KR100734780B1 - 플라즈마 식각 설비 및 그의 백사이드 가스 공급을 위한디퓨저 - Google Patents

플라즈마 식각 설비 및 그의 백사이드 가스 공급을 위한디퓨저 Download PDF

Info

Publication number
KR100734780B1
KR100734780B1 KR1020050101899A KR20050101899A KR100734780B1 KR 100734780 B1 KR100734780 B1 KR 100734780B1 KR 1020050101899 A KR1020050101899 A KR 1020050101899A KR 20050101899 A KR20050101899 A KR 20050101899A KR 100734780 B1 KR100734780 B1 KR 100734780B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gas supply
supply line
gas
diffuser
electrostatic chuck
Prior art date
Application number
KR1020050101899A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20070045529A (ko
Inventor
김형준
정영철
이기영
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020050101899A priority Critical patent/KR100734780B1/ko
Publication of KR20070045529A publication Critical patent/KR20070045529A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100734780B1 publication Critical patent/KR100734780B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H01J37/32724—Temperature

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 고주파 전원에 의한 아크 점화에 노출된 가스 공급 라인 및 가스 공급라인의 주변 장치들을 보호하기 위한 디퓨저 및 이를 구비하는 플라즈마 식각 설비에 관한 것이다. 플라즈마 식각 설비는 고주파(RF) 전원을 이용하여 공정 챔버의 플라즈마 분위기를 형성한다. 이 때, 정전척의 하부 전극과, 정전척에 형성된 다수의 홀들 및 가스 공급 라인은 고주파(RF) 전원에 노출되어, 정전척 백사이드 가스가 플로우되는 홀들을 통하여 가스 공급 라인에 아크 점화(ignition)가 발생된다. 본 발명의 플라즈마 식각 설비는 백사이드 가스를 균일하게 공급하고, 아크 점화 발생시 내부에서 소멸되도록 백사이드 가스 경로를 구비하는 디퓨저(diffuser)를 포함한다. 따라서 본 발명의 디퓨저 및 이를 구비하는 플라즈마 식각 설비는 아크 점화로부터 가스 공급 라인과, 유량 및 압력 조절 장치를 보호할 수 있으며, 또한 플라즈마 식각 균일도를 유지할 수 있다.
플라즈마 식각 설비, 정전척, 디퓨저, 가스 공급 라인, 백사이드

Description

플라즈마 식각 설비 및 그의 백사이드 가스 공급을 위한 디퓨저{PLASMA ETCHER AND DIFFUSER FOR SUPPLYING BACK SIDE GAS THEREOF}
도 1은 본 발명에 따른 플라즈마 식각 설비의 구성을 도시한 도면;
도 2는 도 2에 도시된 백사이드 가스를 공급하는 디퓨저의 구성을 도시한 사시도;
도 3은 도 2에 도시된 디퓨저의 단면도;
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 디퓨저의 구성을 도시한 단면도; 그리고
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 디퓨저의 구성을 도시한 단면도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명 *
100 : 플라즈마 식각 설비 102 : 공정 챔버
104 : 상부 전극 106 : 정전척(하부 전극)
108 : 웨이퍼 110 : 가스 공급 라인
112 : 유량 및 압력 조절 장치 114 : 가스 공급원
116 : 홀들 및 버퍼 120, 120a, 120b : 디퓨저
122 : 몸체 124, 124a, 124b : 가스 공급 경로
126, 126a, 126b : 버퍼 128 : 홀
130, 134 : 측면 132 : 중앙면
136 ~ 142 : 하우징 140, 150 ~ 180 : 몸체
본 발명은 반도체 제조 설비에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로는 플라즈마 식각 설비의 정전척 백사이드를 냉각시키는 가스 공급을 위한 디퓨저(diffuser)에 관한 것이다.
반도체 제조 공정 중 폴리(poly) 식각 공정 또는 옥사이드(oxide) 식각 공정에서 공정 진행시 웨이퍼의 온도가 일정 온도 이상 상승되면 웨이퍼 상의 포토레지스트(PR) 패턴이 녹아버리는 문제가 발생된다. 이를 방지하기 위해 웨이퍼가 로딩되는 정전척(ESC)에는 웨이퍼의 백사이드로 헬륨(He) 가스가 플로우되는 다수의 홀들 및 홀들을 연결하는 버퍼가 형성되어 있다.
일반적인 플라즈마 식각 설비 예를 들어, 폴리 에처(poly etcher), 옥사이드 에처(oxide etcher) 등은 정전척의 상부면 중심과 가장자리 부분에 다수의 홀들 및 버퍼가 형성되어 있다. 헬륨 가스는 공정 챔버 내에서 공정 진행시 홀들 및 버퍼를 통하여 웨이퍼의 백사이드로 플로우되어 플라즈마 상태에서 웨이퍼의 온도가 상승되지 않도록 한다. 이러한 홀들 및 버퍼는 가스 공급원으로부터 헬륨 가스의 유량 및 압력을 조절하는 유량 및 압력 조절 장치들이 설치되는 가스 공급 라인에 연결 된다.
그러나 플라즈마 식각 설비는 고주파(RF) 전원을 이용하여 공정 챔버의 플라즈마 분위기를 형성하는데, 이 때, 정전척의 하부 전극과, 다수의 홀들 및 가스 공급 라인은 고주파(RF) 전원에 노출되어, 헬륨 가스가 플로우되는 홀들을 통하여 가스 공급 라인에 아크 점화(ignition)가 발생된다. 이러한 아크 점화는 가스 공급 라인을 따라 유량 및 압력 조절 장치들에게 영향을 끼치게 되어, 유량 및 압력 조절 장치의 오동작 및 고장을 유발시키는 원인이 된다.
또한, 상술한 문제점에 의해서 플라즈마 식각 설비의 식각 균일도에 치명적인 악영향을 끼쳐 공정 불량이 발생된다.
본 발명의 목적은 고주파 전원으로부터 하부 전극으로 아크 점화로 인하여 백사이드 가스 공급을 위한 가스 공급 라인 및 그의 주변 장치들을 보호하기 위한 플라즈마 식각 설비를 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 플라즈마 식각 설비의 고주파 전원에 노출된 하부 전극에서의 아크 점화 발생에 따른 가스 공급 라인 및 그의 주변 장치들을 보호하기 위한 디퓨저를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 백사이드 가스를 균일하게 공급하기 위한 디퓨저를 제공하는 것이다.
상기 목적들을 달성하기 위한, 본 발명의 플라즈마 식각 설비는 디퓨저의 가 스 공급 경로를 증가시키는데 그 한 특징이 있다. 이와 같이 플라즈마 식각 설비는 고주파 전원으로 인한 아크 점화로부터 백사이드 가스를 공급하는 가스 공급 라인 및 주변 장치들을 보호할 수 있다.
본 발명의 플라즈마 식각 설비는, 공정 챔버와; 상기 공정 챔버에 구비되어 웨이퍼가 로딩되는 정전척과; 상기 정전척의 백사이드 가스를 공급하는 가스 공급원과 상기 정전척 사이를 연결하는 가스 공급 라인 및; 상기 가스 공급 라인에 구비되어 상기 가스 공급원으로부터 상기 정전척으로 백사이드 가스를 균일하게 공급하고, 고주파 전원에 의해 상기 정전척 및 상기 가스 공급 라인 상에 발생되는 아크 점화를 내부에서 소멸되도록 복수 개의 백사이드 가스 경로들을 갖는 디퓨저를 포함한다.
한 실시예에 있어서, 상기 디퓨저는; 내부에 상기 백사이드 가스 경로들이 형성된 적어도 하나의 절연 재질의 몸체 및; 상기 몸체를 탑재하고 상기 가스 공급 라인과 상기 몸체를 연결시키는 하우징를 포함하되, 상기 몸체는 두 개의 원뿔 기둥의 밑면이 접하여 하나의 중앙면을 구성하고, 좌우 측면이 상기 가스 공급 라인에 연결되며, 상기 좌우 측면 및 상기 중앙부에 다수의 홀들이 형성되어 상기 홀들이 상기 좌우 측면 및 상기 중앙부에 대응되게 연결되어 각각이 상기 백사이드 가스 경로를 형성하는 형상으로 이루어진다.
다른 실시예에 있어서, 상기 디퓨저는 상기 하우징에 상기 복수 개의 몸체들이 상호 병렬로 구비된다.
또 다른 실시예에 있어서, 상기 디퓨저는 상기 하우징에 상기 복수 개의 몸 체들이 상호 직렬로 구비된다.
이 실시예들에 있어서, 상기 디퓨저는 상기 가스 공급 라인과 연결되는 상기 하우징 양측면에 버퍼를 더 구비한다.
또 다른 실시예에 있어서, 상기 몸체는 상기 좌우 측면의 상기 가스 공급 라인과 연결되는 부위에 버퍼를 더 구비한다.
본 발명의 다른 특징에 따르면, 플라즈마 식각 설비의 디퓨저의 가스 공급 경로를 증가시켜서 백사이드 가스를 균일하게 공급하고, 식각 균일도를 일정하게 유지하게 한다.
본 발명의 디퓨저는, 가스 공급원과, 하부에 웨이퍼가 로딩되는 정전척을 구비하는 공정 챔버 및, 상기 가스 공급원과 상기 정전척 사이를 연결하는 가스 공급 라인을 포함하는 플라즈마 식각 설비에 구비된다. 이 디퓨저는 상기 가스 공급원으로부터 상기 정전척의 백사이드 가스를 받아서 상기 정전척으로 백사이드 가스를 공급한다.
이 디퓨저는, 하우징과; 상기 하우징에 탑재되어 양측면이 상기 가스 공급 라인에 연결되고, 상기 가스 공급원으로부터 상기 정전척으로 백사이드 가스를 균일하게 공급하며, 그리고 상기 공정 챔버 내부의 고주파 전원에 의해 상기 정전척 및 상기 가스 공급 라인 상에 발생되는 아크 점화를 내부에서 소멸되도록 복수 개의 백사이드 가스 경로들을 갖는 절연 재질의 적어도 하나의 몸체들을 구비한다.
한 실시예에 있어서, 상기 몸체는; 두 개의 원뿔 기둥의 밑면들이 접하여 하나의 중앙면을 구성하고, 좌우 측면이 상기 가스 공급 라인에 연결되며, 상기 좌우 측면 및 상기 중앙부에 다수의 홀들이 형성되어 상기 홀들이 상기 좌우 측면 및 상기 중앙부에 상호 대응되게 연결되어 각각이 상기 백사이드 가스 경로를 형성하는 형상으로 이루어진다.
다른 실시예에 있어서, 상기 몸체는 상기 좌우 측면의 상기 가스 공급 라인과 연결되는 부위에 버퍼를 더 구비한다.
또 다른 실시예에 있어서, 상기 몸체들은 상기 하우징 내부에서 상호 병렬로 연결되거나, 또는 상호 직렬로 연결된다.
이 실시예에 있어서, 상기 하우징은 상기 가스 공급 라인과 연결되는 상기 몸체의 양측면에 버퍼를 더 구비한다.
본 발명의 실시예들은 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예들로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다.
이하 첨부된 도 1 내지 도 5를 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 디퓨저를 구비하는 플라즈마 식각 설비의 일부 구성을 도시한 도면이다.
도 1을 참조하면, 플라즈마 식각 설비(100)는 예를 들어, 폴리 에처, 옥사이드 에처 등으로, 공정 챔버(102)와, 디퓨저(120)와, 유량 및 압력 조절 장치(112), 그리고 가스 공급원(114)을 포함한다. 공정 챔버(102)는 내부에 상부 및 하부 전극(104, 106)을 포함한다. 하부 전극(106)은 웨이퍼가 안착되는 정전척(106)에 구비되어, 고주파(RF) 전원을 받아서 공정 챔버(102) 내부의 플라즈마를 형성한다. 또 정전척(106), 디퓨저(120), 유량 및 압력 조절 장치(112) 및, 가스 공급원(114)은 가스 공급 라인(110)을 통하여 상호 연결된다.
정전척(106)은 상부면의 중심과 가장자리 부분에 웨이퍼(108)의 백사이드(back side)로 헬륨(He) 가스가 플로우되는 다수의 홀들 및 홀들을 연결하는 버퍼(116)가 구비된다. 백사이드 가스 즉, 헬륨 가스는 웨이퍼의 온도를 균일하게 하기 위하여 중요하다. 헬륨 가스는 공정 챔버(102) 내에서 공정 진행시 홀들 및 버퍼(116)를 통하여 웨이퍼(108)의 백사이드로 플로우되어 플라즈마 상태에서 웨이퍼(108)의 온도가 상승되지 않도록 한다. 이러한 홀들 및 버퍼(116)는 가스 공급원(114)으로부터 헬륨 가스의 유량 및 압력을 조절하는 유량 및 압력 조절 장치(112)들과 디퓨저(120)가 설치된 가스 공급 라인(110)에 연결된다.
그리고 디퓨저(diffuser)(120)는 도 2에 도시된 바와 같이, 두 개의 원뿔 기둥의 밑면이 결합된 형태의 몸체(122)를 구비한다. 몸체(122)는 절연 재질로 구비된다. 구체적으로, 디퓨저(120)는 몸체의 좌우 측면(130, 134)과 접촉된 중앙면(132)에 다수의 홀(128)들을 구비하고, 각각의 홀(128)들은 상호 대응되는 홀과 연결되어 가스 공급원(114)과 정전척(106) 사이의 가스 공급 경로(124)를 형성한다.
또한, 몸체(122)는 좌우 측면(130, 134)의 홀들이 약 60 ~ 80 도 정도의 각으로 방사형 형태로 구비되어 고주파(RF) 전원의 노이즈를 최소화한다.
그러므로 디퓨저(120)는 가스 공급 라인(110)보다 증가된 가스 공급 경로(124)를 통해 가스와 절연체와의 접촉 면적을 증가시켜서, 정전척(106)의 하부 전극과, 다수의 홀들 및 가스 공급 라인(110)이 고주파(RF) 전원에 노출되어 헬륨 가스가 플로우되는 홀들(116)을 통하여 가스 공급 라인(110)에 아크 점화(ignition)가 발생되면, 디퓨저(120) 내부에서 소멸되도록 한다. 그 결과, 가스 공급 라인(110), 유량 및 압력 조절 장치(112)를 아크 점화로부터 보호할 수 있다. 또한, 본 발명의 디퓨저(120)를 구비하는 플라즈마 식각 설비(100)는 플라즈마에 대한 영향을 최소화하여 백사이드 가스의 공급량을 균일하게 하도록 조절하여 식각 균일도를 유지한다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 디퓨저(120)는 몸체(122)를 탑재하는 하우징(136)과, 하나의 몸체(122)로 구성된다. 디퓨저(120) 양측의 가스 공급 라인(110)과 몸체(122)의 좌우 측면(130, 134) 사이에는 가스의 흐름이 원할하도록 버퍼(126)가 구비된다. 이 때, 하우징(136)은 디퓨저(120) 내부를 모니터링 할 수 있는 렉산(lexan, 폴리카보나이트), 석영(quartz) 등의 투명 재질로 구비하여, 작업자가 내부를 모니터링하여 발생할 수 있는 아싱(arching)에 대비할 수 있도록 한다.
다른 실시예로서 도 4를 참조하면, 디퓨저(120a)는 도 2에 도시된 몸체(140, 150)를 복수 개로 구비하고, 하나의 하우징(138) 내부에 복수 개의 몸체(140, 150)를 상호 병렬로 배치한다. 그리고 디퓨저(120a) 양측의 가스 공급 라인(110)과 복수 개의 몸체(140, 150)들 사이에는 가스의 흐름이 원할하도록 버퍼(126a)가 구비 된다. 따라서 디퓨저(120a)는 가스 공급 라인(110)과 버퍼(126a)를 통하여 더 많은 가스 공급 경로(124a)들이 형성된다.
이 실시예에서 디퓨저(102a)는 하나의 가스 공급 라인(110)을 이용하여 버퍼(126a)를 통해 각 몸체(140, 150)들의 가스 공급 경로(124a)를 형성하고 있지만, 변형예로서 각 몸체(140, 150)에 개별적으로 가스 공급 라인을 연결하고, 각각의 가스 공급 라인을 연결시켜서 가스 공급 경로를 형성할 수도 있다.
또 다른 실시예로서, 도 5를 참조하면, 디퓨저(120b)는 하나의 하우징(142)에 복수 개의 몸체(160, 170, 180)들을 상호 직렬로 배치하고, 도 4의 것보다 긴 가스 공급 경로(124b)를 형성한다. 이 실시예 또한, 디퓨저(120b) 양측의 가스 공급 라인(110)과 몸체(160 ~ 180)의 좌우 측면 사이에는 가스의 흐름이 원할하도록 버퍼(126b)가 구비된다.
따라서 본 발명의 플라즈마 식각 설비(100)는 정전척(106) 백사이드 가스의 공급 경로를 증가시켜서 고주파(RF) 전원에 노출되어 가스가 플로우되는 홀들(116) 및 가스 공급 라인(110)에 아크 점화가 발생되면, 가스와 가스 공급 경로(124, 124a 또는 124b)의 접촉 면적 증가로 인하여 아크 점화가 디퓨저(120, 120a 또는 120b) 내부에서 소멸된다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 디퓨저는 적어도 하나 또는 복수 개(예를 들어, 2 ~ 4 개 정도)의 몸체를 직렬 또는 병렬로 배치하여 고주파 전원에 의한 노이즈 및 플라즈마 발생을 최대한 억제할 수 있다.
이상에서, 본 발명에 따른 디퓨저 및 이를 구비하는 플라즈마 식각 설비의 구성 및 작용을 상술한 설명 및 도면에 따라 도시하였지만 이는 예를 들어 설명한 것에 불과하며 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화 및 변경이 가능함은 물론이다. 예컨대, 본 발명의 플라즈마 식각 설비는 폴리 에처, 옥사이드 에처 뿐만 아니라, 메탈 에처(metal etcher), 백사이드 가스를 사용하는 고주파(RF) 설비에도 적용 가능하다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 디퓨저 및 이를 구비하는 플라즈마 식각 설비는 디퓨저 내부의 가스 공급 경로를 증가시킴으로써, 정전척으로 백사이드 가스를 균일하게 공급할 수 있으며, 고주파 전원에 의해 발생되는 아크 점화를 소멸시킬 수 있다.
따라서 본 발명의 디퓨저 및 플라즈마 식각 설비는 아크 점화로부터 가스 공급 라인과, 유량 및 압력 조절 장치를 보호할 수 있으며, 또한 플라즈마 식각 균일도를 유지할 수 있다.

Claims (12)

  1. 삭제
  2. 플라즈마 식각 설비에 있어서:
    공정 챔버와;
    상기 공정 챔버에 구비되어 웨이퍼가 로딩되는 정전척과;
    상기 정전척의 백사이드 가스를 공급하는 가스 공급원과 상기 정전척 사이를 연결하는 가스 공급 라인 및;
    상기 가스 공급 라인에 구비되어 상기 가스 공급원으로부터 상기 정전척으로 백사이드 가스를 균일하게 공급하는 복수 개의 백사이드 가스 경로가 형성된 적어도 하나의 절연 재질의 몸체와, 상기 몸체를 탑재하고 상기 가스 공급 라인과 상기 몸체를 연결시키는 하우징을 구비하여, 고주파 전원에 의해 발생되는 아크 점화를 내부에서 소멸시키는 디퓨저(diffuser)를 포함하되;
    상기 몸체는 두 개의 원뿔 기둥의 밑면이 접하여 하나의 중앙면을 구성하고, 좌우 측면이 각각 상기 가스 공급 라인에 연결되며, 상기 좌우 측면 및 상기 중앙면에 다수의 홀들이 형성되어 상기 홀들이 상기 좌우 측면 및 상기 중앙면에 대응되게 연결되어 상기 백사이드 가스 경로들을 형성하는 형상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각 설비.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 디퓨저는 상기 하우징에 상기 복수 개의 몸체들이 상호 병렬로 구비되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각 설비.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 디퓨저는 상기 하우징에 상기 복수 개의 몸체들이 상호 직렬로 구비되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각 설비.
  5. 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,
    상기 디퓨저는 상기 가스 공급 라인과 연결되는 상기 하우징 양측면에 버퍼를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각 설비.
  6. 제 2 항에 있어서,
    상기 몸체는 상기 좌우 측면의 상기 가스 공급 라인과 연결되는 부위에 버퍼를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각 설비.
  7. 삭제
  8. 가스 공급원과, 하부에 웨이퍼가 로딩되는 정전척을 구비하는 공정 챔버 및, 상기 가스 공급원과 상기 정전척 사이를 연결하는 가스 공급 라인을 포함하는 플라즈마 식각 설비에서, 상기 가스 공급원으로부터 상기 정전척의 백사이드 가스를 받아서 상기 정전척으로 백사이드 가스를 공급하는 디퓨저에 있어서:
    하우징과;
    상기 하우징에 탑재되어 양측면이 상기 가스 공급 라인에 연결되고, 상기 가스 공급원으로부터 상기 정전척으로 백사이드 가스를 균일하게 공급하며, 그리고 상기 공정 챔버 내부의 고주파 전원에 의해 상기 정전척 및 상기 가스 공급 라인 상에 발생되는 아크 점화를 내부에서 소멸되도록 복수 개의 백사이드 가스 경로들을 갖는 절연 재질의 적어도 하나의 몸체들을 포함하되;
    상기 몸체는 두 개의 원뿔 기둥의 밑면들이 접하여 하나의 중앙면을 구성하고, 좌우 측면이 상기 가스 공급 라인에 연결되며, 상기 좌우 측면 및 상기 중앙면에 다수의 홀들이 형성되어 상기 홀들이 상기 좌우 측면 및 상기 중앙면에 상호 대응되게 연결되어 상기 백사이드 가스 경로들을 형성하는 형상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 디퓨저.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 몸체는 상기 좌우 측면의 상기 가스 공급 라인과 연결되는 부위에 버퍼를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 디퓨저.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 몸체들은 상기 하우징 내부에서 상호 병렬로 연결되는 것을 특징으로 하는 디퓨저.
  11. 제 8 항에 있어서,
    상기 몸체들은 상기 하우징 내부에서 상호 직렬로 연결되는 것을 특징으로 하는 디퓨저.
  12. 제 10 항 또는 제 11 항에 있어서,
    상기 하우징은 상기 가스 공급 라인과 연결되는 상기 몸체의 양측면에 버퍼를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 디퓨저.
KR1020050101899A 2005-10-27 2005-10-27 플라즈마 식각 설비 및 그의 백사이드 가스 공급을 위한디퓨저 KR100734780B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050101899A KR100734780B1 (ko) 2005-10-27 2005-10-27 플라즈마 식각 설비 및 그의 백사이드 가스 공급을 위한디퓨저

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050101899A KR100734780B1 (ko) 2005-10-27 2005-10-27 플라즈마 식각 설비 및 그의 백사이드 가스 공급을 위한디퓨저

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070045529A KR20070045529A (ko) 2007-05-02
KR100734780B1 true KR100734780B1 (ko) 2007-07-03

Family

ID=38271243

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050101899A KR100734780B1 (ko) 2005-10-27 2005-10-27 플라즈마 식각 설비 및 그의 백사이드 가스 공급을 위한디퓨저

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100734780B1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9416919B2 (en) 2013-10-11 2016-08-16 Applied Materials, Inc. Compact hazardous gas line distribution enabling system single point connections for multiple chambers

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990085680A (ko) * 1998-05-20 1999-12-15 윤종용 백 사이드 헬륨 공급용 라인을 구비하는 반도체 제조장치
KR20040003284A (ko) * 2002-07-02 2004-01-13 삼성전자주식회사 웨이퍼 냉각 기체용 아크 방지체
KR100457833B1 (ko) 2002-05-24 2004-11-18 주성엔지니어링(주) 플라즈마 식각 장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990085680A (ko) * 1998-05-20 1999-12-15 윤종용 백 사이드 헬륨 공급용 라인을 구비하는 반도체 제조장치
KR100457833B1 (ko) 2002-05-24 2004-11-18 주성엔지니어링(주) 플라즈마 식각 장치
KR20040003284A (ko) * 2002-07-02 2004-01-13 삼성전자주식회사 웨이퍼 냉각 기체용 아크 방지체

Also Published As

Publication number Publication date
KR20070045529A (ko) 2007-05-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI538566B (zh) 可調間隙電漿腔室內之雙重侷限與超高壓力用之方法與設備
US20080083703A1 (en) Method of plasma processing
KR102453116B1 (ko) 기판 고정구 및 기판 고정 디바이스
TW201528883A (zh) 電漿體處理裝置
KR100537934B1 (ko) 반도체가공처리시스템용배면가스신속제거장치
KR100734780B1 (ko) 플라즈마 식각 설비 및 그의 백사이드 가스 공급을 위한디퓨저
US20040026386A1 (en) Method for improving ash rate uniformity in photoresist ashing process equipment
JP6994981B2 (ja) プラズマ処理装置及び載置台の製造方法
KR100674922B1 (ko) 포커스 링을 냉각하는 냉각 유로를 가지는 웨이퍼지지장치
KR100457833B1 (ko) 플라즈마 식각 장치
KR20170052136A (ko) 기판 식각장치
KR20080061108A (ko) 기판을 지지하기 위한 척 및 이를 포함하는 기판 가공 장치
KR101079224B1 (ko) 상부전극 어셈블리 및 플라즈마 처리 장치
KR102286522B1 (ko) 정전 척
JP2000040694A (ja) ドライエッチング装置及びドライエッチング方法
KR100774497B1 (ko) 기판을 처리하는 장치 및 방법
KR100854210B1 (ko) 반도체제조장치용 웨이퍼의 온도 조절형 인슐레이터 구조
KR100754362B1 (ko) 웨이퍼 에칭용 전극
KR20210136678A (ko) 기판 처리 장치
KR101311723B1 (ko) 플라즈마 식각 장치 및 이를 이용하는 기판의 식각 방법
JP2009032913A (ja) 気密モジュール、及び該気密モジュールの排気方法
KR20010046528A (ko) 정전척의 쿨링 구조
JP2022068768A (ja) リフターピンの突出量測定方法
JP2022078404A (ja) 温度調整装置及び基板処理装置
KR20070045531A (ko) 액정 디스플레이 기판용 플라즈마 식각 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee