KR100718875B1 - Image sensor manufacturing method and the image sensor therefrom - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 27
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 64
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 64
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 64
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 49
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 32
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 31
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 14
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 13
- HVMJUDPAXRRVQO-UHFFFAOYSA-N copper indium Chemical compound [Cu].[In] HVMJUDPAXRRVQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N aluminum gallium Chemical compound [Al].[Ga] RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 claims description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 9
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 6
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 4
- FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N alumanylidynearsane;gallanylidynearsane Chemical compound [As]#[Al].[As]#[Ga] FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- UPWPDUACHOATKO-UHFFFAOYSA-K gallium trichloride Chemical compound Cl[Ga](Cl)Cl UPWPDUACHOATKO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN heterojunction type
- H01L31/0749—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN heterojunction type including a AIBIIICVI compound, e.g. CdS/CulnSe2 [CIS] heterojunction solar cells
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16L—PIPES; JOINTS OR FITTINGS FOR PIPES; SUPPORTS FOR PIPES, CABLES OR PROTECTIVE TUBING; MEANS FOR THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16L55/00—Devices or appurtenances for use in, or in connection with, pipes or pipe systems
- F16L55/10—Means for stopping flow from or in pipes or hoses
- F16L55/115—Caps
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic System
- H01L31/1808—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic System including only Ge
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/184—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIIBV compounds, e.g. GaAs, InP
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
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Abstract
본 발명은 실리콘 기반의 소자에 비하여 감도를 획기적으로 향상시키고 소형화에 유리한 이미지 센서용 포토다이오드의 제조 방법 및 그 포토다이오드가 개시된다. Disclosed is a method for manufacturing a photodiode for an image sensor, which is superior in sensitivity to a silicon based device and is advantageous for miniaturization, and a photodiode thereof.
본 발명에 따른 이미지 센서용 포토다이오드는 (a)실리콘 기판상에 포토 레지스트를 코팅하는 단계와, (b)감광 및 식각을 통하여 실리콘 기판상에 소정 깊이의 홈을 형성하는 단계, (c)상기 (b)단계에서 형성된 홈에 빛 흡수층을 형성하는 단계, 및 (d)상기 (c)단계에서 형성된 빛 흡수층을 결정성장하는 단계;를 포함하고 상기 실리콘 기판과 상기 빛 흡수층의 접합은 이종접합으로 이루어지며, 상기 빛흡수층은 게르마늄(Ge), 갈륨비소(GaAs), 인화인듐(InP), 비소화알루미늄갈륨(Al0.33Ga0.67As), 카드뮴델러라이드(CdTe), 카퍼인듐셀러라이드(CuInSe2) 또는 카퍼인듐갈륨셀러라이드(CuInGaSe2) 중에서 선택된 것인 것을 특징으로 한다.A photodiode for an image sensor according to the present invention comprises the steps of: (a) coating a photoresist on a silicon substrate; (b) forming a groove with a predetermined depth on the silicon substrate through photoresist and etching; (c) forming a light absorbing layer in the groove formed in the step (b), and (d) crystal-growing the light absorbing layer formed in the step (c), wherein the bonding between the silicon substrate and the light absorbing layer is a heterojunction Wherein the light absorption layer is made of a material selected from the group consisting of Ge, GaAs, InP, Al 0.33 Ga 0.67 As, CdTe, CuInSe 2 ) Or capper indium gallium cellulide (CuInGaSe 2 ).
본 발명에 따른 이미지 센서용 포토다이오드 제조 방법에 따르면, 실리콘 기판상에 빛 흡수층을 형성시키는데, 게르마늄이 빛 흡수율이 높기 때문에 얇은 빛 흡수층으로도 실리콘 기반의 이미지 센서에 비하여 우수한 광 강도 감지 특성을 가지므로 실리콘을 사용한 이미지 센서에 비해 얇은 두께의 빛 흡수층을 사용하여 충분히 빛을 흡수 할 수 있으며, 작은 크기의 이미지 센서를 제조하는 것이 가능하게 된다.According to the method of manufacturing a photodiode for an image sensor according to the present invention, a light absorption layer is formed on a silicon substrate. Since germanium has a high light absorption rate, a thin light absorption layer has superior light intensity detection characteristics It is possible to absorb light sufficiently by using a thin light absorbing layer as compared with an image sensor using silicon, and it becomes possible to manufacture an image sensor of small size.
게르마늄, 이미지 센서, 포토 센서, 감도 Germanium, image sensor, photosensor, sensitivity
Description
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 이미지 센서용 포토다이오드의 제조 방법을 나타낸 흐름도,1 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a photodiode for an image sensor according to a first embodiment of the present invention.
도 2a 내지 도 2e는 도 1의 제조 방법에 따라 제조되는 공정을 설명하기 위한 단면도,FIGS. 2A to 2E are cross-sectional views for explaining processes to be performed according to the manufacturing method of FIG. 1,
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 이미지 센서용 포토다이오드의 제조 방법을 나타낸 흐름도, 및3 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a photodiode for an image sensor according to a second embodiment of the present invention, and Fig.
도 4a 내지 도 4c는 도 3의 제조 방법에 따라 제조되는 공정을 설명하기 위한 단면도.4A to 4C are cross-sectional views for explaining processes to be produced according to the manufacturing method of FIG. 3;
본 발명은 이미지 센서용 포토다이오드에 관한 것으로, 더 상세하게는 Si 기반의 소자에 비하여 감도를 획기적으로 향상시키고 소형화에 유리한 이미지 센서용 포토다이오드에 관한 것이다.The present invention relates to a photodiode for an image sensor, and more particularly, to a photodiode for an image sensor which is remarkably improved in sensitivity and advantageous in miniaturization compared to a Si-based device.
이미지 센서는 빛의 강도를 측정하는데 사용되는 소자인데, 일반적으로 이러한 이 미지 센서는 다수개의 포토다이오드들로 구성되며, 이러한 포토다이오드는 실리콘(Si)을 기반으로 제조되고 있다. 하지만, 종래의 실리콘을 기반으로 한 이미지 센서용 포토다이오드의 제조 방법에 의하여 제조된 이미지 센서용 포토다이오드는 빛에 대한 감도가 그다지 높지 않으며, 적색 파장대를 예로 들면 그 투과 깊이가 깊고, 이러한 깊은 침투 깊이는 포토센서의 영역이 깊어지는 원인이 되어 크로스토크를 발생하기 되는 문제점이 있다. 또한 실리콘 반도체의 약한 흡수특성 때문에 충분한 신호를 얻기 위하여 넓은 면적의 포토다이오드를 필요로 하게 되어 소자의 소형화에 장애가 된다는 문제점이 있다.An image sensor is an element used to measure the intensity of light. In general, the image sensor is composed of a plurality of photodiodes, and the photodiodes are manufactured based on silicon (Si). However, the conventional photodiode for an image sensor manufactured by a manufacturing method of a photodiode for an image sensor based on silicon has a low sensitivity to light, and a red wavelength range has a deep penetration depth. For example, There is a problem in that the depth causes a deepening of the area of the photosensor, which causes crosstalk. In addition, due to the weak absorption characteristic of the silicon semiconductor, a large area photodiode is required to obtain a sufficient signal, which is an obstacle to miniaturization of the device.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 실리콘 기반의 포토다이오드를 사용하는 이미지 센서에 비하여 감도를 향상시키고 작은 크기의 이미지 센서를 제조할 수 있는 이미지 센서용 포토다이오드를 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a photodiode for an image sensor capable of improving the sensitivity and manufacturing a small-sized image sensor as compared with an image sensor using a silicon-based photodiode.
상기 기술적 과제를 이루기 위한 본 발명의 일측면에 따른 이미지 센서용 포토다이오드의 제조 방법은 광을 받아들여 그 광의 강도를 측정하는데 사용되는 이미지 센서의 제조 방법에 있어서,According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an image sensor for receiving light and measuring the intensity of the light,
(a)실리콘 기판상에 포토 레지스트를 코팅하는 단계; (b)감광 및 식각을 통하여 실리콘 기판상에 소정 깊이의 홈을 형성하는 단계; (c)상기 (b)단계에서 형성된 홈에 빛 흡수층을 형성하는 단계; 및 (d)상기 (c)단계에서 형성된 빛 흡수층을 결정성장하는 단계;를 포함하고 상기 실리콘 기판과 상기 빛 흡수층의 접합은 이종접합으로 이루어지며, 상기 빛흡수층은 게르마늄(Ge), 갈륨비소(GaAs), 인화인듐(InP), 비소화알루미늄갈륨(Al0.33Ga0.67As), 카드뮴델러라이드(CdTe), 카퍼인듐셀러라이드(CuInSe2) 또는 카퍼인듐갈륨셀러라이드(CuInGaSe2) 중에서 선택된 것인 것을 특징으로 한다.(a) coating a photoresist on a silicon substrate; (b) forming a groove having a predetermined depth on the silicon substrate through photoresist and etching; (c) forming a light absorption layer in the groove formed in the step (b); And (d) crystal growth of the light absorbing layer formed in the step (c), wherein the bonding between the silicon substrate and the light absorbing layer is made by a heterojunction, and the light absorbing layer comprises germanium (Ge), gallium arsenide a GaAs), indium phosphide (InP), the non-digested aluminum gallium (Al 0.33 Ga 0.67 As), cadmium delreo fluoride (CdTe), copper indium selling fluoride (CuInSe is selected from 2), or copper indium gallium selling fluoride (CuInGaSe 2) .
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또한, 상기 기술적 과제를 이루기 위한 본 발명의 다른 측면에 따른 이미지 센서용 포토다이오드의 제조 방법은 광을 받아들여 그 광의 강도를 측정하는데 사용되는 이미지 센서의 제조 방법에 있어서,According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an image sensor for receiving light and measuring intensity of the light,
(a)제1 도전형 실리콘 기판상에 제2 도전형 빛 흡수층을 형성하는 단계; (b)상기 (a)단계에서 형성된 빛 흡수층 위에 포토 레지스트를 코팅하는 단계; (c)감광 및 패턴을 형성하는 단계; 및 (d)상기 (c)단계에서 패턴에서 노출된 빛 흡수층을 제거하는 단계; 및 (e)상기 (d)단계에서 형성된 빛 흡수층을 결정성장하는 단계;를 포함하고 상기 실리콘 기판과 상기 빛 흡수층의 접합은 이종접합으로 이루어지며, 상기 빛 흡수층은 게르마늄(Ge), 갈륨비소(GaAs), 인화인듐(InP), 비소화알루미늄갈륨(Al0.33Ga0.67As), 카드뮴델러라이드(CdTe), 카퍼인듐셀러라이드(CuInSe2) 또는 카퍼인듐갈륨셀러라이드(CuInGaSe2) 중에서 선택된 것인 것을 특징으로 한다.(a) forming a second conductive type light absorbing layer on a first conductive silicon substrate; (b) coating a photoresist on the light absorption layer formed in step (a); (c) forming a photosensitizer and a pattern; And (d) removing the light absorbing layer exposed in the pattern in the step (c). And (e) crystal growth of the light absorbing layer formed in the step (d), wherein the bonding between the silicon substrate and the light absorbing layer is made by a heterojunction, and the light absorbing layer is composed of germanium (Ge), gallium arsenide a GaAs), indium phosphide (InP), the non-digested aluminum gallium (Al 0.33 Ga 0.67 As), cadmium delreo fluoride (CdTe), copper indium selling fluoride (CuInSe is selected from 2), or copper indium gallium selling fluoride (CuInGaSe 2) .
또한, 상기 기술적 과제를 이루기 위한 본 발명의 또 다른 측면에 따른 이미지 센서용 포토다이오드는 광을 받아들여 그 광의 강도를 측정하는데 사용되는 이미지 센서에 있어서 소정 깊이의 홈이 형성된 실리콘 기판; 및 상기 홈에 형성된 게르마늄층을 결정성장한 빛 흡수층;을 포함하고 상기 실리콘 기판과 상기 빛 흡수층의 접합은 이종접합으로 이루어지며, 상기 빛 흡수층은 게르마늄(Ge), 갈륨비소(GaAs), 인화인듐(InP), 비소화알루미늄갈륨(Al0.33Ga0.67As), 카드뮴델러라이드(CdTe), 카퍼인듐셀러라이드(CuInSe2) 또는 카퍼인듐갈륨셀러라이드(CuInGaSe2) 중에서 선택된 것인 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, there is provided an image sensor for receiving light and measuring intensity of the light, comprising: a silicon substrate having a predetermined depth groove; And a light absorbing layer formed by crystal-growing a germanium layer formed in the groove, wherein the bonding between the silicon substrate and the light absorbing layer is made by a heterojunction, and the light absorbing layer is made of germanium (Ge), gallium arsenide (GaAs), indium phosphide InP), aluminum gallium arsenide (Al 0.33 Ga 0.67 As), cadmiumdelaride (CdTe), capper indium cellulide (CuInSe 2 ) or copper indium gallium cellulide (CuInGaSe 2 ).
또한, 상기 이미지 센서는 상기 실리콘 기판과 빛 흡수층 상에는 에피텍셜 성장되어 형성된 실리콘층; 및 상기 실리콘층상에 형성된 절연막층;을 더 포함하는 것이 바람직하다.The image sensor may further include a silicon layer formed on the silicon substrate and the light absorption layer by epitaxial growth; And an insulating layer formed on the silicon layer.
또한, 상기 기술적 과제를 이루기 위한 본 발명의 또 다른 측면에 따른 이미지 센서용 포토다이오드는 광을 받아들여 그 광의 강도를 측정하는데 사용되는 이미지 센서에 있어서, 실리콘 기판; 및 상기 실리콘 기판상에 결정성장된 빛 흡수층;을 포함하고 상기 실리콘 기판과 상기 빛 흡수층의 접합은 이종접합으로 이루어지며, 상기 빛 흡수층은 게르마늄(Ge), 갈륨비소(GaAs), 인화인듐(InP), 비소화알루미늄갈륨(Al0.33Ga0.67As), 카드뮴델러라이드(CdTe), 카퍼인듐셀러라이드(CuInSe2) 또는 카퍼인듐갈륨셀러라이드(CuInGaSe2) 중에서 선택된 것인 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, there is provided an image sensor for receiving light and measuring the intensity of the light, comprising: a silicon substrate; And a light absorbing layer grown on the silicon substrate, wherein the bonding between the silicon substrate and the light absorbing layer is made by a heterojunction, and the light absorbing layer is made of germanium (Ge), gallium arsenide (GaAs), indium phosphide ), Aluminum gallium arsenide (Al 0.33 Ga 0.67 As), cadmiumdelaride (CdTe), copper indium cellulide (CuInSe 2 ) or copper indium gallium cellulide (CuInGaSe 2 ).
이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 보다 상세히 설명하기로 한다. 또한 빛 흡수층은 게르마늄(Ge)층을 예로 들어서 설명한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Reference will now be made in detail to the preferred embodiments of the present invention, examples of which are illustrated in the accompanying drawings. Further, the light absorption layer is explained by taking a germanium (Ge) layer as an example.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 이미지 센서용 포토다이오드의 제조 방법을 나타낸 흐름도이다. 도 2a 내지 도 2e는 도 1의 제조 방법에 따라 제조되는 공정을 설명하기 위한 단면도이다. 도 2a 내지 도 2e는 이하에서 수시로 참조된다.1 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a photodiode for an image sensor according to a first embodiment of the present invention. 2A to 2E are cross-sectional views illustrating a process of manufacturing the semiconductor device according to the method of FIG. 2A-2E are sometimes referred to below.
도 1을 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 이미지 센서용 포토다이오드의 제조 방법에서는 먼저, p형 실리콘(이하, Si라 칭함) 기판(20)상에 포토 레지스트(Photo Resist: 이하 PR이라 칭함)를 코팅(단계 S102)하여 PR층(22)을 형성한다. 다음으로, PR층(22)을 감광 및 식각(단계 S104)하여 p형 실리콘 기판상에 홈(21: 도 2b)을 형성하고, 식각된 홈(21)에 n형 게르마늄(이하 Ge라 칭함)층(24: 도 2c)을 형성(단계 S106)하고 PR층을 제거한다.Referring to FIG. 1, in a method of manufacturing a photodiode for an image sensor according to a second embodiment of the present invention, a photoresist (hereinafter referred to as PR) is formed on a p-type silicon (hereinafter referred to as Si) (Step S102) to form the
다음으로, 상기 단계(S106)에서 형성된 n형 게르마늄층을 결정 성장(단계 S108)하고, Si를 에피텍셜 성장(단계 S110)시켜 Si층(26: 도 2d)을 형성하고, SiO2층과 같은 절연막(28: 도 2e) 및 게이트 전극을 형성하는 MOS(Metal Oxide Semiconductor) 공정이 이루어질 수 있다. 위와 같이 제조된 하나의 단위는 p형 실리콘 기판(20)과 n형 게르마늄(24)을 사용하거나 p형 불순물을 실리콘 기판(20)상에 도핑하고 n형 불순물을 게르마늄층(24)에 도핑함으로써 이미지 센서에서 하나의 픽셀을 이루게 됨은 당업자라면 이해될 수 있을 것이다.Next, an n-type germanium layer formed in step S106 is subjected to crystal growth (step S108), and Si is epitaxially grown (step S110) to form a Si layer 26 (FIG. 2D) (28: Fig. 2E) and a MOS (Metal Oxide Semiconductor) process for forming a gate electrode. One unit manufactured as described above is formed by using the p-
한편, 식각에 의하지 않고 실리콘 기판상에 직접 Ge층을 형성한 후 그 Ge층상에 결정성장을 기반으로 Ge를 성장시킬 수도 있을 것이다. 도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 이미지 센서의 제조 방법을 나타낸 흐름도이고, 도 4a 내지 도 4c는 도 3의 제조 방법에 따라 제조되는 공정을 설명하기 위한 단면도이다. 도 4a 내지 도 4c는 이하에서 수시로 참조된다.On the other hand, Ge layer may be formed directly on the silicon substrate without etching, and then Ge may be grown on the Ge layer based on the crystal growth. FIG. 3 is a flowchart illustrating a method of manufacturing an image sensor according to a second embodiment of the present invention, and FIGS. 4A to 4C are cross-sectional views illustrating a manufacturing process according to the manufacturing method of FIG. 4A-4C are referred to from time to time.
도 3을 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 이미지 센서용 포토다이오드의 제조 방법에서는 먼저, Si 기판(40)상에 Ge층(44)을 형성하고(단계 S301) 포토 레지스트(Photo Resist: 이하 PR이라 칭함)를 코팅(단계 S302)하여 PR층(42)을 형성한다. 다음으로, PR층(42)에 감광 및 패턴을 형성(단계 S304)하고, 형성된 패턴의 Si 기판상에서 노출된 Ge층(44-1)을 제거(단계 S306)시키고, PR층을 제거(단계 S308)한다. 다음으로, 단계(S306)에서 형성된 Ge층을 결정성장시킨다(단계 S309). 본원 발명의 이미지 센서는 상기 Si 기판(40)상에 결정 성장되어 형성된 Ge층(44)을 구비하는 포토센서를 기반으로 한다는 것이다.Referring to FIG. 3, in the method of manufacturing a photodiode for an image sensor according to the second embodiment of the present invention, a
다음으로, Si를 에피텍셜 성장(단계 S310)시켜 Si층(46: 도 4b)을 형성하고, SiO2층과 같은 절연막(48: 도 4c) 및 게이트 전극을 형성하는 MOS(Metal Oxide Semiconductor) 공정(단계 S312)이 이루어질 수 있다. 위와 같이 제조된 하나의 단위는 p형 실리콘 기판(20)과 n형 게르마늄(24)을 사용하거나 p형 불순물을 실리콘 기판(20)상에 도핑하고 n형 불순물을 게르마늄층(24)에 도핑함으로써 이미지 센서 에서 하나의 픽셀을 이루게 됨은 당업자라면 이해될 수 있을 것이다.Next, a Si layer 46 (FIG. 4B) is formed by epitaxial growth of Si (step S310), an MOS (Metal Oxide Semiconductor) process (FIG. Step S312) may be performed. One unit manufactured as described above is formed by using the p-
상기와 같이 제조된 이미지 센서용 포토다이오드에서 실리콘 기판상에 식각에 의하여 홈을 형성하고 그 위에 증착 또는 스퍼터링되거나 식각에 의하지 아니하고 결정 성장될 수 있는 게르마늄(이하 Ge이라 칭함)은 실리콘(이하 Si이라 칭함)에 비하여 가시 광 영역에서 200 배 이상의 감도를 갖는다. 또한 Ge은 Si과의 격자상수의 차가 5% 이내로써, Si위에 Ge을 특정한 두께까지 결정 성장 시키는 것이 가능하다.In the photodiode for image sensor manufactured as described above, germanium (hereinafter referred to as Ge), which is formed on the silicon substrate by etching and is deposited or sputtered on the silicon substrate or can be crystal-grown without etching, The sensitivity is 200 times or more in the visible light region. In addition, Ge can be grown to a specific thickness of Ge on Si with a difference in lattice constant from Si to within 5%.
상기와 같은 이미지 센서용 포토다이오드는 감도가 Si을 기반으로 하는 소자에 비하여 수 백배 향상된다. Si을 기반으로 하는 이미지 센서는 Si의 낮은 감도 특성 때문에 깊은 침투 깊이를 갖게 되는데, 적색 파장대인 700nm 파장의 빛에 대하여 최대 5㎛까지 침투하게 되며, 이러한 깊은 침투 깊이는 포토센서의 영역이 깊어지는 원인이 되며, 또한 크로스토크의 원인이 된다. 또한 Si의 낮은 빛의 흡수는 Si 포토다이오드가 넓은 영역을 차지하는 이유가 된다.Such a photodiode for an image sensor is improved several hundred times as compared to a device based on Si. The Si-based image sensor has a deep penetration depth due to the low sensitivity of Si. It penetrates up to 5 μm for light of 700 nm wavelength, which is the red wavelength range. This deep penetration depth is caused by the deepening of the area of the photosensor And also causes crosstalk. Also, the low light absorption of Si is the reason why the Si photodiode occupies a large area.
반면에, 본 발명에 따른 이미지 센서용 포토다이오드 제조 방법에 따르면, Ge을 사용하며, Ge에서의 적색 파장 대역을 가지는 광의 침투 깊이는 Ge의 강한 흡수특성 때문에 Si에 비하여 수백분의 일로 작아지게 된다. 즉, 격자상수가 기판과 다른 물질을 기판 위에 성장시키는 경우 격자상수 차가 클수록 성장 층의 두께는 제한을 받는데, 본 발명에 따르면, 실리콘 기판상에 Ge층을 형성시키는데, Ge이 빛 흡수율이 높기 때문에 얇은 Ge층으로도 실리콘 기반의 이미지 센서용 포토다이오드에 비하여 우수한 광 강도 감지 특성을 가지므로 격자상수 차에 의해 제한된 두께의 Ge층을 사용하여 충분히 빛을 흡수 할 수 있으며, 작은 크기의 이미지 센서를 제조하 는 것이 가능하게 된다.On the other hand, according to the method of manufacturing a photodiode for an image sensor according to the present invention, the penetration depth of light having a red wavelength band in Ge is reduced to several hundredths of that of Si due to a strong absorption characteristic of Ge, using Ge . That is, when the lattice constant is different from that of the substrate, the growth of the growth layer is limited as the lattice constant difference increases. According to the present invention, the Ge layer is formed on the silicon substrate. Since the thin Ge layer has excellent light intensity sensing characteristics as compared with the photodiode for a silicon-based image sensor, it can sufficiently absorb light by using a Ge layer of a limited thickness by a lattice constant difference, and a small size image sensor It becomes possible to manufacture.
또한, Ge의 녹는점은 940˚C 정도로, Si의 녹는점 1400˚C에 비하여 매우 낮다. 이와 같이 Ge는 녹는점이 낮기 때문에 Ge을 결정 성장시킬때 Si에 비하여 낮은 온도 분위기에서 이루어질 수 있는 것이다. 즉, Ge의 성장 공정은 기 공정된 Si 기판의 구조물들에 미치는 영향이 작다는 것을 의미하며, 다른 Si 기반의 소자들을 형성한 후에 Ge 층을 형성하여도 아무런 문제가 없다.In addition, the melting point of Ge is about 940 ° C, which is much lower than the melting point of Si at 1400 ° C. Thus, since Ge has a low melting point, Ge can be grown in a lower temperature atmosphere than Si in crystal growth. That is, the growth process of Ge means a small influence on the structures of the Si substrate, and there is no problem even if a Ge layer is formed after forming other Si-based devices.
또한, 상기와 같은 본 발명에 따른 이미지 센서용 포토다이오드의 제조 방법은 실리콘 기판을 사용함으로써 기존의 실리콘을 기반으로 하는 제조 공정을 상당 부분 사용할 수 있고, 게르마늄을 포토다이오드로 사용함으로써 빛에 대한 감도가 실리콘 기반의 포토 다이오드보다 우수하고, 크기는 작은 이미지센서를 만드는 것이 가능하다.The method of manufacturing a photodiode for an image sensor according to the present invention can use a conventional silicon-based manufacturing process by using a silicon substrate. By using germanium as a photodiode, sensitivity to light Is superior to a silicon-based photodiode, and it is possible to make an image sensor with a small size.
또한, 게르마늄(Ge) 대신에 갈륨비소(GaAs), 인화인듐(InP), 비소화알루미늄갈륨(Al0.33Ga0.67As), 카드뮴델러라이드(CdTe), 카퍼인듐셀러라이드(CuInSe2) 또는 카퍼인듐갈륨셀러라이드(CuInGaSe2) 등의 화합물 반도체를 포토다이오드로 사용하는 경우에는 특정한 파장대의 빛에 대하여 우수한 감광 소자를 만드는 것도 가능할 것이다. Alternatively, instead of germanium (Ge), gallium arsenide (GaAs), indium phosphide (InP), aluminum gallium arsenide (Al 0.33 Ga 0.67 As), cadmiumdelaride (CdTe), copper indium cellulide (CuInSe 2 ) When a compound semiconductor such as gallium chloride (CuInGaSe 2 ) is used as a photodiode, it is also possible to produce an excellent light-sensitive element for light of a specific wavelength range.
한편, 실리콘 기판위에 Ge층을 형성하면 Ge은 폴리크리스탈(poly-crystal) 형태가 되는데, 이 상태를 포토다이오드로 사용하면 결정 결함 때문에 빛에 의하여 발생한 전자-정공쌍이 결정결함부분에서 쌍소멸(전자-정공결합)하게 되어 감도가 낮아진다. 따라서 Ge을 결정성장하는 과정이 필요한데, 알려진 바로는 실리콘기판위에 게르마늄(Ge)을 에피성장하면 게르마늄은 3 모노층(Monolayer)이상 성장하지 못한다. 따라서 에피성장이 불가능한데, 본원 발명에서는 게르마늄(Ge)을 녹는점의 온도까지 올려서 단결정인 실리콘(Si)기판이 시드(seed)가되어 게르마늄(Ge)의 결정화가 이루어지는 결정 성장 과정을 포함하는 것에 주목하여야 한다.On the other hand, when a Ge layer is formed on a silicon substrate, Ge is in the form of a poly-crystal. When this state is used as a photodiode, electron-hole pairs generated by light due to crystal defects cause double- - hole bonding), resulting in lower sensitivity. Therefore, a process of crystal growth of Ge is necessary. As is known, when the germanium (Ge) is epitaxially grown on a silicon substrate, germanium does not grow more than three monolayers. In this invention, epitaxial growth is impossible. In the present invention, a crystal growth process in which germanium (Ge) is crystallized by raising the temperature to a melting point and forming a single crystal silicon (Si) It should be noted.
도핑에 대하여 보다 상세히 설명하기로 한다. 포토다이오드를 만들기 위해서는 n형 반도체 물질과 p형 반도체 물질의 접합이 필요한데, 포토다이오드가 되기위해서는 Si이 p형 일 경우, Ge이 n형이 가능할 것이다. 또는 실리콘이 n형일 경우에는 Ge이 p형이 가능할 것이다. 실리콘(Si)과 게르마늄(Ge)의 접합은 이종접합이며, 실리콘 에너지갭이 ~ 1.1eV인데 비하여 Ge은 ~ 0.66eV로 낮다. 다이오드로 만들기 위해서는 각 층에 불순물을 주입해야 하는데, 실리콘에 p 도핑하고 게르마늄에 n 도핑하면 실리콘측의 에너지 준위는 올라가고, 게르마늄측의 에너지 준위는 내려가게 된다. 이러한 접합은 다이오드 접합으로 작용하게되고, 포토다이오드로 쓸 수 있다. 접합면에서 빛에 의하여 전자-정공쌍이 발생할 경우, 전자는 n-Ge에 모이게 되고, 정공은 p-Si에 모이게 된다. 따라서, 기판을 p형 실리콘 기판을 사용하고, n형 게르마늄층을 형성하여 결정성장하는 방법이 가능하고, 기판을 p형 실리콘 기판을 사용하고, 게르마늄층을 형성한 후에, 또는 결정성장까지 마친 후에, 게르마늄층에 n형 불순물을 도핑하는 것이 가능할 것이며, p형와 n형을 바꾸는 것이 가능할 것임은 물론이다.The doping will be described in more detail. In order to form a photodiode, it is necessary to bond an n-type semiconductor material and a p-type semiconductor material. In order to form a photodiode, when Si is p-type, Ge-type can be n-type. Alternatively, when silicon is n-type, Ge may be p-type. The junction of silicon (Si) and germanium (Ge) is a heterojunction, and the silicon energy gap is ~ 1.1 eV, whereas Ge is ~ 0.66 eV. In order to make a diode, impurity should be injected into each layer. When p is doped to silicon and n is doped to germanium, the energy level on the silicon side rises and the energy level on the germanium side decreases. This junction acts as a diode junction and can be used as a photodiode. When electron-hole pairs are generated by light in the junction plane, electrons are collected in n-Ge, and holes are collected in p-Si. Therefore, it is possible to use a p-type silicon substrate as the substrate and crystal growth by forming an n-type germanium layer. After the p-type silicon substrate is used as the substrate and the germanium layer is formed, , It is possible to dope the germanium layer with the n-type impurity, and it is of course possible to change the p-type and the n-type.
상술한 바와 같이 본 발명에 따른 이미지 센서용 포토다이오드 제조 방법은 실리콘 기판을 사용함으로써 기존의 실리콘을 기반으로 하는 제조 공정을 상당 부분 사용할 수 있고, 게르마늄을 포토다이오드로 사용함으로써 빛에 대한 감도가 실리콘 기반의 포토 다이오드보다 우수하고, 크기는 작은 이미지센서를 만드는 것이 가능하다.As described above, the method of manufacturing a photodiode for an image sensor according to the present invention can use a conventional silicon-based manufacturing process by using a silicon substrate, and by using germanium as a photodiode, It is possible to make an image sensor that is superior in size and smaller in size than a photodiode based on a photodiode.
Claims (10)
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020050015487A KR100718875B1 (en) | 2005-02-24 | 2005-02-24 | Image sensor manufacturing method and the image sensor therefrom |
| PCT/KR2006/000566 WO2006090992A1 (en) | 2005-02-24 | 2006-02-20 | Method of manufacturing photodiode for image sensor and photodiode manufactured thereby |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020050015487A KR100718875B1 (en) | 2005-02-24 | 2005-02-24 | Image sensor manufacturing method and the image sensor therefrom |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20060094370A KR20060094370A (en) | 2006-08-29 |
| KR100718875B1 true KR100718875B1 (en) | 2007-05-17 |
Family
ID=36927602
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020050015487A KR100718875B1 (en) | 2005-02-24 | 2005-02-24 | Image sensor manufacturing method and the image sensor therefrom |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100718875B1 (en) |
| WO (1) | WO2006090992A1 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100848337B1 (en) * | 2006-12-19 | 2008-07-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | Flat panel display device |
| KR101750742B1 (en) | 2011-10-14 | 2017-06-28 | 삼성전자주식회사 | Photodetector structure |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10290023A (en) | 1997-04-15 | 1998-10-27 | Nec Corp | Semiconductor photodetector |
| JPH11177122A (en) | 1997-12-16 | 1999-07-02 | Nec Corp | Semiconductor photodetector and its manufacture |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4303379B2 (en) * | 1999-09-28 | 2009-07-29 | 京セラ株式会社 | Manufacturing method of semiconductor substrate |
| US6878611B2 (en) * | 2003-01-02 | 2005-04-12 | International Business Machines Corporation | Patterned strained silicon for high performance circuits |
-
2005
- 2005-02-24 KR KR1020050015487A patent/KR100718875B1/en active IP Right Grant
-
2006
- 2006-02-20 WO PCT/KR2006/000566 patent/WO2006090992A1/en active Application Filing
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH10290023A (en) | 1997-04-15 | 1998-10-27 | Nec Corp | Semiconductor photodetector |
| JPH11177122A (en) | 1997-12-16 | 1999-07-02 | Nec Corp | Semiconductor photodetector and its manufacture |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2006090992A1 (en) | 2006-08-31 |
| KR20060094370A (en) | 2006-08-29 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
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| GRNT | Written decision to grant | ||
| G170 | Publication of correction | ||
| FPAY | Annual fee payment |
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|
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|
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|
| FPAY | Annual fee payment |
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|
| FPAY | Annual fee payment |
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|
| FPAY | Annual fee payment |
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|
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