KR100722985B1 - Multi-mask exposure system - Google Patents

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임동규
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    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/70—Adapting basic layout or design of masks to lithographic process requirements, e.g., second iteration correction of mask patterns for imaging

Abstract

본 발명은 멀티마스크 노광시스템에 있어서, 제1마스크; 상기 제1마스크의 콘쥬게이트플레인인 블레이드에 배치되며, 상기 제1마스크와 동일하거나 유사한 레이아웃을 갖는 제2마스크를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명은 기존의 1개의 마스크/공정과정에 비해 콘트라스트가 뛰어나게 개선되므로 수율향상 및 해상도 향상에 기여할 수 있다.The present invention provides a multimask exposure system, comprising: a first mask; The second mask may be disposed on a blade of the conjugate plane of the first mask and have a layout that is the same as or similar to that of the first mask. The present invention can contribute to yield improvement and resolution improvement because the contrast is significantly improved compared to one conventional mask / process.

노광, 마스크, 블레이드, 콘쥬게이트 플레인, 프로젝터, 해상도, 멀티마스크Exposure, Mask, Blade, Conjugate Plane, Projector, Resolution, Multimask

Description

멀티마스크 노광시스템{Multi-mask exposure system} Multi-mask exposure system             

도1은 본 발명에 의한 멀티마스크 노광시스템을 나타낸 도면.
1 is a diagram showing a multimask exposure system according to the present invention;

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

10 : 제1마스크 20 : 제2마스크10: first mask 20: second mask

30 : 제3마스크 100 : 이미지 플레인30: third mask 100: image plane

200 : 프로젝션 렌즈 300 : 프로젝터
200: projection lens 300: projector

본 발명은 멀티마스크 노광시스템에 관한 것으로, 특히 동일한 레이아웃을 2회 이상 투사(tracing)가 될 수 있도록 노광시스템을 구성하여 기존의 마스크 위치의 다중 콘쥬게이트 플레인(conjugate plane)에 동일 레이아웃의 레티클을 두어 노광을 행하는 노광시스템에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a multimask exposure system. In particular, the exposure system is configured so that the same layout can be tracing more than once. It relates to an exposure system that performs exposure.

종래의 경우에는 1개 마스크에 대하여 1개의 이미지 시스템을 사용하였다. 이는 통상적인 노광시스템이며, 이러한 경우 이미지 콘트라스트는 MTF_mask × MTF_projection lens × MTF_film에 의해 결정되었다. 여기서, MTF는 'Modulation Transfer Function'을 의미하고, MTF는 광의 최대 강도(Max)와 최소 강도(Min)의 다음과 같은 관계로 표시되는 수학식 1로 정의되는 값이다.
(max-min)/(max+min) In the conventional case, one image system was used for one mask. This is a conventional exposure system, in which case the image contrast was determined by MTF_mask x MTF_projection lens x MTF_film. Here, MTF means 'Modulation Transfer Function', and MTF is a value defined by Equation 1 represented by the following relationship between maximum intensity Max and minimum intensity Min of light.
(max-min) / (max + min)

본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위한 것으로써, 노광 스캐너 및 스테퍼시스템을 개조하여 다중 마스크 시스템을 적용할 수 있도록 함으로써 마스크 콘트라스트를 개선하기 위한 멀티마스크 노광시스템을 제공하는데 목적이 있다.
An object of the present invention is to provide a multimask exposure system for improving mask contrast by modifying an exposure scanner and a stepper system to apply a multiple mask system.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 멀티마스크 노광시스템에 있어서, 제1마스크; 상기 제1마스크의 콘쥬게이트플레인인 블레이드에 배치되며, 상기 제1마스크와 동일하거나 유사한 레이아웃을 갖는 제2마스크를 포함하는 것을 특징으로 하고, 상기 제1마스크와 동일하거나 유사한 레이아웃의 마스크가 복수개 배치된 것을 특징으로 하며, 상기 복수개의 마스크들은 하나 이상의 다른 콘쥬게이트 플레인에 배치되는 것을 특징으로 한다.The present invention for achieving the above object, in the multi-mask exposure system, the first mask; And a second mask disposed on the blade of the conjugate plane of the first mask, the second mask having a layout the same as or similar to that of the first mask, and a plurality of masks having the same or similar layout as the first mask are disposed. And the plurality of masks are disposed in one or more other conjugate planes.

이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명하기로 한다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the technical idea of the present invention. do.

본 발명은 MTF_마스크를 개선하기 위해 마스크를 2회 이상 사용함으로써 궁극적으로 마스크 콘트라스트를 개선한다. 간단한 계산원리를 도입하면 다음과 같다. 마스크 1회 사용시 콘트라스트 = (l_max - l_min)/(l_max + l_min), 동일한 마스크를 2회 사용할 때의 콘트라스트 = (l_max2 - l_min2)/(l_max2 + l_min2)가 되어 이미지 콘트라스트가 개선된다. l_max = 9 & l_min = 2라 가정할때, C-1mask(1회 사용) = (9-2)/(9+2)=0.636 즉, 63.6%가 되고, C_2mask(2회 사용, ideal) = (81-4)/(81+4)=0.906, 즉 90.6%가 된다.The present invention ultimately improves mask contrast by using the mask two or more times to improve the MTF mask. A simple calculation principle is introduced as follows. Contrast = (l_max-l_min) / (l_max + l_min) when using a mask once, and contrast = (l_max 2 -l_min 2 ) / (l_max 2 + l_min 2 ) when using the same mask twice to improve image contrast . Assuming l_max = 9 & l_min = 2, C-1mask (1 use) = (9-2) / (9 + 2) = 0.636, that is, 63.6%, and C_2mask (2 times, ideal) = (81-4) / (81 + 4) = 0.906, or 90.6%.

본 발명의 멀티마스크 노광시스템은 도1에 나타낸 바와 같이, 이미지플레인(Image plane, 100)에 근접하도록 제1마스크(10, 이는 기존의 마스크)가 배치되고, 기존 마스크인 제1마스크(10)의 콘쥬게이트 플레인(Conjugate plane, 이를 '제1콘쥬게이트플레인'이라 약칭함)인 블레이드(Blade) 위치에 제1마스크(10)와 동일한 레이아웃의 제2마스크(20)를 배치하여 노광을 행한다. 유사한 레이아웃도 콘트라스트 개선에 도움을 줄 수 있다. In the multi-mask exposure system of the present invention, as shown in FIG. 1, the first mask 10 (which is an existing mask) is disposed to approach the image plane 100, and the first mask 10, which is an existing mask, is disposed. The second mask 20 having the same layout as that of the first mask 10 is disposed at a blade position, which is a conjugate plane (abbreviated as 'first conjugate plane') of the exposure plane. Similar layouts can help improve contrast.

또한 노광시스템에 제2콘쥬게이트 플레인을 설치하여 여기에 동일 또는 유사한 레이아웃의 제3마스크(30)를 배치하여 노광한다. 이와 같이 필요에 따라 여러 개의 콘쥬게이트 플레인에 멀티마스크를 배치할 수 있다. In addition, a second conjugate plane is provided in the exposure system, and the third mask 30 having the same or similar layout is disposed there and exposed. In this way, multiple masks can be placed in multiple conjugate planes as needed.

상기와 같이 여러 개의 마스크를 설치하는 경우 동기제어가 필요하게 되며, 이를 위해 동기제어 이미징 시스템을 노광시스템에 설치하는 것이 바람직하다.In the case of installing a plurality of masks as described above, synchronous control is required, and for this purpose, a synchronous control imaging system is preferably installed in the exposure system.

본 발명은 도1에 나타낸 바와 같이 프로젝터 부분(300)을 개조하여 제2마스크를 효과적으로 사용할 수 있도록 해상도를 개선한다.The present invention improves the resolution to effectively use the second mask by modifying the projector portion 300 as shown in FIG.

콘쥬게이트 플레인 대 제1마스크 사이의 배율은 마스크 크기/집광렌즈의 해상도에 따라 최적화하며, 멀티마스크의 배율도 동일원리로 최적화한다.The magnification between the conjugate plane and the first mask is optimized according to the mask size / resolution of the condenser lens, and the magnification of the multimask is also optimized in the same principle.

도1에서 참조부호 100은 이미지 플레인, 200은 프로젝션 렌즈를 각각 나타낸다.In FIG. 1, reference numeral 100 denotes an image plane and 200 denotes a projection lens.

본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으 나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
Although the technical spirit of the present invention has been described in detail according to the above preferred embodiment, it should be noted that the above-described embodiment is for the purpose of description and not of limitation. In addition, those skilled in the art will understand that various embodiments are possible within the scope of the technical idea of the present invention.

본 발명은 기존의 1개의 마스크/공정과정에 비해 콘트라스트가 뛰어나게 개선되므로 수율향상 및 해상도 향상에 기여할 수 있다.The present invention can contribute to yield improvement and resolution improvement because the contrast is significantly improved compared to one conventional mask / process.

Claims (4)

멀티마스크 노광시스템에 있어서,In a multimask exposure system, 제1마스크;First mask; 상기 제1마스크의 콘쥬게이트플레인인 블레이드에 배치되며, 상기 제1마스크와 동일하거나 유사한 레이아웃을 갖는 제2마스크A second mask disposed on the conjugate plane blade of the first mask and having a layout identical or similar to that of the first mask 를 포함하는 멀티마스크 노광시스템.Multi-mask exposure system comprising a. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1마스크와 동일하거나 유사한 레이아웃의 마스크가 복수개 배치된 것을 특징으로 하는 멀티마스크 노광시스템.And a plurality of masks having the same or similar layout as the first mask. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 복수개의 마스크들은 하나 이상의 다른 콘쥬게이트 플레인에 배치되는 것을 특징으로 하는 멀티마스크 노광시스템.And wherein the plurality of masks are disposed in one or more other conjugate planes. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1마스크와 제2마스크의 동기제어를 위한 동기제어 이미징 시스템이 더 설치되는 것을 특징으로 하는 멀티마스크 노광시스템.And a synchronous control imaging system for synchronous control of the first mask and the second mask.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH06295852A (en) * 1993-04-08 1994-10-21 Nikon Corp Aligner
KR970010568A (en) * 1995-08-30 1997-03-27 김태구 Fixing device for bus side panel
KR970010568B1 (en) * 1993-10-13 1997-06-28 현대전자산업 주식회사 Fabrication method of semiconductor
KR0146399B1 (en) * 1994-11-08 1998-11-02 김주용 Semiconductor pattern forming method

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06295852A (en) * 1993-04-08 1994-10-21 Nikon Corp Aligner
KR970010568B1 (en) * 1993-10-13 1997-06-28 현대전자산업 주식회사 Fabrication method of semiconductor
KR0146399B1 (en) * 1994-11-08 1998-11-02 김주용 Semiconductor pattern forming method
KR970010568A (en) * 1995-08-30 1997-03-27 김태구 Fixing device for bus side panel

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