KR100718058B1

KR100718058B1 - 플라즈마 디스플레이 패널 및 그의 제조방법

Info

Publication number: KR100718058B1
Application number: KR1020040109927A
Authority: KR
Inventors: 하병호
Original assignee: 엘지전자 주식회사
Priority date: 2004-12-21
Filing date: 2004-12-21
Publication date: 2007-05-14
Also published as: KR20060071032A

Abstract

본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 플라즈마 디스플레이 패널 제조용 전면 글라스의 하부에 형성되는 보호막의 기능을 강화한 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법에 관한 것이다.

이와 같은 본 발명은 전면 글라스에 스캔 전극과 서스테인 전극이 쌍을 이뤄 형성된 복수의 유지 전극쌍이 평행하게 배열된 전면 패널, 복수의 유지 전극쌍과 교차하는 방향으로 복수의 어드레스 전극이 후면 글라스에 배열된 후면 패널, 전면 패널과 후면 패널 사이에 배치되어 방전 셀을 구획하는 격벽을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서, 전면 패널은 알칼리 토금속 산화물과 탄소나노튜브를 포함하고, 보호막의 상온에서의 부피 조성비는 알칼리 토금속 산화물 10 vol % 이상 50 vol % 이하, 탄소나노튜브 40 vol % 이상 50 vol % 이하인 것 을 특징으로 한다.

또한 본 발명은 전면 글라스에 스캔 전극과 서스테인 전극이 쌍을 이뤄 형성된 복수의 유지 전극쌍이 평행하게 배열된 전면 패널, 복수의 유지 전극쌍과 교차하는 방향으로 복수의 어드레스 전극이 후면 글라스에 배열된 후면 패널, 전면 패널과 후면 패널 사이에 배치되어 방전 셀을 구획하는 격벽을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법에 있어서, 전면 글라스 하부에 복수의 유지 전극쌍을 형성하는 단계와, 복수의 유지 전극쌍 하부에 유전체층을 형성하는 단계와, 알칼리 토금속 산화물과 탄소나노튜브를 포함하는 혼합물을 조성하는 단계 및 유전체층 하부에 혼합물을 코팅하여 보호막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

이와 같은 본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널의 전면 패널에 형성되는 보호막의 재질을 달리하여 방전개시전압을 낮춤으로써 구동효율을 높이고, 상기 보호막 형성방법을 달리하여 제조비용을 절감하는 동시에 보호막의 두께에 대하여 높은 수준의 균일성을 확보하는 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법을 제공하는데 목적이 있다.

보호막, 탄소나노튜브, 바코터

Description

플라즈마 디스플레이 패널 및 그의 제조방법{Plasma Display Panel and Making method thereof}

도 1은 일반적인 플라즈마 디스플레이 패널의 구조를 나타낸 도.

도 2는 본 발명에 따른 개선된 보호막을 구비한 플라즈마 디스플레이 패널의 구조와 기능을 나타낸 도.

도 3은 본 발명에 따른 개선된 보호막을 전면 패널에 형성하는 과정을 나타낸 공정도.

도 4는 도 3에 따라 실시되는 실제 공정을 개략적으로 나타낸 도.

도 5는 바 코터를 사용하여 본 발명에 따른 개선된 보호막을 형성하는 과정을 개략적으로 나타낸 도.

일반적으로 플라즈마 디스플레이 패널은 전면패널과 후면패널 사이에 형성된 격벽 사이의 공간이 하나의 단위 셀을 이루는 것으로, 각 셀 내에는 네온(Ne), 헬륨(He) 또는 네온 및 헬륨의 혼합기체(Ne+He)와 같은 주 방전 기체와 소량의 크세논을 함유하는 불활성 가스가 충진되어 있다. 고주파 전압에 의해 방전이 될 때, 불활성 가스는 진공자외선(Vacuum Ultraviolet rays)을 발생하고 격벽 사이에 형성된 형광체를 발광시켜 화상이 구현된다. 이와 같은 플라즈마 디스플레이 패널은 얇고 가벼운 구성이 가능하므로 차세대 표시장치로서 각광받고 있다.

도 1은 일반적인 플라즈마 디스플레이 패널의 구조를 나타낸 도이다.

도 1에 도시된 바와 같이, 플라즈마 디스플레이 패널은 화상이 디스플레이 되는 표시면인 전면 글라스(101)에 스캔 전극(102)과 서스테인 전극(103)이 쌍을 이뤄 형성된 복수의 유지 전극쌍이 배열된 전면 패널(100) 및 배면을 이루는 후면 글라스(111) 상에 전술한 복수의 유지 전극쌍과 교차되도록 복수의 어드레스 전극(113)이 배열된 후면 패널(110)이 일정한 거리를 사이에 두고 평행하게 결합된다.

전면 패널(100)은 하나의 방전 셀에서 상호 방전시키고 셀의 발광을 유지하기 위한 스캔 전극(102) 및 서스테인 전극(103), 즉 투명한 ITO 물질로 형성된 투명 전극(a)과 금속 재질로 제작된 버스 전극(b)으로 구비된 스캔 전극(102) 및 서스테인 전극(103)이 쌍을 이뤄 포함된다. 스캔 전극(102) 및 서스테인 전극(103)은 방전 전류를 제한하며 전극 쌍 간을 절연 시켜주는 하나 이상의 유전체층(104)에 의해 덮혀지고, 상부 유전체층(104) 상면에는 방전 조건을 용이하게 하기 위하여 산화마그네슘(MgO)을 증착한 보호막(105)이 형성된다.

후면 패널(110)은 복수개의 방전 공간 즉, 방전 셀을 형성시키기 위한 스트 라이프 타입(또는 웰 타입)의 격벽(112)이 평행을 유지하여 배열된다. 또한, 어드레스 방전을 수행하여 진공자외선을 발생시키는 다수의 어드레스 전극(113)이 격벽(112)에 대해 평행하게 배치된다. 후면 패널(110)의 상측면에는 어드레스 방전시 화상표시를 위한 가시광선을 방출하는 R, G, B 형광체(114)가 도포된다. 어드레스 전극(113)과 형광체(114) 사이에는 어드레스 전극(113)을 보호하기 위한 하부 유전체층(115)이 형성된다.

이와 같은 구조를 가진 종래의 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서, 보호막(105)은 방전 셀 내에서 2차 전자를 방출하여 방전 효율을 높여 줌으로써 전극들 간에 인가되는 방전 전압을 낮춰 줄 수 있도록 하는 한편, 패널 내부의 전극을보호하는 역할을 한다.

이와 같은 기능을 수행하는 종래의 보호막의 성분으로는 주로 산화 마그네슘(MgO)을 사용해 왔다.

산화 마그네슘(MgO)의 막 특성이 비교적 우수하여 수명 및 전기적 특성이 좋은 장점을 가지고는 있지만 여전히 플라즈마 디스플레이 패널 구동시 소요되는 높은 소비전력을 개선하는 데는 한계가 있다.

이러한 종래 플라즈마 디스플레이 패널 구조하에서 전면 글라스(101)의 유전체층(104) 상부에 형성되는 보호막(105)은 일반적으로 전자 빔(Electron-beam) 증착법, 스퍼터링(Sputtering) 법, 이온 플레이팅(Ion Plating) 법, 스크린 인쇄(screen printing) 법 등의 공정을 통하여 형성된다.

이러한 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막(105) 제조 공정은 각기 장, 단점 을 가지고 있는데 먼저 전자 빔(Electron-beam) 증착법의 경우, 두께 균일성이 낮고, 비용이 높고, 장비가 차지하는 공간이 큰 문제점이 있다. 스퍼터링(Sputtering) 법의 경우, 증착 속도가 느리고, 공정 조건이 다소 까다로우며, 재현성 확보에 있어서 문제가 있다. 이온 플레이팅(Ion Plating) 법의 경우, 재현성 확보에 어려움이 있고 장비가 차지하는 공간이 큰 문제점이 있다.

따라서 본 발명은 이와 같은 문제점을 해결하기 위하여 플라즈마 디스플레이 패널의 전면 패널에 형성되는 보호막의 재질을 달리하여 방전개시전압을 낮춤으로써 구동효율을 높이고, 상기 보호막 형성방법을 달리하여 제조비용을 줄일 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법을 제공하는데 목적이 있다.

이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은 전면 글라스에 스캔 전극과 서스테인 전극이 쌍을 이뤄 형성된 복수의 유지 전극쌍이 평행하게 배열된 전면 패널, 복수의 유지 전극쌍과 교차하는 방향으로 복수의 어드레스 전극이 후면 글라스에 배열된 후면 패널, 전면 패널과 후면 패널 사이에 배치되어 방전 셀을 구획하는 격벽을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서, 전면 패널은 알칼리 토금속 산화물과 탄소나노튜브를 포함하는 보호막을 구비하고, 보호막의 상온에서의 부피 조성비는 알칼리 토금속 산화물 10 vol % 이상 50 vol % 이하, 탄소나노튜브 40 vol % 이상 50 vol % 이하인 것 을 특징으로 한다.

삭제

혼합물의 상온에서의 부피 조성비는 알칼리 토금속 산화물 2 vol % 이상 10 vol % 이하, 탄소나노튜브 2 vol % 이상 10 vol % 이하, 솔벤트 60 vol % 이상 80 vol % 이하인 것을 특징으로 한다.

보호막의 상온에서의 부피 조성비는 알칼리 토금속 산화물 10 vol % 이상 50 vol % 이하, 탄소나노튜브 40 vol % 이상 50 vol % 이하인 것을 특징으로 한다.

알칼리 토금속 산화물은 산화마그네슘(MgO)인 것을 특징으로 한다.

보호막은 바 코터를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 기술적 사상을 이해하기 위해서는 플라즈마 디스플레이 패널 내부의 방전 메카니즘에 대한 고찰이 선행될 필요가 있으므로 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하기에 앞서 먼저 방전 메카니즘에 대해 살펴본다.

양의 전하를 가지는 핵과 음의 전하를 가지는 전자로 구성된 원자 내에서, 전자는 양자 법칙에 의해 핵 주위의 일정한 궤도 상에서만 존재할 수 있다.

각 궤도에서 전자가 가질 수 있는 에너지 상태를 에너지 준위(energy level)라고 하며, 가장 안정된 에너지 준위에 있는 원자의 상태를 기저 상태(ground state)라고 한다.

기저 상태의 원자 또는 분자에 에너지가 공급될 경우, 전자는 기저상태의 궤도로부터 벗어나 보다 높은 에너지 준위의 궤도로 이동(천이)할 수 있으며, 전자가 기저 상태로부터 높은 에너지 상태로 천이된 원자는 여기상태(excited state)에 있다고 한다.

여기상태의 원자는 불안정하여 일정한 시간(일반적으로 수 ~ 수백 ns)이 지난 후 다른 낮은 에너지 준위의 여기상태 또는 기저상태로 전자의 천이가 발생되며, 에너지 준위의 차이에 해당되는 에너지를 광 또는 열 에너지로 외부에 방출시킨다.

원자 또는 분자를 여기상태로 만들어 주기 위한 에너지는 광 또는 전자의 충돌에 의해 전달되며, 플라즈마 디스플레이 패널에서는 화상을 얻기 위해 불활성 가스 방전에서 발생되는 자외선과 형광체가 자외선에 의해 여기된 후 낮은 에너지 준위로 천이할 때 발생되는 가시광선에 의한 광에너지를 사용한다.

불활성 가스 양단에 전극을 위치 시키고 전압을 인가하면, 전극 사이에 전장이 형성된다.

전극 사이에 전자가 존재할 경우, 전자는 전장으로부터 에너지를 공급 받아 가속이 되며, 가속된 전자는 중성원자와 충돌하여 에너지를 중성원자에 전달한다.

중성원자에 전달된 에너지가 중성원자의 최외각 궤도에 위치하는 전자를 여 기시켜서 원자로부터 분리시킬 정도로 높을 경우 (이온화 에너지 이상일 경우) 중성원자는 - 전하를 가지고 있는 전자와 + 전하를 가지고 있는 ion으로 분리된다.

중성원자가 ion 및 전자로 분리되는 이러한 과정을 이온화 과정이라고 하며, 이온화 과정을 거쳐 생성된 전자를 충분히 오랜 시간 동안 전극 사이의 공간(방전공간)에 머무를 수 있게 하면 지속적으로 이온화 과정을 유지시킬 수 있게 되고, 방전 공간상의 전자 및 이온의 밀도는 급격히 증가된다.

이와 같이 중성원자를 전기적으로 이온 및 전자로 분해시키고, 전하를 가진 입자의 밀도를 급격히 증가시키는 과정을 방전(discharge)이라고 하며, 방전에 의해 생성된 이온 및 전자의 밀도가 높고 전체적으로는 전기적 중성을 유지하고 있는 가스 + 이온 + 전자의 집합체를 플라즈마라고 한다.

플라즈마 상태 하에서는 전자의 밀도가 비교적 높기 때문에 외부로부터 전기적 에너지를 비교적 용이하게 공급할 수 있고, 전장에 의해 가속된 전자가 충돌에 의해 중성원자를 여기시키는 빈도를 높여주어 중성원자가 여기상태로부터 기저상태로 천이할 때 발생되는 고 에너지 상태의 자외선이 증가된다.

방전에 의해 발생된 이들 자외선은 형광체를 여기시키고, 여기된 형광체가 낮은 에너지 준위로 천이될 때 형광체 특성에 따라 서로 다른 파장의 3원색 가시광선[Red(R), Green(G), Blue(B)]이 발생되어 칼라 영상을 표시할 수 있다.

이하에서는 이상에서 살펴본 플라즈마 방전 메카니즘의 원리를 숙지하고 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.

도 2는 본 발명에 따른 개선된 보호막을 구비한 플라즈마 디스플레이 패널의 구조와 기능을 나타낸 도이다.

도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은 후면 패널(2000)과 전면 패널(1000) 사이에 방전 셀이 위치하며, 방전 셀에는 불활성 가스가 봉입되어 있다.

전면 패널(1000)에는 두개의 수평 전극이 평행하게 위치하고 있으며, 이들 두 전극은 역할에 따라 스캔 전극(202, Y 전극) 및 서스테인 (203, Z 전극) 전극으로 구분된다. 스캔 전극(202)에는 구동시 방전 셀 선택을 위한 스캔 펄스와 스캔 전극(202)과 서스테인 전극(203) 사이에 면방전을 일으키기 위한 서스테인 펄스가 인가된다.

후면 패널(2000)에는 어드레스 전극 (209, X 전극)이 전면 패널(1000)의 전극들과 수직한 방향으로 배치되어 있으며, 어드레스 전극 (209, X 전극)에는 스캔 펄스와 동기를 맞추어 해당되는 주사선의 영상 데이터가 순차적으로 입력된다.

후면 패널(2000)에 위치한 어드레스 전극(209)은 하부 유전체층(208)에 의해 보호되어 있으며, 하부 유전체층(208) 위에는 방전으로 인해 발생된 진공자외선(Vacuum UltraViolet, VUV)에 의해 여기되어 가시광선을 발생시키는 형광체(207)가 도포되어 있다. 칼라 플라즈마 디스플레이 패널에서 하나의 화소(pixel)는 삼원색인 R, G, B 광을 발생시킬 수 있는 3개의 서브 픽셀(sub-pixel)로 구성되며, 각각의 서브 픽셀은 서로 다른 형광체를 사용한다.

전면 패널(1000)과 후면 패널(2000) 사이에는 간격을 유지시키고 인접 셀과의 간섭을 방지시키기 위해 절연체 격벽 (206, barrier rib)이 형성되어 있으며, 방전 셀에는 불활성 방전 가스가 봉입되어 있다.

전면 패널(1000)에 위치한 스캔 전극(202)과 서스테인 전극(203)들은 동일한 구조를 가지고 있다. 스캔 전극(202)과 서스테인 전극(203)은 하부 형광체층(207)에서 발생된 가시광선을 투과시키기 위해 Indium Tin Oxide (ITO) 투명 전극(202a, 203a)을 사용한다. 투명 전극(202a, 203a)은 전기저항이 높으므로, 투명 전극(202a, 203a)만을 전극으로 사용할 경우 대형 플라즈마 디스플레이 패널에서 전압강하가 많이 발생된다. 이를 방지하기 위하여 전기저항이 낮은 금속(주로 Ag 또는 Cu) 재료를 사용하여 투명 전극(202a, 203a)의 위에 폭이 좁은 버스 전극(202b, 203b)을 형성시킨다. 이들 전극은 소정의 두께를 갖는 상부 유전체층(204)에 의해 방전 셀과 격리되어 있다.

한편, 다음으로 상부 유전체층(204)과 방전 셀 사이에는 본 발명에 있어서 주요 구성 요소인, 알칼리 토금속 산화물과 탄소나노튜브를 포함하는 성능이 개선된 보호막(205)이 형성되어 있으며, 상기 보호막(205)은 ion이 표면에 충돌할 때 방출되는 전자(2차전자)의 수가 많은 물질이고, ion 충돌에 의해 발생되는 표면 손상이 적어 패널의 수명을 증가시키는데 탁월한 물질이다.

이 시점에서 본 발명에 따른 알칼리 토금속 산화물과 탄소나노튜브를 포함하는 보호막(205)의 개선된 성능을 이해하기 위해 2차전자 방출계수와 방전 개시 전압간의 상호관계를 고찰한다.

기본적으로, 한개의 ion이 표면에 충돌할 때 방출되는 2차 전자의 개수를 이차전자 방출계수라고 하며, 이차전자 방출계수가 높을 경우 방전 개시 전압은 낮아 진다.

이를 식으로 표현하면 다음 수학식 1과 같다.

여기서 Vi는 불활성 방전 가스의 이온화 전압이며, η는 1차전자 방출계수(1st Townsend coefficient)로서 불활성 방전 가스에 전압이 인가 될때 불활성 방전 가스가 1V 당 생성시킬 수 있는 전자-이온쌍(electron-ion pairs)의 수이며,

는 2차전자 방출계수(2nd Townsend coefficient)로서 캐소드(Cathode)를 충격하는 이온 한 개당 캐소드(Cathode)에서 방출하는 2차전자의 수이다.

수학식 1로부터, 2차전자 방출계수(

)가 높을수록 방전 개시 전압(Vf)이 낮아짐을 볼 수 있다.

이와 같은 점에 착안한 본 발명은 보호막(205)의 성분으로 2차전자 방출계수(

)가 월등히 높은 탄소나노튜브를 포함함으로써 보호막(205) 자체의 2차전자 방출계수(

)를 상승시키고, 이에 따라 수학식 1에 표현된 바와 같이 방전 개시 전압(Vf)을 낮춤으로써 플라즈마 디스플레이 패널의 구동효율을 높인다.

본 발명에 따른 보호막(205)의 상온에서의 부피 조성비는 알칼리 토금속 산 화물 10 vol % 이상 50 vol % 이하, 탄소나노튜브 40 vol % 이상 50 vol % 이하로 하는 것이 바람직하다.

본 발명에 따른 알칼리 토금속 산화물은 산화마그네슘(MgO)으로 하는 것이 바람직하다.

도 3은 본 발명에 따른 개선된 보호막을 전면 패널에 형성하는 과정을 나타낸 공정도이고,

도 4는 도 3에 따라 실시되는 실제 공정을 개략적으로 나타낸 도이며,

도 5는 바 코터를 사용하여 본 발명에 따른 개선된 보호막을 형성하는 과정을 개략적으로 나타낸 도이다.

이하에서는 도 3의 본 발명에 따른 개선된 보호막을 전면 패널에 형성하는 공정을 도 4 및 도 5를 참조하여 상세히 설명하기로 한다.

도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 개선된 보호막을 전면 패널에 형성하는 공정은 (1)전면 글라스 하부에 복수의 유지 전극쌍을 형성하는 단계(301), (2)복수의 유지 전극쌍 하부에 유전체층을 형성하는 단계(302), (3)알칼리 토금속 산화물과 탄소나노튜브를 포함하는 혼합물을 조성하는 단계(303), (4)유전체층 하부에 혼합물을 코팅하여 보호막을 형성하는 단계(304)를 포함한다.

이하에서는 각 단계별 공정을 상세히 설명하기로 한다.

(1)전면 글라스 하부에 복수의 유지 전극쌍을 형성하는 단계(301)

소정의 두께를 갖는 장방형의 전면 글라스(201) 하부에 투명전극(202a, 203a)을 먼저 형성하고 다음으로 버스전극(202b, 203b)을 형성한다. 이와 같은 투 명전극(202a, 203a)을 형성하는 공법으로는 리프트-오프(Lift-Off)법, 포토 에칭(Photo Etching)법 등을 예로 들 수 있으며, 버스전극(202b, 203b)을 형성하는 공법으로는 패턴 인쇄법, 포토 페이스트(Photo Paste) 법, 포토 에칭(Photo Etching) 법 등을 예로 들 수 있다.

(2)복수의 유지 전극쌍 하부에 유전체층을 형성하는 단계(302)

전면 글라스(201) 하부에 투명전극(202a, 203a)과 버스전극(202b, 203b)을 형성한 후에는 그 하부에 소정의 유전율을 갖는 유전체층(204)을 형성한다. 이러한 유전체층(204)을 형성하는 공법으로는 인쇄법과 그린-쉬트 라미네이팅(Green-sheet Laminating)법 등을 예로 들 수 있다.

(3)알칼리 토금속 산화물과 탄소나노튜브를 포함하는 혼합물을 조성하는 단계(303)

유전체층(204)을 형성한 후에는, 본 발명에 따른 개선된 보호막(205)을 전면 패널에 형성하는 과정에 있어서 중요한 단계로서 보호막(205) 형성용 혼합물을 조성한다.

이와 같은 혼합물의 상온에서의 부피 조성비는 알칼리 토금속 산화물 2 vol % 이상 10 vol % 이하, 탄소나노튜브 2 vol % 이상 10 vol % 이하, 솔벤트 60 vol % 이상 80 vol % 이하로 하는 것이 바람직하다.

이러한 알칼리 토금속 산화물과 탄소나노튜브를 나노 레벨(Nano Level)의 미세한 분말로 하여 에탄올(ETOH)등을 솔벤트(Solvent)로 하여 용해시킨다.

이와 같이 솔벤트에 용해된 알칼리 토금속 산화물과 탄소나노튜브를 포함하 는 혼합물은 상당히 낮은 수준의 점도를 유지한다.

(4)유전체층 하부에 혼합물을 코팅하여 보호막을 형성하는 단계(304)

보호막(205) 형성용 혼합물을 조성한 후에는 본 발명에 따른 개선된 보호막(205)을 전면 패널에 형성하는 과정에 있어서 또하나의 중요한 단계로서 유전체층(204) 하부에 혼합물을 코팅하여 보호막(205)을 형성한다.

단계 (3)에서 살펴본 바와 같이, 솔벤트에 용해된 알칼리 토금속 산화물과 탄소나노튜브를 포함하는 혼합물의 점도가 상당히 낮은 수준이라는 점에 착안하여 도 5에 도시된 바와 같이 바 코터(Bar Coater)를 이용하여 따른 솔벤트에 용해된 알칼리 토금속 산화물과 탄소나노튜브를 포함하는 혼합물을 유전체층(204) 하부에 형성한다.

이 과정을 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 5의 (a)에 도시된 바와 같이 , 투명전극(202a, 203a)과 버스전극(202b, 203b) 및 유전체층(204)이 형성된 전면 패널(400) 상부에 솔벤트에 용해된 알칼리 토금속 산화물과 탄소나노튜브를 포함하는 혼합물(205a) 을 도포한다.
다음, 도 5의 (b),(c)에 도시된 바와 같이 , 바 코터(Bar Coater, 401) 를 목표로 하는 보호막(205)의 두께만큼 유전체 층(204)으로부터 이격시킨 후 소정의 이송 수단으로 바 코터(401) 를 유전체층(204)과 평행을 유지한 상태로 수평 이송시킴으로써 손쉽게 보호막(205)을 형성할 수 있다.

이와 같이 바 코터(401) 를 이용하여 보호막(205)을 형성하는 방안은 공정을 단순화 하면서도 보호막 두께의 높은 수준의 균일성을 확보한다는 측면에서 그 효과는 지대하다 하지 않을 수 없다.

삭제

이와 같은 공정을 거쳐 형성되는 보호막(205)의 상온에서의 부피 조성비는 알칼리 토금속 산화물 10 vol % 이상 50 vol % 이하, 탄소나노튜브 40 vol % 이상 50 vol % 이하로 하는 것이 바람직하며 이를 위해 솔벤트의 조성비를 조절한다.

또한 알칼리 토금속 산화물은 산화마그네슘(MgO)인 것이 바람직하다.

이상에서 상세히 설명한 바와 같이 함으로써, 보호막의 제조 비용을 절감함과 동시에 보호막의 두께에 대하여 높은 수준의 균일성을 확보한다.

이상에서 보는 바와 같이, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.

그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이아닌 것으로서 이해되어야 하고, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.

이상에서 상술한 바와 같이, 플라즈마 디스플레이 패널의 전면 패널에 형성되는 보호막의 재질을 달리하여 방전개시전압을 낮춤으로써 구동효율을 높이고, 상기 보호막 형성방법을 달리하여 제조비용을 절감하는 동시에 보호막의 두께에 대하여 높은 수준의 균일성을 확보하는 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법을 제 공한다.

Claims

전면 글라스에 스캔 전극과 서스테인 전극이 쌍을 이뤄 형성된 복수의 유지 전극쌍이 평행하게 배열된 전면 패널, 상기 복수의 유지 전극쌍과 교차하는 방향으로 복수의 어드레스 전극이 후면 글라스에 배열된 후면 패널, 상기 전면 패널과 후면 패널 사이에 배치되어 방전 셀을 구획하는 격벽을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서,

상기 전면 패널은 알칼리 토금속 산화물과 탄소나노튜브를 포함하는 보호막을 구비하고,

상기 보호막의 상온에서의 부피 조성비는 알칼리 토금속 산화물 10 vol % 이상 50 vol % 이하, 탄소나노튜브 40 vol % 이상 50 vol % 이하인 것

을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
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제 1 항에 있어서,

상기 알칼리 토금속 산화물은 산화마그네슘(MgO)인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
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제 1 항에 있어서,

상기 보호막의 상온에서의 부피 조성비는 알칼리 토금속 산화물 2 vol % 이상 10 vol % 이하, 탄소나노튜브 2 vol % 이상 10 vol % 이하, 솔벤트 60 vol % 이상 80 vol % 이하의 조성비를 가진 혼합물에 의해 형성되는 것

을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
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