KR100732431B1 - Method for manufacturing organic light emitting diode display device - Google Patents

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KR100732431B1
KR100732431B1 KR1020060071014A KR20060071014A KR100732431B1 KR 100732431 B1 KR100732431 B1 KR 100732431B1 KR 1020060071014 A KR1020060071014 A KR 1020060071014A KR 20060071014 A KR20060071014 A KR 20060071014A KR 100732431 B1 KR100732431 B1 KR 100732431B1
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김진훈
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Abstract

A method for manufacturing an organic light emitting diode display device is provided to prevent the reduction of a life span of an organic light emitting diode element by forming a metal line on a patterned substrate after patterning the substrate to have an overhang structure with a transparent electrode pattern. A method for manufacturing an organic light emitting diode display device includes the steps of: forming a transparent electrode pattern(130) on a pad unit of a substrate which is divided into a light emitting unit and the pad unit; patterning the substrate which is exposed between the transparent electrode pattern(130), and forming a groove having an over-hang structure with the transparent electrode pattern(130); forming a sub electrode(140) on the transparent electrode pattern(130) to reduce resistance; forming a metal line(150) on the groove; and spreading a sealant(160) on a partial region of the pad unit of the substrate, and sealing the substrate by attaching an encapsulation cap to the partial region.

Description

오엘이디 디스플레이 소자의 제조방법{Method for manufacturing organic light emitting diode display device}Method for manufacturing organic light emitting diode display device

도 1은 종래의 오엘이디 디스플레이 소자를 설명하기 위해 도시한 도면이다.1 is a view illustrating a conventional LED display device.

도 2 내지 도 6은 본 발명의 실시예에 따른 오엘이디 디스플레이 소자의 제조방법을 설명하기 위해 도시한 도면이다.2 to 6 are views for explaining the manufacturing method of the LED display device according to an embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

100: 기판 102: 발광부100: substrate 102: light emitting portion

104: 패드부 106: 홈104: pad portion 106: groove

110: 데이터라인 115: 스캔라인110: data line 115: scan line

120: 오엘이디 소자 125: 투명배선120: ODL element 125: transparent wiring

130: 투명전극패턴 140: 보조 전극130: transparent electrode pattern 140: auxiliary electrode

150: 금속배선 160: 실런트150: metal wiring 160: sealant

170: 봉지캡170: bag cap

본 발명은 오엘이디 디스플레이 소자에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 오엘이디 소자 내부로 수분이 침투하여 소자의 수명이 줄어드는 것을 방지할 수 있는 오엘이디 디스플레이 소자의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to an OLED display device, and more particularly, to a method of manufacturing an OLED display device, which can prevent the moisture from penetrating into the OLED device and reducing the life of the device.

오엘이디(OLED: Organic Light Emitting Diode)는 낮은 전압에서 구동이 가능하고 박형화, 광시야각, 빠른 응답속도 등 LCD에서 문제로 지적되고 있는 결점을 해소할 수 있으며, 다른 디스플레이 소자에 비해 중형 이하에서는 TFT-LCD와 동등하거나 그 이상의 화질을 가질 수 있다는 점과 제조 공정이 단순하여 향후 가격 경쟁에서 유리하다는 등의 장점을 가진 차세대 디스플레이로 주목받고 있다.OLED (Organic Light Emitting Diode) can be operated at low voltage, and can solve the drawbacks of LCD problems such as thinning, wide viewing angle, and fast response speed. It is attracting attention as a next-generation display that has the advantages of having an image quality equal to or higher than that of LCD and the simple manufacturing process, which is advantageous in future price competition.

이러한 오엘이디 소자는 투명 유리 기판 상에 양전극으로서 ITO 투명 전극 패턴이 형성되어 있는 형태를 가진 하판과 기판 상에 음전극으로서 금속 전극이 형성되어 있는 상판 사이의 공간에 유기 발광성 소재가 형성되어, 투명 전극과 금속 전극 사이에 소정의 전압이 인가될 때 유기 발광성 소재에 전류가 흐르면서 빛을 발광하는 성질을 이용하는 디스플레이 장치이다.The OLED element has an organic light emitting material formed in a space between a lower plate having a form in which an ITO transparent electrode pattern is formed as a positive electrode on a transparent glass substrate and an upper plate in which a metal electrode is formed as a negative electrode on a substrate, thereby forming a transparent electrode. And a display device that emits light while a current flows through the organic light emitting material when a predetermined voltage is applied between the metal electrode and the metal electrode.

이와 같은 오엘이디 소자는 발광에 사용되는 유기물이 온도 및 습도에 취약하여 소자의 제작이 완성된 후에 이를 금속이나 유리로 된 캡(cap)을 이용하여 전체 소자를 캐핑해주는 것이 필요한데, 이를 봉지(encapsulation) 공정이라고 한다. 따라서, 신뢰성 있는 오엘이디 소자를 제조하기 위해서는 봉지(encapsulation) 공정이 필수적이라고 할 수 있다.The OLED device is vulnerable to temperature and humidity of the organic material used for light emission, and after the fabrication of the device is completed, it is necessary to cap the entire device using a metal or glass cap, which is encapsulation It is called process. Therefore, an encapsulation process is essential for manufacturing a reliable OLED device.

도 1은 종래의 오엘이디 디스플레이 소자를 설명하기 위해 도시한 도면으로 서, 기판을 봉지캡으로 밀봉하기 위하여 실런트가 도포되는 기판의 단면을 나타내 보인 단면도이다.FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a conventional OLED display device and showing a cross section of a substrate to which a sealant is applied to seal the substrate with an encapsulation cap.

도 1을 참조하면, 종래의 오엘이디 소자는 기판(10) 상에 형성된 절연막(20)과 격벽(30) 사이에 금속배선(40)이 형성되어 있고, 절연막(20), 격벽(30) 및 배선(40)이 형성된 기판(10) 상에 실런트(50)가 도포되어 봉지캡(60)으로 기판(10)을 밀봉하는 구조로 되어 있다. Referring to FIG. 1, in the conventional LED device, a metal wiring 40 is formed between the insulating film 20 and the partition wall 30 formed on the substrate 10, and the insulating film 20, the partition wall 30, and the like. The sealant 50 is coated on the substrate 10 on which the wiring 40 is formed to seal the substrate 10 with the sealing cap 60.

그런데, 격벽(30)의 재료는 폴리머(Polymer)의 일종인 포토레지스트(Photo Resist)로 수분을 잘 흡수하는 특성이 있다. 이러한 격벽(30)은 일정 온도 이상에서 큐어링(Curing)을 거치게 되면 경화가 되어 수분을 잘 흡수하는 특성이 상당 수준 감소하게 되지만, 여전히 이러한 특성은 남아 있게 된다. 이에 따라, 격벽(30)과 실런트(50)의 경계면을 통해 수분이 스며들어 오엘이디 소자의 수명이 줄어드는 문제점이 있다.However, the material of the partition 30 has a property of absorbing moisture well with a photoresist, which is a kind of polymer. The partition 30 is cured (Curing) at a temperature higher than a predetermined temperature is hardened to absorb the moisture well, but a significant reduction in the properties, but these properties remain. Accordingly, moisture penetrates through the interface between the partition wall 30 and the sealant 50, thereby reducing the lifetime of the ODL element.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 오엘이디 소자 내부로 수분이 침투하는 것을 방지할 수 있는 오엘이디 디스플레이 소자의 제조방법을 제공하는 데에 있다.An object of the present invention is to provide a method for manufacturing an OLED display device that can prevent the penetration of moisture into the OLED device.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.Technical problems to be achieved by the present invention are not limited to the technical problems mentioned above, and other technical problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기의 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 오엘이디 디스플레이 소자의 제조방법은, 발광부와 패드부로 구분되는 기판의 상기 패드부 상에 투명전극패턴을 형성하는 단계; 상기 투명전극패턴 사이의 노출된 상기 기판을 패터닝하여 상기 투명전극패턴과 오버행 구조를 갖는 홈을 형성하는 단계; 상기 홈에 금속배선을 형성하는 단계; 및 상기 기판의 패드부 일부 영역에 실런트를 도포한 후 봉지캡을 합착하여 상기 기판을 밀봉하는 단계를 포함한다.Method of manufacturing an LED display device according to an embodiment of the present invention for solving the above technical problem, forming a transparent electrode pattern on the pad portion of the substrate divided into a light emitting portion and a pad portion; Patterning the exposed substrate between the transparent electrode patterns to form a groove having an overhang structure with the transparent electrode pattern; Forming a metal wire in the groove; And sealing the substrate by applying a sealant to a portion of a pad portion of the substrate and then attaching a sealing cap.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 오엘이디 디스플레이 소자는 상기 투명전극패턴 상에 저항을 감소시키기 위한 보조전극을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.In addition, the LED display device according to an embodiment of the present invention may further comprise the step of forming an auxiliary electrode for reducing the resistance on the transparent electrode pattern.

여기서, 상기 보조전극의 소재는 크롬인 것이 바람직하다.Here, the material of the auxiliary electrode is preferably chromium.

상기 홈은 버퍼 산화 식각 용액을 이용한 습식 식각에 의해 형성되는 것이 바람직하다.The grooves are preferably formed by wet etching using a buffer oxidation etching solution.

상기 기판의 소재는 산화실리콘 유리인 것이 바람직하다.It is preferable that the raw material of the said board | substrate is silicon oxide glass.

상기 투명전극패턴의 소재는 인듐 주석 산화물 또는 인듐 아연 산화물을 포함하는 투명 전도성 물질인 것이 바람직하다.The material of the transparent electrode pattern is preferably a transparent conductive material containing indium tin oxide or indium zinc oxide.

상기 금속전극의 소재는 알루미늄을 포함하는 전극 형성용 금속 물질인 것이 바람직하다.The material of the metal electrode is preferably a metal material for forming an electrode including aluminum.

기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 첨부 도면들에 포함되어 있다.Specific details of other embodiments are included in the detailed description and the accompanying drawings.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성요소를 지칭한다.Advantages and features of the present invention and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but may be implemented in various different forms, only the present embodiments to make the disclosure of the present invention complete, and common knowledge in the art to which the present invention pertains. It is provided to fully inform the person having the scope of the invention, which is defined only by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout.

또한, 도면에서 층과 막 또는 영역들의 크기 두께는 명세서의 명확성을 위하여 과장되어 기술된 것이며, 어떤 막 또는 층이 다른 막 또는 층의 "상에" 형성된다라고 기재된 경우, 상기 어떤 막 또는 층이 상기 다른 막 또는 층의 위에 직접 존재할 수도 있고, 그 사이에 제3의 다른 막 또는 층이 개재될 수도 있다.In addition, in the drawings, the size and thickness of layers and films or regions are exaggerated for clarity of description, and when any film or layer is described as being formed "on" of another film or layer, It may be directly on top of the other film or layer, and a third other film or layer may be interposed therebetween.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 오엘이디 디스플레이 소자를 개략적으로 도시한 도면이다.2 is a view schematically showing an LED display device according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 오엘이디 디스플레이 소자는 발광부(102)와 패드부(104)로 구분되는 기판(100)과, 기판(100)의 발광부(102) 상에 서로 수직 교차하는 방향으로 형성되는 데이터라인(110) 및 스캔라인(115)과, 데이터라인(110)과 스캔라인(115)이 교차되는 지점에 형성되는 오엘이디 소자(120)와, 기판(100)의 패드부(104) 상에 데이터라인(110)과 전기적으로 연결되도록 형성되는 투명배선(125)과, 기판(100)의 패드부(104) 상에 스캔라인(115)과 전기적으로 연결 되도록 형성되는 금속배선(150)을 포함한다.Referring to FIG. 2, an OLED display device according to an exemplary embodiment of the present invention may include a substrate 100 divided into a light emitting unit 102 and a pad unit 104, and a light emitting unit 102 of the substrate 100. The data line 110 and the scan line 115 formed in the direction perpendicular to each other, the ODL element 120 formed at the point where the data line 110 and the scan line 115 intersect, and the substrate 100. Transparent wiring 125 formed on the pad portion 104 of the substrate 100 to be electrically connected to the data line 110 and electrically connected to the scan line 115 on the pad portion 104 of the substrate 100. The metal wiring 150 is formed.

이와 같은 본 발명의 실시예에 따른 오엘이디 디스플레이 소자에 있어서, 기판(100)의 발광부(102) 상에 형성되는 구성요소들(데이터라인(110), 스캔라인(115), 오엘이디 소자(120) 등)을 제조하는 방법은 종래의 방식과 동일하다. In the LED display device according to the embodiment of the present invention, the components (data line 110, scan line 115, OLED device) formed on the light emitting unit 102 of the substrate 100 120) and the like) is the same as the conventional method.

다만, 기판(100)의 패드부(104) 상에 형성되는 구성요소들, 특히 금속배선(150)이 형성되는 부분(도 2의 Ⅲ-Ⅲ' 선)을 제조하는 방법에 있어서만 차이가 존재할 뿐이다.However, there may be a difference only in the method of manufacturing the components formed on the pad portion 104 of the substrate 100, in particular, the portion in which the metal wiring 150 is formed (III-III ′ line of FIG. 2). It is only.

따라서, 본 발명의 실시예에서는 기판(100)의 패드부(104) 중 금속배선(150)이 형성되는 부분을 제조하는 방법에 대해서 도 3 내지 도 6을 참조하여 구체적으로 설명하기로 한다.Therefore, in the exemplary embodiment of the present invention, a method of manufacturing a portion in which the metal wiring 150 is formed in the pad portion 104 of the substrate 100 will be described in detail with reference to FIGS. 3 to 6.

도 3 내지 도 6은 본 발명의 실시예에 따른 오엘이디 디스플레이 소자의 제조방법을 설명하기 위해 도시한 제조공정도로서, 도 1의 Ⅲ-Ⅲ' 부분을 제조하는 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.3 to 6 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a III-III ′ portion of FIG. 1 as a manufacturing process diagram illustrating a method of manufacturing an LED display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

먼저 도 3를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 오엘이디 소자를 제조하기 위해서는 우선, 발광부(102)와 패드부(104)로 구분되는 기판(100)을 제공하고, 기판(100)의 패드부(104) 상에 투명전극패턴(130)을 스퍼터링(Sputtering) 방법 등을 이용하여 형성한다.First, referring to FIG. 3, in order to manufacture an LED element according to an exemplary embodiment of the present invention, first, a substrate 100 divided into a light emitting unit 102 and a pad unit 104 is provided. The transparent electrode pattern 130 is formed on the pad part 104 using a sputtering method or the like.

이때, 투명전극패턴(130)은 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide) 또는 인듐 아연 산화물(Indium Zinc Oxide)을 포함하는 투명 전도성 물질을 이용하여 형성할 수 있다. 한편, 기판(100)은 산화실리콘(SiO2) 유리를 이용하여 형성할 수 있다.In this case, the transparent electrode pattern 130 may be formed using a transparent conductive material including indium tin oxide or indium zinc oxide. Meanwhile, the substrate 100 may be formed using silicon oxide (SiO 2 ) glass.

이어서, 기판(100)의 패드부(104) 상에 형성된 투명전극패턴(130) 상에 저항을 감소시키기 위한 보조전극(140)을 형성한다. 이때, 보조전극(140)은 저저항 배선으로 많이 쓰이는 크롬(Cr)을 이용하여 형성할 수 있는데, 이러한 보조전극(140)은 인듐 주석 산화물 또는 인듐 아연 산화물로 이루어진 투명전극패턴(130)이 비교적 저항이 높은 편이기 때문에 투명전극패턴(130)의 저항을 감소시키기 위하여 형성한다.Subsequently, an auxiliary electrode 140 for reducing resistance is formed on the transparent electrode pattern 130 formed on the pad portion 104 of the substrate 100. In this case, the auxiliary electrode 140 may be formed using chromium (Cr), which is frequently used as a low resistance wire. The auxiliary electrode 140 may have a transparent electrode pattern 130 made of indium tin oxide or indium zinc oxide. Since the resistance is high, it is formed to reduce the resistance of the transparent electrode pattern 130.

다음에, 도 4를 참조하면, 투명전극패턴(130) 사이의 노출된 기판(패드부(104))을 패터닝하여 투명전극패턴(130)과 오버행 구조를 갖는 홈(106)을 형성한다. 이때, 홈(106)은 버퍼 산화 식각 용액(Buffered Oxide Echant: BOE)을 이용한 습식 식각에 의해 형성되는 것이 바람직하다.Next, referring to FIG. 4, the exposed substrate (the pad part 104) between the transparent electrode patterns 130 is patterned to form grooves 106 having an overhang structure with the transparent electrode patterns 130. In this case, the groove 106 is preferably formed by wet etching using a buffered oxide etching solution (BOE).

다음에, 도 5를 참조하면, 상기와 같이 습식 식각에 의해 패터닝된 홈(106) 상에 스캔라인(도 1의 '115' 참조)과 전기적으로 연결되는 금속배선(150)을 형성한다. 이때, 금속배선(150)은 알루미늄(Al)을 포함하는 전극형성용 금속 물질을 이용하여 형성할 수 있다. 또한, 금속배선(150)은 투명전극패턴(130) 상에 형성된 보조전극(140) 상에도 형성될 수 있다.Next, referring to FIG. 5, a metal wiring 150 is formed on the groove 106 patterned by wet etching as described above and electrically connected to a scan line (see “115” in FIG. 1). In this case, the metal wire 150 may be formed using a metal material for forming an electrode including aluminum (Al). In addition, the metal wire 150 may be formed on the auxiliary electrode 140 formed on the transparent electrode pattern 130.

다음에, 도 6을 참조하면, 기판의 패드부(104) 일부 영역에 실런트(160)를 도포한 후 봉지캡(170)을 합착하여 기판을 밀봉한다. 이때, 봉지캡(170)은 유리 또는 스테인레스 스틸을 이용하여 형성할 수 있으며, 도면에는 도시되지 않았지만 밀 봉된 기판 내부의 수분을 제거하기 위한 흡습제를 포함할 수 있다.Next, referring to FIG. 6, after the sealant 160 is applied to a portion of the pad portion 104 of the substrate, the sealing cap 170 is bonded to seal the substrate. At this time, the encapsulation cap 170 may be formed using glass or stainless steel, and may include an absorbent for removing moisture in the sealed substrate although not shown in the drawing.

이와 같은 본 발명의 실시예에 따른 오엘이디 디스플레이 소자의 제조방법은 수분 등의 침투에 취약한 폴리머 재질로 이루어진 절연막과 격벽 구조물들 사이에 스캔라인과 연결되는 금속배선을 형성하는 종래의 방식과 달리, 수분 등의 침투에 취약하지 않은 구조를 채택하되 기존의 구조를 약간만 변경함으로써 오엘이디 소자 내부로 수분이 침투하는 것을 방지하여 소자의 수명 단축을 방지할 수 있도록 한다.Unlike the conventional method of forming a metal wiring connected to the scan line between the insulating film and the barrier rib structure made of a polymer material susceptible to penetration of moisture, such as the method of manufacturing an LED display device according to an embodiment of the present invention, Adopt a structure that is not vulnerable to the penetration of moisture, but by changing the existing structure only a little to prevent the penetration of moisture into the ODL element to prevent shortening the life of the device.

이상 첨부된 도면 및 표를 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.Although the embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings and tables, the present invention is not limited to the above embodiments, but may be manufactured in various forms, and common knowledge in the art to which the present invention pertains. Those skilled in the art can understand that the present invention can be implemented in other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present invention. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are exemplary in all respects and not restrictive.

본 발명의 실시예에 따른 오엘이디 디스플레이 소자의 제조방법에 의하면, 기판을 투명전극패턴과 오버행 구조를 갖도록 패터닝한 후 패터닝된 기판 상에 금속배선을 형성함으로써, 오엘이디 소자 내부로 수분이 침투하여 소자의 수명이 줄어드는 것을 방지할 수 있다.According to the method of manufacturing an OLED display device according to an embodiment of the present invention, by patterning the substrate to have an overhang structure with a transparent electrode pattern, by forming a metal wiring on the patterned substrate, the moisture penetrates into the OLED device The life of the device can be prevented from being shortened.

Claims (7)

발광부와 패드부로 구분되는 기판의 상기 패드부 상에 투명전극패턴을 형성하는 단계;Forming a transparent electrode pattern on the pad part of the substrate divided into a light emitting part and a pad part; 상기 투명전극패턴 사이의 노출된 상기 기판을 패터닝하여 상기 투명전극패턴과 오버행 구조를 갖는 홈을 형성하는 단계;Patterning the exposed substrate between the transparent electrode patterns to form a groove having an overhang structure with the transparent electrode pattern; 상기 홈에 금속배선을 형성하는 단계; 및Forming a metal wire in the groove; And 상기 기판의 패드부 일부 영역에 실런트를 도포한 후 봉지캡을 합착하여 상기 기판을 밀봉하는 단계를 포함하는 오엘이디 디스플레이 소자의 제조방법.And applying a sealant to a portion of the pad portion of the substrate to seal the substrate by attaching a sealing cap to the pad portion of the substrate. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 투명전극패턴 상에 저항을 감소시키기 위한 보조전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 오엘이디 디스플레이 소자의 제조방법.Forming an auxiliary electrode for reducing the resistance on the transparent electrode pattern further comprising the method of manufacturing an LED display device. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 보조전극의 소재는 크롬인 것을 특징으로 하는 오엘이디 디스플레이 소자의 제조방법.The material of the auxiliary electrode is a manufacturing method of the LED display device, characterized in that the chromium. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 홈은 버퍼 산화 식각 용액을 이용한 습식 식각에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 오엘이디 디스플레이 소자의 제조방법.The groove is a method of manufacturing an LED display device, characterized in that formed by wet etching using a buffer oxidation etching solution. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 기판의 소재는 산화실리콘 유리인 것을 특징으로 하는 오엘이디 디스플레이 소자의 제조방법.The material of the substrate is a method of manufacturing an OLED display device, characterized in that the silicon oxide glass. 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 투명전극패턴의 소재는 인듐 주석 산화물 또는 인듐 아연 산화물을 포함하는 투명 전도성 물질인 것을 특징으로 하는 오엘이디 디스플레이 소자의 제조방법.The material of the transparent electrode pattern is a manufacturing method of the LED display device, characterized in that the transparent conductive material containing indium tin oxide or indium zinc oxide. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 금속전극의 소재는 알루미늄을 포함하는 전극 형성용 금속 물질인 것을 특징으로 하는 오엘이디 디스플레이 소자의 제조방법.The material of the metal electrode is a method of manufacturing an LED display device, characterized in that the metal material for forming an electrode containing aluminum.
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