KR100731797B1 - Display device and its manufacturing method - Google Patents

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KR100731797B1
KR100731797B1 KR1020050112338A KR20050112338A KR100731797B1 KR 100731797 B1 KR100731797 B1 KR 100731797B1 KR 1020050112338 A KR1020050112338 A KR 1020050112338A KR 20050112338 A KR20050112338 A KR 20050112338A KR 100731797 B1 KR100731797 B1 KR 100731797B1
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토모유키 이리즈미
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미쓰비시덴키 가부시키가이샤
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Abstract

제조 프로세스를 간소화할 수 있고, 장치의 미세화에도 유리하며, 발광층의 열화의 문제도 없는 표시장치 및 그 제조 방법을 얻는다. 절연막(10)과 유기절연막(6)과의 사이에 산화막(9)이 형성되고 있다. 산화막(9)은, Ag합금으로 이루어지는 금속막(7)을 산화한 것이며, 유기절연막(6)으로부터 절연막(10)으로의 수분의 전달을 차단하는 기능을 갖고 있다. 그 때문에 유기절연막(6)으로부터 배어 나온 수분이 절연막(10)을 통해 발광층(11)에 전해지는 것에 기인하는 발광층(11)의 열화를 방지할 수 있기 때문에, 장치의 신뢰성을 높일 수 있다.A display device which can simplify the manufacturing process, which is advantageous in miniaturization of the device, and which has no problem of deterioration of the light emitting layer, and a manufacturing method thereof are obtained. An oxide film 9 is formed between the insulating film 10 and the organic insulating film 6. The oxide film 9 is obtained by oxidizing a metal film 7 made of an Ag alloy, and has a function of blocking the transfer of moisture from the organic insulating film 6 to the insulating film 10. Therefore, since the deterioration of the light emitting layer 11 due to the transfer of moisture from the organic insulating film 6 to the light emitting layer 11 through the insulating film 10 can be prevented, the reliability of the device can be improved.

절연막, 산화막, 금속막, 발광층, 유기EL표시장치 Insulating film, oxide film, metal film, light emitting layer, organic EL display device

Description

표시장치 및 그 제조 방법{DISPLAY DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD}DISPLAY DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD}

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 유기EL표시장치의 제조 방법을 공정순으로 도시하는 단면도,1 is a cross-sectional view showing a manufacturing method of an organic EL display device according to an embodiment of the present invention in the order of process;

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 유기EL표시장치의 제조 방법을 공정순으로 도시하는 단면도,2 is a cross-sectional view showing a manufacturing method of an organic EL display device according to an embodiment of the present invention in the order of process;

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 유기EL표시장치의 제조 방법을 공정순으로 도시하는 단면도,3 is a cross-sectional view showing a manufacturing method of an organic EL display device according to an embodiment of the present invention in the order of process;

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 유기EL표시장치의 제조 방법을 공정순으로 도시하는 단면도,4 is a cross-sectional view showing a manufacturing method of an organic EL display device according to an embodiment of the present invention in the order of process;

도 5는 본 발명의 실시예에 따른 유기EL표시장치의 제조 방법을 공정순으로 도시하는 단면도,5 is a cross-sectional view showing a manufacturing method of an organic EL display device according to an embodiment of the present invention in the order of process;

도 6은 본 발명의 실시예에 따른 유기EL표시장치의 제조 방법을 공정순으로 도시하는 단면도,6 is a sectional view showing a manufacturing method of an organic EL display device according to an embodiment of the present invention in the order of process;

도 7은 본 발명의 실시예에 따른 유기EL표시장치의 제조 방법을 공정순으로 도시하는 단면도,7 is a sectional view showing a manufacturing method of an organic EL display device according to an embodiment of the present invention in the order of process;

도 8은 본 발명의 실시예에 따른 유기EL표시장치의 제조 방법을 공정순으로 도시하는 단면도,8 is a cross-sectional view showing a manufacturing method of an organic EL display device according to an embodiment of the present invention in the order of process;

도 9는 본 발명의 실시예에 따른 유기EL표시장치의 제조 방법을 공정순으로 도시하는 단면도,9 is a sectional view showing a manufacturing method of an organic EL display device according to an embodiment of the present invention in the order of process;

도 10은 종래의 유기EL표시장치의 제조 방법을 공정순으로 도시하는 단면도,10 is a sectional view showing a conventional method for manufacturing an organic EL display device in order of process;

도 11은 종래의 유기EL표시장치의 제조 방법을 공정순으로 도시하는 단면도,11 is a sectional view showing a conventional method for manufacturing an organic EL display device in order of process;

도 12는 종래의 유기EL표시장치의 제조 방법을 공정순으로 도시하는 단면도이다.12 is a cross-sectional view showing a conventional method for manufacturing an organic EL display device in order of process.

[도면의 주요부분에 대한 부호의 설명][Explanation of symbols on the main parts of the drawings]

1 : 기판 2 : TFT 1: substrate 2: TFT

3, 5 : 무기절연막 4 : 배선 3, 5: inorganic insulating film 4: wiring

6 : 유기절연막 7 : 금속막 6: organic insulating film 7: metal film

8, 12 : 투명도전막 9 : 산화막 8, 12: transparent conductive film 9: oxide film

10 : 절연막 11 : 발광층10 insulating film 11 emitting layer

본 발명은, 표시장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 특히, 액티브 매트릭스 방식 또한 탑 에미션형의 유기EL(electroluminescence)표시장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to a display device and a method for manufacturing the same, and more particularly, to an organic EL (electroluminescence) display device having a top emission type and a top emission type, and a method for manufacturing the same.

도 10∼도 12는, 종래의 액티브 매트릭스 방식 또한 탑 에미션형의 유기EL표시장치의 제조 방법을 공정순으로 도시하는 단면도이다. 도 10을 참조하여, 우선, 기판(1)위에 TFT(thin film transistor)(2)를 형성한다. 다음에 TFT(2)을 덮어서 기판(1)위에 무기절연막(3)을 형성한다. 다음에 무기절연막(3)위에 배선(4)을 형성한다. 도면에서는 생략하였지만, 배선(4)은 TFT(2)에 접속되어 있다. 다음에 배선(4)을 덮어서 무기절연막(3)위에 무기절연막(5)을 형성한다. 다음에 무기절연막(5)을 패터닝함으로써, 배선(4)의 윗면을 노출한다. 다음에 무기절연막(5)위에 유기절연막(6)을 형성한다. 다음에 유기절연막(6)을 패터닝함으로써, 배선(4)의 윗면을 노출한다. 다음에 고반사율의 금속막(7)을, 유기절연막(6)위에 형성한다. 금속막(7)의 재질은, Al, Ag 또는 그것들의 합금이다. 금속막(7)은, 배선(4)에 접속되어 있다. 다음에 금속막(7)위에 투명도전막(8)을 형성한다.10 to 12 are sectional views showing a conventional method of manufacturing an organic EL display device of active matrix type and top emission type in the order of steps. Referring to FIG. 10, first, a thin film transistor (TFT) 2 is formed on a substrate 1. Next, the inorganic insulating film 3 is formed on the substrate 1 by covering the TFT 2. Next, the wiring 4 is formed on the inorganic insulating film 3. Although omitted in the drawing, the wiring 4 is connected to the TFT 2. Next, the inorganic insulating film 5 is formed on the inorganic insulating film 3 by covering the wiring 4. Next, the inorganic insulating film 5 is patterned to expose the upper surface of the wiring 4. Next, an organic insulating film 6 is formed on the inorganic insulating film 5. Next, the organic insulating film 6 is patterned to expose the upper surface of the wiring 4. Next, a high reflectivity metal film 7 is formed on the organic insulating film 6. The material of the metal film 7 is Al, Ag, or an alloy thereof. The metal film 7 is connected to the wiring 4. Next, a transparent conductive film 8 is formed on the metal film 7.

도 11을 참조하여, 다음에 소정의 개구 패턴을 갖는 포토레지스트(51)를, 투명도전막(8)위에 형성한다. 다음에 포토레지스트(51)를 에칭 마스크를 이용하여, 투명도전막(8)을 에칭한다. 이에 따라 투명도전막(8)이 화소마다 분리된다. 다음에 포토레지스트(51)를 에칭 마스크를 이용하여, 금속막(7)을 에칭한다. 이에 따라 금속막(7)이 화소마다 분리된다. 화소마다 분리된 투명도전막(8) 및 금속막(7)은, 유기EL표시장치의 양극(陽極)으로서 기능한다.Referring to FIG. 11, a photoresist 51 having a predetermined opening pattern is next formed on the transparent conductive film 8. Next, the transparent conductive film 8 is etched using the photoresist 51 using an etching mask. As a result, the transparent conductive film 8 is separated for each pixel. Next, the photoresist 51 is etched using the etching mask. As a result, the metal film 7 is separated for each pixel. The transparent conductive film 8 and the metal film 7 separated for each pixel function as an anode of the organic EL display device.

도 12를 참조하여, 다음에 포토레지스트(51)를 제거한 후에, 투명도전막(8)위에 절연막(10)을 형성한다. 도 12에 나타나 있는 바와 같이 절연막(10)은, 유기절연막(6)의 윗면에 접촉하고 있다. 다음에 투명도전막(8)위에 발광층(11)을 형성 한다. 다음에 유기EL표시장치의 음극(陰極)으로서 기능하는 투명도전막(12)을, 발광층(11)위 및 절연막(10)위에 형성한다.Referring to Fig. 12, after removing the photoresist 51, an insulating film 10 is formed on the transparent conductive film 8. As shown in FIG. 12, the insulating film 10 is in contact with the upper surface of the organic insulating film 6. Next, the light emitting layer 11 is formed on the transparent conductive film 8. Next, a transparent conductive film 12 serving as a cathode of the organic EL display device is formed on the light emitting layer 11 and on the insulating film 10.

또, 유기EL표시장치의 구조 및 그 제조 방법에 관한 기술이, 예를 들면 하기 특허문헌 1∼3에 개시되어 있다.Moreover, the technique regarding the structure of organic electroluminescent display and its manufacturing method is disclosed by following patent documents 1-3, for example.

[특허문헌 1]일본국 공개특허공보 특개평11-74073호 공보[Patent Document 1] Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-74073

[특허문헌 2]일본국 공개특허공보 특개2003-217834호 공보 [Patent Document 2] Japanese Unexamined Patent Publication No. 2003-217834

[특허문헌 3]일본국 공개특허공보 특개2004-14514호공보 [Patent Document 3] Japanese Unexamined Patent Publication No. 2004-14514

그러나, 종래의 유기EL표시장치의 제조 방법에 의하면, 도 11에 도시한 공정에서 2회의 에칭(투명도전막(8)의 에칭 및 금속막(7)의 에칭)이 행해지므로, 작업 효율이 좋지 않다는 문제가 있다.However, according to the conventional manufacturing method of the organic EL display device, since two etchings (etching of the transparent conductive film 8 and etching of the metal film 7) are performed in the process shown in Fig. 11, the work efficiency is not good. there is a problem.

또한 동일한 포토레지스트(51)를 에칭 마스크를 이용하여, 투명도전막(8)의 에칭과 금속막(7)의 에칭이 행해지므로, 에칭의 제어성이나 에칭 후의 금속막(7)의 형상이 좋지 않으며, 장치의 미세화에 방해가 된다는 문제도 있다.In addition, since the etching of the transparent conductive film 8 and the etching of the metal film 7 are performed using the same photoresist 51 using an etching mask, the controllability of etching and the shape of the metal film 7 after etching are not good. There is also a problem that it hinders the miniaturization of the device.

또한 종래의 유기EL표시장치에 의하면, 도 12에 나타나 있는 바와 같이, 절연막(10)이 유기절연막(6)의 윗면에 접촉하고 있다. 따라서, 유기절연막(6)으로부터 배어 나온 수분이 절연막(10)을 통해 발광층(11)에 전해져, 발광층(11)을 열화시킨다는 문제가 있다.According to the conventional organic EL display device, as shown in FIG. 12, the insulating film 10 is in contact with the upper surface of the organic insulating film 6. Therefore, there is a problem in that moisture emanating from the organic insulating film 6 is transmitted to the light emitting layer 11 through the insulating film 10, resulting in deterioration of the light emitting layer 11.

본 발명은 이러한 문제를 해결하기 위해서 행해진 것으로, 제조 프로세스를 간소화할 수 있고, 장치의 미세화에도 유리하여, 발광층 열화의 문제도 없는 표시장치 및 그 제조 방법을 얻는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve such a problem, and an object of the present invention is to obtain a display device and a method of manufacturing the same, which can simplify the manufacturing process, are advantageous for miniaturization of the device, and have no problem of deterioration of the light emitting layer.

제 1발명에 따른 표시장치는, 기판과, 상기 기판 위에 서로 이격되어 형성된 제1 및 제 2스위칭소자와, 상기 제 1 및 제 2스위칭소자를 덮어서 상기 기판 위에 형성된 제 1절연막과, 상기 제 1절연막 위에 형성되어, 상기 제 1스위칭소자에 접속된 제 1도전막과, 상기 제 1절연막 위에 형성되어, 상기 제 2스위칭소자에 접속된 제 2도전막과, 상기 제 1도전막과 상기 제 2도전막 사이에 있어서 상기 제 1절연막 위에 형성된 제 2절연막과, 상기 제 2절연막 위에 형성된 제 3절연막과, 상기 제 1도전막 위에 형성된 제 1발광층과, 상기 제 2도전막 위에 형성된 제 2발광층과, 상기 제 1 및 제 2발광층 위에 형성된 제 3도전막을 구비하고, 상기 제 2절연막은, 상기 제 1절연막으로부터 상기 제 3절연막으로의 수분의 전달을 차단할 수 있는 재질로 이루어지는 것을 특징으로 한다.According to a first aspect of the present invention, a display device includes a substrate, first and second switching elements spaced apart from each other on the substrate, a first insulating layer formed on the substrate to cover the first and second switching elements, and the first A first conductive film formed over the insulating film and connected to the first switching element, a second conductive film formed over the first insulating film and connected to the second switching element, the first conductive film and the second A second insulating film formed on the first insulating film, a third insulating film formed on the second insulating film, a first light emitting layer formed on the first conductive film, and a second light emitting layer formed on the second conductive film between the conductive films; And a third conductive film formed on the first and second light emitting layers, wherein the second insulating film is made of a material capable of blocking the transfer of moisture from the first insulating film to the third insulating film. do.

제 2발명에 따른 표시장치의 제조 방법은, (a)제 1 및 제 2스위칭소자를, 서로 이격하여 기판 위에 형성하는 공정과, (b)상기 제 1 및 제 2스위칭소자를 덮고, 상기 기판 위에 제 1절연막을 형성하는 공정과, (c)상기 제 1절연막 위에, 상기 제 1 및 제 2스위칭소자에 접속된 제 1도전막을 형성하는 공정과, (d)상기 제 1도전막을 부분적으로 절연화시켜서 제 2절연막을 형성함으로써, 상기 제 1도전막을, 상기 제 1스위칭소자에 접속된 제1부분과, 상기 제 2스위칭소자에 접속된 제2부분으로 분리하는 공정과,（ e) 상기 제 2절연막 위에, 제 3절연막을 형성하는 공정과, (f)상기 제1부분 위에 제 1 발광층을 형성하는 동시에, 상기 제 2부분 위에 제 2발광층을 형성하는 공정과, (g)상기 제 1 및 제 2발광층 위에, 제 2도전막을 형성하는 공정을 구비한다.According to a second aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a display device, the method comprising: (a) forming a first and a second switching element on a substrate spaced apart from each other; and (b) covering the first and second switching elements, and Forming a first insulating film thereon; (c) forming a first conductive film connected to the first and second switching elements on the first insulating film; and (d) partially insulating the first conductive film. Forming a second insulating film to separate the first conductive film into a first portion connected to the first switching element and a second portion connected to the second switching element; Forming a third insulating film on the second insulating film, (f) forming a first light emitting layer on the first portion, and forming a second light emitting layer on the second portion, and (g) the first and A step of forming a second conductive film on the second light emitting layer is provided.

이하, 본 발명의 실시예에 관하여 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the Example of this invention is described.

도 1∼9는, 본 발명의 실시예에 따른 액티브 매트릭스 방식 또한 탑 에미션형의 유기EL표시장치의 제조 방법을 공정순으로 도시하는 단면도이다.1 to 9 are cross-sectional views showing a method of manufacturing an active matrix type and top emission type organic EL display device according to an embodiment of the present invention in the order of steps.

도 1을 참조하여, 우선, TFT(2)등의 스위칭소자를, 각 화소에 대응시켜서 기판(1)위에 형성한다. 도 1에서는, 도면이 번잡해지는 것을 피하기 위해서, TFT(2)를 간략화하여 도시하고 있다. 기판(1)은, 글래스 기판, 실리콘 기판 또는 플라스틱 기판 등이다. 다음에 산화 실리콘(SiO2)등의 무기절연막(3)을, TFT(2)를 덮어서 기판(1)의 윗면 위에 형성한다.Referring to FIG. 1, first, a switching element such as the TFT 2 is formed on the substrate 1 in correspondence with each pixel. In FIG. 1, the TFT 2 is simplified and shown in order to avoid the trouble of drawing. The substrate 1 is a glass substrate, a silicon substrate, a plastic substrate, or the like. Next, an inorganic insulating film 3 such as silicon oxide (SiO 2 ) is formed on the upper surface of the substrate 1 by covering the TFT 2.

다음에 스퍼터링법에 의해 몰리브덴-알루미늄-몰리브덴의 3층 구조를 갖는 도전막을 전면적으로 형성한 후, 그 도전막을 사진제판법 및 에칭법에 의해 패터닝함으로써 배선(4)을 형성한다. 도시는 생략했지만, 배선(4)은 TFT(2)에 접속되고 있고, 또한 TFT(2)와 외부 구동회로를 접속하기 위한 다른 배선이 배선(4)과 함께 형성된다. 배선(4)의 재질은, 상기한 예 이외에, Al(알루미늄), Cr(크롬), W(텅스텐), Mo(몰리브덴)의 단층막 또는 이들 적층막이라도 좋다.Next, the conductive film having a three-layer structure of molybdenum-aluminum-molybdenum is formed entirely by sputtering, and then the conductive film is patterned by photolithography and etching to form the wiring 4. Although not shown, the wiring 4 is connected to the TFT 2, and another wiring for connecting the TFT 2 and the external driving circuit is formed together with the wiring 4. The material of the wiring 4 may be a single layer film of Al (aluminum), Cr (chromium), W (tungsten), Mo (molybdenum), or these laminated films, in addition to the above examples.

다음에 질화 실리콘(Si3N4)등의 무기절연막을 전면적으로 형성한 후, 그 무기절연막을, 배선(4)의 윗면이 노출하도록 사진제판법 및 에칭법에 의해 패터닝함으로써, 무기절연막(5)을 형성한다.Next, an inorganic insulating film such as silicon nitride (Si 3 N 4 ) is formed over the entire surface, and then the inorganic insulating film is patterned by photolithography and etching so that the upper surface of the wiring 4 is exposed. To form.

도 2를 참조하여, 다음에 감광성 아크릴계 수지 또는 감광성 폴리이미드 등의 유기절연막을 전면적으로 형성한 후, 그 유기절연막을, 배선(4)의 윗면이 노출하도록 사진제판법 및 현상액 처리에 의해 패터닝함으로써, 제 1절연막인 유기절연막(6)을 형성한다.With reference to FIG. 2, next, an organic insulating film, such as a photosensitive acrylic resin or a photosensitive polyimide, is formed over the entire surface, and then the organic insulating film is patterned by photolithography and developer treatment so that the top surface of the wiring 4 is exposed. An organic insulating film 6 that is a first insulating film is formed.

도 3을 참조하여, 다음에 DC마그네트론 스퍼터링법에 의해, Pd(팔라듐) 및 Cu(동)를 함유한 Ag(은)합금으로 이루어지는 금속막(7)을, 전면적으로 형성한다. 구체적으로는, Ag-Pd-Cu합금으로 이루어지는 타깃을 이용하여, Ar(아르곤)가스에 의해 스퍼터링을 행한다. 스퍼터 조건은, 유량100sccm, 압력0.14Pa, 전력0.5kw, 온도 23℃로 했다. 막두께에 관해서는, 충분한 반사율을 얻기 위해서는 50nm이상의 막두께가 필요하지만, 지나치게 두꺼우면 막의 표면에 돌기가 발생하여 평활성이 좋지 않고, 양극과 음극이 쇼트해서 발광하지 않게 된다. 그래서, 본 실시예에서는 금속막(7)의 막두께를 100nm로 했다. 금속막(7)의 재질은, Ag합금의 이외에, Ag, Al,또는 Al합금 등이라도 좋다. 도 3에 도시하는 바와 같이 금속막(7)은 배선(4)의 윗면에 접촉하고 있다. 따라서, 금속막(7)은, 배선(4)을 통해 TFT(2)에 접속되어 있다.With reference to FIG. 3, next, the metal film 7 which consists of Ag (silver) alloy containing Pd (palladium) and Cu (copper) by the DC magnetron sputtering method is formed whole. Specifically, sputtering is performed by Ar (argon) gas using a target made of Ag-Pd-Cu alloy. Sputter | spatter conditions were made into flow volume 100 sccm, pressure 0.14 Pa, electric power 0.5kw, and temperature 23 degreeC. As for the film thickness, a film thickness of 50 nm or more is required to obtain sufficient reflectance. However, if the film thickness is too thick, projections are generated on the surface of the film, so that smoothness is not good, and the anode and the cathode are short-circuited and do not emit light. Therefore, in the present embodiment, the film thickness of the metal film 7 is 100 nm. The material of the metal film 7 may be Ag, Al, Al alloy or the like, in addition to the Ag alloy. As shown in FIG. 3, the metal film 7 is in contact with the upper surface of the wiring 4. Therefore, the metal film 7 is connected to the TFT 2 via the wiring 4.

도 4를 참조하여, 다음에 DC마그네트론 스퍼터링법에 의해, ITO(indium-tin oxide:산화인듐-산화 주석)로 이루어지는 투명도전막(8)을, 금속막(7)위에 전면적으로 형성한다. 구체적으로는, ITO합금으로 이루어지는 타깃을 이용하여, Ar와 02와의 혼합 가스(02농도 3％)에 의해 스퍼터링을 행한다. 스퍼터 조건은, 유량60sccm, 압력 0.14Pa, 전력0.4kw, 온도 23℃, 막두께100nm으로 했다. 투명도전막(8)의 재질은, ITO 이외에, IZO(indium∼zinc oxide:산화인듐-산화아연) 또는 Zn02(산화아연)등이여도 좋다.Referring to FIG. 4, a transparent conductive film 8 made of ITO (indium-tin oxide: tin oxide-tin oxide) is next formed entirely on the metal film 7 by the DC magnetron sputtering method. Specifically, sputtering is performed by using a mixed gas of Ar and 0 2 (0 2 concentration 3%) using a target made of an ITO alloy. Sputter | spatter conditions were made into the flow volume 60sccm, the pressure 0.14Pa, the electric power 0.4kw, the temperature 23 degreeC, and film thickness 100nm. The material of the transparent conductive film 8 may be IZO (indium to zinc oxide: zinc oxide), Zn0 2 (zinc oxide) or the like, in addition to ITO.

도 5를 참조하여, 다음에 사진제판법에 의해, 소정의 개구 패턴을 갖는 포토레지스트(50)를, 투명도전막(8)위에 형성한다. 다음에 포토레지스트(50)를 에칭 마스크를 이용하여 투명도전막(8)을 에칭한다. 이에 따라 투명도전막(8)이 화소마다 분리되고, 또한 금속막(7)의 윗면이 부분적으로 노출한다.Referring to Fig. 5, a photoresist 50 having a predetermined opening pattern is next formed on the transparent conductive film 8 by the photolithography method. Next, the transparent conductive film 8 is etched using the photoresist 50 using an etching mask. As a result, the transparent conductive film 8 is separated for each pixel, and the upper surface of the metal film 7 is partially exposed.

도 6을 참조하고, 다음에 포토레지스트(50)를 제거한 후, UV-오존처리 등의 산화 처리를 행한다. UV-오존처리의 조건은, 온도 23℃, 시간4min으로 했다. 이에 따라 도 5에 도시한 패터닝 공정에서 노출된 부분의 금속막(7)이 산화되어, 산화막(9: 제 2절연막)이 형성된다. 산화막(9)은 전기적으로 절연성이기 때문에, 산화막(9)에 의해, 금속막(7)이 화소마다 분리된다. 바꿔 말하면, 금속막(7)과, 금속막(7)위에 형성된 투명도전막(8)과의 적층막이, 산화막(9)을 사이에 두고 화소마다 형성된다. 산화 처리로서는, UV-오존처리 이외에, 02플라즈마 처리 또는 과산화 수소처리 등이어도 좋다. 또한 이 산화 처리에 의해 투명도전막(8)도 산화되고, 그 결과, 투명도전막(8)의 일함수가 증가한다. 구체적으로, 투명도전막(8)의 일함수는, 산화 처리전은 4.7eV이며, 산화 처리후는 5.OeV이다. 투명도전막(8)의 일함수가 증가함으로써, 투명도전막(8)으로부터 후술하는 정공(正孔) 수송층으로의 정공주입 효율이 높아지므로, 후술하는 발광층(11)의 발광 특성이 향상된다. 발광층(11)의 발광 특성이 향상되므로, 고휘도의 표시광을 얻을 수 있다.Referring to Fig. 6, after removing the photoresist 50, oxidation treatment such as UV-ozone treatment is performed. The conditions of UV-ozone treatment were made into the temperature of 23 degreeC, and time 4min. Thereby, the metal film 7 of the exposed part is oxidized in the patterning process shown in FIG. 5, and the oxide film 9 (second insulating film) is formed. Since the oxide film 9 is electrically insulating, the metal film 7 is separated from pixel to pixel by the oxide film 9. In other words, a laminated film of the metal film 7 and the transparent conductive film 8 formed on the metal film 7 is formed for each pixel with the oxide film 9 interposed therebetween. The oxidation treatment may be a 0 2 plasma treatment or a hydrogen peroxide treatment in addition to the UV-ozone treatment. The oxidation process also oxidizes the transparent conductive film 8, and as a result, the work function of the transparent conductive film 8 increases. Specifically, the work function of the transparent conductive film 8 is 4.7 eV before oxidation treatment and 5.OeV after oxidation treatment. As the work function of the transparent conductive film 8 increases, the hole injection efficiency from the transparent conductive film 8 to the hole transport layer described later is increased, so that the light emission characteristics of the light emitting layer 11 described later are improved. Since the light emission characteristics of the light emitting layer 11 are improved, high brightness display light can be obtained.

화소마다 분리된 금속막(7) 및 투명도전막(8)은, 유기EL표시장치의 양극으로서 기능한다.The metal film 7 and the transparent conductive film 8 separated for each pixel function as an anode of the organic EL display device.

도 7을 참조하여, 다음에 감광성 폴리이미드 또는 감광성의 유기계 아크릴수지등으로 이루어지는 절연막을 전면적으로 형성한 후, 그 절연막을 사진제판법 및 현상액 처리에 의해 패터닝함으로써, 절연막(10: 제 3절연막)을 형성한다. 절연막(10)은, 서로 인접하는 화소끼리 분리하기 위한 것이고, 절연막(10)이 형성되지 않은 영역이 발광 영역으로서 규정된다.Referring to Fig. 7, next, an insulating film made of photosensitive polyimide or photosensitive organic acrylic resin is formed on the entire surface, and then the insulating film is patterned by photolithography and developer treatment to form the insulating film 10 (third insulating film). Form. The insulating film 10 is for separating pixels adjacent to each other, and a region where the insulating film 10 is not formed is defined as a light emitting region.

도 8을 참조하여, 다음에 마스크 증착법에 의해, 발광 영역에서의 투명도전막(8)위에 발광층(11)을 형성한다. 발광층(11)의 형성에 있어서는, 정공 수송층, 발광층 및 전자 주입층이, 진공상태를 유지한 채로 이 순서로 성막된다. 본 실시예에서는, 정공 수송층으로서 막두께 20nm의 비스 [(N-나프틸)-N-페닐]벤지딘(α-NPD)을 형성하고, 발광층으로서 막두께 50nm의 8-퀴노리놀(quinolinol) 알루미늄 착체(Alq)를 형성하며, 전자 주입층으로서 막두께60nm의 바소크프로인(bathocuproin)을 형성했다. 또, 발광층(11)은 3층 구조에 한하지 않고, 몇 층이어도 좋다.Referring to Fig. 8, the light emitting layer 11 is formed on the transparent conductive film 8 in the light emitting region by the mask deposition method. In the formation of the light emitting layer 11, the hole transporting layer, the light emitting layer, and the electron injection layer are formed in this order while maintaining the vacuum state. In this embodiment, bis [(N-naphthyl) -N-phenyl] benzidine (α-NPD) having a thickness of 20 nm is formed as a hole transporting layer, and 8-quinolinol aluminum having a thickness of 50 nm is used as a light emitting layer. A complex (Alq) was formed, and bathocuproin having a thickness of 60 nm was formed as an electron injection layer. The light emitting layer 11 is not limited to a three-layer structure, and may be any number of layers.

도 9를 참조하고, 다음에 스퍼터링법에 의해, ITO, IZO 또는 ZnO2등으로 이루어지는 투명도전막(12)을, 전면적으로 형성한다. 투명도전막(12)은, 유기EL표시 장치의 음극으로서 기능한다.Referring to Figure 9, and, by sputtering in the following, to form a transparent conductive film 12 consisting of ITO, IZO, or ZnO 2 or the like, across the board. The transparent conductive film 12 functions as a cathode of the organic EL display device.

본 실시예에 따른 유기EL표시장치의 제조 방법에 의하면, 도 6에 나타나 있는 바와 같이, 금속막(7)은, 에칭이 아닌 산화 처리에 의해, 화소마다 분리된다. 따라서, 도 11에 나타나 있는 바와 같이 금속막(7)을 에칭에 의해 화소마다 분리하는 종래의 유기EL표시장치의 제조 방법과 비교하면, 에칭의 회수를 삭감할 수 있다. 그 결과, 제조 프로세스를 간소화할 수 있고, 제조 원가의 저감을 도모할 수 있다.According to the manufacturing method of the organic EL display device according to the present embodiment, as shown in Fig. 6, the metal film 7 is separated from pixel to pixel by an oxidation process rather than etching. Therefore, as shown in FIG. 11, the number of etchings can be reduced as compared with the conventional manufacturing method of the organic EL display device in which the metal film 7 is separated for each pixel by etching. As a result, the manufacturing process can be simplified and the manufacturing cost can be reduced.

또한 에칭의 제어성이나 에칭 형상이 좋지 않은, 고반사율의 금속막(7)을 에칭할 필요가 없고, 에칭의 제어성이 좋은 투명도전막(8)만을 에칭하면 되기 때문에, 장치의 미세화가 가능하게 된다.In addition, it is not necessary to etch the high-reflectance metal film 7 having poor etching controllability or etching shape, and only the transparent conductive film 8 having good etching controllability needs to be etched, so that the apparatus can be miniaturized. do.

또한 도 9에 도시한 본 실시예에 따른 유기EL표시장치에 의하면, 절연막(10)과 유기절연막(6)과의 사이에 산화막(9)이 형성되어 있다. 산화막(9)은, Ag합금으로 이루어지는 금속막(7)을 산화한 것이며, 유기절연막(6)으로부터 절연막(10)으로의 수분의 전달을 차단하는 기능을 가지고 있다. 그 때문에 본 실시예에 따른 유기EL표시장치에 의하면, 도 12에 도시한 종래의 유기EL표시장치와는 달리, 유기절연막(6)으로부터 배어 나온 수분이 절연막(10)을 통해 발광층(11)에 전해지는 것에 기인하는 발광층(11)의 열화를 방지할 수 있기 때문에, 장치의 신뢰성을 높일 수 있다.In addition, according to the organic EL display device according to the present embodiment shown in FIG. 9, an oxide film 9 is formed between the insulating film 10 and the organic insulating film 6. The oxide film 9 is obtained by oxidizing a metal film 7 made of Ag alloy, and has a function of blocking the transfer of moisture from the organic insulating film 6 to the insulating film 10. Therefore, according to the organic EL display device according to the present embodiment, unlike the conventional organic EL display device shown in Fig. 12, moisture extracted from the organic insulating film 6 is transferred to the light emitting layer 11 through the insulating film 10. Since deterioration of the light emitting layer 11 resulting from transmission can be prevented, the reliability of an apparatus can be improved.

또한, 산화 처리를 행하는 것으로 투명도전막(8)의 일함수가 증가하므로, 투명도전막(8)으로부터 정공 수송층으로의 정공 주입 효율이 높아진다. 따라서, 발 광층(11)의 발광 특성이 향상하므로, 고휘도의 표시광을 얻을 수 있다.In addition, since the work function of the transparent conductive film 8 is increased by performing the oxidation treatment, the hole injection efficiency from the transparent conductive film 8 to the hole transport layer is increased. Therefore, since the light emission characteristics of the light emitting layer 11 are improved, high luminance display light can be obtained.

제 1발명에 따른 표시장치에 의하면, 발광층의 열화를 방지할 수 있다.According to the display device according to the first invention, deterioration of the light emitting layer can be prevented.

제 2발명에 따른 표시장치의 제조 방법에 의하면, 제조 프로세스를 간소화할 수 있고, 장치의 미세화에도 유리하다.According to the manufacturing method of the display device according to the second invention, the manufacturing process can be simplified and it is advantageous to miniaturize the device.

Claims (4)

기판과, Substrate, 상기 기판 위에 서로 이격되어 형성된 제 1 및 제 2스위칭소자와, First and second switching elements formed on the substrate to be spaced apart from each other; 상기 제 1 및 제 2스위칭소자를 덮어서 상기 기판 위에 형성되고, 감광성 아크릴계 수지로 구성되는 제 1절연막과,A first insulating film formed on the substrate to cover the first and second switching elements, the first insulating film comprising a photosensitive acrylic resin, 상기 제 1절연막 위에 형성되어, 상기 제 1스위칭소자에 접속된 제 1도전막과,A first conductive film formed on the first insulating film and connected to the first switching element; 상기 제 1절연막 위에 형성되어, 상기 제 2스위칭소자에 접속된 제 2도전막과,A second conductive film formed on the first insulating film and connected to the second switching element; 상기 제 1도전막과 상기 제 2도전막 사이에 있어서 상기 제 1절연막 위에 형성된 제 2절연막과, A second insulating film formed on the first insulating film between the first conductive film and the second conductive film; 상기 제 2절연막 위에 형성되고, 감광성 폴리이미드로 구성되는 제 3절연막과, A third insulating film formed on the second insulating film and made of photosensitive polyimide; 상기 제 1도전막 위에 형성된 제 1발광층과, A first light emitting layer formed on the first conductive film, 상기 제 2도전막 위에 형성된 제 2발광층과, A second light emitting layer formed on the second conductive film, 상기 제 1 및 제 2발광층 위에 형성된 제 3도전막을 구비하고, And a third conductive film formed on the first and second light emitting layers, 상기 제 2절연막은, 상기 제 1절연막으로부터 상기 제 3절연막으로의 수분의 전달을 차단할 수 있는 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 표시장치.And the second insulating layer is made of a material capable of blocking the transfer of moisture from the first insulating layer to the third insulating layer. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 1 및 제 2도전막은 각각, 금속막과, 이 금속막 위에 적층하여 형성된 투명도전막을 갖고 있고, The first and second conductive films each have a metal film and a transparent conductive film formed by laminating on the metal film. 상기 제 2절연막의 재질은, 상기 금속막 재질의 산화물인 것을 특징으로 하는 표시장치.The material of the second insulating layer is an oxide of the metal film material. (a)제 1 및 제 2스위칭소자(2)를, 서로 이격하여 기판 위에 형성하는 공정과,(a) forming the first and second switching elements 2 on the substrate, spaced apart from each other; (b)상기 제 1 및 제 2스위칭소자를 감광성 아크릴계 수지로 덮어서 패터닝하여, 상기 기판 위에 제 1절연막을 형성하는 공정과, (b) forming a first insulating film on the substrate by covering and patterning the first and second switching elements with a photosensitive acrylic resin; (c)상기 제 1절연막 위에, 상기 제 1 및 제 2스위칭소자에 접속된 제 1도전막을 형성하는 공정과, (c) forming a first conductive film connected to the first and second switching elements on the first insulating film; (d)상기 제 1도전막을 부분적으로 절연화시켜서 제 2절연막을 형성함으로써, 상기 제 1도전막을, 상기 제 1스위칭소자에 접속된 제1부분과, 상기 제 2스위칭소자에 접속된 제2부분으로 분리하는 공정과,(d) forming the second insulating film by partially insulating the first conductive film, whereby the first conductive film is a first portion connected to the first switching element and a second portion connected to the second switching element. Separating process into, (e)상기 제 2절연막 위를 감광성 폴리이미드로 덮어서 패터닝하여, 제 3절연막을 형성하는 공정과, (e) forming a third insulating film by covering and patterning the second insulating film with photosensitive polyimide; (f)상기 제1부분 위에 제 1 발광층을 형성하는 동시에, 상기 제 2부분 위에 제 2발광층을 형성하는 공정과, (f) forming a first light emitting layer on the first portion and simultaneously forming a second light emitting layer on the second portion; (g)상기 제 1 및 제 2발광층 위에, 제 2도전막을 형성하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조방법.(g) forming a second conductive film on the first and second light emitting layers. 제 3항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 공정(c)은,The step (c), (c-1)상기 제 1절연막 위에, 고반사율의 금속막을 형성하는 공정과,(c-1) forming a metal film having a high reflectance on the first insulating film; (c-2)상기 금속막 위에 투명도전막을 적층하여 형성하는 공정을 갖고,(c-2) has a step of forming a transparent conductive film by laminating on the metal film, 상기 공정(d)은,The step (d), (d-1)에칭에 의해 상기 투명도전막을 부분적으로 제거함으로써, 상기 금속막을 부분적으로 노출하는 공정과, (d-1) partially removing the transparent conductive film by etching to partially expose the metal film; (d-2)상기 공정(d-1)에 의해 노출된 부분의 상기 금속막을 산화함으로써, 상기 제 2절연막을 형성하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조 방법.(d-2) A method of manufacturing a display device, comprising the step of forming the second insulating film by oxidizing the metal film in the portion exposed in the step (d-1).
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