JPH06295852A - Aligner - Google Patents

Aligner

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JPH06295852A
JPH06295852A JP5106230A JP10623093A JPH06295852A JP H06295852 A JPH06295852 A JP H06295852A JP 5106230 A JP5106230 A JP 5106230A JP 10623093 A JP10623093 A JP 10623093A JP H06295852 A JPH06295852 A JP H06295852A
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JP
Japan
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reticle
positioning
plate
exposure
mask
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JP5106230A
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Japanese (ja)
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Muneyasu Yokota
宗泰 横田
Seiji Fujitsuka
清治 藤塚
Yoshihiro Shiraishi
嘉弘 白石
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Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask

Abstract

PURPOSE:To realize stabilized positioning accuracy by positioning a photosensitive substrate P using the positioning results depending on the positions of masks R1-R4 thereby suppressing the error caused by the distortion of a structure depending on the position of a mask exchanging means. CONSTITUTION:The aligner 20 comprises a plurality of masks R1-R4, means 9, 11 for exposing the image of each mask onto a photosensitive substrate P, means 3, 4, 12, 13 for positioning the substrate P with respect to the aligners 9, 11, and base members 2, 5 for holding the means 7, 9, 11, wherein the exposure is conducted while sequentially positioning the masks R1-R4 at predetermined positions using the mask exchanging means 7.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は露光装置に関し、特に複
数のレチクル(マスク)をレチクルチエンジヤ上に載置
し、複数のレチクルのそれぞれを所定の位置に対して順
次位置決めしながらプレート(感光基板)に対する露光
を行うようになされた露光装置に適用して好適なもので
ある。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exposure apparatus, and in particular, a plurality of reticles (masks) are placed on a reticle engine, and while a plurality of reticles are sequentially positioned with respect to predetermined positions, a plate It is suitable for application to an exposure device adapted to perform exposure on a substrate).

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、半導体集積回路又は液晶表示板等
を製造する際には、被露光対象としてのプレート(ウエ
ハ)上にレチクルに形成された所定パターンを投影露光
する露光装置が用いられる。
2. Description of the Related Art Conventionally, when manufacturing a semiconductor integrated circuit, a liquid crystal display panel or the like, an exposure apparatus for projecting and exposing a predetermined pattern formed on a reticle on a plate (wafer) to be exposed is used.

【0003】この種の露光装置としては、プレートをス
テツプアンドリピート方式で移動しながらプレートの所
定領域に順次レチクルのパターンを露光するようになさ
れている。この種の露光装置においては、複数のレチク
ルをレチクルチエンジヤ上に保持し、当該レチクルチエ
ンジヤを移動することにより複数のレチクルのパターン
をプレート上に重ね露光すると共に、このときプレート
を移動することによりレチクルのパターンをプレート上
に繋ぎ露光するようになされている。
As an exposure apparatus of this type, the reticle pattern is sequentially exposed on a predetermined area of the plate while moving the plate by the step-and-repeat method. In this type of exposure apparatus, a plurality of reticles are held on a reticle engine, and by moving the reticle engineers, the patterns of a plurality of reticles are overlaid on a plate and the plate is moved at this time. The reticle pattern is connected to the plate for exposure.

【0004】すなわち図9に示すように、露光装置1は
基台2上にX方向に移動するステージ3及びY方向に移
動するステージ4を有し、さらに当該ステージ4上にプ
レートPが保持される。
That is, as shown in FIG. 9, the exposure apparatus 1 has a stage 3 moving in the X direction and a stage 4 moving in the Y direction on a base 2, and a plate P is held on the stage 4. It

【0005】また基台2上にはコラム5が固定され、当
該コラム5の上端部にレチクルチエンジヤガイド6が固
定されている。このレチクルチエンジヤガイド6にはレ
チクルチエンジヤ3が当該レチクルチエンジヤガイド6
によつてガイドされながら矢印aで示す方向又はこれと
は逆方向に移動し得るように設けられている。このレチ
クルチエンジヤ7には複数のレチクルR1、R2、R3
及びR4を吸着保持し得るようになされている。
A column 5 is fixed on the base 2, and a reticle chain guide 6 is fixed to the upper end of the column 5. In this reticle guide 6, the reticle guide 3 is attached to the reticle guide 6.
It is provided so that it can be moved in the direction indicated by the arrow a or in the opposite direction while being guided by. The reticle engine 7 includes a plurality of reticles R1, R2, R3.
And R4 can be adsorbed and held.

【0006】またコラム5には投影レンズ9が固定さ
れ、光源11からの露光光を当該露光光の光路上(すな
わち投影レンズ9上)に移動されたレチクル(R1、R
2、R3又はR4)及び投影レンズ9を介してプレート
P上に照射することにより、このとき投影レンズ9上に
移動されたレチクル(R1、R2、R3又はR4)に形
成されたパターンの像をプレートP上に露光するように
なされている。
A projection lens 9 is fixed to the column 5, and the exposure light from the light source 11 is moved onto the optical path of the exposure light (that is, on the projection lens 9).
2, R3 or R4) and the projection lens 9 to irradiate the plate P to form an image of the pattern formed on the reticle (R1, R2, R3 or R4) moved on the projection lens 9 at this time. The plate P is exposed.

【0007】ここでこの種の露光装置1においては、レ
チクル顕微鏡12を用いて、投影レンズ9上に位置決め
されたレチクルR1に形成されたアライメントマーク及
びステージ4上に形成された基準マーク(以下これをフ
イデユーシヤルマークと呼ぶ)を一致させるようにステ
ージ3及びステージ4を移動させることにより、当該ス
テージ3及びステージ4の座標値によつてレチクルR1
の位置を計測する。
In this type of exposure apparatus 1, the reticle microscope 12 is used to form an alignment mark formed on the reticle R1 positioned on the projection lens 9 and a reference mark formed on the stage 4 (hereinafter referred to as "reference mark"). Are moved so as to match the reticle R1 with the coordinate values of the stage 3 and the stage 4.
Measure the position of.

【0008】また、投影レンズ9に固定されたプレート
顕微鏡13の指標マークにステージ4上に形成されたフ
イデユーシヤルマークを合わせることにより当該プレー
ト顕微鏡9の位置をステージ3及びステージ4の座標値
によつて計測する。これらの計測結果からレチクルR1
及びプレート顕微鏡13の相対位置をステージ3及びス
テージ4の座標値によつて求め(この相対位置をベース
ラインと呼ぶ)、このようにして計測されたベースライ
ン値に基づいて露光装置1のステージ4上に載置された
プレートPのレチクルに対するアライメント(位置決
め)を行うようになされている。
Further, the position of the plate microscope 9 is coordinated with the coordinate values of the stage 3 and the stage 4 by aligning the index mark of the plate microscope 13 fixed to the projection lens 9 with the visual mark formed on the stage 4. To measure. From these measurement results, reticle R1
And the relative position of the plate microscope 13 is obtained from the coordinate values of the stages 3 and 4 (this relative position is referred to as a baseline), and the stage 4 of the exposure apparatus 1 is based on the baseline value thus measured. The plate P placed on the reticle is aligned with the reticle.

【0009】すなわち図10に示すように、露光装置1
はステツプSP1から露光処理手順に入り、ステツプS
P2においてn枚のレチクルR1、R2、……Rnをレ
チクルチエンジヤ7に保持した後、レチクルR1が投影
レンズ9上の位置(これをレチクルチエンジヤポジシヨ
ン1とする)にレチクルチエンジヤ7を移動してベース
ライン計測を実行する。
That is, as shown in FIG. 10, the exposure apparatus 1
Enters the exposure processing procedure from step SP1 and goes to step S
After holding n reticles R1, R2, ... Rn on the reticle engine 7 at P2, the reticle engine 7 is moved to a position on the projection lens 9 (this is referred to as reticle engine position 1). Move to perform baseline measurement.

【0010】この状態において露光装置1はステツプS
P3においてプレートPをステージ4上に保持し(又は
ステージ4上のプレートPを交換し)、さらに続くステ
ツプSP5においてベースライン値に基づいて当該プレ
ートPに対してプレートアライメント(プレートの位置
決め)を実行する。
In this state, the exposure apparatus 1 moves to step S.
In P3, the plate P is held on the stage 4 (or the plate P on the stage 4 is exchanged), and in the subsequent step SP5, plate alignment (plate positioning) is performed on the plate P based on the baseline value. To do.

【0011】さらに露光装置1は続くステツプSP6に
おいてこのときステージ4上に保持されたプレートPが
上記ベースライン計測後、奇数枚目のプレートであるか
又は偶数枚目のプレートであるかを判断する。
Further, in the next step SP6, the exposure apparatus 1 determines whether the plate P held on the stage 4 at this time is an odd number plate or an even number plate after the baseline measurement. .

【0012】ここで奇数枚目のプレートである場合に
は、露光装置1はステツプSP7に移つてこのとき第1
のレチクルR1が露光光の光路上にあるレチクルチエン
ジヤポジシヨン1の状態からレチクルチエンジヤ7を矢
印a方向に移動しながら、各レチクルR1〜R4を順次
露光光の光路上に移動してそれぞれ露光を行う。
If the plate is an odd-numbered plate, the exposure apparatus 1 moves to step SP7, at which
Reticle R1 is on the optical path of the exposure light. While moving reticle engine 7 in the direction of arrow a from the state of reticle engine position 1, each reticle R1 to R4 is sequentially moved to the optical path of the exposure light. Expose.

【0013】ここで第n(n=4)のレチクルR4が露
光光の光路上に位置する状態、すなわちレチクルチエン
ジヤ7が矢印a方向に移動した状態において当該レチク
ルR4の露光が終了すると、露光装置1は続くステツプ
SP7Aに移つてすべてのプレートを露光終了したか否
かを判断する。ここで肯定結果が得られると、露光装置
1はステツプSP7Bに移つて当該処理手順を終了す
る。これに対してステツプSP7Aにおいて否定結果が
得られると露光装置1は上述のステツプSP4に戻つて
ステージ4上に保持されたプレートPを交換する。
When the exposure of the reticle R4 is completed when the nth (n = 4) reticle R4 is positioned on the optical path of the exposure light, that is, the reticle engine 7 is moved in the direction of the arrow a. The apparatus 1 proceeds to the subsequent step SP7A and determines whether or not exposure of all the plates has been completed. If a positive result is obtained here, the exposure apparatus 1 moves to step SP7B and ends the processing procedure. On the other hand, if a negative result is obtained in step SP7A, the exposure apparatus 1 returns to step SP4 described above and replaces the plate P held on the stage 4.

【0014】これに対してステツプSP6においてこの
ときステージ4上に保持されたプレートPが上記ベース
ライン計測後、偶数枚目のプレートである場合には、露
光装置1はステツプSP8に移る。このとき第n(n=
4)のレチクルR4が露光光の光路上にあるレチクルチ
エンジヤポジシヨンn(n=4)の状態からレチクルチ
エンジヤ7を矢印aに対して逆方向に移動しながら、各
レチクルR4〜R1を順次露光光の光路上に移動してそ
れぞれ露光を行う。
On the other hand, in step SP6, if the plate P held on the stage 4 at this time is the even-numbered plate after the baseline measurement, the exposure apparatus 1 moves to step SP8. At this time, the nth (n =
While the reticle R4 in 4) is on the optical path of the exposure light and is in the state of the reticle chain position n (n = 4), while moving the reticle chain 7 in the direction opposite to the arrow a, the reticles R4 to R1 are moved. The exposure is performed by sequentially moving to the optical path of the exposure light.

【0015】ここで第1のレチクルR1が露光光の光路
上に位置する状態、すなわちレチクルチエンジヤ7が矢
印aに対して逆方向に移動した状態において当該レチク
ルR1の露光が終了すると、露光装置1は続くステツプ
SP8Aに移つてすべてのプレートを露光終了したか否
かを判断する。ここで肯定結果が得られると、露光装置
1はステツプSP7Bに移つて当該処理手順を終了す
る。これに対してステツプSP8Aにおいて否定結果が
得られると露光装置1は上述のステツプSP4に戻つて
ステージ4上に保持されたプレートPを交換する。
When the exposure of the reticle R1 is completed in the state where the first reticle R1 is located on the optical path of the exposure light, that is, the state where the reticle engine 7 is moved in the direction opposite to the arrow a, the exposure apparatus is exposed. In step 1, the process proceeds to the next step SP8A to determine whether or not exposure of all the plates has been completed. If a positive result is obtained here, the exposure apparatus 1 moves to step SP7B and ends the processing procedure. On the other hand, if a negative result is obtained in step SP8A, the exposure apparatus 1 returns to step SP4 and exchanges the plate P held on the stage 4.

【0016】このように、レチクルチエンジヤ7がレチ
クルチエンジヤポジシヨン1の状態でベースライン計測
を実行した後、ステージ4上に交換保持されたプレート
Pがベースライン計測後、奇数枚目のプレートである場
合にはこのときのレチクルチエンジヤ7がレチクルチエ
ンジヤポジシヨン1の状態であり、またステージ4上に
交換保持されたプレートPがベースライン計測後、偶数
枚目のプレートである場合にはこのときのレチクルチエ
ンジヤ7がレチクルチエンジヤポジシヨンn(n=4)
の状態であることに応じて、レチクルR1〜Rnの露光
順序をR1〜Rn又はRn〜R1に切り換えることによ
り、プレート交換時のレチクルチエンジヤ7のポジシヨ
ンから順次露光を開始するようになされている。
In this way, after the reticle engine 7 has performed the baseline measurement in the state of the reticle engine position 1, the plate P exchanged and held on the stage 4 has the baseline measured, and then the odd-numbered plate. If the reticle engine 7 at this time is in the state of the reticle engineer position 1, and the plate P exchanged and held on the stage 4 is the even-numbered plate after the baseline measurement. The reticle engine position 7 at this time is the reticle engine position n (n = 4).
In this state, the exposure order of the reticles R1 to Rn is switched to R1 to Rn or Rn to R1 so that the exposure is sequentially started from the position of the reticle chainer 7 when the plate is replaced. .

【0017】[0017]

【発明が解決しようとする課題】ところでかかる構成の
露光装置1においては、レチクルチエンジヤ7が矢印a
で示す方向又はこれとは逆方向に移動し得るようになさ
れていることにより、当該レチクルチエンジヤ7の位置
が変化するとこれに応じて当該レチクルチエンジヤ7の
重心位置が移動し、当該露光装置1の構造体(特にコラ
ム5)に歪みが生じる。
By the way, in the exposure apparatus 1 having such a structure, the reticle engine 7 has an arrow a.
By moving the reticle engine 7 in the direction indicated by or in the opposite direction, when the position of the reticle engine 7 changes, the center of gravity of the reticle engine 7 moves accordingly, and the exposure apparatus The structure 1 (especially column 5) is distorted.

【0018】従つてレチクルチエンジヤ7が異なつた位
置(レチクルチエンジヤポジシヨン1及びレチクルチエ
ンジヤポジシヨンn)においてプレートアライメントを
実行すると構造体の歪みによるアライメント誤差を生じ
ることにより、プレートP上に重合わせ露光又は繋ぎ露
光をする際にプレートに対するパターン露光位置の重ね
精度がプレートの奇数枚目及び偶数枚目において異なる
問題があつた。
Accordingly, when plate alignment is performed at different positions of the reticle engine 7 (reticle engine position 1 and reticle engine position n), an alignment error due to the distortion of the structure occurs, so There is a problem that the overlay accuracy of the pattern exposure position with respect to the plate is different between the odd-numbered plate and the even-numbered plate when performing the overlay exposure or the joint exposure.

【0019】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、すべてのプレートにおいてパターンの重ね合わせ露
光又は繋ぎ露光したパターンの露光位置の精度を一定に
し得る露光装置を提案しようとするものである。
The present invention has been made in consideration of the above points, and is intended to propose an exposure apparatus capable of making the precision of the exposure position of the pattern subjected to the overlay exposure or the joint exposure of the pattern constant in all the plates. is there.

【0020】[0020]

【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明においては、複数のマスクR1〜R4を所定の
位置に対して選択的に位置決め可能に、かつ一体に保持
するマスク交換手段7と、所定の位置に位置決めされた
マスクR1〜R4の像を感光基板P上に露光する露光手
段9、11と、感光基板Pを露光手段9、11に対して
位置決めする基板位置決め手段3、4、12、13と、
マスク交換手段7及び露光手段9、11を保持するベー
ス部材2、5とを有し、マスク交換手段7によつて複数
のマスクR1〜R4のそれぞれを所定の位置に対して順
次位置決めしながら感光基板Pに対する露光を行う露光
装置20において、感光基板Pを交換した際は、常に複
数のマスクR1〜R4のうち特定のマスクを所定の位置
に位置決めした状態で基板位置決め手段3、4、12、
13による位置決めを行う位置決め制御手段14を備
え、感光基板Pに対する露光開始時のベース部材2、5
とマスク交換手段7との位置関係が常に一定となるよう
にする。
In order to solve such a problem, according to the present invention, a mask replacement means 7 for selectively holding a plurality of masks R1 to R4 at a predetermined position and integrally holding them. , Exposure means 9 and 11 for exposing the images of the masks R1 to R4 positioned at predetermined positions onto the photosensitive substrate P, and substrate positioning means 3 and 4 for positioning the photosensitive substrate P with respect to the exposure means 9 and 11. 12, 13,
The mask exchanging means 7 and the base members 2 and 5 for holding the exposing means 9 and 11 are provided. The mask exchanging means 7 sequentially exposes each of the plurality of masks R1 to R4 to a predetermined position. In the exposure apparatus 20 for exposing the substrate P, when the photosensitive substrate P is exchanged, the substrate positioning means 3, 4, 12, with the specific mask among the plurality of masks R1 to R4 being always positioned at a predetermined position.
Positioning control means 14 for positioning by means of 13 is provided, and the base members 2, 5 at the time of starting exposure of the photosensitive substrate P.
The positional relationship between the mask replacement means 7 and the mask replacement means 7 is always constant.

【0021】また本発明においては、複数のマスクR1
〜R4を所定の位置に対して選択的に位置決め可能に、
かつ一体に保持するマスク交換手段7と、所定の位置に
位置決めされたマスクR1〜R4の像を感光基板P上に
露光する露光手段9、11と、感光基板Pを露光手段
9、11に対して位置決めする基板位置決め手段3、
4、12、13と、マスク交換手段7及び露光手段9、
11を保持するベース部材2、5とを有し、マスク交換
手段7によつて複数のマスクR1〜R4のそれぞれを所
定の位置に対して順次位置決めしながら感光基板Pに対
する露光を行う露光装置1において、マスク交換手段7
によつて複数のマスクR1〜R4のうちの第1のマスク
を所定の位置に配置した場合に得られる基板位置決め手
段3、4、12、13による第1の位置決め結果及び、
所定の位置に第2のマスクが配置された場合に得られる
基板位置決め手段3、4、12、13による第2の位置
決め結果をそれぞれ求める位置決め結果検出手段15
と、感光基板Pを交換した際に基板位置決め手段3、
4、12、13によつて所定の位置に位置決めされるマ
スクR1〜R4が第1のマスクである場合に第1の位置
決め結果を用いて基板位置決め手段3、4、12、13
による感光基板Pの位置決めを行なうと共に、感光基板
Pを交換した際に基板位置決め手段3、4、12、13
によつて所定の位置に位置決めされるマスクR1〜R4
が第2のマスクである場合に第2の位置決め結果を用い
て基板位置決め手段3、4、12、13による感光基板
Pの位置決めを行なう位置決め制御手段16とを備え、
感光基板Pに対する露光開始時のベース部材2、5と感
光基板Pとの位置関係が常に一定となるようにする。
Further, in the present invention, a plurality of masks R1
~ R4 can be selectively positioned to a predetermined position,
Further, the mask exchanging means 7 for integrally holding it, the exposing means 9, 11 for exposing the images of the masks R1 to R4 positioned at predetermined positions on the photosensitive substrate P, and the exposing means 9, 11 for exposing the photosensitive substrate P to the exposing means 9, 11 Board positioning means 3 for positioning by
4, 12, 13 and mask exchange means 7 and exposure means 9,
An exposure apparatus 1 that has a base member 2 and 5 that holds 11 and that exposes the photosensitive substrate P while sequentially positioning each of the plurality of masks R1 to R4 by a mask replacement unit 7 with respect to a predetermined position. In the mask replacement means 7
Therefore, the first positioning result by the substrate positioning means 3, 4, 12, 13 obtained when the first mask of the plurality of masks R1 to R4 is arranged at a predetermined position, and
Positioning result detecting means 15 for respectively obtaining second positioning results by the substrate positioning means 3, 4, 12, 13 obtained when the second mask is arranged at a predetermined position.
And the substrate positioning means 3 when the photosensitive substrate P is replaced,
Substrate positioning means 3, 4, 12, 13 using the first positioning result when the masks R1 to R4 positioned at predetermined positions by 4, 12, 13 are the first masks.
The photosensitive substrate P is positioned by the substrate positioning means 3, 4, 12, 13 when the photosensitive substrate P is replaced.
Masks R1 to R4 positioned at predetermined positions by
Is a second mask, and a positioning control means 16 for positioning the photosensitive substrate P by the substrate positioning means 3, 4, 12, 13 using the second positioning result.
The positional relationship between the base members 2 and 5 and the photosensitive substrate P at the start of exposure of the photosensitive substrate P is always constant.

【0022】また本発明においては、位置決め制御手段
41(16)は、第1の位置決め結果に対する第2の位
置決め結果の差を予め記憶し、感光基板Pを交換した際
に基板位置決め手段3、4、12、13によつて所定の
位置に位置決めされるマスクR1〜R4が第2のマスク
である場合に第1の位置決め結果を用いて位置決めされ
た感光基板Pの位置を、第1の位置決め結果に対する第
2の位置決め結果の差を用いて補正するようにする。
Further, in the present invention, the positioning control means 41 (16) stores the difference between the first positioning result and the second positioning result in advance, and when the photosensitive substrate P is replaced, the substrate positioning means 3, 4 , 12, 13 is used to determine the position of the photosensitive substrate P positioned using the first positioning result when the masks R1 to R4 which are positioned at predetermined positions by the first positioning result. Is corrected by using the difference of the second positioning result with respect to.

【0023】[0023]

【作用】感光基板Pの位置決めをする際に当該位置決め
時におけるマスクR1〜R4の位置に応じた位置決め結
果を用いて感光基板Pの位置決めを行うことにより、マ
スク交換手段7の位置に応じて生じる構造体の歪みによ
る感光基板Pの位置決め結果の誤差が抑制される。
When the photosensitive substrate P is positioned, the photosensitive substrate P is positioned by using the positioning result according to the positions of the masks R1 to R4 at the time of the positioning, so that it occurs depending on the position of the mask exchanging means 7. An error in the positioning result of the photosensitive substrate P due to the distortion of the structure is suppressed.

【0024】[0024]

【実施例】以下図面について、本発明の一実施例を詳述
する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.

【0025】(1)第1実施例 図9との同一部分に同一符号を付して示す図1において
露光装置20は、位置決め制御部14を有する。位置決
め制御部14は、レチクル顕微鏡12及びプレート顕微
鏡13の計測結果から投影レンズ9上に位置決めされた
レチクル及びプレート顕微鏡13の相対位置をステージ
3及び4の座標値によつて求め、当該求められたベース
ライン値に基づいてステージ3及び4を移動することに
より、ステージ4上に載置されたプレートPのレチクル
に対するアライメントを実行するようになされている。
(1) First Embodiment In FIG. 1 in which the same parts as those in FIG. 9 are designated by the same reference numerals, the exposure apparatus 20 has a positioning controller 14. The positioning control unit 14 obtains the relative positions of the reticle and the plate microscope 13 positioned on the projection lens 9 from the measurement results of the reticle microscope 12 and the plate microscope 13 by using the coordinate values of the stages 3 and 4, and obtains the relative position. By moving the stages 3 and 4 based on the baseline value, the alignment of the plate P placed on the stage 4 with respect to the reticle is executed.

【0026】また当該位置決め制御部14は、ステージ
4上に載置されるプレートPが交換された際には、常に
レチクルR1〜R4のうち特定のレチクル(例えばレチ
クルR1)を投影レンズ9上に位置決めするようになさ
れている。
The positioning control section 14 always puts a specific reticle (for example, reticle R1) among the reticles R1 to R4 on the projection lens 9 when the plate P placed on the stage 4 is exchanged. It is designed to be positioned.

【0027】ここで図2は露光装置20におけるアライ
メント及び露光の動作シーケンスを示し、露光装置20
はステツプSP10から当該処理手順に入り、ステツプ
SP11においてn枚(n=4)のレチクルをレチクル
チエンジヤ7上に保持し、続くステツプSP12におい
てレチクルチエンジヤ7上に保持されたn枚のレチクル
R1〜Rn(n=4)のうち最も矢印a方向側に保持さ
れたレチクルR1が投影レンズ9上に位置する場合のレ
チクルチエンジヤ7の位置(すなわちレチクルチエンジ
ヤ7が矢印aに対して逆方向に移動した状態)をレチク
ルチエンジヤポジシヨン1として、当該レチクルチエン
ジヤポジシヨン1においてベースライン値を計測する。
FIG. 2 shows an alignment and exposure operation sequence in the exposure apparatus 20.
Enters the processing procedure from step SP10, holds n (n = 4) reticles on the reticle engineer 7 in step SP11, and n sheets of reticles R1 held on the reticle engineer 7 in step SP12. Rn (n = 4) of the reticle R7 held closest to the direction of the arrow a is located on the projection lens 9, the position of the reticle engine 7 (that is, the reticle engine 7 is in the opposite direction to the arrow a). The state in which the reticle has been moved to (1) is defined as the reticle position 1 and the baseline value is measured at the reticle position 1.

【0028】この状態において露光装置20は続くステ
ツプSP13においてプレートPをステージ4上に保持
(又は交換)し、ステツプSP14においてレチクルチ
エンジヤ7をレチクルチエンジヤポジシヨン1に移動す
る。但し、ステージ4上に保持されたプレートPがベー
スライン計測後第1枚目のプレートである場合には、す
でにレチクルチエンジヤ7がレチクルチエンジヤポジシ
ヨン1の状態であるので、当該レチクルチエンジヤポジ
シヨン1に移動する必要はない。
In this state, the exposure apparatus 20 holds (or exchanges) the plate P on the stage 4 in the subsequent step SP13, and moves the reticle engine 7 to the reticle engine position 1 in step SP14. However, when the plate P held on the stage 4 is the first plate after the baseline measurement, the reticle engine 7 is already in the state of the reticle engine position 1, so the reticle engine There is no need to go to Position 1.

【0029】さらに露光装置20は続くステツプSP1
5においてこのときステージ4上に保持されたプレート
Pに対してプレートアライメントを実行した後、ステツ
プSP16においてレチクルチエンジヤ7をレチクルチ
エンジヤポジシヨン1〜nの順に移動しながら露光を行
うことにより、第1のレチクルR1、第2のレチクルR
2、……第nのレチクルRn(n=4)のパターンをプ
レートP上に露光する。
Further, the exposure apparatus 20 continues the step SP1.
5, after performing plate alignment on the plate P held on the stage 4 at this time, in step SP16, exposure is performed while moving the reticle engine 7 in the order of the reticle engine positions 1 to n. First reticle R1 and second reticle R
2. The pattern of the nth reticle Rn (n = 4) is exposed on the plate P.

【0030】このようにして1枚目のプレートPに対し
てレチクルR1〜Rnのパターンを露光した後、続くス
テツプSP17においてすべてのプレートを露光終了し
たか否かを判断し、肯定結果が得られると、ステツプS
P18に移つて当該処理手順を終了する。
After exposing the patterns of the reticles R1 to Rn on the first plate P in this way, it is judged in subsequent step SP17 whether or not all the plates have been exposed, and a positive result is obtained. And step S
Moving to P18, the processing procedure is ended.

【0031】これに対してステツプSP17において否
定結果が得られると、露光装置20は上述のステツプS
P13に戻り、プレートPを2枚目のプレートPに交換
し、ステツプSP14に移る。ここで1枚目のプレート
Pに対してレチクルR1〜Rnの順に露光を完了した状
態においては、レチクルチエンジヤ7はレチクルRnが
露光光の光路上にある状態(レチクルチエンジヤポジシ
ヨンn)となつていることにより、露光装置20は当該
ステツプSP14においてレチクルチエンジヤ7を矢印
aに対して逆方向に移動することにより、レチクルチエ
ンジヤ7をレチクルチエンジヤポジシヨン1に移動し、
以下ステツプSP15及びステツプSP16において上
述の処理と同様の処理を実行する。
On the other hand, when a negative result is obtained in step SP17, the exposure apparatus 20 determines the above-mentioned step S.
Returning to P13, the plate P is exchanged for the second plate P, and the process proceeds to step SP14. Here, in the state where the exposure of the first plate P is completed in the order of the reticles R1 to Rn, the reticle engine 7 determines that the reticle Rn is in the optical path of the exposure light (reticle engine position n). Therefore, the exposure apparatus 20 moves the reticle engine 7 to the reticle engine position 1 by moving the reticle engine 7 in the direction opposite to the arrow a at step SP14.
Thereafter, the same processing as the above-mentioned processing is executed in steps SP15 and SP16.

【0032】以上の構成において、露光装置1はプレー
トPを交換するごとにレチクルチエンジヤ7をベースラ
イン計測時と同様のレチクルチエンジヤポジシヨン1に
移動して、交換されたプレートPに対するプレートアラ
イメントを実行することにより、プレートアライメント
時におけるレチクルチエンジヤ7の位置が常に同様の位
置となる。
In the above arrangement, the exposure apparatus 1 moves the reticle engine 7 to the reticle engine position 1 similar to that at the time of baseline measurement every time the plate P is replaced, and performs plate alignment on the replaced plate P. By executing the above, the position of the reticle engine 7 at the time of plate alignment is always the same position.

【0033】従つて当該レチクルチエンジヤ7の位置に
応じた露光装置1の構造体の歪みが同様となる状態のも
とで各プレートPに対してプレートアライメントを行う
ことができることにより、交換された各プレートPをそ
れぞれ同様の位置に位置決めすることができる。
Accordingly, plate alignment can be performed for each plate P under the condition that the distortion of the structure of the exposure apparatus 1 corresponding to the position of the reticle engine 7 is similar, so that the plate P is replaced. Each plate P can be positioned at the same position.

【0034】以上の構成によれば、各プレートPごとに
レチクルチエンジヤ7を同じレチクルチエンジヤポジシ
ヨン1に移動した状態でプレートアライメントを行うよ
うにしたことにより、各プレートPをそれぞれ同様の位
置に位置決めすることができ、これにより複数のレチク
ルR1〜RnのパターンをプレートP上に重ね露光又は
繋ぎ露光する場合において、パターンの重ね精度をすべ
てのプレートPにおいて一定とすることができる。
According to the above-mentioned structure, the plate alignment is carried out in the state where the reticle engine 7 is moved to the same reticle engine position 1 for each plate P, so that each plate P is moved to the same position. Therefore, when the patterns of a plurality of reticles R1 to Rn are overlaid or joined on the plate P, the pattern overlay accuracy can be made constant on all the plates P.

【0035】(2)第2実施例 図9との対応部分に同一符号を付して示す図3におい
て、露光装置30は投影レンズ9上に位置決めされたレ
チクル及びプレート顕微鏡13の相対位置(ベースライ
ン値)を検出するための位置決め結果検出部15及び当
該位置決め結果検出部15の検出結果に基づいてプレー
トPのレチクルに対するアライメントを実行する位置決
め制御部16を有する。
(2) Second Embodiment In FIG. 3 in which parts corresponding to those in FIG. 9 are designated by the same reference numerals, the exposure apparatus 30 includes a reticle positioned on the projection lens 9 and a relative position (base) of the plate microscope 13. A positioning result detecting unit 15 for detecting a line value) and a positioning control unit 16 for executing alignment of the plate P with respect to the reticle based on the detection result of the positioning result detecting unit 15.

【0036】位置決め結果検出部15は、投影レンズ9
上に第1のレチクルR1を位置決めした状態で得られる
第1のベースライン値と、投影レンズ9上に第n(n=
4)のレチクルR4を位置決めした状態で得られる第2
のベースライン値とをそれぞれ検出する。さらにステー
ジ4上にプレートPを載置した際に初期状態として投影
レンズ9上に位置決めされているレチクルが第1のレチ
クルR1である場合には、第1のベースライン値を用い
て当該プレートPのアライメントを実行し、レチクルR
1、R2、R3、R4の順に順次露光を行う。
The positioning result detector 15 includes a projection lens 9
The first baseline value obtained with the first reticle R1 positioned above and the n-th (n = n
2) Obtained with the reticle R4 of 4) positioned
And the baseline value of. Further, when the reticle positioned on the projection lens 9 as the initial state when the plate P is placed on the stage 4 is the first reticle R1, the first baseline value is used for the plate P. Alignment of Reticle R
Exposure is sequentially performed in the order of 1, R2, R3, and R4.

【0037】これに対してステージ4上にプレートPを
載置した際に初期状態として投影レンズ9上に位置決め
されているレチクルが第n(n=4)のレチクルR4で
ある場合には、第2のベースライン値を用いて当該プレ
ートPのアライメントを実行し、レチクルR4、R3、
R2、R1の順に順次露光を行うようになされている。
On the other hand, when the reticle positioned on the projection lens 9 as the initial state when the plate P is placed on the stage 4 is the nth (n = 4) reticle R4, The alignment of the plate P is performed using the baseline value of 2, and the reticles R4, R3,
Exposure is sequentially performed in the order of R2 and R1.

【0038】ここで図4は露光装置30におけるアライ
メント及び露光の動作シーケンスを示し、露光装置30
はステツプSP20から当該処理手順に入り、ステツプ
SP21においてn枚(n=4)のレチクルをレチクル
チエンジヤ7上に保持し、続くステツプSP22におい
てレチクルチエンジヤ7上に保持されたレチクルR1が
投影レンズ9上に位置する場合のレチクルチエンジヤ7
の位置をレチクルチエンジヤポジシヨン1として、当該
レチクルチエンジヤポジシヨン1においてベースライン
値を計測する。
FIG. 4 shows an alignment and exposure operation sequence in the exposure apparatus 30.
Enters the processing procedure from step SP20, holds n sheets (n = 4) of reticle on the reticle engine 7 at step SP21, and continues the reticle R1 held on the reticle engine 7 at step SP22. Reticle engine 7 when located on 9
Is set as the reticle chain position 1, and the baseline value is measured at the reticle chain position 1.

【0039】さらに露光装置30は続くステツプSP2
3において、レチクルチエンジヤ7を矢印a方向(図
3)に移動して、レチクルチエンジヤ7上で、レチクル
R1が保持された端部と反対側の端部に保持されたレチ
クルRn(n=4)が投影レンズ9上に位置する場合の
レチクルチエンジヤ7の位置をレチクルチエンジヤポジ
シヨンnとして、当該レチクルチエンジヤポジシヨンn
においてベースライン値を計測し、レチクルチエンジヤ
7を矢印aに対して逆方向に移動してレチクルチエンジ
ヤポジシヨン1の状態とする。
Further, the exposure apparatus 30 continues the step SP2.
3, the reticle engine 7 is moved in the direction of arrow a (FIG. 3) to move the reticle engine 7 to the reticle Rn (n = n = n) held at the end opposite to the end where the reticle R1 is held. 4) is located on the projection lens 9, the position of the reticle engine position 7 is defined as the reticle chain position n, and the reticle chain position n is set.
At, the baseline value is measured, and the reticle engine 7 is moved in the direction opposite to the arrow a to bring the reticle engineer position 1 into the state.

【0040】この状態において露光装置30は続くステ
ツプSP24においてプレートPをステージ4上に保持
(又は交換)し、続くステツプSP25においてこのと
きステージ4上に保持されたプレートPがベースライン
計測後、奇数枚目のプレートであるか又は偶数枚目のプ
レートであるかを判断する。
In this state, the exposure apparatus 30 holds (or exchanges) the plate P on the stage 4 in the subsequent step SP24, and in the subsequent step SP25, the plate P held on the stage 4 at this time is measured with an odd number after the baseline measurement. It is determined whether the plate is the first plate or the even plate.

【0041】ここで奇数枚目のプレートである場合に
は、このときレチクルチエンジヤ7がレチクルチエンジ
ヤポジシヨン1にあることにより、露光装置30はステ
ツプSP26に移つて上述のステツプSP22において
計測されたベースライン値を用いてこのときステージ4
上に保持されたプレートPに対してプレートアライメン
トを実行した後、ステツプSP27においてレチクルチ
エンジヤ7をレチクルチエンジヤポジシヨン1〜nの順
に移動しながら露光を行うことにより、第1のレチクル
R1、第2のレチクルR2、……第nのレチクルRn
(n=4)のパターンをプレートP上に順次露光する。
In the case of an odd-numbered plate, since the reticle engine 7 is in the reticle engine position 1 at this time, the exposure apparatus 30 moves to step SP26 and is measured in step SP22 described above. Stage 4 at this time using the baseline values
After the plate alignment is performed on the plate P held above, exposure is performed while moving the reticle engineers 7 in order of the reticle engineers positions 1 to n in step SP27, whereby the first reticle R1, Second reticle R2, ... Nth reticle Rn
The pattern (n = 4) is sequentially exposed on the plate P.

【0042】さらに続くステツプSP27Aにおいてす
べてのプレートを露光終了したか否かを判断し、ここで
肯定結果が得られると、露光装置1はステツプSP27
Bに移つて当該処理手順を終了する。これに対してステ
ツプSP27Aにおいて否定結果が得られた場合、露光
装置30は上述のステツプSP24に戻り、ステージ4
上に保持されたプレートPを2枚目のプレートPに交換
し、続くステツプSP25においてこのときステージ4
上に保持されたプレートPがベースライン計測後、奇数
枚目のプレートであるか又は偶数枚目のプレートである
かを判断する。
In the subsequent step SP27A, it is determined whether or not exposure of all the plates has been completed. If a positive result is obtained here, the exposure apparatus 1 proceeds to step SP27.
The process moves to B and the processing procedure is ended. On the other hand, when a negative result is obtained in step SP27A, the exposure apparatus 30 returns to step SP24 described above, and the stage 4
The plate P held on the upper side is replaced with the second plate P, and in the subsequent step SP25, the stage 4
After the baseline measurement, it is determined whether the plate P held above is an odd-numbered plate or an even-numbered plate.

【0043】ここで1枚目(奇数枚目)のプレートPに
対してレチクルR1〜Rnの順に露光を完了した状態、
すなわちステージ4上に2枚目(偶数枚目)のプレート
Pが保持された状態においては、レチクルチエンジヤ7
はレチクルRnが投影レンズ9上にある状態(レチクル
チエンジヤポジシヨンn)となつていることにより、露
光装置30は当該ステツプSP25において偶数枚目で
あると判断されるとステツプSP28に移つて上述のス
テツプSP23において計測されたベースライン値を用
いてこのときステージ4上に保持されたプレートPに対
してプレートアライメントを実行した後、ステツプSP
29においてレチクルチエンジヤ7をレチクルチエンジ
ヤポジシヨンn〜1の順に移動しながら露光を行うこと
により、第n(n=4)のレチクルRn、……第1のレ
チクルR1のパターンをプレートP上に順次露光する。
Here, a state in which the exposure is completed in order of the reticles R1 to Rn on the first (odd) plate P,
That is, in the state where the second (even number) plate P is held on the stage 4, the reticle engine 7
Is in a state where the reticle Rn is on the projection lens 9 (reticle position n), the exposure apparatus 30 moves to step SP28 when it is determined in step SP25 that it is an even number. After performing the plate alignment on the plate P held on the stage 4 at this time by using the baseline value measured in step SP23,
At 29, the reticle chain 7 is moved in the order of the reticle chain position n to 1 to perform exposure, so that the pattern of the n-th (n = 4) reticle Rn ,. Are sequentially exposed.

【0044】さらに続くステツプSP29Aにおいてす
べてのプレートについて露光を終了したか否かを判断
し、肯定結果が得られるとステツプSP27Bに移つて
当該処理手順を終了すると共に、否定結果が得られると
露光装置30は上述のステツプSP24に戻り、ステー
ジ4上に保持されたプレートPを交換し、続くステツプ
SP24から同様の処理を繰り返す。
Further, in step SP29A, it is judged whether or not the exposure has been completed for all the plates, and if a positive result is obtained, the process proceeds to step SP27B to end the processing procedure, and if a negative result is obtained, the exposure apparatus. 30 returns to the above-mentioned step SP24, replaces the plate P held on the stage 4, and repeats the same processing from the subsequent step SP24.

【0045】以上の構成において、露光装置30はステ
ージ4上に保持された1枚目(奇数枚目)のプレートP
に対してレチクルチエンジヤ7を矢印a方向に移動しな
がらレチクルR1〜Rnの順に露光を行うことにより、
当該1枚目(奇数枚目)のプレートPに対する露光が終
了したときのレチクルチエンジヤ7の位置はレチクルチ
エンジヤポジシヨンnとなる。
In the above-described structure, the exposure apparatus 30 includes the first (odd number) plate P held on the stage 4.
On the other hand, by exposing the reticle R1 to Rn in this order while moving the reticle engine 7 in the direction of arrow a,
The position of the reticle engine 7 when the exposure of the first (odd number) plate P is completed is the reticle engine position n.

【0046】従つて2枚目(偶数枚目)のプレートPに
対しては、このときのレチクルチエンジヤポジシヨンn
からレチクルRn〜R1の順に露光を行うことにより、
レチクルチエンジヤ7を一旦レチクルチエンジヤポジシ
ヨン1に戻さずに露光を行うことができ、この分露光処
理を全体として短時間化することができる。
Therefore, for the second (even number) plate P, the reticle position at this time n
From reticle Rn to R1 in this order,
Exposure can be performed without returning the reticle engine 7 to the reticle engine position 1 once, and the exposure process can be shortened as a whole.

【0047】このとき予めレチクルチエンジヤポジシヨ
ン1及びレチクルチエンジヤポジシヨンnにおいてそれ
ぞれベースライン値を計測しておき、レチクルチエンジ
ヤ7の位置がレチクルチエンジヤポジシヨン1となる1
枚目(奇数枚目)のプレートPに対するプレートアライ
メント時においてはレチクルチエンジヤポジシヨン1に
おけるベースライン値を用いると共に、レチクルチエン
ジヤ7の位置がレチクルチエンジヤポジシヨンnとなる
2枚目(偶数枚目)のプレートPに対するプレートアラ
イメント時においてはレチクルチエンジヤポジシヨンn
におけるベースライン値を用いることにより、レチクル
チエンジヤ7の位置に応じて生じる露光装置30の構造
体の歪みのもとにそれぞれ計測されたベースライン値を
用いてプレートアライメントを行うことができる。
At this time, the baseline values are measured in advance in reticle chain position 1 and reticle chain position n, respectively, and the position of reticle chain position 7 becomes reticle chain position 1.
During plate alignment for the second (odd) plate P, the baseline value in reticle chain position 1 is used, and the position of reticle chain position 7 becomes reticle chain position n. When performing plate alignment for the (first) plate P, the reticle position adjustment n
By using the baseline value in, the plate alignment can be performed using the baseline values measured under the distortion of the structure of the exposure apparatus 30 that occurs depending on the position of the reticle engine 7.

【0048】以上の構成によれば、奇数枚目又は偶数枚
目のプレートPに対する露光時においてレチクルチエン
ジヤ7が矢印aで示す方向又は矢印aに対して逆方向に
移動しながら露光を行うようにすると共に、当該奇数枚
目又は偶数枚目のプレートPに対してプレートアライメ
ントを行う際に、それぞれのプレートアライメント時に
おけるレチクルチエンジヤ7の位置に応じたベースライ
ン値を用いることにより、各プレートPをそれぞれ奇数
枚目及び偶数枚目によらず同様の位置に位置決めするこ
とができ、これにより複数のレチクルR1〜Rn(n=
4)のパターンをプレートP上に重ね露光又は繋ぎ露光
する場合において、パターンの重ね精度をすべてのプレ
ートにおいて一定とすることができる。
According to the above configuration, when the odd-numbered or even-numbered plate P is exposed, the reticle engine 7 performs exposure while moving in the direction indicated by arrow a or in the opposite direction to arrow a. In addition, when performing plate alignment for the odd-numbered plate or even-numbered plate P, by using the baseline value according to the position of the reticle chainer 7 at each plate alignment, P can be positioned at the same position regardless of the odd-numbered sheet and the even-numbered sheet, respectively, and thus, a plurality of reticles R1 to Rn (n =
When the pattern 4) is overlaid or spliced on the plate P, the pattern overlay accuracy can be constant on all plates.

【0049】(3)第3実施例 図9との対応部分に同一符号を付して示す図5において
露光装置40は、図3において上述した位置決め結果検
出部15及び位置決め制御部16を含む制御コンピユー
タ41を有し、投影レンズ9上に位置決めされたレチク
ル及びプレート顕微鏡13の相対位置をステージ3及び
4の座標値によつて求めると共に、当該求められたベー
スライン値に基づいてステージ4上に載置されたプレー
トPのレチクルに対するアライメントを実行するように
なされている。
(3) Third Embodiment In FIG. 5, in which parts corresponding to those in FIG. 9 are designated by the same reference numerals, the exposure apparatus 40 controls the positioning result detector 15 and the positioning controller 16 described above with reference to FIG. The relative position of the reticle and the plate microscope 13 having the computer 41 and positioned on the projection lens 9 is obtained by the coordinate values of the stages 3 and 4, and the relative position of the reticle and the plate microscope 13 is set on the stage 4 based on the obtained baseline value. The alignment of the placed plate P with respect to the reticle is executed.

【0050】ここで図6は露光装置40におけるアライ
メント及び露光の動作シーケンスを示し、露光装置40
はステツプSP30から当該処理手順に入り、ステツプ
SP31においてレチクルチエンジヤ7に保持し得る最
大枚数としてN枚のレチクルをレチクルチエンジヤ7上
に保持し、続くステツプSP32においてレチクルチエ
ンジヤ7上に保持されたN枚のレチクルR1〜RNにつ
いてそれぞれ投影レンズ9上に位置する場合のレチクル
チエンジヤ7の位置をそれぞれレチクルチエンジヤポジ
シヨン1〜レチクルチエンジヤポジシヨンNとして各レ
チクルチエンジヤポジシヨンごとにベースライン値を計
測する。
FIG. 6 shows an alignment and exposure operation sequence in the exposure apparatus 40.
Enters the processing procedure from step SP30, holds N reticles as the maximum number that can be held in the reticle engine 7 in step SP31, and holds them on the reticle engine 7 in step SP32. For each of the N reticles R1 to RN, the position of the reticle chainer 7 when located on the projection lens 9 is set as a reticle chain position 1 to a reticle chain position N as a base for each reticle chain position. Measure the line value.

【0051】さらに露光装置40は続くステツプSP3
3において、レチクルチエンジヤポジシヨン1における
ベースライン値に対する他のレチクルチエンジヤポジシ
ヨンのベースライン値の差をそれぞれ制御コンピユータ
41のメモリに格納する。
Further, the exposure device 40 continues the step SP3.
3, the difference between the baseline value of the reticle chain position 1 and the baseline value of another reticle chain position 1 is stored in the memory of the control computer 41.

【0052】この状態において露光装置40は前処理と
してのベースライン計測を終了し、続くステツプSP3
4以降の露光処理に入る。すなわち露光装置40はステ
ツプSP34に移つて露光に必要なn枚(n=4)のレ
チクルをレチクルチエンジヤ7上に保持した後、続くス
テツプSP35においてレチクルチエンジヤポジシヨン
1におけるベースライン値を計測する。
In this state, the exposure apparatus 40 finishes the baseline measurement as the pretreatment, and the subsequent step SP3.
The exposure process after 4 starts. That is, the exposure device 40 moves to step SP34 and holds n (n = 4) reticles necessary for exposure on the reticle engine 7, and then measures the baseline value in the reticle chain position 1 at step SP35. To do.

【0053】さらに露光装置40は続くステツプSP3
6においてプレートPをステージ4上に保持(又は交
換)し、続くステツプSP37においてこのときステー
ジ4上に保持されたプレートPがステツプSP35にお
けるベースライン計測後、奇数枚目のプレートであるか
又は偶数枚目のプレートであるかを判断する。
Further, the exposure device 40 continues the step SP3.
In step 6, the plate P is held (or exchanged) on the stage 4, and in the subsequent step SP37, the plate P held on the stage 4 at this time is an odd-numbered plate or an even-numbered plate after the baseline measurement in step SP35. Determine if it is the first plate.

【0054】ここで奇数枚目のプレートである場合に
は、このときレチクルチエンジヤ7がレチクルチエンジ
ヤポジシヨン1にあることにより、露光装置40はステ
ツプSP38に移つて上述のステツプSP35において
計測されたベースライン値を用いてこのときステージ4
上に保持されたプレートPに対してプレートアライメン
トを実行した後、ステツプSP39においてレチクルチ
エンジヤ7をレチクルチエンジヤポジシヨン1〜nの順
に移動しながら露光を行うことにより、第1のレチクル
R1、第2のレチクルR2、……第nのレチクルRn
(n=4)のパターンをプレートP上に順次露光する。
In the case of an odd-numbered plate, the reticle engine 7 is in the reticle engine position 1 at this time, so that the exposure device 40 moves to step SP38 and is measured in step SP35 described above. Stage 4 at this time using the baseline values
After performing plate alignment on the plate P held above, exposure is performed while moving the reticle engineers 7 in the order of the reticle engineers positions 1 to n in step SP39, and the first reticle R1 Second reticle R2, ... Nth reticle Rn
The pattern (n = 4) is sequentially exposed on the plate P.

【0055】さらに続くステツプSP43においてすべ
てのプレートを露光終了したか否かを判断し、ここで肯
定結果が得られると、露光装置40はステツプSP44
に移つて当該処理手順を終了する。これに対してステツ
プSP43において否定結果が得られた場合、露光装置
40は上述のステツプSP36に戻り、ステージ4上に
保持されたプレートPを2枚目のプレートPに交換し、
続くステツプSP37においてこのときステージ4上に
保持されたプレートPがベースライン計測後、奇数枚目
のプレートであるか又は偶数枚目のプレートであるかを
判断する。
In a succeeding step SP43, it is judged whether or not the exposure of all the plates has been completed. If a positive result is obtained here, the exposure apparatus 40 proceeds to the step SP44.
Then, the processing procedure is finished. On the other hand, if a negative result is obtained in step SP43, the exposure apparatus 40 returns to step SP36 described above, and replaces the plate P held on the stage 4 with the second plate P,
At the subsequent step SP37, it is determined whether the plate P held on the stage 4 at this time is an odd-numbered plate or an even-numbered plate after the baseline measurement.

【0056】ここで1枚目(奇数枚目)のプレートPに
対してレチクルR1〜Rnの順に露光を完了した状態、
すなわちステージ4上に2枚目(偶数枚目)のプレート
Pが保持された状態においては、レチクルチエンジヤ7
はレチクルRnが投影レンズ9上にある状態(レチクル
チエンジヤポジシヨンn)となつていることにより、露
光装置40は当該ステツプSP37において偶数枚目で
あると判断するとステツプSP40に移つてこのときの
レチクルチエンジヤポジシヨンnにおいてプレートアラ
イメントを実行する。
Here, the exposure is completed for the first (odd number) plate P in the order of the reticles R1 to Rn,
That is, in the state where the second (even number) plate P is held on the stage 4, the reticle engine 7
Since the reticle Rn is in a state where the reticle Rn is on the projection lens 9 (reticle engineering position n), when the exposure apparatus 40 determines in step SP37 that it is an even number of sheets, it moves to step SP40. Perform plate alignment at reticle engine position n.

【0057】さらに露光装置40は続くステツプSP4
1に移つて上述のステツプSP33において制御コンピ
ユータ41に格納されたベースライン値のうち、レチク
ルチエンジヤポジシヨン1に対するレチクルチエンジヤ
ポジシヨンn(n=4)におけるベースライン差を読出
し、当該ベースライン差を用いて上述のステツプSP4
0において得られたアライメント結果を補正する。
Further, the exposure apparatus 40 continues the step SP4.
1 of the baseline values stored in the control computer 41 in step SP33 described above, the baseline difference between the reticle chain position n and the reticle chain position n (n = 4) is read out, and the baseline is read. Using the difference, the above step SP4
Correct the alignment result obtained at 0.

【0058】この状態において露光装置40はステツプ
SP42においてレチクルチエンジヤ7をレチクルチエ
ンジヤポジシヨンn〜1の順に移動しながら露光を行う
ことにより、第n(n=4)のレチクルRn、……第1
のレチクルR1のパターンをプレートP上に順次露光す
る。
In this state, the exposure apparatus 40 performs exposure while moving the reticle engine 7 in the order of the reticle engine positions n to 1 in step SP42, whereby the nth (n = 4) reticle Rn ,. First
The pattern of the reticle R1 is sequentially exposed on the plate P.

【0059】さらに続くステツプSP45においてすべ
てのプレートを露光終了したか否かを判断し、ここで肯
定結果が得られると、露光装置40はステツプSP44
に移つて当該処理手順を終了する。これに対してステツ
プSP45において否定結果が得られた場合、露光装置
40は上述のステツプSP36に戻り、ステージ4上に
保持されたプレートPを交換し、続くステツプSP37
から同様の処理を繰り返す。
In a succeeding step SP45, it is judged whether or not the exposure of all the plates has been completed. If a positive result is obtained here, the exposure apparatus 40 proceeds to the step SP44.
Then, the processing procedure is finished. On the other hand, if a negative result is obtained in step SP45, the exposure apparatus 40 returns to step SP36 described above, replaces the plate P held on the stage 4, and continues to step SP37.
The same processing is repeated from.

【0060】以上の構成において、露光装置40はステ
ージ4上に保持された1枚目(奇数枚目)のプレートP
に対してレチクルチエンジヤ7を矢印a方向に移動しな
がらレチクルR1〜Rnの順に露光を行うことにより、
当該1枚目(奇数枚目)のプレートPに対する露光が終
了したときのレチクルチエンジヤ7の位置はレチクルチ
エンジヤポジシヨンnとなる。
In the above-described structure, the exposure apparatus 40 includes the first (odd number) plate P held on the stage 4.
On the other hand, by exposing the reticle R1 to Rn in this order while moving the reticle engine 7 in the direction of arrow a,
The position of the reticle engine 7 when the exposure of the first (odd number) plate P is completed is the reticle engine position n.

【0061】従つて2枚目(偶数枚目)のプレートPに
対しては、このときのレチクルチエンジヤポジシヨンn
からレチクルRn〜R1の順に露光を行うことにより、
レチクルチエンジヤ7を一旦レチクルチエンジヤポジシ
ヨン1に戻さずに露光を行うことができ、この分露光処
理を全体として短時間化することができる。
Therefore, for the second (even number) plate P, the reticle position at this time n
From reticle Rn to R1 in this order,
Exposure can be performed without returning the reticle engine 7 to the reticle engine position 1 once, and the exposure process can be shortened as a whole.

【0062】このときレチクルチエンジヤ7に保持し得
る最大枚数のレチクルR1〜RNについて予めレチクル
チエンジヤポジシヨン1〜レチクルチエンジヤポジシヨ
ンNにおいてそれぞれベースライン値を計測しておき、
レチクルチエンジヤポジシヨン1のベースライン値に対
する各ベースライン値の差を制御コンピユータ41のメ
モリに格納しておくことにより、レチクルチエンジヤ7
の位置がレチクルチエンジヤポジシヨンnとなる2枚目
(偶数枚目)のプレートPに対するプレートアライメン
ト時においては、当該プレートアライメント結果をレチ
クルチエンジヤポジシヨン1に対するレチクルチエンジ
ヤポジシヨンnでのベースライン差を用いて補正するこ
とにより、レチクルチエンジヤ7の位置に応じて生じる
露光装置40の構造体の歪みのもとにそれぞれ計測され
たベースライン値を用いてプレートアライメント結果を
補正することができる。
At this time, for the maximum number of reticles R1 to RN that can be held by the reticle chain 7, the baseline values are previously measured at the reticle chain position 1 to the reticle chain position N, respectively.
By storing the difference between each baseline value and the baseline value of the reticle engine position 1 in the memory of the control computer 41, the reticle engine 7
At the time of plate alignment for the second (even number) plate P whose position is the reticle chain position n, the plate alignment result is used as the base for the reticle chain position n for the reticle chain position n. By correcting using the line difference, it is possible to correct the plate alignment result using the baseline values that are respectively measured under the distortion of the structure of the exposure apparatus 40 that occurs according to the position of the reticle engine 7. it can.

【0063】従つて以上の構成によれば、各プレートP
をそれぞれ奇数枚目及び偶数枚目によらず同様の位置に
位置決めすることができ、これにより複数のレチクルR
1〜RnのパターンをプレートP上に重ね露光又は繋ぎ
露光する場合において、パターンの重ね精度をすべての
プレートにおいて一定とすることができる。
Therefore, according to the above configuration, each plate P
Can be positioned at the same position regardless of the odd-numbered sheet and the even-numbered sheet.
When the patterns 1 to Rn are overlaid or joined on the plate P, the pattern overlay accuracy can be made constant on all the plates.

【0064】なお上述の第2実施例及び第3実施例にお
いては、プレートが奇数枚目であるか又は偶数枚目であ
るかを判断することによつて、用いるベースライン値を
選択する構成とした場合について述べたが、本発明はこ
れに限らず、レチクルチエンジヤ7上のレチクルのう
ち、どのレチクルが位置決めされているかを検出して、
この検出結果に基づいてプレートアライメントを実行す
る構成としても良い。
In the second and third embodiments described above, the baseline value to be used is selected by determining whether the plate is an odd number plate or an even number plate. However, the present invention is not limited to this, and detects which reticle is positioned among the reticles on the reticle engine 7,
The plate alignment may be performed based on the detection result.

【0065】(4)第4実施例 図9との対応部分に同一符号を付して示す図7において
露光装置50は、制御コンピユータ51を有し、投影レ
ンズ9上に位置決めされたレチクル及びプレート顕微鏡
13の相対位置をステージ3及び4の座標値によつて求
めると共に、当該求められたベースライン値に基づいて
ステージ4上に載置されたプレートPのレチクルに対す
るアライメントを実行するようになされている。
(4) Fourth Embodiment In FIG. 7 in which parts corresponding to those in FIG. 9 are assigned the same reference numerals, an exposure apparatus 50 has a control computer 51, and a reticle and plate positioned on the projection lens 9 are positioned. The relative position of the microscope 13 is obtained by the coordinate values of the stages 3 and 4, and the alignment of the plate P placed on the stage 4 with respect to the reticle is executed based on the obtained baseline value. There is.

【0066】ここで図8は露光装置50におけるアライ
メント及び露光の動作シーケンスを示し、露光装置50
はステツプSP50から当該処理手順に入り、ステツプ
SP51において露光に必要なn枚(n=4)のレチク
ルをレチクルチエンジヤ7上に保持した後、続くステツ
プSP52においてレチクルチエンジヤ7をレチクルチ
エンジヤポジシヨン1に移動し、さらにステツプSP5
3において当該レチクルチエンジヤポジシヨン1におけ
るベースライン値Bを計測し、制御コンピユータ51に
格納する。
FIG. 8 shows an alignment and exposure operation sequence in the exposure apparatus 50.
Enters the processing procedure from step SP50, holds n (n = 4) reticles required for exposure on the reticle engine 7 in step SP51, and then continues the reticle engine 7 in step SP52. Move to Shion 1, then step SP5
In 3, the baseline value B in the reticle engine position 1 is measured and stored in the control computer 51.

【0067】この状態において露光装置50は続くステ
ツプSP54に移つてステージ4上にプレートPを保持
すると共に当該プレートPに対してプレートアライメン
トを行い、続くステツプSP55においてレチクルR1
のパターンをプレートPに露光する。
In this state, the exposure apparatus 50 moves to the next step SP54, holds the plate P on the stage 4 and performs plate alignment with respect to the plate P, and at the next step SP55, the reticle R1.
The pattern P is exposed on the plate P.

【0068】さらに露光装置50はステツプSP56に
おいてレチクルチエンジヤ7をレチクルチエンジヤポジ
シヨン2に移動し、続くステツプSP57において当該
レチクルチエンジヤポジシヨン2におけるベースライン
値を計測し、上述のステツプSP53において計測され
たベースライン値Bに対する当該レチクルチエンジヤポ
ジシヨン2におけるベースライン変化量を制御コンピユ
ータ51において算出し、当該変化量を用いてレチクル
チエンジヤポジシヨン1におけるベースライン値Bを補
正する。さらにこの補正されたベースライン値を用いて
プレートPの露光位置を補正し、続くステツプSP58
においてレチクルR2のパターンを露光する。
Further, the exposure apparatus 50 moves the reticle chain 7 to the reticle chain position 2 at step SP56, measures the baseline value at the reticle chain position 2 at step SP57, and at step SP53 described above. The control computer 51 calculates the amount of baseline change in the reticle chain position 2 with respect to the measured baseline value B, and corrects the baseline value B in the reticle chain position 1 using the amount of change. Further, the exposure position of the plate P is corrected by using the corrected baseline value, and the subsequent step SP58
At, the pattern of reticle R2 is exposed.

【0069】さらに露光装置50はステツプSP59に
おいてレチクルチエンジヤ7をレチクルチエンジヤポジ
シヨン3に移動し、続くステツプSP60において当該
レチクルチエンジヤポジシヨン3におけるベースライン
値を計測し、上述のステツプSP53において計測され
たベースライン値Bに対する当該レチクルチエンジヤポ
ジシヨン3におけるベースライン変化量を算出し、当該
変化量を用いてレチクルチエンジヤポジシヨン1におけ
るベースライン値Bを補正する。さらにこの補正された
ベースライン値を用いてプレートPの露光位置を補正
し、続くステツプSP61においてレチクルR3のパタ
ーンを露光する。
Further, the exposure apparatus 50 moves the reticle chain 7 to the reticle chain position 3 at step SP59, measures the baseline value at the reticle chain position 3 at step SP60, and at step SP53 described above. A baseline change amount in the reticle chain position 3 with respect to the measured baseline value B is calculated, and the baseline value B in the reticle chain position 1 is corrected using the change amount. Further, the exposure position of the plate P is corrected using the corrected baseline value, and the pattern of the reticle R3 is exposed in the subsequent step SP61.

【0070】さらに露光装置50はステツプSP62に
おいてレチクルチエンジヤ7をレチクルチエンジヤポジ
シヨンn(n=4)に移動し、続くステツプSP63に
おいて当該レチクルチエンジヤポジシヨンnにおけるベ
ースライン値を計測し、上述のステツプSP53におい
て計測されたベースライン値Bに対する当該レチクルチ
エンジヤポジシヨンnにおけるベースライン変化量を算
出し、当該変化量を用いてレチクルチエンジヤポジシヨ
ンnにおけるベースライン値Bを補正する。さらにこの
補正されたベースライン値を用いてプレートPの露光位
置を補正し、続くステツプSP64においてレチクルR
nのパターンを露光する。
Further, the exposure apparatus 50 moves the reticle engine 7 to the reticle engine position n (n = 4) in step SP62 and measures the baseline value in the reticle engine position n in the following step SP63. The baseline change amount in the reticle chain position n with respect to the baseline value B measured in step SP53 is calculated, and the baseline value B in the reticle chain position n is corrected using the change amount. Further, the exposure position of the plate P is corrected by using the corrected baseline value, and the reticle R is read at step SP64.
Expose n patterns.

【0071】さらに続くステツプSP76においてすべ
てのプレートを露光終了したか否かを判断し、ここで肯
定結果が得られると、露光装置50はステツプSP77
に移つて当該処理手順を終了する。これに対してステツ
プSP76において否定結果が得られた場合、露光装置
50は続くステツプSP65に移つてプレートPを交換
すると共にプレートアライメントを実行した後、ステツ
プSP66に移つてレチクルRnのパターンを露光す
る。
In the subsequent step SP76, it is determined whether or not the exposure of all the plates has been completed. If a positive result is obtained here, the exposure apparatus 50 determines in step SP77.
Then, the processing procedure is finished. On the other hand, if a negative result is obtained in step SP76, the exposure apparatus 50 moves to the following step SP65 to replace the plate P and performs plate alignment, and then moves to step SP66 to expose the pattern of the reticle Rn. .

【0072】さらに露光装置50はステツプSP67に
おいてレチクルチエンジヤ7をレチクルチエンジヤポジ
シヨン3に移動し、続くステツプSP68において当該
レチクルチエンジヤポジシヨン3におけるベースライン
値を計測し、上述のステツプSP53において計測され
たベースライン値Bに対する当該レチクルチエンジヤポ
ジシヨン3におけるベースライン変化量を算出し、当該
変化量を用いてレチクルチエンジヤポジシヨン1におけ
るベースライン値Bを補正する。さらにこの補正された
ベースライン値を用いてプレートPの露光位置を補正
し、続くステツプSP69においてレチクルR3のパタ
ーンを露光する。
Further, the exposure apparatus 50 moves the reticle chain 7 to the reticle chain position 3 at step SP67, measures the baseline value at the reticle chain position 3 at step SP68, and at step SP53 described above. A baseline change amount in the reticle chain position 3 with respect to the measured baseline value B is calculated, and the baseline value B in the reticle chain position 1 is corrected using the change amount. Further, the exposure position of the plate P is corrected using the corrected baseline value, and the pattern of the reticle R3 is exposed in the subsequent step SP69.

【0073】さらに露光装置50はステツプSP70に
おいてレチクルチエンジヤ7をレチクルチエンジヤポジ
シヨン2に移動し、続くステツプSP71において当該
レチクルチエンジヤポジシヨン2におけるベースライン
値を計測し、上述のステツプSP53において計測され
たベースライン値Bに対する当該レチクルチエンジヤポ
ジシヨン2におけるベースライン変化量を算出し、当該
変化量を用いてレチクルチエンジヤポジシヨン1におけ
るベースライン値Bを補正する。さらにこの補正された
ベースライン値を用いてプレートPの露光位置を補正
し、続くステツプSP72においてレチクルR2のパタ
ーンを露光する。
Further, the exposure apparatus 50 moves the reticle chain 7 to the reticle chain position 2 at step SP70, measures the baseline value at the reticle chain position 2 at step SP71, and at step SP53 described above. A baseline change amount in the reticle chain position 2 with respect to the measured baseline value B is calculated, and the baseline value B in the reticle chain position 1 is corrected using the changed amount. Further, the exposure position of the plate P is corrected using the corrected baseline value, and the pattern of the reticle R2 is exposed in the subsequent step SP72.

【0074】さらに露光装置50はステツプSP73に
おいてレチクルチエンジヤ7をレチクルチエンジヤポジ
シヨン1に移動し、続くステツプSP74において上述
のステツプSP53において計測されたベースライン値
Bを用いてプレートPの露光位置を補正し、続くステツ
プSP75においてレチクルR1のパターンを露光す
る。
Further, the exposure apparatus 50 moves the reticle engine 7 to the reticle engine position 1 at step SP73, and at the subsequent step SP74, uses the baseline value B measured at the above step SP53 to expose the plate P at the exposure position. Is corrected, and the pattern of the reticle R1 is exposed in step SP75.

【0075】このようにしてプレートPに対するレチク
ルRn〜R1のパターン露光を終了すると、続くステツ
プSP78においてすべてのプレートを露光終了したか
否かを判断し、ここで肯定結果が得られると、露光装置
50はステツプSP77に移つて当該処理手順を終了す
る。これに対してステツプSP78において否定結果が
得られた場合、露光装置50は上述のステツプSP54
に戻つてプレートPを交換すると共にプレートアライメ
ントを実行した後、ステツプSP66以降の処理を繰り
返す。
When the pattern exposure of the reticles Rn to R1 on the plate P is completed in this way, it is judged in the subsequent step SP78 whether or not all the plates have been exposed. If a positive result is obtained here, the exposure apparatus 50 moves to step SP77 to end the processing procedure. On the other hand, if a negative result is obtained in step SP78, the exposure apparatus 50 proceeds to the above-mentioned step SP54.
Then, the plate P is exchanged and the plate alignment is executed, and thereafter, the processing from step SP66 is repeated.

【0076】以上の構成において、露光装置1はレチク
ルチエンジヤ7を移動しながら各レチクルR1〜Rn又
はRn〜R1(n=4)の順に露光を行う際に、レチク
ルチエンジヤ7がレチクルチエンジヤポジシヨン1〜n
又はレチクルチエンジヤポジシヨンn〜1に移動するこ
とによつて露光装置50の構造体の歪みに変化が生じ
る。従つて各レチクルチエンジヤポジシヨン1、2、3
及びn(n=4)においてそれぞれベースライン値を計
測すると共に、レチクルチエンジヤポジシヨン1のベー
スライン値Bに対する変化量を算出し、当該変化量に合
わせてプレートPに対する露光位置を補正することによ
り、レチクルチエンジヤ7の位置によらず、プレートP
に対する露光位置を一定にすることができる。
In the above configuration, when the exposure apparatus 1 moves the reticle engine 7 to perform exposure in order of the reticles R1 to Rn or Rn to R1 (n = 4), the reticle engine 7 causes the reticle engine 7 to move. Positions 1-n
Alternatively, the distortion of the structure of the exposure apparatus 50 is changed by moving to the reticle chain positions n to 1. Therefore, each reticle engine position 1, 2, 3
And n (n = 4), measuring the respective baseline values, calculating the amount of change in the reticle chain position 1 with respect to the baseline value B, and correcting the exposure position for the plate P in accordance with the amount of change. Therefore, regardless of the position of the reticle engine 7, the plate P
The exposure position for can be constant.

【0077】従つて以上の構成によれば、複数のレチク
ルR1〜RnのパターンをプレートP上に重ね露光又は
繋ぎ露光する場合において、パターンの重ね精度を一定
とすることができる。
Therefore, according to the above configuration, when the patterns of the plurality of reticles R1 to Rn are overlaid or joined on the plate P, the pattern overlay accuracy can be made constant.

【0078】[0078]

【発明の効果】上述のように本発明によれば、感光基板
の位置決めをする際に当該位置決め時におけるマスクの
位置に応じた位置決め結果を用いて感光基板の位置決め
を行うことにより、マスク交換手段の位置に応じて生じ
る構造体の歪みによる感光基板の位置決め結果の誤差を
抑制することができ、安定した位置決め精度を得ること
ができる露光装置を実現できる。
As described above, according to the present invention, when the photosensitive substrate is positioned, the photosensitive substrate is positioned by using the positioning result according to the position of the mask at the time of the positioning. It is possible to realize an exposure apparatus that can suppress the error in the positioning result of the photosensitive substrate due to the distortion of the structure that occurs depending on the position, and can obtain stable positioning accuracy.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明による露光装置の第1実施例を示す側面
図である。
FIG. 1 is a side view showing a first embodiment of an exposure apparatus according to the present invention.

【図2】第1実施例による露光装置の動作シーケンスを
示すフローチヤートである。
FIG. 2 is a flow chart showing an operation sequence of the exposure apparatus according to the first embodiment.

【図3】本発明による露光装置の第2実施例を示す側面
図である。
FIG. 3 is a side view showing a second embodiment of the exposure apparatus according to the present invention.

【図4】第2実施例による露光装置の動作シーケンスを
示すフローチヤートである。
FIG. 4 is a flow chart showing an operation sequence of the exposure apparatus according to the second embodiment.

【図5】本発明による露光装置の第3実施例を示す側面
図である。
FIG. 5 is a side view showing a third embodiment of the exposure apparatus according to the present invention.

【図6】第3実施例による露光装置の動作シーケンスを
示すフローチヤートである。
FIG. 6 is a flow chart showing an operation sequence of the exposure apparatus according to the third embodiment.

【図7】本発明による露光装置の第4実施例を示す側面
図である。
FIG. 7 is a side view showing a fourth embodiment of the exposure apparatus according to the present invention.

【図8】第4実施例による露光装置の動作シーケンスを
示すフローチヤートである。
FIG. 8 is a flow chart showing an operation sequence of the exposure apparatus according to the fourth embodiment.

【図9】従来の露光装置の構成を示す側面図である。FIG. 9 is a side view showing the configuration of a conventional exposure apparatus.

【図10】従来の露光装置の動作シーケンスを示すフロ
ーチヤートである。
FIG. 10 is a flow chart showing an operation sequence of a conventional exposure apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1、20、30、40、50……露光装置、3、4……
ステージ、7……レチクルチエンジヤ、13……投影レ
ンズ、14、16……位置決め制御部、15……位置決
め結果検出部、R1、R2、R3、R4……レチクル、
P……プレート。
1, 20, 30, 40, 50 ... Exposure device, 3, 4 ...
Stage, 7 ... Reticle engine, 13 ... Projection lens, 14, 16 ... Positioning control unit, 15 ... Positioning result detection unit, R1, R2, R3, R4 ... Reticle,
P: Plate.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 7352−4M 311 C ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 5 Identification code Office reference number FI technical display location 7352-4M 311 C

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】複数のマスクを所定の位置に対して選択的
に位置決め可能に、かつ一体に保持するマスク交換手段
と、上記所定の位置に位置決めされたマスクの像を感光
基板上に露光する露光手段と、上記感光基板を上記露光
手段に対して位置決めする基板位置決め手段と、上記マ
スク交換手段及び上記露光手段を保持するベース部材と
を有し、上記マスク交換手段によつて上記複数のマスク
のそれぞれを上記所定の位置に対して順次位置決めしな
がら上記感光基板に対する露光を行う露光装置におい
て、 上記感光基板を交換した際は、常に上記複数のマスクの
うち特定のマスクを上記所定の位置に位置決めした状態
で上記基板位置決め手段による位置決めを行う位置決め
制御手段を具え、 上記感光基板に対する露光開始時の上記ベース部材と上
記マスク交換手段との位置関係が常に一定となるように
したことを特徴とする露光装置。
1. A mask exchanging means for selectively holding a plurality of masks at predetermined positions and integrally holding the masks, and exposing the image of the masks positioned at the predetermined positions onto a photosensitive substrate. An exposure means, a substrate positioning means for positioning the photosensitive substrate with respect to the exposure means, and a base member for holding the mask replacement means and the exposure means. In the exposure apparatus that exposes the photosensitive substrate while sequentially positioning each of them with respect to the predetermined position, when the photosensitive substrate is replaced, a specific mask among the plurality of masks is always placed at the predetermined position. Positioning control means for performing positioning by the substrate positioning means in a positioned state, the base member at the time of starting exposure of the photosensitive substrate Exposure and wherein the positional relationship between the mask exchange means is always set to be constant.
【請求項2】複数のマスクを所定の位置に対して選択的
に位置決め可能に、かつ一体に保持するマスク交換手段
と、上記所定の位置に位置決めされたマスクの像を感光
基板上に露光する露光手段と、上記感光基板を上記露光
手段に対して位置決めする基板位置決め手段と、上記マ
スク交換手段及び上記露光手段を保持するベース部材と
を有し、上記マスク交換手段によつて上記複数のマスク
のそれぞれを上記所定の位置に対して順次位置決めしな
がら上記感光基板に対する露光を行う露光装置におい
て、 上記マスク交換手段によつて上記複数のマスクのうちの
第1のマスクを上記所定の位置に配置した場合に得られ
る上記基板位置決め手段による第1の位置決め結果及
び、上記所定の位置に第2のマスクが配置された場合に
得られる上記基板位置決め手段による第2の位置決め結
果をそれぞれ求める位置決め結果検出手段と、 上記感光基板を交換した際に上記基板位置決め手段によ
つて上記所定の位置に位置決めされるマスクが上記第1
のマスクである場合に上記第1の位置決め結果を用いて
上記基板位置決め手段による上記感光基板の位置決めを
行なうと共に、上記感光基板を交換した際に上記基板位
置決め手段によつて上記所定の位置に位置決めされるマ
スクが上記第2のマスクである場合に上記第2の位置決
め結果を用いて上記基板位置決め手段による上記感光基
板の位置決めを行なう位置決め制御手段とを具え、 上記感光基板に対する露光開始時の上記ベース部材と上
記感光基板との位置関係が常に一定となるようにしたこ
とを特徴とする露光装置。
2. A mask exchanging means for selectively holding a plurality of masks at predetermined positions and integrally holding them, and exposing the image of the masks positioned at the predetermined positions on a photosensitive substrate. The exposure means, the substrate positioning means for positioning the photosensitive substrate with respect to the exposure means, and the base member for holding the mask exchange means and the exposure means are provided, and the plurality of masks are provided by the mask exchange means. In which the first mask of the plurality of masks is arranged at the predetermined position by the mask exchanging means, while exposing the photosensitive substrate while sequentially positioning each of them at the predetermined position. And the substrate obtained when the second mask is arranged at the predetermined position. The positioning result detecting means for respectively obtaining the second positioning result by the positioning means, and the mask positioned at the predetermined position by the substrate positioning means when the photosensitive substrate is exchanged are the first.
When the photosensitive substrate is replaced, the photosensitive substrate is positioned by the substrate positioning means using the first positioning result, and when the photosensitive substrate is replaced, the photosensitive substrate is positioned at the predetermined position by the substrate positioning means. And a positioning control means for positioning the photosensitive substrate by the substrate positioning means using the second positioning result when the mask is the second mask. An exposure apparatus characterized in that the positional relationship between the base member and the photosensitive substrate is always constant.
【請求項3】上記位置決め制御手段は、 上記第1の位置決め結果に対する上記第2の位置決め結
果の差を予め記憶し、上記感光基板を交換した際に上記
基板位置決め手段によつて上記所定の位置に位置決めさ
れるマスクが上記第2のマスクである場合に上記第1の
位置決め結果を用いて位置決めされた上記感光基板の位
置を、上記第1の位置決め結果に対する上記第2の位置
決め結果の上記差を用いて補正するようにしたことを特
徴とする請求項2に記載の露光装置。
3. The positioning control means stores in advance a difference between the first positioning result and the second positioning result, and when the photosensitive substrate is replaced, the substrate positioning means allows the predetermined position to be set. When the mask to be positioned on the second mask is the second mask, the position of the photosensitive substrate positioned using the first positioning result is used as the difference between the second positioning result and the first positioning result. The exposure apparatus according to claim 2, wherein the exposure apparatus is configured to perform the correction.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100722985B1 (en) * 2000-12-28 2007-05-30 주식회사 하이닉스반도체 Multi-mask exposure system

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