KR100734599B1 - 다중 수평전하전송영역 방식을 채택한 고속 저전력 시시디 - Google Patents

다중 수평전하전송영역 방식을 채택한 고속 저전력 시시디 Download PDF

Info

Publication number
KR100734599B1
KR100734599B1 KR1020060023060A KR20060023060A KR100734599B1 KR 100734599 B1 KR100734599 B1 KR 100734599B1 KR 1020060023060 A KR1020060023060 A KR 1020060023060A KR 20060023060 A KR20060023060 A KR 20060023060A KR 100734599 B1 KR100734599 B1 KR 100734599B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
charge transfer
hccd
horizontal charge
transfer region
free
Prior art date
Application number
KR1020060023060A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20060029170A (ko
Inventor
이의철
Original Assignee
주식회사 쎄이미지
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 쎄이미지 filed Critical 주식회사 쎄이미지
Priority to KR1020060023060A priority Critical patent/KR100734599B1/ko
Publication of KR20060029170A publication Critical patent/KR20060029170A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100734599B1 publication Critical patent/KR100734599B1/ko

Links

Images

Classifications

    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A23—FOODS OR FOODSTUFFS; TREATMENT THEREOF, NOT COVERED BY OTHER CLASSES
    • A23N—MACHINES OR APPARATUS FOR TREATING HARVESTED FRUIT, VEGETABLES OR FLOWER BULBS IN BULK, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; PEELING VEGETABLES OR FRUIT IN BULK; APPARATUS FOR PREPARING ANIMAL FEEDING- STUFFS
    • A23N7/00—Peeling vegetables or fruit
    • A23N7/02—Peeling potatoes, apples or similarly shaped vegetables or fruit
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A23—FOODS OR FOODSTUFFS; TREATMENT THEREOF, NOT COVERED BY OTHER CLASSES
    • A23N—MACHINES OR APPARATUS FOR TREATING HARVESTED FRUIT, VEGETABLES OR FLOWER BULBS IN BULK, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; PEELING VEGETABLES OR FRUIT IN BULK; APPARATUS FOR PREPARING ANIMAL FEEDING- STUFFS
    • A23N15/00—Machines or apparatus for other treatment of fruits or vegetables for human purposes; Machines or apparatus for topping or skinning flower bulbs
    • A23N15/02—Machines or apparatus for other treatment of fruits or vegetables for human purposes; Machines or apparatus for topping or skinning flower bulbs for stemming, piercing, or stripping fruit; Removing sprouts of potatoes
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A23—FOODS OR FOODSTUFFS; TREATMENT THEREOF, NOT COVERED BY OTHER CLASSES
    • A23N—MACHINES OR APPARATUS FOR TREATING HARVESTED FRUIT, VEGETABLES OR FLOWER BULBS IN BULK, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; PEELING VEGETABLES OR FRUIT IN BULK; APPARATUS FOR PREPARING ANIMAL FEEDING- STUFFS
    • A23N7/00—Peeling vegetables or fruit
    • A23N7/10—Driving mechanisms
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B26—HAND CUTTING TOOLS; CUTTING; SEVERING
    • B26D—CUTTING; DETAILS COMMON TO MACHINES FOR PERFORATING, PUNCHING, CUTTING-OUT, STAMPING-OUT OR SEVERING
    • B26D3/00—Cutting work characterised by the nature of the cut made; Apparatus therefor
    • B26D3/24—Cutting work characterised by the nature of the cut made; Apparatus therefor to obtain segments other than slices, e.g. cutting pies
    • B26D3/26—Cutting work characterised by the nature of the cut made; Apparatus therefor to obtain segments other than slices, e.g. cutting pies specially adapted for cutting fruit or vegetables, e.g. for onions

Landscapes

  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Food Science & Technology (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

본원발명은 CCD가 가지고 있는 2가지 한계점, 즉 소비전력과 처리속도의 문제를 동시에 극복하기 위하여 안출된 것으로서,
이를 위해 수평전하전송영역(HCCD)의 구조를 다중구조로 형성하는 한편, 기존의 CCD가 취했던 센스앰프와 수평전하전송영역(HCCD)의 결합구조를 1:1 결합에서 1:n의 다중결합구조로 구성한 후, 다수의 수평전하전송영역(HCCD)으로부터 전송되어 온 신호를 1개의 센스앰프에 의해 병렬 처리할 수 있도록 함으로서,
CCD의 전체적인 처리속도를 향상시킬 뿐만 아니라 소비전력을 저감할 수 있도록 한 것을 특징으로 한다.
CCD, 다중수평전하전송영역, 수직전하전송영역(VCCD), 센스앰프, 수평전하전송영역(HCCD), 콘트롤게이트, 소비전력, 처리시간

Description

다중 수평전하전송영역 방식을 채택한 고속 저전력 시시디 { High Speed and Low Power Consumption CCD using Multi-HCCD System }
도1은 종래의 일반적인 CCD의 구조
도2는 종래의 개선된 CCD의 구조
도3은 본원발명에 의한 CCD의 구조
도4는 본원발명에 의한 HCCD의 상세도
도5는 본원발명에 의한 HCCD에서의 신호처리 타이밍 차트
도6은 일반적인 HCCD의 클럭도
<도면의 주요 부분에 관한 부호의 설명>
10 : 포토다이오드(Photo Diode) 20 : 수직전하전송영역(VCCD)
30 : 수평전하전송영역(HCCD) 40 : 센스앰프(Sense Amp)
100 : 포토다이오드(Photo Diode) 200 : 수직전하전송영역(VCCD)
300 : 수평전하전송영역(HCCD)
310 : 수평전하전송영역리딩존(HCCD Reading Zone)
320 : 수평전하전송영역클럭부
330 : 수평전하전송영역콘트롤부
400 : 센스앰프(Sense Amp)
(발명이 속하는 기술분야)
본원발명은 CCD(Charge Coupled Device)가 가지고 있는 2가지 한계점, 즉 소비전력과 처리속도의 문제를 동시에 극복하기 위하여 안출된 것으로서,
이를 위해 수평전하전송영역(HCCD)의 구조를 다중구조로 형성하는 한편, 기존의 CCD가 취했던 센스앰프(Sense Amp)와 수평전하전송영역(HCCD)의 결합구조를 1:1 결합에서 1:n의 다중결합구조로 구성한 후, 다수의 수평전하전송영역(HCCD)으로부터 전송되어 온 신호를 1개의 센스앰프에 의해 병렬 처리할 수 있도록 함으로서,
CCD의 전체적인 처리속도를 향상시킬 뿐만 아니라 소비전력을 저감할 수 있도록 한 것을 특징으로 한다.
(기술적 배경)
디지털 영상시대를 맞아 기존의 영상기록매체가 자기기록테이프, 자기디스크, 또는 필름 등에서 CCD로 급격히 이동되면서 근래 들어 CCD가 영상처리기의 총아로 급부상하고 있다.
CCD는 빛의 강약을 전기적인 신호로 바꾸어주는 일종의 광센서로서 CMOS와 함께 이미지센서의 쌍벽을 이루고 있는 고체촬상소자이다.
CCD는 아주 작은 수많은 수광소자로 이루어져 있다. CCD를 이루는 수광소자는 각각 하나의 독립된 영상정보를 갖는 정보저장매체로서의 기능을 수행하는데 이 작은 수광소자들을 화소(픽셀)라고 부른다.
이들 각각의 화소가 갖는 독립된 정보가 하나로 모여서 통합된 정보군을 이룰 때, 하나의 완성된 영상(이미지)정보가 되며, 상기 완성된 영상정보가 출력장치(모니터, 혹은 프린터 등)를 통해 표출될 때 우리는 시각적으로 그 영상정보를 인지하게(보게) 되는 것이다.
따라서 하나의 CCD를 이루는 전체 수광소자의 수가 커질수록 영상(이미지)의 해상도는 높아지게 되며 해상도가 높아지면 질수록 영상(이미지)의 품질은 향상되게 된다.
한편 영상처리기술이 고도화되면서 양질(고해상도)의 영상을 요구하는 수요자들의 욕구도 함께 증가하고 있다. 또한 양질의 영상에 대한 수요자들의 욕구의 증가할수록 높은 해상능력을 갖는 고화소 CCD에 대한 수요도 아울러 증가하고 있다.
(기술개발의 지향점)
상기와 같은 수요자의 욕구를 충족시키기 위해서는 CCD의 화소수를 증가시켜야면 된다. 그러나 CCD의 화소수를 늘리는 데는 다음과 같은 제약 조건이 뒤따른다.
CCD에서 화소수의 증가는 종국적으로 처리해야할 정보의 양이 많아짐을 의미한다.
따라서 상대적으로 높은 해상도를 갖는 영상정보를 얻기 위해서는 필연적으로 그 영상정보를 처리하는 소요되는 시간의 지연과 그 정보를 처리하는데 소비되는 에너지(소비전력)의 증가라는 문제가 수반된다.
이는 결국 양질의 영상(고해상도의 영상)을 얻기 위해서는 영상정보 처리시간의 단축과 처리에너지(소비전력)의 절감이라는 두 가지 문제가 선결되어야만 함을 의미한다.
(종래의 기술)
이하에서는 현재 개발되어 활용되고 있는 CCD의 구성 및 작용관계를 관련 도면을 참조하여 설명한다.
현재 일반적으로 활용되고 있는 대표적인 CCD는 다음과 같은 두 가지 형태가 있다.
(종래의 기술 1)
그 하나는 다수의 수직전하전송영역(VCCD)과 하나의 수평전하전송영역(HCCD)으로 구성된 것으로서, 그 구성 및 작용관계는 도1에서와 같이,
반도체 기판에 매트릭스 형태로 배열되어 외부로부터 들어오는 빛을 받아 자유전하를 유기시키는 다수의 포토다이오드(Photo Diode)(10)와;
상기 포토다이오드(10) 사이에 수직으로 형성되어 포토다이오드(10)에 의해 유기된 자유전하를 수평전하전송영역(HCCD)(30)으로 이동시키는 다수의 수직전하전송영역(VCCD)(20)과;
상기 다수의 수직전하전송영역(VCCD)(20)으로부터 이동되어 온 자유전하를 순차적으로 센스앰프(40)로 이동시키는 하나의 수평전하전송영역(HCCD)(30)과;
상기 수평전하전송영역(HCCD)(30)의 출력단에 형성되어 수평전하전송영역(HCCD)(30)으로부터 전송되어온 자유전하를 검지하여 전기적인 신호로 출력하는 센스앰프(Sense Amp)(40)로;
이루어져 있다.
상기와 같이 구성된 CCD의 작동과정을 설명하면,
우선 각 픽셀에서 발생된 자유전하는 수직전하전송영역(VCCD)(20)으로 이동되어 패킷형식으로 집적된 후, 다시 수평전하전송영역(HCCD)(30)으로 순차 이동하여 집적된 다음, 순차적으로 센스앰프(40)로 전송된다.
한편 상기 수평전하전송영역(HCCD)(30)은 다수의 수직전하전송영역(VCCD)(20)으로부터 이동해오는 자유전하를 순차적으로 센스앰프(40)로 이동시키기 위해 반복적으로 클러킹(Clocking) 동작을 수행한다.
그러나 수직전하전송영역(VCCD)(20)으로부터 이동되어 오는 자유전하의 수는 대단히 많은 반면, 수평전하전송영역(HCCD)(30)에서 수행할 수 있는 단위시간당의 클럭킹 동작에는 일정한 속도상의 한계가 존재한다.
더구나 앞서 언급한 바와 같이 고급 화질에 대한 수요자의 욕구가 증가할수록 CCD를 구성하는 화소의 수는 더욱 증가하며, 화소수가 증가할수록 수많은 포토다이오드(10)로부터 수직전하전송영역(VCCD)(20)을 통해 이동해 오는 모든 자유전하의 수는 더욱 많아지는 반면, 위에 언급한 바와 같이 수평전하전송영역(HCCD)(30)에서의 처리되는 속도는 일정한 한계가 있을 수밖에 없기 때문에 CCD의 전체적인 성능은 항상 수평전하전송영역(HCCD)(30)의 처리속도에 의해 제한을 받게 된다.
(종래의 기술 2)
상기와 같은 "종래의 기술 1"의 문제를 해결하기 위하여 다수의 수직전하전송영역(VCCD)(20)을 2개의 그룹으로 나누어 그룹화하고, 2개의 수평전하전송영역(HCCD)(30)을 배치한 다음, 2개의 수직전하전송영역(VCCD)(20)그룹에서 패킷형식으로 집적되어 전송된 자유전하를 2개의 수평전하전송영역(HCCD)(30)에서 나누어 처리하고 이를 각각의 수평전하전송영역(HCCD)(30)에 결합된 센스앰프(40)에 의해 신호처리하도록 한 기술이 개발된 바 있다.
이는 하나의 수평전하전송영역(HCCD)(30)에 걸리는 부하를 2개의 수평전하전송영역(HCCD)(30)으로 나누어 분산 처리함으로서 CCD의 전체적인 처리속도의 향상을 도모한 것으로서 대단히 유익한 효과를 갖는다.
도2는 다수의 수직전하전송영역(VCCD)(20)과 2개의 수평전하전송영역(HCCD)(30) 그리고 2개의 센스앰프(40)를 구성한 "종래의 기술 2"의 CCD의 구성 및 결합관계를 도시한 것이다.
그러나 상기 "종래의 기술 2"는 다수의 수직전하전송영역(VCCD)(20)을 2개의 그룹으로 나누어 분산처리함으로서 처리시간의 단축을 도모하는 효과와 함께 필요 할 경우 한 그룹의 신호처리를 선택적으로 배제하고 일부의 신호만을 처리함으로서 변칙적으로 소비전력을 절감하는 효과를 가져오기는 하였으나, 비교적 많은 면적을 차지하는 센스앰프(40)의 수가 증가함으로서 전체적인 점유면적의 증가라는 새로운 문제를 가져왔을 뿐 아니라,
또 일부 그룹의 신호처리를 배제하지 않고 모든 신호를 한꺼번에 처리하였을 때, 이를 동일한 조건의 "종래의 기술 1"과 비교하게 되면, 결국 하나 더 추가된 센스앰프(40)가 소비하는 양만큼의 소비전력이 증가되는 문제가 있었다.
본원발명은 상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하고, CCD가 가지고 있는 2가지 한계점, 즉 소비전력과 처리속도의 문제를 동시에 극복하기 위하여 안출된 것으로서,
이를 위해 수평전하전송영역(HCCD)의 구조를 다중구조로 형성하는 한편, 기존의 CCD가 취했던 센스앰프와 수평전하전송영역(HCCD)의 결합구조를 1:1 결합에서 1:n의 다중결합구조로 구성한 후, 다수의 수평전하전송영역(HCCD)으로부터 전송되어 온 신호를 1개의 센스앰프로 병렬 처리할 수 있도록 함으로서,
전체적인 처리속도를 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 소비전력을 저감할 수 있는 CCD를 제공함을 목적으로 한다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본원발명의 구성 및 결합관계는 도3에 도시된 바와 같이,
반도체 기판에 매트릭스 형태로 배열되어 외부로부터 들어오는 빛을 받아 자유전하를 유기시키는 다수의 포토다이오드(100)와;
상기 포토다이오드(100) 사이에 수직으로 형성되어 포토다이오드(100)에 의해 유기된 자유전하를 수평전하전송영역(HCCD)(300)으로 이동시키는 복수개의 그룹으로 나뉘어진 다수의 수직전하전송영역(VCCD)(200)과;
상기 복수개의 그룹으로 나뉘어진 다수의 수직전하전송영역(VCCD)(200)으로부터 이동되어 온 한 그룹의 자유전하를 순차적으로 센스앰프(400)로 이동시키되, 상기 수직전하전송영역(VCCD)(200) 그룹의 수에 상응하는 복수개의 수평전하전송영역(HCCD)(300)과;
상기 복수개의 수평전하전송영역(HCCD)(300)의 출력단에 형성되어 수평전하전송영역(HCCD)(300)으로부터 전송되어온 자유전하를 검지하여 전기적인 신호로 출력하는 하나의 센스앰프(400)로;
이루어짐을 특징으로 한다.
또한 상기 수평전하전송영역(HCCD)(300)의 구성은,
한 그룹을 이루는 수직전하전송영역(VCCD)(200)으로부터 이동되는 자유전하를 순차적으로 리딩하는 수평전하전송영역리딩존(HCCD Reading Zone)(310)과;
상기 수평전하전송영역리딩존(310)에 집적된 자유전하를 일정한 시간에 맞추어 출력하기 위한 동기화조건을 부여하는 수평전하전송영역클럭부(320)와;
상기 수평전하전송영역리딩존(310)으로부터 센스앰프(400)로 출력되는 자유전하의 출력조건을 제공함으로서, 복수개의 수평전하전송영역(HCCD)(300)으로부터 하나의 센스앰프(400)로 출력되는 자유전하의 충돌을 방지하는 수평전하전송영역콘트롤부(330)로;
이루어짐을 특징으로 한다.
도4는 하나의 센스앰프(400)와 결합된 복수개의 수평전하전송영역콘트롤부(330)의 상세도로서 여기에서는 2개의 수평전하전송영역(HCCD)(300)을 갖는 구조를 예시한 것이다.
삭제
삭제
먼저 도4의 RS1, RS2 및 OG1, OG2를 비롯한 도시된 수평전하전송영역콘트롤부(330)는 기존의 구성과 동일한 구성이고, 다만 복수개의 수평전하전송영역(HCCD)(300)을 하나의 센스앰프(400)와 배치한다.
그리고 복수개의 수평전하전송영역(HCCD)(300)이 하나의 센스앰프(400)에 의해 신호처리될 수 있도록 하기 위하여 각각의 수평전하전송영역(HCCD)(300)에서 OS1, OS2는 하나의 센스앰프(400)에 병렬접속하고, 상기 수평전하전송영역콘트롤부(330)의 RS1, RS2 및 OG1, OG2에 서로 다른 타임클럭을 발생시켜준다.
그러면 상기 클럭출력조건에 따라 복수개의 수평전하전송영역(HCCD)(300)으로부터 출력되는 자유전하가 상호 충돌을 일으키지 않으면서 하나의 센스앰프(400)로 순차 입력된다.
상기와 같이 구성된 본원발명의 동작과정을 설명한다.
먼저 외부로부터 CCD로 광이 유입되면 유입된 광에 반응하여 각각의 포토다이오드(100)는 유입되는 광에 상응하는 자유전자를 발생한다.
상기 포토다이오드(100)에서 발생된 자유전하는 수직전하전송영역(VCCD)(200)으로 순차 이동하여 패킷형식으로 집적되게 된다. 여기까지의 과정은 종래의 기술과 동일하다.
수직전하전송영역(VCCD)(200)으로 이동하여 패킷형식으로 집적된 자유전하는 각각의 수직전하전송영역(VCCD)(200)이 속하는 그룹의 수평전하전송영역(HCCD)(300)으로 순차 이동되어 집적된다.
이어서 각 수평전하전송영역(HCCD)(300)에 직렬로 집적되어 있던 자유전하는 각 수평전하전송영역클럭부의 클럭킹 동작에 따라 동기화되면서 각각의 수평전하전송영역(HCCD)(300)으로 직렬이동하게 된다.
이때, 각 수평전하전송영역콘트롤부(330)는 RS1, RS2 및 OG1, OG2에 부여되는 클럭 조건에 맞추어 OS1, OS2을 통해 각각의 수평전하전송영역(HCCD)(300)에 있던 자유전하를 센스앰프(400)로 출력시킨다.
상기 각 수평전하전송영역콘트롤부(330)에서 부여하는 출력조건은 도5와 같이 예시될 수 있다.
도5는 도4에 예시된 것과 같은 CCD구조(즉 하나의 센스앰프에 2개의 수평전하전송영역을 갖는 구조)에서 시스템클럭에 따라 작동하는 타이밍차트를 예시한 것으로서 수직전하전송영역(VCCD)(200)으로부터 이동되어진 자유전하가 수평전하전송영역(HCCD)1과 수평전하전송영역(HCCD)2에 전달된 후, 센스앰프(400)에 전달될 때까지의 시간대별 작동상황을 보여주고 있다.
이를 설명하면,
먼저 수평전하전송영역(HCCD)1에 축적되어 있는 전하들은 OG1이 ON 되어 있는 상태에서 RS1이 ON이 되고 수평전하전송영역(HCCD)1의 1H 클럭이 전이된 경우의 출력이 유효하게 된다.
또한 이 신호는 수평전하전송영역(HCCD)2의 클럭 2H가 전이되는 순간까지 유효하다.
이어서 수평전하전송영역(HCCD)1의 전하가 센스앰프(400)에 검출된 이후, OG2가 ON이 되면 수평전하전송영역(HCCD)2의 전하를 평가(EVALUATION)하기 위한 준비 단계가 시작되며,
이후, 수평전하전송영역(HCCD)1의 경우와 마찬가지로 RS2가 ON이되고 수평전하전송영역(HCCD)2의 2H 클럭이 전이된 경우의 출력이 유효하게 된다.
이 신호는 다시 수평전하전송영역(HCCD)1의 클럭이 전이되는 순간까지 유효하다.
이에 따라 센스앰프(400)로는 상기 수평전하전송영역(HCCD)1과 수평전하전송영역(HCCD)2의 출력이 순차 입력되며 이 신호는 센스앰프(400)를 거쳐 OS_OUT의 형태로 출력되게 된다.
여기에서는 수평전하전송영역(HCCD)(300)을 2개 배치한 구조를 예시하였지만, 수평전하전송영역(HCCD)(300)의 수는 필요에 따라 얼마든지 증가시킬 수 있으며, 같은 원리에 의해 타이밍만 조정하면 수평전하전송영역(HCCD)(300)의 수에 관계없이 모든 수평전하전송영역(HCCD)(300)에서 출력된 신호를 순차 배열하여 센스앰프(400)로 출력하는 것이 가능하게 된다.
참고로 도6은 일반적인 CCD의 수평전하전송영역의 클럭발생도이다.
상기와 같이 구성된 본원발명에 의하면,
동일한 화소의 영상을 처리하는데 소요되는 시간을 (1/HCCD의 개수)만큼 단축할 수 있어 영상처리속도의 향상을 도모할 수 있고, 동일한 시간에 (HCCD의 개수)의 배수만큼의 화소 정보를 처리할 수 있어 전체적인 CCD의 화소수를 증가시킬 수 있는 이점이 있다.
또한 상기와 같은 CCD의 성능 향상으로 인해 양질의 영상을 요구하는 수요자의 요구에 부응하는 한편 영상처리기술의 향상을 도모할 수 있다.
또 디지털 시스템에서 동적 전력소모량이 전압의 제곱에 비례하고 시스템의 동작주파수에 비례한다는 점을 고려한다면, 본원발명과 같은 다중 수평전하전송영역(HCCD) 시스템에서는 단일의 수평전하전송영역(HCCD) 시스템에 비해 다중화된 수에 반비례하여 전력소모가 감소하게 될 것이므로 동일한 성능의 CCD에서는 전력소비를 획기적으로 줄일 수 있는 이점이 있다.

Claims (3)

  1. 반도체 기판에 매트릭스 형태로 배열되어 외부로부터 들어오는 빛을 받아 자유전하를 유기시키는 다수의 포토다이오드(100)와;
    상기 포토다이오드(100) 사이에 수직으로 형성되어 포토다이오드(100)에 의해 유기된 자유전하를 수평전하전송영역(HCCD)(300)으로 이동시키는 복수개의 그룹으로 나뉘어진 다수의 수직전하전송영역(VCCD)(200)과;
    상기 복수개의 그룹으로 나뉘어진 다수의 수직전하전송영역(VCCD)(200)으로부터 이동되어 온 한 그룹의 자유전하를 순차적으로 센스앰프(400)로 이동시키되, 상기 수직전하전송영역(VCCD)(200) 그룹의 수에 상응하는 복수개의 수평전하전송영역(HCCD)(300)과;
    상기 복수개의 수평전하전송영역(HCCD)(300)의 출력단에 형성되어 수평전하전송영역(HCCD)(300)으로부터 전송되어온 자유전하를 검지하여 전기적인 신호로 출력하는 하나의 센스앰프(400)로;
    이루어짐을 특징으로 하는 다중 수평전하전송영역 방식을 채택한 고속 저전력 시시디
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 수평전하전송영역(HCCD)(300)의 구성은,
    한 그룹을 이루는 수직전하전송영역(VCCD)(200)으로부터 이동되는 자유전하를 순차적으로 리딩하는 수평전하전송영역리딩존(HCCD Reading Zone)(310)과;
    상기 수평전하전송영역리딩존(310)에 집적된 자유전하를 일정한 시간에 맞추어 출력하기 위한 동기화조건을 부여하는 수평전하전송영역클럭부(320)와;
    상기 수평전하전송영역리딩존(310)으로부터 센스앰프(400)로 출력되는 자유전하의 출력조건을 제공함으로서, 복수개의 수평전하전송영역(HCCD)(300)으로부터 하나의 센스앰프(400)로 출력되는 자유전하의 충돌을 방지하는 수평전하전송영역콘트롤부(330)로 이루어짐을 특징으로 하는 다중 수평전하전송영역 방식을 채택한 고속 저전력 시시디
  3. 삭제
KR1020060023060A 2006-03-13 2006-03-13 다중 수평전하전송영역 방식을 채택한 고속 저전력 시시디 KR100734599B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060023060A KR100734599B1 (ko) 2006-03-13 2006-03-13 다중 수평전하전송영역 방식을 채택한 고속 저전력 시시디

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060023060A KR100734599B1 (ko) 2006-03-13 2006-03-13 다중 수평전하전송영역 방식을 채택한 고속 저전력 시시디

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060029170A KR20060029170A (ko) 2006-04-04
KR100734599B1 true KR100734599B1 (ko) 2007-07-02

Family

ID=37139628

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060023060A KR100734599B1 (ko) 2006-03-13 2006-03-13 다중 수평전하전송영역 방식을 채택한 고속 저전력 시시디

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100734599B1 (ko)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10200819A (ja) 1997-01-13 1998-07-31 Sony Corp 固体撮像装置およびその駆動方法並びにカメラ
JP2001119010A (ja) 1999-10-18 2001-04-27 Nikon Corp マルチ出力固体撮像装置
JP2003125293A (ja) 2002-09-24 2003-04-25 Sharp Corp イメージセンサ
JP2004146897A (ja) 2002-10-22 2004-05-20 Texas Instr Japan Ltd Ｃｃｄ撮像装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10200819A (ja) 1997-01-13 1998-07-31 Sony Corp 固体撮像装置およびその駆動方法並びにカメラ
JP2001119010A (ja) 1999-10-18 2001-04-27 Nikon Corp マルチ出力固体撮像装置
JP2003125293A (ja) 2002-09-24 2003-04-25 Sharp Corp イメージセンサ
JP2004146897A (ja) 2002-10-22 2004-05-20 Texas Instr Japan Ltd Ｃｃｄ撮像装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20060029170A (ko) 2006-04-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102547166B (zh) 具有补充电容性耦合节点的图像传感器
JP5791571B2 (ja) 撮像素子及び撮像装置
KR101771252B1 (ko) 촬상 소자 및 카메라 시스템
CN101939841B (zh) 用于背侧照明图像传感器的电路与光传感器重迭
JP5103679B2 (ja) 固体撮像装置及びその駆動方法
CN101189863B (zh) 耦合电容匹配的共享放大器像素
US10542231B2 (en) Method of driving image pickup device, image pickup device, image pickup system
CN101247467B (zh) 放大型固态图像俘获设备和电子信息装置
TW201415886A (zh) 固態成像裝置，固態成像裝置之信號處理方法，及電子設備
WO2009088597A2 (en) Two-by-two pixel structure in an imaging system-on-chip
CN102891967A (zh) 成像装置
JP2006121466A (ja) 撮像素子、撮像モジュール及び携帯端末
JP2013120813A (ja) 固体撮像素子および電子機器
CN104301602A (zh) 摄像元件、焦点检测装置
CN102969323A (zh) 固态摄像装置和电子设备
CN101902583A (zh) 影像传感器及具有高转换增益的低噪声像素读出电路
KR20230135501A (ko) 이미지 센서 및 그 이미지 출력 방법과 응용
WO2011043045A1 (ja) 撮像装置、固体撮像素子、画像生成方法、およびプログラム
US6686962B1 (en) Imaging apparatus that reads out an electrical charge from a part of its plurality of photoelectrical conversion elements
JP2018102002A (ja) 撮像素子及び撮像装置
KR100734599B1 (ko) 다중 수평전하전송영역 방식을 채택한 고속 저전력 시시디
US9313426B2 (en) Photoelectric conversion device and imaging system
CN104159050B (zh) 固态图像传感器、驱动固态图像传感器的方法及电子设备
US8059176B2 (en) Linear image sensor
JP2007151143A (ja) 撮像素子、撮像モジュール及び携帯端末

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20100625

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee