention in other specific forms without changing the technical spirit or essential features. You can understand that there is. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are illustrative in all respects and not limiting.

100: 기판 처리 시스템 110: 하우징
120: 지지 유닛 121: 베이스
122: 정전 척 130: 플라즈마 생성 유닛
140: 샤워 헤드 유닛 150: 제1 가스 공급 유닛
160: 제2 가스 공급 유닛 170: 월 라이너 유닛
180: 배플 유닛 190: 상부 모듈
210: 제1 라이너 부재 220: 제2 라이너 부재
310: 액추에이터 320: 샤프트
330: 실드 링 340: 발열 부재
350: 홈100: substrate processing system 110: housing
120: support unit 121: base
122: electrostatic chuck 130: plasma generating unit
140: shower head unit 150: first gas supply unit
160: second gas supply unit 170: wall liner unit
180: baffle unit 190: upper module
210: first liner member 220: second liner member
310: actuator 320: shaft
330: shield ring 340: heating member
350: home

Claims (10)

하우징;
상기 하우징의 내부 상측에 설치되며, 기판을 식각하기 위한 공정 가스를 상기 하우징의 내부로 공급하는 샤워 헤드 유닛;
상기 하우징의 내부 하측에 설치되며, 상기 기판이 안착되는 정전 척을 구비하는 지지 유닛;
상기 기판을 식각하기 위해 상기 공정 가스를 이용하여 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 생성 유닛; 및
상기 하우징의 내벽을 보호하며, 상기 하우징의 상부 내벽에 고정되어 설치되는 제1 라이너 부재, 상기 하우징의 하부 내벽에 이동 가능하게 설치되는 제2 라이너 부재, 상기 제1 라이너 부재 및 상기 제2 라이너 부재를 관통하여 설치되는 샤프트, 및 상기 샤프트를 이용하여 상기 제2 라이너 부재를 상하 방향으로 이동시키는 액추에이터를 포함하는 월 라이너 유닛을 포함하며,
상기 제2 라이너 부재는 상기 기판이 상기 하우징의 내부로 출입할 때 이동하는 기판 처리 시스템.housing;
A shower head unit installed on the upper side of the housing and supplying a process gas for etching a substrate into the housing;
A support unit installed below the housing and having an electrostatic chuck on which the substrate is mounted;
A plasma generation unit generating plasma by using the process gas to etch the substrate; And
A first liner member that protects the inner wall of the housing and is fixedly installed on the upper inner wall of the housing, a second liner member movably installed on the lower inner wall of the housing, the first liner member, and the second liner member And a wall liner unit including a shaft installed through and an actuator for moving the second liner member in an up-down direction using the shaft,
The second liner member moves when the substrate enters and exits the housing. 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 샤프트는 발열 부재를 내장하는 기판 처리 시스템.The method of claim 1,
The shaft is a substrate processing system incorporating a heat generating member. 제 1 항에 있어서,
상기 액추에이터는 상기 하우징의 상부를 밀폐시키며 유전체 창(dielectric window)을 포함하는 윈도우 부재보다 상위 레벨에 설치되거나, 상부 전극으로 기능하는 안테나 부재와 동일 레벨에 설치되는 기판 처리 시스템.The method of claim 1,
The actuator seals an upper portion of the housing and is installed at a higher level than a window member including a dielectric window, or at the same level as an antenna member functioning as an upper electrode. 제 1 항에 있어서,
상기 월 라이너 유닛은,
상기 제1 라이너 부재와 상기 제2 라이너 부재 간 접촉면에 제공되는 실드 링을 더 포함하는 기판 처리 시스템.The method of claim 1,
The wall liner unit,
A substrate processing system further comprising a shield ring provided on a contact surface between the first liner member and the second liner member. 제 5 항에 있어서,
상기 실드 링은 상기 제1 라이너 부재의 하단부 및 상기 제2 라이너 부재의 상단부 중 적어도 하나에 설치되는 기판 처리 시스템.The method of claim 5,
The shield ring is installed on at least one of a lower end of the first liner member and an upper end of the second liner member. 제 5 항에 있어서,
상기 실드 링은 나선 형상의 가스켓인 기판 처리 시스템.The method of claim 5,
The shield ring is a helical gasket substrate processing system. 기판을 식각하는 공정이 수행되는 하우징의 내벽을 보호하며,
상기 하우징의 상부 내벽에 고정되어 설치되는 제1 라이너 부재;
상기 하우징의 하부 내벽에 이동 가능하게 설치되는 제2 라이너 부재;
상기 제1 라이너 부재 및 상기 제2 라이너 부재를 관통하여 설치되는 샤프트; 및
상기 샤프트를 이용하여 상기 제2 라이너 부재를 상하 방향으로 이동시키는 액추에이터를 포함하고,
상기 제2 라이너 부재는 상기 기판이 상기 하우징의 내부로 출입할 때 이동하는 월 라이너 유닛.It protects the inner wall of the housing where the process of etching the substrate is performed,
A first liner member fixed and installed on the upper inner wall of the housing;
A second liner member movably installed on the lower inner wall of the housing;
A shaft installed through the first liner member and the second liner member; And
Including an actuator for moving the second liner member in the vertical direction using the shaft,
The second liner member is a wall liner unit that moves when the substrate enters and exits the housing. 삭제delete 제 8 항에 있어서,
상기 샤프트는 발열 부재를 내장하는 월 라이너 유닛.The method of claim 8,
The shaft is a wall liner unit incorporating a heating member.
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060062403A (en) * 2004-12-03 2006-06-12 삼성전자주식회사 Plasma reactor
KR20100128285A (en) * 2008-01-28 2010-12-07 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Etching chamber having flow equalizer and lower liner
KR101147908B1 (en) 2005-08-29 2012-05-25 주성엔지니어링(주) Substrate manufacturing apparatus comprising wall liner
KR20130137964A (en) * 2012-06-08 2013-12-18 세메스 주식회사 Apparatus for treating substrate
KR20180047236A (en) * 2016-10-31 2018-05-10 세메스 주식회사 Apparatus and method for treating substrate

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060062403A (en) * 2004-12-03 2006-06-12 삼성전자주식회사 Plasma reactor
KR101147908B1 (en) 2005-08-29 2012-05-25 주성엔지니어링(주) Substrate manufacturing apparatus comprising wall liner
KR20100128285A (en) * 2008-01-28 2010-12-07 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Etching chamber having flow equalizer and lower liner
KR20130137964A (en) * 2012-06-08 2013-12-18 세메스 주식회사 Apparatus for treating substrate
KR20180047236A (en) * 2016-10-31 2018-05-10 세메스 주식회사 Apparatus and method for treating substrate

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