KR102333943B1 - Exposure apparatus, stage calibration system, and stage calibration method - Google Patents

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Abstract

스테이지 구동영역보다 작은 기준 플레이트를 이용하여 스테이지의 구동 정밀도를 교정한다.
기준 플레이트를 이용하여 이동 스테이지의 이동 정밀도 교정정보를 작성하는 교정부를 구비하는 노광장치에 있어서, 이동 스테이지의 제1 계측영역에 적재된 기준 플레이트를 이용하여 제1 교정정보를 작성하고, 제1 계측영역과의 중복영역을 가지는 적어도 하나의 제2 계측영역에 적재된 기준 플레이트를 이용하여 제2 교정정보를 작성하는 교정부를 구비한다.
The driving precision of the stage is corrected by using a reference plate smaller than the stage driving area.
An exposure apparatus comprising a calibration unit for generating movement precision calibration information of a moving stage by using a reference plate, wherein the first calibration information is created using a reference plate loaded in a first measurement area of the moving stage, and the first measurement and a calibration unit for creating second calibration information using a reference plate mounted on at least one second measurement area having an overlapping area with the area.

Figure R1020170038209
Figure R1020170038209

Description

노광장치, 스테이지 교정 시스템, 및 스테이지 교정방법{EXPOSURE APPARATUS, STAGE CALIBRATION SYSTEM, AND STAGE CALIBRATION METHOD}Exposure apparatus, stage calibration system, and stage calibration method {EXPOSURE APPARATUS, STAGE CALIBRATION SYSTEM, AND STAGE CALIBRATION METHOD}

본 발명은 노광장치, 스테이지 교정 시스템 및 스테이지 교정방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기준 플레이트를 이용하여 이동 스테이지의 교정정보를 작성하고, 이동 스테이지의 구동 정밀도를 보정하는 노광장치, 스테이지 교정 시스템, 스테이지 교정방법 및 교정 시 사용하는 교정 지그에 관한 것이다.The present invention relates to an exposure apparatus, a stage calibration system, and a stage calibration method, and more particularly, to an exposure apparatus for creating calibration information of a movable stage using a reference plate and correcting the driving precision of the movable stage, a stage calibration system; It relates to a stage calibration method and a calibration jig used for calibration.

종래의 반도체 패키지 기판 등을 제조하는 리소그래피 공정에서는 스텝 앤드 리피트 방식의 축소 투영 노광장치, 스텝 앤드 스캔 방식의 투영 노광장치 등이 주로 이용되고 있다.In the conventional lithography process for manufacturing semiconductor package substrates and the like, a reduction projection exposure apparatus of a step-and-repeat method, a projection exposure apparatus of a step-and-scan method, and the like are mainly used.

이러한 노광장치에서는 이미 기판 상에 형성되어 있는 회로패턴과, 그 위에 중첩되어 노광되는 회로패턴의 위치정렬, 즉 중첩에 높은 정밀도가 요구된다.In such an exposure apparatus, high precision is required for positioning, ie, overlapping, of a circuit pattern already formed on a substrate and a circuit pattern overlapped and exposed thereon.

지금까지의 노광장치는 레이저 간섭계를 이용하여 피노광 기판을 유지하는 기판 스테이지의 위치를 계측함으로써 고정밀 중첩을 실현하였으나, 레이저 간섭계의 빔 광로 상의 분위기 온도변동(공기변동)에 기인하는 계측값의 단기적인 변동을 무시할 수 없게 되었다.Conventional exposure apparatuses have achieved high-precision superposition by measuring the position of a substrate stage holding a substrate to be exposed using a laser interferometer. change cannot be ignored.

그래서 간섭계에 비해 공기변동의 영향을 받기 어려운 인코더를 이용하여 웨이퍼 스테이지의 위치계측을 수행하고, 기존의 위치 관계에 있는 복수의 마크가 부여된 기준 웨이퍼를 이용하여 기판 스테이지를 위치결정 하면서 복수의 마크를 각각 검출하고, 검출한 위치결정 위치와 목표위치로부터 기판 스테이지의 구동 정밀도를 보정하는 교정정보를 작성하는 노광장치가 개발되고 있다 (예를들어 특허문헌 1).Therefore, the position measurement of the wafer stage is performed using an encoder that is less affected by air fluctuations than an interferometer, and a plurality of marks while positioning the substrate stage using a reference wafer to which a plurality of marks in an existing positional relationship are assigned. An exposure apparatus has been developed that detects , and creates calibration information for correcting the driving precision of the substrate stage from the detected positioning position and target position (for example, Patent Document 1).

종래의 반도체 패키지 기판은 웨이퍼를 사용하고 있지만, 최근에는 웨이퍼보다 대형의 구형(矩形) 기판의 사용이 시도되고 있다. 더욱 상세하게는, 종래는 이른바 FAN-IN WLP라고 하는 반도체 웨이퍼 상에 재배선, 절연막, 포스트를 형성한 후 개별화하는 패키지 기술이 이용되었지만, 최근에는 이른바 FAN-OUT WLP라고 하는 개별화된 칩을 기판 상에 재구성하고 재배선, 절연막, 포스트를 형성하는 패키지 기술이 이용되며, 이러한 경우 재구성하기 위한 기판 웨이퍼뿐 아니라 보다 대형의 구형형상의 기판을 사용하는 것이 시도되고 있다.Although the conventional semiconductor package substrate uses a wafer, use of a spherical board|substrate larger than a wafer is attempted in recent years. More specifically, conventionally, a package technology that individualizes after formation of a redistribution, an insulating film, and a post on a semiconductor wafer called a so-called FAN-IN WLP has been used. A package technology for reconfiguring on top of and forming a redistribution, an insulating film, and a post is used.

기판의 대형화에 따라 노광장치의 기판 스테이지가 대형화되고, 노광시의 기판 스테이지 구동영역도 커지고 있다. 따라서 기판 스테이지의 교정에 사용되는 기준 플레이트 (기준 웨이퍼와 동일하게 기존의 위치관계에 있는 복수의 마크가 부여된 플레이트)의 대형화가 요구되고 있다. 또한, 레티클 스테이지에 대해서도 동일하며, 노광영역의 확대 또는 축소 투영 광학계의 고배율화에 따라 레티클 스테이지가 대형화되고 있기 때문에 교정을 위한 기준 플레이트의 대형화가 요구되고 있다.As the size of the substrate increases, the substrate stage of the exposure apparatus is enlarged, and the substrate stage driving area during exposure is also increasing. Therefore, there is a demand for an enlargement of the reference plate used for the calibration of the substrate stage (a plate to which a plurality of marks are provided in the same positional relationship as that of the reference wafer). The same applies to the reticle stage, and since the reticle stage is enlarged in accordance with the enlargement or reduction of the exposure area and higher magnification of the projection optical system, an enlargement of the reference plate for calibration is required.

일본 공개특허공보 특개 2009-164306호Japanese Patent Laid-Open No. 2009-164306

기준 플레이트에 복수의 마크를 형성할 때 포토 리소그래피 공정을 이용하지만, 대형의 판형 부재는 열팽창 등의 영향으로 왜곡이 생기기 쉽다. 또한, 포토 리소그래피 장비도 대형 스테이지를 사용하기 때문에 기준 플레이트 상에 묘사된 마크의 위치오차가 커지기 쉽다. 따라서, 대형의 기준 플레이트는 소형의 기준 플레이트에 비해 기준마크의 배열 오차가 발생하기 쉽다.Although a photolithography process is used when forming a plurality of marks on a reference plate, a large plate-shaped member tends to be distorted under the influence of thermal expansion or the like. In addition, since the photolithography equipment also uses a large stage, the positional error of the mark depicted on the reference plate is likely to increase. Therefore, the large reference plate is more likely to cause an error in the arrangement of the reference marks compared to the small reference plate.

따라서, 교정대상의 이동 스테이지(스테이지) 구동영역보다 작은 기준 플레이트를 이용하여 이동 스테이지의 구동영역 전체의 구동 정밀도를 보정하는 것이 바람직하다.Therefore, it is preferable to correct the driving precision of the entire driving region of the moving stage by using a reference plate smaller than the driving region of the moving stage (stage) to be calibrated.

본 발명의 노광장치는 기준 플레이트를 이용하여 이동 스테이지의 이동 정밀도(구동 정밀도)의 교정정보를 작성하는 교정부를 구비하는 노광장치에 있어서, 이동 스테이지의 제1 계측영역에 적재한 기준 플레이트를 이용하여 제1 교정정보를 작성하고, 제1 계측영역과의 중복영역을 가지는 적어도 하나의 제2 계측영역에 적재한 기준 플레이트를 이용하여 제2 교정정보를 작성하는 교정부를 구비한다. 바람직하게는 이동 스테이지의 적재면(기준 플레이트, 기판, 레티클 등을 적재하는 면)을 복수로 분할(예를 들어 사분할)한 복수의 제2 계측영역을 가진다. 또한, 본 발명의 노광장치는 이동 스테이지에 적재한 기준 플레이트의 복수의 마크위치를 이동 스테이지의 이동에 따라 검출하는 검출부를 구비하고, 교정부가 검출한 마크위치와, 그 때의 이동 스테이지 위치와의 관계에서 이동 스테이지의 이동 정밀도를 보정하는 보정 맵을 작성한다. 또한, 교정부가 제1 교정정보와 제2 교정정보에 기초하여 이동 스테이지의 제1 계측영역과 제2 계측영역을 합친 영역에 대응하는 교정정보를 작성한다.The exposure apparatus of the present invention is an exposure apparatus comprising a calibration unit for generating calibration information of movement precision (driving accuracy) of a movable stage using a reference plate, using the reference plate placed in the first measurement area of the movable stage. and a calibration unit that creates first calibration information and creates second calibration information using a reference plate mounted on at least one second measurement area having an overlapping area with the first measurement area. Preferably, it has a plurality of second measurement areas in which a mounting surface (a surface on which a reference plate, a substrate, a reticle, etc. are mounted) of the moving stage is divided (eg, divided into quadrants). Further, the exposure apparatus of the present invention includes a detection unit that detects a plurality of mark positions of the reference plate mounted on the moving stage as the moving stage moves, and the mark position detected by the calibration unit is A correction map for correcting the movement precision of the moving stage in relation to each other is created. Further, the calibration unit creates calibration information corresponding to the area in which the first measurement area and the second measurement area of the movable stage are combined based on the first calibration information and the second calibration information.

이러한 노광장치에 의해 기준 플레이트가 이동 스테이지의 판상체를 적재하는 면(즉, 이동 스테이지의 구동범위)에 대해 작은 경우라도, 이동 스테이지의 이동 정밀도를 교정할 수 있다.With such an exposure apparatus, even when the reference plate is small with respect to the surface on which the plate-shaped object of the moving stage is mounted (that is, the driving range of the moving stage), the moving precision of the moving stage can be corrected.

또한, 본 발명의 노광장치는, 교정부가 제2 계측영역에 적재된 기준 플레이트의 중복영역에 위치하는 마크의 위치에 따라, 제2 계측영역에 적재된 기준 플레이트의 위치오차를 보정하여 제2 교정정보를 작성한다. 이러한 노광장치로 인해 상이한 계측영역에 기준 플레이트를 적재함에 따른 오차를 보정하고, 제1 계측영역을 기준으로 다른 계측영역에 대응하는 교정정보를 작성할 수 있다.In addition, in the exposure apparatus of the present invention, the calibration unit corrects the position error of the reference plate loaded in the second measurement area according to the position of the mark located in the overlapping area of the reference plate loaded in the second measurement area to perform the second calibration Write the information. Due to the exposure apparatus, an error caused by loading the reference plate in different measurement areas can be corrected, and calibration information corresponding to the other measurement areas can be created based on the first measurement area.

본 발명의 스테이지 교정 시스템은, 기준 플레이트를 이용하여 이동 스테이지를 교정하는 스테이지 교정 시스템에 있어서, 이동 스테이지의 제1 계측영역에 적재한 기준 플레이트를 이용하여 제1 교정정보를 작성하고, 제1 계측영역과의 중복영역을 가지는 적어도 하나의 제2 계측영역에 적재한 기준 플레이트를 이용하여 제2 교정정보를 작성하는 교정부를 구비한다. 이러한 스테이지 교정 시스템으로 인해 기준 플레이트가 이동 스테이지에 대해 작은 경우라도 이동 스테이지의 이동 정밀도를 교정할 수 있다.The stage calibration system of the present invention is a stage calibration system that calibrates a movable stage using a reference plate, and creates first calibration information using a reference plate loaded in a first measurement area of the movable stage, and performs the first measurement and a calibration unit for creating second calibration information using a reference plate mounted on at least one second measurement area having an overlapping area with the area. Due to this stage calibration system, even when the reference plate is small with respect to the moving stage, it is possible to correct the moving precision of the moving stage.

또한, 본 발명의 스테이지 교정방법은, 이동 스테이지의 제1 계측영역에 기준 플레이트를 적재하는 단계와, 검출수단이 기준 플레이트의 복수의 마크 위치를 이동 스테이지의 이동에 따라 검출하는 단계와, 교정수단이 복수의 마크 위치에서 제1 계측영역에 대응하는 제1 교정정보를 작성하는 단계와, 제1 계측영역과 부분적으로 중복하는 중복영역을 가지는 적어도 하나의 제2 계측영역에 기준 플레이트를 적재하는 단계와, 검출수단이 복수의 마크 위치를 이동 스테이지의 이동에 따라 검출하는 단계와, 교정수단이 복수의 마크 위치에서 제2 계측영역에 대응하는 제2 교정정보를 작성하는 단계, 및 교정수단이 제1 교정정보와 제2 교정정보에 기초하여 이동 스테이지의 이동 정밀도를 보정하는 교정정보를 작성하는 단계를 포함한다.In addition, the stage calibration method of the present invention comprises the steps of: loading a reference plate on a first measurement area of a moving stage; detecting the plurality of mark positions of the reference plate by a detecting means according to the movement of the moving stage; creating first calibration information corresponding to the first measurement area at the plurality of mark positions; and loading a reference plate in at least one second measurement area having an overlapping area partially overlapping with the first measurement area; and detecting, by the detecting means, the plurality of mark positions according to the movement of the moving stage; and creating calibration information for correcting the movement precision of the moving stage based on the first calibration information and the second calibration information.

이러한 교정방법으로 인해, 기준 플레이트의 크기보다 넓은 영역에 대응한 교정정보를 작성할 수 있다.With this calibration method, calibration information corresponding to an area wider than the size of the reference plate can be created.

또한 제2 계측영역에 기준 플레이트를 적재하는 단계에서는 복수의 기준 플레이트를 상기 적재부에 적재하도록 하면 더욱 작업 효율을 향상시킬 수 있다.In addition, in the step of loading the reference plate in the second measurement area, if a plurality of reference plates are loaded in the loading part, work efficiency can be further improved.

또한, 본 발명의 교정방법은 검출수단이 복수의 제2 계측영역의 중복영역에 위치하는 마크의 위치를 검출하는 단계와, 교정부가 중복영역의 복수의 마크 위치에 따라 제2 계측영역에 적재한 각 기준 플레이트의 마크위치 오차를 구하는 단계를 포함한다. 이에 따라, 각 기준 플레이트의 마크위치 오차(기준 플레이트의 설치오차를 포함함)를 보정하고, 제1 계측영역을 기준으로 다른 계측영역에 대응하는 교정정보를 작성할 수 있다.In addition, the calibration method of the present invention comprises the steps of: detecting, by the detecting means, the positions of the marks located in the overlapping areas of the plurality of second measurement areas; and finding a mark position error of each reference plate. Accordingly, it is possible to correct the mark position error (including the installation error of the reference plate) of each reference plate, and to create calibration information corresponding to another measurement area based on the first measurement area.

또한 제2 계측영역에 복수의 기준 플레이트를 적재하는 대신에 판형상의 기재(基材)와, 복수의 기준 플레이트를 구비하고, 기재를 적재부에 적재할 때 복수의 계측영역(제2 계측영역)에 따른 위치에 기준 플레이트가 각각 위치하도록, 기재에 기준 플레이트가 고정된 교정 지그를 사용할 수도 있다. 이와 같은 지그를 이용함으로써 작업성을 더욱 향상시킬 수 있다.In addition, instead of loading a plurality of reference plates in the second measurement area, a plate-shaped substrate and a plurality of reference plates are provided, and a plurality of measurement areas (second measurement area) are provided when the substrate is loaded on the loading unit. A calibration jig in which the reference plate is fixed to the substrate may be used so that the reference plates are respectively positioned at positions according to . By using such a jig, workability can be further improved.

본 발명에 따르면, 이동 스테이지의 구동영역보다 작은 기준 플레이트를 이용하여 이동 스테이지의 구동 정밀도를 보정하기 위한 교정정보를 정밀하게 작성하고, 기판 스테이지의 구동 정밀도를 보정하는 것이 가능하다.According to the present invention, it is possible to precisely create calibration information for correcting the driving precision of the moving stage by using a reference plate smaller than the driving area of the moving stage, and to correct the driving precision of the substrate stage.

도 1은, 본 발명의 노광장치의 개략 블록도이다.
도 2는, 제1 실시예의 기준 플레이트(SP)와 기준 플레이트(SP)에 배열된 기준마크(Mij)를 나타내는 도면이다.
도 3은, 제1 실시예의 기판 스테이지(40)와 계측영역(AS1 내지 AS5)을 나타내는 도면이다.
도 4는, 제1 실시예의 기판 스테이지(40)의 계측영역(AS1)에 기준 플레이트(SP)가 적재된 상태를 나타내는 도면이다.
도 5는, 제1 실시예의 계측영역(AS1)의 보정 맵(CM1)의 일부 데이터를 나타내는 표이다.
도 6은, 제1 실시예의 기판 스테이지(40)의 계측영역(AS2)에 기준 플레이트(SP)가 적재된 상태를 나타내는 도면이다.
도 7은, 제1 실시예의 기판 스테이지(40)의 구동 정밀도의 교정방법을 나타내는 플로우차트이다.
도 8은, 제2 실시예의 기판 스테이지(40)에 기준 플레이트(SPa 내지 SPd)를 배치한 상태를 나타내는 도면이다.
도 9는, 제2 실시예의 기판 스테이지(40)의 구동 정밀도의 교정방법을 나타내는 플로우차트이다.
도 10은, 제3 실시예의 제2 기준 플레이트(SP2)를 나타내는 도면이다.
도 11은, 제3 실시예의 기판 스테이지(40)의 구동 정밀도의 교정방법을 나타내는 플로우차트이다.
도 12는, 기판 스테이지(40)의 전체영역(AS)을 다수의 계측영역으로 분할한 예를 나타내는 도면이다.
1 is a schematic block diagram of an exposure apparatus of the present invention.
Fig. 2 is a view showing a reference plate SP and a reference mark Mij arranged on the reference plate SP in the first embodiment.
Fig. 3 is a diagram showing the substrate stage 40 and measurement areas AS1 to AS5 of the first embodiment.
Fig. 4 is a diagram showing a state in which the reference plate SP is mounted on the measurement area AS1 of the substrate stage 40 of the first embodiment.
5 : is a table|surface which shows partial data of correction map CM1 of measurement area AS1 of 1st Example.
6 is a diagram showing a state in which the reference plate SP is mounted on the measurement area AS2 of the substrate stage 40 of the first embodiment.
7 is a flowchart showing a method of calibrating the driving precision of the substrate stage 40 according to the first embodiment.
Fig. 8 is a diagram showing a state in which reference plates SPa to SPd are arranged on the substrate stage 40 of the second embodiment.
9 is a flowchart showing a method of calibrating the driving precision of the substrate stage 40 according to the second embodiment.
Fig. 10 is a view showing the second reference plate SP2 of the third embodiment.
11 is a flowchart showing a method of calibrating the driving precision of the substrate stage 40 according to the third embodiment.
12 is a diagram showing an example in which the entire area AS of the substrate stage 40 is divided into a plurality of measurement areas.

이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대해서 설명한다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

<노광장치(10)의 개요><Outline of exposure apparatus 10>

도 1은 본 실시예인 노광장치(10)의 블록도이다.1 is a block diagram of an exposure apparatus 10 according to the present embodiment.

노광장치(10)는 포토 마스크로서의 레티클(R)에 형성된 마스크 패턴을 스텝 & 리피트 방식에 따라 기판(워크 기판)(W)에 전사하는 투영 노광장치이고, 방전램프 등의 광원(20)과, 투영 광학계(34)를 구비하고 있다. 레티클(R)은 석영재 등으로 구성되어 있고, 차광영역을 가지는 마스크 패턴이 형성되어 있다. 기판(W)은 여기에서는 실리콘, 세라믹, 유리 또는 수지제의 기판 등이 적용된다.The exposure apparatus 10 is a projection exposure apparatus that transfers a mask pattern formed on a reticle R as a photomask to a substrate (work substrate) W according to a step-and-repeat method, and includes a light source 20 such as a discharge lamp; A projection optical system 34 is provided. The reticle R is made of a quartz material or the like, and a mask pattern having a light-shielding region is formed. As the substrate W, a substrate made of silicon, ceramic, glass, or resin is applied here.

광원(20)으로부터 방사된 조명광은 거울(22)을 통해 적분기(24)에 입사하여 조명광의 양이 균일하게 된다. 균일하게 된 조명광은 거울(26)을 통해 콜리메이터 렌즈(28)에 입사한다. 이에 따라, 평행광이 레티클(R)에 입사된다. 광원(20)은 램프 구동부(21)에 의해 구동 제어된다.The illumination light emitted from the light source 20 is incident on the integrator 24 through the mirror 22 so that the amount of illumination light becomes uniform. The uniformized illumination light enters the collimator lens 28 through the mirror 26 . Accordingly, the parallel light is incident on the reticle R. The light source 20 is driven and controlled by the lamp driver 21 .

레티클(R)을 탑재한 레티클 스테이지(30), 기판(W)을 탑재한 기판 스테이지(40)에는 서로 직교하는 X-Y-Z의 3 축 좌표계가 규정되어 있다. 레티클 스테이지(30)는 레티클(R)을 초점면에 따라 이동하도록 X-Y 방향으로 이동가능하며, 구동부(32)에 의해 구동된다. 또한, 레티클 스테이지(30)는 X-Y 좌표평면에 있어서 회전도 가능하다. 레티클 스테이지(30)의 위치좌표는 여기에서는 레이저 간섭계(미도시) 또는 리니어 엔코더(미도시)에 의해 측정된다.In the reticle stage 30 on which the reticle R is mounted and the substrate stage 40 on which the substrate W is mounted, a three-axis coordinate system of X-Y-Z orthogonal to each other is prescribed. The reticle stage 30 is movable in the X-Y direction to move the reticle R along the focal plane, and is driven by the driving unit 32 . Also, the reticle stage 30 can be rotated in the X-Y coordinate plane. The position coordinates of the reticle stage 30 are measured here by a laser interferometer (not shown) or a linear encoder (not shown).

레티클(R)을 투과한 광은 투영 광학계(34)에 의해 기판(W)에 패턴 광으로 투영된다. 기판(W)은 그 노광면이 투영 광학계(34)의 이미지 측(像側) 초점 위치와 일치하도록 기판 스테이지(40)에 탑재되어 있다.The light transmitted through the reticle R is projected onto the substrate W as pattern light by the projection optical system 34 . The substrate W is mounted on the substrate stage 40 so that its exposure surface coincides with the image-side focal position of the projection optical system 34 .

기판 스테이지(40)(이동 스테이지)는 기판(W)을 초점면에 따라 이동하도록 X-Y 방향으로 이동가능하며, 스테이지 구동부(42)(구동부)에 의해 구동된다. 또한 기판 스테이지(40)는 초점면(X-Y방향)으로 수직인 Z축 방향(투영 광학계(34)의 광축방향)으로 이동가능하며, 또한, X-Y 좌표 평면에 있어서 회전할 수도 있다. 기판 스테이지(40)의 위치좌표는 레이저 간섭계 또는 리니어 엔코더에 의한 계측부(43)에 의해 측정된다.The substrate stage 40 (moving stage) is movable in the X-Y direction so as to move the substrate W along the focal plane, and is driven by the stage driver 42 (driver). In addition, the substrate stage 40 is movable in the Z-axis direction (optical-axis direction of the projection optical system 34) perpendicular to the focal plane (X-Y direction), and can also rotate in the X-Y coordinate plane. The positional coordinates of the substrate stage 40 are measured by the measuring unit 43 by means of a laser interferometer or a linear encoder.

제어부(50)는 스테이지 구동부(42)를 제어하여 레티클(R), 기판(W)을 위치 결정함과 동시에 램프 구동부(21)를 제어한다. 그리고 스텝 & 리피트 방식에 따른 노광동작을 수행한다. 이 때, 기판 스테이지(40)의 이동에 따라 계측부(43)가 그 이동량을 계측하고 제어부(50)에 출력한다. 제어부(50)에 구비된 기억부(51)에는 레티클(R)의 마스크 패턴 위치좌표, 기판(W)에 형성된 쇼트 영역의 설계상의 위치좌표, 스텝 이동량 등이 기억되어 있다. 또한, 제어부(50)에는 후술하는 교정정보를 산출하는 교정수단(교정부)(52)이 구비되어 있다.The controller 50 controls the stage driver 42 to position the reticle R and the substrate W, and simultaneously controls the lamp driver 21 . Then, the exposure operation according to the step & repeat method is performed. At this time, according to the movement of the substrate stage 40 , the measurement unit 43 measures the amount of movement and outputs it to the control unit 50 . The storage unit 51 provided in the control unit 50 stores the mask pattern position coordinates of the reticle R, the design position coordinates of the shot region formed on the substrate W, the step movement amount, and the like. In addition, the control unit 50 is provided with calibration means (calibration unit) 52 for calculating calibration information to be described later.

촬상부(36)는 기판(W)에 형성된 얼라인먼트 마크를 촬상하는 카메라 또는 광학센서이며, 쇼트 노출 전에 얼라인먼트 마크를 촬상한다. 또한 촬상부(37)는 레티클(R)에 형성된 얼라인먼트 마크를 촬상하는 카메라 또는 광학센서이고, 도시하지 않은 이동기구에서 도 1의 X 방향으로 이동가능하게 설치되어 있다. 화상 처리부(38)는 촬상부(36) 또는 촬상부(37)에서 송신되는 화상신호에 기초하여 얼라인먼트 마크의 위치좌표를 산출한다. 여기서, 촬상부(36)와 촬상부(37) 및 화상 처리부(38)를 모두 마크위치 검출수단이라고 칭한다.The imaging part 36 is a camera or an optical sensor which images the alignment mark formed in the board|substrate W, and images an alignment mark before a short exposure. Further, the imaging unit 37 is a camera or an optical sensor for imaging the alignment marks formed on the reticle R, and is provided so as to be movable in the X direction in FIG. 1 by a moving mechanism (not shown). The image processing unit 38 calculates the positional coordinates of the alignment marks based on the image signal transmitted from the image capturing unit 36 or the image capturing unit 37 . Here, the imaging unit 36, the imaging unit 37, and the image processing unit 38 are all referred to as mark position detecting means.

노광장치(10)는 스텝 & 리피트 방식에 따라 기판(W)에 형성된 각 쇼트 영역에 레티클(R)의 마스크 패턴을 순차 전사해 간다. 즉, 제어부(50)는 스테이지 구동부(42)를 통해 쇼트 공간 간격에 따라 기판 스테이지(40)를 간헐적으로 이동시키고, 마스크 패턴의 투영위치에 노출대상이 되는 쇼트 영역이 위치결정 되면, 광원(20)을 구동하여 패턴광을 쇼트 영역에 투영시킨다.The exposure apparatus 10 sequentially transfers the mask pattern of the reticle R to each shot region formed on the substrate W according to the step & repeat method. That is, the control unit 50 intermittently moves the substrate stage 40 according to the shot space interval through the stage driver 42 , and when the shot region to be exposed is positioned at the projection position of the mask pattern, the light source 20 ) to project the pattern light onto the shot area.

얼라인먼트 측정 시에는, 계측부(43)는 기판 스테이지(40)의 XY 평면내에서의 위치(X, Y, θz)를 산출한다.In the alignment measurement, the measurement unit 43 calculates the positions (X, Y, θz) of the substrate stage 40 in the XY plane.

다음으로, 기판 스테이지(40)의 구동 정밀도를 보정하기 위한 교정정보를 작성하는 방법에 대해 설명한다. 해당 방법을 설명하기 앞서 상기 방법에 이용되는 기준 플레이트에 대해서 설명한다.Next, a method of creating calibration information for correcting the driving precision of the substrate stage 40 will be described. Before describing the method, a reference plate used in the method will be described.

도 2에는 기준 플레이트(SP)의 일례가 도시되어 있다. 기준 플레이트(SP)는 기판 스테이지(40)보다 작은 판형 부재이다. 기준 플레이트(SP)의 부재로 유리, 실리콘, 세라믹 등이 이용된다. 도 2는 구형의 예를 도시하고 있지만, 원형이나 다각형일 수도 있다.2 shows an example of the reference plate SP. The reference plate SP is a plate-shaped member smaller than the substrate stage 40 . Glass, silicon, ceramic, etc. are used as a member of the reference plate SP. 2 shows an example of a spherical shape, but may be circular or polygonal.

기준 플레이트(SP)는 도 2에 도시한 바와 같이, m×n개의 기준마크(Mij)가 부여된다. 이들 기준마크는 X방향으로 m개가 늘어선 기준마크열과, Y방향으로 n개가 늘어선 기준마크의 열이 서로 직교하는 2 차원 매트릭스 형태의 위치관계에 있다.As shown in FIG. 2, the reference plate SP is provided with m×n reference marks Mij. These reference marks are in a positional relationship in the form of a two-dimensional matrix in which m reference mark columns lined up in the X direction and n reference mark columns lined up in the Y direction are orthogonal to each other.

기준마크(Mij)는 기준 플레이트(SP)의 표면에 촬상부(36)에서 촬상했을 때 콘트라스트가 상이한(기준 플레이트(SP)의 표면과 상이한 광 반사율을 가짐) 패턴으로 형성되어 있다. 기준마크(Mij)는 화상 처리부(38)에서 마크로 인식가능한 패턴형상이다 (예를 들어 원형, 구형(矩形), 십자형 등). 또한 기준마크(Mij)의 크기는 촬상부(36)의 촬상시야의 크기에 따라 적절하게 설정된다.The reference mark Mij is formed on the surface of the reference plate SP in a pattern different in contrast (having a light reflectance different from that of the surface of the reference plate SP) when imaged by the imaging unit 36 . The reference mark Mij is a pattern shape recognizable as a mark by the image processing unit 38 (for example, circular, spherical, cross-shaped, etc.). In addition, the size of the reference mark Mij is appropriately set according to the size of the imaging field of the imaging unit 36 .

기준마크 배열의 피치(Px, Py)는 기판 스테이지(40)의 설계사양 또는 노광되는 기판 등에 따라 적절히 설정된다. 예를 들어, 패키지 기판의 제조인 경우, 칩의 배열 피치와 동일한 피치 기준마크(Mij)를 구비할 수도 있다. 이 때 기준마크(Mij)의 중심은 칩 중심에 근접한 위치에 구비될 수 있으며, 또는 노광하는 패키지에 구비되는 얼라인먼트 마크에 따른 위치에 구비할 수도 있다. 또는, 노광하는 기판에 상관없이 일률적으로, 예를 들어 10mm 피치로 기준마크를 구비할 수도 있다.The pitches (Px, Py) of the reference mark arrangement are appropriately set according to the design specifications of the substrate stage 40 or the substrate to be exposed. For example, in the case of manufacturing a package substrate, a pitch reference mark Mij equal to the arrangement pitch of the chips may be provided. In this case, the center of the reference mark Mij may be provided at a position close to the chip center, or may be provided at a position according to an alignment mark provided in a package to be exposed. Alternatively, the reference marks may be uniformly provided regardless of the substrate to be exposed, for example, at a pitch of 10 mm.

<제1 실시예><First embodiment>

다음으로, 기판 스테이지(40)의 구동 정밀도를 교정하기 위한 교정정보를 작성하는 제1 실시예에 대해서 도3 내지 도 6의 개략도 및 도 7의 플로우차트를 이용하여 설명한다.Next, a first embodiment in which calibration information for calibrating the driving precision of the substrate stage 40 is created will be described with reference to the schematic diagrams of Figs. 3 to 6 and the flowchart of Fig. 7 .

이하, 제1 실시예의 구성을 설명한다.Hereinafter, the configuration of the first embodiment will be described.

도 3은, 기판 스테이지(40)의 계측영역을 나타내는 도이다. 기판 스테이지(40)의 중앙부에 계측영역(AS1)이 구비되고, 또한 기판 스테이지(40)의 전체영역(AS)을 4 분할하여 계측영역(AS1)과 중복되는 영역을 갖도록 계측영역(AS2 내지 AS5)이 구비되어 있다. 여기서, 계측영역이란, 마크 위치를 계측하는 범위를 나타내는 영역이지만, 동시에 마크위치를 계측하기 위해 이동 스테이지의 구동 시 구동영역을 나타내는 영역이기도 하다.3 : is a figure which shows the measurement area|region of the substrate stage 40. As shown in FIG. A measurement area AS1 is provided in the central portion of the substrate stage 40 , and the measurement areas AS2 to AS5 are further divided into 4 to have an area overlapping the measurement area AS1 by dividing the entire area AS of the substrate stage 40 . ) is provided. Here, the measurement area is an area indicating the range for measuring the mark position, but is also an area indicating the driving area when the movable stage is driven to measure the mark position at the same time.

다음으로, 제1 실시예에 따른 교정방법의 순서를 설명한다 (도 7참조).Next, the procedure of the calibration method according to the first embodiment will be described (see Fig. 7).

단계 S101. 먼저 도 4와 같이 기준 플레이트(SP)를 기판 스테이지(40) 상의 중앙부의 계측영역(AS1)에 설치한다. 이때 기준마크 배열의 X방향의 열과 Y방향의 열이 X축 및 Y축과 각각 평행하도록 기준 플레이트(SP)의 방향(회전)을 대략 맞춘 상태에서 기판 스테이지(40)위에 설치한다. 이 때 후술하는 방법에 따라 기준 플레이트(SP)의 2점의 기준마크의 위치를 구하고, 기준 플레이트(SP)의 XYθ을 보정하도록 할 수 있다. 또한, 기준 플레이트(SP)는 반송장치(미도시)를 통해 기판 스테이지(40)상으로 이동할 수도 있고, 또는 작업자가 직접 기판 스테이지(40)상에 설치할 수도 있다.Step S101. First, as shown in FIG. 4 , the reference plate SP is installed in the central measurement area AS1 on the substrate stage 40 . At this time, it is installed on the substrate stage 40 in a state in which the direction (rotation) of the reference plate SP is approximately aligned so that the X-direction column and the Y-direction column of the reference mark arrangement are parallel to the X-axis and the Y-axis, respectively. At this time, according to a method to be described later, the positions of two reference marks of the reference plate SP may be obtained, and the XYθ of the reference plate SP may be corrected. In addition, the reference plate SP may be moved onto the substrate stage 40 through a transfer device (not shown), or an operator may directly install it on the substrate stage 40 .

단계 S102. 다음으로, 스테이지 구동부(42)에 의해 촬상부(36)가 소정의 기준마크(예를 들어 기준마크(M11))를 촬상하는 위치로 기판 스테이지(40)를 이동시킨다. 다음으로 촬상부(36)가 기준 플레이트(SP)를 촬상하고, 화상 처리부(38)가 기준마크(Mij)의 위치를 산출한다. 제어부(50)는 화상 처리부(38)에서 송신된 기준마크(Mij)의 위치정보를 기억부(51)에 저장한다. 다음으로, 제어부(50)가 계측부(43)의 계측하는 기판 스테이지(40)의 현위치를 참조하면서 스테이지 구동부(42)를 제어하고, 기판 스테이지(40)를 기준 플레이트(SP)의 기준마크(Mij)의 배열에 따라 소정 거리(기준마크 배열의 설계 피치(Px) 또는(Py)) 이동시킨다. 전단계와 동일하게 하여 촬상부(36)가 기준 플레이트(SP)를 촬상하고, 화상 처리부(38)가 기준마크(Mij)의 위치를 산출하고 기억부(51)에 저장한다. 이렇게 하여 기판 스테이지(40)의 스텝이동을 반복하여 기준 플레이트(SP)의 모든 기준마크의 위치를 측정하고 위치 정보를 기억부(51)에 저장한다.Step S102. Next, by the stage driving unit 42 , the imaging unit 36 moves the substrate stage 40 to a position where a predetermined reference mark (for example, the reference mark M11) is imaged. Next, the imaging unit 36 images the reference plate SP, and the image processing unit 38 calculates the position of the reference mark Mij. The control unit 50 stores the position information of the reference mark Mij transmitted from the image processing unit 38 in the storage unit 51 . Next, the control unit 50 controls the stage driving unit 42 while referring to the current position of the substrate stage 40 measured by the measurement unit 43 , and sets the substrate stage 40 to the reference mark ( Mij) is moved a predetermined distance (design pitch (Px) or (Py) of reference mark arrangement) according to the arrangement. In the same manner as in the previous step, the imaging unit 36 images the reference plate SP, and the image processing unit 38 calculates the position of the reference mark Mij and stores it in the storage unit 51 . In this way, the step movement of the substrate stage 40 is repeated to measure the positions of all the reference marks on the reference plate SP, and the position information is stored in the storage unit 51 .

또한, 계측영역(AS1)은 다른 계측영역을 측정할 때 기준이 되는 계측영역이기 때문에, 특히 정밀하게 측정할 필요가 있다. 따라서 상기 단계(S102)를 여러번(예를들면 3회) 반복하고, 기준마크(Mij)마다 측정값의 평균을 내어 이를 기준마크 배열의 위치정보로 할 수도 있다.In addition, since the measurement area AS1 is a reference measurement area when measuring other measurement areas, it is necessary to measure particularly precisely. Therefore, the step S102 may be repeated several times (for example, three times), and the average of the measured values for each reference mark Mij may be used as position information of the reference mark arrangement.

단계 S103. 다음으로, 제어부(50)에 접속된 교정수단(52)이, 기억부(51)에 미리 기억된 기준마크 배열의 설계좌표 데이터와, 단계 S102에서 계측된 기준마크(Mij)의 실제 스텝이동 후 위치좌표 데이터의 차분을 구한다. 상기 차분이 바로 기준마크(Mij)위치에서의 스테이지 이동오차(Dij(ΔXij, ΔYij))가 된다. 다음으로, 교정수단(52)은 상기 스테이지 이동오차(Dij)의 부호를 반전한 값인 보정값(Rij(-ΔXij, -ΔYij))을 산출한다. 이 Rij를 각 기준마크(Mij) 대해서 각각 산출하고, 다음으로 기준마크 배열에 따라 보정값(Rij)을 배열하여 계측영역(AS1)의 보정맵(CM1)을 작성하고 기억부(51)에 저장한다.Step S103. Next, after the calibration means 52 connected to the control unit 50 moves the design coordinate data of the reference mark arrangement stored in advance in the storage unit 51 and the actual step movement of the reference mark Mij measured in step S102 Find the difference between the position coordinate data. The difference becomes the stage movement error Dij(ΔXij, ΔYij) at the position of the reference mark Mij. Next, the correction unit 52 calculates a correction value Rij(-ΔXij, -ΔYij) that is a value obtained by inverting the sign of the stage movement error Dij. This Rij is calculated for each reference mark Mij, and then the correction values Rij are arranged according to the reference mark arrangement to create a correction map CM1 of the measurement area AS1 and stored in the storage unit 51 do.

도 5는 보정 맵(CM1)의 일례를 표로 나타내는 것이다. 이 표에서는 보정 맵(CM1) 중 기준마크 배열(M11 내지 M35)의 범위의 보정값(ΔX,-ΔY)을 예로 보여주고 있다. 예를 들어, 기준마크(M11)에서의 보정값(R11(-ΔX11,-ΔY11))은 표에 따르면(0.24, - 0.12)[μm]이다. 또한 M11의 기판 스테이지(40)에서의 위치는 스테이지 좌표(X, Y)로 표시되며, (187.0,112.0)[mm]이다.Fig. 5 shows an example of the correction map CM1 in a table. In this table, correction values ΔX, -ΔY in the range of the reference mark arrays M11 to M35 among the correction map CM1 are shown as examples. For example, the correction value R11 (-?X11, -?Y11) in the reference mark M11 is (0.24, -0.12) [μm] according to the table. Further, the position of M11 on the substrate stage 40 is expressed by stage coordinates (X, Y), and is (187.0, 112.0) [mm].

단계 S104. 다음으로, 도 6과 같이 기준 플레이트(SP)를 기판 스테이지(40) 상의 계측영역(AS2)에 설치한다.Step S104. Next, as shown in FIG. 6 , the reference plate SP is installed in the measurement area AS2 on the substrate stage 40 .

단계 S105. 다음으로, 스테이지 구동부(42)가 촬상부(36)가 소정의 기준마크(예를 들어 기준마크(M11))를 촬상하는 위치로 기판 스테이지(40)를 이동시킨다. 그 후, 기억부(51)에 미리 기억된 기준마크 배열의 설계좌표에 따라 제어부(50)가 스테이지 구동부(42)를 통해 기판 스테이지(40)를 구동하고, 촬상부(36)가 계측영역(AS1)과 계측영역(AS2)의 중복영역(AS2a)에 존재하는 적어도 2점(십자마크 등의 자세각도가 명백한 마크인 경우는 적어도 1점)의 기준마크를 촬상하고 화상 처리부(38)가 그 위치를 측정한다. 이 때, X방향 또는 Y방향에 쌍을 이루는 복수의 기준마크의 위치를 계측하면 계측 정밀도를 높일 수 있으므로 바람직하다. 예를 들어, 도 5에서 M11과 M41, M12와 M42의 2쌍이 X방향으로 쌍을 이루는 기준마크에 해당한다. 또한 M11 및 M12, M21 및 M22, M31 및 M32, M41과 M42의 4쌍이 Y방향에 쌍을 이루는 기준마크에 해당한다.Step S105. Next, the stage driving unit 42 moves the substrate stage 40 to a position where the imaging unit 36 images a predetermined reference mark (for example, the reference mark M11). Then, according to the design coordinates of the reference mark arrangement stored in advance in the storage unit 51, the control unit 50 drives the substrate stage 40 through the stage driving unit 42, and the imaging unit 36 moves the measurement area ( A reference mark of at least two points (at least one point in the case of a mark with a clear posture angle such as a cross mark) existing in the overlapping area AS2a of the AS1) and the measurement area AS2 is imaged, and the image processing unit 38 moves the position measure At this time, it is preferable to measure the positions of a plurality of reference marks forming a pair in the X-direction or the Y-direction because the measurement accuracy can be improved. For example, in FIG. 5 , two pairs of M11 and M41 and M12 and M42 correspond to reference marks forming a pair in the X direction. In addition, four pairs of M11 and M12, M21 and M22, M31 and M32, and M41 and M42 correspond to reference marks forming a pair in the Y direction.

단계 S105에서의 계측 시, 보정 맵(CM1)을 토대로 기존의 보간처리(예를 들면 선형 보간)를 수행하여 기판 스테이지(40)의 현위치에 따른 보정값을 산출하고, 그 보정값을 이용하여 기판 스테이지(40)의 구동 정밀도를 교정한다. 여기서, 구동 정밀도의 교정은, 계측부(43)의 계측결과를 제어부(50)에서 보정하는 것(즉 계측량의 보정) 또는 제어부(50)가 스테이지 구동부(42)에 기판 스테이지(40)의 이동을 지령할 때, 목표값을 보정하는 것(즉, 구동량의 보정)을 의미한다. 어느 보정방법을 이용하여도 무방하지만, 여기에서는 구동량의 보정을 수행하는 것을 전제로 설명한다.At the time of measurement in step S105, an existing interpolation process (for example, linear interpolation) is performed based on the correction map CM1 to calculate a correction value according to the current position of the substrate stage 40, and using the correction value The driving precision of the substrate stage 40 is corrected. Here, the calibration of the driving precision is to correct the measurement result of the measurement unit 43 by the control unit 50 (that is, to correct the measurement amount) or the control unit 50 moves the substrate stage 40 to the stage driving unit 42 . When , it means to correct the target value (that is, to correct the driving amount). Although any correction method may be used, the description will be made on the premise that correction of the driving amount is performed.

단계 S106. 다음으로 제어부(50)가 복수의 기준마크를 잇는 선분의 각도를 산출한다. 다음으로 X방향 및 Y방향의 선분에서 기판 스테이지(40)의 X축 및 Y축에 대한 기준 플레이트(SP)의 설치각도 및 설치위치를 산출한다. 그 후, 제어부(50)가 기억부(51)에 저장되어 있는 기준마크 배열의 설계좌표 데이터와, 기준 플레이트의 설치각도 및 위치를 토대로, 다음 단계 S107에서 사용하는 기판 스테이지(40)의 이동목표 좌표데이터(즉, 기준마크 배열의 설계 좌표 데이터)의 보정을 수행한다.Step S106. Next, the control unit 50 calculates the angle of the line segment connecting the plurality of reference marks. Next, an installation angle and an installation position of the reference plate SP with respect to the X and Y axes of the substrate stage 40 are calculated in the line segments in the X and Y directions. After that, the control unit 50 based on the design coordinate data of the reference mark arrangement stored in the storage unit 51 and the installation angle and position of the reference plate, the movement target of the substrate stage 40 used in the next step S107. Correction of the coordinate data (that is, the design coordinate data of the reference mark arrangement) is performed.

단계 S107. 다음으로 단계 S102에서 설명한 것과 동일하게 하여 기준 플레이트(SP)의 모든 기준마크의 위치를 측정하고 위치정보를 기억부(51)에 기억한다.Step S107. Next, in the same manner as described in step S102, the positions of all the reference marks on the reference plate SP are measured, and the position information is stored in the storage unit 51 .

단계 S108. 다음으로 단계 S103에서 설명한 바와 같이, 제어부(50)에 접속된 교정수단(52)이 계측영역(AS2)의 보정 맵(CM2)을 작성하고 기억부(51)에 기억한다.Step S108. Next, as demonstrated in step S103, the calibration means 52 connected to the control part 50 creates the correction map CM2 of the measurement area AS2, and memorize|stores it in the memory|storage part 51. FIG.

단계 S109, S110. 계측영역(AS3 내지 AS5)에 대해서도 동일한 처리를 수행한다. 즉, 모든 계측영역의 보정 맵 작성이 완료하였는지를 판정하고(단계 S109), 종료하지 않은 경우에는 나머지 계측영역에 대해서도 순차적으로 단계 S105 내지 단계 S108과 마찬가지로 기준 플레이트(SP)를 측정하여 보정 맵(CM3 내지 CM5)을 작성하고 기억부(51)에 기억한다(단계 S110).Steps S109, S110. The same processing is performed for the measurement areas AS3 to AS5. That is, it is determined whether the creation of the correction map for all measurement areas is completed (step S109), and if not completed, the reference plate SP is sequentially measured for the remaining measurement areas as in steps S105 to S108, and the correction map CM3 to CM5) are created and stored in the storage unit 51 (step S110).

단계 S111. 제어부(50)는 보정 맵(CM1 내지 CM5)을 토대로 기판 스테이지(40) 전체영역(AS)의 보정 맵을 작성한다. 계측영역의 중복부에 대해서는 보정 맵(CM1)을 사용한다. 이 때, 보정 맵의 경계부분은 인접하는 2개의 보정 맵의 비선형 보정을 수행한다.Step S111. The control unit 50 creates a correction map of the entire area AS of the substrate stage 40 based on the correction maps CM1 to CM5 . The correction map CM1 is used for the overlapping part of the measurement area. In this case, the boundary portion of the correction map performs non-linear correction of two adjacent correction maps.

상술한 바와 같이 하여, 기판 스테이지(40)의 보정 맵이 기억부(51)내에 저장된다. 그리고 예를 들어, 웨이퍼의 노광 시 등, 그 보정 맵을 이용하여 기판 스테이지(40)의 구동 정밀도가 교정된다.As described above, the correction map of the substrate stage 40 is stored in the storage unit 51 . Then, for example, during exposure of the wafer, the driving precision of the substrate stage 40 is corrected using the correction map.

여기서, 상기의 실시예에서는 보정 맵(CM1 내지 CM5)의 5개의 보정 맵을 기초로 기판 스테이지(40) 전체영역(AS)의 보정 맵을 작성하였으나, 이를 보정 맵(CM2 내지 CM5)의 4개의 보정 맵에 의해 기판 스테이지(40) 전체영역(AS)의 보정 맵을 작성하도록 할 수 있다.Here, in the above embodiment, a correction map of the entire area AS of the substrate stage 40 was created based on the five correction maps of the correction maps CM1 to CM5, It is possible to create a correction map of the entire area AS of the substrate stage 40 by using the correction map.

<제2 실시예><Second embodiment>

제1 실시예에서는 기판 스테이지(40)상에서 한 장의 기준 플레이트(SP)의 적재위치를 변경함으로써 계측영역(AS1 내지 AS5)의 스테이지 이동오차를 순서대로 계측하였다. 제2 실시예에서는, 도 8과 같이 복수의 기준 플레이트(Spa)(기준 플레이트(Spa)는 기준 플레이트(SP)를 사용할 수도 있음)(SPb, SPc, SPd)를 이용하여 계측영역(AS2 내지 AS5)의 스테이지 이동 오차계측을 연속적으로 실시한다.In the first embodiment, the stage movement errors in the measurement areas AS1 to AS5 were sequentially measured by changing the mounting position of one reference plate SP on the substrate stage 40 . In the second embodiment, as shown in FIG. 8, the measurement areas AS2 to AS5 using a plurality of reference plates Spa (the reference plate Spa may use the reference plate SP) (SPb, SPc, SPd) ) of the stage movement error is measured continuously.

이러한 경우, 기준 플레이트(SPa 내지 SPd)는 기준마크의 배열에 있어서 기준 플레이트(SP)와 동일한 특성으로 간주하는 것이 바람직하다. 또한, 기판 스테이지(40)상에 적재한 경우 촬상하는 기준마크의 배열에 개체 차이가 나지 않도록 동일한 재질, 동일한 판 두께로 평면도가 양호한 것이 바람직하다.In this case, it is preferable that the reference plates SPa to SPd have the same characteristics as the reference plates SP in the arrangement of the reference marks. In addition, it is preferable that the flatness is good with the same material and the same plate thickness so that there is no individual difference in the arrangement of reference marks to be imaged when it is mounted on the substrate stage 40 .

제2 실시예에 따른 기판 스테이지(40)의 구동 정밀도를 교정하기 위한 교정정보를 작성하는 방법을 도 9를 참고하여 설명한다. 단계 S201 내지 S203은 제1 실시예의 단계 S101 내지 단계 S103과 동일한 절차를 가진다. 다음으로, 계측영역(AS2 내지 AS5)에 기준 플레이트(SPa 내지 SPd)를 각각 적재한다 (단계 S204).A method of creating calibration information for calibrating the driving precision of the substrate stage 40 according to the second embodiment will be described with reference to FIG. 9 . Steps S201 to S203 have the same procedure as steps S101 to S103 of the first embodiment. Next, the reference plates SPa to SPd are respectively loaded in the measurement areas AS2 to AS5 (step S204).

다음으로, 제1 실시예의 단계 S105 내지 단계 S110과 동일하게 하여 각 계측영역의 보정 맵을 작성하고, 단계 S111과 동일하게 하여 기판 스테이지(40) 전체영역(AS)의 보정 맵을 작성한다(단계 S205 내지 S209).Next, in the same manner as in steps S105 to S110 of the first embodiment, a correction map for each measurement region is created, and in the same manner as in step S111, a correction map for the entire region AS of the substrate stage 40 is created (step S111). S205 to S209).

제2 실시예에 따르면, 기판 스테이지(40)에 기준 플레이트의 적재를 하나의 공정에서 수행하고, 연속하여 마크위치의 계측이 가능하기 때문에 작업성이 향상된다. 또한, 교정에 소요되는 시간을 단축할 수 있다.According to the second embodiment, since the loading of the reference plate on the substrate stage 40 is performed in one process, and the mark position can be continuously measured, workability is improved. In addition, the time required for calibration can be reduced.

<제3 실시예><Third embodiment>

제2 실시예에서는 계측영역(AS2 내지 AS5)의 스테이지 이동오차의 계측을 복수의 기준 플레이트(SPa 내지 SPd)를 이용하여 연속적으로 실시하였으나, 제3 실시예에서는 상기 복수의 기준 플레이트를 한 장의 기재 상에 고정하여 하나의 기준 플레이트로 다룬다.In the second embodiment, measurement of the stage movement error in the measurement regions AS2 to AS5 was continuously performed using a plurality of reference plates SPa to SPd, but in the third embodiment, the plurality of reference plates are described as one sheet. Fix it on top and treat it as one reference plate.

도 10은, 제2 기준 플레이트(SP2)의 일례이다. 제2 기준 플레이트(SP2)는 기판 스테이지(40)의 기판 적재면과 동일한 정도의 크기의 기재(PB) 및 상기 기재(PB)에 붙여서 고정되어 있는 4 개의 기준 플레이트 부재(PSP1 내지 PSP4)로 구성된다.10 is an example of the second reference plate SP2. The second reference plate SP2 includes a substrate PB having the same size as the substrate loading surface of the substrate stage 40 and four reference plate members PSP1 to PSP4 attached and fixed to the substrate PB. do.

제2 기준 플레이트(SP2)를 기재(PB)는 기준 플레이트 부재(PSP1 내지 PSP4)와 근접한 열팽창 계수의 재료를 사용하면 좋고, 예를 들면 세라믹이 이용된다.For the second reference plate SP2 and the substrate PB, a material having a coefficient of thermal expansion close to that of the reference plate members PSP1 to PSP4 may be used. For example, ceramic is used.

제2 기준 플레이트(SP2)의 기준 플레이트 부재(PSP1 내지 PSP4)는 각각 기준 플레이트(SP)와 동일한 피치로 동일한 형상의 기준마크(M2ij)가 2 차원 매트릭스 형태로 형성되어 있다. 제2 기준 플레이트(SP2)의 기준 플레이트 부재(PSP1 내지 PSP4)는 기준 플레이트(SP)와 동일한 재료, 동일한 제조법으로 제조하는 것이 바람직하다.The reference plate members PSP1 to PSP4 of the second reference plate SP2 have reference marks M2ij having the same shape at the same pitch as that of the reference plate SP, respectively, in a two-dimensional matrix form. The reference plate members PSP1 to PSP4 of the second reference plate SP2 are preferably manufactured using the same material and the same manufacturing method as the reference plate SP.

도 10에 나타내는 바와 같이, 기준 플레이트 부재(PSP1 내지 PSP4)에는 접착 등의 공정에 기인하여 서로 상이한 설치 오차가 발생할 수 있다. 이 때문에, 제2 기준 플레이트(SP2)를 한 장의 연속된 기준 플레이트로 간주하여 사용할 수 없다. 따라서 제2 실시예와 마찬가지로, 기준 플레이트 부재(PSP1 내지 PSP4)에 대해서 기판 스테이지(40)로 적재오차를 각각 구하고, 각 적재오차에 따라 기준 플레이트 부재(PSP1 내지 PSP4)마다 스테이지 이동오차를 계측함으로써 기판 스테이지(40)의 보정 맵을 작성한다.As shown in FIG. 10 , different installation errors may occur in the reference plate members PSP1 to PSP4 due to a process such as adhesion. For this reason, the second reference plate SP2 cannot be regarded as a continuous reference plate and used. Therefore, similarly to the second embodiment, each of the loading errors is obtained with the substrate stage 40 for the reference plate members PSP1 to PSP4, and the stage movement error is measured for each reference plate member PSP1 to PSP4 according to each loading error. A correction map of the substrate stage 40 is created.

제3 실시예에 따른 기판 스테이지(40)의 구동 정밀도를 교정하기 위한 교정정보를 작성하는 방법에 대해서 도 11을 참조하여 설명한다. 단계 S301 내지 S303은 제2 실시예의 단계 S201 내지 단계 S203과 동일한 절차이다. 다음은 전체영역(AS)에 제2 기준 플레이트(SP2)를 각각 적재한다 (단계 S304). 다음으로 제2 실시예의 단계 S205 내지 단계 S209와 동일하게 하여 각 계측영역의 보정 맵을 작성하고, 기판 스테이지(40) 전체영역(AS)의 보정 맵을 작성한다 (단계 S305 내지 S309).A method of creating calibration information for calibrating the driving precision of the substrate stage 40 according to the third embodiment will be described with reference to FIG. 11 . Steps S301 to S303 are the same procedures as steps S201 to S203 of the second embodiment. Next, the second reference plates SP2 are respectively loaded on the entire area AS (step S304). Next, in the same manner as in steps S205 to S209 of the second embodiment, a correction map for each measurement area is created, and a correction map for the entire area AS of the substrate stage 40 is created (steps S305 to S309).

제3 실시예에 따르면, 기판 스테이지(40)로 기준 플레이트의 적재를 한번에 수행할 수 있기 때문에, 보다 작업성이 향상된다. 또한 교정에 소요되는 시간을 단축할 수 있다.According to the third embodiment, since the loading of the reference plate onto the substrate stage 40 can be performed at once, the workability is further improved. In addition, the time required for calibration can be reduced.

이상과 같이 본 발명에 따르면, 스테이지 구동영역보다 작은 기준 플레이트를 사용하여도 이동 스테이지의 구동 정밀도를 보정하기 위한 교정정보를 작성하는 것이 가능하게 된다.As described above, according to the present invention, it is possible to create calibration information for correcting the driving precision of the moving stage even when a reference plate smaller than the stage driving area is used.

또한, 이동 스테이지가 기판 스테이지(40)인 경우를 예로 들어 설명하였으나, 레티클 스테이지(30)도 동일한 방법으로 구동 정밀도를 교정할 수 있다. 이러한 경우, 촬상부(37)를 이용하여 레티클 스테이지 상에 적재한 기준 플레이트의 마크를 검출한다.In addition, although the case where the moving stage is the substrate stage 40 has been described as an example, the driving precision of the reticle stage 30 can also be corrected in the same way. In this case, the mark of the reference plate mounted on the reticle stage is detected using the imaging unit 37 .

또한, 기판 스테이지(40)를 4분할한 영역이 제2 계측영역인 경우를 예로 들어 설명하였으나, 분할수 또는 배치는 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 도 12와 같이 기판 스테이지(40)를 중앙부의 제1 계측영역(AS1)과, 제1 계측영역과 부분적으로 중복하는 제2 계측영역(AS2 내지 AS5)과, 제2 계측영역 중 하나와 부분적으로 중복하는 제3계측영역(AS6 내지 AS13)을 구비하여도 좋다. 이러한 경우 교정부(52)는 계측영역(AS1내지 AS2)에 대응하는 보정 맵(CM1 내지 CM13)에 기초하여 구동부의 구동 정밀도를 보정하는 교정정보를 작성한다.In addition, although the case where the area obtained by dividing the substrate stage 40 into 4 is the second measurement area has been described as an example, the number of divisions or arrangement is not limited thereto. For example, as shown in FIG. 12 , a first measurement area AS1 in the center of the substrate stage 40, second measurement areas AS2 to AS5 partially overlapping the first measurement area, and a second measurement area A third measurement area AS6 to AS13 partially overlapping one may be provided. In this case, the calibration unit 52 creates calibration information for correcting the driving accuracy of the drive unit based on the correction maps CM1 to CM13 corresponding to the measurement areas AS1 to AS2.

또한, 노광장치의 용도로서 반도체 패키지 제조용의 노광장치로 한정되지 않고, 액정표시 패널용 노광장치, 프린트 기판용 노광장치 등에도 널리 적용할 수 있다.In addition, the use of the exposure apparatus is not limited to an exposure apparatus for manufacturing a semiconductor package, and can be widely applied to an exposure apparatus for a liquid crystal display panel, an exposure apparatus for a printed circuit board, and the like.

또한 노광장치(10)는 실시예의 투영 노광장치로 한정하는 것이 아니며, 예를 들어, 레티클이 없는 마스크리스 노광장치도 본 발명을 실시할 수 있다. 또한, 본 발명은 노광장치 이외의 장치의 스테이지 교정 시스템으로서 이용하는 것도 가능하다.In addition, the exposure apparatus 10 is not limited to the projection exposure apparatus of the embodiment, and, for example, a maskless exposure apparatus without a reticle can also implement the present invention. Further, the present invention can also be used as a stage calibration system for devices other than the exposure apparatus.

10: 투영 노광장치
38: 화상 처리부
40: 기판 스테이지
42: 스테이지 구동부
43: 계측부
50: 제어부
51: 기억부
52: 교정수단(교정부)
SP: 기준 플레이트
SP2: 제2 기준 플레이트
Mij: 기준마크
PSP1 내지 PSP4: 기준 플레이트 부재
R: 레티클
AS1 내지 AS13: 계측영역
10: projection exposure apparatus
38: image processing unit
40: substrate stage
42: stage driving unit
43: measurement unit
50: control unit
51: memory
52: correction means (correction unit)
SP: reference plate
SP2: second reference plate
Mij: reference mark
PSP1 to PSP4: reference plate member
R: Reticle
AS1 to AS13: Measurement area

Claims (10)

행과 열이 서로 직교하는 2 차원 매트릭스 형태의 위치 관계를 갖는 기준마크가 부여된 기준 플레이트를 이용하여 이동 스테이지의 이동 정밀도의 교정정보를 작성하는 교정부를 구비하는 노광장치에 있어서,
상기 이동 스테이지의 제1 계측영역에 적재된 상기 기준 플레이트를 이용하여 제1 교정정보를 작성하고, 상기 제1 교정정보의 작성이 완료된 이후, 상기 제1 계측영역에서, 상기 제1 계측영역과 부분적으로 중복하는 중복영역을 가지는 적어도 하나의 제2 계측영역으로 이동되어 적재된 상기 기준 플레이트를 이용하여 제2 교정정보를 작성하는 상기 교정부를 구비하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
An exposure apparatus comprising: a calibration unit for creating calibration information of movement accuracy of a moving stage using a reference plate to which a reference mark having a positional relationship in the form of a two-dimensional matrix in which rows and columns are orthogonal to each other;
First calibration information is created using the reference plate loaded in the first measurement area of the moving stage, and after the creation of the first calibration information is completed, in the first measurement area, the first measurement area and the first measurement area are partially and the calibration unit for creating second calibration information by using the reference plate that has been moved to and loaded into at least one second measurement area having an overlapping area with .
제1항에 있어서,
상기 교정부가, 상기 제2 계측영역에 적재된 상기 기준 플레이트에 부여된 복수의 기준마크 중, 상기 중복영역에 위치하는 기준마크의 위치를 기초로, 상기 제2 계측영역에 적재된 상기 기준 플레이트의 위치오차를 보정하여 상기 제2 교정정보를 작성하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
According to claim 1,
the calibration unit, based on the position of the reference mark located in the overlapping area, among the plurality of reference marks provided to the reference plate loaded in the second measurement area, of the reference plate loaded in the second measurement area The exposure apparatus according to claim 1, wherein the second correction information is created by correcting the position error.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 교정부가, 상기 제1 교정정보와 상기 제2 교정정보를 기초로 상기 이동 스테이지의 상기 제1 계측영역과 상기 제2 계측영역을 합친 영역에 대응하는 상기 교정정보를 작성하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
3. The method of claim 1 or 2,
Exposure characterized in that the calibration unit creates the calibration information corresponding to an area in which the first measurement area and the second measurement area of the moving stage are combined based on the first calibration information and the second calibration information. Device.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 교정부가, 상기 이동 스테이지의 적재면을 복수로 분할한 복수의 상기 제2 계측영역을 기초로 상기 제2 교정정보를 작성하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
3. The method of claim 1 or 2,
The exposure apparatus characterized in that the said calibration part creates the said 2nd calibration information based on the some 2nd measurement area|region which divided|segmented the mounting surface of the said moving stage into a plurality.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 이동 스테이지에 적재된 상기 기준 플레이트에 부여된 복수의 기준마크의 위치를 상기 이동 스테이지의 이동에 따라 검출하는 검출부를 구비하고,
상기 교정부가 검출한 상기 마크위치와, 그 때의 상기 이동 스테이지 위치의 관계에서 상기 이동 스테이지의 이동 정밀도를 보정하는 보정 맵을 작성하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
3. The method of claim 1 or 2,
a detection unit configured to detect positions of a plurality of reference marks provided to the reference plate mounted on the moving stage according to the movement of the moving stage;
An exposure apparatus characterized by creating a correction map for correcting the movement precision of the moving stage in relation to the mark position detected by the correction unit and the moving stage position at that time.
행과 열이 서로 직교하는 2 차원 매트릭스 형태의 위치 관계를 갖는 기준마크가 부여된 기준 플레이트를 이용하여 이동 스테이지를 교정하는 스테이지 교정 시스템에 있어서,
상기 이동 스테이지의 제1 계측영역에 적재된 상기 기준 플레이트를 이용하여 제1 교정정보를 작성하고, 상기 제1 교정정보의 작성이 완료된 이후, 상기 제1 계측영역에서, 상기 제1 계측영역과 부분적으로 중복하는 중복영역을 가지는 적어도 하나의 제2 계측영역으로 이동되어 적재된 상기 기준 플레이트를 이용하여 제2 교정정보를 작성하는 교정부를 구비하는 것을 특징으로 하는 스테이지 교정 시스템.
A stage calibration system for calibrating a moving stage using a reference plate to which a reference mark having a positional relationship in the form of a two-dimensional matrix in which rows and columns are orthogonal to each other,
First calibration information is created using the reference plate loaded in the first measurement area of the moving stage, and after the creation of the first calibration information is completed, in the first measurement area, the first measurement area and the first measurement area are partially and a calibration unit configured to create second calibration information using the reference plate loaded and moved to at least one second measurement area having an overlapping overlapping area.
이동 스테이지의 제1 계측영역에, 행과 열이 서로 직교하는 2 차원 매트릭스 형태의 위치 관계를 갖는 기준마크가 부여된 기준 플레이트를 적재하는 단계와,
검출수단이 상기 기준 플레이트에 부여된 복수의 기준마크의 위치를 상기 이동 스테이지의 이동에 따라 검출하는 단계와,
교정부가 상기 복수의 기준마크의 위치에서 상기 제1 계측영역에 대응하는 제1 교정정보를 작성하는 단계와,
상기 제1 교정정보의 작성이 완료된 이후, 상기 기준 플레이트를, 상기 제1 계측영역에서, 상기 제1 계측영역과 부분적으로 중복하는 중복영역을 가지는 적어도 하나의 제2 계측영역으로 이동하여 적재하는 단계와,
상기 검출수단이 상기 기준 플레이트에 부여된 복수의 기준마크의 위치를 상기 이동 스테이지의 이동에 따라 검출하는 단계와,
상기 교정부가 상기 복수의 기준마크의 위치에서 상기 제2 계측영역에 대응하는 제2 교정정보를 작성하는 단계와,
상기 교정부가 제1 교정정보와 제2 교정정보를 기초로 상기 이동 스테이지의 이동 정밀도를 보정하는 교정정보를 작성하는 단계
를 구비하는 것을 특징으로 하는 스테이지 교정방법.
loading a reference plate to which a reference mark having a positional relationship in the form of a two-dimensional matrix in which rows and columns are orthogonal to each other is assigned to a first measurement area of the moving stage;
detecting, by a detection means, the positions of a plurality of reference marks provided on the reference plate according to the movement of the moving stage;
creating, by a calibration unit, first calibration information corresponding to the first measurement area at positions of the plurality of reference marks;
After the preparation of the first calibration information is completed, moving the reference plate from the first measurement area to at least one second measurement area having an overlapping area partially overlapping with the first measurement area and loading the reference plate Wow,
detecting, by the detection means, the positions of the plurality of reference marks provided on the reference plate according to the movement of the moving stage;
creating, by the calibration unit, second calibration information corresponding to the second measurement area at positions of the plurality of reference marks;
creating, by the calibration unit, calibration information for correcting the movement precision of the movable stage based on the first calibration information and the second calibration information;
Stage calibration method comprising a.
제7항에 있어서,
상기 이동 스테이지가 복수의 제2 계측영역을 갖는 경우,
상기 복수의 제2 계측영역 각각으로, 복수의 기준 플레이트를 적재하는 단계
를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 스테이지 교정방법.
8. The method of claim 7,
When the moving stage has a plurality of second measurement areas,
loading a plurality of reference plates into each of the plurality of second measurement areas;
Stage calibration method, characterized in that it further comprises.
제8항에 있어서,
상기 검출수단이, 상기 복수의 제2 계측영역에 적재된 각 기준 플레이트에 부여된 복수의 기준마크 중, 상기 중복영역에 위치하는 기준마크의 위치를 검출하는 단계와,
상기 교정부가 상기 검출된 기준마크의 위치에 따라 상기 복수의 제2 계측영역에 적재된 각 기준 플레이트의 마크위치 오차를 구하는 단계
를 더 포함하는 것을 특징으로 스테이지 교정방법.
9. The method of claim 8,
detecting, by the detection means, a position of a reference mark located in the overlapping area among a plurality of reference marks provided to each reference plate loaded on the plurality of second measurement areas;
obtaining, by the calibration unit, a mark position error of each reference plate loaded in the plurality of second measurement areas according to the detected position of the reference mark;
Stage calibration method further comprising a.
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